JP3364174B2 - チップフェライト部品およびその製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、チップフェライト
部品（たとえば積層型チップインダクタおよび積層型ビ
ーズ等）に関するものであり、大電流下で安定した電磁
気特性を有するチップフェライト部品およびその製造方
法に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層型ビーズや積層型インダクタ等のチ
ップフェライト部品は、体積が小さいこと、堅牢性およ
び信頼性が高いことなどから、各種電子機器に用いられ
ている。この様なチップフェライト部品は、通常、磁性
フェライトからなる磁性層用のシートまたはペースト
と、内部電極用のペーストとを厚膜積層技術によって積
層一体化した後、焼成し、得られた焼結体外表面に外部
電極用ペーストを印刷ないし転写した後に焼き付けて製
造される。

【０００３】これらチップフェライト部品が用いられる
電子機器のトレンドは軽薄小型化である。このトレンド
に伴い、内部基板上の信号回路パターンーニングは高密
度に設計され、また、近年、回路の中枢のＩＣの低電圧
化に伴う電流値の増加、そして、電源回路部分も高密度
設計へと移行し、電源回路部分に搭載される電子部品は
小型化および大電流化が求められている。

【０００４】一般に、積層型インダクタでは、内部導体
からなる積層巻線の周囲が全て磁性層からなり、磁気回
路としては閉磁路を形成している。閉磁路構造のインダ
クタでは、漏洩磁束がないため、実効透磁率が高く、導
体の巻数が少ないながら、高いＬ値が得られ、また、ク
ロストークが抑制され高密度実装に適しているという利
点がある。その一方で、開磁路構造のインダクタに比
べ、直流重畳時のＬ値の低下が大きいという欠点があ
る。

【０００５】また、最近の電子機器の高周波化およびデ
ジタル化に伴い、積層型ビーズにおいてノイズ対策が求
められている。積層型ビーズでは電流の増加に伴い、イ
ンピーダンスの低下が起きる欠点がある。

【０００６】従来、この種の直流重畳特性を改善したも
のとしては、実開昭５７−５５９１８号公報、特開平１
１−９７２５６号公報および特開平１１−６７５４２号
公報に示すものが提案されている。ところが、これら公
報に示すインダクタ装置では、直流重畳特性を改善する
ために、二重のコイル構造としているために、通常の一
重コイル構造のインダクタと比べ、コイルの巻数が極端
に多くなり、電子部品の小型化の要請に反する。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、積層
型ビーズや積層型インダクタ等のチップフェライト部品
は、直流重畳時、重畳した直流電流の大きさに応じてＬ
値およびインピーダンスが低下する問題がある。

【０００８】本発明の目的は、小型化の要請に即し、し
かも大電流下で安定したＬ値やインピーダンスを有する
チップフェライト部品およびその製造方法を提供するこ
とである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第１の観点に係るチップフェライト部品
は、磁性フェライト材で構成される磁性フェライト本体
と、前記磁性フェライト本体の内部に、コイルを構成す
るように埋設してある内部導体であって、前記コイルの
途中に対応する内部導体の少なくとも一部が、前記磁性
フェライト本体の外部に露出するように配置してある内
部導体と、を有する。

【００１０】この場合において、前記内部導体の少なく
とも一部が前記磁性フェライト本体の外部に露出する部
分が、非磁性材料で被覆してあることが好ましい。

【００１１】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品は、磁性フェライト材で構成される磁性フェライ
ト本体と、前記磁性フェライト本体の内部に、コイルを
構成するように埋設してある内部導体であって、前記コ
イルの途中に対応する内部導体の少なくとも一部が、前
記磁性フェライト本体の外部近くに配置してある内部導
体と、を有する。

【００１２】この場合において、前記内部導体の少なく
とも一部が前記磁性フェライト本体の外部近くに配置し
てある部分が、さらに非磁性材料で被覆してあることが
好ましい。

【００１３】本発明において、前記磁性フェライト本体
が、Ｆｅ_２ Ｏ_３ ，ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯを主
成分とする磁性フェライト材料で構成してあることが好
ましい。焼成後の磁性フェライト本体の組成は、Ｆｅ
_２ Ｏ_３ ：４０〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：４〜５０ｍ
ｏｌ％、ＣｕＯ：４〜３０ｍｏｌ％およびＺｎＯ：０．
５〜３５ｍｏｌ％の範囲であることが好ましい。

