JP2001291634A - 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 耐電圧特性が良好で且つ大容量及び小型化が
可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 導体層１２を形成する導電性ペーストに
セラミック誘電体層１１に含まれる添加物を混合させる
ことにより、導体層１２の近傍におけるセラミック粒子
２０のシェル部２２の厚みを大きく形成した。これによ
り、耐電圧特性が向上するのでセラミック誘電体層１１
の薄層化による大容量化及び小型化が可能となる。
可能な積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提
供する。 【解決手段】 導体層１２を形成する導電性ペーストに
セラミック誘電体層１１に含まれる添加物を混合させる
ことにより、導体層１２の近傍におけるセラミック粒子
２０のシェル部２２の厚みを大きく形成した。これによ
り、耐電圧特性が向上するのでセラミック誘電体層１１
の薄層化による大容量化及び小型化が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体層と導体層
とを交互に積層した積層セラミックコンデンサに関し、
特にその誘電体層の構造に関するものである。
とを交互に積層した積層セラミックコンデンサに関し、
特にその誘電体層の構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】積層セラミックコンデンサは、以下の工
程により製造される。まず、スラリーを作成する。具体
的には、ＢａＴｉＯ3などのセラミック誘電体粉体に添
加物及びバインダを加え、これを数時間ボールミル等で
撹拌・混合することにより適度な粘度をもったスラリー
を作成する。
程により製造される。まず、スラリーを作成する。具体
的には、ＢａＴｉＯ3などのセラミック誘電体粉体に添
加物及びバインダを加え、これを数時間ボールミル等で
撹拌・混合することにより適度な粘度をもったスラリー
を作成する。
【０００３】次に、例えばドクターブレード法などによ
り、スラリーからセラミックグリーンシートを作成す
る。このドクターブレード法では、ベースフィルム上に
スラリーを流し、その厚みをドクターブレードとの隙間
で調整する。この後に、これを乾燥させて所定の厚みの
セラミックグリーンシートを得る。
り、スラリーからセラミックグリーンシートを作成す
る。このドクターブレード法では、ベースフィルム上に
スラリーを流し、その厚みをドクターブレードとの隙間
で調整する。この後に、これを乾燥させて所定の厚みの
セラミックグリーンシートを得る。
【０００４】次に、セラミックグリーンシートに所定の
パターンで導電性ペーストを塗布する。次いで、これら
セラミックグリーンシートを必要枚数だけ積層・圧着し
てシート積層物を作成する。この後に、シート積層物を
単位部品あたりの大きさに裁断し、これを焼成して焼結
体を作成する。この焼成工程により、セラミックグリー
ンシートが焼成してセラミック誘電体層となり、導電性
ペーストが焼成して導体層となる。最後に、この焼結体
に導電性ペーストを塗布し焼成して外部電極を形成す
る。以上の工程により積層セラミックコンデンサが製造
される。
パターンで導電性ペーストを塗布する。次いで、これら
セラミックグリーンシートを必要枚数だけ積層・圧着し
てシート積層物を作成する。この後に、シート積層物を
単位部品あたりの大きさに裁断し、これを焼成して焼結
体を作成する。この焼成工程により、セラミックグリー
ンシートが焼成してセラミック誘電体層となり、導電性
ペーストが焼成して導体層となる。最後に、この焼結体
に導電性ペーストを塗布し焼成して外部電極を形成す
る。以上の工程により積層セラミックコンデンサが製造
される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このような積層セラミ
ックコンデンサでは、デラミネーションやクラックの発
生を防止することが課題としてある。デラミネーション
等の発生要因の一つとして、焼成時における導電性ペー
ストとセラミックグリーンシートの収縮挙動の差異が挙
げられる。この課題を解決するために、導体層を形成す
る導電性ペーストに、スラリー作成に用いたセラミック
誘電体誘電体を混入させる技術が一般化している。な
お、このような目的で導電性ペーストに混入させる材料
は「共材」と呼ばれている。
ックコンデンサでは、デラミネーションやクラックの発
生を防止することが課題としてある。デラミネーション
等の発生要因の一つとして、焼成時における導電性ペー
ストとセラミックグリーンシートの収縮挙動の差異が挙
げられる。この課題を解決するために、導体層を形成す
る導電性ペーストに、スラリー作成に用いたセラミック
誘電体誘電体を混入させる技術が一般化している。な
お、このような目的で導電性ペーストに混入させる材料
は「共材」と呼ばれている。
【０００６】しかしながら、近年の積層セラミックコン
