JPH0677022A - 複合積層部品用非磁性フェライトおよび複合積層部品 - Google Patents
複合積層部品用非磁性フェライトおよび複合積層部品Info
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- JPH0677022A JPH0677022A JP5064737A JP6473793A JPH0677022A JP H0677022 A JPH0677022 A JP H0677022A JP 5064737 A JP5064737 A JP 5064737A JP 6473793 A JP6473793 A JP 6473793A JP H0677022 A JPH0677022 A JP H0677022A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】 本発明の複合積層部品に用いられる非磁性フ
ェライトは、Ｆｅ2Ｏ3 とＣｕＯおよび／またはＺｎＯ
とを含有するフェライトに対して、ＭｇＯとＢａＯとＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との４種の酸化成分、あるいはこれら
４種の酸化物成分とＣａＯおよびＳｎＯ2 の１種以上と
の５〜６種の酸化物成分を含む。 【効果】 この非磁性フェライトを用いたシールド型積
層チップインダクタ、シールド型積層トランスあるいは
積層ＬＣ複合部品等の複合積層部品は、使用する異なる
材料間の線膨張系数の差が小さくなる。そのため、内部
でのクラック発生が防止されたり、異なる材料間の界面
部分にＣｕＯ、ＺｎＯ等の析出による回路抵抗の低下を
来すことがない優れた特性をもつ複合積層部品となる。
ェライトは、Ｆｅ2Ｏ3 とＣｕＯおよび／またはＺｎＯ
とを含有するフェライトに対して、ＭｇＯとＢａＯとＳ
ｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 との４種の酸化成分、あるいはこれら
４種の酸化物成分とＣａＯおよびＳｎＯ2 の１種以上と
の５〜６種の酸化物成分を含む。 【効果】 この非磁性フェライトを用いたシールド型積
層チップインダクタ、シールド型積層トランスあるいは
積層ＬＣ複合部品等の複合積層部品は、使用する異なる
材料間の線膨張系数の差が小さくなる。そのため、内部
でのクラック発生が防止されたり、異なる材料間の界面
部分にＣｕＯ、ＺｎＯ等の析出による回路抵抗の低下を
来すことがない優れた特性をもつ複合積層部品となる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複合積層部品用非磁性
フェライトおよび複合積層部品に関する。
フェライトおよび複合積層部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、比較的低透磁率ではあるが直線性
や直流重畳特性のよい開磁路型積層インダクタが知られ
ている。このものは漏れ磁束の影響する距離が大きい。
集積度の高いプリント基板にこのようなインダクタを実
装するには別個の高透磁率の金属板を用いたり、他の回
路部品から離間させたりする必要があり、小型化、高集
積化のネックとなっている。
や直流重畳特性のよい開磁路型積層インダクタが知られ
ている。このものは漏れ磁束の影響する距離が大きい。
集積度の高いプリント基板にこのようなインダクタを実
装するには別個の高透磁率の金属板を用いたり、他の回
路部品から離間させたりする必要があり、小型化、高集
積化のネックとなっている。
【０００３】このような問題を解決するために開発され
たのが、特公平３−５８１６４号公報に開示されている
シールド型積層チップインダクタである。すなわち、こ
のようなインダクタにおいては、電極周辺に非磁性材料
を用いることで、効率の良い高特性を得ようとするもの
である。
たのが、特公平３−５８１６４号公報に開示されている
シールド型積層チップインダクタである。すなわち、こ
のようなインダクタにおいては、電極周辺に非磁性材料
を用いることで、効率の良い高特性を得ようとするもの
である。
【０００４】しかしながら、このシールド型積層チップ
インダクタは、使用する磁性材料と非磁性材料の線膨張
係数の差が大きい場合には、特性が劣化したり、シール
ド型積層チップインダクタ内部にクラックが入ってしま
うという問題がしばしば生じる。また、焼成時の収縮率
が小さい内部電極は、使用する磁性材料と非磁性材料の
線膨張係数の差より生ずる応力を増加させ、同じく特性
を劣化させたり、最悪の場合にはシールド型積層チップ
インダクタ内部にクラックを生じさせたりすることがあ
る。
インダクタは、使用する磁性材料と非磁性材料の線膨張
係数の差が大きい場合には、特性が劣化したり、シール
ド型積層チップインダクタ内部にクラックが入ってしま
うという問題がしばしば生じる。また、焼成時の収縮率
が小さい内部電極は、使用する磁性材料と非磁性材料の
線膨張係数の差より生ずる応力を増加させ、同じく特性
を劣化させたり、最悪の場合にはシールド型積層チップ
インダクタ内部にクラックを生じさせたりすることがあ
る。
【０００５】また、磁性材料と非磁性材料との間に極端
な組成上の違いがある場合には、ＣｕＯ、ＺｎＯ等の析
出による回路抵抗（ＩＲ）の低下を来すことも考えられ
る。さらに、セラミック誘電体層と内部電極層とを積層
して構成されるコンデンサチップ体と、セラミック磁性
層と内部導体とを積層して構成されるインダクタチップ
体とを一体的に成形した複合積層部品の一種である積層
ＬＣ複合部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼
性が高いことなどから、各種電子機器に多用されてい
る。
な組成上の違いがある場合には、ＣｕＯ、ＺｎＯ等の析
出による回路抵抗（ＩＲ）の低下を来すことも考えられ
る。さらに、セラミック誘電体層と内部電極層とを積層
して構成されるコンデンサチップ体と、セラミック磁性
層と内部導体とを積層して構成されるインダクタチップ
体とを一体的に成形した複合積層部品の一種である積層
ＬＣ複合部品は、体積が小さいこと、堅牢性および信頼
性が高いことなどから、各種電子機器に多用されてい
る。
【０００６】このようなＬＣ複合部品は、通常、内部導
体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層用ペースト
および内部電極層用ペーストを厚膜技術によって積層一
体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に外部電極用
ペーストを印刷ないし転写した後、焼成することにより
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性材料と
しては、低温焼成が可能であることからＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトが一般に用いられ
ている。しかし、磁性材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトを用いると、回路抵抗
が予測される値より大幅に低いことが判明した。
体用ペースト、磁性層用ペースト、誘電体層用ペースト
および内部電極層用ペーストを厚膜技術によって積層一
体化した後、焼成し、得られた焼結体表面に外部電極用
ペーストを印刷ないし転写した後、焼成することにより
製造される。この場合、磁性層に用いられる磁性材料と
しては、低温焼成が可能であることからＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトが一般に用いられ
ている。しかし、磁性材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトやＮｉ−Ｚｎフェライトを用いると、回路抵抗
が予測される値より大幅に低いことが判明した。
【０００７】本発明者らはこのような現象につき検討を
行なったところ、焼成や外部電極焼き付けの際、インダ
クタチップ体のセラミック磁性層と、コンデンサチップ
体のセラミック誘電体層との接合界面に、ＣｕやＣｕ酸
化物、ＺｎやＺｎ酸化物等が析出し、電気抵抗の低い層
が形成されており、この結果部品の回路抵抗が大幅に低
下してしまうことがわかった。
行なったところ、焼成や外部電極焼き付けの際、インダ
クタチップ体のセラミック磁性層と、コンデンサチップ
体のセラミック誘電体層との接合界面に、ＣｕやＣｕ酸
化物、ＺｎやＺｎ酸化物等が析出し、電気抵抗の低い層
が形成されており、この結果部品の回路抵抗が大幅に低
下してしまうことがわかった。
【０００８】このような問題を解決するためには、磁性
層と、誘電体層との接合界面に、例えば、非磁性フェラ
イト等の中間層を設け、Ｃｕ、Ｚｎ等の析出を防止する
ことが考えられる。しかし、これまでの中間層は、これ
らの析出量を減少はするが、接合界面での局部的な析出
を完全には防止できなかった。このため、部品の回路抵
抗を満足できるほどには向上できなかった。
層と、誘電体層との接合界面に、例えば、非磁性フェラ
イト等の中間層を設け、Ｃｕ、Ｚｎ等の析出を防止する
ことが考えられる。しかし、これまでの中間層は、これ
らの析出量を減少はするが、接合界面での局部的な析出
を完全には防止できなかった。このため、部品の回路抵
抗を満足できるほどには向上できなかった。
【０００９】このような、前記シールド型積層チップイ
ンダクタや、積層ＬＣ複合部品等の問題は、特に使用す
る材料の線膨張係数の差が大きい場合に多く生じる。ま
た、これらの問題はシールド型積層チップインダクタや
積層ＬＣ複合部品のみならず、シールド型積層トランス
等の他の複合積層部品においても同様に生じるものであ
る。
ンダクタや、積層ＬＣ複合部品等の問題は、特に使用す
る材料の線膨張係数の差が大きい場合に多く生じる。ま
た、これらの問題はシールド型積層チップインダクタや
積層ＬＣ複合部品のみならず、シールド型積層トランス
等の他の複合積層部品においても同様に生じるものであ
る。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】そこで本発明の目的
は、上記問題点を解決し、複合積層部品に及ぼす異なる
材料間の線膨張係数の差により生ずる内部応力に起因す
る特性劣化や内部クラックの発生、さらに、異なる材料
間の界面付近にＣｕ酸化物やＺｎ酸化物等が析出し、回
路抵抗の低い層が形成される等の問題を回避することが
でき、特性の向上を図ることができる複合積層部品と、
そのための非磁性フェライト材質を提供することにあ
る。
は、上記問題点を解決し、複合積層部品に及ぼす異なる
材料間の線膨張係数の差により生ずる内部応力に起因す
る特性劣化や内部クラックの発生、さらに、異なる材料
間の界面付近にＣｕ酸化物やＺｎ酸化物等が析出し、回
路抵抗の低い層が形成される等の問題を回避することが
でき、特性の向上を図ることができる複合積層部品と、
そのための非磁性フェライト材質を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（３１）の構成の本発明により達成される。 （１）酸化鉄と、酸化銅および／または酸化亜鉛とを含
む非磁性フェライト組成のＦｅ2 Ｏ3 とＣｕＯおよび／
またはＺｎＯとの１００モル％に対して、さらにＭｇＯ
と、ＢａＯと、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、ＳｎＯ2 と、
ＣａＯとの総計が１〜３０重量％の範囲になるように、
酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化ケイ素および酸
化ホウ素の４種の酸化物成分、またはこれら４種の酸化
物成分と酸化スズおよび酸化カルシウムのうちの１種以
上の酸化成分との５または６種の酸化物成分が添加され
ている複合積層部品用非磁性フェライト。 （２）前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６
〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％およびＺｎＯ：
３３〜５２モル％である上記（１）の複合積層部品用非
磁性フェライト。 （３）ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：０．４〜
９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％および
ＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量％の範囲
である上記（１）または（２）の複合積層部品用非磁性
フェライト。 （４）磁性フェライトを含有する磁性体層と、非磁性絶
縁体層と、導体層とを有し、インダクタを内蔵する複合
積層部品であって、前記非磁性絶縁体層は、酸化鉄と、
酸化銅および／または酸化亜鉛とを含む非磁性フェライ
ト組成のＦｅ2 Ｏ3 とＣｕＯおよび／またはＺｎＯとの
１００モル％に対して、さらにＭｇＯと、ＢａＯと、Ｓ
ｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、ＳｎＯ2 と、ＣａＯとの総計が
１〜３０重量％の範囲になるように、酸化マグネシウ
ム、酸化バリウム、酸化ケイ素および酸化ホウ素の４種
の酸化物成分、またはこれら４種の酸化物成分と酸化ス
ズおよび酸化カルシウムのうちの１種以上の酸化成分と
の５または６種の酸化物成分が添加されている非磁性フ
ェライトを含有する複合積層部品。 （５）前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６
〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％およびＺｎＯ：
３３〜５２モル％である上記（４）の複合積層部品。 （６）ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：０．４〜
９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％および
ＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量％の範囲
である上記（４）または（５）の複合積層部品。 （７）前記磁性体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの
うちの２種または３種の酸化物を含む磁性フェライトを
含有する上記（４）〜（６）のいずれかの複合積層部
品。 （８）前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層とが互いに
接触している上記（４）〜（７）のいずれかの複合積層
部品。 （９）前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層との厚さ方
向端面が接触している上記（８）の複合積層部品。 （１０）複数の前記磁性体層の内部磁性体層積層部と、
それを囲む複数の前記非磁性絶縁体層の非磁性絶縁体層
積層部と、さらにはその周りを取り囲む前記磁性体層の
外部磁性体層積層部を有し、前記非磁性絶縁体層積層部
中には、その層間から層間へと延び前記内部磁性体層積
層部の周りを垂直方向に重なるように周回するように前
記導体層が埋設されている上記（８）または（９）の複
合積層部品。 （１１）前記非磁性絶縁体層の非磁性フェライト組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０
モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％であり、前記非
磁性フェライト組成は、前記酸化物組成として、Ｍｇ
Ｏ：０．５〜８重量％、ＢａＯ：０．８〜９重量％、Ｓ
ｉＯ2 ：０．５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．２〜３重量
％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：０〜８
重量％が、総計２〜３０重量％の範囲になるように添加
されている上記（８）〜（10）のいずれかの複合積層部
品。 （１２）前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５
２モル％、ＮｉＯ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２０
モル％およびＺｎＯ：０〜５０モル％を含有する上記
（８）〜（11）のいずれかの複合積層部品。 （１３）前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜４
９．５モル％、ＮｉＯ：５〜１５モル％、ＣｕＯ：６〜
１８モル％およびＺｎＯ：２０〜３５モル％である低温
焼成フェライトである上記（12）の複合積層部品。 （１４）前記磁性体層と前記非磁性絶縁体層との接合界
面に、前記磁性フェライトと前記非磁性フェライトの線
膨張係数の中間的な線膨張係数を有する絶縁体中間層が
形成されている上記（10）〜（13）のいずれかの複合積
層部品。 （１５）前記絶縁体中間層は、前記磁性フェライトと前
記非磁性フェライトとを、重量比で１：９〜９：１とな
るように含む上記（14）の複合積層部品。 （１６）前記内部磁性体積層部のうち、隣接する前記磁
性体層間の間隙内に、前記導体が空隙を介して前記磁性
体層と対向して存在している上記（10）〜（15）のいず
れかの複合積層部品。 （１７）前記間隙内にて、前記導体が占める断面面積比
が１０〜８５％である上記（16）の複合積層部品。 （１８）前記間隙内における前記磁性体層と、前記導体
との接触率が、５０％以下である上記（16）または（1
7）の複合積層部品。 （１９）前記導体の空孔率が、５０％以下である上記
（10）〜（18）のいずれかの複合積層部品。 （２０）さらに、セラミック誘電体層を有し、インダク
タとコンデンサとを内蔵し、前記非磁性絶縁体層が、前
記磁性体層と前記セラミック誘電体層との間に設けられ
ている上記（４）の複合積層部品。 （２１）前記セラミック誘電体層と内部電極層とを積層
して構成されるコンデンサチップ体と、前記磁性体層と
内部導体層とを積層して構成されるインダクタチップ体
とを一体的に有する複合積層部品であって、前記コンデ
ンサチップ体と、前記インダクタチップ体との間に、前
