JPH08167523A - 積層インダクタ及びその製造方法 - Google Patents
積層インダクタ及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08167523A JPH08167523A JP6311931A JP31193194A JPH08167523A JP H08167523 A JPH08167523 A JP H08167523A JP 6311931 A JP6311931 A JP 6311931A JP 31193194 A JP31193194 A JP 31193194A JP H08167523 A JPH08167523 A JP H08167523A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- powder
- laminated
- paste
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Manufacturing Cores, Coils, And Magnets (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 高周波域での特性に優れた積層インダクタ及
びその製造方法を提供すること。 【構成】 積層インダクタにおいて，磁性層１内に積層
巻線によって形成されたコイルの少なくとも一端におい
て，当該巻線を形成する導電体層３の最外層に接して形
成される少なくとも一層の非磁性粉末を含む非磁性ペー
ストから形成された非磁性層２を備えた。この積層イン
ダクタの製造方法は，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを主
成分とするスピネル型軟磁性フェライトの磁性粉末と，
銀，銅の内の少なくとも一種からなる導電性粉末とをペ
ースト化し，これを印刷法によって夫々積層して，前記
磁性粉末のペースト中に導電体層用ペーストからなる積
層巻線を形成し，前記積層巻線によって形成されたコイ
ルの少なくとも一端において，当該巻線を形成する導電
体層の最外層に接して，少なくとも一層を非磁性粉末か
らなるペーストで形成して，同時焼成する。
びその製造方法を提供すること。 【構成】 積層インダクタにおいて，磁性層１内に積層
巻線によって形成されたコイルの少なくとも一端におい
て，当該巻線を形成する導電体層３の最外層に接して形
成される少なくとも一層の非磁性粉末を含む非磁性ペー
ストから形成された非磁性層２を備えた。この積層イン
ダクタの製造方法は，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを主
成分とするスピネル型軟磁性フェライトの磁性粉末と，
銀，銅の内の少なくとも一種からなる導電性粉末とをペ
ースト化し，これを印刷法によって夫々積層して，前記
磁性粉末のペースト中に導電体層用ペーストからなる積
層巻線を形成し，前記積層巻線によって形成されたコイ
ルの少なくとも一端において，当該巻線を形成する導電
体層の最外層に接して，少なくとも一層を非磁性粉末か
らなるペーストで形成して，同時焼成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，特性に優れた積層イン
ダクタ及びその製造方法に関する。
ダクタ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に，積層インダクタでは，導電体層
以外はすべて磁性層からなり，磁気回路としては閉磁路
を形成している。この様なインダクタでは，閉磁路を形
成しているため，実効透磁率が高く，従って導電体の巻
回数が少なくとも高いインダクタンスが得られるという
利点を有する。
以外はすべて磁性層からなり，磁気回路としては閉磁路
を形成している。この様なインダクタでは，閉磁路を形
成しているため，実効透磁率が高く，従って導電体の巻
回数が少なくとも高いインダクタンスが得られるという
利点を有する。
【０００３】また，電子機器の小型化により，体積が小
さく信頼性の高い積層インダクタが多く利用されてい
る。
さく信頼性の高い積層インダクタが多く利用されてい
る。
【０００４】近年，電子機器技術の進歩により，電子機
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がって
いる。現在その帯域は，数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚに及んで
いる。従って，この様な広い周波数帯域の信号を扱う電
子機器に使用される積層インダクタに対しても，高周波
側に広い帯域でインダクタンスが得られることが要求さ
れてきている。
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がって
いる。現在その帯域は，数百ｋＨｚ〜数ＧＨｚに及んで
いる。従って，この様な広い周波数帯域の信号を扱う電