【００１４】また、通常、本発明によって得られる前記
磁性フェライト本体の外表面には、前記コイルを構成す
る内部導体の両端部に接続される一対の外部電極端子が
装着される。

【００１５】本発明では、前記内部導体で構成されるコ
イルの軸芯の略直角方向に沿って相互に反対側に位置す
る前記磁性フェライト本体の両端部に、前記一対の外部
電極端子を装着しても良い。この場合には、直方体形状
の磁性フェライト本体の対向する二側面の少なくとも一
方に、内部導体の一部が露出または近接する部分を形成
することができる。

【００１６】または、前記内部導体で構成されるコイル
の軸芯方向に沿って相互に反対側に位置する前記磁性フ
ェライト本体の両端部に、前記一対の外部電極端子を装
着しても良い。この場合には、直方体形状の磁性フェラ
イト本体の対向する４側面の少なくとも一つに、内部導
体の一部が露出または近接する部分を形成することがで
きる。

【００１７】本発明の第１の観点に係るチップフェライ
ト部品の第１の製造方法は、磁性フェライト層と内部導
体層とを積層し、積層体を得る工程と、前記積層体の側
面の少なくとも一部を切断し、積層体の側面から内部導
体層の一部を露出させる工程と、その後、積層体を焼成
する工程と、を有する。積層体の切断に際しては、カッ
ター、スライサーまたはダイシングソー等の切断機を用
いて行うことができる。

【００１８】本発明の第１の観点に係るチップフェライ
ト部品の第２の製造方法は、磁性フェライト層と内部導
体層とを積層し、積層体を得る工程と、前記積層体を焼
成し、焼結体を得る工程と、前記焼結体の側面の少なく
とも一部を加工し、積層体の側面から内部導体層の一部
を露出させる工程と、を有する。焼結体の加工に際して
は、サンドブラストや平面研磨機器等を用いて行うこと
ができる。

【００１９】本発明の第１の観点に係るチップフェライ
ト部品の第３の製造方法は、内部導体層のパターンの縁
の少なくとも一部が前記磁性フェライト層のパターンの
縁に位置するように、磁性フェライト層の上に、内部導
体層を積層し、積層体を得る工程と、その後、積層体を
焼成する工程と、を有する。

【００２０】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品の第１の製造方法は、磁性フェライト層と内部導
体層とを積層し、積層体を得る工程と、前記積層体の側
面の少なくとも一部を切断し、積層体の側面近くに、内
部導体層の一部を位置させる工程と、その後、積層体を
焼成する工程と、を有する。

【００２１】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品の第２の製造方法は、磁性フェライト層と内部導
体層とを積層し、積層体を得る工程と、前記積層体を焼
成し、焼結体を得る工程と、前記焼結体の側面の少なく
とも一部を加工し、積層体の側面近くに内部導体層の一
部を位置させる工程と、を有する。

【００２２】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品の第３の製造方法は、内部導体層のパターンの縁
の少なくとも一部が前記磁性フェライト層のパターンの
縁の近くに位置するように、磁性フェライト層の上に、
内部導体層を積層し、積層体を得る工程と、その後、積
層体を焼成する工程と、を有する。

【００２３】なお、本発明において、チップフェライト
部品とは、特に限定されず、積層型チップインダクタお
よび積層型ビーズ等などのように、磁性フェライト本体
の内部にコイルを構成する内部導体が埋設してある全て
のチップフェライト部品を意味する。

【００２４】

【作用】本発明の第１の観点に係るチップフェライト部
品では、コイルの途中に対応する内部導体の少なくとも
一部が、磁性フェライト本体の外部に露出するように配
置してあるので、少なくともその部分では、開磁路構造
となり、漏洩磁束が生じ、飽和磁化しずらくなる。その
結果、大電流下で安定したＬ値やインピーダンスを有す
るチップフェライト部品を得ることが可能になる。ま
た、このチップフェライト部品では、コイルの巻き数を
増大させる必要がないため、装置の小型化にも寄与す
る。

【００２５】本発明の第１の観点に係るチップフェライ
ト部品の第１〜第３の製造方法では、このチップフェラ
イト部品を、きわめて容易に製造することができる。

【００２６】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品では、コイルの途中に対応する内部導体の少なく
とも一部が、磁性フェライト本体の外部に近くなる位置
に配置してあるので、少なくともその部分では、開磁路
構造に近くなり、漏洩磁束が生じ、飽和磁化しずらくな
る。その結果、大電流下で安定したＬ値やインピーダン
スを有するチップフェライト部品を得ることが可能にな
る。また、このチップフェライト部品では、コイルの巻
き数を増大させる必要がないため、装置の小型化にも寄
与する。

