JPH11186815A - 高周波回路部品 - Google Patents
高周波回路部品Info
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- JPH11186815A JPH11186815A JP10228819A JP22881998A JPH11186815A JP H11186815 A JPH11186815 A JP H11186815A JP 10228819 A JP10228819 A JP 10228819A JP 22881998 A JP22881998 A JP 22881998A JP H11186815 A JPH11186815 A JP H11186815A
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- circuit component
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 中心導体材料として良導体であるＡｇまたは
Ａｇを主成分とした導電材料を用いて同時焼成を可能と
し、低損失な高周波回路部品を得る。 【解決手段】 互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置さ
れた複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイ
クロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を
印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品で
あって、前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電
気抵抗材料である高周波回路部品。
Ａｇを主成分とした導電材料を用いて同時焼成を可能と
し、低損失な高周波回路部品を得る。 【解決手段】 互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置さ
れた複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイ
クロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を
印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品で
あって、前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電
気抵抗材料である高周波回路部品。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、サーキュレータ、
アイソレータなどの高周波回路部品に関するものであ
る。
アイソレータなどの高周波回路部品に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、サーキュレータ、アイソレータな
どの非可逆回路素子は、互いに絶縁状態で、かつ交差す
るように配置される中心導体、その中心導体に密接して
配置されるマイクロ波用磁性体、そのマイクロ波用磁性
体に直流磁界を印加する磁石とを主要構成部品としてい
る。そして、これらは別々の部品として製造され、組み
合わされて製造されている。
どの非可逆回路素子は、互いに絶縁状態で、かつ交差す
るように配置される中心導体、その中心導体に密接して
配置されるマイクロ波用磁性体、そのマイクロ波用磁性
体に直流磁界を印加する磁石とを主要構成部品としてい
る。そして、これらは別々の部品として製造され、組み
合わされて製造されている。
【０００３】従来のサーキュレータ、アイソレータに用
いられている磁石は、マグネトプランバイト型六方晶系
フェライト磁石であった。このマグネトプランバイト型
六方晶系フェライト磁石は、混合し、仮焼した原料粉末
と、有機バインダとを混合し、粉砕し、プレス成形しな
がら磁場を印加して配向し、焼成して得られていた。そ
して、その焼成温度は、１２００〜１４５０℃と高温で
あった。
いられている磁石は、マグネトプランバイト型六方晶系
フェライト磁石であった。このマグネトプランバイト型
六方晶系フェライト磁石は、混合し、仮焼した原料粉末
と、有機バインダとを混合し、粉砕し、プレス成形しな
がら磁場を印加して配向し、焼成して得られていた。そ
して、その焼成温度は、１２００〜１４５０℃と高温で
あった。
【０００４】この非可逆回路素子は、携帯電話などの移
動体通信機器等に使用され、小型化、低価格化の要求が
強い。そこで、上記のように各部品を別々に製造するの
ではなく、マイクロ波用磁性体、中心導体、及び磁石を
一体焼成することが提案されている。例えば、特開平６
−２０４７２３号公報、特開平７−３１２５０９号公報
参照。この特開平７−３１２５０９号公報によれば、マ
イクロ波用磁性体としてＣａ−Ｖ−Ｆｅ系ガーネット、
中心導体としてパラジウムまたは白金粉末と有機溶剤を
混合したペースト、永久磁石としてＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ
３、又はＳｒＯ・６Ｆｅ２Ｏ３で表されるマグネトプラ
ンバイト型六方晶系のものを用い、１０００〜１４５０
℃で同時焼成している。
動体通信機器等に使用され、小型化、低価格化の要求が
強い。そこで、上記のように各部品を別々に製造するの
ではなく、マイクロ波用磁性体、中心導体、及び磁石を
一体焼成することが提案されている。例えば、特開平６
−２０４７２３号公報、特開平７−３１２５０９号公報
参照。この特開平７−３１２５０９号公報によれば、マ
イクロ波用磁性体としてＣａ−Ｖ−Ｆｅ系ガーネット、
中心導体としてパラジウムまたは白金粉末と有機溶剤を
混合したペースト、永久磁石としてＢａＯ・６Ｆｅ２Ｏ
３、又はＳｒＯ・６Ｆｅ２Ｏ３で表されるマグネトプラ
ンバイト型六方晶系のものを用い、１０００〜１４５０
℃で同時焼成している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】従来の方法では、高温
（少なくとも１０００℃以上）で焼成されるため、導体
材料としては、その高温で焼成可能な材料に限られてい
た。この焼成可能な導体としてはパラジウム・白金など
が主に使用される。しかし、このパラジウム・白金は、
高価であるため高コストになり、比較的電気抵抗率が高
いため、特に低電気抵抗率の導体材料が使用される高周
波回路部品においては、その導体抵抗のため実用的な低
損失部品が得られないという問題点があった。
（少なくとも１０００℃以上）で焼成されるため、導体
材料としては、その高温で焼成可能な材料に限られてい
た。この焼成可能な導体としてはパラジウム・白金など
が主に使用される。しかし、このパラジウム・白金は、
高価であるため高コストになり、比較的電気抵抗率が高
いため、特に低電気抵抗率の導体材料が使用される高周
波回路部品においては、その導体抵抗のため実用的な低
損失部品が得られないという問題点があった。
【０００６】本発明は、中心導体材料として良導体であ
るＡｇまたはＡｇを主成分とした導電材料を用いて同時
焼成を可能とし、低損失な高周波回路部品を得ること目
的とする。
るＡｇまたはＡｇを主成分とした導電材料を用いて同時
焼成を可能とし、低損失な高周波回路部品を得ること目
的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、互いに絶縁状
態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中
心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイク
ロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼
成された高周波回路部品であって、前記中心導体がＡｇ
又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料であることを特徴
とする高周波回路部品である。この焼成温度は、１００
０℃未満であることが好ましく、更に９５０℃以下であ
ることが好ましい。
態で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中
心導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイク
ロ波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼
成された高周波回路部品であって、前記中心導体がＡｇ
又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料であることを特徴
とする高周波回路部品である。この焼成温度は、１００
０℃未満であることが好ましく、更に９５０℃以下であ
ることが好ましい。
【０００８】また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とが１０００℃未満の温
度で一体焼成されていることを特徴とする高周波回路部
品である。この中心導体は、Ａｇ又はＡｇを主体とする
低電気抵抗材料であることが好ましく、また焼成温度は
９５０℃以下であることが好ましい。
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とが１０００℃未満の温
度で一体焼成されていることを特徴とする高周波回路部
品である。この中心導体は、Ａｇ又はＡｇを主体とする
低電気抵抗材料であることが好ましく、また焼成温度は
９５０℃以下であることが好ましい。
【０００９】また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周
波回路部品であって、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１
０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であることを特徴とす
る高周波回路部品である。この焼成温度は、１０００℃
未満であることが好ましく、更に９５０℃以下であるこ
とが好ましい。また、この中心導体は、Ａｇ又はＡｇを
主体とする低電気抵抗材料であることが好ましい。
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成された高周
波回路部品であって、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１
０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材料であることを特徴とす
る高周波回路部品である。この焼成温度は、１０００℃
未満であることが好ましく、更に９５０℃以下であるこ
とが好ましい。また、この中心導体は、Ａｇ又はＡｇを
主体とする低電気抵抗材料であることが好ましい。
【００１０】また本発明は、前記中心導体は、前記マイ
クロ波用磁性体中に埋設された状態であることを特徴と
する高周波回路部品である。
クロ波用磁性体中に埋設された状態であることを特徴と
する高周波回路部品である。
【００１１】また本発明は、前記高周波回路部品を磁性
金属ケースに収納して、アイソレータ又はサーキュレー
タなどの非可逆回路素子を構成するものである。
金属ケースに収納して、アイソレータ又はサーキュレー
タなどの非可逆回路素子を構成するものである。
【００１２】また本発明は、前記永久磁石は、（Ｓｒ
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とし、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％
含有する高周波回路部品である。
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とし、副成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％
含有する高周波回路部品である。
【０００１０】また本発明は、前記永久磁石は、（Ｓｒ
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とし、副成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ
（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）
を、５モル％以上８０モル％以下含有する硼珪酸ガラス
材料を５〜１５ｗｔ％含有する高周波回路部品である。
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とし、副成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ
（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）
を、５モル％以上８０モル％以下含有する硼珪酸ガラス
材料を５〜１５ｗｔ％含有する高周波回路部品である。
【００１３】本発明では、低電気抵抗材料としては、Ａ
ｇを用いれば良く。このＡｇに対して、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕなどの貴金属を５％程度以下含有していてもＡｇ単体
に近い抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材
料を得る事が出来るためこのように調整された導電材料
を用いても良い。また、低電気抵抗材料とは、抵抗率ρ
≦３×１０−６Ω・ｃｍの導電材料であれば良い。
ｇを用いれば良く。このＡｇに対して、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａ
ｕなどの貴金属を５％程度以下含有していてもＡｇ単体
に近い抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃｍの低電気抵抗材
料を得る事が出来るためこのように調整された導電材料
を用いても良い。また、低電気抵抗材料とは、抵抗率ρ
≦３×１０−６Ω・ｃｍの導電材料であれば良い。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、Ａｇ又はＡｇを主体と
する低電気抵抗材料を用いることができるために、１０
００℃未満、好ましくは９５０℃以下、更に好ましくは
９００℃程度で焼成可能な低温焼成磁石組成物を得るこ
とが必要である。このため、種々検討した結果、（Ｓｒ
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とする磁石組成物に、副成分としてＢｉ２Ｏ３を
３〜１０ｗｔ％含有すること、又は副成分としてＬｉＯ
１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのう
ち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含
有する硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有すること
によって、１０００℃以下の温度で焼成可能である低温
焼成磁石組成物を得ることができた。この材料から所望
の焼成温度に適した材料を選択することにより、本発明
の高周波回路部品を構成することが出来たものである。
する低電気抵抗材料を用いることができるために、１０
