JPH08236354A - 積層インダクタ - Google Patents
積層インダクタInfo
- Publication number
- JPH08236354A JPH08236354A JP6675795A JP6675795A JPH08236354A JP H08236354 A JPH08236354 A JP H08236354A JP 6675795 A JP6675795 A JP 6675795A JP 6675795 A JP6675795 A JP 6675795A JP H08236354 A JPH08236354 A JP H08236354A
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- JP
- Japan
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- laminated
- magnetic
- inductor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波においてもＬが低下せずＱが高い積層
インダクタを供する。 【構成】 積層面と平行な積層体の上・下面に外部電極
５を形成する。
インダクタを供する。 【構成】 積層面と平行な積層体の上・下面に外部電極
５を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、高周波特性に優れた積
層インダクタに関する。
層インダクタに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器の小型化により、体積が小さく
信頼性の高い積層インダクタが多く利用されている。こ
の積層インダクタでは、一般に、導体層を積層すること
により形成した積層巻線以外はすべて磁性層を積層して
形成した磁性体部からなり、磁気回路としては閉磁路を
形成している。そのため、このようなインダクタでは、
実効透磁率が高く、従って導体の巻回数が少なくとも高
いインダクタンス（Ｌ）が得られる。
信頼性の高い積層インダクタが多く利用されている。こ
の積層インダクタでは、一般に、導体層を積層すること
により形成した積層巻線以外はすべて磁性層を積層して
形成した磁性体部からなり、磁気回路としては閉磁路を
形成している。そのため、このようなインダクタでは、
実効透磁率が高く、従って導体の巻回数が少なくとも高
いインダクタンス（Ｌ）が得られる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】近年、電子機器技術の
進歩により、電子機器内で扱われる信号の周波数帯域が
高周波側に広がり、現在その帯域は、数百ｋＨｚ〜数Ｇ
Ｈｚに及んでいる。従って、このような広い周波数帯域
の信号を扱う電子機器に使用される積層インダクタに対
しても、高周波側に広い帯域でＬが得られることが要求
されてきている。
進歩により、電子機器内で扱われる信号の周波数帯域が
高周波側に広がり、現在その帯域は、数百ｋＨｚ〜数Ｇ
Ｈｚに及んでいる。従って、このような広い周波数帯域
の信号を扱う電子機器に使用される積層インダクタに対
しても、高周波側に広い帯域でＬが得られることが要求
されてきている。
【０００４】しかしながら、従来の積層インダクタで
は、磁気回路が閉磁路となっているために、インダクタ
の自己共振周波数までは高いＬが得られるが、その周波
数を越えるとＬは急激に低下し、高周波域ではインダク
タとして全く機能しなくなる、という問題点があった。
は、磁気回路が閉磁路となっているために、インダクタ
の自己共振周波数までは高いＬが得られるが、その周波
数を越えるとＬは急激に低下し、高周波域ではインダク
タとして全く機能しなくなる、という問題点があった。
【０００５】こうした問題点を解決する方法として、積
層インダクタの積層巻線の始端と終端の間に存在する磁
性体部の内、この磁性体部を構成する磁性層の一層以上
を非磁性層で形成し、開磁路構成とすることにより、イ
ンダクタの自己共振周波数を高周波側に移動させ、高周
波帯域で使用可能な積層インダクタを得る方法が提案さ
れている。
層インダクタの積層巻線の始端と終端の間に存在する磁
性体部の内、この磁性体部を構成する磁性層の一層以上
を非磁性層で形成し、開磁路構成とすることにより、イ
ンダクタの自己共振周波数を高周波側に移動させ、高周
波帯域で使用可能な積層インダクタを得る方法が提案さ
れている。
【０００６】しかし、この方法では、磁性層間に挟まれ
