JP2001297946A - 複合電子部品およびその製造方法 - Google Patents
複合電子部品およびその製造方法Info
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- JP2001297946A JP2001297946A JP2000110989A JP2000110989A JP2001297946A JP 2001297946 A JP2001297946 A JP 2001297946A JP 2000110989 A JP2000110989 A JP 2000110989A JP 2000110989 A JP2000110989 A JP 2000110989A JP 2001297946 A JP2001297946 A JP 2001297946A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電圧や絶縁信頼性の高い複合電子部品およ
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 積層体２０は、インダクタを内蔵した磁
性体積層部２５とコンデンサを内蔵した誘電体積層部３
７とを有している。磁性体積層部２５と誘電体積層部３
７との間には、ガラス層４７が形成されている。そし
て、バレル研磨後の焼結積層体２０を熱処理（例えば７
００〜９００℃）してから、端子電極１１〜１３の表面
をめっき処理する。
びその製造方法を提供する。 【解決手段】 積層体２０は、インダクタを内蔵した磁
性体積層部２５とコンデンサを内蔵した誘電体積層部３
７とを有している。磁性体積層部２５と誘電体積層部３
７との間には、ガラス層４７が形成されている。そし
て、バレル研磨後の焼結積層体２０を熱処理（例えば７
００〜９００℃）してから、端子電極１１〜１３の表面
をめっき処理する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複合電子部品、特
に、ＬＣフィルタ等の複合電子部品およびその製造方法
に関する。
に、ＬＣフィルタ等の複合電子部品およびその製造方法
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、この種の複合電子部品として
は、インダクタＬとコンデンサＣとを組み合わせた積層
型のＬＣ複合部品が知られている。該ＬＣ複合部品の製
造方法は、表面に複数のインダクタパターンを形成した
磁性体セラミックグリーンシートおよび表面に複数のコ
ンデンサパターンを形成した誘電体セラミックグリーン
シートのそれぞれを積み重ねた後、熱圧着して一体成形
し、図４に示すようなマザー成形体５０を製作する。次
に、該マザー成形体５０を一点鎖線５１に従って、所定
サイズ毎に切り出した後、焼成して焼結積層体７０を形
成する。さらに、焼結積層体７０は、エッジ部分をＲ面
取りするためにバレル研磨され、その後、焼結積層体７
０の端面にＡｇペースト等を塗布して外部端子電極６
１，６２，６３を形成する。外部端子電極６１〜６３の
表面には、電解めっき法により、Ｎｉめっきやはんだめ
っきが施される。
は、インダクタＬとコンデンサＣとを組み合わせた積層
型のＬＣ複合部品が知られている。該ＬＣ複合部品の製
造方法は、表面に複数のインダクタパターンを形成した
磁性体セラミックグリーンシートおよび表面に複数のコ
ンデンサパターンを形成した誘電体セラミックグリーン
シートのそれぞれを積み重ねた後、熱圧着して一体成形
し、図４に示すようなマザー成形体５０を製作する。次
に、該マザー成形体５０を一点鎖線５１に従って、所定
サイズ毎に切り出した後、焼成して焼結積層体７０を形
成する。さらに、焼結積層体７０は、エッジ部分をＲ面
取りするためにバレル研磨され、その後、焼結積層体７
０の端面にＡｇペースト等を塗布して外部端子電極６
１，６２，６３を形成する。外部端子電極６１〜６３の
表面には、電解めっき法により、Ｎｉめっきやはんだめ
っきが施される。
【０００３】こうして、インダクタとなる磁性体セラミ
ック部６４とコンデンサとなる誘電体セラミック部６５
を接合した構造を有するＬＣ複合部品６０が得られる。
ック部６４とコンデンサとなる誘電体セラミック部６５
を接合した構造を有するＬＣ複合部品６０が得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、一般に、磁
性体セラミック部６４と誘電体セラミック部６５を一体
焼成すると、磁性体セラミック部６４と誘電体セラミッ
ク部６５との接合界面６８で材料構成元素の相互拡散が
起こり、接合界面部の焼結性が悪くなる。そして、ガラ
ス層を介して接合する方法により接合界面部の焼結不良
部にガラス成分を拡散させ焼結不良を改善することがで
きる。この場合、ガラス拡散した接合界面部の表面に
は、大気中で焼成することにより材料構成元素が大気中
