JP2002075774A

JP2002075774A - 電子部品

Info

Publication number: JP2002075774A
Application number: JP2000267821A
Authority: JP
Inventors: Nobuhiro Oda; 伸浩小田; Takashi Ueno; 崇上野
Original assignee: Furuya Metal Co Ltd
Current assignee: Furuya Metal Co Ltd
Priority date: 2000-09-04
Filing date: 2000-09-04
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】安価で耐食性、電気特性のよい電極層及び／
又は誘電体層を備えた電子部品を提供する。【解決手段】電子部品は、誘電体層１１の両面に電極
層１２を備え、リード線１３は、電極層１２と電気的に
接続するように半田１４により接合している。樹脂層１
５は、エポキシ樹脂等により少なくとも誘電体層１１お
よび電極層１２を覆うように設けている。この電極層１
２及び／又は誘電体層１１には、Ｃｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％とＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％とを含
有するＣｕ合金を電子部品の材料の主成分として適用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、積層セラミックコ
ンデンサ等の電子部品に関し、電極層及び／又は誘電体
層等の材料にＣｕ（銅）合金を用いたものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、積層セラミックコンデンサ等の電
子部品は、その電子部品を使用するアプリケーションの
小型化、薄型化に伴って、小型化、薄型化が望まれて実
現されてきた。そして、電子部品の構成層となる誘電体
層と内部電極層も薄型化しつつ、誘電特性や電気伝導特
性等の向上が望まれてきた。

【０００３】又、電極層用の金属材料として、Ｐｄ（パ
ラジウム）あるいはＰｄを主成分とする合金やＮｉ（ニ
ッケル）あるいはＮｉを主成分とする合金が用いられて
いる。これらの材料は、融点が高く、積層セラミックコ
ンデンサを構成する誘電体セラミックスの製造工程中の
高温度の焼成工程に耐えられる材料である。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの金属
材料は、電気特性、コスト、耐食性をはじめ、その他の
特性を考慮すると、必ずしも最適な材料とはいえず、従
来の材料に代わる材料の研究が行われてきた。

【０００５】純Ｃｕは、電気伝導率が純Ａｇ（銀）の次
に優れていて、一般的な材料であると共に安価であり、
薄膜としての安定性にも優れ、電気特性を必要とする材
料の主成分としての役割を果たすには充分である。

【０００６】しかし、純Ｃｕは微量の硫化水素により硫
化銅が生じ、表面に暗色の被膜が生じてしまう。又、純
Ｃｕは塩素や酸素等の非金属元素やこれらのイオンに対
して化学的に活性であるため、海水中等の特殊環境や、
酢酸又は他の有機酸によっても容易に侵されてしまう。

【０００７】又、積層セラミックコンデンサ等のセラミ
ック電子部品において、内部電極層や外部電極層に純Ｃ
ｕを使用すると、湿気及び印加電圧により、純Ｃｕがイ
オン化され、それに伴って移行した純Ｃｕが凝集して電
極間を短絡することがある。この現象をマイグレーショ
ンと呼ぶが、それを回避する為に、多層の防湿処理を施
さなければならない。

【０００８】そこで、本発明は、高温度の焼成工程に耐
えつつ、電気特性が良く、耐食性に優れ、製品コストを
抑えることが可能な電子部品を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成する為
に、請求項１に記載の発明は、電極層及び／又は誘電体
層は、Ｃｕを主成分として少なくとも１種類の他の金属
を含むことで、電気特性、耐食性等が向上する電子部品
であることを要旨とした。

【００１０】請求項２〜５に記載の発明は、電極層及び
／又は誘電体層は、ＣｕにＡｇを含有するＣｕ−Ａｇ
（銅−銀）合金の電子部品で、電気特性等が向上し、Ａ
ｇの含有量は、採りうる範囲が０．３〜１０．０重量
％、望ましい範囲が０．３〜７．０重量％、最適な範囲
が０．３〜５．０重量％であることを要旨とした。

【００１１】請求項６〜９に記載の発明は、電極層及び
／又は誘電体層は、ＣｕにＡｇを含有したＣｕ−Ａｇ合
金にさらにＴｉ（チタン）を含有してＣｕ−Ａｇ−Ｔｉ
（銅−銀−チタン）合金の電子部品で、耐食性等が向上
し、Ｔｉの含有量は、採りうる範囲が０．０１〜５．０
重量％、望ましい範囲が０．０１〜１．５重量％、最適
な範囲が０．０３〜０．９重量％であることを要旨とし
た。

【００１２】請求項１０に記載の発明は、電極層及び／
又は誘電体層は、Ｃｕを主成分としてＰｄ、Ｚｒ（ジル
コニウム）、Ｎｉ、Ｓｉ（シリコン）、Ａｌ（アルミニ
ウム）、Ｃｒ（クロム）、Ｐｔ（白金）、Ａｕ（金）の
うち少なくとも１種類を含むＣｕ合金で、電気特性、耐
食性等が向上する電子部品であることを要旨とした。

