JP3359522B2 - 積層セラミックコンデンサの製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JP3359522B2 JP3359522B2 JP34902696A JP34902696A JP3359522B2 JP 3359522 B2 JP3359522 B2 JP 3359522B2 JP 34902696 A JP34902696 A JP 34902696A JP 34902696 A JP34902696 A JP 34902696A JP 3359522 B2 JP3359522 B2 JP 3359522B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- internal electrode
- electrode layer
- layer
- multilayer ceramic
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 title claims description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 28
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims description 20
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 14
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 13
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 12
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 238000010405 reoxidation reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 5
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 4
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 3
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 2
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 2
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007606 doctor blade method Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009776 industrial production Methods 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L manganese(ii) carbonate Chemical compound [Mn+2].[O-]C([O-])=O XMWCXZJXESXBBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/228—Terminals
- H01G4/232—Terminals electrically connecting two or more layers of a stacked or rolled capacitor
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサの製造方法に関し、特に、卑金属材料の内部電
極層に用いた積層セラミックコンデンサの製造方法に関
するものである。
ンデンサの製造方法に関し、特に、卑金属材料の内部電
極層に用いた積層セラミックコンデンサの製造方法に関
するものである。
【０００２】
【従来技術】従来、積層セラミックコンデンサにおい
て、内部電極層にＡｇ−Ｐｄ合金が使用されているが、
最近の低コスト化に対応するために、内部電極層にＮ
ｉ、Ｃｕなどの卑金属材料が使用されるようになってい
る。この卑金属であるＮｉ、Ｃｕなどは酸化され易い材
料であるため、特に内部電極層の形成にあたり、また、
形成した後の工程、例えば外部電極の形成工程で酸化を
防止することが重要である。例えば、内部電極層の焼成
工程、即ち、誘電体セラミック層と内部電極層とが交互
に積層された積層体の焼成工程やその後の外部電極の焼
成工程は、低酸素濃度（１０-8〜１０-12 ａｔｍ）雰囲
気で焼成しなくてはならなかった。
て、内部電極層にＡｇ−Ｐｄ合金が使用されているが、
最近の低コスト化に対応するために、内部電極層にＮ
ｉ、Ｃｕなどの卑金属材料が使用されるようになってい
る。この卑金属であるＮｉ、Ｃｕなどは酸化され易い材
