JPH08124746A - 積層インダクタ - Google Patents
積層インダクタInfo
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- JPH08124746A JPH08124746A JP6287432A JP28743294A JPH08124746A JP H08124746 A JPH08124746 A JP H08124746A JP 6287432 A JP6287432 A JP 6287432A JP 28743294 A JP28743294 A JP 28743294A JP H08124746 A JPH08124746 A JP H08124746A
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- Japan
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- magnetic
- paste
- laminated
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波側で生ずるインダクタンスの急激な低
下を抑え、広い周波数帯域で使用可能な積層インダクタ
を提供すること。 【構成】 磁性部１内で積層インダクタの磁路と交差す
る導電体３が巻線を形成し、導電体層間の一部に一層以
上の非磁性層２を設ける。
下を抑え、広い周波数帯域で使用可能な積層インダクタ
を提供すること。 【構成】 磁性部１内で積層インダクタの磁路と交差す
る導電体３が巻線を形成し、導電体層間の一部に一層以
上の非磁性層２を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品として用いら
れる特性に優れた積層インダクタに関する。
れる特性に優れた積層インダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、積層インダクタでは、導電体層
以外はすべて磁性部からなり、磁気回路としては閉磁路
を形成している。このようなインダクタでは、閉磁路を
形成しているため、実効透磁率が高く、従って導体の巻
回数が少なくても高いインダクタンスが得られる。又、
電子機器の小型化の要請により、体積が小さく信頼性の
高い積層インダクタとして多く利用されている。
以外はすべて磁性部からなり、磁気回路としては閉磁路
を形成している。このようなインダクタでは、閉磁路を
形成しているため、実効透磁率が高く、従って導体の巻
回数が少なくても高いインダクタンスが得られる。又、
電子機器の小型化の要請により、体積が小さく信頼性の
高い積層インダクタとして多く利用されている。
【０００３】近年、電子機器技術の進歩により、電子機
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がって
いる。現在その帯域は、数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚに及んで
いる。従って、このような広い周波数帯域の信号を扱う
電子機器に使用される積層インダクタに対しても、高周
波側に広い帯域でインダクタンスが得られることが要求
されてきている。
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がって
いる。現在その帯域は、数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚに及んで
いる。従って、このような広い周波数帯域の信号を扱う
電子機器に使用される積層インダクタに対しても、高周
波側に広い帯域でインダクタンスが得られることが要求
されてきている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
積層インダクタでは、磁気回路が閉磁路であるために、
使用する磁性材料の磁気特性に応じた周波数までは高い
インダクタンスが得られるが、その周波数を越えるとイ
ンダクタンスは急激に低下し、高周波域ではインダクタ
として全く機能しなくなる致命的な問題点があった。
積層インダクタでは、磁気回路が閉磁路であるために、
使用する磁性材料の磁気特性に応じた周波数までは高い
インダクタンスが得られるが、その周波数を越えるとイ
ンダクタンスは急激に低下し、高周波域ではインダクタ
として全く機能しなくなる致命的な問題点があった。
【０００５】本発明の目的は、積層インダクタの磁気回
路を開磁路とすることにより、高周波側で生じるインダ
クタンスの急激な低下を抑え、広い周波数帯域で使用可
能な積層インダクタを提供することである。
路を開磁路とすることにより、高周波側で生じるインダ
クタンスの急激な低下を抑え、広い周波数帯域で使用可
能な積層インダクタを提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】即ち、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃ
ｕ、Ｆｅを主成分とするスピネル型軟磁性フェライトの
磁性粉末、及び銀あるいは銅の導電性粉末をそれぞれバ
インダー、溶剤と配合し混練しペーストとし、これを印
刷法によって積層し、導電体の積層巻線を形成し、これ
を同時焼成した積層インダクタにおいて、導電体層間の
磁性部の内、少なくとも一層以上を非磁性粉末で形成す
る事を特徴とする積層インダクタが得られる。
ｕ、Ｆｅを主成分とするスピネル型軟磁性フェライトの
磁性粉末、及び銀あるいは銅の導電性粉末をそれぞれバ
インダー、溶剤と配合し混練しペーストとし、これを印
刷法によって積層し、導電体の積層巻線を形成し、これ
を同時焼成した積層インダクタにおいて、導電体層間の
磁性部の内、少なくとも一層以上を非磁性粉末で形成す
る事を特徴とする積層インダクタが得られる。