【００２７】本発明の第２の観点に係るチップフェライ
ト部品の第１〜第３の製造方法では、このチップフェラ
イト部品を、きわめて容易に製造することができる。

【００２８】

【発明の実施の形態】以下、本発明を、図面に示す実施
形態に基づき説明する。ここにおいて、図１は本発明の
一実施形態に係るチップフェライト部品の要部斜視図、
図２は図１に示すII−II線に沿う断面図、図３（Ａ）〜
（Ｆ）は内部導体パターンの形成方法の一例を示す説明
図、図４〜図６はそれぞれ本発明の他の実施形態に係る
チップフェライト部品の斜視図、図７は本発明の実施例
および比較例に係るチップフェライト部品における初期
Ｌ値と初期Ｌ値が３０％低下した時の重畳した直流電流
量の関係を示すグラフである。

【００２９】第１実施形態 （チップインダクタの構造）図１および図２に示すよう
に、チップフェライト部品としての積層型チップインダ
クタ１は、磁性フェライト材で構成される直方体形状の
磁性フェライト本体４を有し、この本体４の内部に、上
部引出導体層５、内部導体層３および下部引出導体層７
とが、磁性フェライト層２を介して交互に積層して一体
化してある。これら上部引出導体層５、内部導体層３お
よび下部引出導体層７は、磁性フェライト本体４の内部
で、スパイラル状に接続してあり、コイル状の内部導体
１０を構成している。

【００３０】上部引出導体層５の一端９は、図１に示す
ように、直方体形状の磁性フェライト本体４の長手方向
Ｘの一側面から露出しており、図２に示すように、本体
４の外表面に装着してある第１外部電極端子１２に接続
してある。また、下部引出導体層７の一端１１は、図１
に示すように、直方体形状の磁性フェライト本体４の長
手方向Ｘの他の一側面から露出しており、図２に示す第
２外部電極端子１４に接続してある。

【００３１】第１外部電極端子１２および第２外部電極
端子１４は、図１に示すコイル状内部導体１０の軸芯Ｚ
方向に対して略垂直な長手方向Ｘに沿って反対側に位置
する本体４の両端部外表面に装着してある。なお、図１
では、図示の容易化のために、これら端子１２および１
４の図示は省略してある。

【００３２】図１および図２に示すように、本実施形態
では、本体４の短手方向Ｙの二側面が全体に渡り切り欠
かれており、内部導体層３および引出導体層５および７
の両側端が、本体４の二側面から露出している。すなわ
ち、コイルの途中に対応する内部導体１０の少なくとも
一部が、磁性フェライト本体４の側面から露出してい
る。また、その内部導体１０の露出部分を保護するため
に、本体４の二側面を、非磁性材料層８で被覆すること
が好ましい。

【００３３】磁性フェライト本体４を構成する磁性フェ
ライトとしては、特に限定されないが、たとえばＮｉＣ
ｕＺｎ系磁性フェライトが用いられる。ＮｉＣｕＺｎ系
磁性フェライトとしては特に制限はなく、目的に応じて
種々の組成のものを選択すればよいが、焼成後のフェラ
イト焼結体中のｍｏｌ％で、Ｆｅ_２ Ｏ_３ ：４０〜５
０ｍｏｌ％、特に４５〜４９．７ｍｏｌ％、ＮｉＯ：４
〜５０ｍｏｌ％、特に５〜４５ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜
３０ｍｏｌ％、特に５〜１３．５ｍｏｌ％、およびＺｎ
Ｏ：０．５〜３５ｍｏｌ％、特に２〜３１ｍｏｌ％であ
るフェライト組成物を用いることが好ましい。

【００３４】磁性フェライトの磁気特性は、組成依存性
が非常に強く、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよび
ＺｎＯの組成が上記の範囲を外れた領域では、透磁率や
品質係数Ｑが低く不十分なものとなる傾向にある。具体
的には、例えば、Ｆｅ_２ Ｏ _３ 量が少な過ぎると透磁
率が小さく、化学量論組成に近づくにしたがい透磁率は
上昇し、化学量論組成付近から透磁率は急激に低下す
る。また、ＮｉＯ量の減少、あるいは、ＺｎＯ量の増加
に伴って透磁率は高くなる。しかし、ＺｎＯ量が多過ぎ
ると、キュリー温度が１００℃以下となり、チップイン
ダクタ装置として要求される温度特性を満足できなくな
る。また、ＣｕＯ量が少な過ぎると、低温焼成（９３０
℃以下）が困難となり、逆に多過ぎるとフェライトの固
有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する。このため、高
い透磁率を得るには、組成を上記の範囲内で管理するこ
とが好ましい。