料であるため、特に内部電極層の形成にあたり、また、
形成した後の工程、例えば外部電極の形成工程で酸化を
防止することが重要である。例えば、内部電極層の焼成
工程、即ち、誘電体セラミック層と内部電極層とが交互
に積層された積層体の焼成工程やその後の外部電極の焼
成工程は、低酸素濃度（１０-8〜１０-12 ａｔｍ）雰囲
気で焼成しなくてはならなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】内部電極層の焼成工程
や外部電極の形成工程で、上述のような低酸素濃度で焼
成処理すると、誘電体セラミック層が還元されてしま
い、誘電体セラミック材料の特性が変化してしまい、特
に、コンデンサとしての絶縁抵抗値が低下してしまうと
いう致命的な問題を誘発してしまう。
や外部電極の形成工程で、上述のような低酸素濃度で焼
成処理すると、誘電体セラミック層が還元されてしま
い、誘電体セラミック材料の特性が変化してしまい、特
に、コンデンサとしての絶縁抵抗値が低下してしまうと
いう致命的な問題を誘発してしまう。
【０００４】絶縁抵抗値が低下してしまった積層セラミ
ックコンデンサにおいては、絶縁抵抗値を回復するため
に、例えば、高い酸素濃度雰囲気で熱処理して酸素を補
うことが考えられる。
ックコンデンサにおいては、絶縁抵抗値を回復するため
に、例えば、高い酸素濃度雰囲気で熱処理して酸素を補
うことが考えられる。
【０００５】例えば、積層体焼結後の熱処理工程である
外部電極の焼きつけ工程を高い酸素分圧で熱処理を行う
と、外部電極を通して内部電極層が酸化され、内部電極
層と外部電極との接続部分が悪化する。結局、外部電極
は低い酸素分圧で焼成せざるを得ず、誘電体セラミック
層の絶縁抵抗値の改善は困難であった。
外部電極の焼きつけ工程を高い酸素分圧で熱処理を行う
と、外部電極を通して内部電極層が酸化され、内部電極
層と外部電極との接続部分が悪化する。結局、外部電極
は低い酸素分圧で焼成せざるを得ず、誘電体セラミック
層の絶縁抵抗値の改善は困難であった。
【０００６】本発明は上述の課題に鑑みて案出されたも
のであり、その目的は、卑金属材料から成る内部電極層
と外部電極との安定した電気的な接続を達成するととも
に、同時に誘電体セラミック層の絶縁抵抗値の低下を改
善し得る積層セラミックコンデンサの製造方法を提供す
ることである。
のであり、その目的は、卑金属材料から成る内部電極層
と外部電極との安定した電気的な接続を達成するととも
に、同時に誘電体セラミック層の絶縁抵抗値の低下を改
善し得る積層セラミックコンデンサの製造方法を提供す
ることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の積層セラミック
コンデンサは、誘電体セラミック層と卑金属材料から成
る内部電極層とを交互に積層した積層体と、該積層体の
端面に形成した前記内部電極層に接続する卑金属材料か
らなる下地導体膜とを、前記内部電極層及び前記下地導
体膜が酸化されない程度の低い酸素分圧中で焼成して、
再酸化処理する工程と、前記下地導体膜上に、熱硬化性
導電性樹脂膜、表面メッキ層を順次形成する工程とを具
備することを特徴とする。
コンデンサは、誘電体セラミック層と卑金属材料から成
る内部電極層とを交互に積層した積層体と、該積層体の
端面に形成した前記内部電極層に接続する卑金属材料か
らなる下地導体膜とを、前記内部電極層及び前記下地導
体膜が酸化されない程度の低い酸素分圧中で焼成して、
再酸化処理する工程と、前記下地導体膜上に、熱硬化性
導電性樹脂膜、表面メッキ層を順次形成する工程とを具
備することを特徴とする。
【０００８】ここで、卑金属材料とは、Ｎｉ、Ｃｕが例
示できる。しかし、実際上、内部電極層、外部電極の下
地導体膜には、これら卑金属材料の酸化物も含有してし
まい、さらに、その他の酸化物等が意図的に、また不純
物として含まれる場合を含め、これらを総称して本発明
では「卑金属材料」という。
示できる。しかし、実際上、内部電極層、外部電極の下
地導体膜には、これら卑金属材料の酸化物も含有してし
まい、さらに、その他の酸化物等が意図的に、また不純
物として含まれる場合を含め、これらを総称して本発明
では「卑金属材料」という。
【０００９】
【作用】本発明によれば、卑金属材料の内部電極層と誘
電体セラミック層とが交互に積層した焼成前の積層体の
端面に、外部電極の下地導体膜となる卑金属から成る導
体膜が塗布されて、内部電極層及び下地導体膜が酸化さ
れない程度の低い酸素分圧中で焼成処理されて、内部電
極層及び下地導体膜が一体的に形成されている。
電体セラミック層とが交互に積層した焼成前の積層体の
端面に、外部電極の下地導体膜となる卑金属から成る導
体膜が塗布されて、内部電極層及び下地導体膜が酸化さ
れない程度の低い酸素分圧中で焼成処理されて、内部電
極層及び下地導体膜が一体的に形成されている。
【００１０】その後、絶縁抵抗値の回復のために、高い
酸素濃度雰囲気で熱硬処理した後に、外部電極を構成す