デンサの大容量及び小型化に伴いセラミック誘電体層の
薄膜化がすすむにつれ、前記共材の拡散反応によるセラ
ミック誘電体層の物性変化が無視できなくなってきた。
また、セラミック誘電体層を薄層化すると、耐電流特性
が悪化するという問題もあった。
デンサの大容量及び小型化に伴いセラミック誘電体層の
薄膜化がすすむにつれ、前記共材の拡散反応によるセラ
ミック誘電体層の物性変化が無視できなくなってきた。
また、セラミック誘電体層を薄層化すると、耐電流特性
が悪化するという問題もあった。
【０００７】本発明は、上記目的に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、耐電圧特性が良好で
且つ大容量及び小型化が可能な積層セラミックコンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
であり、その目的とするところは、耐電圧特性が良好で
且つ大容量及び小型化が可能な積層セラミックコンデン
サ及びその製造方法を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の発明では、セラミック誘電体層と導体層
とを交互に積層してなる積層セラミックコンデンサにお
いて、前記セラミック誘電体層はコアシェル構造を有す
るセラミック粒子を含むとともに、該セラミック粒子は
導体層に近いものほどシェル部の厚みが大きく形成され
ていることを特徴とするものを提案する。
に、請求項１の発明では、セラミック誘電体層と導体層
とを交互に積層してなる積層セラミックコンデンサにお
いて、前記セラミック誘電体層はコアシェル構造を有す
るセラミック粒子を含むとともに、該セラミック粒子は
導体層に近いものほどシェル部の厚みが大きく形成され
ていることを特徴とするものを提案する。
【０００９】本発明によれば、セラミック誘電体層は、
導体層の近傍におけるセラミック粒子が、導体層と離れ
ているセラミック粒子よりもシェル部の厚みが大きいコ
アシェル構造を有しているので、耐電圧特性が向上す
る。したがって、セラミック誘電体層の薄層化による大
容量化及び小型化が容易となる。
導体層の近傍におけるセラミック粒子が、導体層と離れ
ているセラミック粒子よりもシェル部の厚みが大きいコ
アシェル構造を有しているので、耐電圧特性が向上す
る。したがって、セラミック誘電体層の薄層化による大
容量化及び小型化が容易となる。
【００１０】ここで、セラミック粒子のコアシェル構造
とは、セラミック粒子の中心部であるコア部と外殻部で
あるシェル部とが物理的、化学的に異なる相を形成して
いる構造をいう。
とは、セラミック粒子の中心部であるコア部と外殻部で
あるシェル部とが物理的、化学的に異なる相を形成して
いる構造をいう。
【００１１】なお、セラミック誘電体層中の全てのセラ
ミック粒子がコアシェル構造を有しているとは限らな
い。そこで、請求項２の発明では、請求項１記載の積層
セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体
層は、コアシェル構造を有するセラミック粒子がコアシ
ェル構造を有しないセラミック粒子の個数に対して（９
／１）以上（７／３）以下の個数含むことを特徴とする
ものを提案する。
ミック粒子がコアシェル構造を有しているとは限らな
い。そこで、請求項２の発明では、請求項１記載の積層
セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック誘電体
層は、コアシェル構造を有するセラミック粒子がコアシ
ェル構造を有しないセラミック粒子の個数に対して（９
／１）以上（７／３）以下の個数含むことを特徴とする
ものを提案する。
【００１２】本発明によれば、耐電圧特性とともに誘電
率を向上させることができる。なお、コアシェル構造を
有しないセラミック粒子には、コア部のみの粒子及びシ
ェル部のみの粒子が存在する。コア部のみのセラミック
粒子は誘電率向上に寄与し、シェル部のみのセラミック
粒子は耐電圧特性向上に寄与する。なお、コア部のみの
セラミック粒子はコアシェル構造を有する粒子としてカ
ウントし、シェル部のみのセラミック粒子はコアシェル
構造を有しない粒子としてカウントする。
率を向上させることができる。なお、コアシェル構造を
有しないセラミック粒子には、コア部のみの粒子及びシ
ェル部のみの粒子が存在する。コア部のみのセラミック
粒子は誘電率向上に寄与し、シェル部のみのセラミック
粒子は耐電圧特性向上に寄与する。なお、コア部のみの
セラミック粒子はコアシェル構造を有する粒子としてカ
ウントし、シェル部のみのセラミック粒子はコアシェル
構造を有しない粒子としてカウントする。
【００１３】また、請求項３の発明では、請求項２記載
の積層セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック
誘電体層の前記導体層との界面又は導体層の近傍にコア
シェル構造を有しないセラミック粒子が形成されている
ことを特徴とするものを提案する。