子機器に使用される積層インダクタに対しても，高周波
側に広い帯域でインダクタンスが得られることが要求さ
れてきている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，従来の
積層インダクタでは，磁気回路が閉磁路であるために，
使用する磁性材料の磁気特性に応じた周波数までは高い
インダクタンスが得られるが，その周波数を越えるとイ
ンダクタンスは急激に低下し，高周波域ではインダクタ
として全く機能しなくなる，という致命的な欠点があっ
た。
積層インダクタでは，磁気回路が閉磁路であるために，
使用する磁性材料の磁気特性に応じた周波数までは高い
インダクタンスが得られるが，その周波数を越えるとイ
ンダクタンスは急激に低下し，高周波域ではインダクタ
として全く機能しなくなる，という致命的な欠点があっ
た。
【０００６】そこで，本発明の技術的課題は，高周波域
での特性に優れた積層インダクタ及びその製造方法を提
供することにある。
での特性に優れた積層インダクタ及びその製造方法を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明によれば，磁性体
粉末を含む磁性層用ペーストと導電体粉末を含む導電体
層用ペーストとを積層して焼成し，前記磁性層用ペース
トからなる磁性層中に前記導電体層用ペーストからなる
積層巻線を形成した焼成体であって，前記磁性体粉末は
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを主成分とするスピネル型
軟磁性フェライトからなり，前記導電体粉末は，銀及び
銅の内の少なくとも一種を含む積層インダクタにおい
て，前記積層巻線によって形成されたコイルの少なくと
も一端において，当該巻線を形成する導電体層の最外層
に接して形成される少なくとも一層の非磁性粉末を含む
非磁性層用ペーストから形成された非磁性層を備えたこ
とを特徴とする積層インダクタが得られる。
粉末を含む磁性層用ペーストと導電体粉末を含む導電体
層用ペーストとを積層して焼成し，前記磁性層用ペース
トからなる磁性層中に前記導電体層用ペーストからなる
積層巻線を形成した焼成体であって，前記磁性体粉末は
Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを主成分とするスピネル型
軟磁性フェライトからなり，前記導電体粉末は，銀及び
銅の内の少なくとも一種を含む積層インダクタにおい
て，前記積層巻線によって形成されたコイルの少なくと
も一端において，当該巻線を形成する導電体層の最外層
に接して形成される少なくとも一層の非磁性粉末を含む
非磁性層用ペーストから形成された非磁性層を備えたこ
とを特徴とする積層インダクタが得られる。
【０００８】また，本発明によれば，前記積層インダク
タにおいて，前記非磁性粉末は，ＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，コ
ージェライト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系セラミック
ス，及びＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスの内から選
択された少くとも一種の粉末であることを特徴とする積
層インダクタが得られる。
タにおいて，前記非磁性粉末は，ＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，Ｔｉ
Ｏ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，コ
ージェライト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系セラミック
ス，及びＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスの内から選
択された少くとも一種の粉末であることを特徴とする積
層インダクタが得られる。
【０００９】また，本発明によれば，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃ
ｕ，及びＦｅを主成分とするスピネル型軟磁性フェライ
トの磁性粉末と，銀，銅の内の少なくとも一種からなる
導電性粉末とをペースト化し，これを印刷法によって夫
々積層して，前記磁性粉末のペースト中に導電体層用ペ
ーストからなる積層巻線を形成し，これを同時焼成する
積層インダクタの製造方法において，前記積層巻線によ
って形成されたコイルの少なくとも一端において，当該
巻線を形成する導電体層の最外層に接して，一層以上を
非磁性粉末で形成することを特徴とする積層インダクタ
の製造方法が得られる。
ｕ，及びＦｅを主成分とするスピネル型軟磁性フェライ
トの磁性粉末と，銀，銅の内の少なくとも一種からなる
導電性粉末とをペースト化し，これを印刷法によって夫
々積層して，前記磁性粉末のペースト中に導電体層用ペ
ーストからなる積層巻線を形成し，これを同時焼成する
