JPH06251995A - 積層ｌｃ部品 - Google Patents
積層ｌｃ部品Info
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- JPH06251995A JPH06251995A JP3661493A JP3661493A JPH06251995A JP H06251995 A JPH06251995 A JP H06251995A JP 3661493 A JP3661493 A JP 3661493A JP 3661493 A JP3661493 A JP 3661493A JP H06251995 A JPH06251995 A JP H06251995A
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- laminated
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- capacitor
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 誘磁性体材料からなる磁性体グリーンシート
とを直接接合でき、且つ充分な特性が得られる誘電体材
料を用いて、積層工程が簡単で、かつ安定した特性の積
層ＬＣ部品を提供する。 【構成】複数の誘電体層１ａ〜１ｆ間に互いに対向しあ
う低抵抗金属材料のコンデンサ電極２ａ、２ｂを配置し
たコンデンサ部Ｘと、複数の磁性体層１ｆ〜１ｊ間にコ
イルとなる低抵抗金属材料のコイル導体パターン３を配
置したインダクタ部Ｙとを積層して成る積層ＬＣ部品に
おいて、前記誘電体層１ａ〜１ｆは、ＴｉＯ2 、ＮｄＯ
2 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分にホウ珪酸ガ
ラスを１〜１５重量％の割合で含有して構成されてい
る。
とを直接接合でき、且つ充分な特性が得られる誘電体材
料を用いて、積層工程が簡単で、かつ安定した特性の積
層ＬＣ部品を提供する。 【構成】複数の誘電体層１ａ〜１ｆ間に互いに対向しあ
う低抵抗金属材料のコンデンサ電極２ａ、２ｂを配置し
たコンデンサ部Ｘと、複数の磁性体層１ｆ〜１ｊ間にコ
イルとなる低抵抗金属材料のコイル導体パターン３を配
置したインダクタ部Ｙとを積層して成る積層ＬＣ部品に
おいて、前記誘電体層１ａ〜１ｆは、ＴｉＯ2 、ＮｄＯ
2 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分にホウ珪酸ガ
ラスを１〜１５重量％の割合で含有して構成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、複数の誘電体層間にコ
ンデンサ電極を配置して成るコンデンサ部と複数の磁性
体層間にコイル導体パターンを配置して成るインダクタ
部とを積層、一体化した積層ＬＣ部品に関するものであ
る。
ンデンサ電極を配置して成るコンデンサ部と複数の磁性
体層間にコイル導体パターンを配置して成るインダクタ
部とを積層、一体化した積層ＬＣ部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、酸化物誘電体材料としては、
ＢａＴｉＯ3 を中心とした様々な誘電体複合材料が報告
されている。複合する理由は、比誘電率、品質係数及び
絶縁抵抗の向上や温度特性の抑制など様々な欠点を改善
するためである。これらの改善・改良が加えられた誘電
体材料を用いた電子部品としては、例えば誘電体層内に
コンデンサ電極を内蔵した積層セラミックコンデンサや
誘電体基板表裏面に電極を形成した圧電部品などがあっ
た。
ＢａＴｉＯ3 を中心とした様々な誘電体複合材料が報告
されている。複合する理由は、比誘電率、品質係数及び
絶縁抵抗の向上や温度特性の抑制など様々な欠点を改善
するためである。これらの改善・改良が加えられた誘電
体材料を用いた電子部品としては、例えば誘電体層内に
コンデンサ電極を内蔵した積層セラミックコンデンサや
誘電体基板表裏面に電極を形成した圧電部品などがあっ
た。
【０００３】近年、また、誘電体材料から成る積層され
た誘電体基板に１つ以上のコンデンサを形成したコンデ
ンサ部と、磁性体材料から成る積層された磁性体基板に
コイル導体パターンを形成したインダクタ部とを積層一
体化したＬＣ部品があった。
た誘電体基板に１つ以上のコンデンサを形成したコンデ
ンサ部と、磁性体材料から成る積層された磁性体基板に
コイル導体パターンを形成したインダクタ部とを積層一
体化したＬＣ部品があった。
【０００４】その具体的な構造は、積層基板として積層
誘電体部（コンデンサ部）と積層磁性体部（インダクタ
部）とから成り、コンデンサ部には、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
などからなるコンデンサ電極が積層方向に対向しあうよ
うに配置されている。また、インダクタ部には、各磁性
体層間にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄなどから成り、コイル導体パ
ターンが形成されており、異なる磁性体層間に配置され
たコイル導体パターンとビアーホール導体を介して接続
されて、一連のコイルを形成していた。
誘電体部（コンデンサ部）と積層磁性体部（インダクタ
部）とから成り、コンデンサ部には、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ
などからなるコンデンサ電極が積層方向に対向しあうよ
うに配置されている。また、インダクタ部には、各磁性
体層間にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄなどから成り、コイル導体パ