の積層セラミックコンデンサにおいて、前記セラミック
誘電体層の前記導体層との界面又は導体層の近傍にコア
シェル構造を有しないセラミック粒子が形成されている
ことを特徴とするものを提案する。
【００１４】本発明によれば、焼結が促進されてシェル
部のみになったセラミック粒子は耐電圧特性に優れてい
るので、これが導体層との界面又は導体層近傍に存在す
ることによりセラミック誘電体層全体の耐電圧特性が向
上する。
部のみになったセラミック粒子は耐電圧特性に優れてい
るので、これが導体層との界面又は導体層近傍に存在す
ることによりセラミック誘電体層全体の耐電圧特性が向
上する。
【００１５】また、請求項４の発明では、第１セラミッ
ク誘電体粉体に第１添加物及びバインダを混合してスラ
リーを作成する工程と、このスラリーをシート状に加工
してグリーンシートを作成する工程と、前記第１添加物
中の少なくとも一成分を含む第２添加物と第２セラミッ
ク誘電体粉体とを混練した導電性ペーストをグリーンシ
ートに塗布する工程と、複数のグリーンシートを積層し
て積層物を作成する工程と、この積層物を焼成する工程
とを有することを特徴とする積層セラミックコンデンサ
の製造方法を提案する。
ク誘電体粉体に第１添加物及びバインダを混合してスラ
リーを作成する工程と、このスラリーをシート状に加工
してグリーンシートを作成する工程と、前記第１添加物
中の少なくとも一成分を含む第２添加物と第２セラミッ
ク誘電体粉体とを混練した導電性ペーストをグリーンシ
ートに塗布する工程と、複数のグリーンシートを積層し
て積層物を作成する工程と、この積層物を焼成する工程
とを有することを特徴とする積層セラミックコンデンサ
の製造方法を提案する。
【００１６】本発明によれば、焼成の過程において、導
電性ペーストからグリーンシートに前記第２添加物が拡
散する。この第２添加物は、セラミック誘電体層を形成
する元素のうち前記第１添加物中の少なくとも一成分を
含むので、導体層近傍におけるセラミック粒子のシェル
部の成長が促進される。したがって、導体層の近傍にお
けるセラミック粒子が、導体層と離れているセラミック
粒子よりもシェル部の厚みが大きいコアシェル構造を有
することになる。これにより、本発明により製造された
積層コンデンサは耐電圧特性が向上するので、セラミッ
ク誘電体層の薄層化による大容量化及び小型化が容易と
なる。
電性ペーストからグリーンシートに前記第２添加物が拡
散する。この第２添加物は、セラミック誘電体層を形成
する元素のうち前記第１添加物中の少なくとも一成分を
含むので、導体層近傍におけるセラミック粒子のシェル
部の成長が促進される。したがって、導体層の近傍にお
けるセラミック粒子が、導体層と離れているセラミック
粒子よりもシェル部の厚みが大きいコアシェル構造を有
することになる。これにより、本発明により製造された
積層コンデンサは耐電圧特性が向上するので、セラミッ
ク誘電体層の薄層化による大容量化及び小型化が容易と
なる。
【００１７】本発明の好適な態様の一例として、請求項
５の発明では、請求項４記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法において、前記第１セラミック誘電体粉体
及び第２セラミック誘電体粉体は互いに同一の組成を有
することを特徴とするものを提案する。また、請求項６
の発明では、請求項４又は５何れか１項記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法において、前記第２セラミ
ック誘電体粉体の粒径が、前記第１誘電体粉体の粒径の
半分以下であることを特徴とするものを提案する。さら
に、請求項７の発明では、請求項４記載の積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記第２添加物は、前記グリー
ンシートの焼結を促進する成分を含むことを特徴とする
ものを提案する。
５の発明では、請求項４記載の積層セラミックコンデン
サの製造方法において、前記第１セラミック誘電体粉体
及び第２セラミック誘電体粉体は互いに同一の組成を有
することを特徴とするものを提案する。また、請求項６
の発明では、請求項４又は５何れか１項記載の積層セラ
ミックコンデンサの製造方法において、前記第２セラミ
ック誘電体粉体の粒径が、前記第１誘電体粉体の粒径の
半分以下であることを特徴とするものを提案する。さら
に、請求項７の発明では、請求項４記載の積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記第２添加物は、前記グリー
ンシートの焼結を促進する成分を含むことを特徴とする
ものを提案する。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態にかかる積
層セラミックコンデンサについて図面を参照して説明す
る。図１は積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜
視図、図２は積層セラミックコンデンサの拡大断面図で