【０００７】又、本発明によれば、上記記載の積層イン
ダクタにおいて、非磁性粉末としてＺｎＦｅ2Ｏ4、Ｔｉ
Ｏ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5のうち、少
なくとも一種以上の粉末を用いることを特徴とする積層
インダクタが得られる。
ダクタにおいて、非磁性粉末としてＺｎＦｅ2Ｏ4、Ｔｉ
Ｏ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5のうち、少
なくとも一種以上の粉末を用いることを特徴とする積層
インダクタが得られる。
【０００８】
【作用】積層インダクタの磁路と交差する導電体層間の
一部に一層以上の非磁性部を設け、かつ非磁性粉末とし
てＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ
2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5のうち少なくとも一種類以上の粉末を用
いることにより、磁気回路を開磁路とすることができ
る。その結果、高周波域まで使用可能な積層インダクタ
が得られる。
一部に一層以上の非磁性部を設け、かつ非磁性粉末とし
てＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ
2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5のうち少なくとも一種類以上の粉末を用
いることにより、磁気回路を開磁路とすることができ
る。その結果、高周波域まで使用可能な積層インダクタ
が得られる。
【０００９】
【実施例】本発明の実施例を図面、表等を用いて説明す
る。
る。
【００１０】磁性部用の磁性粉末として、Ｎｉ−Ｚｎ−
Ｃｕフェライト粉末を用意した。粉末の平均粒径は約１
μｍである。この粉末をバインダ、溶剤と表１の比率で
配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性部用ペース
トを作製した。
Ｃｕフェライト粉末を用意した。粉末の平均粒径は約１
μｍである。この粉末をバインダ、溶剤と表１の比率で
配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性部用ペース
トを作製した。
【００１１】非磁性層用の粉末としてＺｎＦｅ2Ｏ4、Ｔ
ｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を用意し
た。粉末の平均粒径はいずれも約１μｍである。各々の
粉末について、磁性部用ペーストと同様、表１の比率で
バインダ、溶剤と配合し、各々の配合物を三本ロールで
混練して非磁性層用のペーストを作製した。
ｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を用意し
た。粉末の平均粒径はいずれも約１μｍである。各々の
粉末について、磁性部用ペーストと同様、表１の比率で
バインダ、溶剤と配合し、各々の配合物を三本ロールで
混練して非磁性層用のペーストを作製した。
【００１２】
【００１３】導電体層用粉末として、平均粒径約０．５
μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を表２の比率でバ
インダ、溶剤と配合し、配合物を三本ロールで混練して
導電体層用ペーストを作製した。
μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を表２の比率でバ
インダ、溶剤と配合し、配合物を三本ロールで混練して
導電体層用ペーストを作製した。
【００１４】
【００１５】本実施例では、表１及び表２の配合比でペ
ーストを作製したが、これ以外の成分、配合比でも、印
刷可能なペーストが得られるものであれば良い。又、配
合物の混練に三本ロールを用いたが、これ以外にもホモ
ジナイザーやサンドミル等を用いても良い。
ーストを作製したが、これ以外の成分、配合比でも、印
刷可能なペーストが得られるものであれば良い。又、配
合物の混練に三本ロールを用いたが、これ以外にもホモ
ジナイザーやサンドミル等を用いても良い。
【００１６】次に、作製した磁性部用ペーストを、印刷
法により所定の厚さの０．５ｍｍに積層した。その上
に、導電体層用ペーストと磁性部用ペースト及び非磁性
層用ペーストを用いて、５．５ターンの導電体の積層巻
線を形成するように、印刷積層を行った。このとき非磁
性層の総数は、０，１，２，４層で行った。又、一層の
積層厚は、磁性層及び非磁性層では約３０μｍ、導電体
層では約１５μｍで行った。その上に、磁性部用ペース
トを、印刷法により所定の厚さの０．５ｍｍに積層し
た。全体の積層厚さは約１．３ｍｍである。
法により所定の厚さの０．５ｍｍに積層した。その上
に、導電体層用ペーストと磁性部用ペースト及び非磁性
層用ペーストを用いて、５．５ターンの導電体の積層巻
線を形成するように、印刷積層を行った。このとき非磁
性層の総数は、０，１，２，４層で行った。又、一層の
積層厚は、磁性層及び非磁性層では約３０μｍ、導電体
層では約１５μｍで行った。その上に、磁性部用ペース
トを、印刷法により所定の厚さの０．５ｍｍに積層し
た。全体の積層厚さは約１．３ｍｍである。
【００１７】本実施例では、導電体の積層巻線の巻数を
５．５ターンとしたが、これ以外の巻数でもよく、４０
ターン程度を限度として、必要なインダクタンスが得ら
れるように巻数を調整すれば良い。
５．５ターンとしたが、これ以外の巻数でもよく、４０
ターン程度を限度として、必要なインダクタンスが得ら
れるように巻数を調整すれば良い。
【００１８】上記作製した積層体を所定の大きさの３ｍ
ｍ×１．５ｍｍに切断した。図１は、本発明の積層イン
ダクタを示す構成図であり、図１（ａ）は積層インダク
タの平面図であり、図１（ｂ）は断面図である。
ｍ×１．５ｍｍに切断した。図１は、本発明の積層イン