【００１３】請求項１１〜２２に記載の発明は、請求項
１〜１０に記載の材料を用いて、電極及び／又は誘電体
層を形成し、電気特性、耐食性等が向上する電子部品
は、円板型セラミックコンデンサ、積層セラミックコン
デンサ、チップコイル、チップビーズ、角型チップ抵抗
器、チップバリスタ、チップサーミスタ、ペロブスカイ
ト構造を有するサーミスタ、圧電素子、チップ圧電素
子、弾性表面波フィルタ、多層配線基板等であることを
要旨とした。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態におけ
る電子部品に用いる電極層及び／又は誘電体層について
説明する。

【００１５】本実施の形態による電子部品は、例えば、
円板型セラミックコンデンサ、積層セラミックコンデン
サ、チップコイル、チップビーズ、角型チップ抵抗器、
チップバリスタ、チップサーミスタ、ペロブスカイト構
造を有するサーミスタ、圧電素子、チップ圧電素子、弾
性表面波フィルタ、多層配線基板等がある。

【００１６】前記電子部品は、電極層及び／又は誘電体
層を構成し、前記電極層及び／又は誘電体層は、Ｃｕを
主成分として少なくとも１種類の他の金属を含む電子部
品であり、例として、Ａｇ、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、
Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ等が考えられる。

【００１７】又、前記他の金属の中でも、電気特性を低
下させずに耐食性を向上させるには、Ａｇを含有するの
が好ましく、Ａｇの含有量は、採りうる範囲が０．３〜
１０．０重量％、望ましい範囲が０．３〜７．０重量
％、最適な範囲が０．３〜５．０重量％である。

【００１８】又、前記他の金属の中でも、耐食性を考慮
すると、Ｃｕ−Ａｇ合金にＴｉを含有するＣｕ−Ａｇ−
Ｔｉ合金が好ましく、Ｔｉの含有量は、採りうる範囲が
０．０１〜５．０重量％、望ましい範囲が０．０１〜
１．５重量％、最適な範囲が０．０３〜０．９重量％で
ある。

【００１９】又、Ａｇ、Ｔｉの代わりに電気特性、耐食
性等において、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、
Ｐｔ、Ａｕ等を含有するＣｕ合金で電極層及び／又は誘
電体層を形成しても同様である。

【００２０】次に、Ｃｕ合金を幾つかの組成にしてガラ
ス基板上に１００ｎｍずつ成膜を行い、耐塩水時間を測
定し、その結果を表１に示す。

【００２１】

【表１】表１から、１０重量％より多くのＡｇを含有する薄膜
は、Ｃｕを１００重量％、Ａｇを１００重量％の薄膜と
ほぼ変わらない値を示したことにより、耐食性の面では
好ましくない。

【００２２】又、Ｔｉ、Ｚｒ等の元素もＡｇの含有量に
係らず５重量％より多く含有させると、Ｃｕを１００重
量％、Ａｇを１００重量％の薄膜とほぼ変わらない値を
示したことにより、耐食性の面では好ましくない。

【００２３】よって、耐食性を考慮すると、表１におい
てはＡｇが０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｚｒ等の元素は
０．０１〜５．０重量％が望ましい。（実施例１）図１（ａ）は実施例１における円板型セラ
ミックコンデンサの断面図、図１（ｂ）は側面図であ
る。

【００２４】図１（ａ）において１１は誘電体層で、チ
タン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、鉛系ペロブ
スカイト等の焼結体からなるものである。この誘電体層
１１の両側面には電極層１２を備え、この電極層１２は
Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少な
くとも１種類を含有し、それらの各種類ごとに０．３〜
１０重量％含有し、更にＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓ
ｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を含有し、それらの各
種類ごとに０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金で
ある。

【００２５】１３はリード線で、電極層１２と電気的に
接続するように半田１４により接合している。１５は樹
脂層で、エポキシ樹脂等により少なくとも誘電体層１１
及び電極層１２を覆うように設けている。

【００２６】以上のように設けられた円板型セラミック
コンデンサについて、以下にその製造方法を説明する。
まず、ＢａＣＯ₃（炭酸バリウム）及びＴｉＯ₂（酸化チ
タン）に添加物を添加して湿式混合、乾燥し仮焼成し、
得られたものを湿式粉砕した後に乾燥し、バインダと純
水を加えて造粒する。その後、所望の大きさに成形し、
焼成し、焼結体からなる誘電体層１１を形成する。

【００２７】次に、この誘電体層１１の両側面に、Ｃｕ
を主成分として前記のように、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕ
のうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、さらに
Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも
１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金に、
金属添加物を７０〜８５重量％、無機結合材料としての
ホウケイ酸鉛系ガラスフリットを５．０重量％及び有機
ビヒクルを１０〜２５重量％混合したペーストを塗布
し、焼付処理をして電極層１２を形成する。

【００２８】次に、この電極層１２と電気的に接続する
ように半田１４によりリード線１３を接合する。最後
に、エポキシ樹脂等による樹脂層１５を少なくとも誘電
体層１１及び電極層１２を覆うように形成して、円板型
セラミックコンデンサを製造するものである。

【００２９】（実施例２）以下、実施例２における電子
部品について、積層セラミックコンデンサを例にして説
明する。

【００３０】図２は、実施例２における積層セラミック
コンデンサの断面図である。図２において、２１は誘電
体層で、マグネニオブ酸鉛（Ｐｂ（ＭｇＮｂ）Ｏ₃）、
酸化チタン（ＴｉＯ₃）、チタン酸バリウム又は鉛系ペ
ロブスカイト等からなるものである。この誘電体層２１
の内部には、図２の高さ方向の側面に交互に露出するよ
うに内部電極層２２を備えている。