ターンが形成されており、異なる磁性体層間に配置され
たコイル導体パターンとビアーホール導体を介して接続
されて、一連のコイルを形成していた。
【０００５】コンデンサ部とインダクタ部とは、積層基
板の端面に形成した端子電極や、またビアーホール導体
などを介して、所定回路になるように接続されていた。
板の端面に形成した端子電極や、またビアーホール導体
などを介して、所定回路になるように接続されていた。
【０００６】このような積層ＬＣ部品は、誘電体層とな
る誘電体グリーンシート上に、所定形状のコンデンサ電
極を形成し、また、磁性体層となる磁性体グリーンシー
ト上に、コイル導体パターンを形成し、これらの複数の
誘電体グリーンシートと複数の磁性体グリーンシートを
積層して、熱圧着を行い、一体的に焼成していた。この
焼成により、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシ
ート、コンデンサ電極及びコイル導体パターンが一括的
に焼結されることになる。特に、コイル導体パターン
は、低抵抗が要求されるため、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ系など
の低抵抗金属材料を使用することになる。コイル導体パ
ターンと同時に焼結される誘電体グリーンシート、磁性
体グリーンシート、コンデンサ電極を共に、低抵抗金属
材料の融点以下の比較的低い温度で焼成可能な材料を用
いる必要がある。
る誘電体グリーンシート上に、所定形状のコンデンサ電
極を形成し、また、磁性体層となる磁性体グリーンシー
ト上に、コイル導体パターンを形成し、これらの複数の
誘電体グリーンシートと複数の磁性体グリーンシートを
積層して、熱圧着を行い、一体的に焼成していた。この
焼成により、誘電体グリーンシート、磁性体グリーンシ
ート、コンデンサ電極及びコイル導体パターンが一括的
に焼結されることになる。特に、コイル導体パターン
は、低抵抗が要求されるため、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ系など
の低抵抗金属材料を使用することになる。コイル導体パ
ターンと同時に焼結される誘電体グリーンシート、磁性
体グリーンシート、コンデンサ電極を共に、低抵抗金属
材料の融点以下の比較的低い温度で焼成可能な材料を用
いる必要がある。
【０００７】ここで、特に注意を要するものとしては、
誘電体層材料が上げられる。コンデンサの特性は、電極
の対向面積や対向数によっても決定されるが、根本的に
は材料固有の特性、例えば、比誘電率、品質係数Ｑ値、
絶縁抵抗などによって大きく左右されるからである。
誘電体層材料が上げられる。コンデンサの特性は、電極
の対向面積や対向数によっても決定されるが、根本的に
は材料固有の特性、例えば、比誘電率、品質係数Ｑ値、
絶縁抵抗などによって大きく左右されるからである。
【０００８】また、誘電体層は全く異なる材料の磁性体
層と一体焼結するために、両材料の温度係数の和を０に
近くしたり、焼成工程における収縮挙動を合致させる必
要がある。
層と一体焼結するために、両材料の温度係数の和を０に
近くしたり、焼成工程における収縮挙動を合致させる必
要がある。
【０００９】そこで、従来は、コンデンサ部とインダク
タ部との境界部分に、両シートの材料等を混合して形成
した緩衝材料からなる緩衝層や中間層を配置していた
（特公平２−１９６１３、実公昭６３−３９９５８、特
開昭６３−７６３１３号）。
タ部との境界部分に、両シートの材料等を混合して形成
した緩衝材料からなる緩衝層や中間層を配置していた
（特公平２−１９６１３、実公昭６３−３９９５８、特
開昭６３−７６３１３号）。
【００１０】また、積層誘電体部に用いる誘電体材料
と、積層磁性体部に用いる材料とから新たな誘電体材料
を作成し、同一材料で、全体の積層基板を構成すること
も考えられていた。
と、積層磁性体部に用いる材料とから新たな誘電体材料
を作成し、同一材料で、全体の積層基板を構成すること
も考えられていた。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】中間層や緩衝層をコン
デンサ部とインダクタ部との間に配置することは、積層
工程数の増加につながり、コスト高になってしまうとい
う問題点があった。
デンサ部とインダクタ部との間に配置することは、積層
工程数の増加につながり、コスト高になってしまうとい
う問題点があった。
【００１２】また、誘電体材料と、磁性体材料とから新
たな誘電体材料を作成することは、本来の誘電体材料と
しての特性、例えば比誘電率や品質係数Ｑ値などを充分
に満足できず、積層数の多いコンデンサ部となってしま
うことがある。
たな誘電体材料を作成することは、本来の誘電体材料と
しての特性、例えば比誘電率や品質係数Ｑ値などを充分
に満足できず、積層数の多いコンデンサ部となってしま
うことがある。
【００１３】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は緩衝層、中間層などを用いること
なく、また、誘電体層を構成する誘電体材料の基本特性
を劣化させることなく、磁性体層との焼結挙動を近似さ
せることができる誘電体材料を用いて、積層基板を構成
した積層ＬＣ複合部品を提供することにある。
のであり、その目的は緩衝層、中間層などを用いること
なく、また、誘電体層を構成する誘電体材料の基本特性
を劣化させることなく、磁性体層との焼結挙動を近似さ
せることができる誘電体材料を用いて、積層基板を構成
した積層ＬＣ複合部品を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