る熱硬化性樹脂層を大気雰囲気中などで２００〜３００
℃程度の熱硬化処理を行って形成するが、内部電極層と
外部電極の下地導体膜との接続部分が非常に安定化して
いるため、接続部分で酸化されることがない。
酸素濃度雰囲気で熱硬処理した後に、外部電極を構成す
る熱硬化性樹脂層を大気雰囲気中などで２００〜３００
℃程度の熱硬化処理を行って形成するが、内部電極層と
外部電極の下地導体膜との接続部分が非常に安定化して
いるため、接続部分で酸化されることがない。
【００１１】これにより、本発明の積層セラミックコン
デンサは、絶縁抵抗値の低下を改善しても、内部電極層
と外部電極との接合信頼性は高く、しかも、内部電極層
に卑金属材料を用いた低コストの積層セラミックコンデ
ンサとなる。
デンサは、絶縁抵抗値の低下を改善しても、内部電極層
と外部電極との接合信頼性は高く、しかも、内部電極層
に卑金属材料を用いた低コストの積層セラミックコンデ
ンサとなる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の積層セラミックコ
ンデンサを図面に基づいて説明する。
ンデンサを図面に基づいて説明する。
【００１３】図におてい、１は誘電体セラミック層、２
は卑金属材料の内部電極層、３は外部電極である。
は卑金属材料の内部電極層、３は外部電極である。
【００１４】誘電体セラミック層１は、チタン酸バリウ
ムやチタン酸バリウムに酸化イトリッウム、酸化マグネ
シウム、炭酸マグネシウムなどを含有する誘電体磁器で
あり、焼成後の１層当たりの膜厚は５〜１０μｍであ
る。
ムやチタン酸バリウムに酸化イトリッウム、酸化マグネ
シウム、炭酸マグネシウムなどを含有する誘電体磁器で
あり、焼成後の１層当たりの膜厚は５〜１０μｍであ
る。
【００１５】内部電極層２は、ＮｉやＣｕなどの卑金属
材料の概略矩形状の導体膜であり、例えば、第１層目、
第３層目、第５層目・・・の内部電極層２は、その一辺
が例えば積層体１０の一方端面に延出するようになって
おり、例えば、第２層目、第４層目、第６層目・・・の
内部電極層２は、その一辺が例えば積層体１０の他方端
面に延出するようになっている。
材料の概略矩形状の導体膜であり、例えば、第１層目、
第３層目、第５層目・・・の内部電極層２は、その一辺
が例えば積層体１０の一方端面に延出するようになって
おり、例えば、第２層目、第４層目、第６層目・・・の
内部電極層２は、その一辺が例えば積層体１０の他方端
面に延出するようになっている。
【００１６】このような誘電体層１と内部電極層２とが
互いに積層されて成る積層体１０の両端面には、外部電
極３が形成されている。
互いに積層されて成る積層体１０の両端面には、外部電
極３が形成されている。
【００１７】この外部電極３は、積層体１０の端面側か
ら卑金属材料の下地導体膜４１、熱硬化性の導電性樹脂
膜３２、表面メッキ層３３からなっている。
ら卑金属材料の下地導体膜４１、熱硬化性の導電性樹脂
膜３２、表面メッキ層３３からなっている。
【００１８】下地導体膜３１は、焼成前の積層体１０両
端面に、内部電極層２と同一の材料の卑金属導電性ペー
ストの塗布及び積層体１０の焼成によって同時に形成さ
れるものである。その厚みは、５〜２０μｍ程度であ
る。
端面に、内部電極層２と同一の材料の卑金属導電性ペー
ストの塗布及び積層体１０の焼成によって同時に形成さ
れるものである。その厚みは、５〜２０μｍ程度であ
る。
【００１９】また、熱硬化性の導電性樹脂膜３２は、例
えばＡｇ系（Ａｇ単体またはＡｇ合金）導体材料を含む
エポキシ系などの熱硬化性樹脂で構成され、このような
樹脂ペーストを塗布し、大気雰囲気中で２００〜３００
℃で熱処理されて形成される。
えばＡｇ系（Ａｇ単体またはＡｇ合金）導体材料を含む
エポキシ系などの熱硬化性樹脂で構成され、このような
樹脂ペーストを塗布し、大気雰囲気中で２００〜３００
℃で熱処理されて形成される。
【００２０】さらに、表面メッキ層３３は、例えばＮｉ
メッキ層、Ｓｎメッキ層、半田メッギ層などの積層構造
であり、導電性樹脂膜３２の半田濡れ性を補い、また、
外部電極３の半田食われを防止するものである。
メッキ層、Ｓｎメッキ層、半田メッギ層などの積層構造
であり、導電性樹脂膜３２の半田濡れ性を補い、また、
外部電極３の半田食われを防止するものである。
【００２１】以上のように、本発明の積層セラミックコ
ンデンサは、内部電極層にＮｉやＣｕなどの卑金属材料
を用いている。しかも、外部電極３を構成し、且つ内部
電極層２と接続する下地導体膜３１に、内部電極層２と
同一の卑金属材料で構成されている。
ンデンサは、内部電極層にＮｉやＣｕなどの卑金属材料
を用いている。しかも、外部電極３を構成し、且つ内部
電極層２と接続する下地導体膜３１に、内部電極層２と
同一の卑金属材料で構成されている。
【００２２】まず、内部電極層２に卑金属材料を用いて
いるため、積層セラミックコンデンサ全体として低コス
ト化が図れる。
いるため、積層セラミックコンデンサ全体として低コス
ト化が図れる。