の酸素と反応してなる安定した酸化物が形成されてい
る。
性体セラミック部６４と誘電体セラミック部６５を一体
焼成すると、磁性体セラミック部６４と誘電体セラミッ
ク部６５との接合界面６８で材料構成元素の相互拡散が
起こり、接合界面部の焼結性が悪くなる。そして、ガラ
ス層を介して接合する方法により接合界面部の焼結不良
部にガラス成分を拡散させ焼結不良を改善することがで
きる。この場合、ガラス拡散した接合界面部の表面に
は、大気中で焼成することにより材料構成元素が大気中
の酸素と反応してなる安定した酸化物が形成されてい
る。
【０００５】この安定した酸化物は、焼成後のバレル研
磨工程で削り取られ、焼結性の悪い接合界面部が露出す
ることになる。この状態で外部端子電極６１〜６３上に
電解めっきを施すと、図４に示すように、外部端子電極
６１〜６３から接合界面６８に沿ってめっき伸び６９が
著しく成長するという問題がある。これは、焼結性の悪
い接合界面部の材料構成元素がめっき液中に溶解してそ
の部分の絶縁抵抗が下がり、めっき金属が優先的に析出
するからである。
磨工程で削り取られ、焼結性の悪い接合界面部が露出す
ることになる。この状態で外部端子電極６１〜６３上に
電解めっきを施すと、図４に示すように、外部端子電極
６１〜６３から接合界面６８に沿ってめっき伸び６９が
著しく成長するという問題がある。これは、焼結性の悪
い接合界面部の材料構成元素がめっき液中に溶解してそ
の部分の絶縁抵抗が下がり、めっき金属が優先的に析出
するからである。
【０００６】しかしながら、このようなめっき伸び６９
の成長は、外部端子電極６１〜６３相互間の間隔を狭く
するため、ＬＣ複合部品６０の耐電圧や絶縁信頼性が低
下する等の原因となる。この問題は、磁性体セラミック
部６４と誘電体セラミック部６５の間に、非磁性フェラ
イトからなる中間層や、誘電体と磁性体の混合材料から
なる中間層を介在させたＬＣ複合部品であっても中間層
部の焼結性が悪いと発生する。
の成長は、外部端子電極６１〜６３相互間の間隔を狭く
するため、ＬＣ複合部品６０の耐電圧や絶縁信頼性が低
下する等の原因となる。この問題は、磁性体セラミック
部６４と誘電体セラミック部６５の間に、非磁性フェラ
イトからなる中間層や、誘電体と磁性体の混合材料から
なる中間層を介在させたＬＣ複合部品であっても中間層
部の焼結性が悪いと発生する。
【０００７】そこで、本発明の目的は、耐電圧や絶縁信
頼性の高い複合電子部品およびその製造方法を提供する
ことにある。
頼性の高い複合電子部品およびその製造方法を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び作用】前記目的を達成
するため、本発明に係る複合電子部品は、セラミック層
と導体パターンを積層して構成した第１積層部と、前記
第１積層部のセラミック層の材料とは異なる材料からな
るセラミック層と導体パターンを積層して構成した第２
積層部とを少なくとも有し、ガラス層を介して前記第１
積層部と第２積層部とを一体的に焼成してなる焼結積層
体を熱処理し、該焼結積層体に外部端子電極を設け、該
外部端子電極の表面をめっき処理したことを特徴とす
る。例えば、第１および第２積層部のセラミック層の材
料は、それぞれ磁性体材料および誘電体材料とされる。
するため、本発明に係る複合電子部品は、セラミック層
と導体パターンを積層して構成した第１積層部と、前記
第１積層部のセラミック層の材料とは異なる材料からな
るセラミック層と導体パターンを積層して構成した第２
積層部とを少なくとも有し、ガラス層を介して前記第１
積層部と第２積層部とを一体的に焼成してなる焼結積層
体を熱処理し、該焼結積層体に外部端子電極を設け、該
外部端子電極の表面をめっき処理したことを特徴とす
る。例えば、第１および第２積層部のセラミック層の材
料は、それぞれ磁性体材料および誘電体材料とされる。
【０００９】また、本発明に係る複合電子部品の製造方
法は、（ａ）セラミック層と導体パターンを積層して第
１積層部を構成する工程と、（ｂ）前記第１積層部のセ
ラミック層の材料とは異なる材料からなるセラミック層
と導体パターンを積層して第２積層部を構成する工程
と、（ｃ）前記第１積層部と第２積層部とをガラス層を
介して圧着して一体成形した後、焼成して焼結積層体を
形成する工程と、（ｄ）前記焼結積層体を熱処理する工
程と、（ｅ）前記焼結積層体の表面に外部端子電極を形
成し、該外部端子電極の表面をめっき処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
法は、（ａ）セラミック層と導体パターンを積層して第
１積層部を構成する工程と、（ｂ）前記第１積層部のセ
ラミック層の材料とは異なる材料からなるセラミック層
と導体パターンを積層して第２積層部を構成する工程
と、（ｃ）前記第１積層部と第２積層部とをガラス層を
介して圧着して一体成形した後、焼成して焼結積層体を