ある。なお、図２はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過型電
子顕微鏡）で観察した断面図である。
層セラミックコンデンサについて図面を参照して説明す
る。図１は積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜
視図、図２は積層セラミックコンデンサの拡大断面図で
ある。なお、図２はＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ
Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：透過型電
子顕微鏡）で観察した断面図である。
【００１９】図１に示すように、この積層セラミックコ
ンデンサ１０は、セラミック誘電体層１１と導体層１２
とを交互に積層した略直方体形状の積層体１３と、積層
体１３の両端部に形成され前記導体層１２と接続する外
部電極１４とを備えている。ここで、導体層１２は、両
端の外部電極１４に対して交互に接続している。すなわ
ち、一方の外部電極１４は導体層１２と一層おきに接続
し、他方の外部電極１４は前記一方の外部電極１４と接
続していない導体層１２と接続している。
ンデンサ１０は、セラミック誘電体層１１と導体層１２
とを交互に積層した略直方体形状の積層体１３と、積層
体１３の両端部に形成され前記導体層１２と接続する外
部電極１４とを備えている。ここで、導体層１２は、両
端の外部電極１４に対して交互に接続している。すなわ
ち、一方の外部電極１４は導体層１２と一層おきに接続
し、他方の外部電極１４は前記一方の外部電極１４と接
続していない導体層１２と接続している。
【００２０】セラミック誘電体層１１は、例えばＢａＴ
ｉＯ3系の強誘電性を有するセラミック焼結体からな
る。また、導体層１２は、例えばＰｄ，Ａｇなどの貴金
属材料やＮｉなどの卑金属材料からなる。積層体１３
は、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシー
トを複数積層し、これを焼結して形成される。これによ
り、セラミックグリーンシートが焼結してセラミック誘
電体層１１が形成され、導電性ペーストが焼結して導体
層１２が形成される。外部電極１４は、例えばＮｉ，Ａ
ｇなどの金属材料からなる。
ｉＯ3系の強誘電性を有するセラミック焼結体からな
る。また、導体層１２は、例えばＰｄ，Ａｇなどの貴金
属材料やＮｉなどの卑金属材料からなる。積層体１３
は、導電性ペーストを印刷したセラミックグリーンシー
トを複数積層し、これを焼結して形成される。これによ
り、セラミックグリーンシートが焼結してセラミック誘
電体層１１が形成され、導電性ペーストが焼結して導体
層１２が形成される。外部電極１４は、例えばＮｉ，Ａ
ｇなどの金属材料からなる。
【００２１】図２に示すように、セラミック誘電体層１
１は、コアシェル構造を有するセラミック粒子２０とコ
アシェル構造を有しないセラミック粒子３０とを含んで
いる。両者の構成比率は、コアシェル構造を有している
コアシェル構造を有するセラミック粒子２０：コアシェ
ル構造を有しないセラミック粒子３０が、９：１〜７：
３程度であり、本実施の形態では約８：２である。ここ
で、セラミック粒子のコアシェル構造とは、セラミック
粒子の中心部であるコア部２１と外殻部であるシェル部
２２とが物理的、化学的に異なる相を形成している構造
をいう。また、コアシェル構造を有するセラミック粒子
２０は、導体層１２の近傍にあるものほどシェル部２２
の厚みが大きく形成されている。
１は、コアシェル構造を有するセラミック粒子２０とコ
アシェル構造を有しないセラミック粒子３０とを含んで
いる。両者の構成比率は、コアシェル構造を有している
コアシェル構造を有するセラミック粒子２０：コアシェ
ル構造を有しないセラミック粒子３０が、９：１〜７：
３程度であり、本実施の形態では約８：２である。ここ
で、セラミック粒子のコアシェル構造とは、セラミック
粒子の中心部であるコア部２１と外殻部であるシェル部
２２とが物理的、化学的に異なる相を形成している構造
をいう。また、コアシェル構造を有するセラミック粒子
２０は、導体層１２の近傍にあるものほどシェル部２２
の厚みが大きく形成されている。
【００２２】また、コアシェル構造を有しないセラミッ
ク粒子３０は、コアシェル構造３０を有するセラミック
粒子のコア部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ａとシェル部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ｂとに大別される。コア部と同一の組成を有するセラミ
ック粒子３０ａはセラミック誘電体層１１の厚さ方向中
央部に多く存在する。一方、シェル部と同一の組成を有
するセラミック粒子３０ｂは導体層１２との界面又は導
体層１２の近傍に存在する。
ク粒子３０は、コアシェル構造３０を有するセラミック