【００２３】また、内部電極層２と外部電極３の下地導
体膜３１とが実質的に同一材料で構成されているため、
両者の安定した接合が達成される。
体膜３１とが実質的に同一材料で構成されているため、
両者の安定した接合が達成される。
【００２４】次に、本発明の積層セラミックコンデンサ
の製造方法を簡単に説明する。
の製造方法を簡単に説明する。
【００２５】チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）とチタ
ン酸バリウム１００重量部に対して酸化イットリウム
（Ｙ2 Ｏ3 ）を１重量部、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
を０．２重量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）０．１重
量部、Ｌｉ−Ｓｉ（５０／５０）を０．５重量部含有す
る誘電体磁器組成物に有機系粘結剤と媒体から成るバイ
ダーを添加・攪拌してセラミック泥漿を調製した後、得
られたセラミック泥漿を脱泡し、ドクターブレード法に
より厚さ７μｍの誘電体セラミックグリーンシートを形
成する。得られた誘電体セラミックグリーンシート上
に、Ｎｉ粉末を含む内部電極層用ペーストを用いて、内
部電極層２となる導体膜を所定形状にスクリーン印刷す
る。その後、上述の誘電体セラミックと同一のセラミッ
クペーストを塗布し、誘電体セラミック層１となる誘電
体層を形成し、さらに、内部電極層２となる導体膜、誘
電体層を交互に塗布する。このようにして、それぞれ１
００回繰り返す。こうして得られた積層体を、所定寸法
（２１２５型）に切断してグリーンチップ（焼成前の積
層体）を作製した。作成した積層体１０の端面に先の内
部電極層用ペーストを用いて積層体１０の端面に下地導
体膜３１となる導体膜を形成する。
ン酸バリウム１００重量部に対して酸化イットリウム
（Ｙ2 Ｏ3 ）を１重量部、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）
を０．２重量部、炭酸マンガン（ＭｎＣＯ3 ）０．１重
量部、Ｌｉ−Ｓｉ（５０／５０）を０．５重量部含有す
る誘電体磁器組成物に有機系粘結剤と媒体から成るバイ
ダーを添加・攪拌してセラミック泥漿を調製した後、得
られたセラミック泥漿を脱泡し、ドクターブレード法に
より厚さ７μｍの誘電体セラミックグリーンシートを形
成する。得られた誘電体セラミックグリーンシート上
に、Ｎｉ粉末を含む内部電極層用ペーストを用いて、内
部電極層２となる導体膜を所定形状にスクリーン印刷す
る。その後、上述の誘電体セラミックと同一のセラミッ
クペーストを塗布し、誘電体セラミック層１となる誘電
体層を形成し、さらに、内部電極層２となる導体膜、誘
電体層を交互に塗布する。このようにして、それぞれ１
００回繰り返す。こうして得られた積層体を、所定寸法
（２１２５型）に切断してグリーンチップ（焼成前の積
層体）を作製した。作成した積層体１０の端面に先の内
部電極層用ペーストを用いて積層体１０の端面に下地導
体膜３１となる導体膜を形成する。
【００２６】その積層体１０及び下地導体膜３１を大気
中で４００℃にて脱バインダーを行い、その後１２５０
℃（ＰＯ2 １０-11 ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて大
気雰囲気中８００℃で再酸化処理をする。これにより、
誘電体セラミック層１での絶縁抵抗値の低下を回復でき
る。
中で４００℃にて脱バインダーを行い、その後１２５０
℃（ＰＯ2 １０-11 ａｔｍ）で２時間焼成し、続いて大
気雰囲気中８００℃で再酸化処理をする。これにより、
誘電体セラミック層１での絶縁抵抗値の低下を回復でき
る。
【００２７】次に、焼成した下地導体膜３１が形成され
た積層体１０を、Ａｇを含むエポキシ樹脂からなる導電
牲Ａｇペーストに、その端面部の下地導体膜３１上に塗
布し、２００℃、３０分で硬化させた。
た積層体１０を、Ａｇを含むエポキシ樹脂からなる導電
牲Ａｇペーストに、その端面部の下地導体膜３１上に塗
布し、２００℃、３０分で硬化させた。
【００２８】その後、導電性樹脂膜３２の表面に、Ｎｉ
メッキ、Ｓｎメッキを施し積層セラミックコンデンサを
作成した。
メッキ、Ｓｎメッキを施し積層セラミックコンデンサを
作成した。
【００２９】上述のように、内部電極層２と外部電極３
の下地導体膜３１とが、同一材料で、同一焼成工程で形
成されている。このため、両者の接合状態が極めて安定
化した状態で形成することができる。即ち、内部電極層
２と下地導体膜３１とを低酸素分圧の雰囲気で１２５０
℃で焼成処理するため、安定した状態の内部電極層２、
下地導体膜３１とが達成される。
の下地導体膜３１とが、同一材料で、同一焼成工程で形
成されている。このため、両者の接合状態が極めて安定
化した状態で形成することができる。即ち、内部電極層
２と下地導体膜３１とを低酸素分圧の雰囲気で１２５０
℃で焼成処理するため、安定した状態の内部電極層２、