形成する工程と、（ｄ）前記焼結積層体を熱処理する工
程と、（ｅ）前記焼結積層体の表面に外部端子電極を形
成し、該外部端子電極の表面をめっき処理する工程と、
を備えたことを特徴とする。
【００１０】以上の構成において、焼結積層体をバレル
研磨すると、第１積層部と第２積層部との接合界面部の
表面に形成されている安定した酸化物が一旦削り取られ
る。しかし、第１積層部と第２積層部の中間層としてガ
ラス層を用いているため、バレル研磨後の熱処理により
第１積層部と第２積層部との接合界面部の表面にガラス
絶縁膜が形成される。そして、このガラス絶縁膜が接合
界面部の材料構成元素がめっき液中に溶解するのを防止
する。
研磨すると、第１積層部と第２積層部との接合界面部の
表面に形成されている安定した酸化物が一旦削り取られ
る。しかし、第１積層部と第２積層部の中間層としてガ
ラス層を用いているため、バレル研磨後の熱処理により
第１積層部と第２積層部との接合界面部の表面にガラス
絶縁膜が形成される。そして、このガラス絶縁膜が接合
界面部の材料構成元素がめっき液中に溶解するのを防止
する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る複合電子部品
およびその製造方法の実施の形態について添付の図面を
参照して説明する。なお、本実施形態では単産の場合を
例にして説明するが、図４に示すように、複数の複合部
品を設けたマザー成形体の状態で量産してもよいことは
言うまでもない。
およびその製造方法の実施の形態について添付の図面を
参照して説明する。なお、本実施形態では単産の場合を
例にして説明するが、図４に示すように、複数の複合部
品を設けたマザー成形体の状態で量産してもよいことは
言うまでもない。
【００１２】本発明に係る複合電子部品をπ型ＬＣフィ
ルタに適用した一つの実施形態の分解斜視図を図１に、
全体の外観斜視図を図２に、電気等価回路図を図３にそ
れぞれ示す。π型ＬＣフィルタ１０は、図３に示すよう
に、入出力端子電極１１と１２との間にインダクタＬを
接続するとともに、入出力端子電極１１とグランド端子
電極１３との間にコンデンサＣ１を接続し、入出力端子
電極１２とグランド端子電極１３との間にコンデンサ電
極Ｃ２を接続した等価回路を有している。
ルタに適用した一つの実施形態の分解斜視図を図１に、
全体の外観斜視図を図２に、電気等価回路図を図３にそ
れぞれ示す。π型ＬＣフィルタ１０は、図３に示すよう
に、入出力端子電極１１と１２との間にインダクタＬを
接続するとともに、入出力端子電極１１とグランド端子
電極１３との間にコンデンサＣ１を接続し、入出力端子
電極１２とグランド端子電極１３との間にコンデンサ電
極Ｃ２を接続した等価回路を有している。
【００１３】π型ＬＣフィルタ１０は、図１に示すよう
に、磁性体セラミックシート２１〜２４と、誘電体セラ
ミックシート３２〜３５とを、ガラスシート４５，４６
を間に挟んで積み重ねて一体的に焼成して構成した焼結
積層体２０を有している。磁性体セラミックシート２１
〜２４は磁性体積層部２５を構成している。誘電体セラ
ミックシート３２〜３５は誘電体積層部３７を構成して
いる。また、ガラスシート４５，４６はガラス層４７を
構成している。
に、磁性体セラミックシート２１〜２４と、誘電体セラ
ミックシート３２〜３５とを、ガラスシート４５，４６
を間に挟んで積み重ねて一体的に焼成して構成した焼結
積層体２０を有している。磁性体セラミックシート２１
〜２４は磁性体積層部２５を構成している。誘電体セラ
ミックシート３２〜３５は誘電体積層部３７を構成して
いる。また、ガラスシート４５，４６はガラス層４７を
構成している。
【００１４】磁性体積層部２５の磁性体セラミックシー
ト２２，２３，２４のそれぞれの表面には、インダクタ
パターン２６，２７，２８が形成されている。インダク
タパターン２６〜２８は、磁性体セラミックシート２
２，２３に形成されたビアホール２９を介して電気的に
直列に接続され、螺旋状インダクタＬを形成している。
インダクタパターン２６および２８は、その引出端２６
ａおよび２８ａにて、図２に示すように焼結積層体２０
の両端面に形成された入出力端子電極１１および１２に
それぞれ電気的に接続されている。
ト２２，２３，２４のそれぞれの表面には、インダクタ
パターン２６，２７，２８が形成されている。インダク
タパターン２６〜２８は、磁性体セラミックシート２
２，２３に形成されたビアホール２９を介して電気的に
直列に接続され、螺旋状インダクタＬを形成している。
インダクタパターン２６および２８は、その引出端２６
ａおよび２８ａにて、図２に示すように焼結積層体２０
の両端面に形成された入出力端子電極１１および１２に
それぞれ電気的に接続されている。
【００１５】誘電体積層部３７の誘電体セラミックシー
ト３３，３４，３５のそれぞれの表面には、コンデンサ
パターン３８，４１，３９が形成されている。コンデン