た非磁性層に生じる磁路のギャップにより発生する漏洩
磁束により、外部電極に渦電流損失が生じ、インダクタ
の利得（Ｑ）が低下するという問題点が存在する。
た非磁性層に生じる磁路のギャップにより発生する漏洩
磁束により、外部電極に渦電流損失が生じ、インダクタ
の利得（Ｑ）が低下するという問題点が存在する。
【０００７】本発明の技術的課題は、積層インダクタの
導電体による積層巻線の始端と終端間の磁性体部に非磁
性層を挟むことによってインダクタの自己共振周波数を
上げることができたが、一方で、磁路のギャップより発
生する漏洩磁束によりインダクタの利得（Ｑ）が低下す
るという問題を解決して、高周波特性に優れた積層イン
ダクタを供することである。
導電体による積層巻線の始端と終端間の磁性体部に非磁
性層を挟むことによってインダクタの自己共振周波数を
上げることができたが、一方で、磁路のギャップより発
生する漏洩磁束によりインダクタの利得（Ｑ）が低下す
るという問題を解決して、高周波特性に優れた積層イン
ダクタを供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によると、磁気回
路を開磁路とした積層インダクタにおいて、外部電極で
発生する渦電流損失を抑制するために、積層面と平行な
積層体の両端面に外部電極を形成することにより、広い
周波数帯域でＬが大きく、しかも、Ｑの高い積層インダ
クタが得られる。
路を開磁路とした積層インダクタにおいて、外部電極で
発生する渦電流損失を抑制するために、積層面と平行な
積層体の両端面に外部電極を形成することにより、広い
周波数帯域でＬが大きく、しかも、Ｑの高い積層インダ
クタが得られる。
【０００９】
【作用】導電体によって形成された積層巻線の始端と終
端の間にある磁性体部の一部を非磁性層におきかえて、
磁気回路を開磁路とした積層インダクタの外部電極を、
磁性体部を構成する磁性層と平行な積層体の両端面に形
成する。このようにすると、外部電極を磁性層に挟まれ
た非磁性層から生ずる磁路上のギヤップから遠ざけるこ
とができ、漏洩磁束による渦電流損失の発生を抑制する
ことができる。その結果、高周波帯域で、Ｑの高い積層
インダクタを得ることができる。
端の間にある磁性体部の一部を非磁性層におきかえて、
磁気回路を開磁路とした積層インダクタの外部電極を、
磁性体部を構成する磁性層と平行な積層体の両端面に形
成する。このようにすると、外部電極を磁性層に挟まれ
た非磁性層から生ずる磁路上のギヤップから遠ざけるこ
とができ、漏洩磁束による渦電流損失の発生を抑制する
ことができる。その結果、高周波帯域で、Ｑの高い積層
インダクタを得ることができる。
【００１０】
【実施例】磁性層用の磁性粉末として、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃ
ｕフェライト粉末を用意した。粉末の平均粒径は約１μ
ｍである。この粉末をバインダ、溶剤と表１に示すよう
な比率で配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性層
用の磁性粉末ペーストを作製した。
ｕフェライト粉末を用意した。粉末の平均粒径は約１μ
ｍである。この粉末をバインダ、溶剤と表１に示すよう
な比率で配合し、配合物を三本ロールで混練して磁性層
用の磁性粉末ペーストを作製した。
【００１１】
【００１２】非磁性層用の非磁性粉末としてＳｉＯ2を
用意した。粉末の平均粒径は約１μｍである。この粉末
について、磁性層用ペーストと同様、表１の比率でバイ
ンダ、溶剤と配合し、各々の配合物を三本ロールで混練
して非磁性層用の非磁性粉末ペーストを作製した。
用意した。粉末の平均粒径は約１μｍである。この粉末
について、磁性層用ペーストと同様、表１の比率でバイ
ンダ、溶剤と配合し、各々の配合物を三本ロールで混練
して非磁性層用の非磁性粉末ペーストを作製した。
【００１３】導電体用の低抵抗金属粉末として、平均粒
径０.５μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を表２の
比率でバインダ、溶剤と配合し、配合物を三本ロールで
混練して積層巻線用の導電体粉末ペーストを作製した。
径０.５μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を表２の
比率でバインダ、溶剤と配合し、配合物を三本ロールで
混練して積層巻線用の導電体粉末ペーストを作製した。
【００１４】