下地導体膜３１とが達成される。
【００３０】その直後に、８００℃の大気雰囲気におけ
る熱処理を行っても、内部電極層２と下地導体膜３１と
が一体的に形成されているため、両者の接合部分での酸
化反応が行われることがない。従って、この再酸化処理
によって、誘電体セラミック層１の低抵抗値化を防止で
きるとともに、特に、内部電極層２と下地導体膜３１と
の安定な接合も同時に維持できる。
る熱処理を行っても、内部電極層２と下地導体膜３１と
が一体的に形成されているため、両者の接合部分での酸
化反応が行われることがない。従って、この再酸化処理
によって、誘電体セラミック層１の低抵抗値化を防止で
きるとともに、特に、内部電極層２と下地導体膜３１と
の安定な接合も同時に維持できる。
【００３１】しかも、その後の熱処理である外部電極３
の導電性樹脂膜３２の形成工程では、２００〜３００℃
程度の熱処理が施されるが、熱履歴的には、内部電極層
２と下地導体膜３１との安定な接合が何等影響されるこ
とがない。しかも、誘電体セラミック層１での絶縁抵抗
の低下も発生することがない。
の導電性樹脂膜３２の形成工程では、２００〜３００℃
程度の熱処理が施されるが、熱履歴的には、内部電極層
２と下地導体膜３１との安定な接合が何等影響されるこ
とがない。しかも、誘電体セラミック層１での絶縁抵抗
の低下も発生することがない。
【００３２】
【実験例】本発明者は、上述の積層セラミックコンデン
サと比較例として、外部電極の下地導体膜を形成せず、
焼成した後の積層体の端面にＣｕからなる導電性ペース
トを塗布し、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、５０ｐｐｍの酸素
濃度９００℃で焼成した後、Ｎｉメッキ、Ｓｎメッキを
施し、積層セラミックコンデンサを得た。
サと比較例として、外部電極の下地導体膜を形成せず、
焼成した後の積層体の端面にＣｕからなる導電性ペース
トを塗布し、２ｐｐｍ、１０ｐｐｍ、５０ｐｐｍの酸素
濃度９００℃で焼成した後、Ｎｉメッキ、Ｓｎメッキを
施し、積層セラミックコンデンサを得た。
【００３３】得られた積層セラミックコンデンサは、Ｌ
ＣＲメーター４２８４Ａを用い、周波数１ＫＨｚ入力信
号１Ｖｒｍｓにて静電容量、ＤＦを測定した。また、１
５０℃の絶縁抵抗を測定し、１５０℃４０Ｖ負荷試験を
３００個行い４０時間以内に故障した個数を測定した。
その結果を表１に示す。
ＣＲメーター４２８４Ａを用い、周波数１ＫＨｚ入力信
号１Ｖｒｍｓにて静電容量、ＤＦを測定した。また、１
５０℃の絶縁抵抗を測定し、１５０℃４０Ｖ負荷試験を
３００個行い４０時間以内に故障した個数を測定した。
その結果を表１に示す。
【００３４】
【表１】
【００３５】以上のように、本発明によれば、積層体１
０の内部電極層２と積層体１０の端面に形成する外部電
極３の下地導体膜３１とが同一材料で構成し、同一暁成
させることにより、内部電極層２と外部電極３の接合状
態がよい。また、その後に熱硬化性導電性樹脂３２を用
いることにより、外部電極３の形成を大気雰囲気中で行
うことができ、セラミックの絶縁砥抗を劣化させること
がない。
０の内部電極層２と積層体１０の端面に形成する外部電
極３の下地導体膜３１とが同一材料で構成し、同一暁成
させることにより、内部電極層２と外部電極３の接合状
態がよい。また、その後に熱硬化性導電性樹脂３２を用
いることにより、外部電極３の形成を大気雰囲気中で行
うことができ、セラミックの絶縁砥抗を劣化させること
がない。
【００３６】その結果、絶嫁抵抗ＩＲが１．０×１０5
ＭΩ以上を満足し、８５℃で電界強度が１．２×１０4
Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷試験で４０時間
以上不良が発生せず工業的にも製造し易くなる。
ＭΩ以上を満足し、８５℃で電界強度が１．２×１０4
Ｖ／ｍｍの直流電圧を印加した高温負荷試験で４０時間
以上不良が発生せず工業的にも製造し易くなる。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、本発明の積層セラミック
コンデンサの製造方法では、内部電極層と外部電極の下
地導体膜との接合が非常に安定し、セラミック焼成工程
中で生じた酸素不足を解消する酸化処理を施しても両者
の接合部分の酸化が進行することがなく、しかも、外部
電極を構成する導電性樹脂膜を低温の大気中で形成され
るため、熱履歴的な変動がなく、絶縁抵抗値の劣化及び
信頼牲の劣化が発生しない、安価な積層セラミックコン
デンサを作製することができる。
コンデンサの製造方法では、内部電極層と外部電極の下
地導体膜との接合が非常に安定し、セラミック焼成工程
中で生じた酸素不足を解消する酸化処理を施しても両者
の接合部分の酸化が進行することがなく、しかも、外部
電極を構成する導電性樹脂膜を低温の大気中で形成され
るため、熱履歴的な変動がなく、絶縁抵抗値の劣化及び
信頼牲の劣化が発生しない、安価な積層セラミックコン
デンサを作製することができる。