誘電体層間に互いに対向しあう低抵抗金属材料のコンデ
ンサ電極を配置したコンデンサ部と、複数の磁性体層間
にコイルとなる低抵抗金属材料のコイル導体パターンを
配置したインダクタ部とを積層して成る積層ＬＣ部品に
おいて、前記誘電体層は、ＴｉＯ2 、ＮｄＯ2 、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分にホウ珪酸ガラスを１〜
１５重量％の割合で含有して構成され、また、前記磁性
体層はＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分と
して構成されていることを特徴とする積層ＬＣ部品であ
る。
誘電体層間に互いに対向しあう低抵抗金属材料のコンデ
ンサ電極を配置したコンデンサ部と、複数の磁性体層間
にコイルとなる低抵抗金属材料のコイル導体パターンを
配置したインダクタ部とを積層して成る積層ＬＣ部品に
おいて、前記誘電体層は、ＴｉＯ2 、ＮｄＯ2 、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分にホウ珪酸ガラスを１〜
１５重量％の割合で含有して構成され、また、前記磁性
体層はＦｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分と
して構成されていることを特徴とする積層ＬＣ部品であ
る。
【００１５】
【作用】以上のように、誘電体層は、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分に、ホウ珪
酸ガラスを添加し、低抵抗金属材料の融点以下である９
００℃程度で焼結可能な誘電体層となる。
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 を主成分に、ホウ珪
酸ガラスを添加し、低抵抗金属材料の融点以下である９
００℃程度で焼結可能な誘電体層となる。
【００１６】特に、ＴｉＯ2 ２５〜３５重量％ Ｎｄ2 Ｏ3 ２５〜３５重量％ ＢａＴｉＯ3 １５〜２５重量％ ＳｒＴｉＯ3 ５〜２０重量％ の割合から構成され、その他の微量成分として、Ｐｂ3
Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯが添加され、さら
に、主成分及び微量成分に対して、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、
Ｐ2 Ｏ5 などを含有するホウ珪酸ガラスを１〜１５重量
％、好ましくは３〜１２重量％添加すると、誘電体材料
としての基本的な特性である比誘電率、品質係数Ｑ値、
絶縁抵抗がともにコンデンサを形成するのに実用的な範
囲となり、さらに、Ｎｉ−ＺＮ−Ｃｕフェライトなどか
ら磁性体材料のグリーンシートの焼結挙動を近似させる
ことができ、収縮率の差による剥離、ソリが有効に防止
できる。
Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯが添加され、さら
に、主成分及び微量成分に対して、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、
Ｐ2 Ｏ5 などを含有するホウ珪酸ガラスを１〜１５重量
％、好ましくは３〜１２重量％添加すると、誘電体材料
としての基本的な特性である比誘電率、品質係数Ｑ値、
絶縁抵抗がともにコンデンサを形成するのに実用的な範
囲となり、さらに、Ｎｉ−ＺＮ−Ｃｕフェライトなどか
ら磁性体材料のグリーンシートの焼結挙動を近似させる
ことができ、収縮率の差による剥離、ソリが有効に防止
できる。
【００１７】上述の誘電体層の組成において、ホウ珪酸
ガラスの添加量を１５重量％を上限としたのは、電気的
特性の劣化を考慮したもので、１５重量％を越えると品
質係数Ｑ値の劣化が著しいものとなってしまう。また、
ホウ珪酸ガラスの添加量を１重量％未満になると、低温
での焼成が不可能となる。
ガラスの添加量を１５重量％を上限としたのは、電気的
特性の劣化を考慮したもので、１５重量％を越えると品
質係数Ｑ値の劣化が著しいものとなってしまう。また、
ホウ珪酸ガラスの添加量を１重量％未満になると、低温
での焼成が不可能となる。
【００１８】また、ＴｉＯ2 が３５重量％を越えると、
負の温度係数が大きくなり過ぎ、２５重量％未満になる
と、温度係数がゼロに近づく。これにより、磁性体層と
の積層後の温度係数の和がゼロから大きく外れてしま
う。
負の温度係数が大きくなり過ぎ、２５重量％未満になる
と、温度係数がゼロに近づく。これにより、磁性体層と
の積層後の温度係数の和がゼロから大きく外れてしま
う。
【００１９】また、Ｎｄ2 Ｏ3 が３５重量％を越える
と、温度係数がゼロに近づき、やがて正の係数となって
しまい、２５重量％未満になると、負の温度係数がさら
に大きくなる。これにより、磁性体層との積層後の温度
係数の和がゼロから大きく外れてしまう。
と、温度係数がゼロに近づき、やがて正の係数となって
しまい、２５重量％未満になると、負の温度係数がさら
に大きくなる。これにより、磁性体層との積層後の温度
係数の和がゼロから大きく外れてしまう。
【００２０】また、ＢａＴｉＯ3 が２５重量％を越える
と、品質係数Ｑ値が大きく劣化してしまい、１５重量％
未満になると、温度係数がゼロに近づいてしまう。これ
により、磁性体層との積層後の温度係数の和がゼロから
大きく外れてしまう。
と、品質係数Ｑ値が大きく劣化してしまい、１５重量％
未満になると、温度係数がゼロに近づいてしまう。これ
により、磁性体層との積層後の温度係数の和がゼロから
大きく外れてしまう。
【００２１】また、ＳｒＴｉＯ3 が２０重量％を越える
と、負の温度係数がさらに大きくなり、５重量％未満に