積層インダクタの製造方法において，前記積層巻線によ
って形成されたコイルの少なくとも一端において，当該
巻線を形成する導電体層の最外層に接して，一層以上を
非磁性粉末で形成することを特徴とする積層インダクタ
の製造方法が得られる。
【００１０】さらに，本発明によれば，前記積層インダ
クタにおいて，前記非磁性粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，
ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，コージェライト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系
セラミックス，ＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスのう
ちから選択された少くとも一種の粉末を用いたことを特
徴とする積層インダクタが得られる。
クタにおいて，前記非磁性粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，
ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ
2 Ｏ5 ，コージェライト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系
セラミックス，ＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスのう
ちから選択された少くとも一種の粉末を用いたことを特
徴とする積層インダクタが得られる。
【００１１】即ち，本発明では，積層インダクタの磁気
回路を開磁路とする事により，高周波側で生じるインダ
クタンスの急激な低下を抑え，広い周波数帯域で使用可
能な積層インダクタを得るものである。
回路を開磁路とする事により，高周波側で生じるインダ
クタンスの急激な低下を抑え，広い周波数帯域で使用可
能な積層インダクタを得るものである。
【００１２】
【作用】本発明においては，積層インダクタの巻線を形
成する導電体層の最外層に接して，一層以上の非磁性層
を設けることにより，磁気回路を開磁路とすることがで
きる。その結果，高周波域まで使用可能な積層インダク
タが得られる。
成する導電体層の最外層に接して，一層以上の非磁性層
を設けることにより，磁気回路を開磁路とすることがで
きる。その結果，高周波域まで使用可能な積層インダク
タが得られる。
【００１３】
【実施例】以下，本発明の実施例について，図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１４】図１は本発明の実施例に係る積層インダク
タの構成を示す図で（ａ）は積層面からの図，（ｂ）は
断面図である。これらの図からわかるように，積層イン
ダクタは，磁性層１と，磁性層１内で積層巻線を形成し
ている導電体層３とを備えている。そして，非磁性層２
が，磁路を分断するように形成されている。また，焼成
後両端部に外部電極４が形成されている。
タの構成を示す図で（ａ）は積層面からの図，（ｂ）は
断面図である。これらの図からわかるように，積層イン
ダクタは，磁性層１と，磁性層１内で積層巻線を形成し
ている導電体層３とを備えている。そして，非磁性層２
が，磁路を分断するように形成されている。また，焼成
後両端部に外部電極４が形成されている。
【００１５】次に，図１に示す積層体の製造方法につい
て説明する。また，磁性層１を形成するための磁性粉末
として，Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト粉末を用意した。
粉末の平均粒径は約１μｍである。この粉末をバイン
ダ，溶剤と下記表１の比率で配合し，配合物を三本ロー
ルで混練して磁性層用ペーストを作製した。また，非磁
性層２を形成するための非磁性粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ
4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2
Ｏ5 を用意した。粉末の平均粒径はいずれも約１μｍで
ある。各々の粉末について，磁性層用ペーストと同様，
下記表１の比率でバインダ，溶剤と配合し，各々の配合
物を三本ロールで混練して非磁性層用ペーストを作製し
た。
て説明する。また，磁性層１を形成するための磁性粉末
として，Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕフェライト粉末を用意した。
粉末の平均粒径は約１μｍである。この粉末をバイン
ダ，溶剤と下記表１の比率で配合し，配合物を三本ロー
ルで混練して磁性層用ペーストを作製した。また，非磁
性層２を形成するための非磁性粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ
4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2