００℃未満、好ましくは９５０℃以下、更に好ましくは
９００℃程度で焼成可能な低温焼成磁石組成物を得るこ
とが必要である。このため、種々検討した結果、（Ｓｒ
１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０
≦ｘ≦１．０、０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を
主成分とする磁石組成物に、副成分としてＢｉ２Ｏ３を
３〜１０ｗｔ％含有すること、又は副成分としてＬｉＯ
１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのう
ち少なくとも一種）を、５モル％以上８０モル％以下含
有する硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有すること
によって、１０００℃以下の温度で焼成可能である低温
焼成磁石組成物を得ることができた。この材料から所望
の焼成温度に適した材料を選択することにより、本発明
の高周波回路部品を構成することが出来たものである。
【００１５】これにより、本発明は、互いに絶縁状態
で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心
導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ
波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成
された高周波回路部品であって、前記中心導体としてＡ
ｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料を用いることが
でき、又前記中心導体として抵抗率ρ≦３×１０−６Ω
・ｃｍの低電気抵抗材料を用いることができ、低損失な
高周波回路部品を得ることができたものである。
で、かつ交差状に配置された複数の中心導体と、該中心
導体付近に位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ
波用磁性体に直流磁界を印加する永久磁石とが一体焼成
された高周波回路部品であって、前記中心導体としてＡ
ｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗材料を用いることが
でき、又前記中心導体として抵抗率ρ≦３×１０−６Ω
・ｃｍの低電気抵抗材料を用いることができ、低損失な
高周波回路部品を得ることができたものである。
【００１６】また本発明は、互いに絶縁状態で、かつ交
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とを１０００℃未満の温
度で一体焼成することができたものである。
差状に配置された複数の中心導体と、該中心導体付近に
位置するマイクロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体
に直流磁界を印加する永久磁石とを１０００℃未満の温
度で一体焼成することができたものである。
【００１７】また本発明の中心導体は、前記マイクロ波
用磁性体中に埋設された状態で構成することができ、
又、前記マイクロ波用磁性体層とは別の層に配置するこ
ともできる。
用磁性体中に埋設された状態で構成することができ、
又、前記マイクロ波用磁性体層とは別の層に配置するこ
ともできる。
【００１８】また、本発明のマイクロ波用磁性体として
は、例えば、特開昭５１−１８８９４号公報によれば、
Ｂｉ２Ｏ３で置換したＣａ−Ｖ−Ｉｎ系が開示されてい
る。また、特開昭５１−５３３００号公報にＢｉ２Ｏ３
が焼結温度を低くする効果があることが記載されてい
る。従って、特開昭５１−１８８９４号公報では、１０
５０〜１２００℃で焼成を行っているが、Ｂｉ２Ｏ３の
置換量を調整することにより、１０００℃未満の温度で
焼成可能であり、Ａｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗
材料との一体焼成が可能な材料を得ることができる。
は、例えば、特開昭５１−１８８９４号公報によれば、
Ｂｉ２Ｏ３で置換したＣａ−Ｖ−Ｉｎ系が開示されてい
る。また、特開昭５１−５３３００号公報にＢｉ２Ｏ３
が焼結温度を低くする効果があることが記載されてい
る。従って、特開昭５１−１８８９４号公報では、１０
５０〜１２００℃で焼成を行っているが、Ｂｉ２Ｏ３の
置換量を調整することにより、１０００℃未満の温度で
焼成可能であり、Ａｇ又はＡｇを主体とする低電気抵抗
材料との一体焼成が可能な材料を得ることができる。
【００１９】実施例１ 本発明に係る低温焼結磁石材料の実施例について説明す
る。出発原料として、純度９９．５%以上のＳｒＣ
Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＰｂＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ ３、
Ｈ３ＢＯ３、ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３の粉
末を使用した。まず、主成分の磁石材料仮焼き粉末は、
所定の組成になるように計量した出発原料を、ボールミ
ルに純水と共に投入して混合し、取出した混合スラリー
は１００℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アル
ミナケース中で１０００℃から１２５０℃の温度で仮焼
きを行い、得られた仮焼物をライカイ機で粗粉砕して得
た。また、副成分として添加するガラス材料は、所定の
組成になるように計量した出発原料を、ボールミルに純
水と共に投入して混合し、取出した混合スラリーは１０
０℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケ
ース中で７００℃から８５０℃の温度で仮焼きを行い、
この仮焼物を再度ボールミルで粉砕してガラス原料粉末
を得た。
る。出発原料として、純度９９．５%以上のＳｒＣ
Ｏ３、ＢａＣＯ３、ＰｂＯ、Ｆｅ２Ｏ３、Ｂｉ２Ｏ ３、
Ｈ３ＢＯ３、ＳｉＯ２、ＣａＣＯ３、Ｌｉ２ＣＯ３の粉
末を使用した。まず、主成分の磁石材料仮焼き粉末は、
所定の組成になるように計量した出発原料を、ボールミ
ルに純水と共に投入して混合し、取出した混合スラリー
は１００℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アル
ミナケース中で１０００℃から１２５０℃の温度で仮焼
きを行い、得られた仮焼物をライカイ機で粗粉砕して得
た。また、副成分として添加するガラス材料は、所定の
組成になるように計量した出発原料を、ボールミルに純
水と共に投入して混合し、取出した混合スラリーは１０
０℃から１２０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケ
ース中で７００℃から８５０℃の温度で仮焼きを行い、
この仮焼物を再度ボールミルで粉砕してガラス原料粉末
を得た。
【００２０】このようにして得られた磁石材料の仮焼き
粉末と、副成分として添加する添加物原料粉末、または
ガラス原料粉末を、所定量計量し、φ２からφ５の小径
のボールを用いたボールミルで、平均粒径が１μm以下
となるまで微粉砕を行い低温焼結磁石材料の原料粉末を
得た。この原料粉末をφ6の円柱金型中で２ｔｏｎ／ｃ
ｍ2の圧力で1軸加圧成形した後、電気炉にて、８５０℃
から１２５０℃の各温度で４時間持続して焼成した。焼
成した試料は、寸法重量法で密度を測定し、組成の異な
る各試料で得られる最高の密度に対し、その密度の９５
％以上の密度が得られた温度を焼結温度とした。但し、
本発明の範囲外の比較例で１０００℃以下の温度で焼結
しなかった試料についてはこの限りではない。また、そ