なると、温度係数がゼロに近づく。これにより、磁性体
層との積層後の温度係数の和がゼロから大きく外れてし
まう。
と、負の温度係数がさらに大きくなり、５重量％未満に
なると、温度係数がゼロに近づく。これにより、磁性体
層との積層後の温度係数の和がゼロから大きく外れてし
まう。
【００２２】尚、ＳｒＴｉＯ3 は、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ
3 、ＢａＴｉＯ3 の三者による温度特性の調整のために
添加されるものであり、調合のばらつき程度でその範囲
を越えても構わない。
3 、ＢａＴｉＯ3 の三者による温度特性の調整のために
添加されるものであり、調合のばらつき程度でその範囲
を越えても構わない。
【００２３】従って、主成分の量比の範囲を越えると、
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトとの温度特性のマッチング
が損なわれ、ＬＣ部品として適さなくなる。また、微量
成分を添加しないと、約９００℃の低温焼成が安定して
行うことができない。
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトとの温度特性のマッチング
が損なわれ、ＬＣ部品として適さなくなる。また、微量
成分を添加しないと、約９００℃の低温焼成が安定して
行うことができない。
【００２４】
【実施例】以下、本発明の積層ＬＣ部品を図面に基づい
て詳説する。
て詳説する。
【００２５】図１は、本発明の積層ＬＣ部品の外観図、
図２はその断面図、図３は積層基板の分解斜視図を夫々
示す。
図２はその断面図、図３は積層基板の分解斜視図を夫々
示す。
【００２６】図１において、積層ＬＣ部品１０は、積層
基板１と該基板１の端面に形成された端子電極５、６と
から構成されている。さらに積層基板１は、複数の誘電
体層１ａ〜１ｅから成る積層誘電体部（コンデンサ部）
Ｘ、複数の磁性体層１ｆ〜１ｊから成る積層磁性体部
（インダクタ部）Ｙとから構成されている。
基板１と該基板１の端面に形成された端子電極５、６と
から構成されている。さらに積層基板１は、複数の誘電
体層１ａ〜１ｅから成る積層誘電体部（コンデンサ部）
Ｘ、複数の磁性体層１ｆ〜１ｊから成る積層磁性体部
（インダクタ部）Ｙとから構成されている。
【００２７】誘電体層１ａ〜１ｅは、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3を主成分としてＰｂ
3 Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯなどの微量成分
と、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などを含有するホウ珪
酸ガラスを添加した材料から構成されている。
Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3を主成分としてＰｂ
3 Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯなどの微量成分
と、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などを含有するホウ珪
酸ガラスを添加した材料から構成されている。
【００２８】積層誘電体部Ｘには、少なくとも１つのコ
ンデンサが構成されている。具体的には誘電体層１ａ〜
１ｅの各層間にコンデンサ電極２ａ又は２ｂが形成され
る。
ンデンサが構成されている。具体的には誘電体層１ａ〜
１ｅの各層間にコンデンサ電極２ａ又は２ｂが形成され
る。
【００２９】コンデンサ電極２ａ、２ｂは、積層誘電体
部Ｘの対向する端面に交互に延出するように配置されて
いる。これにより、コンデンサ電極２ａと２ｂとの間
で、両電極２ａ、２ｂに挟まれた誘電体層の比誘電率、
対向面積に対応した容量が発生する。
部Ｘの対向する端面に交互に延出するように配置されて
いる。これにより、コンデンサ電極２ａと２ｂとの間
で、両電極２ａ、２ｂに挟まれた誘電体層の比誘電率、
対向面積に対応した容量が発生する。
【００３０】磁性体層１ｆ〜１ｊは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト材料から構成されている。積層磁性体部Ｙに
は、少なくとも１つのコイルが構成されている。具体的
には磁性体層１ｆ〜１ｊの各層間にコイルを形成するた
めのコイル導体パターン３・・・が形成されている。各
層間のコイル導体パターン３・・・の終点部分には、下
側の層間のコイル導体パターン３の始点と接続するビア
ホール導体４を形成する。
フェライト材料から構成されている。積層磁性体部Ｙに
は、少なくとも１つのコイルが構成されている。具体的
には磁性体層１ｆ〜１ｊの各層間にコイルを形成するた
めのコイル導体パターン３・・・が形成されている。各
層間のコイル導体パターン３・・・の終点部分には、下
側の層間のコイル導体パターン３の始点と接続するビア
ホール導体４を形成する。
【００３１】これにより、コイル全体の始点３ｘからコ
イルの終点３ｙまでが１連のコイルとなる。図２、図３
においては、コイルの始点３ｘ及び終点３ｙの端部は積
層基板１の対向する端部に夫々延出して、積層基板１の
対向する端面に形成した端子電極５、６を介してコンデ
ンサ電極２ａ、２ｂと接続する。これにより、コンデン
サとコイルとが互いに並列的に接続されることになる。
イルの終点３ｙまでが１連のコイルとなる。図２、図３
においては、コイルの始点３ｘ及び終点３ｙの端部は積
層基板１の対向する端部に夫々延出して、積層基板１の
対向する端面に形成した端子電極５、６を介してコンデ