Ｏ5 を用意した。粉末の平均粒径はいずれも約１μｍで
ある。各々の粉末について，磁性層用ペーストと同様，
下記表１の比率でバインダ，溶剤と配合し，各々の配合
物を三本ロールで混練して非磁性層用ペーストを作製し
た。
【００１６】導電体層２を形成するための粉末として，
平均粒径０．５μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を
下記表２の比率でバインダ，溶剤と配合し，配合物を三
本ロールで混練して導電体層用ペーストを作製した。
平均粒径０．５μｍのＡｇ粉末を用意した。この粉末を
下記表２の比率でバインダ，溶剤と配合し，配合物を三
本ロールで混練して導電体層用ペーストを作製した。
【００１７】
【表１】
【００１８】
【表２】
【００１９】実施例では，上記表１及び上記表２の配合
比で，磁性層用，非磁性層用，及び導電体層用ペースト
を作製したが，これ以外の成分，配合比でも，印刷可能
なペーストが得られるものであれば良い。また，実施例
では配合物の混練に三本ロールを用いたが，これ以外に
もホモジナイザーやサンドミル等を用いても良い。
比で，磁性層用，非磁性層用，及び導電体層用ペースト
を作製したが，これ以外の成分，配合比でも，印刷可能
なペーストが得られるものであれば良い。また，実施例
では配合物の混練に三本ロールを用いたが，これ以外に
もホモジナイザーやサンドミル等を用いても良い。
【００２０】次に，作製した磁性層用ペーストを，印刷
法により所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。その上
に非磁性層用ペーストを用いて非磁性層２を，０，１，
５，１０層夫々積層した。この時，非磁性層２の一層の
積層厚は，約１０μｍで行った。更にその上に，導電体
層用ペーストと磁性層用ペーストを用いて，５．５ター
ンの導電体の積層巻線を形成するように，印刷積層を行
った。その上に，磁性層用ペーストを，印刷法により所
定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層して図１に示す積層体を
得た。全体の積層の厚さは約１．３ｍｍである。
法により所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。その上
に非磁性層用ペーストを用いて非磁性層２を，０，１，
５，１０層夫々積層した。この時，非磁性層２の一層の
積層厚は，約１０μｍで行った。更にその上に，導電体
層用ペーストと磁性層用ペーストを用いて，５．５ター
ンの導電体の積層巻線を形成するように，印刷積層を行
った。その上に，磁性層用ペーストを，印刷法により所
定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層して図１に示す積層体を
得た。全体の積層の厚さは約１．３ｍｍである。
【００２１】また，上記は非磁性層２を導電体層３で形
成したコイルの一端に形成した場合であるが，コイルの
両端に非磁性層２を形成する場合は，導電体層３の積層
巻線を形成するように印刷積層を行った後，その上に，
再び非磁性層用ペーストを用いて非磁性層２を積層し
た。更にその上に，磁性層用ペーストを，印刷法により
所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。全体の積層厚さ
は同じく約１．３ｍｍである。
成したコイルの一端に形成した場合であるが，コイルの
両端に非磁性層２を形成する場合は，導電体層３の積層
巻線を形成するように印刷積層を行った後，その上に，
再び非磁性層用ペーストを用いて非磁性層２を積層し
た。更にその上に，磁性層用ペーストを，印刷法により
所定の厚さ（０．５ｍｍ）に積層した。全体の積層厚さ
は同じく約１．３ｍｍである。
【００２２】実施例１では，導電体層３の積層巻線の巻
数を５．５ターンとしたが，これ以外の巻数でもよく４
０ターン程度を限度として，必要なインダクタンスが得
られる様に巻数を調整すれば良い。上記作製した積層体
を所定の大きさに（３ｍｍ×１．５ｍｍ）に切断した。
上記積層し切断した積層体を脱バインダ後，９００℃で
同時焼成を行った。実施例では，９００℃で焼成を行っ
たが，およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良い。
また，実施例１では，一つの積層体素子の大きさを３ｍ
ｍ×１．５ｍｍとしたが，これ以外の大きさでもよく，
その場合，導電体の積層巻線の大きさを調整すればよ
い。
数を５．５ターンとしたが，これ以外の巻数でもよく４
０ターン程度を限度として，必要なインダクタンスが得
られる様に巻数を調整すれば良い。上記作製した積層体
を所定の大きさに（３ｍｍ×１．５ｍｍ）に切断した。
上記積層し切断した積層体を脱バインダ後，９００℃で
同時焼成を行った。実施例では，９００℃で焼成を行っ
たが，およそ８５０℃〜９００℃の範囲であれば良い。
また，実施例１では，一つの積層体素子の大きさを３ｍ