【００３１】外部電極部２３は、誘電体層２１の両端部
にあり、前記外部電極部２３中の外部電極層２４は、内
部電極層２２と電気的に接続するように設けられてい
る。この外部電極部２３は、外部電極層２４の外側にＮ
ｉメッキ層２５、半田メッキ層２６を備えている。

【００３２】上述した外部電極層２４及び／又は内部電
極層２２は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａ
ｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔ
ｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１
種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金を用い
る。

【００３３】内部電極層２２にＣｕ合金を用いない場合
には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ（銀−パラジウム合
金）、Ａｇ等の貴金属、又はＮｉ、Ｃｕ、Ｆｅ（鉄）、
Ｃｏ（コバルト）等の卑金属が用いられる。

【００３４】以上のように設けられた積層セラミックコ
ンデンサについて、以下にその製造方法を説明する。ま
ず、ＢａＴｉＯ₃（チタン酸バリウム）を主成分とする
焼結体の誘電体層２１を有するグリーンシートにＮｉか
らなる内部電極層２２を印刷し、グリーンシートを剥離
して所望の枚数を積層した後、両端部が誘電体層２１と
内部電極層２２を交互に露出するように切断し、還元雰
囲気にて焼成する。

【００３５】次に、誘電体層２１の側面で内部電極層２
２と電気的に接続するようにＣｕを主成分としてＡｇ、
Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１
０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち
少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣ
ｕ合金に、金属添加物を７０〜８５重量％、無機結合材
料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを５．０重量
％及び有機ビヒクルを１０〜２５重量％混合したペース
トを塗布し、焼付処理をして外部電極層２４を形成す
る。

【００３６】次に、露出した外部電極層２４を覆うよう
にＮｉメッキ層２５、半田メッキ層２６の順番に形成し
て積層セラミックコンデンサを製造するものである。（実施例３）以下、実施例３における電子部品につい
て、チップコイルを例にして説明する。

【００３７】図３は、実施例３におけるチップコイルの
断面図である。図３において、３１は断面Ｉ形状の基材
で、９６％のアルミナ、ムライト、ステアタイト、フォ
ルステライト、マグネシア、チタニア又はガラスセラミ
ックの何れか等からなるものである。この基材３１の薄
肉部には、導体コイル３２が巻きつけられている。

【００３８】又、基材３１の両端面に位置する厚肉部の
一方は導体コイル３２と電気的に接続する外部電極層３
３を有するとともに、厚肉部の他方も同様に導体コイル
３２と電気的に接続する外部電極層３３を備えている。

【００３９】さらに、基材３１の薄肉部には、少なくと
も露出する導体コイル３２を覆うように保護膜３４を備
えている。上述した導体コイル３２及び外部電極層３３
は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち
少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．
０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金を用いるものであ
る。

【００４０】以上のように設けられたチップコイルにつ
いて、以下にその製造方法を説明する。まず、基材３１
を覆うようにＣｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａ
ｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔ
ｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１
種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金に、金
属添加物を７０〜８５重量％、無機結合材料としてのホ
ウケイ酸鉛系ガラスフリットを５．０重量％及び有機ビ
ヒクルを１０〜２５重量％混合したペーストをタピネオ
ール及び酢酸ブチルにより希釈し、ディッピングにより
数回塗布し焼付処理して、Ｃｕ合金層を形成する。

【００４１】このＣｕ合金層のうち、基材３１の両端面
に位置する厚肉部は、外部電極層３３に相当し、この外
部電極層３３は、基材３１の薄肉部のＣｕ合金層と電気
的に接続されている。

【００４２】次に、基材３１の両端面を保持して回転さ
せながら基材３１の薄肉部のＣｕ合金層をＹＡＧレーザ
にて螺旋状に切断し、導体コイル３２を形成する。次
に、少なくとも露出する導体コイル３２を覆うように液
状樹脂をコーティングして焼付処理して保護膜３４を形
成してチップコイルを製造するものである。

【００４３】（実施例４）以下、実施例４における電子
部品について、チップビーズを例にして説明する。

【００４４】図４は、実施例４におけるチップビーズの
断面図である。図４において、４１は磁性体層で、Ｍｎ
Ｚｎ（マンガン亜鉛）系フェライト、ＮｉＺｎ（ニッケ
ル亜鉛）系フェライト又はＮｉＺｎＣｕ（ニッケル亜鉛
銅）系フェライト等からなるものである。この磁性体層
４１の内部には、螺旋状に形成されその始端及び終端は
磁性体層４１の側面から露出する内部電極層４２を備え
ている。

【００４５】４３は一対の外部電極層で、磁性体層４１
の側面で内部電極層４２と電気的に接続するように設け
られている。上述した外部電極層４３及び／又は内部電
極層４２は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａ
ｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔ
ｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１
種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金を用い
るものである。

【００４６】以上のように構成されたチップビーズにつ
いて、以下にその製造方法を説明する。まず、焼結助剤
としてＣｕを含むＮｉＺｎ系フェライト原料粉末に対し
て、テルピネオール及びエチルセルロースを重量比で１
００：６で混合したバインダを添加し、３本ロールを用
いて混練し、磁性体ペーストを作製する。