【図１】本発明の積層セラミックコンデンサの断面図で
ある。
ある。
１・・・・誘電体セラミック層 ２・・・・内部電極層 ４・・・・外部電極 ３１・・・下地導体膜 ３２・・・導電性樹脂膜 ３３・・・メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/12
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体セラミック層と卑金属材料から成る
内部電極層とを交互に積層した積層体と、該積層体の端
面に形成した前記内部電極層に接続する卑金属材料から
なる下地導体膜とを、前記内部電極層及び前記下地導体
膜が酸化されない程度の低い酸素分圧中で焼成する工程
と、これを再酸化処理する工程と、前記下地導体膜上
に、熱硬化性導電性樹脂膜、表面メッキ層を順次形成す
る工程とを具備することを特徴とする積層セラミックコ
ンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34902696A JP3359522B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34902696A JP3359522B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189385A JPH10189385A (ja) | 1998-07-21 |
| JP3359522B2 true JP3359522B2 (ja) | 2002-12-24 |
Family
ID=18400994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34902696A Expired - Fee Related JP3359522B2 (ja) | 1996-12-26 | 1996-12-26 | 積層セラミックコンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3359522B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100596602B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2006-07-04 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| KR100663941B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-01-02 | 삼성전기주식회사 | 어레이형 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3376971B2 (ja) * | 1999-09-09 | 2003-02-17 | 株式会社村田製作所 | セラミック電子部品 |
| JP5006613B2 (ja) * | 2006-02-09 | 2012-08-22 | 日本特殊陶業株式会社 | 多層配線基板内蔵用コンデンサ及びそのコンデンサを内蔵した多層配線基板 |
| JP4983357B2 (ja) * | 2007-04-11 | 2012-07-25 | パナソニック株式会社 | セラミック電子部品およびその製造方法 |
| JP4853482B2 (ja) * | 2008-03-10 | 2012-01-11 | Ｔｄｋ株式会社 | 表面実装型電子部品及び表面実装型電子部品アレイ |
| JP5266874B2 (ja) * | 2008-05-23 | 2013-08-21 | パナソニック株式会社 | セラミック電子部品の製造方法 |
| JP5246207B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2013-07-24 | 株式会社村田製作所 | チップ型電子部品 |
| KR20130037485A (ko) * | 2011-10-06 | 2013-04-16 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 커패시터 및 이의 제조방법 |
| JP6044153B2 (ja) * | 2012-07-26 | 2016-12-14 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
| KR20140046301A (ko) * | 2012-10-10 | 2014-04-18 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법 |
