JPH1197256A - 積層型チップインダクタ - Google Patents

積層型チップインダクタ

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JPH1197256A
JPH1197256A JP9273865A JP27386597A JPH1197256A JP H1197256 A JPH1197256 A JP H1197256A JP 9273865 A JP9273865 A JP 9273865A JP 27386597 A JP27386597 A JP 27386597A JP H1197256 A JPH1197256 A JP H1197256A
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JP
Japan
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coil
green sheet
chip inductor
conductor pattern
magnetic material
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JP9273865A
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English (en)
Inventor
Masahiro Ishikawa
征宏 石川
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Tokin Corp
Original Assignee
Tokin Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 表面実装型で大電流に耐え得る安価で、か
つ、高性能な積層型チップインダクタを提供する。 【解決手段】 1ターン未満の導体パターンを設けた磁
性体よりなるグリーンシート2,3,4,5と、スルー
ホール61を設けたグリーンシート6を交互に積層し、
スルーホール61を介して、導体パターン21,31,
41,51の端部を接続してコイルを形成して第一のコ
イル10および第二のコイル20となし、第一のコイル
10と第二のコイル20の間に非磁性層であるグリーン
シート1を設ける。また、第一、および第二のそれぞれ
のコイル内で、導体パターンを設けた磁性体よりなるグ
リーンシートのうち最上層と最下層に位置するグリーン
シート2,5の導体パターン21,51の端部23,5
3は外部電極に接続する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面実装型電子部
品として用いられる積層型チップインダクタに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の積層型チップインダクタは、近年
の電子部品の軽薄短小化に伴い、インダクタ内部のコイ
ルの大きさに対し、磁性体の体積比率が非常に少なくな
っており、低いアンペアターンで磁気的に飽和してしま
うため、電流値の小さい信号ラインに用いられ、電流値
の大きい電源系ラインには用いられていなかった。
【0003】また、インダクタの内部導体の断面積を最
大限に大きくしたり、同じコイルを並列に設けたりし
て、電源系ラインに用いても、互いのコイルによるクロ
ストークでインダクタンスがばらついたり、また磁気的
飽和により直流重畳特性が悪く、電流値が大きくなるに
従いインダクタンス値が低下するという電気的特性上の
問題があった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年の
電子機器、装置における小形化、低ピッチ化、高密度化
の要求はめざましく、電源系ラインに用いる表面実装型
で大電流に耐え得る積層型チップインダクタの実現が求
められている。
【0005】そこで、本発明の課題は、表面実装型で大
電流に耐え得る安価で、かつ、高性能な積層型チップイ
ンダクタを提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、1ターン未満
の導体パターンを設けた磁性体よりなるグリーンシート
と、スルーホールを設けた磁性体よりなるグリーンシー
トを交互に積層し、前記スルーホールを介して、前記導
体パターンの端部を接続してコイルを形成して第一のコ
イルとし、第一のコイルと同様にして第二のコイルを形
成し、前記第一と第二のコイルの間に非磁性層を設ける
積層型チップインダクタである。
【0007】さらに、本発明は、前記非磁性層はセラミ
ックスよりなる上記の積層型チップインダクタである。
【0008】さらに、本発明は、上記のセラミックスが
ZnFe24,TiO2,WO2,Ta25、コージュラ
イト系セラミックス、BaSnN系セラミックス、Ca