【００３５】積層型チップインダクタ１を構成する内部
導体層３および引出導体層５および７は、特に限定され
ないが、インダクタとして実用的な品質係数Ｑを得るた
めに抵抗率の小さいＡｇを主体とした導電材を用いて形
成されることが好ましい。

【００３６】外部電極端子１２および１４は、単層でも
複層でも良く、たとえばＡｇおよびガラスフリットから
成る導体などで構成してある。

【００３７】非磁性材料層８としては、特に限定されな
いが、ガラスなどが用いられる。なお、外部に露出した
内部導体を保護する非磁性体層としてのガラスは、約６
００℃で焼き付けられるため、軟化点が６００℃付近の
ものが望ましい。また、焼成温度が９００℃と低いこと
から、非磁性体層としては、Ｃｕ−Ｚｎフェライトなど
でも良い。また、その他、焼成温度を低下させるため
に、ガラスを含有させた酸化チタン系誘電体を、非磁性
体層として用いてもよい。

【００３８】積層型チップインダクタ１の本体４の外形
や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定する
ことができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、寸法は
（１．０〜４．５ｍｍ×０．５〜３．２ｍｍ×０．６〜
１．９ｍｍ）程度とすることができる。また、磁性フェ
ライト層２の導体間厚みおよびベース厚みには特に制限
はなく、導体間厚み（内部導体層３、３の間隔）は１０
〜１００μｍ、ベース厚みは２５０〜５００μｍ程度で
設定することができる。さらに、導体層３、５および７
の厚みは、通常、５〜３０μｍの範囲で設定でき、巻線
パターンのピッチは１０〜１００μｍ程度、巻数は１．
５〜２０．５ターン程度とすることができる。

【００３９】（チップインダクタの製造方法）次に、図
１および図２に示すチップインダクタの製造方法につい
て説明する。磁性フェライト本体４の磁性フェライト層
２を構成する磁性粉末としては、たとえば粒径０．１〜
１０．０μｍ程度のＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯおよびＦｅ
_２ Ｏ _３ の粉体などが用いられる。これら粉体をボー
ルミルを用いて湿式混合し、ついで、この湿式混合物を
スプレードライヤーにより乾燥した後、７００℃にて仮
焼し、仮焼粉を得る。この仮焼粉をボールミルにて粉砕
した後、スプレードライヤーで乾燥し、比表面積８ｍ
^２ ／ｇ程度のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト原料粉末と
する。

【００４０】ついで、この原料粉末を、エチルセルロー
ス等のバインダと、テルピネオール、ブチルカルビトー
ル等の溶剤と混練してペースト化し、磁性フェライト用
ペーストを得る。この磁性フェライト用ペースト中のバ
インダおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バ
インダの含有量は１〜５重量％、溶剤の含有量は１０〜
５０重量％程度の範囲で設定することができる。また、
ペースト中には、必要に応じて分散剤、可塑剤、誘電
体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させること
ができる。

【００４１】また、それとは別に、内部導体用ペースト
を準備する。このペーストを作製するために、平均粒径
０．８μｍ程度のＡｇをエチルセルロース等のバインダ
とテルピネオール、ブチルカルビトール等の溶剤と混練
してペースト化する。

【００４２】このようにして作製された磁性フェライト
層用ペーストと内部導体用ペーストとを交互に印刷積層
し、積層型チップフェライト部品を製造する。印刷積層
に際しては、たとえば図３（Ａ）に示すように、最初
に、磁性フェライト層用ペーストを用いて、磁性フェラ
イト層のためのユニットパターン２ａを印刷し、その
後、内部導体用ペーストを用いて、引出導体パターン７
ａを印刷する。次に、同図（Ｂ）に示すように、たとえ
ばユニットパターン２ａの右半分に相当する半ユニット
パターン２ｂを、磁性フェライト層用ペーストを用いて
引出導体パターン７ａの上に積層印刷する。次に、同図
（Ｃ）に示すように、その上に、内部導体用ペーストを
用いて、内部導体パターン３ａを印刷する。内部導体パ
ターン３ａは、ユニットパターン２ａの左側にある引出
導体パターン７ａに接続し、且つ、右半分の半ユニット
パターン２ｂの上に伸びるようなパターンである。