ンサ電極２ａ、２ｂと接続する。これにより、コンデン
サとコイルとが互いに並列的に接続されることになる。
【００３２】上述の製造方法は、まず、積層誘電体部Ｘ
となる誘電体材料からなるグリンーシートを形成する。
具体的には、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、Ｓ
ｒＴｉＯ3 及び微量成分（Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｃ
ｕＯ、ＺｎＯなど）を用いて、ＴｉＯ2 ：Ｎｄ2 Ｏ3 ：
ＢａＴｉＯ3 ：ＳｒＴｉＯ3 ：微量成分＝２８：２７：
１９：１３：１２となるように秤量混合した。次に、上
記成分に対して、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などから
成るホウ珪酸ガラスの粉末を１〜１５重量％添加混合し
た。
となる誘電体材料からなるグリンーシートを形成する。
具体的には、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＢａＴｉＯ3 、Ｓ
ｒＴｉＯ3 及び微量成分（Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｃ
ｕＯ、ＺｎＯなど）を用いて、ＴｉＯ2 ：Ｎｄ2 Ｏ3 ：
ＢａＴｉＯ3 ：ＳｒＴｉＯ3 ：微量成分＝２８：２７：
１９：１３：１２となるように秤量混合した。次に、上
記成分に対して、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などから
成るホウ珪酸ガラスの粉末を１〜１５重量％添加混合し
た。
【００３３】この混合物を仮焼、粉砕し、バインダー混
合後、ドクターブレード法などでテープ成型し、所定大
きさのシートに裁断する。
合後、ドクターブレード法などでテープ成型し、所定大
きさのシートに裁断する。
【００３４】また、積層磁性体部Ｙとなる磁性体材料か
らなるグリンーシートを形成する。
らなるグリンーシートを形成する。
【００３５】具体的には、Ｆｅ2 Ｏ3 が４７．７モル
％、ＮｉＯが２０．１モル％、ＺｎＯが２３．２モル
％、ＣｕＯが１０モル％になるように秤量して混合し
た。この混合物を仮焼、粉砕し、バインダー混合後、ド
クターブレード法などでテープ成型し、所定大きさのシ
ートに裁断する。
％、ＮｉＯが２０．１モル％、ＺｎＯが２３．２モル
％、ＣｕＯが１０モル％になるように秤量して混合し
た。この混合物を仮焼、粉砕し、バインダー混合後、ド
クターブレード法などでテープ成型し、所定大きさのシ
ートに裁断する。
【００３６】このようにして得られた誘電体グリーンシ
ートの処理として、誘電体層１ａと１ｂとの間のコンデ
ンサ電極２ａとなる導体膜を、誘電体層１ｂとなるグリ
ーンシート上に、また、誘電体層１ｂと１ｃとの間のコ
ンデンサ電極２ｂとなる導体膜を、誘電体層１ｃとなる
グリーンシート上に、Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系、その合
金を主成分とする導電性ペーストを用いてスクリーン印
刷を施す。尚、他の誘電体層間のコンデンサ電極２ａ、
２ｂとなる導体膜も同様に印刷形成する。
ートの処理として、誘電体層１ａと１ｂとの間のコンデ
ンサ電極２ａとなる導体膜を、誘電体層１ｂとなるグリ
ーンシート上に、また、誘電体層１ｂと１ｃとの間のコ
ンデンサ電極２ｂとなる導体膜を、誘電体層１ｃとなる
グリーンシート上に、Ａｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系、その合
金を主成分とする導電性ペーストを用いてスクリーン印
刷を施す。尚、他の誘電体層間のコンデンサ電極２ａ、
２ｂとなる導体膜も同様に印刷形成する。
【００３７】次に、磁性体グリーンシートの処理とし
て、まず、コイル導体パターンが形成されるグリーンシ
ートにビアホール導体４となるスルーホールを形成し、
続いて、該スルーホールを充填するように、Ａｕ系、Ａ
ｇ系、Ｃｕ系、その合金を主成分とする導電性ペースト
を用いてスクリーン印刷を施す。また、この印刷に続い
てまたは同時に、コイル導体パターンとなる導体膜をＡ
ｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系、その合金を主成分とする導電性
ペーストを用いてスクリーン印刷を施す。
て、まず、コイル導体パターンが形成されるグリーンシ
ートにビアホール導体４となるスルーホールを形成し、
続いて、該スルーホールを充填するように、Ａｕ系、Ａ
ｇ系、Ｃｕ系、その合金を主成分とする導電性ペースト
を用いてスクリーン印刷を施す。また、この印刷に続い
てまたは同時に、コイル導体パターンとなる導体膜をＡ
ｕ系、Ａｇ系、Ｃｕ系、その合金を主成分とする導電性
ペーストを用いてスクリーン印刷を施す。
【００３８】次に、上述の処理を施した複数の誘電体グ
リーンシート及び複数の磁性体グリーンシートを順次積
層して、熱圧着を行う。
リーンシート及び複数の磁性体グリーンシートを順次積
層して、熱圧着を行う。
【００３９】その後所定大きさに裁断し、特に、対向す
る積層基板１の端面にコンデンサ電極２ａ、２ｂの一端
及びコイルの始点３ｘ及び終点３ｙを延出するように処
理する。
る積層基板１の端面にコンデンサ電極２ａ、２ｂの一端
及びコイルの始点３ｘ及び終点３ｙを延出するように処
理する。
【００４０】次に、脱バインダー工程、焼成工程を行
う。具体的には、酸化性雰囲気、還元性雰囲気又は中性
雰囲気（導電性ペーストの材料で選択）で、約９００℃
の焼成を行い、各誘電体層１ａ〜１ｅとなる誘電体グリ
ーンシート、各磁性体層１ｆ〜１ｊとなる磁性体グリー