記非磁性フェライトを含有する前記非磁性絶縁体層が中
間層として１層以上設層されている上記（20）の複Ｂ合
積層部品。 （２２）前記非磁性フェライトの非磁性フェライト組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０
モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％の総計が１００
モル％に対して、前記酸化物組成として、ＭｇＯ：０．
２５〜４重量％、ＢａＯ：０．４〜４．５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 ：０．２５〜３．５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜３
重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：０
〜４重量％が、総計１〜１５重量％の範囲になるように
添加されている上記（21）の複合積層部品。 （２３）前記磁性体層には、Ｎｉ−Ｚｎフェライトおよ
び／またはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが含有されてい
る上記（21）または（22）の複合積層部品。 （２４）前記Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、ＮｉＯ：１０〜
２５モル％、ＺｎＯ：１５〜４０モル％含有する上記
（23）の複合積層部品。 （２５）前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、ＮｉＯ：
５〜２５モル％、ＣｕＯ：５〜１５、ＺｎＯ：２０〜３
０モル％含有する上記（23）の複合積層部品。 （２６）前記中間層として前記非磁性絶縁体層を２層以
上有する上記（21）〜（25）のいずれかの複合積層部
品。 （２７）前記セラミック誘電体層が酸化チタン系誘電体
を含有する上記（21）〜（26）のいずれかの複合積層部
品。 （２８）前記コンデンサチップ体と前記インダクタチッ
プ体とを同時に焼成した上記（21）〜（27）のいずれか
の複合積層部品。 （２９）焼成時および／または焼成後に、大気より酸素
を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なった上記（21）〜
（28）のいずれかの複合積層部品。 （３０）前記雰囲気中の酸素分圧比が３０〜１００％で
ある上記（29）の複合積層部品。 （３１）前記磁性層のうち最もコンデンサチップ体側の
表面および／または前記セラミック誘電体層のうち最も
インダクタチップ体側の表面に凹凸を形成した後焼成し
た上記（21）〜（30）のいずれかの複合積層部品。
（１）〜（３１）の構成の本発明により達成される。 （１）酸化鉄と、酸化銅および／または酸化亜鉛とを含
む非磁性フェライト組成のＦｅ2 Ｏ3 とＣｕＯおよび／
またはＺｎＯとの１００モル％に対して、さらにＭｇＯ
と、ＢａＯと、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、ＳｎＯ2 と、
ＣａＯとの総計が１〜３０重量％の範囲になるように、
酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化ケイ素および酸
化ホウ素の４種の酸化物成分、またはこれら４種の酸化
物成分と酸化スズおよび酸化カルシウムのうちの１種以
上の酸化成分との５または６種の酸化物成分が添加され
ている複合積層部品用非磁性フェライト。 （２）前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６
〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％およびＺｎＯ：
３３〜５２モル％である上記（１）の複合積層部品用非
磁性フェライト。 （３）ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：０．４〜
９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％および
ＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量％の範囲
である上記（１）または（２）の複合積層部品用非磁性
フェライト。 （４）磁性フェライトを含有する磁性体層と、非磁性絶
縁体層と、導体層とを有し、インダクタを内蔵する複合
積層部品であって、前記非磁性絶縁体層は、酸化鉄と、
酸化銅および／または酸化亜鉛とを含む非磁性フェライ
ト組成のＦｅ2 Ｏ3 とＣｕＯおよび／またはＺｎＯとの
１００モル％に対して、さらにＭｇＯと、ＢａＯと、Ｓ
ｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、ＳｎＯ2 と、ＣａＯとの総計が
１〜３０重量％の範囲になるように、酸化マグネシウ
ム、酸化バリウム、酸化ケイ素および酸化ホウ素の４種
の酸化物成分、またはこれら４種の酸化物成分と酸化ス
ズおよび酸化カルシウムのうちの１種以上の酸化成分と
の５または６種の酸化物成分が添加されている非磁性フ
ェライトを含有する複合積層部品。 （５）前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６
〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％およびＺｎＯ：
３３〜５２モル％である上記（４）の複合積層部品。 （６）ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：０．４〜
９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：
０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％および
ＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量％の範囲
である上記（４）または（５）の複合積層部品。 （７）前記磁性体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの
うちの２種または３種の酸化物を含む磁性フェライトを
含有する上記（４）〜（６）のいずれかの複合積層部
品。 （８）前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層とが互いに
接触している上記（４）〜（７）のいずれかの複合積層
部品。 （９）前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層との厚さ方
向端面が接触している上記（８）の複合積層部品。 （１０）複数の前記磁性体層の内部磁性体層積層部と、
それを囲む複数の前記非磁性絶縁体層の非磁性絶縁体層
積層部と、さらにはその周りを取り囲む前記磁性体層の
外部磁性体層積層部を有し、前記非磁性絶縁体層積層部
中には、その層間から層間へと延び前記内部磁性体層積
層部の周りを垂直方向に重なるように周回するように前
記導体層が埋設されている上記（８）または（９）の複
合積層部品。 （１１）前記非磁性絶縁体層の非磁性フェライト組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０
モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％であり、前記非
磁性フェライト組成は、前記酸化物組成として、Ｍｇ
Ｏ：０．５〜８重量％、ＢａＯ：０．８〜９重量％、Ｓ
ｉＯ2 ：０．５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．２〜３重量
％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：０〜８
重量％が、総計２〜３０重量％の範囲になるように添加
されている上記（８）〜（10）のいずれかの複合積層部
品。 （１２）前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４０〜５
２モル％、ＮｉＯ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２０
モル％およびＺｎＯ：０〜５０モル％を含有する上記
（８）〜（11）のいずれかの複合積層部品。 （１３）前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜４
９．５モル％、ＮｉＯ：５〜１５モル％、ＣｕＯ：６〜
１８モル％およびＺｎＯ：２０〜３５モル％である低温
焼成フェライトである上記（12）の複合積層部品。 （１４）前記磁性体層と前記非磁性絶縁体層との接合界
面に、前記磁性フェライトと前記非磁性フェライトの線
膨張係数の中間的な線膨張係数を有する絶縁体中間層が
形成されている上記（10）〜（13）のいずれかの複合積
層部品。 （１５）前記絶縁体中間層は、前記磁性フェライトと前
記非磁性フェライトとを、重量比で１：９〜９：１とな
るように含む上記（14）の複合積層部品。 （１６）前記内部磁性体積層部のうち、隣接する前記磁
性体層間の間隙内に、前記導体が空隙を介して前記磁性
体層と対向して存在している上記（10）〜（15）のいず
れかの複合積層部品。 （１７）前記間隙内にて、前記導体が占める断面面積比
が１０〜８５％である上記（16）の複合積層部品。 （１８）前記間隙内における前記磁性体層と、前記導体
との接触率が、５０％以下である上記（16）または（1
7）の複合積層部品。 （１９）前記導体の空孔率が、５０％以下である上記
（10）〜（18）のいずれかの複合積層部品。 （２０）さらに、セラミック誘電体層を有し、インダク
タとコンデンサとを内蔵し、前記非磁性絶縁体層が、前
記磁性体層と前記セラミック誘電体層との間に設けられ
ている上記（４）の複合積層部品。 （２１）前記セラミック誘電体層と内部電極層とを積層
して構成されるコンデンサチップ体と、前記磁性体層と
内部導体層とを積層して構成されるインダクタチップ体
とを一体的に有する複合積層部品であって、前記コンデ
ンサチップ体と、前記インダクタチップ体との間に、前
記非磁性フェライトを含有する前記非磁性絶縁体層が中
間層として１層以上設層されている上記（20）の複Ｂ合
積層部品。 （２２）前記非磁性フェライトの非磁性フェライト組成
が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０
モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％の総計が１００
モル％に対して、前記酸化物組成として、ＭｇＯ：０．
２５〜４重量％、ＢａＯ：０．４〜４．５重量％、Ｓｉ
Ｏ2 ：０．２５〜３．５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜３
重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：０
〜４重量％が、総計１〜１５重量％の範囲になるように
添加されている上記（21）の複合積層部品。 （２３）前記磁性体層には、Ｎｉ−Ｚｎフェライトおよ
び／またはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが含有されてい
る上記（21）または（22）の複合積層部品。 （２４）前記Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、ＮｉＯ：１０〜
２５モル％、ＺｎＯ：１５〜４０モル％含有する上記
（23）の複合積層部品。 （２５）前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、ＮｉＯ：
５〜２５モル％、ＣｕＯ：５〜１５、ＺｎＯ：２０〜３
０モル％含有する上記（23）の複合積層部品。 （２６）前記中間層として前記非磁性絶縁体層を２層以
上有する上記（21）〜（25）のいずれかの複合積層部
品。 （２７）前記セラミック誘電体層が酸化チタン系誘電体
を含有する上記（21）〜（26）のいずれかの複合積層部
品。 （２８）前記コンデンサチップ体と前記インダクタチッ
プ体とを同時に焼成した上記（21）〜（27）のいずれか
の複合積層部品。 （２９）焼成時および／または焼成後に、大気より酸素
を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なった上記（21）〜
（28）のいずれかの複合積層部品。 （３０）前記雰囲気中の酸素分圧比が３０〜１００％で
ある上記（29）の複合積層部品。 （３１）前記磁性層のうち最もコンデンサチップ体側の
表面および／または前記セラミック誘電体層のうち最も
インダクタチップ体側の表面に凹凸を形成した後焼成し
た上記（21）〜（30）のいずれかの複合積層部品。
【００１２】
【作用】本発明の非磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 とＣ
ｕＯおよび／またはＺｎＯとの計１００モル％のフェラ
イトに対して、ＭｇＯとＢａＯとＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 と
の計４種、あるいはこれら計４種とＳｎＯ2 およびＣａ
Ｏの一種以上との５または６種が１〜３０重量％の範囲
で添加されていることを要する。このようなフェライト
は、使用する磁性材料との間において線膨張係数の差を
小さくすることができ、これによりシールド型積層チッ
プインダクタや積層トランス等の複合積層部品としたと
きの特性の劣化が防止され、また複合積層部品内部にお
けるクラックの発生が防止される。
ｕＯおよび／またはＺｎＯとの計１００モル％のフェラ
イトに対して、ＭｇＯとＢａＯとＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 と
の計４種、あるいはこれら計４種とＳｎＯ2 およびＣａ
Ｏの一種以上との５または６種が１〜３０重量％の範囲
で添加されていることを要する。このようなフェライト
は、使用する磁性材料との間において線膨張係数の差を
小さくすることができ、これによりシールド型積層チッ
プインダクタや積層トランス等の複合積層部品としたと
きの特性の劣化が防止され、また複合積層部品内部にお
けるクラックの発生が防止される。
【００１３】さらに、積層ＬＣ複合部品等においては、
このような非磁性フェライトを含有する中間層を設ける
ことにより、異なる材料間の線膨張係数の違いや界面で
の急峻な変化が緩和され、界面におけるＣｕやＣｕ酸化
物、ＺｎやＺｎ酸化物等の局部的な析出を抑制でき、回
路抵抗（ＩＲ）の低下を来すこともない。
このような非磁性フェライトを含有する中間層を設ける
ことにより、異なる材料間の線膨張係数の違いや界面で
の急峻な変化が緩和され、界面におけるＣｕやＣｕ酸化
物、ＺｎやＺｎ酸化物等の局部的な析出を抑制でき、回
路抵抗（ＩＲ）の低下を来すこともない。
【００１４】本発明の複合積層部品のうち、例えば開磁
路型インダクタは、金属ケースを必要としない小型の開
磁路型インダクタであり、内部磁性体の透磁率を選択す
ることでインダクタの定数を調整することができ、また
磁束が外部へ漏洩することは実質上防止される。
路型インダクタは、金属ケースを必要としない小型の開
磁路型インダクタであり、内部磁性体の透磁率を選択す
ることでインダクタの定数を調整することができ、また
磁束が外部へ漏洩することは実質上防止される。
【００１５】さらに、本発明では、磁性体層の間隙内に
おいて、磁性体層と導体層との間に空隙を形成させるこ
とにより、導体層の膨張や収縮により磁性体層が受ける
影響を減少させることができる。
おいて、磁性体層と導体層との間に空隙を形成させるこ
とにより、導体層の膨張や収縮により磁性体層が受ける
影響を減少させることができる。
【００１６】この結果、インダクタとしたとき、Ｌおよ
びＱが増加し、しかもＬやＱの温度係数が減少し、その
温度特性が格段と向上する。
びＱが増加し、しかもＬやＱの温度係数が減少し、その
温度特性が格段と向上する。
【００１７】このような特性の向上は、他の複合積層部
品においても同様にみられる。
品においても同様にみられる。
【００１８】また、本発明において、シールド型積層チ
ップインダクタないし積層トランス等の複合積層部品の
非磁性フェライトと組み合わせて用いる磁性フェライト
は、Ｆｅ2 Ｏ3 とＮｉＯとＣｕＯとＺｎＯとを含み、こ
れらの酸化物の合計が１００モル％となる低温焼成フェ
ライトであって、Ｆｅ2 Ｏ3 が４６〜４９．５モル％、
ＮｉＯが５〜１５モル％、ＣｕＯが６〜１８モル％、Ｚ
ｎＯが２０〜３５モル％であることが好ましく、これに
より複合積層部品としたときの特性の向上をさらに図る
ことができる。特に、トランスとしたときはパワーロス
の低減を図ることができ、効率の向上を図ることができ
る。
ップインダクタないし積層トランス等の複合積層部品の
非磁性フェライトと組み合わせて用いる磁性フェライト
は、Ｆｅ2 Ｏ3 とＮｉＯとＣｕＯとＺｎＯとを含み、こ
れらの酸化物の合計が１００モル％となる低温焼成フェ
ライトであって、Ｆｅ2 Ｏ3 が４６〜４９．５モル％、
ＮｉＯが５〜１５モル％、ＣｕＯが６〜１８モル％、Ｚ
ｎＯが２０〜３５モル％であることが好ましく、これに
より複合積層部品としたときの特性の向上をさらに図る
ことができる。特に、トランスとしたときはパワーロス
の低減を図ることができ、効率の向上を図ることができ
る。
【００１９】
【具体的構成】以下、本発明の具体的構成を詳しく説明
する。
する。
【００２０】本発明の非磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3
とＣｕＯおよび／またはＺｎＯとの総計１００モル％の
Ｃｕフェライト、ＺｎフェライトあるいはＣｕ−Ｚｎフ
ェライトを主成分とし、このフェライト組成に対して、
ＭｇＯとＢａＯとＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 、あるいはこれら
とＳｎＯ2 およびＣａＯの一種以上との総計が１〜３０
重量％となるように酸化マグネシウム、酸化バリウム、
酸化ケイ素および酸化ホウ素の４成分、あるいはこれら
４成分と酸化スズおよび酸化カルシウム成分との５また