ダクタを示す構成図であり、図１（ａ）は積層インダク
タの平面図であり、図１（ｂ）は断面図である。
【００１９】この図１からわかるように、磁性部１内
で、導電体３は積層部分が巻線状になり、巻線を形成し
ている。又、非磁性層２が、磁路を分断するように形成
されている。又、外部電極４を焼成後形成する。
で、導電体３は積層部分が巻線状になり、巻線を形成し
ている。又、非磁性層２が、磁路を分断するように形成
されている。又、外部電極４を焼成後形成する。
【００２０】上記積層、切断した積層体を脱バインダ
後、９００℃で同時焼成を行った。
後、９００℃で同時焼成を行った。
【００２１】なお、本実施例では、９００℃で焼成を行
ったが、およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良
い。
ったが、およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良
い。
【００２２】又、一つの積層体素子の大きさを３ｍｍ×
１．５ｍｍとしたが、これ以上小さく、又これ以外の大
きさでもよく、その場合導電体の積層巻線の大きさを調
整すればよい。
１．５ｍｍとしたが、これ以上小さく、又これ以外の大
きさでもよく、その場合導電体の積層巻線の大きさを調
整すればよい。
【００２３】次に、上記焼成した積層体に、導電体の積
層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを主成分とし
た導電性ペーストを塗布し、約３００℃で焼き付けを行
い、外部電極を形成した。
層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを主成分とし
た導電性ペーストを塗布し、約３００℃で焼き付けを行
い、外部電極を形成した。
【００２４】本実施例では、外部電極としてＡｇを主成
分とした導電性ペーストを用いたが、これ以外にも、カ
ーボンやＣｕ、Ｎｉ等を主成分とした導電性ペーストで
も良い。
分とした導電性ペーストを用いたが、これ以外にも、カ
ーボンやＣｕ、Ｎｉ等を主成分とした導電性ペーストで
も良い。
【００２５】上記のように作製した積層インダクタの、
周波数とインダクタンスとの関係を、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて、評価し
た。
周波数とインダクタンスとの関係を、ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて、評価し
た。
【００２６】図２は、非磁性層用粉末としてＺｎＦｅ2
Ｏ4を用いて、実施例で作製した積層インダクタの、周
波数とインダクタンスの関係を示す図である。
Ｏ4を用いて、実施例で作製した積層インダクタの、周
波数とインダクタンスの関係を示す図である。
【００２７】この図２において、５は非磁性層がない場
合の曲線を示し、６は非磁性層数が１層の場合の曲線を
示し、７は非磁性層数が２層の場合の曲線を示し、８は
非磁性層数が４層の場合の曲線を示している。非磁性層
を設けることによって、５ＭＨｚ以下の低周波数のイン
ダクタンスは若干低下するものの、約２０ＭＨｚ以上の
高周波側では明らかに有効なインダクタンスが得られ
る。特に４０ＭＨｚ以上の周波数では、周波数が１ＭＨ
ｚの時のインダクタンスに対して、非磁性層が無い場合
にインダクタンスが１／１００以下に低下するのに対
し、非磁性層がある場合には、インダクタンスはおよそ
１／２未満の低下に留まっており、十分にインダクタと
して使用できるインダクタンスが得られる。
合の曲線を示し、６は非磁性層数が１層の場合の曲線を
示し、７は非磁性層数が２層の場合の曲線を示し、８は
非磁性層数が４層の場合の曲線を示している。非磁性層
を設けることによって、５ＭＨｚ以下の低周波数のイン
ダクタンスは若干低下するものの、約２０ＭＨｚ以上の
高周波側では明らかに有効なインダクタンスが得られ
る。特に４０ＭＨｚ以上の周波数では、周波数が１ＭＨ
ｚの時のインダクタンスに対して、非磁性層が無い場合
にインダクタンスが１／１００以下に低下するのに対
し、非磁性層がある場合には、インダクタンスはおよそ
１／２未満の低下に留まっており、十分にインダクタと
して使用できるインダクタンスが得られる。
【００２８】表３は、実施例において、非磁性層用粉末
としてＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2
Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を用いて作製した積層インダクタの、イ
ンダクタンスが１μＨとなる周波数を示したものであ
る。
としてＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2
Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5を用いて作製した積層インダクタの、イ
ンダクタンスが１μＨとなる周波数を示したものであ
る。
【００２９】
【００３０】この表３によれば、いずれの粉末を用いて
も、非磁性層を設けなかった場合に比べて、高周波域ま
で高いインダクタンスが得られ、高周波域まで使用でき
るインダクタが得られることがわかる。
も、非磁性層を設けなかった場合に比べて、高周波域ま
で高いインダクタンスが得られ、高周波域まで使用でき
るインダクタが得られることがわかる。
【００３１】又、本実施例では、非磁性層用粉末として
ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、
Ｎｂ2Ｏ5を用いたが、これら粉末の二種以上を任意の割
合で混合した粉末を用いても、同様の効果が得られる。
ＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、ＳｉＯ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、