粒子のコア部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ａとシェル部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ｂとに大別される。コア部と同一の組成を有するセラミ
ック粒子３０ａはセラミック誘電体層１１の厚さ方向中
央部に多く存在する。一方、シェル部と同一の組成を有
するセラミック粒子３０ｂは導体層１２との界面又は導
体層１２の近傍に存在する。
【００２３】なお、上記コアシェル構造を有するセラミ
ック粒子２０とコアシェル構造を有しないセラミック粒
子３０の構成比率は、ＴＥＭで無作為に多数の粒子（例
えば１００個）を選んで観察し、コアシェル構造を有す
るセラミック粒子２０とコアシェル構造を有しないセラ
ミック粒子３０の個数を計上して算出する。また、コア
部と同一の組成を有するセラミック粒子３０ａはコアシ
ェル構造を有するセラミック粒子２０としてカウント
し、シェル部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ｂはコアシェル構造を有しない粒子としてカウントす
る。
ック粒子２０とコアシェル構造を有しないセラミック粒
子３０の構成比率は、ＴＥＭで無作為に多数の粒子（例
えば１００個）を選んで観察し、コアシェル構造を有す
るセラミック粒子２０とコアシェル構造を有しないセラ
ミック粒子３０の個数を計上して算出する。また、コア
部と同一の組成を有するセラミック粒子３０ａはコアシ
ェル構造を有するセラミック粒子２０としてカウント
し、シェル部と同一の組成を有するセラミック粒子３０
ｂはコアシェル構造を有しない粒子としてカウントす
る。
【００２４】この積層セラミックコンデンサの製造方法
について図３を参照して説明する。図３は積層セラミッ
クコンデンサの工程図である。
について図３を参照して説明する。図３は積層セラミッ
クコンデンサの工程図である。
【００２５】まず、第１セラミック誘電体粉体に第１添
加物及びバインダを混合してスラリーを作成する（ステ
ップＳ１）。ここで、第１セラミック誘電体粉体として
は、平均粒径０．３５μｍのＢａＴｉＯ3粉体を用い
た。また、第１添加物としては、主として希土類元素の
酸化物を用いた。具体的には、ＭｇＯ，Ｈｏ2Ｏ3，Ｓｍ
2Ｏ3及び焼結補助剤としてＢａＳｉＯ3の混合粉体を用
いた。次に、このスラリーをドクターブレード法などに
よりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得
る（ステップＳ２）。
加物及びバインダを混合してスラリーを作成する（ステ
ップＳ１）。ここで、第１セラミック誘電体粉体として
は、平均粒径０．３５μｍのＢａＴｉＯ3粉体を用い
た。また、第１添加物としては、主として希土類元素の
酸化物を用いた。具体的には、ＭｇＯ，Ｈｏ2Ｏ3，Ｓｍ
2Ｏ3及び焼結補助剤としてＢａＳｉＯ3の混合粉体を用
いた。次に、このスラリーをドクターブレード法などに
よりシート状に成形してセラミックグリーンシートを得
る（ステップＳ２）。
【００２６】一方、導体層を形成するための導電性ペー
ストを作成する（ステップＳ３）。この導電性ペースト
は、Ｐｄ，Ａｇなどの貴金属やＮｉなどの卑金属からな
る金属材料粉体、第２セラミック誘電体粉体及び第２添
加物並びにバインダを混合して作成する。ここで、金属
材料粉体は導体層を形成する主材料である。本実施の形
態ではＮｉを用いた。
ストを作成する（ステップＳ３）。この導電性ペースト
は、Ｐｄ，Ａｇなどの貴金属やＮｉなどの卑金属からな
る金属材料粉体、第２セラミック誘電体粉体及び第２添
加物並びにバインダを混合して作成する。ここで、金属
材料粉体は導体層を形成する主材料である。本実施の形
態ではＮｉを用いた。
【００２７】前記第２セラミック誘電体は、焼成の過程
においてセラミックグリーンシートと収縮挙動を一致さ
せるために混合されるものである。したがって、前記第
１セラミック誘電体と収縮挙動が近似するものが好まし
い。本実施の形態では、第１セラミック誘電体粉体に対
して同一の組成且つ平均粒径が半分以下であるものを用
いた。
においてセラミックグリーンシートと収縮挙動を一致さ
せるために混合されるものである。したがって、前記第
１セラミック誘電体と収縮挙動が近似するものが好まし
い。本実施の形態では、第１セラミック誘電体粉体に対
して同一の組成且つ平均粒径が半分以下であるものを用
いた。
【００２８】前記第２添加物は、セラミックグリーンシ
ートのセラミック粒子においてシェル部の成長を促進さ
せるものである。この第２添加物は、前記第１添加物の
少なくとも一成分を含んでいる。本実施の形態では、第
２添加物として、ＭｇＯ，Ｓｍ2Ｏ3及びＢａＳｉＯ3の
混合粉体を用いた。
ートのセラミック粒子においてシェル部の成長を促進さ
せるものである。この第２添加物は、前記第１添加物の
少なくとも一成分を含んでいる。本実施の形態では、第
２添加物として、ＭｇＯ，Ｓｍ2Ｏ3及びＢａＳｉＯ3の
混合粉体を用いた。
【００２９】次に、前記セラミックグリーンシートに所
定パターンで導電性ペーストを印刷する（ステップＳ