は６成分が添加される。
とＣｕＯおよび／またはＺｎＯとの総計１００モル％の
Ｃｕフェライト、ＺｎフェライトあるいはＣｕ−Ｚｎフ
ェライトを主成分とし、このフェライト組成に対して、
ＭｇＯとＢａＯとＳｉＯ2 とＢ2 Ｏ3 、あるいはこれら
とＳｎＯ2 およびＣａＯの一種以上との総計が１〜３０
重量％となるように酸化マグネシウム、酸化バリウム、
酸化ケイ素および酸化ホウ素の４成分、あるいはこれら
４成分と酸化スズおよび酸化カルシウム成分との５また
は６成分が添加される。
【００２１】このように上記フェライトに対して上記酸
化物成分を添加することによって本発明の効果が得られ
る。これに対し、上記酸化物成分の添加量が１重量％未
満となると、磁性材料との間における線膨張係数の差が
大きくなり、複合積層部品としたとき特性が劣化し、ク
ラックが発生しやすくなる。また、添加量が３０重量％
をこえると、複合積層部品としたときの特性が劣化す
る。
化物成分を添加することによって本発明の効果が得られ
る。これに対し、上記酸化物成分の添加量が１重量％未
満となると、磁性材料との間における線膨張係数の差が
大きくなり、複合積層部品としたとき特性が劣化し、ク
ラックが発生しやすくなる。また、添加量が３０重量％
をこえると、複合積層部品としたときの特性が劣化す
る。
【００２２】また、上記フェライト組成のうちでは、特
にＣｕ−Ｚｎフェライトが好ましい。
にＣｕ−Ｚｎフェライトが好ましい。
【００２３】フェライト組成中Ｆｅ2 Ｏ3 は、好ましく
は４６〜５０モル％であり、ＣｕＯは、好ましくは０〜
２０モル％、特に２〜２０モル％、ＺｎＯは、好ましく
は０〜５２モル％、特に３３〜５２モル％の範囲内であ
る。
は４６〜５０モル％であり、ＣｕＯは、好ましくは０〜
２０モル％、特に２〜２０モル％、ＺｎＯは、好ましく
は０〜５２モル％、特に３３〜５２モル％の範囲内であ
る。
【００２４】このようなフェライト組成とすることによ
って本発明の効果が向上する。
って本発明の効果が向上する。
【００２５】また、上記添加酸化物成分のうち、ＭｇＯ
は、好ましくは０．２５〜８重量％、ＢａＯは、好まし
くは０．４〜９重量 ％、ＳｉＯ2 は、好ましくは０．
２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 は、好ましくは０．１〜３重
量％で、その総計は１〜２７重量％である。
は、好ましくは０．２５〜８重量％、ＢａＯは、好まし
くは０．４〜９重量 ％、ＳｉＯ2 は、好ましくは０．
２５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 は、好ましくは０．１〜３重
量％で、その総計は１〜２７重量％である。
【００２６】また、ＳｎＯ2 およびＣａＯは、好ましく
は総計で０〜８重量％であり、このうちＳｎＯ2 は、好
ましくは０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量
％、ＣａＯは、好ましくは０〜８重量％、特に０．５〜
８重量％の範囲内である。
は総計で０〜８重量％であり、このうちＳｎＯ2 は、好
ましくは０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量
％、ＣａＯは、好ましくは０〜８重量％、特に０．５〜
８重量％の範囲内である。
【００２７】そして、これらのＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ
2 およびＢ2 Ｏ3 、さらにＳｎＯ2およびＣａＯ等の４
〜６種の酸化物成分の総計は１〜３０重量％であること
が好ましい。
2 およびＢ2 Ｏ3 、さらにＳｎＯ2およびＣａＯ等の４
〜６種の酸化物成分の総計は１〜３０重量％であること
が好ましい。
【００２８】これらのＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 および
Ｂ2 Ｏ3 等の４〜６種の酸化物成分は、ガラス成分とし
て、フェライトの線膨張係数を制御するために加えられ
る。ＭｇＯが多すぎるとフェライトの焼結性が損なわ
れ、ＢａＯが多すぎると、Ｂａが拡散して複合積層部品
の磁気特性を低下させる。さらに、ＳｉＯ2 が多すぎる
と線膨張係数が低下し、Ｂ2 Ｏ3 が多すぎるとフェライ
トの経時安定性に問題を生じるため、それぞれ好ましく
ない。
Ｂ2 Ｏ3 等の４〜６種の酸化物成分は、ガラス成分とし
て、フェライトの線膨張係数を制御するために加えられ
る。ＭｇＯが多すぎるとフェライトの焼結性が損なわ
れ、ＢａＯが多すぎると、Ｂａが拡散して複合積層部品
の磁気特性を低下させる。さらに、ＳｉＯ2 が多すぎる
と線膨張係数が低下し、Ｂ2 Ｏ3 が多すぎるとフェライ
トの経時安定性に問題を生じるため、それぞれ好ましく
ない。
【００２９】また、ＳｎＯ2 は、主にこのような組成物
が、用いる装置の一部を蝕壊することを防止するために
加えるものであるが、必要に応じて添加を省略してもよ
い。ＣａＯは、主に線膨張係数を高くするために添加す
るが、前記ガラス成分と一部置き換えて用いることもで
き、通常添加をした方が好ましいが、必要に応じて添加
を省略してもよい。これら４〜６種のガラス成分はフェ
ライト粒界にガラスとして残存したり、フェライト結晶
粒内に拡散したりして存在する。
が、用いる装置の一部を蝕壊することを防止するために
加えるものであるが、必要に応じて添加を省略してもよ
い。ＣａＯは、主に線膨張係数を高くするために添加す
るが、前記ガラス成分と一部置き換えて用いることもで
き、通常添加をした方が好ましいが、必要に応じて添加
を省略してもよい。これら４〜６種のガラス成分はフェ
ライト粒界にガラスとして残存したり、フェライト結晶
粒内に拡散したりして存在する。
【００３０】また、上記添加酸化物成分のうち、さらに
以下に述べるシールド型積層チップインダクタや、積層
トランス等に用いる非磁性フェライトの酸化物成分の好
ましい添加量は、ＭｇＯは０．５〜８重量％、ＢａＯは
０．８〜９重量％、ＳｉＯ2は０．５〜７重量％、Ｂ2
Ｏ3 は０．２〜３重量％で、その総計は２〜２７重量％
である。また、ＳｎＯ2 およびＣａＯは、好ましくは総
計で０〜８重量％であり、このうちＳｎＯ2 は、好まし
くは０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量％、
ＣａＯは、好ましくは０〜８重量％、特に０．５〜８重
量％の範囲内である。
以下に述べるシールド型積層チップインダクタや、積層
トランス等に用いる非磁性フェライトの酸化物成分の好
ましい添加量は、ＭｇＯは０．５〜８重量％、ＢａＯは
０．８〜９重量％、ＳｉＯ2は０．５〜７重量％、Ｂ2
Ｏ3 は０．２〜３重量％で、その総計は２〜２７重量％
である。また、ＳｎＯ2 およびＣａＯは、好ましくは総
計で０〜８重量％であり、このうちＳｎＯ2 は、好まし
くは０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量％、
ＣａＯは、好ましくは０〜８重量％、特に０．５〜８重
量％の範囲内である。
【００３１】そして、これらのＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ
2 およびＢ2 Ｏ3 、さらにＳｎＯ2およびＣａＯ等の４
〜６種の酸化物成分の総計は２〜３０重量％であること
が好ましい。
2 およびＢ2 Ｏ3 、さらにＳｎＯ2およびＣａＯ等の４
〜６種の酸化物成分の総計は２〜３０重量％であること
が好ましい。
【００３２】このような組成とすることにより、後述の
磁性フェライトの磁性層と厚さ方向に設層したり、厚さ
方向端面が相接するように設層したりするとき、とりわ
け後者の場合にそのすぐれた効果が発揮される。
磁性フェライトの磁性層と厚さ方向に設層したり、厚さ
方向端面が相接するように設層したりするとき、とりわ
け後者の場合にそのすぐれた効果が発揮される。
【００３３】このように、各酸化物成分の添加量を上記
範囲に制御することによって本発明の効果は向上する。
範囲に制御することによって本発明の効果は向上する。
【００３４】このような非磁性フェライト材料は、後述
のようにペースト化され、焼成されるが、焼成後の材料
は、８００℃にて約１０５×１０-7/degの線膨張係数を
示し、磁性フェライトと±５×１０-7/deg以内の線膨張
係数とすることができる。
のようにペースト化され、焼成されるが、焼成後の材料
は、８００℃にて約１０５×１０-7/degの線膨張係数を
示し、磁性フェライトと±５×１０-7/deg以内の線膨張
係数とすることができる。
【００３５】以下、本発明の前記非磁性フェライトを使
用したシールド型積層チップインダクタ、積層トランス
および積層ＬＣ複合部品を代表例として、本発明の複合
積層部品をさらに詳細に説明する。
用したシールド型積層チップインダクタ、積層トランス
および積層ＬＣ複合部品を代表例として、本発明の複合
積層部品をさらに詳細に説明する。
【００３６】上記の非磁性フェライトと組み合わせて用
いる磁性体層の材質としては、シールド型積層チップイ
ンダクタないし積層トランス等の複合積層部品にて、従
来公知の磁性体層材質はいずれも使用できる。例えば、
スピネル構造を有する各種スピネルソフトフェライトを
用いることができ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等の
ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯのうちの２種または３種の酸化
物を主成分とするフェライトを用いることができる。
いる磁性体層の材質としては、シールド型積層チップイ
ンダクタないし積層トランス等の複合積層部品にて、従
来公知の磁性体層材質はいずれも使用できる。例えば、
スピネル構造を有する各種スピネルソフトフェライトを
用いることができ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト等の
ＮｉＯ、ＣｕＯ、ＺｎＯのうちの２種または３種の酸化
物を主成分とするフェライトを用いることができる。
【００３７】なかでも、フェライトの組成が、Ｆｅ2 Ｏ
3 ：４０〜５２モル％、特に４５〜５０モル％、Ｎｉ
Ｏ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２０モル％、特に５
〜２０モル％およびＺｎＯ：０〜５０モル％、特に０〜
３５モル％であるものが好ましい。
3 ：４０〜５２モル％、特に４５〜５０モル％、Ｎｉ
Ｏ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：０〜２０モル％、特に５
〜２０モル％およびＺｎＯ：０〜５０モル％、特に０〜
３５モル％であるものが好ましい。
【００３８】この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５重量％程
度以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ、Ａｌ等が１重量％程度以下含有されていてもよい。
度以下含有されていてもよく、またＣａ、Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ、Ａｌ等が１重量％程度以下含有されていてもよい。
【００３９】このようななかでも、焼成温度の関係で
は、ＮｉＯを必須成分とするＮｉ系のフェライトを用い
ることが好ましい。Ｎｉ系のフェライトは、低温焼成材
料であり、このような磁性フェライトの磁性体層を用い
たとき、本発明の複合積層部品は焼成時液相の生成が無
く、しかも電気抵抗の点で、より優れたものとなる。Ｎ
ｉ系のフェライトとしてはＮｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等があ
る。
は、ＮｉＯを必須成分とするＮｉ系のフェライトを用い
ることが好ましい。Ｎｉ系のフェライトは、低温焼成材
料であり、このような磁性フェライトの磁性体層を用い
たとき、本発明の複合積層部品は焼成時液相の生成が無
く、しかも電気抵抗の点で、より優れたものとなる。Ｎ
ｉ系のフェライトとしてはＮｉ−Ｃｕフェライト、Ｎｉ
−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等があ
る。
【００４０】このようなＮｉ系のフェライトのなかで
も、本発明では、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯを含み、これら酸化物の合計が１００モル％であっ
て、Ｆｅ2 Ｏ3 が４６〜４９．５モル％、好ましくは４
８．５〜４９．５モル％、ＮｉＯが５〜１５モル％、好
ましくは７〜１３モル％、、ＣｕＯが６〜１８モル％、
好ましくは１０〜１５モル％、ＺｎＯが２０〜３５モル
％、好ましくは２６〜３２モル％のものが好ましい。
も、本発明では、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺ
ｎＯを含み、これら酸化物の合計が１００モル％であっ
て、Ｆｅ2 Ｏ3 が４６〜４９．５モル％、好ましくは４
８．５〜４９．５モル％、ＮｉＯが５〜１５モル％、好
ましくは７〜１３モル％、、ＣｕＯが６〜１８モル％、
好ましくは１０〜１５モル％、ＺｎＯが２０〜３５モル
％、好ましくは２６〜３２モル％のものが好ましい。
【００４１】このような組成のＮｉ系のフェライトを用
いることによって、本発明の効果が向上する。特にトラ
ンスの磁性体層に用いたとき、トランスのパワーロスの
低減を図ることができ、効率の向上を図ることができ
る。これに対し、Ｆｅ2 Ｏ3 量が小さくなると、焼結性
が不足しやすくなり、またＦｅ2 Ｏ3 量が大きくなる
と、α−Ｆｅ2 Ｏ3 の析出により、焼結性が悪くなり、
特性が劣化しやすくなる。また、ＮｉＯ量が小さくなっ
ても大きくなってもトランスとしたときパワーロスが大
きくなりやすく、効率が低下しやすくなる。また、Ｃｕ
Ｏ量が小さくなっても大きくなってもトランスとしたと
きのパワーロスが大きくなりやすく、効率が低下しやす
くなる。さらに、ＺｎＯ量が小さくなるとトランスとし
たときパワーロスが大きくなりやすく、効率が低下しや
すくなり、またＺｎＯ量が大きくなると非磁性となって
しまう。
いることによって、本発明の効果が向上する。特にトラ
ンスの磁性体層に用いたとき、トランスのパワーロスの
低減を図ることができ、効率の向上を図ることができ
る。これに対し、Ｆｅ2 Ｏ3 量が小さくなると、焼結性
が不足しやすくなり、またＦｅ2 Ｏ3 量が大きくなる
と、α−Ｆｅ2 Ｏ3 の析出により、焼結性が悪くなり、
特性が劣化しやすくなる。また、ＮｉＯ量が小さくなっ
ても大きくなってもトランスとしたときパワーロスが大
きくなりやすく、効率が低下しやすくなる。また、Ｃｕ
Ｏ量が小さくなっても大きくなってもトランスとしたと
きのパワーロスが大きくなりやすく、効率が低下しやす
くなる。さらに、ＺｎＯ量が小さくなるとトランスとし
たときパワーロスが大きくなりやすく、効率が低下しや
すくなり、またＺｎＯ量が大きくなると非磁性となって
しまう。
【００４２】このようなフェライト系の磁性体層は、導
体層用ペーストと６００〜１０００℃、特に８００〜１
０００℃の焼成温度にて同時焼成して形成できる。
体層用ペーストと６００〜１０００℃、特に８００〜１
０００℃の焼成温度にて同時焼成して形成できる。
【００４３】磁性体層の焼成後の厚さには特に制限はな
いが、通常２４０〜５００μm 程度、導体層間の磁性体
層厚は、１０〜１００μm 程度とする。
いが、通常２４０〜５００μm 程度、導体層間の磁性体
層厚は、１０〜１００μm 程度とする。
【００４４】導体層の材質としては、従来公知の導体層
材質はいずれも使用できる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ
やこれらの合金等を用いればよいが、このうち、Ａｇま
たはＡｇ−Ｐｄ等のＡｇ合金、特にＡｇが好適であり、
Ａｇを７０重量％以上、特に９０〜１００重量％含むＡ
ｇまたはＡｇ合金等が好適である。
材質はいずれも使用できる。例えば、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｄ
やこれらの合金等を用いればよいが、このうち、Ａｇま
たはＡｇ−Ｐｄ等のＡｇ合金、特にＡｇが好適であり、
Ａｇを７０重量％以上、特に９０〜１００重量％含むＡ
ｇまたはＡｇ合金等が好適である。
【００４５】このような導体層は、後述するように導体
層用ペーストを塗布した後、焼成して形成されるもので
ある。この際、通常は、脱バインダ等によって導体層内
部に、空孔が形成されることが多い。
層用ペーストを塗布した後、焼成して形成されるもので
ある。この際、通常は、脱バインダ等によって導体層内
部に、空孔が形成されることが多い。
【００４６】本発明では、導体層中の空孔の導体層全体
に対する体積比、すなわち導体層の空孔率が、５０％以
下、特に２０％以下に規制することが好ましい。空孔率
が前記範囲であると、複合積層部品としたときの特性が
向上する。例えばシールド型積層チップインダクタで
は、インダクタンスＬやＱがより一層高いものとなり、
またＬやＱの温度特性もより一層向上する。また、シー
ルド型積層トランスではパワーロスが一層低減されて効
率が一層高いものとなり、その温度特性もより一層向上
する。
に対する体積比、すなわち導体層の空孔率が、５０％以
下、特に２０％以下に規制することが好ましい。空孔率
が前記範囲であると、複合積層部品としたときの特性が
向上する。例えばシールド型積層チップインダクタで
は、インダクタンスＬやＱがより一層高いものとなり、
またＬやＱの温度特性もより一層向上する。また、シー
ルド型積層トランスではパワーロスが一層低減されて効
率が一層高いものとなり、その温度特性もより一層向上
する。
【００４７】この場合、理想的には磁性層と導体層が完
全に接触してないことが好ましいが、現実には困難であ
るため、空孔率は１〜５０％、特に１〜２０％であるこ
とが好ましい。
全に接触してないことが好ましいが、現実には困難であ
るため、空孔率は１〜５０％、特に１〜２０％であるこ
とが好ましい。
【００４８】なお、導体層内部の空孔率は、チップ体断
面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、導体層の
領域内に存在する空孔面積比を算出すればよい。この場
合、導体層領域とは、断面ＳＥＭ像にて、両磁性体層の