【００１５】なお、実施例では、表１及び表２の配合比
でペーストを作製したが、これ以外の成分、配合比で
も、印刷可能なペーストが得られるものであれば良い。
また、実施例では配合物の混練に三本ロールを用いた
が、これ以外にも例えばホモジナイザーやサンドミル等
を用いても良い。
でペーストを作製したが、これ以外の成分、配合比で
も、印刷可能なペーストが得られるものであれば良い。
また、実施例では配合物の混練に三本ロールを用いた
が、これ以外にも例えばホモジナイザーやサンドミル等
を用いても良い。
【００１６】次に、作製した磁性粉末ペーストを、印刷
法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。その上
に、導電性粉末ペーストと、磁性粉末ペースト及び非磁
性粉末ペーストを用いて、５.５ターンの導電体の積層
巻線を形成するように、印刷積層を行った。このとき、
非磁性層は、導電体により形成された積層巻線の２.５
〜３.５ターン間に計２層形成した。また、一層の積層
厚は、磁性層及び非磁性層では約３０μｍ、導電体では
約１５μｍで行った。その上に、磁性粉末ペーストを、
印刷法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。全
体の積層厚さは約１.３ｍｍである。
法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。その上
に、導電性粉末ペーストと、磁性粉末ペースト及び非磁
性粉末ペーストを用いて、５.５ターンの導電体の積層
巻線を形成するように、印刷積層を行った。このとき、
非磁性層は、導電体により形成された積層巻線の２.５
〜３.５ターン間に計２層形成した。また、一層の積層
厚は、磁性層及び非磁性層では約３０μｍ、導電体では
約１５μｍで行った。その上に、磁性粉末ペーストを、
印刷法により所定の厚さ（０.５ｍｍ）に積層した。全
体の積層厚さは約１.３ｍｍである。
【００１７】ここで、上述の方法で作製した積層体にお
ける、導電体からなる積層巻線のリード引出しは、巻線
の両端部を積層方向（積層面と垂直方向）に引出し、外
部電極を積層面と平行な端面に形成できるようにした。
比較例として、従来と同様に、巻線の両端部を積層面と
平行方向に引出し、外部電極が、積層面と垂直な端面に
形成されるようにした積層体も作製した。
ける、導電体からなる積層巻線のリード引出しは、巻線
の両端部を積層方向（積層面と垂直方向）に引出し、外
部電極を積層面と平行な端面に形成できるようにした。
比較例として、従来と同様に、巻線の両端部を積層面と
平行方向に引出し、外部電極が、積層面と垂直な端面に
形成されるようにした積層体も作製した。
【００１８】なお、実施例では、導電体の積層巻線の巻
数を５.５ターンとしたが、これ以外の巻数でもよく４
０ターン程度を限度として、必要なＬが得られるように
巻数を調整すれば良い。また、非磁性層を、導電体によ
り形成された積層巻線の２.５〜３.５ターン間に計２層
としたが、これ以外の積層条件でも、必要なＬと、必要
な周波数帯域にあわせて、積層条件を調整すればよい。
数を５.５ターンとしたが、これ以外の巻数でもよく４
０ターン程度を限度として、必要なＬが得られるように
巻数を調整すれば良い。また、非磁性層を、導電体によ
り形成された積層巻線の２.５〜３.５ターン間に計２層
としたが、これ以外の積層条件でも、必要なＬと、必要
な周波数帯域にあわせて、積層条件を調整すればよい。
【００１９】上述のようにして作製した生の積層体を所
定の大きさに（３ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断して生の積
層体素子とした。この積層体素子を脱バインダ後、９０
０℃で同時焼成を行った。
定の大きさに（３ｍｍ×１.５ｍｍ）に切断して生の積
層体素子とした。この積層体素子を脱バインダ後、９０
０℃で同時焼成を行った。
【００２０】実施例では、９００℃で焼成を行ったが、
およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良い。また、
実施例では、一つの積層体素子の大きさを３ｍｍ×１.
５ｍｍとしたが、それ以外の大きさでもよく、その場
合、導電体の積層巻線の数を調整すればよい。
およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良い。また、
実施例では、一つの積層体素子の大きさを３ｍｍ×１.