サパターン３８と４１は、誘電体セラミックシート３３
を間にして対向し、コンデンサＣ１を形成している。コ
ンデンサパターン３９と４１は、誘電体セラミックシー
ト３４を間にして対向し、コンデンサＣ２を形成してい
る。コンデンサパターン３８および３９は、その引出端
３８ａおよび３９ａにて、図２に示すように焼結積層体
２０に形成された入出力端子電極１１および１２にそれ
ぞれ電気的に接続されている。コンデンサパターン４１
は、その両端の引出端４１ａ，４１ａにて、図２に示す
ように焼結積層体２０の奥側および手前側の側面に形成
されたグランド端子電極１３，１３に電気的に接続され
ている。
ト３３，３４，３５のそれぞれの表面には、コンデンサ
パターン３８，４１，３９が形成されている。コンデン
サパターン３８と４１は、誘電体セラミックシート３３
を間にして対向し、コンデンサＣ１を形成している。コ
ンデンサパターン３９と４１は、誘電体セラミックシー
ト３４を間にして対向し、コンデンサＣ２を形成してい
る。コンデンサパターン３８および３９は、その引出端
３８ａおよび３９ａにて、図２に示すように焼結積層体
２０に形成された入出力端子電極１１および１２にそれ
ぞれ電気的に接続されている。コンデンサパターン４１
は、その両端の引出端４１ａ，４１ａにて、図２に示す
ように焼結積層体２０の奥側および手前側の側面に形成
されたグランド端子電極１３，１３に電気的に接続され
ている。
【００１６】π型ＬＣフィルタ１０は以下の手順で製作
した。磁性体セラミック材料として、８００℃で１時間
仮焼した０．４９Ｆｅ２Ｏ３−０．１４５ＮｉＯ−０．
２８５ＺｎＯ−０．０８ＣｕＯ系のフェライト（以下、
材料Ａと称する）と、８００℃で１時間仮焼した０．４
８５Ｆｅ２Ｏ３−０．１４ＮｉＯ−０．２９５ＺｎＯ−
０．０８ＣｕＯ系のフェライト（以下、材料Ｂと称す
る）とを用いた。誘電体セラミック材料として、ＢａＴ
ｉＯ3系誘電体材料にＢａ−Ｓｉ系ガラスを２０ｗｔ％
添加した材料を用いた。また、ガラス材料として、Ｂｉ
−Ｂａ−Ｓｉ系ガラスを用いた。これらの材料に有機バ
インダ、可塑剤および溶剤を加えてスラリーを調製し
た。得られたスラリーからドクタブレード法により厚さ
５０μｍの磁性体セラミックグリーンシート２１〜２
４、誘電体セラミックグリーンシート３２〜３５および
ガラスグリーンシート４５，４６を製造した。
した。磁性体セラミック材料として、８００℃で１時間
仮焼した０．４９Ｆｅ２Ｏ３−０．１４５ＮｉＯ−０．
２８５ＺｎＯ−０．０８ＣｕＯ系のフェライト（以下、
材料Ａと称する）と、８００℃で１時間仮焼した０．４
８５Ｆｅ２Ｏ３−０．１４ＮｉＯ−０．２９５ＺｎＯ−
０．０８ＣｕＯ系のフェライト（以下、材料Ｂと称す
る）とを用いた。誘電体セラミック材料として、ＢａＴ
ｉＯ3系誘電体材料にＢａ−Ｓｉ系ガラスを２０ｗｔ％
添加した材料を用いた。また、ガラス材料として、Ｂｉ
−Ｂａ−Ｓｉ系ガラスを用いた。これらの材料に有機バ
インダ、可塑剤および溶剤を加えてスラリーを調製し
た。得られたスラリーからドクタブレード法により厚さ
５０μｍの磁性体セラミックグリーンシート２１〜２
４、誘電体セラミックグリーンシート３２〜３５および
ガラスグリーンシート４５，４６を製造した。
【００１７】グリーンシート２２〜２４，３３〜３５に
は、Ａｇペーストにより、インダクタＬのインダクタパ
ターン２６，２７，２８、コンデンサＣのコンデンサパ
ターン３８，４１，３９を印刷した。
は、Ａｇペーストにより、インダクタＬのインダクタパ
ターン２６，２７，２８、コンデンサＣのコンデンサパ
ターン３８，４１，３９を印刷した。
【００１８】そして、これらグリーンシート２１〜２
４，４５，４６，３２〜３５を順に積層した後、積層方
向に５０℃で１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加して
熱圧着した。圧着により形成された成形体２０は２．２
ｍｍ×１．３ｍｍの大きさにカットされる。マザー成形
体の状態で製造しているときには、ここで、２．２ｍｍ
×１．３ｍｍの大きさに切り出される。
４，４５，４６，３２〜３５を順に積層した後、積層方
向に５０℃で１０００ｋｇｆ／ｃｍ2の圧力を印加して
熱圧着した。圧着により形成された成形体２０は２．２
ｍｍ×１．３ｍｍの大きさにカットされる。マザー成形
体の状態で製造しているときには、ここで、２．２ｍｍ
×１．３ｍｍの大きさに切り出される。
【００１９】このチップ状の成形体２０を大気中で４０
０℃まで昇温し、４００℃で３時間の脱バインダ処理を
した。その後、成形体２０をさらに９００℃まで昇温
し、９００℃で２時間焼成した。
０℃まで昇温し、４００℃で３時間の脱バインダ処理を
した。その後、成形体２０をさらに９００℃まで昇温
し、９００℃で２時間焼成した。
【００２０】得られた焼結積層体２０に純水を加えてジ
ルコニアボールとともにバレル研磨機用ポットに入れ