【００４７】さらに、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、
Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量
％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なく
とも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金
に、テルピネオール及びエチルセルロースを重量比で１
００：６で混合したバインダを添加して、Ｃｕ合金ペー
ストを作製する。

【００４８】次に、スクリーン印刷により磁性体ペース
トとＣｕ合金ペーストとを交互に印刷して乾燥させて、
磁性体層４１と、この磁性体層４１の内部に内部電極層
４２とを形成した後、焼成し、積層体を形成する。この
際、内部電極層４２は、螺旋状に形成されるものであ
る。

【００４９】次に、前工程で得られた積層体を磁性体層
４１の側面から露出するように切断するか、又は、積層
体を複数の個片に切断し磁性体層４１の側面から露出す
るようにそれらを研磨する。

【００５０】次に、磁性体層４１の側面で内部電極層４
２と電気的に接続するように、Ｃｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有す
るＣｕ合金からなる電極ペーストの印刷等の方法により
一対の外部電極層４３を形成し、チップビーズを製造す
るものである。

【００５１】（実施例５）以下、実施例５における電子
部品について、角チップ型抵抗器を例にあげて説明す
る。

【００５２】図５は、実施例５における角チップ型抵抗
器の断面図である。図５において、５１は基板で、アル
ミナ、フォルステライト、ガラスセラミック等からなる
ものである。この基板５１の上面に抵抗体層５２を、Ｎ
ｉ−Ｃｒ（ニッケル−クロム）、酸化ルテニウム等を薄
膜又は厚膜により設けている。

【００５３】この抵抗体層５２の上面の側部には、一対
の上面電極層５３を有するとともに、少なくとも露出す
る部分には有機物又はガラス等の無機物からなる保護層
５４を備えている。又、基板５１の側面には、上面電極
層５３と電気的に接続する一対の側面電極層５５を備え
ている。

【００５４】上述した上面電極層５３及び／又は側面電
極層５５からなる電極層は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、
Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１
０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち
少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣ
ｕ合金を用いるものである。

【００５５】以上のように構成された角チップ型抵抗器
について、以下にその製造方法を説明する。まず、基板
５１の上面にＮｉ−Ｃｒをスパッタリングして抵抗体層
５２を形成する。

【００５６】次に、抵抗体層５２の上面の側部の所定箇
所にＣｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち
少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．
０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金をスパッタリング
して上面電極層５３を形成する。

【００５７】次に、少なくとも露出した抵抗体層５２を
覆うようにエポキシ樹脂等で保護層５４を形成する。次
に、基板５１の側面に上面電極層５３と電気的に接続す
るような側面電極層５５を形成する。

【００５８】前記側面電極層５５は、Ｃｕを主成分とし
てＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を
０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、
Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％
含有するＣｕ合金を印刷又はスパッタリングにより形成
し、角チップ型抵抗器を製造するものである。

【００５９】（実施例６）以下、実施例６における電子
部品について、チップバリスタを例にして説明する。

【００６０】図６は、実施例６におけるチップバリスタ
の断面図である。図６において、６１はバリスタ層で、
ＺｎＯ（酸化亜鉛）、Ｚｎ−Ｂｉ（亜鉛−ビスマス）、
Ｚｎ−Ｐｒ（亜鉛−プラセオジム）又はＳｒＴｉＯ
₃（チタン酸ストロンチウム）の何れかを主成分とする
ものである。このバリスタ層６１の内部には、図６の高
さ方向の側面に交互に露出するように内部電極層６２を
備えている。

【００６１】６３は外部電極層で、バリスタ層６１の側
面で内部電極層６２と電気的に接続するように設けられ
ている。上述した外部電極層６３及び／又は内部電極層
６２は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕの
うち少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐ
ｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を
０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金を用いる。

【００６２】内部電極層６２にＣｕ合金を用いない場合
には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ等の貴金属、又は
Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の卑金属が用いられる。以上
のように設けられたチップバリスタについて、以下にそ
の製造方法を説明する。

【００６３】まず、ＺｎＯを主成分とする焼結体のバリ
スタ層６１を有するグリーンシートにＣｕを主成分とし
て、その他の金属を少なくとも１種類を含有してなるＣ
ｕ合金からなる内部電極層６２を印刷し、グリーンシー
トを剥離して所望の枚数を積層した後、高さ方向の側面
が交互に露出するように切断し、焼成する。

【００６４】次に、バリスタ層６１の側面で内部電極層
６２と電気的に接続するようにＣｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有す
るＣｕ合金に、金属添加物を７０〜８５重量％、無機結
合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを５．０
重量％及び有機ビヒクルを１０〜２５重量％混合したペ
ーストを塗布し、焼付処理をして外部電極層６３を形成
してチップバリスタを製造するものである。

【００６５】（実施例７）以下、実施例７における電子
部品について、正特性サーミスタを例にして説明する。

【００６６】図７は、実施例７における正特性サーミス
タの断面図である。図７において、７１はＢａＴｉＯ₃
等からなる正特性サーミスタである。この正特性サーミ
スタ７１の上下面に第１の電極７２及び第２の電極７３
の順に設けている。第１の電極７２はＮｉ、Ｃｒ、Ｔ
ｉ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＳｎ（錫）の少なくとも１種類から
なるものである。