【００４３】次に、同図（Ｄ）に示すように、ユニット
パターンの２ａの左半分を覆うように、磁性フェライト
層用ペーストを用いて、半ユニットパターン２ｃを印刷
積層する。その後、同図（Ｅ）に示すように、半ユニッ
トパターン２ｂ上の内部導体パターン３ａに接続するよ
うに、且つ左半分の半ユニットパターン２ｃの上に伸び
るように、内部導体用ペーストを用いて、内部導体パタ
ーン３ｂを印刷する。

【００４４】次に、同図（Ｆ）に示すように、右半分に
相当する半ユニットパターン２ｄを、磁性フェライト層
用ペーストを用いて、内部導体パターン３ａおよび３ｂ
の上に積層印刷する。このような積層印刷を繰り返すこ
とで、コイル状に接続された内部導体が内部に形成され
た積層体ユニットを得ることができる。

【００４５】なお、図３（Ａ）〜（Ｆ）では、単一のユ
ニットパターン２ａに着目して説明したが、実際の積層
印刷に際しては、ユニットパターン２ａは、行列状に多
数形成され、各ユニットパターン２ａの上に、コイルパ
ターンが同時に形成され、その後、印刷積層体が切断さ
れて、図１に示す単一のコイル状内部導体１０を有する
本体４の元となる積層体ユニットが得られる。

【００４６】また、上述した方法では、印刷積層工法を
用いて、積層体ユニットを得ているが、シート積層工法
でも、同様な積層体ユニットを得ることができる。すな
わち、磁性フェライト粉体を、ポリビニルブチラールを
主成分としたバインダとトルエン、キシレン等の溶媒と
ともにボールミル中で混練して得たスラリーを、ポリエ
ステルフィルム等の上にドクターブレード法等で塗布し
乾燥して磁性フェライトシートを得る。この磁性フェラ
イトシートを、導体ペーストと交互に積層した後、焼成
する。なお、磁性フェライトシート中のバインダの含有
量には制限はなく、例えば、１〜５重量％程度の範囲で
設定することができる。また、磁性フェライトシート中
には、必要に応じて分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等
を１０重量％以下の範囲で含有させることができる。

【００４７】積層体ユニットの二側面から、コイル状内
部導体１０の一部を露出させるためには、図３に示す通
常の印刷積層工法により積層体ユニットを作製した後、
積層体ユニットの二側面を、カッターなどを用いて内部
導体１０が外部に露出するように切断すれば良い。ある
いは、コイル状の内部導体１０を形成するための図３に
示す導体パターン７ａ、３ａ、３ｂ…の形状を工夫して
もよい。すなわち、図３（Ａ）〜（Ｆ）の点線で示すよ
うに、導体パターン７ａ、３ａ、３ｂ…の縁の少なくと
も一部が、磁性フェライト層を形成するためのユニット
パターン２ａ、２ｂ…のパターンの縁に位置するように
積層印刷すればよい。

【００４８】切断することにより、または導体パターン
の形状を工夫することで、導体パターン７ａ、３ａ、３
ｂ…の縁の少なくとも一部が、磁性フェライト層を形成
するためのユニットパターン２ａ、２ｂ…のパターンの
縁に位置する積層体ユニットは、次に焼成される。焼成
温度は、特に限定されないが、８００〜９３０℃、好ま
しくは８５０〜９１０℃とする。焼成温度が８００℃未
満であると焼成不足となり、一方、９３０℃を超えると
フェライト組成物中に内部導体材料が拡散して、電磁気
特性を著しく低下させることがある。また、焼成時間は
０．０５〜５時間、好ましくは０．１〜３時間の範囲で
設定することができ、大気中での焼成で良い。

【００４９】焼成後には、内部導体を保護するため、露
出した内部導体の部分を、図１および図２に示すよう
に、ガラスなどで構成される非磁性層８で被覆する。次
に、積層チップフェライト部品の内部導体１０の引き出
し部に外部導体ペーストを塗布し、外部導体ペーストお
よび非磁性層８を大気中において、たとえば６００℃で
３０分間焼き付ける。その結果、図１および図２に示す
ように、内部導体１０の両端部に外部電極端子１２，１
４が接続された状態の積層チップフェライト部品１を得
ることができる。