ンシート、コンデンサ電極２ａ、２ｂとなる導体膜及び
コイル導体パターン３となる導体膜を一体的に焼結をす
る。
う。具体的には、酸化性雰囲気、還元性雰囲気又は中性
雰囲気（導電性ペーストの材料で選択）で、約９００℃
の焼成を行い、各誘電体層１ａ〜１ｅとなる誘電体グリ
ーンシート、各磁性体層１ｆ〜１ｊとなる磁性体グリー
ンシート、コンデンサ電極２ａ、２ｂとなる導体膜及び
コイル導体パターン３となる導体膜を一体的に焼結をす
る。
【００４１】このように得られた積層基板１の対向する
端面に、端子電極４、５として、Ａｇなどの導電性ペー
ストを塗布、転写などの厚膜手法により形成して、所定
温度で焼きつけを行う。その後必要に応じて、Ａｇなど
の厚膜導体層上にはＮｉ又は半田メッキを施しても構わ
ない。
端面に、端子電極４、５として、Ａｇなどの導電性ペー
ストを塗布、転写などの厚膜手法により形成して、所定
温度で焼きつけを行う。その後必要に応じて、Ａｇなど
の厚膜導体層上にはＮｉ又は半田メッキを施しても構わ
ない。
【００４２】上述の構造の積層ＬＣ部品において、夫々
導体膜の形成などを施した誘電体グリーンシートと磁性
体グリンーシートとが直接積層されて、一体的に焼結さ
れて構成されている。
導体膜の形成などを施した誘電体グリーンシートと磁性
体グリンーシートとが直接積層されて、一体的に焼結さ
れて構成されている。
【００４３】これは、誘電体グリーンシートとなる誘電
体材料に、添加物として混合したホウ珪酸ガラスを所定
量添加することにより、誘電体材料の基本特性である比
誘電率、品質係数Ｑ値、絶縁抵抗を実用的な値に維持し
て、且つ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトからなる磁性体
グリーンシートの焼結による収縮挙動を近似させること
ができたためである。これにより、積層数の少なく製造
工程が簡単で、安定した特性が導出できるＬＣ部品とな
る。
体材料に、添加物として混合したホウ珪酸ガラスを所定
量添加することにより、誘電体材料の基本特性である比
誘電率、品質係数Ｑ値、絶縁抵抗を実用的な値に維持し
て、且つ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトからなる磁性体
グリーンシートの焼結による収縮挙動を近似させること
ができたためである。これにより、積層数の少なく製造
工程が簡単で、安定した特性が導出できるＬＣ部品とな
る。
【００４４】本発明者は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト
からなる磁性体グリーンシートの焼結挙動が近似した誘
電体層を調べるために、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 及び微量成分（Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯなど）を用いて、ＴｉＯ2 ：Ｎ
ｄ2 Ｏ3 ：ＢａＴｉＯ3 ：ＳｒＴｉＯ3 ：微量成分＝２
８：２７：１９：１３：１２となるように秤量混合物
に、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などから成るホウ珪酸
ガラスの粉末を０〜２０．０重量％の範囲で添加混合し
た７つの試料を作成し、比誘電率、品質係数Ｑ値、絶縁
抵抗を調べ、さらに上述の磁性体層との最大収縮差を求
めた。
からなる磁性体グリーンシートの焼結挙動が近似した誘
電体層を調べるために、ＴｉＯ2 、Ｎｄ2 Ｏ3 、ＢａＴ
ｉＯ3 、ＳｒＴｉＯ3 及び微量成分（Ｐｂ3 Ｏ4 、Ｂｉ
2 Ｏ3 、ＣｕＯ、ＺｎＯなど）を用いて、ＴｉＯ2 ：Ｎ
ｄ2 Ｏ3 ：ＢａＴｉＯ3 ：ＳｒＴｉＯ3 ：微量成分＝２
８：２７：１９：１３：１２となるように秤量混合物
に、Ｎａ2 Ｏ、ＣａＯ、Ｐ2 Ｏ5 などから成るホウ珪酸
ガラスの粉末を０〜２０．０重量％の範囲で添加混合し
た７つの試料を作成し、比誘電率、品質係数Ｑ値、絶縁
抵抗を調べ、さらに上述の磁性体層との最大収縮差を求
めた。
【００４５】尚、実用に供される誘電体材料の目標値
を、比誘電率を６０以上、品質係数Ｑ値を８０００以
上、絶縁抵抗を１×１０4 （ＭΩ・cm) 以上とした。
を、比誘電率を６０以上、品質係数Ｑ値を８０００以
上、絶縁抵抗を１×１０4 （ＭΩ・cm) 以上とした。
【００４６】
【表１】
【００４７】以上のように、ホウ珪酸ガラスの添加量が
増えるにしたがい、磁性体材料との収縮差は小さくなる
傾向があるものの、同時に、比誘電率、品質係数Ｑ値が
劣化する傾向にある。特に、試料７のように、ホウ珪酸
ガラスの添加量が１５．０重量％を越えると、比誘電率
が６０以下となり、品質係数Ｑ値が８００を大きく下回
ってしまう。
増えるにしたがい、磁性体材料との収縮差は小さくなる
傾向があるものの、同時に、比誘電率、品質係数Ｑ値が
劣化する傾向にある。特に、試料７のように、ホウ珪酸
ガラスの添加量が１５．０重量％を越えると、比誘電率
が６０以下となり、品質係数Ｑ値が８００を大きく下回
ってしまう。
【００４８】逆に、試料１のように、ホウ珪酸ガラスの
添加量がない場合には、誘電体層としての諸特性は満足
のゆくものではあるが、磁性耐材料との最大収縮差が
８．６％となり、磁性体層との間で、剥離、そり、クラ
ックと言った不良をなくすことができなくなる。
添加量がない場合には、誘電体層としての諸特性は満足
のゆくものではあるが、磁性耐材料との最大収縮差が
８．６％となり、磁性体層との間で、剥離、そり、クラ
ックと言った不良をなくすことができなくなる。
【００４９】〔他の実施例〕上述の実施例では、１つの
コンデンサ部と１つインダクタ部とが互いに並列接続さ