【００６７】又、第２の電極７３は、Ｃｕを主成分とし
てＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を
０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、
Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％
含有するＣｕ合金からなるものである。

【００６８】以上のように設けられた正特性サーミスタ
について、以下にその製造方法を説明する。まず、Ｂａ
ＴｉＯ₃に添加物として微量のＣａ（カルシウム）、Ｙ
（イットリウム）、Ｓｉ等の酸化物を添加し、さらにＢ
ａＣＯ₃（炭酸バリウム）、ＴｉＯ₂に添加物を加えて湿
式混合、乾燥し仮焼成をした後に、得られた粉体を粉砕
する。

【００６９】その後、乾燥させ、上記粉体にバインダと
純水を加えて造粒し、所望の大きさに成形し、焼結して
正特性サーミスタ７１を形成する。次に、この正特性サ
ーミスタ７１の両面に対して、Ｃｒ、Ｎｉの順にスパッ
タリングして第１の電極７２を形成する。

【００７０】次に、正特性サーミスタ７１が位置する側
と反対側のそれぞれの第１の電極７２に、Ｃｕを主成分
としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類
を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓ
ｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重
量％含有するＣｕ合金をスパッタリングして、第２の電
極７３を形成して、チップサーミスタを製造するもので
ある。

【００７１】（実施例８）以下、実施例８における電子
部品について、チップサーミスタを例にして説明する。

【００７２】図８は、実施例８におけるチップサーミス
タの断面図である。図８において、８１はチップサーミ
スタ素子で、Ｍｎ（マンガン）、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ等の
酸化物、又は、Ｌａ（ランタン）、Ｃｏ、Ｂａ（バリウ
ム）、Ｓｒ（ストロンチウム）、Ｍｎ等の酸化物からな
るものである。このチップサーミスタ素子８１の両面に
は、電極８２を備えている。

【００７３】又、この電極８２は、Ｃｕを主成分として
Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．
３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒ
のうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有
するＣｕ合金に、無機結合材、有機バインダ及び有機溶
剤を含む有機ビヒクルと混練して調整するものである。

【００７４】８３はリード線で、電極８２と電気的に接
合されるように半田８４にて接合している。さらに、少
なくとも露出するチップサーミスタ素子８１と電極８２
とを覆うように保護層８５を、エポキシ樹脂等により設
けている。以上のように設けられたチップサーミスタに
ついて、以下にその製造方法を説明する。

【００７５】まず、Ｍｎ₃Ｏ₄（四酸化マンガン）、Ｎｉ
Ｏ（酸化ニッケル）、Ｃｏ₃Ｏ₄（四酸化コバルト）及び
ＣｕＯ（酸化銅）からなる焼結体を所定量秤量し、湿式
混合、乾燥させ仮焼成した後に、湿式粉砕し乾燥させ
る。その後、バインダと純水を加えて造粒し、所望量の
大きさに成形し、焼成してチップサーミスタ素子８１を
形成する。

【００７６】この際、チップサーミスタ素子８１の組成
に、抵抗値や温度特性を調整するためにＳｉ、Ａｌ、Ｆ
ｅ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｙ等の酸化物を添加することも考えら
れる。

【００７７】次に、チップサーミスタ素子８１の両面
に、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち
少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．
０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金に、無機結合材、
有機バインダ及び有機溶剤を含む有機ビヒクルを混練し
たペーストにより印刷、乾燥後に焼付けて電極８２を形
成する。

【００７８】次に、電極８２と電気的に接合されるよう
にリード線８３とを半田８４にて接合する。次に、少な
くとも露出するチップサーミスタ素子８１と電極８２と
を覆うようにエポキシ樹脂等を塗布し、乾燥させて保護
層８５を形成し、ペロブスカイト構造を有するサーミス
タを製造するものである。

【００７９】（実施例９）以下、実施例９における電子
部品について、圧電素子を例にして説明する。図９は、
実施例９における圧電素子の断面図である。

【００８０】図９において、９１は圧電体で、Ｐｂ（Ｚ
ｒ、Ｔｉ）Ｏ₃（チタン酸ジルコン酸鉛）を主成分とす
る。この圧電体９１の上下面に第１の電極９２及び第２
の電極９３の順に設けている。

【００８１】第１の電極９２は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃ
ｕ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種類からなるものであ
る。又、第２の電極９３は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、
Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１
０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち
少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣ
ｕ合金からなるものである。

【００８２】以上のように設けられた圧電素子につい
て、以下にその製造方法を説明する。まず、ＰｂＯ（酸
化鉛）、ＴｉＯ₂及びＺｒＯ₂（酸化ジルコニウム）を含
有する主成分に、Ｃｒ₂Ｏ₃（酸化クロム）、ＭｎＣＯ₃
（炭酸マンガン）、ＣａＣＯ₃（炭酸カルシウム）、及
びＳｉＯ₂（酸化ケイ素）を所定量添加し、ボールミル
により混合する。