の焼結温度で焼成した円柱状試料の両面に銀ペーストを
塗布し比抵抗を測定した。また、同試料を円盤状に切断
してＭ−Ｈカーブを測定し、ＢｒとＨｃの積を求めて磁
石の性能の評価を行った。
粉末と、副成分として添加する添加物原料粉末、または
ガラス原料粉末を、所定量計量し、φ２からφ５の小径
のボールを用いたボールミルで、平均粒径が１μm以下
となるまで微粉砕を行い低温焼結磁石材料の原料粉末を
得た。この原料粉末をφ6の円柱金型中で２ｔｏｎ／ｃ
ｍ2の圧力で1軸加圧成形した後、電気炉にて、８５０℃
から１２５０℃の各温度で４時間持続して焼成した。焼
成した試料は、寸法重量法で密度を測定し、組成の異な
る各試料で得られる最高の密度に対し、その密度の９５
％以上の密度が得られた温度を焼結温度とした。但し、
本発明の範囲外の比較例で１０００℃以下の温度で焼結
しなかった試料についてはこの限りではない。また、そ
の焼結温度で焼成した円柱状試料の両面に銀ペーストを
塗布し比抵抗を測定した。また、同試料を円盤状に切断
してＭ−Ｈカーブを測定し、ＢｒとＨｃの積を求めて磁
石の性能の評価を行った。
【００２１】その結果を表１に実施例として示す。表１
において＊印を付けた試料は、本発明の範囲外の実施例
である。表１において副成分の組成の欄にＡ〜Ｌの記号
があるが、これは表２の添加物Ａ〜Ｌに対応し、添加物
の成分を表２に示している。
において＊印を付けた試料は、本発明の範囲外の実施例
である。表１において副成分の組成の欄にＡ〜Ｌの記号
があるが、これは表２の添加物Ａ〜Ｌに対応し、添加物
の成分を表２に示している。
【００２２】
【表１】ｃｍ2の圧力で1軸加圧成形した後、電気炉に
て、８５０℃から１２５０℃の各温度で４時間持続して
焼成した。焼成した試料は、寸法重量法で密度を測定
し、組成の異なる各試料で得られる最高の密度に対し、
その密度の９５％以上の密度が得られた温度を焼結温度
とした。但し、本発明の範囲外の比較例で１０００℃以
下の温度で焼結しなかった試料についてはこの限りでは
ない。また、その焼結温度で焼成した円柱状試料の両面
に銀ペーストを塗布し比抵抗を測定した。また、同試料
を円盤状に切断してＭ−Ｈカーブを測定し、ＢｒとＨｃ
の積を求めて磁石の性能の評価を行った。
て、８５０℃から１２５０℃の各温度で４時間持続して
焼成した。焼成した試料は、寸法重量法で密度を測定
し、組成の異なる各試料で得られる最高の密度に対し、
その密度の９５％以上の密度が得られた温度を焼結温度
とした。但し、本発明の範囲外の比較例で１０００℃以
下の温度で焼結しなかった試料についてはこの限りでは
ない。また、その焼結温度で焼成した円柱状試料の両面
に銀ペーストを塗布し比抵抗を測定した。また、同試料
を円盤状に切断してＭ−Ｈカーブを測定し、ＢｒとＨｃ
の積を求めて磁石の性能の評価を行った。
【００２１】その結果を表１に実施例として示す。表１
において＊印を付けた試料は、本発明の範囲外の実施例
である。表１において副成分の組成の欄にＡ〜Ｌの記号
があるが、これは表２の添加物Ａ〜Ｌに対応し、添加物
の成分を表２に示している。
において＊印を付けた試料は、本発明の範囲外の実施例
である。表１において副成分の組成の欄にＡ〜Ｌの記号
があるが、これは表２の添加物Ａ〜Ｌに対応し、添加物
の成分を表２に示している。
【００２２】
【表１】
【００２３】
【表２】
【００２４】表１より明らかなように、本発明に係る低
温焼結磁石材料では、Ｂｉ２O３を３ｗｔ％以上添加含
有する事により、１０００℃以下の低温でも緻密化し、
特に５ｗｔ％以上添加する事により９００℃でも焼結可
能となった。しかしながら、本発明の範囲外の組成実施
例である試料Ｎｏ．１５、１１、１４でＢｉ２Ｏ３添加
量が３ｗｔ％以下となると１０００℃以下で焼結する事
が困難となり、１５ｗｔ％以上となると磁石の性能を示
すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な
磁石材料とはならない。
温焼結磁石材料では、Ｂｉ２O３を３ｗｔ％以上添加含
有する事により、１０００℃以下の低温でも緻密化し、
特に５ｗｔ％以上添加する事により９００℃でも焼結可
能となった。しかしながら、本発明の範囲外の組成実施
例である試料Ｎｏ．１５、１１、１４でＢｉ２Ｏ３添加
量が３ｗｔ％以下となると１０００℃以下で焼結する事
が困難となり、１５ｗｔ％以上となると磁石の性能を示
すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な
磁石材料とはならない。
【００２５】主成分である磁石材料（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢ
ａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．
０、０≦ｙ＜０．２、５．４≦ｎ≦６．２ は、六方晶
系ストロンチウムフェライトに限らず、ＳｒＯの一部ま
たはすべてをＢａＯ、又は、一部をＰｂＯで置換しても
同じように低温焼結の磁石材料を得る事が出来る。しか
しながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎ
ｏ．１０では、ＳｒＯをモル比で２０％以上ＰｂＯで置
換すると磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁
石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。さら
に、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１、
５では、主成分に占めるＦｅ２Ｏ３の含有量ｎは、５．
４≦ｎ≦６．２の範囲外のため、磁石の性能を示すＢ
ｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石
材料とはならない。
ａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．
０、０≦ｙ＜０．２、５．４≦ｎ≦６．２ は、六方晶
系ストロンチウムフェライトに限らず、ＳｒＯの一部ま
たはすべてをＢａＯ、又は、一部をＰｂＯで置換しても
同じように低温焼結の磁石材料を得る事が出来る。しか
しながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎ
ｏ．１０では、ＳｒＯをモル比で２０％以上ＰｂＯで置
換すると磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁
石の性能が低下し有用な磁石材料とはならない。さら
に、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．１、
５では、主成分に占めるＦｅ２Ｏ３の含有量ｎは、５．
４≦ｎ≦６．２の範囲外のため、磁石の性能を示すＢ
ｒ、ｉＨｃ値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石
材料とはならない。
【００２６】さらに、本発明に係る低温焼結磁石材料
は、５０ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高
周波信号線路に隣接して構成されることになる一体積層
型の電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得
る事が可能となる材料である。
は、５０ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高
周波信号線路に隣接して構成されることになる一体積層
型の電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得
る事が可能となる材料である。
【００２７】また表１より明らかなように、本発明に係