Ｎｂ2Ｏ5を用いたが、これら粉末の二種以上を任意の割
合で混合した粉末を用いても、同様の効果が得られる。
【００３２】
【発明の効果】本発明は、以上説明したように、導電体
層間の磁性部の内、一層以上を非磁性粉末で形成するこ
とにより、高周波側で生ずるインダクタンスの急激な低
下を防止し、広い周波数帯域で使用可能な高周波域での
特性に優れた積層インダクタが得られる。
層間の磁性部の内、一層以上を非磁性粉末で形成するこ
とにより、高周波側で生ずるインダクタンスの急激な低
下を防止し、広い周波数帯域で使用可能な高周波域での
特性に優れた積層インダクタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例の積層インダクタの構成図を示
す。図１（ａ）は平面図。図１（ｂ）は断面図。
す。図１（ａ）は平面図。図１（ｂ）は断面図。
【図２】本発明の実施例の非磁性層数を変えた場合の、
積層インダクタの周波数とインダクタンスとの関係を示
す図。
積層インダクタの周波数とインダクタンスとの関係を示
す図。
１ 磁性部 ２ 非磁性層 ３ 導電体 ４ 外部電極 ５ 非磁性層がない場合 ６ 非磁性層数が１層の場合 ７ 非磁性層数が２層の場合 ８ 非磁性層数が４層の場合
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｆｅを主成分とする
スピネル型軟磁性フェライトの磁性粉末、及び銀あるい
は銅の導電性粉末をそれぞれバインダー、溶剤と配合し
混練しペーストとし、これを印刷法によって積層し、導
電体の積層巻線を形成し、これを同時焼成した積層イン
ダクタにおいて、導電体層間の磁性部の内、少なくとも
一層以上を非磁性粉末で形成する事を特徴とする積層イ
ンダクタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の積層インダクタにおい
て、非磁性粉末としてＺｎＦｅ2Ｏ4、ＴｉＯ2、Ｓｉ
Ｏ2、ＷＯ2、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ2Ｏ5のうち、少なくとも一
種以上の粉末を用いることを特徴とする積層インダク
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287432A JPH08124746A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 積層インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6287432A JPH08124746A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 積層インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08124746A true JPH08124746A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17717248
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6287432A Pending JPH08124746A (ja) | 1994-10-26 | 1994-10-26 | 積層インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08124746A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005093547A (ja) * | 2003-09-12 | 2005-04-07 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波コイル及びその製造方法 |
| KR100660130B1 (ko) * | 2004-03-31 | 2006-12-20 | 스미다 코포레이션 | 인덕턴스 소자 |
| EP1739695A1 (en) * | 2004-06-07 | 2007-01-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer coil |
| JP2009176836A (ja) * | 2008-01-22 | 2009-08-06 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JPWO2007145189A1 (ja) * | 2006-06-14 | 2009-10-29 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミック電子部品 |
| WO2009136661A1 (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | 太陽誘電株式会社 | 積層インダクタおよびその製造方法 |
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Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5755918U (ja) * | 1980-09-18 | 1982-04-01 | ||
| JPH0677022A (ja) * | 1992-03-31 | 1994-03-18 | Tdk Corp | 複合積層部品用非磁性フェライトおよび複合積層部品 |
-
1994
- 1994-10-26 JP JP6287432A patent/JPH08124746A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20031224 |