た。この後、ポットを所定の回転数で数時間回転させ、
焼結積層体２０をバレル研磨した。
ルコニアボールとともにバレル研磨機用ポットに入れ
た。この後、ポットを所定の回転数で数時間回転させ、
焼結積層体２０をバレル研磨した。
【００２１】次に、焼結積層体２０を乾燥した後、表１
に示すように種々の温度で２時間熱処理した。比較のた
めに、熱処理を施さなかった試料も製作した（試料番号
１参照）。
に示すように種々の温度で２時間熱処理した。比較のた
めに、熱処理を施さなかった試料も製作した（試料番号
１参照）。
【００２２】さらに、９００℃で２時間熱処理した試料
のうちのいくつかを、焼結積層体２０に純水を加えてジ
ルコニアボールとともにバレル研磨機用ポットに入れ、
ポットを所定の回数で前記焼成後のバレル研磨より短い
時間（例えば数分間）回転させ、焼結積層体２０を軽く
バレル研磨した試料も製作した（試料番号８参照）。
のうちのいくつかを、焼結積層体２０に純水を加えてジ
ルコニアボールとともにバレル研磨機用ポットに入れ、
ポットを所定の回数で前記焼成後のバレル研磨より短い
時間（例えば数分間）回転させ、焼結積層体２０を軽く
バレル研磨した試料も製作した（試料番号８参照）。
【００２３】
【表１】
【００２４】次に、それぞれの焼結積層体２０の表面に
Ａｇペーストを塗布して８００℃で焼き付けることによ
り、入出力端子電極１１，１２およびグランド端子電極
１３を形成した。さらに、はんだ食われを防止するた
め、電解めっき法（めっき温度が６０℃、めっき電流密
度が０．２Ａ／ｄｍ2、めっき時間が４５分間）により
電極１１〜１３上に膜厚約２μｍのＮｉめっきを施し、
はんだ濡れ性を向上させるため、電解めっき法（めっき
温度が４０℃、めっき電流密度が０．１５Ａ／ｄｍ2、
めっき時間が３０分間）によりＮｉめっき上に膜厚約２
μｍのＳｎめっきを施した。こうして、図２に示すよう
なπ型ＬＣフィルタ１０を得た。
Ａｇペーストを塗布して８００℃で焼き付けることによ
り、入出力端子電極１１，１２およびグランド端子電極
１３を形成した。さらに、はんだ食われを防止するた
め、電解めっき法（めっき温度が６０℃、めっき電流密
度が０．２Ａ／ｄｍ2、めっき時間が４５分間）により
電極１１〜１３上に膜厚約２μｍのＮｉめっきを施し、
はんだ濡れ性を向上させるため、電解めっき法（めっき
温度が４０℃、めっき電流密度が０．１５Ａ／ｄｍ2、
めっき時間が３０分間）によりＮｉめっき上に膜厚約２
μｍのＳｎめっきを施した。こうして、図２に示すよう
なπ型ＬＣフィルタ１０を得た。
【００２５】以上の工程により得られたπ型ＬＣフィル
タ１０の各試料について、めっき成長を顕微鏡を使用し
て観察した結果を表１に示す。表１中における数字は、
１００μｍ以上のめっき伸びが生じたＬＣフィルタ１０
の発生率を表示している。
タ１０の各試料について、めっき成長を顕微鏡を使用し
て観察した結果を表１に示す。表１中における数字は、
１００μｍ以上のめっき伸びが生じたＬＣフィルタ１０
の発生率を表示している。
【００２６】表１から明らかなように、焼結積層体２０
をバレル研磨した後、熱処理することで、めっき成長を
防止することができる。これは、焼結積層体２０をバレ
ル研磨すると、磁性体積層部２５と誘電体積層部３７と
の接合界面部（ガラス層４７を含む）の表面に形成され
ている安定した酸化物が一旦削り取られるものの、磁性
体積層部２５と誘電体積層部３７の中間層としてガラス
層４７を用いているので、バレル研磨後の熱処理により
磁性体積層部２５と誘電体積層部３７との接合界面部の
表面にガラス絶縁膜が形成されるからである。このガラ
ス絶縁膜によって、焼結性の悪い接合界面部の材料構成
元素がめっき液中に溶解するのを防止することができ
る。この結果、めっき伸びの成長を効率良く防いで端子
電極１１〜１３相互間の距離を所定値に保ち、耐電圧や
絶縁信頼性の高いＬＣフィルタ１０を得ることができ
る。
をバレル研磨した後、熱処理することで、めっき成長を
防止することができる。これは、焼結積層体２０をバレ
ル研磨すると、磁性体積層部２５と誘電体積層部３７と
の接合界面部（ガラス層４７を含む）の表面に形成され
ている安定した酸化物が一旦削り取られるものの、磁性
体積層部２５と誘電体積層部３７の中間層としてガラス
層４７を用いているので、バレル研磨後の熱処理により
磁性体積層部２５と誘電体積層部３７との接合界面部の
表面にガラス絶縁膜が形成されるからである。このガラ
ス絶縁膜によって、焼結性の悪い接合界面部の材料構成
元素がめっき液中に溶解するのを防止することができ
る。この結果、めっき伸びの成長を効率良く防いで端子
電極１１〜１３相互間の距離を所定値に保ち、耐電圧や
絶縁信頼性の高いＬＣフィルタ１０を得ることができ
る。
【００２７】また、試料番号７と試料番号８との比較か
ら、熱処理後再バレルを行なうと、さらにめっき伸びの
成長が抑えられることがわかる。試料番号７の場合、９