る低温焼結磁石材料では、副成分がＬｉＯ１／２、及
び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくと
も一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有する硼珪
酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有する事により、１０
００℃以下の低温でも緻密化し、焼結可能となった。し
かしながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎ
ｏ．１８、２３、２４、２５、２６、２７では、共に１
０００℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来な
かった。
る低温焼結磁石材料では、副成分がＬｉＯ１／２、及
び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、ＳｒＯ、ＣａＯのうち少なくと
も一種）を、５モル％以上８０モル％以下含有する硼珪
酸ガラス材料を５〜１５ｗｔ％含有する事により、１０
００℃以下の低温でも緻密化し、焼結可能となった。し
かしながら、本発明の範囲外の組成実施例である試料Ｎ
ｏ．１８、２３、２４、２５、２６、２７では、共に１
０００℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来な
かった。
【００２８】さらに、本発明の副成分であるガラス材料
の添加量が３〜１５ｗｔ％の範囲から外れる本発明の範
囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．２８では、１０００
℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来ず、同じ
く試料Ｎｏ．３１では、磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ
値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはな
らない。
の添加量が３〜１５ｗｔ％の範囲から外れる本発明の範
囲外の組成実施例である試料Ｎｏ．２８では、１０００
℃の焼結温度では緻密な焼結体を得る事は出来ず、同じ
く試料Ｎｏ．３１では、磁石の性能を示すＢｒ、ｉＨｃ
値が低下し、磁石の性能が低下し有用な磁石材料とはな
らない。
【００２９】さらに、本発明の低温焼結磁石材料は、１
００ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高周波
信号線路に隣接して構成されることになる一体積層型の
電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得る事
が可能となる材料である。
００ＭΩcm以上の高抵抗を得る事が可能のため、高周波
信号線路に隣接して構成されることになる一体積層型の
電子部品に適用した場合に、低損失の電子部品を得る事
が可能となる材料である。
【００３０】焼結体の結晶の方向をそろえ配向させる事
によりフェライト磁石の性能は向上するが、本発明の磁
石材料においても、従来のフェライト磁石材料と同じよ
うに配向させる事により高性能化を計る事が出来る。
によりフェライト磁石の性能は向上するが、本発明の磁
石材料においても、従来のフェライト磁石材料と同じよ
うに配向させる事により高性能化を計る事が出来る。
【００３１】実施例２ （Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、た
だしｘ＝０、ｙ＝０、ｎ＝５．７を主成分とし、副成分
として、Ｂｉ２Ｏ３を５ｗｔ％含有する磁石材料粉末と
有機バインダ及び有機溶剤などをボールミル中で混練し
て液状のスラリーを作成し、そのスラリーを用いドクタ
ーブレード法で厚さ１００μｍ程度の磁石材料用のグリ
ーンシートを作成した。この磁石用のグリーンシートは
９００℃程度で焼成可能なものである。
だしｘ＝０、ｙ＝０、ｎ＝５．７を主成分とし、副成分
として、Ｂｉ２Ｏ３を５ｗｔ％含有する磁石材料粉末と
有機バインダ及び有機溶剤などをボールミル中で混練し
て液状のスラリーを作成し、そのスラリーを用いドクタ
ーブレード法で厚さ１００μｍ程度の磁石材料用のグリ
ーンシートを作成した。この磁石用のグリーンシートは
９００℃程度で焼成可能なものである。
【００３２】次に出発原料として、純度９９．５％以上
のＹ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＣａＣＯ ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｉ
ｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５の粉末を（Ｙ１．２Ｂｉ１．０Ｃａ
０． ８）（Ｆｅ４．５Ｉｎ０．１Ｖ０．４）Ｏ１２の組
成となるように計量し、ボールミルに純粋とともに投入
して混合し、取り出した混合スラリーは１００℃〜１２
０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケース中で７０
０℃〜８５０℃の温度で仮焼きを行い、得られた仮焼物
を再度ボールミルで粉砕し、取り出したスラリーは１０
０℃〜１２０℃の温度で蒸発乾燥し平均竜径１μｍ以下
のマイクロ波用磁性体材料粉末を得た。このマイクロ波
用磁性体材料粉末と有機バインダと有機溶剤などをボー
ルミル中で混練して液状のスラリーを作成し、そのスラ
リーを用いドクターブレード法で厚さ１００μｍ程度の
マイクロ波用磁性体材料用のグリーンシートを作成し
た。このマイクロ波用磁性体のグリーンシートは９００
℃程度で焼結可能なものを使用した。
のＹ２Ｏ３，Ｂｉ２Ｏ３，ＣａＣＯ ３，Ｆｅ２Ｏ３，Ｉ
ｎ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５の粉末を（Ｙ１．２Ｂｉ１．０Ｃａ
０． ８）（Ｆｅ４．５Ｉｎ０．１Ｖ０．４）Ｏ１２の組
成となるように計量し、ボールミルに純粋とともに投入
して混合し、取り出した混合スラリーは１００℃〜１２
０℃の温度で蒸発乾燥した後、アルミナケース中で７０
０℃〜８５０℃の温度で仮焼きを行い、得られた仮焼物
を再度ボールミルで粉砕し、取り出したスラリーは１０
０℃〜１２０℃の温度で蒸発乾燥し平均竜径１μｍ以下
のマイクロ波用磁性体材料粉末を得た。このマイクロ波
用磁性体材料粉末と有機バインダと有機溶剤などをボー
ルミル中で混練して液状のスラリーを作成し、そのスラ
リーを用いドクターブレード法で厚さ１００μｍ程度の
マイクロ波用磁性体材料用のグリーンシートを作成し
た。このマイクロ波用磁性体のグリーンシートは９００
℃程度で焼結可能なものを使用した。
【００３３】この２種類のグリーンシ−トを同時に積層
した、一実施例の積層の構成を図１に示す。前記マイク
ロ波用磁性体シ−ト１２２、１２３、１２４にスル−ホ
−ルを形成しＡｇペーストを用いて中心導体１３１、１
３２、１３３を印刷形成し、導体の印刷されていないシ
−ト１２１と共に積層した。これにより、マイクロ波用
磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体１３
１、１３２、１３３を構成した。このマイクロ波用磁性
体のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシー
ト１１１、１１２、１１３を積層し、圧着した。図１で
は、１素子分を示しているが、実際に製造する場合は、
複数個分を形成可能なグリーンシートを用意し、そこへ
複数個分の導体パターンを印刷し、複数個分の圧着体を
得る。そして、その複数個分の圧着体を各素子のチップ