【００８３】その後、混合物を仮焼成し、ボールミルに
より粉砕し、乾燥させた後、結合材としてポリビニルア
ルコール水溶液を混合物に加えて造粒した後、加圧成形
し、成形体を得る。さらに、成形体を閉炉中で焼成し、
圧電磁器矩形板を形成する。次に、圧電磁器矩形板の両
面に銀電極を焼付け、シリコンオイル中で直流電界を印
加して分極処理、熱処理をする。その後、厚み方向にス
ライスして、圧電体９１を形成する。

【００８４】次に、圧電体９１の両面に、Ｎｉ、Ｃｒ、
Ｔｉ、Ｃｕ、Ｚｎ又はＳｎの少なくとも１種類をスパッ
タリングして第１の電極９２を形成する。次に、圧電体
９１が位置する側と反対側のそれぞれの第１の電極９２
に、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち
少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．
０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金をスパッタリング
して、第２の電極９３を形成して、圧電素子を製造する
ものである。

【００８５】（実施例１０）以下、実施例１０における
電子部品について、チップ圧電素子を例にして説明す
る。

【００８６】図１０は、実施例１０におけるチップ圧電
素子の断面図である。図１０において、１０１は圧電体
層で、ＰｂＺｒＴｉＯ₃系を主成分とする。この圧電体
層１０１の内部には、高さ方向の側面に交互に露出する
ように内部電極層１０２を備えている。

【００８７】１０３は外部電極層で、圧電体層１０１の
側面で内部電極層１０２と電気的に接続するように設け
られている。上述した外部電極層１０３及び／又は内部
電極層１０２は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐ
ｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量
％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なく
とも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金
を用いる。

【００８８】内部電極層１０２にＣｕ合金を用いない場
合には、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ等の貴金属、又
はＮｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の卑金属が用いられる。以
上のように設けられたチップ圧電素子について、以下に
その製造方法を説明する。

【００８９】まず、ＰｂＺｒＴｉＯ₃系を主成分とする
材料により作製するスラリーをドクターブレード法によ
りシート成形を行い、得られたグリーンシート状の圧電
体層１０１に所望の形状の内部電極層１０２を形成する
ペーストを印刷する。

【００９０】この際、内部電極層１０２は、Ｃｕを主成
分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種
類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓ
ｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重
量％含有するＣｕ合金、又は、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｇ−Ｐ
ｄ、Ａｇ等の貴金属、又はＮｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ等の
卑金属からなるものである。

【００９１】次に、内部電極層１０２を有するグリーン
シート状の圧電体層１０１を所望の枚数積層し、焼成す
る。その後、積層方向の側面に交互に露出するように内
部電極層１０２を有するように個片に切断するか、又
は、個片に切断した後、積層方向の側面に交互に露出す
るように内部電極層１０２を研磨する。

【００９２】次に、圧電体層１０１の側面で内部電極層
１０２と電気的に接続するようにＣｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有す
るＣｕ合金に、金属添加物を７０〜８５重量％、無機結
合材料としてのホウケイ酸鉛系ガラスフリットを３．０
重量％及び有機ビヒクルを１０〜２５重量％混合したペ
ーストを塗布し、焼付処理をして外部電極層１０３を形
成した後、外部電極層１０３間に電圧を印加して、シリ
コンオイル中で分極してチップ圧電素子を製造するもの
である。

【００９３】（実施例１１）以下、実施例１１における
電子部品について、弾性表面波フィルタを例にして説明
する。

【００９４】図１１は、実施例１１における弾性表面波
フィルタの断面図である。図１１において、１１１は圧
電性基板でＬｉＴａＯ₃（タンタル酸リチウム）、水
晶、ＬｉＮｂＯ₃（ニオブ酸リチウム）、Ｌｉ₂Ｂ₄Ｏ
₇（ボロン酸リチウム）又はＺｎＯ等からなるものであ
る。

【００９５】この圧電性基板１１１の上面の側部には一
対の上面電極層１１３を設け、前記圧電性基板１１１
は、上面電極層１１３と電気的に接続する櫛形電極層１
１２とを備えている。

【００９６】上面電極層１１３及び／又は櫛形電極層１
１２からなる電極層は、Ｃｕを主成分としてＡｇ、Ａ
ｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０
重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少
なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ
合金からなるものである。

【００９７】以上のように設けられた弾性表面波フィル
タについて、以下にその製造方法を説明する。まずＬｉ
ＴａＯ₃からなる圧電性基板１１１の上面にＤＣマグネ
トロンスパッタリング法により、Ｃｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％とＴｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％とを含
有するＣｕ合金を成膜した後、フォトリソグラフィによ
りパターニングして櫛形電極層１１２を形成する。

【００９８】次に、この櫛形電極層１１２に電気的に接
続するように圧電性基板１１１の側部にＣｕを主成分と
してＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を
０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、
Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％
含有するＣｕ合金をスパッタリングした後、リフトオフ
法によりパターンニングして上面電極層１１３を形成し
て、弾性表面波フィルタを製造するものである。

【００９９】（実施例１２）以下、実施例１２における
電子部品について、多層配線基板を例にして説明する。

【０１００】図１２は、実施例１２における多層配線基
板の断面図である。図１２において、１２１は多層基板
で、Ｂａ、Ｎｂ（ニオブ）、Ｔｉ系の高周波セラミッ
ク、ガラスセラミック、エポキシ、ポリイミド又はアラ
ミド等からなるものである。