ｍ×１．５ｍｍとしたが，これ以外の大きさでもよく，
その場合，導電体の積層巻線の大きさを調整すればよ
い。
【００２３】上記焼成した積層体に，導電体層３の積層
巻線のリードが露出している面に，Ａｇを主成分とした
導電体層用ペーストを塗布し，約３００℃で焼き付けを
行い，外部電極を形成した。
巻線のリードが露出している面に，Ａｇを主成分とした
導電体層用ペーストを塗布し，約３００℃で焼き付けを
行い，外部電極を形成した。
【００２４】実施例１では，外部電極としてＡｇを主成
分とした導電体層用ペーストを用いたが，これ以外に
も，カーボンやＣｕ，Ｎｉ等を主成分とした導電体層用
ペーストでも良い。
分とした導電体層用ペーストを用いたが，これ以外に
も，カーボンやＣｕ，Ｎｉ等を主成分とした導電体層用
ペーストでも良い。
【００２５】上記のように作製した積層インダクタの，
周波数とインダクタンスとの関係を，ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて，評価し
た。
周波数とインダクタンスとの関係を，ＹＨＰ製インピー
ダンスアナライザーＨＰ４１９１Ａを用いて，評価し
た。
【００２６】図２は，非磁性層用粉末としてＺｎＦｅ2
Ｏ4 を用いて，実施例で作製した積層インダクタの，周
波数とインダクタンスの関係を示す図である。図２によ
れば，非磁性層を設けることによって，低周波域（〜５
ＭＨｚ）のインダクタンスは若干低下するものの，高周
波側（約２０ＭＨｚ〜）では明らかに有効なインダクタ
ンスが得られる。特に４０ＭＨｚ以上の周波数では，周
波数が１ＭＨｚの時のインダクタンスに対して，非磁性
層が無い場合にインダクタンスが１／１００以下に低下
するのに対し，非磁性層がある場合には，インダクタン
スはおよそ１／２未満の低下に留まっており，十分にイ
ンダクタとして使用できるインダクタンスが得られる。
Ｏ4 を用いて，実施例で作製した積層インダクタの，周
波数とインダクタンスの関係を示す図である。図２によ
れば，非磁性層を設けることによって，低周波域（〜５
ＭＨｚ）のインダクタンスは若干低下するものの，高周
波側（約２０ＭＨｚ〜）では明らかに有効なインダクタ
ンスが得られる。特に４０ＭＨｚ以上の周波数では，周
波数が１ＭＨｚの時のインダクタンスに対して，非磁性
層が無い場合にインダクタンスが１／１００以下に低下
するのに対し，非磁性層がある場合には，インダクタン
スはおよそ１／２未満の低下に留まっており，十分にイ
ンダクタとして使用できるインダクタンスが得られる。
【００２７】（実施例２）下記表３は，非磁性層用粉末
としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，
Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＺｎＭｇＳｉＡｌ2 Ｏ7 ，Ｂ
ａＳｎＢ2 Ｏ6 ，ＣａＭｇＳｉＡｌ2 Ｂ2 Ｏ10を用い
て，その他は実施例１と同様に作製した積層インダクタ
の，インダクタンスが１μＨとなる周波数を示したもの
である。この下記表３によれば，いずれの粉末を用いて
も，非磁性層を設けなかった場合に比べて，高周波域ま
でインダクタンスが得られ，高周波域まで使用できるイ
ンダクタが得られることがわかる。
としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，
Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＺｎＭｇＳｉＡｌ2 Ｏ7 ，Ｂ
ａＳｎＢ2 Ｏ6 ，ＣａＭｇＳｉＡｌ2 Ｂ2 Ｏ10を用い
て，その他は実施例１と同様に作製した積層インダクタ
の，インダクタンスが１μＨとなる周波数を示したもの
である。この下記表３によれば，いずれの粉末を用いて
も，非磁性層を設けなかった場合に比べて，高周波域ま
でインダクタンスが得られ，高周波域まで使用できるイ
ンダクタが得られることがわかる。
【００２８】
【表３】
【００２９】また，以上説明した実施例では，非磁性層
用粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，Ｗ
Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＺｎＭｇＳｉＡｌ2 Ｏ
7 ，ＢａＳｎＢ2 Ｏ6 ，ＣａＭｇＳｉＡｌ2 Ｂ2 Ｏ10を
用いたが，これら粉末の二種以上を任意の割合で混合し
た粉末を用いても，同様の効果が得られる。
用粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，ＴｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，Ｗ
Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＺｎＭｇＳｉＡｌ2 Ｏ
7 ，ＢａＳｎＢ2 Ｏ6 ，ＣａＭｇＳｉＡｌ2 Ｂ2 Ｏ10を
用いたが，これら粉末の二種以上を任意の割合で混合し