４）。そして、このセラミックグリーンシートを積層、
圧着してシート積層体を得る（ステップＳ５）。次に、
このシート積層体を単位寸法に裁断して積層チップを得
る（ステップＳ６）。次に、この積層チップに外部電極
用の導電性ペーストを塗布する（ステップＳ７）。
定パターンで導電性ペーストを印刷する（ステップＳ
４）。そして、このセラミックグリーンシートを積層、
圧着してシート積層体を得る（ステップＳ５）。次に、
このシート積層体を単位寸法に裁断して積層チップを得
る（ステップＳ６）。次に、この積層チップに外部電極
用の導電性ペーストを塗布する（ステップＳ７）。
【００３０】次に、この積層チップを所定の条件下にお
いて焼成する（ステップＳ８）。ここで、焼成条件はセ
ラミック誘電体や導体層などの組成等により決定され
る。本実施の形態では、還元雰囲気中１３２０℃で焼成
した後、１０００℃のＮ2−Ｏ2弱酸化性雰囲気に切り替
えて焼成を行った。
いて焼成する（ステップＳ８）。ここで、焼成条件はセ
ラミック誘電体や導体層などの組成等により決定され
る。本実施の形態では、還元雰囲気中１３２０℃で焼成
した後、１０００℃のＮ2−Ｏ2弱酸化性雰囲気に切り替
えて焼成を行った。
【００３１】最後に、外部電極にメッキを行い積層セラ
ミックコンデンサ１０が得られる（ステップＳ９）。
ミックコンデンサ１０が得られる（ステップＳ９）。
【００３２】以上のステップによれば、前記ステップＳ
８における焼成の過程で、セラミックグリーンシートが
焼成してセラミック誘電体層１１を形成し、セラミック
グリーンシートに印刷された導電性ペーストが焼成して
導体層１２を形成する。この焼成過程においては、導電
性ペーストに含まれる第２添加物がセラミックグリーン
シートに拡散する。そして、この第２添加物によりセラ
ミックグリーンシートにおけるセラミック粒子のシェル
部の成長が促進される。したがって、セラミック誘電体
層１１は、導体層１２の近傍ほどシェル部２２の厚いセ
ラミック粒子２０が存在する。また、導体層１２の界面
又は導体層１２の近傍にシェル部と同一の組成を有する
コアシェル構造を有しないセラミック粒子３０ｂが存在
する。
８における焼成の過程で、セラミックグリーンシートが
焼成してセラミック誘電体層１１を形成し、セラミック
グリーンシートに印刷された導電性ペーストが焼成して
導体層１２を形成する。この焼成過程においては、導電
性ペーストに含まれる第２添加物がセラミックグリーン
シートに拡散する。そして、この第２添加物によりセラ
ミックグリーンシートにおけるセラミック粒子のシェル
部の成長が促進される。したがって、セラミック誘電体
層１１は、導体層１２の近傍ほどシェル部２２の厚いセ
ラミック粒子２０が存在する。また、導体層１２の界面
又は導体層１２の近傍にシェル部と同一の組成を有する
コアシェル構造を有しないセラミック粒子３０ｂが存在
する。
【００３３】このように、本発明によれば、積層セラミ
ックコンデンサ１０のセラミック誘電体層１１は、導体
層１２の近傍におけるセラミック粒子２０が、導体層１
２と離れているセラミック粒子よりもシェル部２２の厚
みが大きいコアシェル構造を有しているので、耐電圧特
性が向上する。これにより、良好な耐電圧特性を維持し
つつセラミック誘電体層１２を薄層化することができ
る。したがって、セラミック誘電体層１２の薄層化によ
る大容量化及び小型化が容易となる。また、焼結が促進
されてシェル部のみになったセラミック粒子３０ｂが導
体層１２の近傍に存在することにより、セラミック誘電
体層１２の耐電圧特性が向上する。
ックコンデンサ１０のセラミック誘電体層１１は、導体
層１２の近傍におけるセラミック粒子２０が、導体層１
２と離れているセラミック粒子よりもシェル部２２の厚
みが大きいコアシェル構造を有しているので、耐電圧特
性が向上する。これにより、良好な耐電圧特性を維持し
つつセラミック誘電体層１２を薄層化することができ
る。したがって、セラミック誘電体層１２の薄層化によ
る大容量化及び小型化が容易となる。また、焼結が促進
されてシェル部のみになったセラミック粒子３０ｂが導
体層１２の近傍に存在することにより、セラミック誘電
体層１２の耐電圧特性が向上する。
【００３４】なお、本実施の形態では、セラミック誘電
体層１１及び導体層１２と外部電極１４を同時に焼成し
て形成したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。すなわち、前記ステップＳ６において得られた積層
チップを焼成して焼結体を得た後に、この焼結体に導電
性ペーストを塗布し、これを焼成することにより外部電
極を形成してもよい。
体層１１及び導体層１２と外部電極１４を同時に焼成し
て形成したが、本発明はこれに限定されるものではな
い。すなわち、前記ステップＳ６において得られた積層
チップを焼成して焼結体を得た後に、この焼結体に導電
性ペーストを塗布し、これを焼成することにより外部電
極を形成してもよい。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