れているが、コンデンサ部の積層数を任意に変え、さら
に２以上のコンデンサを形成してもよく、また、インダ
クタ部も２以上のコイルを形成してもよく、また接続構
造を、端子電極やビアホール導体を用いて、直列接続、
Ｔ接続またはΠ接続などに変更しても構わない。
コンデンサ部と１つインダクタ部とが互いに並列接続さ
れているが、コンデンサ部の積層数を任意に変え、さら
に２以上のコンデンサを形成してもよく、また、インダ
クタ部も２以上のコイルを形成してもよく、また接続構
造を、端子電極やビアホール導体を用いて、直列接続、
Ｔ接続またはΠ接続などに変更しても構わない。
【００５０】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、誘電体
層と磁性体層とを直接積層して、一体的に焼結しても、
その間で剥離、反り、クラックといった不良が一切発生
せず、さらに、コンデンサを形成するに良好な特性が維
持でき、積層工程が簡単で、かつ安定した特性を導出で
きる積層ＬＣ部品となる。
層と磁性体層とを直接積層して、一体的に焼結しても、
その間で剥離、反り、クラックといった不良が一切発生
せず、さらに、コンデンサを形成するに良好な特性が維
持でき、積層工程が簡単で、かつ安定した特性を導出で
きる積層ＬＣ部品となる。
【図１】本発明の積層ＬＣ部品の外観斜視図である。
【図２】本発明の積層ＬＣ部品の断面図である。
【図３】本発明の積層基板の分解斜視図である。
１・・・・・・積層体基板 １ａ〜１ｅ・・・誘電体層 １ｆ〜１ｊ・・・磁性体層 ５、６・・・・・端子電極 ２ａ、２ｂ・・・コンデンサ電極 ３・・・・・・・コイル導体パターン ４・・・・・・ビアホール導体 Ｘ・・・・・・コンデンサ部 Ｙ・・・・・・コイル部
Claims (1)
- 【請求項１】 複数の誘電体層間に互いに対向しあう低
抵抗金属材料のコンデンサ電極を配置したコンデンサ部
と、複数の磁性体層間にコイルとなる低抵抗金属材料の
コイル導体パターンを配置したインダクタ部とを積層し
て成る積層ＬＣ部品において、 前記誘電体層は、ＴｉＯ2 、ＮｄＯ2 、ＢａＴｉＯ3 、
ＳｒＴｉＯ3 を主成分にホウ珪酸ガラスを１〜１５重量
％の割合で含有して構成され、また、前記磁性体層はＦ
ｅ2 Ｏ3 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分として構成
されていることを特徴とする積層ＬＣ部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3661493A JPH06251995A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 積層ｌｃ部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3661493A JPH06251995A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 積層ｌｃ部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06251995A true JPH06251995A (ja) | 1994-09-09 |
Family
ID=12474688
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3661493A Pending JPH06251995A (ja) | 1993-02-25 | 1993-02-25 | 積層ｌｃ部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06251995A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1978004A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-08 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, complex electronic device and multilayer ceramic capacitor |
| US20130043970A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for achieving galvanic isolation in package having integral isolation medium |
| US9905365B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-02-27 | Tdk Corporation | Composite electronic device |
| US10090769B2 (en) | 2016-11-29 | 2018-10-02 | Texas Instruments Incorporated | Isolated high frequency DC/DC switching regulator |
| US10432102B2 (en) | 2017-09-22 | 2019-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Isolated phase shifted DC to DC converter with secondary side regulation and sense coil to reconstruct primary phase |
| US10601332B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Isolated DC-DC converter |