形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さらに表面
に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを用いて
外部電極を印刷・焼付けし、電極表面にめっきによりＮ
ｉ膜およびはんだ膜を形成し、高周波回路部品積層体を
構成した。
した、一実施例の積層の構成を図１に示す。前記マイク
ロ波用磁性体シ−ト１２２、１２３、１２４にスル−ホ
−ルを形成しＡｇペーストを用いて中心導体１３１、１
３２、１３３を印刷形成し、導体の印刷されていないシ
−ト１２１と共に積層した。これにより、マイクロ波用
磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体１３
１、１３２、１３３を構成した。このマイクロ波用磁性
体のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシー
ト１１１、１１２、１１３を積層し、圧着した。図１で
は、１素子分を示しているが、実際に製造する場合は、
複数個分を形成可能なグリーンシートを用意し、そこへ
複数個分の導体パターンを印刷し、複数個分の圧着体を
得る。そして、その複数個分の圧着体を各素子のチップ
形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さらに表面
に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを用いて
外部電極を印刷・焼付けし、電極表面にめっきによりＮ
ｉ膜およびはんだ膜を形成し、高周波回路部品積層体を
構成した。
【００３４】この高周波回路部品積層体を裏面から見た
斜視図を図２に示す。２０は高周波回路部品積層体を示
す。２１、２４は整合コンデンサおよび外部Ｉ／Ｏ端子
と接続するための外部電極であり、２１は積層体内部の
中心導体１３１と接続されており、２４は１３３と接続
されている。２３は整合コンデンサと接続するための外
部電極であり積層体内部の中心導体１３２と接続されて
いる。アイソレ−タを構成する場合はこの端子に抵抗を
接続する。サ−キュレ−タを構成する場合はこの端子を
外部Ｉ／Ｏ端子と接続する。２２は外部ア−ス端子と接
続するための外部電極であり積層体内部の中心導体１３
１、１３２、１３３の一端と接続されている。
斜視図を図２に示す。２０は高周波回路部品積層体を示
す。２１、２４は整合コンデンサおよび外部Ｉ／Ｏ端子
と接続するための外部電極であり、２１は積層体内部の
中心導体１３１と接続されており、２４は１３３と接続
されている。２３は整合コンデンサと接続するための外
部電極であり積層体内部の中心導体１３２と接続されて
いる。アイソレ−タを構成する場合はこの端子に抵抗を
接続する。サ−キュレ−タを構成する場合はこの端子を
外部Ｉ／Ｏ端子と接続する。２２は外部ア−ス端子と接
続するための外部電極であり積層体内部の中心導体１３
１、１３２、１３３の一端と接続されている。
【００３５】この高周波回路部品積層体を用いて構成し
た集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図３に示す。
高周波回路部品積層体２０は上ヨ−ク３１１と下ヨ−ク
３１６の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体
の層に均一にかかるように配置されている。この上ヨー
ク３１１と下ヨーク３１６は、金属製のケースであり、
磁気回路を構成するとともに、内部を保護している。
た集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図３に示す。
高周波回路部品積層体２０は上ヨ−ク３１１と下ヨ−ク
３１６の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体
の層に均一にかかるように配置されている。この上ヨー
ク３１１と下ヨーク３１６は、金属製のケースであり、
磁気回路を構成するとともに、内部を保護している。
【００３６】この高周波回路部品積層体の外部電極２４
は整合コンデンサ３１２と外部Ｉ／Ｏ端子３１８に接続
されている。外部電極２１は整合コンデンサ３１４と外
部Ｉ／Ｏ端子３１９に接続されている。外部電極２３は
整合コンデンサ３１３とチップ抵抗３１５に接続されて
いる。外部電極２２は下ヨ−ク３１６に接続され、さら
に下ヨ−ク３１６はア−ス板３２０に接続され、外部ア
−ス端子３２１に接続されている。整合コンデンサ３１
２、３１３、３１４とチップ抵抗３１５の裏面はア−ス
板３２０に接続され外部ア−ス電極３２１と接続されい
る。本発明の磁石シ−トを用いた高周波回路部品積層体
でアイソレ−タを構成することにより、従来よりも部品
点数を削減でき、組立工数削減により、安価なアイソレ
−タの提供が可能となった。
は整合コンデンサ３１２と外部Ｉ／Ｏ端子３１８に接続
されている。外部電極２１は整合コンデンサ３１４と外
部Ｉ／Ｏ端子３１９に接続されている。外部電極２３は
整合コンデンサ３１３とチップ抵抗３１５に接続されて
いる。外部電極２２は下ヨ−ク３１６に接続され、さら
に下ヨ−ク３１６はア−ス板３２０に接続され、外部ア
−ス端子３２１に接続されている。整合コンデンサ３１
２、３１３、３１４とチップ抵抗３１５の裏面はア−ス
板３２０に接続され外部ア−ス電極３２１と接続されい
る。本発明の磁石シ−トを用いた高周波回路部品積層体
でアイソレ−タを構成することにより、従来よりも部品
点数を削減でき、組立工数削減により、安価なアイソレ
−タの提供が可能となった。
【００３７】さらに、本発明の磁石シ−トを用いること
により、ヨ−クを除くすべての部品を１チップに納めて
アイソレ−タを構成することも可能である。実施例を以
下に述べる。上記実施例と同様の磁石シ−トとマイクロ
波用磁性体シ−トの２種類を同時に積層した、シ−トの
構成を図４に示す。
により、ヨ−クを除くすべての部品を１チップに納めて
アイソレ−タを構成することも可能である。実施例を以
下に述べる。上記実施例と同様の磁石シ−トとマイクロ
波用磁性体シ−トの２種類を同時に積層した、シ−トの
構成を図４に示す。
【００３８】マイクロ波用磁性体シ−ト４２３〜４２８
にＡｇペーストを用いて内部導電体パターン４３１〜４
３６を印刷形成し、導体の印刷されていないシ−ト４２
１、４２２と共に積層した。これにより、マイクロ波用
磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体４３
４、４３５、４３６を構成し、３組の整合容量用コンデ
ンサを、４３１と４３３の間、４３２と４３３の間、４
３５と４３３の間で構成した。このマイクロ波用磁性体
のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシート
４１１、４１２、４１３を積層し、圧着した。そして、
チップ形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さら
に表面に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを
用いて外部電極を印刷・焼付けし、ＲｕＯを主成分とす
る抵抗膜およびカバ−ガラス膜を印刷・焼付けした。電
極表面にめっきによりＮｉ膜およびはんだ膜を形成し、
高周波回路部品積層体を構成した。
にＡｇペーストを用いて内部導電体パターン４３１〜４
３６を印刷形成し、導体の印刷されていないシ−ト４２
１、４２２と共に積層した。これにより、マイクロ波用
磁性体シ−ト内部に互いに交叉する３つの中心導体４３
４、４３５、４３６を構成し、３組の整合容量用コンデ
ンサを、４３１と４３３の間、４３２と４３３の間、４
３５と４３３の間で構成した。このマイクロ波用磁性体
のグリーンシートの積層体に更に磁石のグリーンシート