００℃で熱処理した際に炉内不純物がＬＣ接合界面部の
表面に付着し、この不純物がめっき液中に溶解してめっ
き伸びがわずかに発生したと考えられる。一方、試料番
号８の場合、熱処理後軽くバレル研磨することにより、
ガラス絶縁膜を残したまま前記不純物を取り除いたた
め、めっき伸びが全く発生しなかったのである。
ら、熱処理後再バレルを行なうと、さらにめっき伸びの
成長が抑えられることがわかる。試料番号７の場合、９
００℃で熱処理した際に炉内不純物がＬＣ接合界面部の
表面に付着し、この不純物がめっき液中に溶解してめっ
き伸びがわずかに発生したと考えられる。一方、試料番
号８の場合、熱処理後軽くバレル研磨することにより、
ガラス絶縁膜を残したまま前記不純物を取り除いたた
め、めっき伸びが全く発生しなかったのである。
【００２８】なお、バレル研磨後の熱処理温度が低過ぎ
ると、接合界面部表面にガラス絶縁膜が十分に形成され
なくなり、焼結積層体２０のＬＣ接合界面部には１００
μｍ以上のめっき成長が認められた（試料番号２参
照）。
ると、接合界面部表面にガラス絶縁膜が十分に形成され
なくなり、焼結積層体２０のＬＣ接合界面部には１００
μｍ以上のめっき成長が認められた（試料番号２参
照）。
【００２９】本発明は前記実施形態に限定するものでは
なく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば前記のようなπ型ＬＣフィルタ１０のほか
に、Ｔ型ＬＣフィルタや、誘電体積層部を間にして上下
に磁性体積層部を配置した構造の積層体を有する複合電
子部品に適用してもよい。また、誘電体材料、磁性体材
料、絶縁体材料、圧電体材料、電気抵抗材料のうちの少
なくとも二つのセラミック材料を組み合わせて用いるこ
とにより、積層体の中に抵抗素子やコンデンサ等を含む
複合電子部品にも適用することができる。また、同種
（例えば誘電体材料）のセラミック材料であっても、主
成分に異なる元素を用いている二つのセラミック材料を
組み合わせたものであってもよい。
なく、その要旨の範囲内で種々に変更することができ
る。例えば前記のようなπ型ＬＣフィルタ１０のほか
に、Ｔ型ＬＣフィルタや、誘電体積層部を間にして上下
に磁性体積層部を配置した構造の積層体を有する複合電
子部品に適用してもよい。また、誘電体材料、磁性体材
料、絶縁体材料、圧電体材料、電気抵抗材料のうちの少
なくとも二つのセラミック材料を組み合わせて用いるこ
とにより、積層体の中に抵抗素子やコンデンサ等を含む
複合電子部品にも適用することができる。また、同種
（例えば誘電体材料）のセラミック材料であっても、主
成分に異なる元素を用いている二つのセラミック材料を
組み合わせたものであってもよい。
【００３０】さらに、前記実施形態は、それぞれパター
ンが形成されたセラミックグリーンシートを積み重ねた
後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限
定されない。例えば、以下に説明する製法によって複合
電子部品を製作してもよい。印刷等の方法によりペース
ト状のセラミック材料にてセラミック層を形成した後、
そのセラミック層の表面にペースト状の導電性パターン
材料を塗布して任意のパターンを形成する。次に、ペー
スト状のセラミック材料を前記パターンの上から塗布し
てセラミック層をパターン上に形成する。同様にして、
順に重ね塗りする。こうして、積層構造を有する複合電
子部品が得られる。
ンが形成されたセラミックグリーンシートを積み重ねた
後、一体的に焼成するものであるが、必ずしもこれに限
定されない。例えば、以下に説明する製法によって複合
電子部品を製作してもよい。印刷等の方法によりペース
ト状のセラミック材料にてセラミック層を形成した後、
そのセラミック層の表面にペースト状の導電性パターン
材料を塗布して任意のパターンを形成する。次に、ペー
スト状のセラミック材料を前記パターンの上から塗布し
てセラミック層をパターン上に形成する。同様にして、
順に重ね塗りする。こうして、積層構造を有する複合電
子部品が得られる。
【００３１】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明によれば、第１積層部と第２積層部の中間層としてガ
ラス層を用いているため、バレル研磨後の熱処理により
第１積層部と第２積層部との接合界面部の表面にガラス
絶縁膜が形成され、そして、このガラス絶縁膜が接合界
面部の材料構成元素がめっき液中に溶解するのを防止す
る。従って、効率良くめっき伸びの成長を防止できる。
この結果、外部端子電極相互間の距離を所定値に保ち、
耐電圧等の特性が良好な複合電子部品を得ることができ
る。
明によれば、第１積層部と第２積層部の中間層としてガ
ラス層を用いているため、バレル研磨後の熱処理により
第１積層部と第２積層部との接合界面部の表面にガラス
絶縁膜が形成され、そして、このガラス絶縁膜が接合界