MgSiAlB系セラミックスのいずれかよりなる積層
型チップインダクタである。
【0009】また、本発明は、第一、および第二のそれ
ぞれのコイル内で、導体パターンを設けた磁性体よりな
るグリーンシートのうち、最上層と最下層に位置するグ
リーンシートの導体パターンの端部は、外部電極に接続
されている上記の積層型チップインダクタである。
【0010】上記のように、第一のコイルと第二のコイ
ルを等価回路的には並列回路(図4)にして、許容電流
値を増やして大電流に耐え得るようにするとともに、第
一のコイルと第二のコイルの間に非磁性セラミックスを
介在させれば、互いのコイルのクロストークや磁性層の
厚さのばらつきによるインダクタンスのばらつきを抑制
できる。
【0011】すなわち、第一のコイルと第二のコイルの
間に磁気的空隙が存在するために、磁性層を介在させた
場合に比べ、大電流を流した場合、磁気的飽和をおさえ
ることができる。そのため、希望する所定の特性を実現
するインダクタの低価格化と小型化ができ、電源系ライ
ンの使用に耐え得る、良好なインダクタンスの直流重畳
特性を有する、高性能ノイズ対策フィルタ等の用途に適
したインダクタが得られる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。
【0013】図1に、本発明の積層型チップインダクタ
の分解説明図を示す。
【0014】まず、絶縁性磁性粉末に対してバインダ樹
脂(PVB樹脂)5wt%、有機系溶剤(エチレングリ
コールエーテル系)60wt%等を添加し、混合を行
い、スラリー化した。このスラリーをドクターブレード
法を用いて高分子化合物(ポリエチレンテレフタレー
ト)よりなるフィルム上に塗布して、膜厚200〜60
0μmの長尺な絶縁性磁性体のグリーンシートを作り、
所定の寸法に切断した。
【0015】図1に示すように、得られたグリーンシー
ト上に銀ペーストを用いてスクリーン印刷法により導体
を用いて、所定の導体パターン21,31,41,51
を印刷し、加熱により乾燥させ、1ターン未満の導体パ
ターンを設けた磁性体よりなるグリーンシート2,3,
4,5を得た。導体パターン21の端部23および導体
パターン51の端部53は、それぞれグリーンシート2
および5の端部に位置している。
【0016】また、導体パターン21の一端は、グリー
ンシート2と3を積層したとき、導体パターン31の一
端に重なるように位置させている。同様に、導体パター
ン31の他端は次に重ねられるグリーンシート上の導体
パターンの一端に重なるように位置させているが、図の
煩雑さを避けるため、途中の導体パターンを設けたグリ
ーンシートを省略して図示している。
【0017】また、図1に示すように、得られたグリー
ンシート上にパンチを用いて所定の位置にスルーホール
を開けて、加熱により乾燥させ、スルーホール61を設
けた磁性体よりなるグリーンシート6を得た。スルーホ
ール61のグリーンシート6上の位置は、上下に位置す
るグリーンシート2,3の導体パターン21,31の端
部の位置に合わせてある。スルーホールの位置も、事実
上は、数カ所になるが、図の煩雑さを避けるため、途中
のスルーホールを設けたグリーンシートを省略して図示
している。
【0018】また、絶縁性非磁性粉末に対してバインダ
樹脂(PVB樹脂)5wt%、有機系溶剤(エチレング
リコールエーテル系)60wt%等を添加し、スラリー
化した。このスラリーをドクターブレード法を用いて高
分子化合物(ポリエチレンテレフタレート)よりなるフ
ィルム上に塗布して、膜厚50〜100μmの長尺な絶
縁性非磁性体のグリーンシートを作り、所定の寸法に切
断してセラミックスよりなる非磁性層にするグリーンシ
ート1を得た。
【0019】上記のようにして得られた、1ターン未満
の導体パターン21,31,41,51を設けた磁性体
よりなるグリーンシート2,3,4,5と、スルーホー
ル61を設けた磁性体よりなるグリーンシート6を、図
1に示すように、交互に積層して第一のコイル10とな
し、全く同様にして、もう一つのコイルを形成して第二
のコイル20となし、第一のコイル10と第二のコイル
20の間にグリーンシート1を介在せしめ、また、第一
のコイル10と第二のコイル20のグリーンシート1の
接する面の反対側の面に、磁性体よりなるグリーンシー
ト7を配置した。
【0020】第一、第二、それぞれのコイル内では、導
体パターンを有するグリーンシートの最上層のグリーン
シート5と、最下層のグリーンシート2の導体パターン
の端部53,および23は、外部電極に接続できるよう
に、グリーンシートの端部に位置させている。
【0021】上記のようにして得られた積層物をホット
プレスにより圧着し、未焼成積層体を得た。次いで、こ
の未焼成積層体を所定の大きさに切断し、未焼成の積層
体チップを得た。
【0022】さらに、これらの未焼成の積層体チップを