４１１、４１２、４１３を積層し、圧着した。そして、
チップ形状に切断し、９００℃で一体焼結させた。さら
に表面に、Ａｇおよびガラスフリットを含むぺ−ストを
用いて外部電極を印刷・焼付けし、ＲｕＯを主成分とす
る抵抗膜およびカバ−ガラス膜を印刷・焼付けした。電
極表面にめっきによりＮｉ膜およびはんだ膜を形成し、
高周波回路部品積層体を構成した。
【００３９】この高周波回路部品積層体を裏面から見た
斜視図を図５に示す。５０はこの高周波回路部品積層体
を示す。５１、５３は外部Ｉ／Ｏ端子であり、５１は積
層体内部の内部電極４３１および中心導体４３６と接続
されており、５３は内部電極４３２、中心導体４３４と
接続されている。５２、５４は外部ア−ス端子であり、
５２は積層体内部の中心導体４３４およびア−スパタ−
ン４３３と接続されており、５４は中心導体４３６、ア
ースパターン４３３と接続されている。５５は下ヨ−ク
と接続しア−スをとるための外部電極である。５６は積
層体内部の中心導体４３５とア−スパタ−ン４３３およ
びア−スにつながる外部電極５５に接続されている。５
７は積層体内部の中心導体４３５と接続されており、積
層体表面に形成した厚膜抵抗５８に接続されている。こ
れは、アイソレ−タに用いる場合の構成であるが、サ−
キュレ−タに用いる場合は、厚膜抵抗５８を付けないで
外部電極５７をＩ／Ｏ端子として使用する。
斜視図を図５に示す。５０はこの高周波回路部品積層体
を示す。５１、５３は外部Ｉ／Ｏ端子であり、５１は積
層体内部の内部電極４３１および中心導体４３６と接続
されており、５３は内部電極４３２、中心導体４３４と
接続されている。５２、５４は外部ア−ス端子であり、
５２は積層体内部の中心導体４３４およびア−スパタ−
ン４３３と接続されており、５４は中心導体４３６、ア
ースパターン４３３と接続されている。５５は下ヨ−ク
と接続しア−スをとるための外部電極である。５６は積
層体内部の中心導体４３５とア−スパタ−ン４３３およ
びア−スにつながる外部電極５５に接続されている。５
７は積層体内部の中心導体４３５と接続されており、積
層体表面に形成した厚膜抵抗５８に接続されている。こ
れは、アイソレ−タに用いる場合の構成であるが、サ−
キュレ−タに用いる場合は、厚膜抵抗５８を付けないで
外部電極５７をＩ／Ｏ端子として使用する。
【００４０】この高周波回路部品積層体を用いて構成し
た集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図６に示す。
高周波回路部品積層体５０は上ヨ−ク６１と下ヨ−ク６
２の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体に均
一にかかるように配置されている。５１は外部Ｉ／Ｏ端
子であり、５２は外部ア−ス端子である。本発明の磁石
シ−トを用いた高周波回路部品積層体でアイソレ−タを
構成することにより、ヨ−クを除く部品の全てを１チッ
プに収めることが可能となり、従来よりも一層の小型化
が可能となると共に、組立工数削減により、安価なアイ
ソレ−タの提供が可能となった。
た集中定数型アイソレ−タの分解斜視図を図６に示す。
高周波回路部品積層体５０は上ヨ−ク６１と下ヨ−ク６
２の中に収納され磁石の磁界がマイクロ波用磁性体に均
一にかかるように配置されている。５１は外部Ｉ／Ｏ端
子であり、５２は外部ア−ス端子である。本発明の磁石
シ−トを用いた高周波回路部品積層体でアイソレ−タを
構成することにより、ヨ−クを除く部品の全てを１チッ
プに収めることが可能となり、従来よりも一層の小型化
が可能となると共に、組立工数削減により、安価なアイ
ソレ−タの提供が可能となった。
【００４１】本発明によれば、１０００℃以下で焼成可
能な磁石を得ることができる。これにより、製造コスト
の低減が可能であるとともに、Ａｇ導体との同時焼成が
可能となる。そして、中心導体とマイクロ波磁性体と永
久磁石とを一体焼成する高周波部品において、低電気抵
抗材料を用いることにより、低損失な高周波回路部品を
得ることができる。しかも、積層一体化により製造コス
ト、部品コストを低減させることができる。
能な磁石を得ることができる。これにより、製造コスト
の低減が可能であるとともに、Ａｇ導体との同時焼成が
可能となる。そして、中心導体とマイクロ波磁性体と永
久磁石とを一体焼成する高周波部品において、低電気抵
抗材料を用いることにより、低損失な高周波回路部品を
得ることができる。しかも、積層一体化により製造コス
ト、部品コストを低減させることができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｇ又はＡｇを主体と
する低電気抵抗材料との同時焼成が可能となる。これに
より、永久磁石と中心導体とマイクロ波磁性体との一体
焼成する高周波部品において、低損失な高周波部品を得
ることが可能となり、それら複合体を一体化した高周波
回路部品の製造が可能となり、製造コスト、部品コスト
を低減させることができる。
する低電気抵抗材料との同時焼成が可能となる。これに
より、永久磁石と中心導体とマイクロ波磁性体との一体
焼成する高周波部品において、低損失な高周波部品を得
ることが可能となり、それら複合体を一体化した高周波
回路部品の製造が可能となり、製造コスト、部品コスト
を低減させることができる。
【図１】 本発明に係る一実施例の高周波回路部品積層
体のシ−ト構成図である。
体のシ−ト構成図である。
【図２】 本発明に係る一実施例の高周波回路部品積層
体を裏面から見た斜視図である。
体を裏面から見た斜視図である。
【図３】 本発明に係る一実施例のアイソレ−タの分解
斜視図である。
斜視図である。
【図４】 本発明に係る別の実施例の高周波回路部品積
層体のシ−ト構成図である。
層体のシ−ト構成図である。
【図５】 本発明に係る別の実施例の高周波回路部品積
層体を裏面から見た斜視図である。
層体を裏面から見た斜視図である。
【図６】 本発明に係る別の実施例のアイソレ−タの分
解斜視図である。
解斜視図である。
１１１、１１２、１１３、４１１、４１２、４１３ 磁
石グリ−ンシ−ト １２１、１２２、１２３、１２４、４２１、４２２、４
２３、４２４、４２５、４２６、４２７、４２８ マイ
クロ波用磁性体グリ−ンシ−ト １３１、１３２、１３３、４３４、４３５、４３６ 中
心導体 ４３１、４３２、４３３ 内部電極 ２０、５０ 高周波回路部品積層体 ２１、２２、２３、２４、５５、５６、５７ 外部電極 ５１、５３ 外部電極・I／O端子 ５２、５４ 外部電極・ア−ス端子 ５８ 厚膜抵抗 ３１１、６１ 上ヨ−ク ３１２、３１３、３１４ コンデンサ ３１５ チップ抵抗 ３１６、６２ 下ヨ−ク ３１７ 樹脂ケ−ス ３１８、３１９ Ｉ／Ｏ端子 ３２０ ア−ス板 ３２１ ア−ス端子
石グリ−ンシ−ト １２１、１２２、１２３、１２４、４２１、４２２、４
２３、４２４、４２５、４２６、４２７、４２８ マイ
クロ波用磁性体グリ−ンシ−ト １３１、１３２、１３３、４３４、４３５、４３６ 中
心導体 ４３１、４３２、４３３ 内部電極 ２０、５０ 高周波回路部品積層体 ２１、２２、２３、２４、５５、５６、５７ 外部電極 ５１、５３ 外部電極・I／O端子 ５２、５４ 外部電極・ア−ス端子 ５８ 厚膜抵抗 ３１１、６１ 上ヨ−ク ３１２、３１３、３１４ コンデンサ ３１５ チップ抵抗 ３１６、６２ 下ヨ−ク ３１７ 樹脂ケ−ス ３１８、３１９ Ｉ／Ｏ端子 ３２０ ア−ス板 ３２１ ア−ス端子
Claims (7)
- 【請求項１】 互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置さ
れた複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイ
クロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を