積層セラミックコンデンサのセラミック誘電体層は、導
体層の近傍におけるセラミック粒子が、導体層と離れて
いるセラミック粒子よりもシェル部の厚みが大きいコア
シェル構造を有しているので、耐電圧特性が向上する。
これにより、良好な耐電圧特性を維持しつつセラミック
誘電体層を薄層化することができる。したがって、セラ
ミック誘電体層の薄層化による大容量化及び小型化が容
易となる。
積層セラミックコンデンサのセラミック誘電体層は、導
体層の近傍におけるセラミック粒子が、導体層と離れて
いるセラミック粒子よりもシェル部の厚みが大きいコア
シェル構造を有しているので、耐電圧特性が向上する。
これにより、良好な耐電圧特性を維持しつつセラミック
誘電体層を薄層化することができる。したがって、セラ
ミック誘電体層の薄層化による大容量化及び小型化が容
易となる。
【図１】積層セラミックコンデンサの一部切り欠き斜視
図
図
【図２】積層セラミックコンデンサの拡大断面図
【図３】積層セラミックコンデンサの工程図
１０…積層セラミックコンデンサ、１１…セラミック誘
電体層、１２…導体層、１３…積層体、１４…外部電
極、２０，３０…セラミック粒子、２１…コア部、２２
…シェル部
電体層、１２…導体層、１３…積層体、１４…外部電
極、２０，３０…セラミック粒子、２１…コア部、２２
…シェル部
Claims (7)
- 【請求項１】 セラミック誘電体層と導体層とを交互に
積層してなる積層セラミックコンデンサにおいて、 前記セラミック誘電体層はコアシェル構造を有するセラ
ミック粒子を含むとともに、該セラミック粒子は導体層
に近いものほどシェル部の厚みが大きく形成されている
ことを特徴とする積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項２】 前記セラミック誘電体層は、コアシェル
構造を有するセラミック粒子がコアシェル構造を有しな
いセラミック粒子の個数に対して（９／１）以上（７／
３）以下の個数含むことを特徴とする請求項１記載の積
層セラミックコンデンサ。 - 【請求項３】 前記セラミック誘電体層の前記導体層と
の界面又は導体層の近傍にコアシェル構造を有しないセ
ラミック粒子が形成されていることを特徴とする請求項
２記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 第１セラミック誘電体粉体に第１添加物
及びバインダを混合してスラリーを作成する工程と、 このスラリーをシート状に加工してグリーンシートを作
成する工程と、 前記第１添加物中の少なくとも一成分を含む第２添加物
と第２セラミック誘電体粉体とを混練した導電性ペース
トをグリーンシートに塗布する工程と、 複数のグリーンシートを積層して積層物を作成する工程
と、 この積層物を焼成する工程とを有することを特徴とする
積層セラミックコンデンサの製造方法。 - 【請求項５】 前記第１セラミック誘電体粉体及び第２
セラミック誘電体粉体は互いに同一の組成を有すること
を特徴とする請求項４記載の積層セラミックコンデンサ
の製造方法。 - 【請求項６】 前記第２セラミック誘電体粉体の粒径
が、前記第１誘電体粉体の粒径の半分以下であることを
特徴とする請求項４又は５何れか１項記載の積層セラミ
ックコンデンサの製造方法。 - 【請求項７】 前記第２添加物は、前記グリーンシート
の焼結を促進する成分を含むことを特徴とする請求項４
記載の積層セラミックコンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001018080A JP3793697B2 (ja) | 2000-02-03 | 2001-01-26 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000026461 | 2000-02-03 | ||
| JP2000-26461 | 2000-02-03 | ||
| JP2001018080A JP3793697B2 (ja) | 2000-02-03 | 2001-01-26 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001291634A true JP2001291634A (ja) | 2001-10-19 |
| JP3793697B2 JP3793697B2 (ja) | 2006-07-05 |
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ID=26584802
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|---|---|---|---|