面部の材料構成元素がめっき液中に溶解するのを防止す
る。従って、効率良くめっき伸びの成長を防止できる。
この結果、外部端子電極相互間の距離を所定値に保ち、
耐電圧等の特性が良好な複合電子部品を得ることができ
る。
【図１】本発明に係る複合電子部品の一実施形態を示す
分解斜視図。
分解斜視図。
【図２】図１の複合電子部品の外観を示す斜視図。
【図３】図２の複合電子部品の電気等価回路図。
【図４】従来の複合電子部品の外観を示す斜視図。
１０…ＬＣフィルタ １１，１２…入出力端子電極 １３…グランド端子電極 ２０…焼結積層体 ２１〜２４…磁性体セラミックシート ２５…磁性体積層部 ２６，２７，２８…インダクタパターン ３２〜３５…誘電体セラミックシート ３７…誘電体積層部 ３８，３９，４１…コンデンサパターン ４５，４６…ガラスシート ４７…ガラス層
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｇ 4/30 ３０１ Ｃ０４Ｂ 35/00 Ｊ ３１１ Ｈ０１Ｆ 15/00 Ｄ Ｆターム(参考） 4G030 AA10 AA16 AA27 AA29 AA31 AA32 BA09 5E001 AB03 AE02 AE03 AH01 AH07 AJ01 AJ02 AJ03 5E070 AA05 AB01 AB02 BA12 CB03 CB13 CB17 5E082 AB03 BB01 BC36 DD08 EE04 EE16 EE23 EE35 FF05 FG06 FG26 FG54 GG10 GG11 GG28 KK08 LL15 MM24
Claims (3)
- 【請求項１】 セラミック層と導体パターンを積層して
構成した第１積層部と、前記第１積層部のセラミック層
の材料とは異なる材料からなるセラミック層と導体パタ
ーンを積層して構成した第２積層部とを少なくとも有
し、ガラス層を介して前記第１積層部と第２積層部とを
一体的に焼成してなる焼結積層体を熱処理し、該焼結積
層体に外部端子電極を設け、該外部端子電極の表面をめ
っき処理したことを特徴とする複合電子部品。 - 【請求項２】 前記第１積層部のセラミック層の材料が
磁性体材料であり、前記第２積層部のセラミック層の材
料が誘電体材料であることを特徴とする請求項１記載の
複合電子部品。 - 【請求項３】 セラミック層と導体パターンを積層して
第１積層部を構成する工程と、 前記第１積層部のセラミック層の材料とは異なる材料か
らなるセラミック層と導体パターンを積層して第２積層
部を構成する工程と、 前記第１積層部と第２積層部とをガラス層を介して圧着
して一体成形した後、焼成して焼結積層体を形成する工
程と、 前記焼結積層体を熱処理する工程と、 前記焼結積層体の表面に外部端子電極を形成し、該外部
端子電極の表面をめっき処理する工程と、 を備えたことを特徴とする複合電子部品の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000110989A JP2001297946A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 複合電子部品およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000110989A JP2001297946A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 複合電子部品およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001297946A true JP2001297946A (ja) | 2001-10-26 |
Family
ID=18623407
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000110989A Pending JP2001297946A (ja) | 2000-04-12 | 2000-04-12 | 複合電子部品およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001297946A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203629A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP2008227046A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層チップインダクタの製造方法 |
| JP2008289111A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