| US10761111B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-09-01 | Texas Instruments Incorporated | System and method for control of automated test equipment contactor |
| US10903746B2 (en) | 2016-08-05 | 2021-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Load dependent in-rush current control with fault detection across Iso-barrier |
-
1993
- 1993-02-25 JP JP3661493A patent/JPH06251995A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7799718B2 (en) | 2007-03-30 | 2010-09-21 | Tdk Corporation | Dielectric ceramic composition, complex electronic device and multilayer ceramic capacitor |
| EP1978004A1 (en) * | 2007-03-30 | 2008-10-08 | TDK Corporation | Dielectric ceramic composition, complex electronic device and multilayer ceramic capacitor |
| US20130043970A1 (en) * | 2011-08-19 | 2013-02-21 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for achieving galvanic isolation in package having integral isolation medium |
| US8674418B2 (en) * | 2011-08-19 | 2014-03-18 | National Semiconductor Corporation | Method and apparatus for achieving galvanic isolation in package having integral isolation medium |
| US9905365B2 (en) | 2015-07-21 | 2018-02-27 | Tdk Corporation | Composite electronic device |
| US10903746B2 (en) | 2016-08-05 | 2021-01-26 | Texas Instruments Incorporated | Load dependent in-rush current control with fault detection across Iso-barrier |
| US10090769B2 (en) | 2016-11-29 | 2018-10-02 | Texas Instruments Incorporated | Isolated high frequency DC/DC switching regulator |
| US10761111B2 (en) | 2017-05-25 | 2020-09-01 | Texas Instruments Incorporated | System and method for control of automated test equipment contactor |
| US10601332B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-03-24 | Texas Instruments Incorporated | Isolated DC-DC converter |
| US10622908B2 (en) | 2017-09-19 | 2020-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Isolated DC-DC converter |
| US11336193B2 (en) | 2017-09-19 | 2022-05-17 | Texas Instmments Incorporated | Isolated DC-DC converter |
| US10432102B2 (en) | 2017-09-22 | 2019-10-01 | Texas Instruments Incorporated | Isolated phase shifted DC to DC converter with secondary side regulation and sense coil to reconstruct primary phase |
| US10727754B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Isolated phase shifted DC to DC converter with secondary side regulation and sense coil to reconstruct primary phase |
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