た粉末を用いても，同様の効果が得られる。
【００３０】また，非磁性層用粉末としては，０．５％
以下の不純物が含まれていても，同様の効果が得られ
る。
以下の不純物が含まれていても，同様の効果が得られ
る。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように，本発明では，巻線
を形成する導電体層の最外層に接して，少なくとも一層
を非磁性粉末で形成することにより，高周波域での特性
に優れた積層インダクタが得られる。
を形成する導電体層の最外層に接して，少なくとも一層
を非磁性粉末で形成することにより，高周波域での特性
に優れた積層インダクタが得られる。
【００３２】本発明では，積層インダクタの磁気回路を
開磁路とする事により，高周波側で生じるインダクタン
スの急激な低下を抑え，広い周波数帯域で使用可能な積
層インダクタを得るものである。
開磁路とする事により，高周波側で生じるインダクタン
スの急激な低下を抑え，広い周波数帯域で使用可能な積
層インダクタを得るものである。
【図１】本発明の実施例１に係る積層インダクタの構成
を示す図である。
を示す図である。
【図２】本発明の実施例１に係る積層インダクタの非磁
性層数を変えた場合の，積層インダクタの周波数とイン
ダクタンスとの関係を示す図である。
性層数を変えた場合の，積層インダクタの周波数とイン
ダクタンスとの関係を示す図である。
１ 磁性層 ２ 非磁性層 ３ 導電体層 ４ 外部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 磁性体粉末を含む磁性層用ペーストと導
電体粉末を含む導電体層用ペーストとを積層して焼成
し，前記磁性層用ペーストからなる磁性層中に前記導電
体層用ペーストからなる積層巻線を形成した焼成体であ
って，前記磁性体粉末はＮｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを
主成分とするスピネル型軟磁性フェライトからなり，前
記導電体粉末は，銀及び銅の内の少なくとも一種を含む
積層インダクタにおいて，前記積層巻線によって形成さ
れたコイルの少なくとも一端において，当該巻線を形成
する導電体層の最外層に接して形成される少なくとも一
層の非磁性粉末を含む非磁性層用ペーストから形成され
た非磁性層を備えたことを特徴とする積層インダクタ。 - 【請求項２】 請求項１記載の積層インダクタにおい
て，前記非磁性粉末は，ＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，ＴｉＯ2 ，Ｓ
ｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，コージェラ
イト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系セラミックス，及び
ＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスの内から選択された
少くとも一種の粉末からなることを特徴とする積層イン
ダクタ。 - 【請求項３】 Ｎｉ，Ｚｎ，Ｃｕ，及びＦｅを主成分と
するスピネル型軟磁性フェライトの磁性粉末と，銀，銅
の内の少なくとも一種からなる導電性粉末とをペースト
化し，これを印刷法によって夫々積層して，前記磁性粉
末のペースト中に導電体層用ペーストからなる積層巻線
を形成し，これを同時焼成する積層インダクタの製造方
法において，前記積層巻線によって形成されたコイルの
少なくとも一端において，当該巻線を形成する導電体層
の最外層に接して，少なくとも一層を非磁性粉末からな
るペーストで形成することを特徴とする積層インダクタ
の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３記載の積層インダクタの製造方
法において，前記非磁性粉末としてＺｎＦｅ2 Ｏ4 ，Ｔ
ｉＯ2 ，ＳｉＯ2 ，ＷＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，
コージェライト系セラミックス，ＢａＳｎＢ系セラミッ
クス，ＣａＭｇＳｉＡｌＢ系セラミックスのうちから選
択された少くとも一種の粉末を用いたことを特徴とする
積層インダクタの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6311931A JPH08167523A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 積層インダクタ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6311931A JPH08167523A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 積層インダクタ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167523A true