【００５０】本実施形態に係るチップインダクタ装置１
では、コイルの途中に対応する内部導体１０の少なくと
も一部が、磁性フェライト本体４の外部に露出するよう
に配置してあるので、少なくともその部分では、開磁路
構造となり、漏洩磁束が生じ、飽和磁化しずらくなる。
その結果、大電流下で安定したＬ値やインピーダンスを
有するチップインダクタ装置を得ることが可能になる。
また、本実施形態に係るチップインダクタ装置の製造方
法では、このチップフェライト部品１を、きわめて容易
に製造することができる。

【００５１】第２実施形態 磁性フェライト本体の内部に埋没している内部導体の一
部を露出するための別の方法として、焼成後のチップの
少なくとも一側面にサンドブラス（研磨粉吹き付け）や
表面研磨機などによって、内部導体の一部を外部に露出
させる方法もある。

【００５２】図４および図５は、磁性フェライト本体４
Ａおよび４Ｂの焼成後に、研削方法によって、内部導体
１０Ａおよび１０Ｂを露出させたチップインダクタ装置
１Ａおよび１Ｂを示す。

【００５３】図４に示すチップインダクタ装置１Ａで
は、本体４Ａの短手方向Ｙの両側面（または一側面）
に、長手方向Ｘに沿って所定幅Ｌで、コイルの軸芯方向
Ｚに貫通する切り欠き１６を設け、切り欠き１６の側面
から、内部導体１０Ａの一部を露出させている。また、
この切り欠き１６には、導体の保護のために、非磁性層
８Ａを埋設することが好ましい。

【００５４】図５に示すチップインダクタ装置１Ｂで
は、本体４Ｂの短手方向Ｙの両側面（または一側面）
に、長手方向Ｘに沿って所定幅Ｌで、コイルの軸芯方向
Ｚに沿って深さＤの切り欠き１６Ｂを設け、切り欠き１
６Ｂの側面から、内部導体１０Ｂの一部を露出させてい
る。また、この切り欠き１６Ｂには、導体の保護のため
に、非磁性層８Ｂを埋設することが好ましい。

【００５５】インダクタ装置として必要なＬ値（インダ
クタンス）およびＺ値（インピーダンス）は、切り欠き
１６または１６Ｂの数、幅Ｌ、または深さＤなどを調整
することにより、すなわち、露出させるコイルの積層巻
線数、または露出面積などを調整することにより得られ
る。

【００５６】図４および図５に示す本実施形態のインダ
クタ装置１Ａおよび１Ｂのその他の構成、製造方法およ
び作用効果は、図１〜図３に示す実施形態のインダクタ
装置１と同様である。

【００５７】第３実施形態 図６に示す本実施形態に係る積層型チップインダクタ装
置１Ｃは、磁性フェライト本体４Ｃの内部に埋設される
内部導体１０Ｃで構成されるコイルの軸芯方向Ｚに沿っ
て反対側に位置する磁性フェライト本体４Ｃの両端部
に、一対の外部電極端子１２Ｃおよび１４Ｃが装着して
ある。

【００５８】このように構成されたインダクタ装置で
は、本体４の４側面のうちのいずれか一側面以上に、切
り欠き１６Ｃを形成することができ、１〜４側面から、
内部導体１０Ｃの一部を露出させることができる。

【００５９】図６に示す本実施形態のインダクタ装置１
Ａおよび１Ｂのその他の構成、製造方法および作用効果
は、図１〜図３に示す実施形態のインダクタ装置１と同
様である。

【００６０】第４実施形態 本実施形態は、前記第１〜第３実施形態の変形である。
上述した各実施形態では、磁性フェライト本体の側面の
一部から、内部導体の一部を完全に露出させ、その部分
で、コイルを開磁路構造としている。しかしながら、磁
性フェライト本体の側面の一部から、内部導体の一部を
完全に露出させることなく、多少、磁性フェライト層の
薄い膜を残しても、コイルを実質的に開磁路構造に近い
構造とすることができ、本発明と同様な作用効果を得る
ことが期待できる。そこで、本実施形態では、前記第１
〜第３実施形態のチップインダクタ装置において、磁性
フェライト本体の側面の一部から、内部導体の一部を完
全に露出させることなく、多少、磁性フェライト層の薄
い膜を残してある。