| US7728695B2 (en) | 2007-04-19 | 2010-06-01 | Tdk Corporation | Multilayer filter having an inductor portion and a varistor portion stacked with an intermediate portion |
| JP2012069754A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | コモンモードノイズフィルタ |
| JP2015185718A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Tdk株式会社 | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2017059592A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP2017112163A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| CN109216030A (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-15 | 卓英社有限公司 | 复合功能元件 |
-
2000
- 2000-04-12 JP JP2000110989A patent/JP2001297946A/ja active Pending
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005203629A (ja) * | 2004-01-16 | 2005-07-28 | Murata Mfg Co Ltd | 電子部品 |
| JP2008227046A (ja) * | 2007-03-12 | 2008-09-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層チップインダクタの製造方法 |
| JP2008289111A (ja) * | 2007-04-19 | 2008-11-27 | Tdk Corp | 積層型フィルタ |
| US7728695B2 (en) | 2007-04-19 | 2010-06-01 | Tdk Corporation | Multilayer filter having an inductor portion and a varistor portion stacked with an intermediate portion |
| JP2012069754A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | コモンモードノイズフィルタ |
| US9030287B2 (en) | 2010-09-24 | 2015-05-12 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Common mode noise filter |
| JP2015185718A (ja) * | 2014-03-25 | 2015-10-22 | Tdk株式会社 | チップ電子部品及びその製造方法 |
| JP2017059592A (ja) * | 2015-09-14 | 2017-03-23 | 株式会社村田製作所 | コイル部品 |
| JP2017112163A (ja) * | 2015-12-15 | 2017-06-22 | 太陽誘電株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| CN106887333A (zh) * | 2015-12-15 | 2017-06-23 | 太阳诱电株式会社 | 层叠陶瓷电容器和其制造方法 |
| US10083796B2 (en) | 2015-12-15 | 2018-09-25 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-layer ceramic capacitor and method of producing the same |
| US10490352B2 (en) | 2015-12-15 | 2019-11-26 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multi-laver ceramic capacitor and method of producing the same |
| CN109216030A (zh) * | 2017-07-04 | 2019-01-15 | 卓英社有限公司 | 复合功能元件 |
| CN109216030B (zh) * | 2017-07-04 | 2020-09-11 | 卓英社有限公司 | 复合功能元件 |
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