５ｍｍとしたが、それ以外の大きさでもよく、その場
合、導電体の積層巻線の数を調整すればよい。
【００２１】上述の焼成した積層体素子に、導電体の積
層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを主成分とし
た導電体用ペーストを塗布し、約３００℃で焼き付けを
行い、外部電極を形成した。この時、外部電極は、従来
例の巻線の両端部を積層面と平行方向に引出した積層体
素子の焼結体においては、積層面と垂直な端面に形成さ
れ、一方、本発明の巻線の両端部を積層面と垂直方向に
引出した積層体素子の焼結体においては、積層面と平行
な端面に形成した。
層巻線のリードが露出している面に、Ａｇを主成分とし
た導電体用ペーストを塗布し、約３００℃で焼き付けを
行い、外部電極を形成した。この時、外部電極は、従来
例の巻線の両端部を積層面と平行方向に引出した積層体
素子の焼結体においては、積層面と垂直な端面に形成さ
れ、一方、本発明の巻線の両端部を積層面と垂直方向に
引出した積層体素子の焼結体においては、積層面と平行
な端面に形成した。
【００２２】図１に、積層体の構成を示す。図１は本発
明品、図２は従来例である。図１（ａ）、図２（ａ）は
積層面から見た図、図１（ｂ）、図２（ｂ）は断面図で
ある。この図からわかるように、磁性層が積層されて形
成された磁性体部１内で導電体が積層巻線２を形成して
いる。そして、非磁性層３が、磁路を分断するように形
成されている。また、図１においては、導電体の積層巻
線の両端部４が積層面と平行方向に引出されているのに
対し、図２においては、導電体の積層巻線の両端部１４
が積層面と垂直方向に引出されている。５、１５は外部
電極である。
明品、図２は従来例である。図１（ａ）、図２（ａ）は
積層面から見た図、図１（ｂ）、図２（ｂ）は断面図で
ある。この図からわかるように、磁性層が積層されて形
成された磁性体部１内で導電体が積層巻線２を形成して
いる。そして、非磁性層３が、磁路を分断するように形
成されている。また、図１においては、導電体の積層巻
線の両端部４が積層面と平行方向に引出されているのに
対し、図２においては、導電体の積層巻線の両端部１４
が積層面と垂直方向に引出されている。５、１５は外部
電極である。
【００２３】なお、実施例では、外部電極としてＡｇを
主成分とした導電性ペーストを用いたが、これ以外に
も、カーボンやＣｕ、Ｎｉ等を主成分とした導電性ペー
ストでも良い。
主成分とした導電性ペーストを用いたが、これ以外に
も、カーボンやＣｕ、Ｎｉ等を主成分とした導電性ペー
ストでも良い。
【００２４】上述のように作製した積層インダクタの、
周波数とＬ、周波数とＱの関係を、ＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。図
３は、実施例で作製した積層インダクタの、周波数とＬ
の関係を示す図である。この図によると、外部電極の位
置によって、Ｌの値と周波数特性に著しい差は見られな
い。
周波数とＬ、周波数とＱの関係を、ＹＨＰ製インピーダ
ンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて評価した。図
３は、実施例で作製した積層インダクタの、周波数とＬ
の関係を示す図である。この図によると、外部電極の位
置によって、Ｌの値と周波数特性に著しい差は見られな
い。
【００２５】図４は、実施例で作製した積層インダクタ
の、周波数とＱの関係を示す図である。この図によれ
ば、外部電極を積層面と平行な両端面に設けることによ
り、従来の積層面と垂直な両端面に外部電極を設けたイ
ンダクタよりも、高いＱが得られることがわかる。
の、周波数とＱの関係を示す図である。この図によれ
ば、外部電極を積層面と平行な両端面に設けることによ
り、従来の積層面と垂直な両端面に外部電極を設けたイ
ンダクタよりも、高いＱが得られることがわかる。
【００２６】なお、実施例では、非磁性粉末としてＳｉ
Ｏ2を用いたが、それ以外にも、ＷＯ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等の非磁性粉末を単体、或いは、これら
粉末の二種以上を任意の割合で混合した粉末を用いて
も、同様の効果が得られる。また、非磁性粉末として
は、０.５％以下の不純物は含まれていても、同様の効
果が得られる。
Ｏ2を用いたが、それ以外にも、ＷＯ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｎｂ
2Ｏ5、ＴｉＯ2等の非磁性粉末を単体、或いは、これら
粉末の二種以上を任意の割合で混合した粉末を用いて
も、同様の効果が得られる。また、非磁性粉末として
は、０.５％以下の不純物は含まれていても、同様の効
果が得られる。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、導電体による積層
巻線部間の磁性層の内、一層以上を非磁性層として形成
した積層インダクタにおいて、外部電極を磁性層の積層
面と平行に両端面に形成することにより、Ｑの高い積層
インダクタを得ることが可能となった。
巻線部間の磁性層の内、一層以上を非磁性層として形成
した積層インダクタにおいて、外部電極を磁性層の積層
面と平行に両端面に形成することにより、Ｑの高い積層
インダクタを得ることが可能となった。
【図１】本発明の積層インダクタの構成を示す断面図
で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。
で、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は側面図である。
【図２】従来例の積層インダクタの構成を示す断面図
で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図である。