【００６１】このような本実施形態に係るチップインダ
クタ装置でも、上述した第１〜第３実施形態に係るチッ
プインダクタ装置と同様な作用効果を期待することがで
きる。

【００６２】なお、本発明に係るチップフェライト部品
としては、積層型チップインダクタ、積層型ビーズに限
らず、ＬＣ複合素子などのように、磁性フェライト層と
内部導体層とが交互に積層して一体化された多層構造を
持つ全ての電子部品が含まれる。

【００６３】

【実施例】以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づ
き説明するが、本発明は、これら実施例に限定されな
い。

【００６４】実施例１ 粉末は粒径０．１〜１０μｍ程度のＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｚ
ｎＯおよびＦｅ_２ Ｏ _３ の粉体を用い、これらをボー
ルミルを用いて湿式混合し、ついで、この湿式混合物を
スプレードライヤーにより乾燥し７００℃にて仮焼し、
これをボールミルにて粉砕した後、スプレードライヤー
で乾燥し、比表面積８ｍ^２ ／ｇのＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト原料粉末とした。

【００６５】ついでこの原料粉末１００重量部に対し
て、エチルセルロース２．５重量部、テルピネオール４
０重量部を加え、３本ロールにて混練して磁性フェライ
トペーストを調製した。

【００６６】一方、平均粒径０．８μｍのＡｇ１００重
量部に対して、エチルセルロース２．５重量部、テルピ
ネオール４０重量部を加え、３本ロールにて混練して、
導体用ペーストを調製した。

【００６７】このような磁性フェライト用ペーストと導
体用ペーストとを、図３に示すように、交互に印刷積層
した後、積層体の対向する２側面を切断し、導体用ペー
ストにより印刷された導体パターンの縁部を積層体側面
から露出させた。その後、この積層体について、９００
℃で２時間の焼成を行って、図１および図２に示される
ような積層型チップインダクタを得た。得られた積層型
チップインダクタのタイプは、２０１２タイプであり、
その外形寸法は２．１ｍｍ×１．２ｍｍ×１．５ｍｍで
あった。

【００６８】焼成後、内部導体保護のため露出した内部
導体の部分を図１および図２に示すようにガラスから成
る非磁性体層８で被覆した。次に、積層チップインダク
タの内部導体の引き出し部に外部導体ペーストを塗布
し、外部導体およびガラスを大気中において６００℃で
３０分間焼き付け、コイル状内部導体１０の両端部に外
部電極端子１２および１４が接続形成された状態の積層
チップインダクタを形成した。

【００６９】このチップインダクタに対し、測定周波数
１００ｋＨｚ、測定電流０．１ｍＡの条件で、ＬＣＲメ
ーター（ヒューレットパッカード（株）製）を用いてイ
ンダクタンスＬを測定し、重畳する直流電流量を大きく
していき、Ｌ値の変化を求めた。図７中の○が、本実施
例におけるチップフェライト部品における初期Ｌ値と初
期Ｌ値が３０％低下した時の重畳した直流電流量の関係
を示す。

【００７０】比較例１ 磁性フェライト用ペーストと導体用ペーストとを、図３
に示すように、交互に印刷積層した後、積層体の側面を
切断せず、導体用ペーストにより印刷された導体パター
ンの縁部を積層体側面から露出させなかった以外は、実
施例１と同様にしてチップインダクタを製造した。この
インダクタについて、実施例１と同様にして、インダク
タンスＬを測定し、重畳する直流電流量を大きくしてい
き、Ｌ値の変化を求めた。図７中の●が、比較例１にお
けるチップフェライト部品における初期Ｌ値と初期Ｌ値
が３０％低下した時の重畳した直流電流量の関係を示
す。

【００７１】評価 図７に示すように、本実施例１と比較例１とを比較する
ことで、コイルを開磁路構造にした場合、直流重畳特性
が明らかに向上することが判明した。

【００７２】

【発明の効果】以上説明してきたように、本発明によれ
ば、小型化の要請に即し、しかも大電流下で安定したＬ
値やインピーダンスを有するチップフェライト部品およ
びその製造方法を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は本発明の一実施形態に係るチップフェ
ライト部品の要部斜視図である。