界面に最も近接して対向する導体層の界面間に存在する
領域とする。
面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて観察し、導体層の
領域内に存在する空孔面積比を算出すればよい。この場
合、導体層領域とは、断面ＳＥＭ像にて、両磁性体層の
界面に最も近接して対向する導体層の界面間に存在する
領域とする。
【００４９】また、外部電極の材質については、特に制
限がなく、各種導体材料、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等あ
るいはＡｇ−Ｐｄ等のこれらの合金などの印刷膜、メッ
キ膜、蒸着膜、イオンプレーティング膜、スパッタ膜あ
るいはこれらの積層膜などいずれも使用可能である。
限がなく、各種導体材料、例えばＡｇ、Ｎｉ、Ｃｕ等あ
るいはＡｇ−Ｐｄ等のこれらの合金などの印刷膜、メッ
キ膜、蒸着膜、イオンプレーティング膜、スパッタ膜あ
るいはこれらの積層膜などいずれも使用可能である。
【００５０】外部電極の厚さは任意であり、目的や用途
に応じ適宜決定すればよいが、通常３０〜２００μm 程
度である。
に応じ適宜決定すればよいが、通常３０〜２００μm 程
度である。
【００５１】次に、図面を参照して、本発明の非磁性フ
ェライトを使用して積層法により本発明の複合積層部品
としてインダクタ素体を構成した後、焼成により一体的
なインダクタを製造する例を示す。このような、積層法
によるインダクタの製造方法は米国特許第４３２２６９
８号や特開昭５６−５１８１０号等により知られている
ので、詳細は省略するが、磁性体層は磁性フェライト粉
末のぺーストから、絶縁体層は、本発明の非磁性フェラ
イトのペーストから、例えば印刷によってそれぞれ形成
されたものである。また、外部端子は適当な導体の低温
焼き付けで形成されたものである。
ェライトを使用して積層法により本発明の複合積層部品
としてインダクタ素体を構成した後、焼成により一体的
なインダクタを製造する例を示す。このような、積層法
によるインダクタの製造方法は米国特許第４３２２６９
８号や特開昭５６−５１８１０号等により知られている
ので、詳細は省略するが、磁性体層は磁性フェライト粉
末のぺーストから、絶縁体層は、本発明の非磁性フェラ
イトのペーストから、例えば印刷によってそれぞれ形成
されたものである。また、外部端子は適当な導体の低温
焼き付けで形成されたものである。
【００５２】図１〜図１５は積層順次工程の平面図を、
図１６〜１７は積層の終わったインダクタの断面図なら
びに斜視図、図１８はインダクタの完成図である。
図１６〜１７は積層の終わったインダクタの断面図なら
びに斜視図、図１８はインダクタの完成図である。
【００５３】図１のように磁性体層１を用意し、その面
に図２のように環状に絶縁体層２を印刷し、さらに図３
のように、外縁に引出端ａを有する導体層３を絶縁体層
２の上に印刷する。図４のように絶縁体層２の内外、す
なわち磁性体層１が露出している部分に磁性体層４、５
を印刷し、引き続いて図５のように絶縁体２の左半分に
重畳するように絶縁体６を印刷する。
に図２のように環状に絶縁体層２を印刷し、さらに図３
のように、外縁に引出端ａを有する導体層３を絶縁体層
２の上に印刷する。図４のように絶縁体層２の内外、す
なわち磁性体層１が露出している部分に磁性体層４、５
を印刷し、引き続いて図５のように絶縁体２の左半分に
重畳するように絶縁体６を印刷する。
【００５４】図６の工程に移って、導体７を導体３の端
部へ重なるようにして絶縁体２、６の上に印刷し、さら
に図７のように内外の磁性体層８、９を印刷する。図８
のように、今度は絶縁体層１０を下側の絶縁体層の右半
分に印刷し、図９のように、導体７から延長する導体１
１を絶縁体層の上に印刷する。図１０のように、再び内
外の磁性体層１２、１３を印刷し、再び左半分の絶縁体
層１４を図１１に示すように印刷し、さらに図１２のよ
うに引出端ｂを有する導体１５を印刷し、図１３のよう
に内外の磁性体層１６、１７を印刷する。図１４の工程
で絶縁体部分の外型に合致する一枚の絶縁体層１８を印
刷し、最後に図１５のように積層体の表面全体を覆う磁
性体層１９を印刷する。
部へ重なるようにして絶縁体２、６の上に印刷し、さら
に図７のように内外の磁性体層８、９を印刷する。図８
のように、今度は絶縁体層１０を下側の絶縁体層の右半
分に印刷し、図９のように、導体７から延長する導体１
１を絶縁体層の上に印刷する。図１０のように、再び内
外の磁性体層１２、１３を印刷し、再び左半分の絶縁体
層１４を図１１に示すように印刷し、さらに図１２のよ
うに引出端ｂを有する導体１５を印刷し、図１３のよう
に内外の磁性体層１６、１７を印刷する。図１４の工程
で絶縁体部分の外型に合致する一枚の絶縁体層１８を印
刷し、最後に図１５のように積層体の表面全体を覆う磁
性体層１９を印刷する。
【００５５】このようにして構成された積層体の外面に
は図１７のように導体の引出端ａ、ｂが露出しており、
また図１６のように導体は絶縁体ｅの中に埋設されたコ
イルｄを形成し、また絶縁体ｅは内部磁性体ｃおよび外
部磁性体ｆにより取り囲まれている。積層体を８５０〜
８９０℃で高温焼成すると、各部分ｅ、ｃ、ｆの層間は
ほぼ一体融合すると共に、各部分間はほぼ一体に結合
し、全体として機械的に強い焼結体となる。図１８のよ
うに、最終的に外部端子２０、２１を焼き付けて本発明
のシールド型積層インダクタを完成する。
は図１７のように導体の引出端ａ、ｂが露出しており、
また図１６のように導体は絶縁体ｅの中に埋設されたコ
イルｄを形成し、また絶縁体ｅは内部磁性体ｃおよび外
部磁性体ｆにより取り囲まれている。積層体を８５０〜
８９０℃で高温焼成すると、各部分ｅ、ｃ、ｆの層間は
ほぼ一体融合すると共に、各部分間はほぼ一体に結合
し、全体として機械的に強い焼結体となる。図１８のよ
うに、最終的に外部端子２０、２１を焼き付けて本発明
のシールド型積層インダクタを完成する。
【００５６】このようなシールド型積層インダクタにお
いて、図示は省略しているが、磁性フェライト材料と非
磁性フェライト材料との接合界面に、両材料の線膨張係
数の中間的な線膨張係数を有する絶縁体中間層を形成さ
せることが好ましい。さらに好ましくは、この絶縁体中
間層が、前記磁性フェライト材料と前記非磁性フェライ
ト材料とが、重量比で、１：９〜９：１、好ましくは
３：７〜７：３、特に好ましくは５：５で混合されてい
る材料から構成する。前記絶縁体中間層の層厚は、好ま
しくは２０〜１００μm の範囲内とする。
いて、図示は省略しているが、磁性フェライト材料と非
磁性フェライト材料との接合界面に、両材料の線膨張係
数の中間的な線膨張係数を有する絶縁体中間層を形成さ
せることが好ましい。さらに好ましくは、この絶縁体中
間層が、前記磁性フェライト材料と前記非磁性フェライ
ト材料とが、重量比で、１：９〜９：１、好ましくは
３：７〜７：３、特に好ましくは５：５で混合されてい
る材料から構成する。前記絶縁体中間層の層厚は、好ま
しくは２０〜１００μm の範囲内とする。
【００５７】このような絶縁体中間層は、積層の際、磁
性体層と絶縁体層との接合界面に、この材料のペースト
を印刷することにより形成すればよい。
性体層と絶縁体層との接合界面に、この材料のペースト
を印刷することにより形成すればよい。
【００５８】本発明では、上述の内部磁性体積層部のう
ち、隣接する磁性体層間の間隙内であって、磁性体層と
導体層との間に、空隙が形成されていることが好まし
い。
ち、隣接する磁性体層間の間隙内であって、磁性体層と
導体層との間に、空隙が形成されていることが好まし
い。
【００５９】この場合、空隙は、隣接する磁性体層間の
すべてにおいて形成されている必要はないが、本発明の
効果がより一層向上する点から、すべての間隙内にて、
磁性体層と導体層との間に形成されることが好ましい。
また、空隙は、間隙内にて、少なくとも一方の磁性体層
と導体層の間に形成されていればよいが、本発明の効果
がより一層向上する点から両磁性体層と導体層間のそれ
ぞれに形成されていることが好ましい。そして、このよ
うな空隙は、磁性体層と、導体層の間に連続的に存在し
ていても、あるいは部分的に存在していてもよい。
すべてにおいて形成されている必要はないが、本発明の
効果がより一層向上する点から、すべての間隙内にて、
磁性体層と導体層との間に形成されることが好ましい。
また、空隙は、間隙内にて、少なくとも一方の磁性体層
と導体層の間に形成されていればよいが、本発明の効果
がより一層向上する点から両磁性体層と導体層間のそれ
ぞれに形成されていることが好ましい。そして、このよ
うな空隙は、磁性体層と、導体層の間に連続的に存在し
ていても、あるいは部分的に存在していてもよい。
【００６０】間隙内における導体層が占める断面面積比
は、１０〜８５％、特に５０〜７０％であることが好ま
しい。この比が大きくなると、空隙量が減少し、ＬやＱ
が低下し、温度特性が劣化してくる。この比が小さくな
ると、導体層としての機能を保てなくなる。
は、１０〜８５％、特に５０〜７０％であることが好ま
しい。この比が大きくなると、空隙量が減少し、ＬやＱ
が低下し、温度特性が劣化してくる。この比が小さくな
ると、導体層としての機能を保てなくなる。
【００６１】また、間隙内にて導体層が磁性体層と接触
する接触率は、５０％以下、特に０〜２０％であること
が好ましい。この比が大きくなると、空隙が減少し、Ｌ
やＱが低下し、温度特性が劣化してくる。
する接触率は、５０％以下、特に０〜２０％であること
が好ましい。この比が大きくなると、空隙が減少し、Ｌ
やＱが低下し、温度特性が劣化してくる。
【００６２】なお、きわめて制御された製造条件下で
は、この接触率を、０％とすることができる。このよう
な間隙内の導体層の断面面積比および導体層の接触率
は、それぞれ、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて
観察し、算出すればよい。
は、この接触率を、０％とすることができる。このよう
な間隙内の導体層の断面面積比および導体層の接触率
は、それぞれ、断面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて
観察し、算出すればよい。
【００６３】本発明の複合積層部品はシールド型積層チ
ップインダクタのみならず、シールド型積層トランスで
あってもよい。
ップインダクタのみならず、シールド型積層トランスで
あってもよい。
【００６４】このようなトランスの断面図が図１９に示
されている。
されている。
【００６５】図１９のように導体３４および導体３５は
それぞれ絶縁体３３の中に埋設された一次コイル４０お
よび二次コイル５０を形成している。また絶縁体３３は
内部磁性体３１と外部磁性体３２とにより取り囲まれて
おり、絶縁体３３を構成する非磁性フェライトと内部磁
性体３１を構成する磁性フェライトとの接合界面、およ
び絶縁体３３を構成する非磁性フェライトと外部磁性体
３２を構成する磁性フェライトとの接合界面には、前記
の絶縁体中間層３６が形成されている。
それぞれ絶縁体３３の中に埋設された一次コイル４０お
よび二次コイル５０を形成している。また絶縁体３３は
内部磁性体３１と外部磁性体３２とにより取り囲まれて
おり、絶縁体３３を構成する非磁性フェライトと内部磁
性体３１を構成する磁性フェライトとの接合界面、およ
び絶縁体３３を構成する非磁性フェライトと外部磁性体
３２を構成する磁性フェライトとの接合界面には、前記
の絶縁体中間層３６が形成されている。
【００６６】このようなトランスは、前述のインダクタ
の製造方法に準じて同様に製造することができる。ただ
し、図１９のように、トランスはインダクタとは異なり
一次コイルと二次コイルを要するため、導体層の印刷を
コイルに応じて変更するものとすればよい。なお、図１
９では導体の引出端は省略されている。
の製造方法に準じて同様に製造することができる。ただ
し、図１９のように、トランスはインダクタとは異なり
一次コイルと二次コイルを要するため、導体層の印刷を
コイルに応じて変更するものとすればよい。なお、図１
９では導体の引出端は省略されている。
【００６７】このようなトランスにおいても、前記のイ
ンダクタと同様に機械的に強い焼結体となる。
ンダクタと同様に機械的に強い焼結体となる。
【００６８】また、内部磁性体層間の間隙にて磁性体層
と導体層との間に形成される空隙の存在が好ましいこ
と、および間隙内における導体層と磁性体層との接触率
については、インダクタの場合と同様である。そして、
このような空隙の存在によりトランスとしたときのパワ
ーロスや効率において特性上の向上がみられる。また、
温度特性も向上する。
と導体層との間に形成される空隙の存在が好ましいこ
と、および間隙内における導体層と磁性体層との接触率
については、インダクタの場合と同様である。そして、
このような空隙の存在によりトランスとしたときのパワ
ーロスや効率において特性上の向上がみられる。また、
温度特性も向上する。
【００６９】次いで、本発明の非磁性フェライトを中間
層として用いた好適実施例の１つである積層ＬＣ複合部
品を図２１に示し、以下に詳細に説明する。
層として用いた好適実施例の１つである積層ＬＣ複合部
品を図２１に示し、以下に詳細に説明する。
【００７０】図２１に示される積層ＬＣ複合部品１０１
は、誘電体層１２１と内部電極層１２５とを積層して構
成されるコンデンサチップ体１０２と、磁性層１３１と
内部導体１３５とを積層して構成されるインダクタチッ
プ体１０３とを中間層１０４を介して一体化したもので
あり、表面に外部電極１５１を有する。
は、誘電体層１２１と内部電極層１２５とを積層して構
成されるコンデンサチップ体１０２と、磁性層１３１と
内部導体１３５とを積層して構成されるインダクタチッ
プ体１０３とを中間層１０４を介して一体化したもので
あり、表面に外部電極１５１を有する。
【００７１】中間層１０４には、前記の非磁性フェライ
ト成分の組み合せが好ましく用いられる。積層ＬＣ複合
部品を構成する前記コンデンサチップ体１０２は、イン
ダクタチップ体１０３と比較すると、一般に線膨張係数
が低い傾向をもつ。従って、前記シールド型積層チップ
インダクタ、あるいはシールド型積層トランス等の場合
と比較して、特に酸化物成分の添加量の好ましい範囲に
若干の相違が存在する。
ト成分の組み合せが好ましく用いられる。積層ＬＣ複合
部品を構成する前記コンデンサチップ体１０２は、イン
ダクタチップ体１０３と比較すると、一般に線膨張係数
が低い傾向をもつ。従って、前記シールド型積層チップ
インダクタ、あるいはシールド型積層トランス等の場合
と比較して、特に酸化物成分の添加量の好ましい範囲に
若干の相違が存在する。
【００７２】すなわち、非磁性絶縁層が磁性層およびセ
ラミック誘電体層の間（厚さ方向および場合によっては
水平方向間に介在）に介在するようなときには、前記Ｍ
ｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 の４成分、あるいは
これらとＳｎＯ2 および／またはＣａＯとの４〜６種の
添加酸化物の総計が１〜１５重量％であることが好まし
い。そして、これら成分のうち、ＭｇＯは、好ましくは
０．２５〜４重量％、ＢａＯは、好ましくは０．４〜
４．５重量％、ＳｉＯ2 は、好ましくは０．２５〜３．
５重量％、Ｂ2 Ｏ3 は、好ましくは０．１〜３重量％で
ある。また、ＳｎＯ2 およびＣａＯは、好ましくは総計
で０〜４重量％であり、このうちＳｎＯ2は、好ましく
は０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量％、Ｃ
ａＯは、好ましくは０〜４重量％、特に０．５〜２重量
％の範囲内である。
ラミック誘電体層の間（厚さ方向および場合によっては
水平方向間に介在）に介在するようなときには、前記Ｍ
ｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 の４成分、あるいは
これらとＳｎＯ2 および／またはＣａＯとの４〜６種の
添加酸化物の総計が１〜１５重量％であることが好まし
い。そして、これら成分のうち、ＭｇＯは、好ましくは
０．２５〜４重量％、ＢａＯは、好ましくは０．４〜
４．５重量％、ＳｉＯ2 は、好ましくは０．２５〜３．
５重量％、Ｂ2 Ｏ3 は、好ましくは０．１〜３重量％で
ある。また、ＳｎＯ2 およびＣａＯは、好ましくは総計
で０〜４重量％であり、このうちＳｎＯ2は、好ましく
は０〜０．７重量％、特に０．０３〜０．７重量％、Ｃ
ａＯは、好ましくは０〜４重量％、特に０．５〜２重量
％の範囲内である。
【００７３】このような組成とすることにより、後述の
インダクタチップ体の磁性フェライトの磁性層と、コン
デンサチップ体の誘電体層との中間層として設層したと
き、そのすぐれた効果が発揮される。
インダクタチップ体の磁性フェライトの磁性層と、コン
デンサチップ体の誘電体層との中間層として設層したと
き、そのすぐれた効果が発揮される。
【００７４】このように、各酸化物成分の添加量を上記
範囲に制御することによって本発明の効果は向上する。
範囲に制御することによって本発明の効果は向上する。
【００７５】このような非磁性フェライト材料は、後述
のようにペースト化され、焼成されるが、焼成後の材料
は、８００℃にて１０５×１０-7/degの線膨張係数を示
し、磁性フェライトと±５×１０-7/deg以内の線膨張係
数とすることができる。
のようにペースト化され、焼成されるが、焼成後の材料
は、８００℃にて１０５×１０-7/degの線膨張係数を示
し、磁性フェライトと±５×１０-7/deg以内の線膨張係
数とすることができる。
【００７６】また、中間層１０４は、図示例では単層で
あるが、２層以上の多層構造とすることが好ましい。中
間層１０４の厚さには特に制限はなく、用途等に応じて
適宜選択すればよいが、通常５〜１５０μm 、好ましく
は２０〜１００μm 程度である。また、中間層１０４の
積層数には特に制限がなく、図示例のように単層構造と
してもよいが、多層構造とすることが好ましい。多層の
場合の積層数には特に制限がなく、用途等に応じて適宜
選択すればよいが、作業性等を考慮すると、積層数は通
常１〜５程度である。なお、中間層の全厚は前記と同様
とすればよく、また、各層の厚さは、互いに異なってい
ても同一であってもよい。
あるが、２層以上の多層構造とすることが好ましい。中
間層１０４の厚さには特に制限はなく、用途等に応じて
適宜選択すればよいが、通常５〜１５０μm 、好ましく
は２０〜１００μm 程度である。また、中間層１０４の
積層数には特に制限がなく、図示例のように単層構造と