大気雰囲気中で脱バインダーした後に、大気焼成による
一体焼成を行い、さらに、積層体チップの面取りのため
バレル研磨を行い、インダクタンス素子8(図2)を得
た。インダクタンス素子8の側面には、導体パターンの
端部53が露出し、反対側の側面には、同様に導体パタ
ーンの端部23が露出しているが、図中では省略してい
る。
【0023】インダクタンス素子8の導体パターンの端
部53,23が露出している面に、銀ペースト等をディ
ップにより塗布し、所定の温度と時間で乾燥させた後、
約600℃の温度で大気雰囲気中で焼き付けし、さら
に、焼き付けした銀ペーストの上に導電性を良くする表
面処理を施して、外部電極9を形成せしめ、本発明の積
層型インダクタ11を得た(図3)。
【0024】
【実施例】図1に示すように、磁性体よりなるグリーン
シート2,3,4,5,6,7の厚さを250μmと
し、導体パターン21,31,41,51の幅を200
μm、厚さを20μmとし、非磁性セラミックスである
亜鉛フェライトよりなるグリーンシート1の厚さを80
μmとし、総数13枚のグリーンシートを積層し、上記
のようにして、大きさ2mm×1.25mm×1mm
(積層方向1mm)の本発明の積層型インダクタを得
た。
【0025】図5に、本発明の積層型インダクタの電気
的特性である直流重畳特性を示す。実線は本発明の積層
型インダクタのインダクタンス対電流値を示し、破線は
同寸法の従来の積層型インダクタのインダクタンス対電
流値を示す。
【0026】図5に示すように、本発明の積層型インダ
クタは、従来の積層型インダクタに比べはるかに大きい
電流でも磁気的飽和にいたらず、大電流に耐え得ること
を示した。本実施例におけるインダクタンス値は、電流
値6Aに対し約5マイクロヘンリであり、従来の積層型
インダクタにあっては電流値1Aで約5マイクロヘンリ
であった。
【0027】本実施例では、非磁性のセラミックスとし
て、ZnFe24を用いて説明したが、TiO2、W
2、Ta25、コージュライト系セラミックス、Ba
SnN系セラミックス、あるいはCaMgSiAlB系
セラミックスのいずれかを用いても、その効果に変わり
はない。
【0028】
【発明の効果】本発明によれば、表面実装型で大電流に
耐え得る安価で、かつ、高性能な積層型チップインダク
タが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の積層型チップインダクタを示す分解説
明図。
【図2】本発明の積層型チップインダクタのインダクタ
ンス素子の斜視図。
【図3】本発明の積層型チップインダクタの斜視図。
【図4】本発明の積層型インダクタの等価回路図。
【図5】本発明と従来の積層型インダクタの直流重畳特
性図。
【符号の説明】
1 (非磁性セラミックスよりなる)グリーンシート 2,3,4,5 (導体パターンを設けた磁性体より
なる)グリーンシート 21,31,41,51 (1ターン未満の)導体パ
ターン 6 (スルーホールを設けた磁性体よりなる)グリー
ンシート 61 スルーホール 7 (磁性体よりなる)グリーンシート 8 インダクタンス素子 9 外部電極 10 (第一の)コイル 11 (本発明の)積層型インダクタ 20 (第二の)コイル 23,53 (導体パターンの)端部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1ターン未満の導体パターンを設けた磁
    性体よりなるグリーンシートと、スルーホールを設けた
    磁性体よりなるグリーンシートを交互に積層し、前記ス
    ルーホールを介して前記導体パターンの端部を接続して
    コイルを形成して第一のコイルとし、第一のコイルと同
    様にして第二のコイルを形成し、前記第一と第二のコイ
    ルの間に非磁性層を設けることを特徴とする積層型チッ
    プインダクタ。
  2. 【請求項2】 前記非磁性層はセラミックスよりなるこ
    とを特徴とする請求項1記載の積層型チップインダク
    タ。
  3. 【請求項3】 請求項2記載のセラミックスは、ZnF
    24,TiO2,WO2,Ta25、コージュライト系
    セラミックス、BaSnN系セラミックス、CaMgS
    iAlB系セラミックスのいずれかよりなることを特徴
    とする積層型チップインダクタ。
  4. 【請求項4】 第一、および第二のそれぞれのコイル内
    で、有効な導体パターンを設けた磁性体よりなるグリー
    ンシートのうち、最上層と最下層に位置するグリーンシ
    ートの導体パターンの端部は、外部電極に接続されてい
    ることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載
    の積層型チップインダクタ。
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