【０１０１】この多層基板１２１の内部には回路パター
ンを構成する複数個の内層電極層１２２及び上下間の内
層電極層１２２を電気的に接続するスルー電極層１２４
とを備えている。又、多層基板１２１の上面には、所望
のスルー電極層１２４と電気的に接続するものである。

【０１０２】以上のように設けられた多層配線基板につ
いて、以下にその製造方法を説明する。まず、主成分で
あるＢａＣＯ₃、Ｎｄ₂Ｏ₃（酸化ネオジウム）、ＴｉＯ₃
及び所望量の焼結助剤を秤量し、ジルコニア玉石及び純
水とともにボールミルで混合してスラリーとする。

【０１０３】その後、スラリーを乾燥させ坩堝に入れ仮
焼成し、解砕した後、再度ボールミルで粉砕して乾燥さ
せて第１成分の粉末とする。又、第２成分として、Ｓｉ
−Ｂ−Ｃａ−Ｂａ（シリコン−ボロン−カルシウム−バ
リウム合金）等からなるガラスを用意する。

【０１０４】その後、第１成分及び第２成分の粉末を、
８：２の割合で秤量し、ボールミルにて湿式混合してス
ラリーとし、このスラリーをドクターブレード法にてシ
ート成形し乾燥させシートとする。

【０１０５】次に、このシートにパンチングしてビアを
形成し、このビアにＣｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐ
ｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３〜１０重量
％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なく
とも１種類を０．０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金
を印刷し、焼成等により硬化させてスルー電極層１２４
を形成する。

【０１０６】又、シートに所望の回路パターンとなるよ
うにＣｕを主成分としてＡｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち
少なくとも１種類を０．３〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、
Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒのうち少なくとも１種類を０．
０１〜５．０重量％含有するＣｕ合金を印刷し、焼成等
により硬化させて内層電極層１２２を形成する。次に、
スルー電極層１２４を有するシート、内層電極層１２２
を有するシート及びシートを所望の枚数積層した後、熱
プレスをして積層体を形成する。

【０１０７】次に、この積層体の上面にスルー電極層１
２４と電気的に接続するようにＣｕを主成分としてＡ
ｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ａｕのうち少なくとも１種類を０．３
〜１０重量％、Ｔｉ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒの
うち少なくとも１種類を０．０１〜５．０重量％含有す
るＣｕ合金を印刷し、焼成等により硬化させて表層電極
層１２３を形成して多層配線基板を製造するものであ
る。

【０１０８】

【発明の効果】以上のように、本発明は、各種電子部品
の電極層及び／又は誘電体層にＣｕ合金を用いることに
より、電気特性と耐食性が優れた上に、材料費が安価な
電子材料を作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は、実施例１における円板型セラミッ
クコンデンサの断面図であり、（ｂ）は、同側面図。