| JP2001018080A Expired - Lifetime JP3793697B2 (ja) | 2000-02-03 | 2001-01-26 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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| JP (1) | JP3793697B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339306B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-03 | 무라타 야스타카 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP2004345927A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体セラミックの製造方法、非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2006137647A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Japan Atomic Energy Agency | 誘電体磁器の評価方法 |
| JP2008305844A (ja) * | 2007-06-05 | 2008-12-18 | Taiyo Yuden Co Ltd | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
| JP2010173901A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2013254954A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック部品 |
| KR101414981B1 (ko) | 2012-09-27 | 2014-07-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2017120881A (ja) * | 2015-12-29 | 2017-07-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
-
2001
- 2001-01-26 JP JP2001018080A patent/JP3793697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100339306B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-06-03 | 무라타 야스타카 | 적층 세라믹 커패시터 및 그 제조방법 |
| JP2004345927A (ja) * | 2003-05-26 | 2004-12-09 | Murata Mfg Co Ltd | 非還元性誘電体セラミックの製造方法、非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP4513278B2 (ja) * | 2003-05-26 | 2010-07-28 | 株式会社村田製作所 | 非還元性誘電体セラミックの製造方法、非還元性誘電体セラミックおよび積層セラミックコンデンサ |
| JP2006137647A (ja) * | 2004-11-15 | 2006-06-01 | Japan Atomic Energy Agency | 誘電体磁器の評価方法 |
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| US8315037B2 (en) | 2009-01-30 | 2012-11-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Dielectric ceramic and laminated ceramic capacitor |
| JP2013254954A (ja) * | 2012-06-05 | 2013-12-19 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 積層セラミック部品 |
| US9183987B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-11-10 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Multilayered ceramic component |
| KR101414981B1 (ko) | 2012-09-27 | 2014-07-04 | 다이요 유덴 가부시키가이샤 | 적층 세라믹 콘덴서 및 그 제조 방법 |
| JP2017120881A (ja) * | 2015-12-29 | 2017-07-06 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド． | 積層セラミックキャパシタ及びその製造方法 |
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