してもよいが、多層構造とすることが好ましい。多層の
場合の積層数には特に制限がなく、用途等に応じて適宜
選択すればよいが、作業性等を考慮すると、積層数は通
常１〜５程度である。なお、中間層の全厚は前記と同様
とすればよく、また、各層の厚さは、互いに異なってい
ても同一であってもよい。
【００７７】本発明の積層ＬＣ複合部品１０１は、焼成
前には、磁性層１３１、中間層１０４、誘電体層１２１
それぞれの界面で組成のある程度の急峻な変化があり、
それぞれの層を明瞭に区別できるが、焼成ないし外部電
極１５１の焼き付け等により相互拡散が生じ、焼成後
は、ほぼ連続的ないしなだらかな傾斜のプロファィルを
もった層となる。
前には、磁性層１３１、中間層１０４、誘電体層１２１
それぞれの界面で組成のある程度の急峻な変化があり、
それぞれの層を明瞭に区別できるが、焼成ないし外部電
極１５１の焼き付け等により相互拡散が生じ、焼成後
は、ほぼ連続的ないしなだらかな傾斜のプロファィルを
もった層となる。
【００７８】インダクタチップ体１０３の磁性層１３１
の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトおよび／
またはＮｉ−Ｚｎフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトを用いることが好ましい。
の材質としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトおよび／
またはＮｉ−Ｚｎフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライトを用いることが好ましい。
【００７９】このような積層ＬＣ複合部品のインダクタ
チップ体は、例えば前記シールド型積層トランス等と比
較して、高い周波数帯域、例えば２〜４MHz 程度で用い
られることが多い。従って、磁性層成分の含有量もわず
かに異なる場合があるが、本発明の積層ＬＣ複合部品で
用いるＮｉ−Ｚｎフェライトに特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、
ＮｉＯの含有量は、１０〜２５モル％、ＺｎＯの含有量
は、１５〜４０モル％であることが好ましい。また、本
発明の積層ＬＣ複合部品で用いるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトに特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のも
のを選択すればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、１
５〜２５モル％、ＣｕＯの含有量は、５〜１５モル％、
ＺｎＯの含有量は、２０〜３０モル％であることが好ま
しい。
チップ体は、例えば前記シールド型積層トランス等と比
較して、高い周波数帯域、例えば２〜４MHz 程度で用い
られることが多い。従って、磁性層成分の含有量もわず
かに異なる場合があるが、本発明の積層ＬＣ複合部品で
用いるＮｉ−Ｚｎフェライトに特に制限はなく、目的に
応じて種々の組成のものを選択すればよいが、例えば、
ＮｉＯの含有量は、１０〜２５モル％、ＺｎＯの含有量
は、１５〜４０モル％であることが好ましい。また、本
発明の積層ＬＣ複合部品で用いるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトに特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のも
のを選択すればよいが、例えば、ＮｉＯの含有量は、１
５〜２５モル％、ＣｕＯの含有量は、５〜１５モル％、
ＺｎＯの含有量は、２０〜３０モル％であることが好ま
しい。
【００８０】また、この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５wt
% 程度以下含有されていてもよい。さらにＣａ、Ｓｉ、
Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよ
い。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いる場合、通常、
さらにホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含有される。
% 程度以下含有されていてもよい。さらにＣａ、Ｓｉ、
Ｂｉ、Ｖ、Ｐｂ等が１wt% 程度以下含有されていてもよ
い。また、Ｎｉ−Ｚｎフェライトを用いる場合、通常、
さらにホウケイ酸ガラス等の各種ガラスが含有される。
【００８１】本発明において、内部導体１３５を構成す
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えば Ａｇ−Ｐｄ合金など、これらを
１種以上含有する合金等から選択すればよいが、インダ
クタとして実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいこ
とが必要であるので、Ａｇ、Ｃｕおよびこれらを１種以
上含有する合金を用いることが好ましい。
る導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、
Ｃｕ、Ｎｉや、例えば Ａｇ−Ｐｄ合金など、これらを
１種以上含有する合金等から選択すればよいが、インダ
クタとして実用的なＱを得るためには抵抗率の小さいこ
とが必要であるので、Ａｇ、Ｃｕおよびこれらを１種以
上含有する合金を用いることが好ましい。
【００８２】積層ＬＣ複合部品１０１のインダクタチッ
プ体１０３は、従来公知の構造とすればよく、外形は通
常ほぼ直方体状の形状とする。そして図２１に示される
ように、内部導体１３５は磁性層１３１内にて通常スパ
イラル状に配置されて内部巻線を構成し、その両端部は
各外部電極１５１、１５１に接続されている。このよう
な場合、内部導体１３５の巻線パターン、すなわち閉磁
路形状は種々のパターンとすることができ、またその巻
数も用途に応じ適宜選択すればよい。また、インダクタ
チップ体１０３の各部寸法等には制限はなく、用途に応
じ適宜選択すればよい。なお、内部導体１３５の厚さ
は、通常５〜３０μm 程度、巻線ピッチは通常４０〜１
００μm 程度、巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度
とされる。また、磁性層１３１のベース厚は通常２５０
〜５００μm 程度、内部導体１３５、１３５間の磁性層
厚は通常１０〜１００μm 程度とする。
プ体１０３は、従来公知の構造とすればよく、外形は通
常ほぼ直方体状の形状とする。そして図２１に示される
ように、内部導体１３５は磁性層１３１内にて通常スパ
イラル状に配置されて内部巻線を構成し、その両端部は
各外部電極１５１、１５１に接続されている。このよう
な場合、内部導体１３５の巻線パターン、すなわち閉磁
路形状は種々のパターンとすることができ、またその巻
数も用途に応じ適宜選択すればよい。また、インダクタ
チップ体１０３の各部寸法等には制限はなく、用途に応
じ適宜選択すればよい。なお、内部導体１３５の厚さ
は、通常５〜３０μm 程度、巻線ピッチは通常４０〜１
００μm 程度、巻数は通常１．５〜５０．５ターン程度
とされる。また、磁性層１３１のベース厚は通常２５０
〜５００μm 程度、内部導体１３５、１３５間の磁性層
厚は通常１０〜１００μm 程度とする。
【００８３】コンデンサチップ体１０２の誘電体層１２
１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよい
が、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を用
いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合酸
化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合
物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させる
ために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させてもよ
い。
１には特に制限がなく種々の誘電体材料を用いてよい
が、焼成温度が低いことから、酸化チタン系誘電体を用
いることが好ましい。また、その他、チタン酸系複合酸
化物、ジルコン酸系複合酸化物、あるいはこれらの混合
物を用いることもできる。また、焼成温度を低下させる
ために、ホウケイ酸ガラス等のガラスを含有させてもよ
い。
【００８４】具体的には、酸化チタン系としては、必要
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
に応じＮｉＯ、ＣｕＯ、Ｍｎ3 Ｏ4、Ａｌ2 Ｏ3、Ｍｇ
Ｏ、ＳｉＯ2 等、特にＣｕＯを含むＴｉＯ2 等が、チタ
ン酸系複合酸化物としては、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ
3、ＣａＴｉＯ3 、ＭｇＴｉＯ3やこれらの混合物等が、
ジルコン酸系複合酸化物としては、ＢａＺｒＯ3 、Ｓｒ
ＺｒＯ3 、ＣａＺｒＯ3 、ＭｇＺｒＯ3 やこれらの混合
物等が挙げられる。
【００８５】本発明において、内部電極層１２５を構成
する導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これら
を１種以上含有する合金等から選択すればよいが、特に
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
する導電材に特に制限はなく、Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａ
ｕ、Ｃｕ、Ｎｉや、例えばＡｇ−Ｐｄ合金など、これら
を１種以上含有する合金等から選択すればよいが、特に
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等が好適である。
【００８６】積層ＬＣ複合部品１０１のコンデンサチッ
プ体１０２は、従来公知の構造とすればよく、外形は通
常ほぼ直方体状の形状とする。そして図２１に示される
ように、内部電極層１２５の一端は外部電極１５１に接
続されている。コンデンサチップ体１０２の各部寸法等
には特に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよ
い。なお、誘電体層１２１の積層数は目的に応じて定め
ればよいが、通常１〜１００程度である。また、誘電体
層１２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０μm
程度であり、内部電極層１２５の一層あたりの厚さは、
通常５〜３０μm程度である。
プ体１０２は、従来公知の構造とすればよく、外形は通
常ほぼ直方体状の形状とする。そして図２１に示される
ように、内部電極層１２５の一端は外部電極１５１に接
続されている。コンデンサチップ体１０２の各部寸法等
には特に制限はなく、用途等に応じ適宜選択すればよ
い。なお、誘電体層１２１の積層数は目的に応じて定め
ればよいが、通常１〜１００程度である。また、誘電体
層１２１の一層あたりの厚さは、通常２０〜１５０μm
程度であり、内部電極層１２５の一層あたりの厚さは、
通常５〜３０μm程度である。
【００８７】本発明の積層ＬＣ複合部品１０１の外部電
極１５１を構成する導電材に特に制限はなく、例えば、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合
金などのこれらを１種以上含有する合金等から選択すれ
ばよいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等
が好適である。また、外部電極１５１の形状や寸法等に
は特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜決定すれ
ばよいが、厚さは、通常１００〜２５００μm 程度であ
る。
極１５１を構成する導電材に特に制限はなく、例えば、
Ａｇ、Ｐｔ、Ｐｄ、 Ａｕ、Ｃｕ、ＮｉやＡｇ−Ｐｄ合
金などのこれらを１種以上含有する合金等から選択すれ
ばよいが、特にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ合金などのＡｇ合金等
が好適である。また、外部電極１５１の形状や寸法等に
は特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜決定すれ
ばよいが、厚さは、通常１００〜２５００μm 程度であ
る。
【００８８】本発明の積層ＬＣ複合部品１０１の寸法に
は特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すれ
ばよいが、通常（２．０〜１０．０mm）×（１．２〜１
５．０mm）×（１．２〜５．０mm）程度である。
は特に制限がなく、目的や用途等に応じて適宜選択すれ
ばよいが、通常（２．０〜１０．０mm）×（１．２〜１
５．０mm）×（１．２〜５．０mm）程度である。
【００８９】次に、本発明の複合積層部品のより好まし
い実施例の一つである積層ＬＣ複合部品を図２１および
図２２に示す。図２１および図２２に示される積層ＬＣ
複合部品１０１は、誘電体層１２１と内部電極層１２５
とを積層して構成されるコンデンサチップ体１０２と、
磁性層１３１と内部導体１３５とを積層して構成される
インダクタチップ体１０３とを中間層１０４を介して一
体化したものであり、表面に外部電極１５１を有する。
い実施例の一つである積層ＬＣ複合部品を図２１および
図２２に示す。図２１および図２２に示される積層ＬＣ
複合部品１０１は、誘電体層１２１と内部電極層１２５
とを積層して構成されるコンデンサチップ体１０２と、
磁性層１３１と内部導体１３５とを積層して構成される
インダクタチップ体１０３とを中間層１０４を介して一
体化したものであり、表面に外部電極１５１を有する。
【００９０】本発明に係る中間層１０４を一層以上設層
することにより、磁性層１３１と誘電体層間の熱膨張係
数の違いや界面での組成の急峻な変化が緩和され、界面
におけるＣｕやＣｕ酸化物、ＺｎやＺｎ酸化物の析出が
より一層減少し、部品の回路抵抗が向上する。中間層１
０４を設層する場合は、誘電体層１２１と中間層１０４
との界面および／または磁性層１３１と中間層１０４と
の界面を凹凸形状にすることが好ましい。この場合、Ｃ
ｕ、Ｚｎ等は主に誘電体層１２１と中間層１０４との界
面に析出するため、好ましくは誘電体層１２１と中間層
１０４との界面、より好ましくは図２２に示されるよう
に誘電体層１２１と中間層１０４との界面および磁性層
１３１と中間層１０４との界面のそれぞれを凹凸形状に
することが好ましい。なお、図２１においては、凹凸が
省略されている。
することにより、磁性層１３１と誘電体層間の熱膨張係
数の違いや界面での組成の急峻な変化が緩和され、界面
におけるＣｕやＣｕ酸化物、ＺｎやＺｎ酸化物の析出が
より一層減少し、部品の回路抵抗が向上する。中間層１
０４を設層する場合は、誘電体層１２１と中間層１０４
との界面および／または磁性層１３１と中間層１０４と
の界面を凹凸形状にすることが好ましい。この場合、Ｃ
ｕ、Ｚｎ等は主に誘電体層１２１と中間層１０４との界
面に析出するため、好ましくは誘電体層１２１と中間層
１０４との界面、より好ましくは図２２に示されるよう
に誘電体層１２１と中間層１０４との界面および磁性層
１３１と中間層１０４との界面のそれぞれを凹凸形状に
することが好ましい。なお、図２１においては、凹凸が
省略されている。
【００９１】本発明の複合積層部品は、前述した積層Ｌ
Ｃ複合部品に限定されるものではなく、前述した構成を
一部に有するものであれば、この他各種の複合積層部品
であってもよい。
Ｃ複合部品に限定されるものではなく、前述した構成を
一部に有するものであれば、この他各種の複合積層部品
であってもよい。
【００９２】本発明の積層ＬＣ複合部品１０１等の複合
積層部品は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法
により製造することができる。
積層部品は、ペーストを用いた通常の印刷法やシート法
により製造することができる。
【００９３】本発明に用いる磁性層用ペーストは、次の
ようにして作製する。まず、フェライトの原料粉末、例
えばＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末
を、所定量ボールミル等により湿式混合する。用いる原
料粉末の粒径は０．１〜１０μm 程度とする。こうして
湿式混合したものを、通常スプレードライヤーにより乾
燥し、その後仮焼する。これを通常は、ボールミルで粉
体粒径０．０１〜０．５μm 程度の粒径となるまで湿式
粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥する。
ようにして作製する。まず、フェライトの原料粉末、例
えばＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、Ｆｅ2 Ｏ3 等の各種粉末
を、所定量ボールミル等により湿式混合する。用いる原
料粉末の粒径は０．１〜１０μm 程度とする。こうして
湿式混合したものを、通常スプレードライヤーにより乾
燥し、その後仮焼する。これを通常は、ボールミルで粉
体粒径０．０１〜０．５μm 程度の粒径となるまで湿式
粉砕し、スプレードライヤーにより乾燥する。
【００９４】得られたフェライト粉末を、エチルセルロ
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、磁性層
用ペースト中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物を
含有させることができる。
ース等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビト
ール等の溶剤と混練してペースト化する。なお、磁性層
用ペースト中には、必要に応じて各種ガラスや酸化物を
含有させることができる。
【００９５】本発明の積層ＬＣ複合部品１０１に用いる
誘電体層用ペーストの構成に特に制限はなく、上記した
ような誘電体層の組成に応じて各種誘電体材料あるいは
焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、各種バイン
ダおよび溶剤と混練して調製すればよい。原料粉末とし
ては、通常、酸化チタン系およびチタン酸系複合酸化物
等を構成する酸化物を用いればよく、対応する酸化物誘
電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の
酸化物を用いればよい。またこれらは焼成により酸化物
になる化合物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ
酸塩、有機金属化合物等を用いてもよい。これらの原料
粉末は、通常、平均粒子径０．１〜５μm 程度のものが
用いられる。また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。
誘電体層用ペーストの構成に特に制限はなく、上記した
ような誘電体層の組成に応じて各種誘電体材料あるいは
焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、各種バイン
ダおよび溶剤と混練して調製すればよい。原料粉末とし
ては、通常、酸化チタン系およびチタン酸系複合酸化物
等を構成する酸化物を用いればよく、対応する酸化物誘
電体の組成に応じ、Ｔｉ、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｚｒ等の
酸化物を用いればよい。またこれらは焼成により酸化物
になる化合物、例えば炭酸塩、硫酸塩、硝酸塩、シュウ
酸塩、有機金属化合物等を用いてもよい。これらの原料
粉末は、通常、平均粒子径０．１〜５μm 程度のものが
用いられる。また、必要に応じ、各種ガラスが含有され
ていてもよい。
【００９６】本発明の複合部品に用いる中間層用等の非
磁性フェライトのペーストは、前記磁性層用ペーストと
同様にしてフェライト粉末を製造し、前記誘電体層用ペ
ーストと同様、所望の組成に応じて各種誘電体材料ある
いは焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、これら
と、各種バインダと、各種溶剤とを混練して調整すれば
よい。この場合、前述したとおり、磁性層用ペーストに
用いたフェライト粉末と実質的に同一組成、特に同一組
成のフェライト粉末と、誘電体層用ペーストに用いた原
料粉末を焼成したものと焼成により実質的に同一組成、
特に同一組成になる原料粉末とを用いて所望の混合比に
調整する。
磁性フェライトのペーストは、前記磁性層用ペーストと
同様にしてフェライト粉末を製造し、前記誘電体層用ペ
ーストと同様、所望の組成に応じて各種誘電体材料ある
いは焼成により誘電体となる原料粉末を選択し、これら
と、各種バインダと、各種溶剤とを混練して調整すれば
よい。この場合、前述したとおり、磁性層用ペーストに
用いたフェライト粉末と実質的に同一組成、特に同一組
成のフェライト粉末と、誘電体層用ペーストに用いた原
料粉末を焼成したものと焼成により実質的に同一組成、
特に同一組成になる原料粉末とを用いて所望の混合比に
調整する。
【００９７】用いるフェライトの原料粉末、誘電体の原
料粉末、さらにはフェライト粉末等の粒径などの諸条件
は前記と同様にすればよい。また、焼結助剤等として、
必要に応じて各種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
また、混合材料を用いない場合、例えば非磁性Ｚｎフェ
ライト等を用いる場合にも前記と同様にしてペーストを
作製すればよい。
料粉末、さらにはフェライト粉末等の粒径などの諸条件
は前記と同様にすればよい。また、焼結助剤等として、
必要に応じて各種ガラスや酸化物を含有させてもよい。
また、混合材料を用いない場合、例えば非磁性Ｚｎフェ
ライト等を用いる場合にも前記と同様にしてペーストを
作製すればよい。
【００９８】本発明の複合部品に用いる内部導体用ペー
スト、内部電極層用ペースト、および外部電極用ペース
トは、それぞれ、上記した各種導電性金属、合金、ある
いは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金
属化合物、レジネート等と、上記した各種バインダおよ
び溶剤とを混練して作製する。
スト、内部電極層用ペースト、および外部電極用ペース
トは、それぞれ、上記した各種導電性金属、合金、ある
いは焼成後に上記した導電材となる各種酸化物、有機金
属化合物、レジネート等と、上記した各種バインダおよ
び溶剤とを混練して作製する。
【００９９】上記した各ペースト中のバインダおよび溶
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
剤の含有量に特に制限はなく、通常の含有量、例えば、
バインダは１〜５wt% 程度、溶剤は１０〜５０wt% 程度
とすればよい。また、各ペースト中には、必要に応じて
各種分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等から選択される
添加物が含有されていてもよい。これらの総含有量は、
１０wt% 以下であることが好ましい。
【０１００】積層ＬＣ複合部品１０１を製造するに際し
ては、例えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体
用ペ−ストをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。この
際、最後に印刷する磁性層の表面に凹凸を形成する。凹
凸の形状やパタ−ン、寸法等の諸条件には特に制限がな
く、用途等に応じて適宜選択すればよい。
ては、例えば、まず、磁性層用ペ−ストおよび内部導体
用ペ−ストをＰＥＴ等の基板上に積層印刷する。この
際、最後に印刷する磁性層の表面に凹凸を形成する。凹
凸の形状やパタ−ン、寸法等の諸条件には特に制限がな
く、用途等に応じて適宜選択すればよい。
【０１０１】例えば、凹凸の形状ないしパタ−ンとして
は、図２３、図 ２４に示されるように、平面上に線上
の凸部１６１を形成したものが挙げられ、これは、平面
上に線状の凹部１６５を形成したものと言い換えること
もできる。この場合凹部１６５や凸部１６１のパタ−ン
は、図示例の直線状のほか、波線状、曲線状、折れ線
状、リング状、曲線や折れ線が閉じた状態のもの等種々
のストライプ形状の何れであってもよい。
は、図２３、図 ２４に示されるように、平面上に線上
の凸部１６１を形成したものが挙げられ、これは、平面
上に線状の凹部１６５を形成したものと言い換えること
もできる。この場合凹部１６５や凸部１６１のパタ−ン
は、図示例の直線状のほか、波線状、曲線状、折れ線
状、リング状、曲線や折れ線が閉じた状態のもの等種々
のストライプ形状の何れであってもよい。
【０１０２】また、凹凸の形状ないしパタ−ンとして
は、図２５に示されるように、平面上に散点状に凹部１
６５を形成したもの、図２７、図２８に示されるよう
に、平面上に散点状に凸部１６１を形成したもの等が挙
げられ、さらに図２６に示されるように凹部１６５や凸
部１６１が接した状態で形成されているもの等が挙げら
れる。この場合、凹部１６５や凸部１６１の形状は、図
示例の円、三角形、四角形のほか、楕円、多角形等何れ
であってもよい。
は、図２５に示されるように、平面上に散点状に凹部１
６５を形成したもの、図２７、図２８に示されるよう
に、平面上に散点状に凸部１６１を形成したもの等が挙
げられ、さらに図２６に示されるように凹部１６５や凸
部１６１が接した状態で形成されているもの等が挙げら
れる。この場合、凹部１６５や凸部１６１の形状は、図
示例の円、三角形、四角形のほか、楕円、多角形等何れ
であってもよい。
【０１０３】なお、図２９においては、凹凸が省略され
ている。この場合、焼成によって相互拡散が生じるた
め、凹凸の輪郭は、ある程度不明瞭になるが、例えば走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて誘電体層、磁性層の焼け
具合等を観察することにより、従来の界面が平坦なもの
とは区別できる。
ている。この場合、焼成によって相互拡散が生じるた
め、凹凸の輪郭は、ある程度不明瞭になるが、例えば走
査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）にて誘電体層、磁性層の焼け
具合等を観察することにより、従来の界面が平坦なもの
とは区別できる。
【０１０４】また、図示例の凹凸パタ−ンは、形状、寸
法、配置等について、規則的に形成されているが、場合
によっては不規則であってもよく、さらには各種の凹凸
を組み合わせてもよい。また、凹凸の寸法については、
凸部１６１の高さｈが３〜３０μm が好ましい。前記範
囲未満または前記範囲を超えると、Ｃｕ、Ｚｎ等の析出
防止能が不十分である。なお、凸部１６１の高さｈは、
凹部１６５の深さと言い換えることができる。
法、配置等について、規則的に形成されているが、場合
によっては不規則であってもよく、さらには各種の凹凸
を組み合わせてもよい。また、凹凸の寸法については、
凸部１６１の高さｈが３〜３０μm が好ましい。前記範
囲未満または前記範囲を超えると、Ｃｕ、Ｚｎ等の析出
防止能が不十分である。なお、凸部１６１の高さｈは、
凹部１６５の深さと言い換えることができる。
【０１０５】また、凸部１６１をストライプ状に設ける
場合、その幅は、０．５〜２．５mm程度、散点状に設け
る場合は、その面積は、１２〜２７mm2 程度とする。ま
た、凹部１６５に対する凸部１６１の面積比は３／７〜
７／３程度、特に１／１程度が好ましい。そして、凹部
１６５と凸部１６１は均一に分布していることが好まし
い。
場合、その幅は、０．５〜２．５mm程度、散点状に設け
る場合は、その面積は、１２〜２７mm2 程度とする。ま
た、凹部１６５に対する凸部１６１の面積比は３／７〜
７／３程度、特に１／１程度が好ましい。そして、凹部
１６５と凸部１６１は均一に分布していることが好まし
い。
【０１０６】このような凹凸形状に磁性層用ペ−ストを
印刷した後、ペ−ストおよび内部電極層用ペ−ストを積
層印刷してグリ−ンチップを形成する。この際、磁性層
に隣接して印刷される誘電体層の磁性層側表面には、磁
性層の凹凸パタ−ンどおりの凹凸が形成され、接合界面
を所望の凹凸形状にできる。
印刷した後、ペ−ストおよび内部電極層用ペ−ストを積
層印刷してグリ−ンチップを形成する。この際、磁性層
に隣接して印刷される誘電体層の磁性層側表面には、磁
性層の凹凸パタ−ンどおりの凹凸が形成され、接合界面
を所望の凹凸形状にできる。
【０１０７】次に所定形状に切断した後、基板から剥離
する。なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペーストを
用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導体用ペ
ーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを
積層してグリーンチップを形成してもよい。この場合、
磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよい。
する。なお、磁性層用ペーストや誘電体層用ペーストを
用いてグリーンシートを形成し、この上に内部導体用ペ
ーストや内部電極層用ペーストを印刷した後、これらを
積層してグリーンチップを形成してもよい。この場合、
磁性層に隣接する誘電体層は直接印刷すればよい。
【０１０８】また、中間層１０４を設層する場合は、磁
性層用ペースト上に中間層用ペーストを印刷した後、誘
電体層用ペーストを印刷すればよい。そして、この場合
も前記と同様にして、磁性層と中間層との界面や誘電体
層と中間層との界面を凹凸形状にする。次いで、外部電
極用ペーストをグリーンチップに印刷ないし転写し、磁
性層用ペースト、内部導体用ペースト、誘電体層用ペー
スト、内部電極層用ペーストおよび外部電極用ペース
ト、中間層を設層する場合は、さらに中間層用ペースト
を同時焼成する。
性層用ペースト上に中間層用ペーストを印刷した後、誘
電体層用ペーストを印刷すればよい。そして、この場合
も前記と同様にして、磁性層と中間層との界面や誘電体
層と中間層との界面を凹凸形状にする。次いで、外部電
極用ペーストをグリーンチップに印刷ないし転写し、磁
性層用ペースト、内部導体用ペースト、誘電体層用ペー
スト、内部電極層用ペーストおよび外部電極用ペース
ト、中間層を設層する場合は、さらに中間層用ペースト
を同時焼成する。
【０１０９】また、先にチップ体を焼成し、その後に外
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
部電極用ペーストを印刷して焼成することもできる。
【０１１０】焼成温度は、８００〜９３０℃、特に８５
０〜９００℃とすることが好ましい。
０〜９００℃とすることが好ましい。
【０１１１】また、焼成時間は、０．０５〜５時間、特
に０．１〜３時間とすることが好ましい。焼成は、通
常、空気中で行なう。また、外部電極焼き付けのための
焼成温度は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、
通常１０〜３０分程度であり、焼成は通常、空気中で行
なう。
に０．１〜３時間とすることが好ましい。焼成は、通
常、空気中で行なう。また、外部電極焼き付けのための
焼成温度は、通常５００〜７００℃程度、焼成時間は、
通常１０〜３０分程度であり、焼成は通常、空気中で行
なう。
【０１１２】本発明では、焼成時および／または焼成
後、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行な
うことが好ましい。酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なう
ことによって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2
Ｏ等の抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出してい
た物をＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物
の形で析出させることができる。このため部品の回路抵
抗がより一層向上する。また、前記熱処理は、最後の焼
成時および／または最後の焼成後に行なうことが好まし
い。例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き付けるた
めの焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時および／
またはこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時および／または外部電極を焼き付けた後に所定の
熱処理を行なうことが好ましい。なお、後者のように２
度焼成を行なう場合は、場合によっては、さらにチップ
体の焼成時やチップ体の焼成後に熱処理を行なってもよ
い。
後、大気より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行な
うことが好ましい。酸素過剰雰囲気中で熱処理を行なう
ことによって、Ｃｕ、Ｚｎ等の金属やＣｕ2 Ｏ、Ｚｎ2
Ｏ等の抵抗が低い酸化物の形で析出した物や析出してい
た物をＣｕＯ、ＺｎＯ等の抵抗が高く実害のない酸化物
の形で析出させることができる。このため部品の回路抵
抗がより一層向上する。また、前記熱処理は、最後の焼
成時および／または最後の焼成後に行なうことが好まし
い。例えば、チップ体の焼成と外部電極を焼き付けるた
めの焼成とを同時に行う場合は、この焼成の時および／
またはこの焼成の後、チップ体の焼成後に外部電極を焼
き付けるための焼成を行なう場合は、外部電極を焼き付
ける時および／または外部電極を焼き付けた後に所定の
熱処理を行なうことが好ましい。なお、後者のように２
度焼成を行なう場合は、場合によっては、さらにチップ
体の焼成時やチップ体の焼成後に熱処理を行なってもよ
い。
【０１１３】熱処理雰囲気中の酸素分圧比は、３０〜１
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の析出を抑制する能力が低下
する。このような酸素過剰雰囲気中での熱処理は、通
常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行われるた
め、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条件や外
部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみを単独
で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、特に、
６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、特に１
〜１．５時間とすることが好ましい。
００％、より好ましくは５０〜１００％、特に好ましく
は１００％が好ましい。前記範囲未満では、Ｃｕ、Ｚ
ｎ、Ｃｕ2 Ｏ、Ｚｎ2 Ｏ等の析出を抑制する能力が低下
する。このような酸素過剰雰囲気中での熱処理は、通
常、焼成時や外部電極の焼き付け時に同時に行われるた
め、熱処理温度や保持時間等の諸条件は、焼成条件や外
部電極焼き付け条件と同様であるが、熱処理のみを単独
で行う場合、熱処理温度は、５５０〜９００℃、特に、
６５０〜８００℃、保持時間は０．５〜２時間、特に１
〜１．５時間とすることが好ましい。
【０１１４】このようにして製造されたシールド型積層
チップインダクタ、シールド型積層トランスあるいは積
層ＬＣ複合部品等の本発明の複合積層部品は、外部電極
に半田付等を行なうことにより、プリント基板上等に実
装され、各種電子機器等に使用される。
チップインダクタ、シールド型積層トランスあるいは積
層ＬＣ複合部品等の本発明の複合積層部品は、外部電極
に半田付等を行なうことにより、プリント基板上等に実
装され、各種電子機器等に使用される。
【０１１５】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明
をさらに詳細に説明する。
をさらに詳細に説明する。
【０１１６】実施例１ 下記の配合組成にて磁性フェライトＭを、また表１に示
す配合組成にて非磁性フェライトＡ〜Ｈを調製した。