印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品で
あって、前記中心導体がＡｇ又はＡｇを主体とする低電
気抵抗材料であることを特徴とする高周波回路部品。 - 【請求項２】 互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置さ
れた複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイ
クロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を
印加する永久磁石とが１０００℃未満の温度で一体焼成
されていることを特徴とする高周波回路部品。 - 【請求項３】 互いに絶縁状態で、かつ交差状に配置さ
れた複数の中心導体と、該中心導体付近に位置するマイ
クロ波用磁性体と、該マイクロ波用磁性体に直流磁界を
印加する永久磁石とが一体焼成された高周波回路部品で
あって、前記中心導体が抵抗率ρ≦３×１０−６Ω・ｃ
ｍの低電気抵抗材料であることを特徴とする高周波回路
部品。 - 【請求項４】 前記中心導体は、前記マイクロ波用磁性
体中に埋設された状態であることを特徴とする請求項
１、２又は３に記載の高周波回路部品。 - 【請求項５】 前記高周波回路部品を磁性金属ケースに
収納して、非可逆回路素子を構成することを特徴とする
請求項１、２又は３に記載の高周波回路部品。 - 【請求項６】 前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａ
ｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、
０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副
成分としてＢｉ２Ｏ３を３〜１０ｗｔ％含有することを
特徴とする請求項１、２又は３に記載の高周波回路部
品。 - 【請求項７】 前記永久磁石は、（Ｓｒ１−ｘ―ｙＢａ
ｘＰｂｙ）Ｏ・ｎＦｅ２Ｏ３、ただし０≦ｘ≦１．０、
０≦ｙ≦０．２、５．４≦ｎ≦６．２を主成分とし、副
成分としてＬｉＯ１／２、及び、ＲＯ（ＲはＢａＯ、Ｓ
ｒＯ、ＣａＯのうち少なくとも一種）を、５モル％以上
８０モル％以下含有する硼珪酸ガラス材料を５〜１５ｗ
ｔ％含有することを特徴とする請求項１、２又は３に記
載の高周波回路部品。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009225608A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Nitto Denko Corp | モータ用永久磁石及びモータ用永久磁石の製造方法 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118894A (ja) * | 1974-08-07 | 1976-02-14 | Hitachi Metals Ltd | |
| JPS5153300A (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-11 | Hitachi Ltd | |
| JPH01110708A (ja) * | 1987-07-01 | 1989-04-27 | Tdk Corp | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
| JPH01198003A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Tdk Corp | フェライト焼結体およびチップ部品 |
| JPH05326242A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Tdk Corp | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
| JPH06204723A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | マイクロ波用回路素子 |
| JPH06338707A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-06 | Tdk Corp | サーキュレータ |
| JPH07312509A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| JPH08288116A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶セラミックス磁性体材料及びこれを用いた高周波回路部品 |
| JPH09167703A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品 |
-
1998
- 1998-08-13 JP JP22881998A patent/JP4081734B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5118894A (ja) * | 1974-08-07 | 1976-02-14 | Hitachi Metals Ltd | |
| JPS5153300A (ja) * | 1974-11-06 | 1976-05-11 | Hitachi Ltd | |
| JPH01110708A (ja) * | 1987-07-01 | 1989-04-27 | Tdk Corp | フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
| JPH01198003A (ja) * | 1988-02-03 | 1989-08-09 | Tdk Corp | フェライト焼結体およびチップ部品 |
| JPH05326242A (ja) * | 1992-05-15 | 1993-12-10 | Tdk Corp | フェライト焼結体、チップインダクタ部品、複合積層部品および磁心 |
| JPH06204723A (ja) * | 1993-01-08 | 1994-07-22 | Murata Mfg Co Ltd | マイクロ波用回路素子 |
| JPH06338707A (ja) * | 1993-03-31 | 1994-12-06 | Tdk Corp | サーキュレータ |
| JPH07312509A (ja) * | 1994-05-16 | 1995-11-28 | Murata Mfg Co Ltd | 非可逆回路素子 |
| JPH08288116A (ja) * | 1995-04-11 | 1996-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 多結晶セラミックス磁性体材料及びこれを用いた高周波回路部品 |
| JPH09167703A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009225608A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Nitto Denko Corp | モータ用永久磁石及びモータ用永久磁石の製造方法 |
| US9093218B2 (en) | 2008-03-18 | 2015-07-28 | Nitto Denko Corporation | Permanent magnet for motor, and method for manufacturing the permanent magnet for motor |
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