JPH08167523A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=18023159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6311931A Pending JPH08167523A (ja) | 1994-12-15 | 1994-12-15 | 積層インダクタ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167523A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7605682B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-10-20 | Fdk Corporation | Magnetic core type laminated inductor |
| KR101039038B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2011-06-07 | 주식회사 지오 | 적층형 칩인덕터 및 그의 제조방법 |
| JP2013055232A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
-
1994
- 1994-12-15 JP JP6311931A patent/JPH08167523A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7605682B2 (en) | 2003-07-24 | 2009-10-20 | Fdk Corporation | Magnetic core type laminated inductor |
| KR101039038B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2011-06-07 | 주식회사 지오 | 적층형 칩인덕터 및 그의 제조방법 |
| JP2013055232A (ja) * | 2011-09-05 | 2013-03-21 | Murata Mfg Co Ltd | 積層インダクタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3197022B2 (ja) | ノイズサプレッサ用積層セラミック部品 | |
| EP1710814B1 (en) | Laminated coil | |
| US20140085038A1 (en) | Electronic component | |
| JP2000182834A (ja) | 積層型インダクタンス素子及びその製造方法 | |
| JP3364174B2 (ja) | チップフェライト部品およびその製造方法 | |
| JP4736311B2 (ja) | 磁性フェライトおよびそれを用いた磁性素子 | |
| JPH08124746A (ja) | 積層インダクタ | |
| JPH08167523A (ja) | 積層インダクタ及びその製造方法 | |
| JP2001010820A (ja) | フェライト組成物、フェライト焼結体、積層型電子部品およびこれらの製造方法 | |
| JPH0891919A (ja) | 酸化物磁性材料組成物とその製造方法、ならびにインダクタ、積層チップインダクタ、および複合積層部品 | |
| JP3337713B2 (ja) | ノイズサブレッサ | |
| JPH08236354A (ja) | 積層インダクタ | |
| JP3320096B2 (ja) | 積層型インダクタおよびその製造方法 | |
| JPH1092624A (ja) | 六方晶ｚ型磁性酸化物焼結体、その製造方法およびインピーダンス素子 | |
| JPH10106840A (ja) | 積層インダクタンス素子 | |
| JP2002170740A (ja) | Ｌｃ複合部品 | |
| JP3035479B2 (ja) | 積層型インダクタンス素子 | |
| JP3097296B2 (ja) | 積層ｔ型ｌｃフィルタ | |
| JPH05136001A (ja) | 積層電子部品 | |
| JP3208842B2 (ja) | Ｌｃ複合電子部品 | |
| JPH09186017A (ja) | 積層インダクタおよびその製造方法 | |
| JPH05121241A (ja) | インダクタンス部品およびその製造方法 | |
| JPH09180938A (ja) | 積層インダクタおよびその製造方法 | |
| JP4449091B2 (ja) | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 | |
| JPH08330137A (ja) | 積層インダクタ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20011121 |