【図２】 図２は図１に示すII−II線に沿う断面図であ
る。

【図３】 図３（Ａ）〜（Ｆ）は内部導体パターンの形
成方法の一例を示す説明図である。

【図４】 図４は本発明の他の実施形態に係るチップフ
ェライト部品の斜視図である。

【図５】 図５は本発明の他の実施形態に係るチップフ
ェライト部品の斜視図である。

【図６】 図６は本発明の他の実施形態に係るチップフ
ェライト部品の斜視図である。

【図７】 図７は本発明の実施例および比較例に係るチ
ップフェライト部品における初期Ｌ値と初期Ｌ値が３０
％低下した時の重畳した直流電流量の関係を示すグラフ
である。

【符号の説明】

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ… 積層型チップインダクタ ２… 磁性フェライト層 ３… 内部導体層 ４，４Ａ，４Ｂ，４Ｃ… 磁性フェライト本体 ５，７… 引出導体層 ８，８Ａ，８Ｂ… 非磁性体層 １０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ… コイル状内部導体 １２，１４… 外部電極端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−226109（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−77022（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−129447（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−36214（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−27712（ＪＰ，Ａ) 特開2000−133521（ＪＰ，Ａ) 実開 昭61−188320（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01F 17/04 H01F 1/34 H01F 27/29 H01F 30/00 H01F 41/04

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 磁性フェライト材で構成される磁性フェ
   ライト本体と、 前記磁性フェライト本体の内部に、コイルを構成するよ
   うに埋設してある内部導体であって、前記コイルの途中
   に対応する内部導体の一部が、前記磁性フェライト本体
   の外部に露出するように配置してある内部導体と、を有し、 インダクタ装置として必要なインダクタンスおよびイン
   ピーダンスとなるように、前記内部導体における前記磁
   性フェライト本体の外部に露出する露出面積が調整して
   あることを特徴とする チップフェライト部品。
2. 【請求項２】 前記内部導体の少なくとも一部が前記磁
   性フェライト本体の外部に露出する部分が、非磁性材料
   で被覆してある請求項１に記載のチップフェライト部
   品。
3. 【請求項３】 前記内部導体における前記磁性フェライ
   ト本体の外部に露出する部分は、前記磁性フェライト本
   体の側面に形成される切断面または切り欠きにより形成
   されることを特徴とする請求項１または２に記載のチッ
   プフェライト部品。
4. 【請求項４】 前記磁性フェライト本体が、Ｆｅ_２ Ｏ
   _３ ，ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯを主成分とする磁性
   フェライト材料で構成してあることを特徴とする請求項
   １〜３のいずれかに記載のチップフェライト部品。
5. 【請求項５】 前記磁性フェライト本体の外表面には、
   前記コイルを構成する内部導体の両端部に接続される一
   対の外部電極端子が装着してある請求項１〜４のいずれ
   かに記載のチップフェライト部品。
6. 【請求項６】 前記内部導体で構成されるコイルの軸芯
   方向に沿って相互に反対側に位置する前記磁性フェライ
   ト本体の両端部に、前記一対の外部電極端子が装着して
   ある請求項５に記載のチップフェライト部品。
7. 【請求項７】 磁性フェライト層と内部導体層とを積層
   し、積層体を得る工程と、インダクタ装置として必要なインダクタンスおよびイン
   ピーダンスとなるように、 前記積層体の側面の一部を切
   断し、積層体の側面から内部導体層の一部を露出させる
   工程と、 その後、積層体を焼成する工程と、 を有するチップフェライト部品の製造方法。
8. 【請求項８】 磁性フェライト層と内部導体層とを積層
   し、積層体を得る工程と、 前記積層体を焼成し、焼結体を得る工程と、 前記焼結体の側面の一部を加工し、インダクタ装置とし
   て必要なインダクタンスおよびインピーダンスとなるよ
   うに、積層体の側面から内部導体層の一部を露出させる
   工程と、 を有するチップフェライト部品の製造方法。
9. 【請求項９】 磁性フェライト層と内部導体層とを積層
   し、積層体を得る工程と、インダクタ装置として必要なインダクタンスおよびイン
   ピーダンスとなるように、 前記積層体の側面の一部を切
   断し、積層体の側面近くに、内部導体層の一部を位置さ
   せる工程と、 その後、積層体を焼成する工程と、 を有するチップフェライト部品の製造方法。
10. 【請求項１０】 磁性フェライト層と内部導体層とを積
    層し、積層体を得る工程と、 前記積層体を焼成し、焼結体を得る工程と、 前記焼結体の側面の少なくとも一部を加工し、積層体の
    側面近くに内部導体層の一部を位置させる工程と、 を有するチップフェライト部品の製造方法。