す配合組成にて非磁性フェライトＡ〜Ｈを調製した。
【０１１７】磁性フェライトＭ組成（モル％） Ｆｅ2 Ｏ3 （４９．５）−ＮｉＯ（１６．５）−ＣｕＯ
（８．５）−ＺｎＯ（２５．５）
（８．５）−ＺｎＯ（２５．５）
【０１１８】
【表１】
【０１１９】上記磁性フェライトＭおよび表１の非磁性
フェライトＡ〜Ｈを各々用い、これらのペーストを使用
し、図１〜図１５の工程に従って、図１６〜図１８に示
すようなシールド型積層チップインダクタを作製した。
また、コイル状導体はＡｇのペーストを使用して形成し
た。外部電極はＡｇの印刷膜とした。また焼成は常圧で
８７０℃の温度で行なった。
フェライトＡ〜Ｈを各々用い、これらのペーストを使用
し、図１〜図１５の工程に従って、図１６〜図１８に示
すようなシールド型積層チップインダクタを作製した。
また、コイル状導体はＡｇのペーストを使用して形成し
た。外部電極はＡｇの印刷膜とした。また焼成は常圧で
８７０℃の温度で行なった。
【０１２０】なお、具体的には、米国特許第４３２２６
９８号、特開昭５６−５１８１０号等に記載の方法によ
り積層した。
９８号、特開昭５６−５１８１０号等に記載の方法によ
り積層した。
【０１２１】焼成後の磁性体層のベース厚は２５０μm
程度、導体層間の磁性体層厚は２５μm 程度とした。
程度、導体層間の磁性体層厚は２５μm 程度とした。
【０１２２】また、外部電極の厚さは１５０μm 程度と
した。
した。
【０１２３】このようにして作製したインダクタを用い
た非磁性材料に応じてインダクタＡ〜Ｈとする。これら
のインダクタＡ〜ＨについてインダクタンスＬ、Ｑおよ
びクラックの有無を調べた。結果を表２に示す。
た非磁性材料に応じてインダクタＡ〜Ｈとする。これら
のインダクタＡ〜ＨについてインダクタンスＬ、Ｑおよ
びクラックの有無を調べた。結果を表２に示す。
【０１２４】
【表２】
【０１２５】表２から明らかなように、本発明の非磁性
フェライトＤ、Ｅ、ＧおよびＨは、比較の非磁性フェラ
イトＡ、ＢおよびＦに比べてインダクタンスＬおよびＱ
が高く、またクラックの発生も認められなかった。
フェライトＤ、Ｅ、ＧおよびＨは、比較の非磁性フェラ
イトＡ、ＢおよびＦに比べてインダクタンスＬおよびＱ
が高く、またクラックの発生も認められなかった。
【０１２６】このことは、温度と線膨脹係数との関係を
示す図２０からも確認することができる。すなわち、比
較の非磁性フェライトＡおよびＢの線膨脹係数は、各温
度において磁性フェライトの線膨脹係数とはかなり異な
っているが、本発明の非磁性フェライトＤ、Ｅ、Ｇおよ
びＨの線膨脹係数は、各温度において磁性フェライト
（図中、磁性材料）の線膨脹係数と極めて近い値となっ
た。このため、本発明のものでは、これに起因して、Ｃ
ｕＯ、ＺｎＯ等の析出によるＩＲの低下を防止できると
考えられる。
示す図２０からも確認することができる。すなわち、比
較の非磁性フェライトＡおよびＢの線膨脹係数は、各温
度において磁性フェライトの線膨脹係数とはかなり異な
っているが、本発明の非磁性フェライトＤ、Ｅ、Ｇおよ
びＨの線膨脹係数は、各温度において磁性フェライト
（図中、磁性材料）の線膨脹係数と極めて近い値となっ
た。このため、本発明のものでは、これに起因して、Ｃ
ｕＯ、ＺｎＯ等の析出によるＩＲの低下を防止できると
考えられる。
【０１２７】本発明のインダクタＤ、Ｅ、ＧおよびＨの
それぞれの断面についてＳＥＭ観察を行なったところ、
隣接する磁性体層間の間隙内に、導体が空隙を介して磁
性体層と対向しているのがみられた。また、間隙内にて
導体層が磁性体層と接触する接触率は、いずれもほぼ０
％であった。さらに間隙内における導体層が占める断面
面積比は、いずれも６０％程度であった。また導体層の
空孔率は、いずれも５％程度であった。
それぞれの断面についてＳＥＭ観察を行なったところ、
隣接する磁性体層間の間隙内に、導体が空隙を介して磁
性体層と対向しているのがみられた。また、間隙内にて
導体層が磁性体層と接触する接触率は、いずれもほぼ０
％であった。さらに間隙内における導体層が占める断面
面積比は、いずれも６０％程度であった。また導体層の
空孔率は、いずれも５％程度であった。
【０１２８】また、本発明のインダクタは、ＬおよびＱ
の温度特性が良好であった。
の温度特性が良好であった。
【０１２９】このように、本発明の開磁路型インダクタ
は、金属ケースを必要としない小型の開磁路型インダク
タであり、内部磁性体の透磁率を選択することでインダ
クタの定数を調整することができ、また磁束が外部へ漏
洩することは実質上防止される。また、この磁性体層の
間隙内において、磁性体層と導体層との間に空隙を形成
させることにより、導体層の膨張や収縮により磁性体層
が受ける影響を減少させることができ、インダクタンス
ＬおよびＱを高くすることができる。加えてＬやＱの温
度特性が良好である。
は、金属ケースを必要としない小型の開磁路型インダク
タであり、内部磁性体の透磁率を選択することでインダ
クタの定数を調整することができ、また磁束が外部へ漏
洩することは実質上防止される。また、この磁性体層の
間隙内において、磁性体層と導体層との間に空隙を形成
させることにより、導体層の膨張や収縮により磁性体層
が受ける影響を減少させることができ、インダクタンス
ＬおよびＱを高くすることができる。加えてＬやＱの温
度特性が良好である。
【０１３０】上記実施例においては、もっとも望ましい
フェライトとして、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺｎＯを
含むものを示したが、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＣｕＯやＦｅ2
Ｏ3およびＺｎＯのみのものであっても、同様の効果が
得られる。また、添加物として、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｉ
Ｏ2 およびＢ2 Ｏ3 を含む混合粉であっても同様の効果
が得られる。
フェライトとして、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺｎＯを
含むものを示したが、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＣｕＯやＦｅ2
Ｏ3およびＺｎＯのみのものであっても、同様の効果が
得られる。また、添加物として、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｓｉ
Ｏ2 およびＢ2 Ｏ3 を含む混合粉であっても同様の効果
が得られる。
【０１３１】実施例２ 実施例１のインダクタＤ、Ｅ、ＧおよびＨにおいて、磁
性フェライトと非磁性フェライトとの接合界面に５０μ
m 厚の絶縁体中間層を形成するものとするほかは同様に
してインダクタを作製した。インダクタＤ、Ｅ、Ｇおよ
びＨに対応させて各々インダクタＤ′、Ｅ′、Ｇ′およ
びＨ′とする。
性フェライトと非磁性フェライトとの接合界面に５０μ
m 厚の絶縁体中間層を形成するものとするほかは同様に
してインダクタを作製した。インダクタＤ、Ｅ、Ｇおよ
びＨに対応させて各々インダクタＤ′、Ｅ′、Ｇ′およ
びＨ′とする。
【０１３２】なお、インダクタＤ′、Ｅ′、Ｇ′および
Ｈ′の絶縁体中間層材質は磁性フェライトＭと、対応す
るインダクタＤ、Ｅ、ＧおよびＨに使用したそれぞれの
非磁性フェライトとの５：５（重量比）混合物を用い
た。
Ｈ′の絶縁体中間層材質は磁性フェライトＭと、対応す
るインダクタＤ、Ｅ、ＧおよびＨに使用したそれぞれの
非磁性フェライトとの５：５（重量比）混合物を用い
た。
【０１３３】インダクタＤ′、Ｅ′、Ｇ′およびＨ′に
ついて、実施例１と同様に特性を調べたところ、インダ
クタＤ、Ｅ、ＧおよびＨと同等以上の良好な結果が得ら
れた。
ついて、実施例１と同様に特性を調べたところ、インダ
クタＤ、Ｅ、ＧおよびＨと同等以上の良好な結果が得ら
れた。
【０１３４】実施例３ 実施例１の非磁性フェライトＥと表３に示す磁性フェラ
イトＭ１〜Ｍ１６を各々用い、実施例１のインダクタの
製造方法に準じて、図１９に示すような積層トランスを
作製した。ただし、絶縁中間層は形成しないものとし
た。用いた磁性フェライトＭ１〜Ｍ１６に応じてトラン
ス１〜１６とする。
イトＭ１〜Ｍ１６を各々用い、実施例１のインダクタの
製造方法に準じて、図１９に示すような積層トランスを
作製した。ただし、絶縁中間層は形成しないものとし
た。用いた磁性フェライトＭ１〜Ｍ１６に応じてトラン
ス１〜１６とする。
【０１３５】なお、導体層材質、外部電極、焼成条件は
実施例１と同様とした。また、焼成後の磁性体層のベー
ス厚は３００μm 程度、導体層間の磁性体厚は２５μm
程度とした。
実施例１と同様とした。また、焼成後の磁性体層のベー
ス厚は３００μm 程度、導体層間の磁性体厚は２５μm
程度とした。
【０１３６】これらのトランス１〜１６について、５０
０kHz 、２０mTの条件でパワーロス（ＰCV）および効率
を調べた。結果を表３に示す。
０kHz 、２０mTの条件でパワーロス（ＰCV）および効率
を調べた。結果を表３に示す。
【０１３７】
【表３】
【０１３８】表３より、本発明において好ましいとされ
る磁性フェライトＭ２、Ｍ５、Ｍ８を用いたトランス
２、５、８ではパワーロスや効率の特性面で改善される
ことがわかる。
る磁性フェライトＭ２、Ｍ５、Ｍ８を用いたトランス
２、５、８ではパワーロスや効率の特性面で改善される
ことがわかる。
【０１３９】なお、トランス１〜１６のうち、特性の評
価が可能なトランス２〜８および１２、１４、１５にお
いて用いた各磁性フェライトＭ１〜Ｍ１６と非磁性フェ
ライトＥの線膨張係数を実施例１と同様にして調べたと
ころ、いずれにおいても実施例１の本発明のものと同等
程度の近い値を示すことがわかった。
価が可能なトランス２〜８および１２、１４、１５にお
いて用いた各磁性フェライトＭ１〜Ｍ１６と非磁性フェ
ライトＥの線膨張係数を実施例１と同様にして調べたと
ころ、いずれにおいても実施例１の本発明のものと同等
程度の近い値を示すことがわかった。
【０１４０】また、ＳＥＭ観察から、導体が空隙を介し
て磁性体層と対向していることがわかった。また、導体
層と磁性体層との接触率、間隙内において導体層が占め
る断面面積比、導体層の空孔率は、実施例１のインダク
タＤ、Ｅとほぼ同等であった。
て磁性体層と対向していることがわかった。また、導体
層と磁性体層との接触率、間隙内において導体層が占め
る断面面積比、導体層の空孔率は、実施例１のインダク
タＤ、Ｅとほぼ同等であった。
【０１４１】さらには、温度特性も良好であった。
【０１４２】実施例４ 実施例３のトランス２、５、８において、磁性フェライ
トと非磁性フェライトとの接合界面に５０μm 厚の絶縁
体中間層を形成するものとするほかは同様にしてトラン
スを作製した。トランス２、５、８に対応させて各々ト
ランス２′、５′、８′とする。
トと非磁性フェライトとの接合界面に５０μm 厚の絶縁
体中間層を形成するものとするほかは同様にしてトラン
スを作製した。トランス２、５、８に対応させて各々ト
ランス２′、５′、８′とする。
【０１４３】なお、絶縁体中間層材質は、実施例２と同
様に、磁性材料と非磁性材料との５：５（重量比）混合
物とした。
様に、磁性材料と非磁性材料との５：５（重量比）混合
物とした。
【０１４４】トランス２′、５′、８′について、実施
例３と同様に特性を調べたところ、トランス２、５、８
と同等以上の良好な結果が得られた。
例３と同様に特性を調べたところ、トランス２、５、８
と同等以上の良好な結果が得られた。
【０１４５】実施例５ 下記の各ペーストを調製して、積層ＬＣ複合部品を作成
した。
した。
【０１４６】（磁性層用ペースト）粒径０．１〜３．０
μm 程度のＮｉＯ（１７モル％）、ＣｕＯ（９モル
％）、ＺｎＯ（２５モル％）およびＦｅ2 Ｏ3 （４９モ
ル％）の粉体を用い、これらをボールミルを用いて湿式
混合し、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤー
により乾燥し、７５０℃にて仮焼し、顆粒として、これ
をボールミルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾
燥し、平均粒径０．１μm のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト原料粉末とした。
μm 程度のＮｉＯ（１７モル％）、ＣｕＯ（９モル
％）、ＺｎＯ（２５モル％）およびＦｅ2 Ｏ3 （４９モ
ル％）の粉体を用い、これらをボールミルを用いて湿式
混合し、ついで、この湿式混合物をスプレードライヤー
により乾燥し、７５０℃にて仮焼し、顆粒として、これ
をボールミルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾
燥し、平均粒径０．１μm のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト原料粉末とした。
【０１４７】次いで、この原料粉末１００重量部に対
し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオ
ール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペース
トとした。
し、エチルセルロース３．８４重量部およびテルピネオ
ール７８重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペース
トとした。
【０１４８】（内部導体用ペースト）平均粒径０．８μ
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロース２．５
重量部およびテルピネオール４０重量部を加え、三本ロ
ールにて混練し、ペーストとした。
【０１４９】（誘電体層用ペースト）平均粒径０．７μ
m のＴｉＯ2 （９２モル％）、平均粒径 ０．０５μm
のＣｕＯ（４モル％）および平均粒径０．５μm のＮｉ
Ｏ（４モル％）を用いた。この誘電体粉末１００重量部
に対し、エチルセルロース３．５重量部、テルピネオー
ル４０重量部を加え、３本ロールにて混練してペースト
とした。
m のＴｉＯ2 （９２モル％）、平均粒径 ０．０５μm
のＣｕＯ（４モル％）および平均粒径０．５μm のＮｉ
Ｏ（４モル％）を用いた。この誘電体粉末１００重量部
に対し、エチルセルロース３．５重量部、テルピネオー
ル４０重量部を加え、３本ロールにて混練してペースト
とした。
【０１５０】（内部電極層用ペースト）平均粒径０．８
μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロ−ス２．
５重量部、テルピネオ−ル４０重量部を加え、三本ロー
ルにて混練し、ペーストとした。
μm のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロ−ス２．
５重量部、テルピネオ−ル４０重量部を加え、三本ロー
ルにて混練し、ペーストとした。
【０１５１】（中間層用ペ−スト）粒径０．８μm 程度
のＺｎＯ（４６．０モル％）、ＣｕＯ（５．０）および
Ｆｅ2 Ｏ3 （４９．０モル％）の粉体全体に対して、Ｂ
ａＯ（０．９４重量％）、ＭｇＯ（０．７９重量
％）、ＳｉＯ（０．７１重量％）、ＳｎＯ2 （０．０５
重量 ％）およびＢ2 Ｏ3 （０．３０重量％）を添加し
た原料を用い、磁性層用ペ−ストと同様にして平均粒径
０．２μm の非磁性Ｚｎ−Ｃｕフェライトの原料粉末と
した。次いで、この原料粉末１００重量部に対し、エチ
ルセルロ−ス３．５重量部、テルピネオ−ル４０重量部
を加え、三本ロ−ンにて混練し、ペ−ストとした。
のＺｎＯ（４６．０モル％）、ＣｕＯ（５．０）および
Ｆｅ2 Ｏ3 （４９．０モル％）の粉体全体に対して、Ｂ
ａＯ（０．９４重量％）、ＭｇＯ（０．７９重量
％）、ＳｉＯ（０．７１重量％）、ＳｎＯ2 （０．０５
重量 ％）およびＢ2 Ｏ3 （０．３０重量％）を添加し
た原料を用い、磁性層用ペ−ストと同様にして平均粒径
０．２μm の非磁性Ｚｎ−Ｃｕフェライトの原料粉末と
した。次いで、この原料粉末１００重量部に対し、エチ
ルセルロ−ス３．５重量部、テルピネオ−ル４０重量部
を加え、三本ロ−ンにて混練し、ペ−ストとした。
【０１５２】（外部電極用ペースト）平均粒径１．２μ
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロ−ス３．０
重量部、ガラスフリット７重量部、テルピネオ−ル４０
重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペーストとし
た。
m のＡｇ１００重量部に対し、エチルセルロ−ス３．０
重量部、ガラスフリット７重量部、テルピネオ−ル４０
重量部を加え、三本ロールにて混練し、ペーストとし
た。
【０１５３】このようにして作製された磁性層用ペース
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、次いで中間層
用ペーストを印刷し、さらに誘電体層用ペーストと、内
部電極層用ペーストとを印刷積層してグリーンチップと
した。
トと内部導体用ペーストとを印刷積層し、次いで中間層
用ペーストを印刷し、さらに誘電体層用ペーストと、内
部電極層用ペーストとを印刷積層してグリーンチップと
した。
【０１５４】この場合、中間層の厚さは５０μm とし
た。
た。
【０１５５】次に、空気中にて、８９０℃で２時間焼成
した。
した。
【０１５６】焼成後、外部電極用ペーストを印刷し、そ
の後空気中にて６００℃で３０分間焼成して外部電極を
焼き付けた。
の後空気中にて６００℃で３０分間焼成して外部電極を
焼き付けた。
【０１５７】このようにして５．０mm×５．０mm×２．
７mmのＬＣフィルター複合部品サンプルを作製した。
７mmのＬＣフィルター複合部品サンプルを作製した。
【０１５８】磁性層の厚さは４０μm 、内部巻線（内部
導体）の厚さは１５μm 、その線巾は３００μm とし
た。巻回数は２５ターンとした。
導体）の厚さは１５μm 、その線巾は３００μm とし
た。巻回数は２５ターンとした。
【０１５９】誘電体層の厚さは１００μm 、誘電体層の
積層数は５層とし、内部電極層の厚さは１５μm とし
た。外部電極の厚さは８００μm とした。
積層数は５層とし、内部電極層の厚さは１５μm とし
た。外部電極の厚さは８００μm とした。
【０１６０】また、比較のために中間層なしの場合、お
よび中間層用ペーストの原料粉末としてＺｎＯ（４７．