【図２】実施例２における積層セラミックコンデンサ
の断面図。

【図３】実施例３におけるチップコイルの断面図。

【図４】実施例４におけるチップビーズの断面図。

【図５】実施例５における各チップ型抵抗器の断面
図。

【図６】実施例６におけるチップバリスタの断面図。

【図７】実施例７におけるチップサーミスタの断面
図。

【図８】実施例８におけるペロブスカイト構造を有す
るサーミスタの断面図。

【図９】実施例９における圧電素子の断面図。

【図１０】実施例１０におけるチップ圧電素子の断面
図。

【図１１】実施例１１における弾性表面波フィルタの
断面図。

【図１２】実施例１２における多層配線基板の断面
図。

【符号の説明】

１１…誘電体層、１２…電極層、１３…リード線、１４
…半田、１５…樹脂、２１…誘電体層、２２…内部電極
層、２３…外部電極部、２４…外部電極層、２５…Ｎｉ
メッキ層、２６…半田メッキ層、３１…基材、３２…導
体コイル部、３３…外部電極層、３４…保護層、４１…
磁気体層、４２…内部電極層、４３…外部電極層、５１
…基板、５２…抵抗体層、５３…上面電極層、５４…保
護層、５５…側面電極層、６１…バリスタ層、６２…内
部電極層、６３…外部電極層、７１…正特性サーミス
タ、７２…第1の電極、７３…第2の電極、８１…サーミ
スタ素子、８２…電極、８３…半田、８４…リード線、
８５…保護層、９１…圧電体、９２…第1の電極、９３
…第2の電極、１０１…圧電体層、１０２…内部電極
層、１０３…外部電極層、１１１…圧電性基板、１１２
…櫛型電極層、１１３…上面電極層、１２１…多層基
板、１２２…内部電極、１２３…表面電極層、１２４…
スルー電極層。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｃ 7/04 Ｈ０１Ｃ 7/04 7/10 7/10 Ｈ０１Ｆ 17/00 Ｈ０１Ｆ 17/00 ＧＢＨ０１Ｌ 41/09 Ｈ０１Ｌ 41/08 Ｌ 41/083 Ｑ 41/18 Ｕ 41/187 41/18 １０１Ａ１０１ＤＦターム(参考） 4G031 AA06 AA11 BA05 CA07 5E001 AB01 AB03 AC09 AF06 5E033 AA02 AA27 BB02 BC01 BD01 BE01 BG02 BH02 5E034 AC02 BB01 BC02 CB01 CC02 CC03 CC06 CC11 DA02 DA07 DC01 DC05 5E070 AA01 AB10 CB08 CB13 CC01 CC03 EA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電極層及び／又は誘電体層を有するもの
で、この電極層及び／又は誘電体層は、Ｃｕを主成分と
して少なくとも１種類の他の金属を含む電子部品。
【請求項２】請求項１において、Ａｇを含有してなる
Ｃｕ合金からなる電子部品。
【請求項３】請求項２において、Ａｇを０．３〜１
０．０重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項４】請求項２において、Ａｇを０．３〜７．
０重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項５】請求項２において、Ａｇを０．３〜５．
０重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項６】請求項２〜請求項５に記載のいずれか１
項において、さらにＴｉを含有してなるＣｕ合金からな
る電子部品。
【請求項７】請求項６において、Ｔｉが０．０１〜
５．０重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項８】請求項６において、Ｔｉが０．０１〜
１．５重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項９】請求項６において、Ｔｉが０．０３〜
０．９重量％含有してなるＣｕ合金からなる電子部品。
【請求項１０】電極及び／又は誘電体層を有するもの
で、この電極層及び／又は誘電体層は、Ｃｕを主成分と
してＰｄ、Ｚｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ａｕ
のうち少なくとも１種類を含む電子部品。
【請求項１１】電子部品が誘電体層と、この両面に設
けられた電極層とからなる円板型セラミックコンデンサ
において、前記電極層は、請求項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ
合金を用いたことを特徴とする円板型セラミックコンデ
ンサ。
【請求項１２】誘電体層と、この誘電体層の内部に積
層され、それらの端部が交互に露出するように設けられ
た内部電極層と、この内部電極層と電気的に接続するよ
うに前記誘電体層の側面に設けられた一対の外部電極層
とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、前記電極層は、請求項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ
合金を用いたことを特徴とする積層セラミックコンデン
サ。
【請求項１３】基体と、この基体の薄肉部にコイル部
を厚肉部に前記コイル部と電気的に接続する外部電極層
とを備えているチップコイルにおいて、前記コイル及び
外部電極層は、請求項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ
合金を用いたことを特徴とするチップコイル。
【請求項１４】磁性体層と、この磁性体層の内部に螺
旋状に設けられた内部電極層と、この内部電極層と電気
的に接続するように設けられた一対の外部電極層とから
なるチップビーズにおいて、前記内部電極層及び外部電
極層は、請求項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ合金を
用いたことを特徴とするチップビーズ。
【請求項１５】基板と、この基板の上面に設けられた
一対の上面電極層及び抵抗体層と、前記抵抗体層と電気
的に接続するように前記基板の側面に設けられた側面電
極層とからなる角型チップ抵抗器において、前記上部電極層及び／又は側面電極層は、請求項１〜１
０のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とす
る角型チップ抵抗器。
【請求項１６】バリスタ層と、このバリスタ層の内部
で高さ方向の側面に交互に露出するように設けられた内
部電極層と、この内部電極層と電気的接続するように前
記バリスタ層の側面に設けられた一対の外部電極層とか
らなるチップバリスタにおいて、前記外部電極及び／又は内部電極層は、請求項１〜１０
のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とする
チップバリスタ。
【請求項１７】正特性サーミスタと、この正特性サー
ミスタの両面に第１の電極を介して設けられた第２の電
極とを備えたチップサーミスタにおいて、前記第１の電
極及び／又は第２の電極は、請求項１〜１０のいずれか
に記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とするチップサー
ミスタ。
【請求項１８】ペロブスカイト構造を有するサーミス
タ素子と、このペロブスカイト構造を有するサーミスタ
素子の両面に設けられた電極とからなるペロブスカイト
構造を有するサーミスタにおいて、前記電極は、請求項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ合
金を用いたことを特徴とするペロブスカイト構造を有す
るサーミスタ。
【請求項１９】圧電体と、この圧電体の両面に第１の
電極と第２電極とを設けた圧電素子において、前記第１の電極及び／又は第２の電極は、請求項１〜１
０のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とす
る圧電素子。
【請求項２０】圧電体層と、この圧電体層の内部で高
さ方向の側面に交互に露出するように設けられた内部電
極層と、この内部電極層と電気的に接続するように前記
圧電体層の側面に設けられた一対の外部電極層とからな
るチップ圧電素子において、前記外部電極及び／又は内部電極層は、請求項１〜１０
のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とする
チップ圧電素子。
【請求項２１】圧電性基板と、この圧電性基板に一対
の上面電極層と、この上面電極層と電気的に接続する櫛
型電極層とからなる弾性表面波フィルタにおいて、前記上面電極層及び／又は櫛型電極層は、請求項１〜１
０のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを特徴とす
る弾性表面波フィルタ。
【請求項２２】多層基板と、この多層基板の内部には
回路パターンを構成する複数個の内部電極層及び上下間
の内部電極層を電気的に接続するスルー電極層と、この
スルー電極層と電気的に接続する表層電極層とからなる
多層配線基板において、前記表層電極層、内層電極層及びスルー電極層は、請求
項１〜１０のいずれかに記載のＣｕ合金を用いたことを
特徴とする多層配線基板。