で、図２（ａ）は平面図、図２（ｂ）は側面図である。
【図３】実施例の外部電極位置を変えた場合の、積層イ
ンダクタの周波数とＬの関係を示す特性図である。
ンダクタの周波数とＬの関係を示す特性図である。
【図４】実施例の外部電極位置を変えた場合の、積層イ
ンダクタの周波数とＱの関係を示す特性図である。
ンダクタの周波数とＱの関係を示す特性図である。
１ （磁性層よりなる）磁性体部 ２ 積層巻線 ３ 非磁性層 ４，１４ 積層巻線の引出し部 ５，１５ 外部電極
Claims (1)
- 【請求項１】 軟磁性フェライト粉末を含有する磁性粉
末ペーストと、非磁性金属酸化物粉末を含有する非磁性
粉末ペーストと、低抵抗金属粉末を含有する導電性粉末
ペーストとを用いて印刷法によって生の積層体を形成
し、これを同時焼成して磁性層、非磁性層および導電体
の積層巻線からなる積層体に外部電極を付してなる積層
インダクタにおいて、前記外部電極を、積層体の積層面
と平行な両端面に形成したことを特徴とする積層インダ
クタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6675795A JPH08236354A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 積層インダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6675795A JPH08236354A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 積層インダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08236354A true JPH08236354A (ja) | 1996-09-13 |
Family
ID=13325083
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6675795A Pending JPH08236354A (ja) | 1995-02-28 | 1995-02-28 | 積層インダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08236354A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189200B1 (en) | 1996-09-17 | 2001-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing multi-layered chip inductor |
| JP2005167029A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層型インダクタ |
| JP2008078234A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tdk Corp | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
| CN104979080A (zh) * | 2014-04-02 | 2015-10-14 | 三星电机株式会社 | 多层电子元件及其制造方法 |
| CN111755208A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 株式会社村田制作所 | 电感器及其制造方法 |
-
1995
- 1995-02-28 JP JP6675795A patent/JPH08236354A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6189200B1 (en) | 1996-09-17 | 2001-02-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing multi-layered chip inductor |
| US6630881B1 (en) | 1996-09-17 | 2003-10-07 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for producing multi-layered chip inductor |
| JP2005167029A (ja) * | 2003-12-03 | 2005-06-23 | Tdk Corp | 積層型インダクタ |
| JP2008078234A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Tdk Corp | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
| JP4661746B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2011-03-30 | Ｔｄｋ株式会社 | 積層型インダクタ及びその製造方法 |
| CN104979080A (zh) * | 2014-04-02 | 2015-10-14 | 三星电机株式会社 | 多层电子元件及其制造方法 |
| JP2015198240A (ja) * | 2014-04-02 | 2015-11-09 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層型電子部品及びその製造方法 |
| CN111755208A (zh) * | 2019-03-28 | 2020-10-09 | 株式会社村田制作所 | 电感器及其制造方法 |
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