０モル％）、ＣｕＯ（５．５）およびＦｅ2 Ｏ3 （４
７．５モル％）の粉体のみ使用した場合以外は上述と同
様にして夫々比較用サンプルを作製した。
よび中間層用ペーストの原料粉末としてＺｎＯ（４７．
０モル％）、ＣｕＯ（５．５）およびＦｅ2 Ｏ3 （４
７．５モル％）の粉体のみ使用した場合以外は上述と同
様にして夫々比較用サンプルを作製した。
【０１６１】次に、各サンプルの回路抵抗ＩＲを測定し
た。結果は表４に示されるとおりである。
た。結果は表４に示されるとおりである。
【０１６２】
【表４】
【０１６３】表４に示される結果から本発明の効果が明
らかである。
らかである。
【０１６４】また、ＬＣフィルタ複合部品以外に、ＬＣ
トラップ等の複合積層部品を作製したところ同等の結果
が得られた。
トラップ等の複合積層部品を作製したところ同等の結果
が得られた。
【０１６５】上記実施例においては、もっとも望ましい
フェライトとして、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺｎＯを
含むものを示したが、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＣｕＯやＦｅ2
Ｏ3およびＺｎＯのみのものであってもよい。また、上
記実施例においては、添加物として、ＭｇＯ、ＢａＯ、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 の混合粉を使用した
が、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、およびＢ2 Ｏ3 や、Ｍ
ｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＣａＯ、ある
いはＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 お
よびＣａＯのものであってもよい。
フェライトとして、Ｆｅ2 Ｏ3 、ＣｕＯおよびＺｎＯを
含むものを示したが、Ｆｅ2 Ｏ3 およびＣｕＯやＦｅ2
Ｏ3およびＺｎＯのみのものであってもよい。また、上
記実施例においては、添加物として、ＭｇＯ、ＢａＯ、
ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＳｎＯ2 の混合粉を使用した
が、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、およびＢ2 Ｏ3 や、Ｍ
ｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 およびＣａＯ、ある
いはＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｉＯ2 、Ｂ2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 お
よびＣａＯのものであってもよい。
【０１６６】
【発明の効果】本発明の非磁性フェライトは、使用する
磁性フェライトや、セラミック誘電体層との線膨張係数
の差が小さく、このため特性の劣化が防止され、また、
これをシールド型積層チップインダクタやシールド型積
層トランスあるいは積層ＬＣ複合部品等の複合積層部品
に用いた場合には、その内部におけるクラックの発生が
防止される。さらに、異なる材料間の極端な組成上の違
いから生ずる、ＣｕＯ、ＺｎＯ等の接合界面への局部的
な析出によるＩＲの低下を来すこともない。このため複
合積層部品としたときの特性に優れる。
磁性フェライトや、セラミック誘電体層との線膨張係数
の差が小さく、このため特性の劣化が防止され、また、
これをシールド型積層チップインダクタやシールド型積
層トランスあるいは積層ＬＣ複合部品等の複合積層部品
に用いた場合には、その内部におけるクラックの発生が
防止される。さらに、異なる材料間の極端な組成上の違
いから生ずる、ＣｕＯ、ＺｎＯ等の接合界面への局部的
な析出によるＩＲの低下を来すこともない。このため複
合積層部品としたときの特性に優れる。
【図１】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図２】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図３】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図４】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図５】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図６】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図７】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図８】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図９】本発明の一例の積層型インダクタを製造する順
次工程の一部を示す平面図である。
次工程の一部を示す平面図である。
【図１０】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１１】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１２】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１３】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１４】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１５】本発明の一例の積層型インダクタを製造する
順次工程の一部を示す平面図である。
順次工程の一部を示す平面図である。
【図１６】積層の終わったインダクタの断面図である。
【図１７】積層の終わったインダクタの斜視図である。
【図１８】完成したシールド型インダクタの斜視図であ
る。
る。
【図１９】積層の終わったトランスの断面図である。
【図２０】磁性フェライトと非磁性フェライトの温度と
線膨脹係数との関係を示すグラフである。
線膨脹係数との関係を示すグラフである。
【図２１】本発明の複合積層部品の好適実施例である積
層ＬＣ複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
層ＬＣ複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
【図２２】本発明の複合積層部品の好適実施例である積
層ＬＣ複合部品が示される断面図である。
層ＬＣ複合部品が示される断面図である。
【図２３】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２４】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２５】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２６】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２７】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２８】本発明の複合積層部品の磁性層の１例が示さ
れる部分斜視図である。
れる部分斜視図である。
【図２９】本発明の複合積層部品の好適実施例である積
層ＬＣ複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
層ＬＣ複合部品の一部を切欠いて示す斜視図である。
１ 上下磁性体層 ２ 絶縁体層 ３ 導体層 ４ 内部磁性体層 ５ 外部磁性体層 ６ 絶縁体層 ７ 導体 ８ 内部磁性体層 ９ 外部磁性体層 １０ 絶縁体層 １１ 導体 １２ 内部磁性体層 １３ 外部磁性体層 １４ 絶縁体層 １５ 導体 １６ 内部磁性体層 １７ 外部磁性体層 １８ 絶縁体層 １９ 上下磁性体層 ３１ 内部磁性体 ３２ 外部磁性体 ３３ 絶縁体 ３４、３５ 導体 ３６ 絶縁体中間層 ４０ 一次コイル ５０ 二次コイル １０１ ＬＣ複合部品 １０２ コンデンサチップ体 １２１ セラミック誘電体層 １２５ 内部電極層 １０３ インダクタチップ体 １３１ セラミック磁性層 １３５ 内部導体 １０４ 中間層 １５１ 外部電極 １６１ 凸部 １６５ 凹部 ａ 導体引出端 ｂ 導体引出端 ｃ 内部磁性体 ｄ コイル状導体 ｅ 絶縁体 ｆ 外部磁性体
Claims (31)
- 【請求項１】 酸化鉄と、酸化銅および／または酸化亜
鉛とを含む非磁性フェライト組成のＦｅ2 Ｏ3 とＣｕＯ
および／またはＺｎＯとの１００モル％に対して、 さらにＭｇＯと、ＢａＯと、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3 と、
ＳｎＯ2 と、ＣａＯとの総計が１〜３０重量％の範囲に
なるように、酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸化ケ
イ素および酸化ホウ素の４種の酸化物成分、またはこれ
ら４種の酸化物成分と酸化スズおよび酸化カルシウムの
うちの１種以上の酸化成分との５または６種の酸化物成
分が添加されている複合積層部品用非磁性フェライト。 - 【請求項２】 前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ
3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％および
ＺｎＯ：３３〜５２モル％である請求項１の複合積層部
品用非磁性フェライト。 - 【請求項３】 ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：
０．４〜９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量
％およびＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量
％の範囲である請求項１または２の複合積層部品用非磁
性フェライト。 - 【請求項４】 磁性フェライトを含有する磁性体層と、
非磁性絶縁体層と、導体層とを有し、インダクタを内蔵
する複合積層部品であって、 前記非磁性絶縁体層は、酸化鉄と、酸化銅および／また
は酸化亜鉛とを含む非磁性フェライト組成のＦｅ2 Ｏ3
とＣｕＯおよび／またはＺｎＯとの１００モル％に対し
て、さらにＭｇＯと、ＢａＯと、ＳｉＯ2 と、Ｂ2 Ｏ3
と、ＳｎＯ2 と、ＣａＯとの総計が１〜３０重量％の範
囲になるように、酸化マグネシウム、酸化バリウム、酸
化ケイ素および酸化ホウ素の４種の酸化物成分、または
これら４種の酸化物成分と酸化スズおよび酸化カルシウ
ムのうちの１種以上の酸化成分との５または６種の酸化
物成分が添加されている非磁性フェライトを含有する複
合積層部品。 - 【請求項５】 前記非磁性フェライト組成が、Ｆｅ2 Ｏ
3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２〜２０モル％および
ＺｎＯ：３３〜５２モル％である請求項４の複合積層部
品。 - 【請求項６】 ＭｇＯ：０．２５〜８重量％、ＢａＯ：
０．４〜９重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜７重量％、Ｂ
2 Ｏ3 ：０．１〜３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量
％およびＣａＯ：０〜８重量％で、総計が１〜３０重量
％の範囲である請求項４または５の複合積層部品。 - 【請求項７】 前記磁性体層は、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯのうちの２種または３種の酸化物を含む磁性フェ
ライトを含有する請求項４〜６のいずれかの複合積層部
品。 - 【請求項８】 前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層と
が互いに接触している請求項４〜７のいずれかの複合積
層部品。 - 【請求項９】 前記磁性体層と、前記非磁性絶縁体層と
の厚さ方向端面が接触している請求項８の複合積層部
品。 - 【請求項１０】 複数の前記磁性体層の内部磁性体層積
層部と、それを囲む複数の前記非磁性絶縁体層の非磁性
絶縁体層積層部と、さらにはその周りを取り囲む前記磁
性体層の外部磁性体層積層部を有し、前記非磁性絶縁体
層積層部中には、その層間から層間へと延び前記内部磁
性体層積層部の周りを垂直方向に重なるように周回する
ように前記導体層が埋設されている請求項８または９の
複合積層部品。 - 【請求項１１】 前記非磁性絶縁体層の非磁性フェライ
ト組成が、Ｆｅ2 Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：２
〜２０モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％であり、 前記非磁性フェライト組成は、前記酸化物組成として、
ＭｇＯ：０．５〜８重量％、ＢａＯ：０．８〜９重量
％、ＳｉＯ2 ：０．５〜７重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．２〜
３重量％、ＳｎＯ2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：
０〜８重量％が、総計２〜３０重量％の範囲になるよう
に添加されている請求項８〜１０のいずれかの複合積層
部品。 - 【請求項１２】 前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：
４０〜５２モル％、ＮｉＯ：０〜５０モル％、ＣｕＯ：
０〜２０モル％およびＺｎＯ：０〜５０モル％を含有す
る請求項８〜１１のいずれかの複合積層部品。 - 【請求項１３】 前記磁性フェライトは、Ｆｅ2 Ｏ3 ：
４６〜４９．５モル％、ＮｉＯ：５〜１５モル％、Ｃｕ
Ｏ：６〜１８モル％およびＺｎＯ：２０〜３５モル％で
ある低温焼成フェライトである請求項１２の複合積層部
品。 - 【請求項１４】 前記磁性体層と前記非磁性絶縁体層と
の接合界面に、前記磁性フェライトと前記非磁性フェラ
イトの線膨張係数の中間的な線膨張係数を有する絶縁体
中間層が形成されている請求項１０〜１３のいずれかの
複合積層部品。 - 【請求項１５】 前記絶縁体中間層は、前記磁性フェラ
イトと前記非磁性フェライトとを、重量比で１：９〜
９：１となるように含む請求項１４の複合積層部品。 - 【請求項１６】 前記内部磁性体積層部のうち、隣接す
る前記磁性体層間の間隙内に、前記導体が空隙を介して
前記磁性体層と対向して存在している請求項１０〜１５
のいずれかの複合積層部品。 - 【請求項１７】 前記間隙内にて、前記導体が占める断
面面積比が１０〜８５％である請求項１６の複合積層部
品。 - 【請求項１８】 前記間隙内における前記磁性体層と、
前記導体との接触率が、５０％以下である請求項１６ま
たは１７の複合積層部品。 - 【請求項１９】 前記導体の空孔率が、５０％以下であ
る請求項１０〜１８のいずれかの複合積層部品。 - 【請求項２０】 さらに、セラミック誘電体層を有し、
インダクタとコンデンサとを内蔵し、 前記非磁性絶縁体層が、前記磁性体層と前記セラミック
誘電体層との間に設けられている請求項４の複合積層部
品。 - 【請求項２１】 前記セラミック誘電体層と内部電極層
とを積層して構成されるコンデンサチップ体と、前記磁
性体層と内部導体層とを積層して構成されるインダクタ
チップ体とを一体的に有する複合積層部品であって、 前記コンデンサチップ体と、前記インダクタチップ体と
の間に、前記非磁性フェライトを含有する前記非磁性絶
縁体層が中間層として１層以上設層されている請求項２
０の複合積層部品。 - 【請求項２２】 前記非磁性フェライトの非磁性フェラ
イト組成が、Ｆｅ2Ｏ3 ：４６〜５０モル％、ＣｕＯ：
２〜２０モル％およびＺｎＯ：３３〜５２モル％の総計
が１００モル％に対して、 前記酸化物組成として、ＭｇＯ：０．２５〜４重量％、
ＢａＯ：０．４〜４．５重量％、ＳｉＯ2 ：０．２５〜
３．５重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：０．１〜３重量％、ＳｎＯ
2 ：０〜０．７重量％およびＣａＯ：０〜４重量％が、
総計１〜１５重量％の範囲になるように添加されている
請求項２１の複合積層部品。 - 【請求項２３】 前記磁性体層には、Ｎｉ−Ｚｎフェラ
イトおよび／またはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトが含有
されている請求項２１または２２の複合積層部品。 - 【請求項２４】 前記Ｎｉ−Ｚｎフェライトは、Ｎｉ
Ｏ：１０〜２５モル％、ＺｎＯ：１５〜４０モル％含有
する請求項２３の複合積層部品。 - 【請求項２５】 前記Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、
ＮｉＯ：５〜２５モル％、ＣｕＯ：５〜１５、ＺｎＯ：
２０〜３０モル％含有する請求項２３の複合積層部品。 - 【請求項２６】 前記中間層として前記非磁性絶縁体層
を２層以上有する請求項２１〜２５のいずれかの複合積
層部品。 - 【請求項２７】 前記セラミック誘電体層が酸化チタン
系誘電体を含有する請求項２１〜２６のいずれかの複合
積層部品。 - 【請求項２８】 前記コンデンサチップ体と前記インダ
クタチップ体とを同時に焼成した請求項２１〜２７のい
ずれかの複合積層部品。 - 【請求項２９】 焼成時および／または焼成後に、大気
より酸素を過剰に含む雰囲気中で熱処理を行なった請求
項２１〜２８のいずれかの複合積層部品。 - 【請求項３０】 前記雰囲気中の酸素分圧比が３０〜１
００％である請求項２９の複合積層部品。 - 【請求項３１】 前記磁性層のうち最もコンデンサチッ
プ体側の表面および／または前記セラミック誘電体層の
うち最もインダクタチップ体側の表面に凹凸を形成した
後焼成した請求項２１〜３０のいずれかの複合積層部
品。
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