| JP6623574B2 (ja) * | 2015-06-24 | 2019-12-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34902696A patent/JP3359522B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100596602B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2006-07-04 | 삼성전기주식회사 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| KR100663941B1 (ko) * | 2005-03-30 | 2007-01-02 | 삼성전기주식회사 | 어레이형 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH10189385A (ja) | 1998-07-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4310585B2 (ja) | 積層型セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JPH113834A (ja) | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 | |
| JP3359522B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP4682426B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2002075780A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP3924286B2 (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| JP3514117B2 (ja) | 積層セラミック電子部品、積層セラミック電子部品の製造方法及び内部電極形成用導電ペースト | |
| JP2009182011A (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3679529B2 (ja) | 端子電極ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JPH11243029A (ja) | 端子用導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ | |
| JP5251589B2 (ja) | セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3241054B2 (ja) | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 | |
| JP4496639B2 (ja) | 電子部品およびその製造方法 | |
| JP2002203736A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP2001217137A (ja) | 積層セラミック電子部品およびその製造方法 | |
| JP2002033236A (ja) | チップ型電子部品 | |
| JP3716746B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2000077260A (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JPH1154358A (ja) | 積層セラミックコンデンサ | |
| JP2002329638A (ja) | 積層型電子部品およびその製法 | |
| JP3554957B2 (ja) | 積層セラミック電子部品及びその製造方法 | |
| JP2001023862A (ja) | 積層セラミックコンデンサの製造方法 | |
| JP3142013B2 (ja) | 積層型電子部品 | |
| JPH07201637A (ja) | 積層セラミック電子部品 | |
| JP2001284162A (ja) | 導電性ペーストおよび積層型電子部品並びにその製法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071011 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081011 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091011 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101011 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111011 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |