JPH01110708A

JPH01110708A - フェライト焼結体、チップインダクタおよびｌｃ複合部品

Info

Publication number: JPH01110708A
Application number: JP62289095A
Authority: JP
Inventors: Hideo Watanabe; 秀雄渡辺; Youichi Kanagawa; 洋一神奈川; Takashi Suzuki; 孝志鈴木; Takeshi Nomura; 武史野村
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1987-07-01
Filing date: 1987-11-16
Publication date: 1989-04-27
Anticipated expiration: 2012-12-17
Also published as: JP2691715B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

■　発明の背景技術分野本発明は、各種磁性材料として用いられるフェライト焼
結体、この焼結体を磁性材料として用いるチップインダ
クタおよび１つのチップ内にコンデンサ部とインダクタ
部とをもつ、ＬＣ複合部品に関する。先行技術とその問題点各種フェライトが、そのすぐれた磁気特性から各種磁心
材料として用いられている。　そして、このうち特にＮ
ｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト等のＮｉ系フェライトが印刷法やグリーン
シート法等の低温焼結用材料として多用されてきている
。しかし、フェライト焼結体は機械的強度の点で満足でき
ない。　また、焼結密度を高め機械的強度を大きくする
ためには焼結温度を高くする必要があり、製造費の増大
を招くという問題がある。一方、フェライトはペースト化して、印刷法やグリーン
シート法により内部に内部導体を形成したのち焼結して
チップインダクタや１つのチップにインダクタ部とコン
デンサ部とをもっＬＣ複合部品として用いられている。このような場合にも、前記の機械的強度が低い点や焼結
温度を高くせざるをえない点が大きな問題となっている
。また、これらインダクタでは、インダクタンスやＱ値の
周波数特性が不十分であり、例えば２００ＫＨｚをこえ
る高周波帯域では、インダクタンスやＱ値が実質的にゼ
ロになってしまう。周波数特性を向上させるこためにはインダクタ部に非磁
性セラミックを用いて空芯コイルとすればよいが、この
ものはインダクタンス、Ｑ値とも不十分な特性しか得ら
れない。また、１つのチップにインダクタ部とコンデンサ部とを
もつＬＣ複合部品では、焼結時、インダクタ部のフェラ
イトとコンデンサ部の８電体材料の収縮率の違いにもと
づき、ＬＣ界面の剥離、そり等が発生し、表面実装部品
としての機能を満足することができなくなるという問題
がある。なお、フェライト焼結体としては、各種磁心、磁気シー
ルド材、電波シールド材、アッテネータ等の用途に用い
られるが、これらの用途においても焼結温度、焼結密度
、機械的強度等の改善と、透磁率損失等の電磁気特性の
周波数特性の改良等が望まれる。ＩＩ　　発明の目的本発明の目的は、従来に比較して機械的強度が高く、焼
結温度を低くでき、しかも高周波特性の良好なフェライ
ト焼結体、チップインダクタおよび同時焼成においても
そり、剥離等の生じないＬＣ複合部品を提供することに
ある。ＩＩＩ　　発明の開示このような目的は下記の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、フェライトとホウケイ酸ガラスと
を含有することを特徴とするフェライト焼結体である。また、第２の発明は、フェライトとホウケイ酸ガラスと
酸化ホウ素とを含有することを特徴とするフェライト焼
結体である。また、第３の発明は、セラミック磁性層と内部導体層と
を積層したチップインダクタにおいて、セラミック磁性
層がフェライトとホウケイ酸ガラスとを含有することを
特徴とする特許インダクタである。また、第４の発明は、セラミック磁性層と内部導体層と
を積層したチップインダクタにおいて、セラミック磁性
層がフェライトとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含
有することを特徴とするチップインダクタである。また、第５の発明は、セラミック誘電体層と電極層とを
積層したコンデンサ部と、フェライト磁性層と内部導体
層とを積層したインダクタ部とを一体化したセラミック
ＬＣ複合部品において、セラミック磁性層がフェライト
とホウケイ酸ガラスとを含有することを特徴とするＬＣ
複合部品である。また、第６の発明は、セラミック誘電体層と電極層とを
積層したコンデンサ部と、セラミック磁性層と電極層と
を積層したインダクタ部とを一体化したセラミックＬＣ
複合部品において、セラミック磁性層がフェライトとホ
ウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含有することを特徴と
するＬＣ複合部品である。なお、特開昭５８−１３５１３３号、同５８−１３５１７７号公報には、フェライトに高ケイ
酸ガラスを添加して焼き縮みを小さくする旨の提案がな
されているが、このものでは、当然のことながら焼結密
度や機械的強度が不十分であり、また、高周波特性も向
上しない。 ■　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。本発明のフェライト焼結体はフェライトとホウケイ酸ガ
ラスを含有し、さらに好ましくはこれに酸化ホウ素を含
有するものである。このような本発明のフェライト焼結体は、９５０℃、特
に９００℃以下での低温焼成が可能で、このような温度
でも十分な焼結密度を得ることができ高い機械的強度を
有する。本発明のフェライト焼結体に用いるフェライトは公知の
スピネル構造を有するソフトフェライトのいずれであっ
てもよいが、一般に、Ｎｉ５Ｃｕ％Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅの
うちの１種以上を含有するものが好適に使用される。このうち、特に高周波用に有効であり、低温焼結が可能
である点では、Ｎｉフェライト、Ｎ　１−Ｃｕフェライ
ト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライ
ト、あるいはこれらにＬｉを含有するもの等のＮｉ系フ
ェライトが好適である。Ｎｉ系フェライトの場合、Ｎｉの含有量は、ＮｉＯに換
算して４５〜５５　ｍ　ｏ　１１％が好ましく、このＮ
ｉの一部をＣｕおよび／またはＺｎ、あるいはＬｉ等が
４０ｍ０λ％程度以下置換してもよい。この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５ｗｔ％程度以下含有さ
れていてもよい。　さらに、Ｃａ、Ｓｉ％Ｂｉ、Ｖ、Ｐ
ｂ等が１ｗｔ％程度以下含有されていてもよい。本発明のフェライト焼結体は、このようなフェライトに
対して前記のホウケイ酸ガラスを１５〜７５ｗｔ％、よ
り好ましくは２５〜３５ｗｔ％添加する。ホウケイ酸ガラスの添加量が１５ｗｔ％未満では本発明
の効果がなく、７５ｗｔ％をこえると、ガラス成分が多
すぎ、焼結時に敷物等に付着し取扱いにくく、また形状
変化が非常に大きくなり、変形度が大きくなり、加えて
透磁率も悪くなるからである。用いるホウケイ酸ガラスとしては、通常のホウケイ酸ガ
ラスの他、アルミナホウケイ酸ガラス、アルカリホウケ
イ酸ガラス等種々のものが使用可能である。ホウケイ酸ガラスを用いることにより、本発明のフェラ
イト焼結体は、チップインダクタやＬＣ複合部品や、各
種磁心等に用いる際に、機械的強度が高く、低損失、高
Ｑ値等の電磁気特性の高周波特性の優れたものとなる。このような効果は、ホウケイ酸ガラスを用いた時のみに
得られ名効果であり、鉛ガラスや高ケイ酸化ガラスでは
実現しない。このようなホウケイ酸ガラスは、６５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素（通常５ｉｎ２）と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ
素（通常Ｂ２０３　）とを含有するものである。このようなホウケイ酸ガラスのうち、特に好適なものは
、７５〜９０ｗｔ％、より好ましくは８０〜８４ｗｔ％
との酸化ケイ素と、８〜２０ｗｔ％より好ましくは１４
〜１８ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有するのである。このような場合において上記の量範囲に対し酸化ケイ素
が過剰となり、酸化ホウ素が過少となると、線膨張率が
過小となりまた焼結性の低下により焼結密度が低くなる
。　また、酸化ケイ素が過少となり、酸化ホウ素が過剰
となると線膨張率が過大となる。また、焼結時に、発泡してしまい、焼結密度が低くなり
、さらに寸法も狂ってしまう、そのため比抵抗が高くな
り、Ｑ値が低くなってしまう。さらに、このような組成では内部導体に対する悪影響が
なく、内部導体の特性劣化がない。この他、ホウケイ酸ガラス中には５ｗｔ％以下の酸化ア
ルミニウム（通常Ａｊ！２０ｓ）、５ｗｔ％以下のに％
Ｎａ％　Ｌｉ等の１価の金属Ｍ１の酸化物（通常　　　
Ｍ２’Ｏ）の１種以上、５ｗｔ％以下の　Ｂａ％Ｃａ％
Ｓｒ％Ｚｎ等の２価の金属Ｍ２の酸化物（通常Ｍ”　Ｏ
）の１種以上を含有してもよい。本発明のフェライト焼結体の別の態様では、このような
フェライト焼結体にさらに酸化ホウ素を含有する。この場合、本発明のフェライト焼結体は、このようなフ
ェライトに１０冑ｔ％以下、特に０．１〜１０ｗｔ％、
より好ましくは０．５〜１０ｗｔ％の酸化ホウ素が含有
されることが好ましい。酸化ホウ素の添加により焼結性が向上し、機械的強度が
向上するが、その含有量が１０ｗｔ％をこえると耐湿性
の点で不十分となり、保存性、耐久性に欠けるからであ
る。なお、酸化ホウ素は、通常、フェライトとは粒界を隔て
て通常Ｂ２０．の形で含有される。本発明のフェライト焼結体は、基本的には従来公知の方
法によって製造される。　す　なわち、例えばＮｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎフェライトの場合には、所定量のＮｉ０１Ｃｕ
Ｏ１ＺｎＯ１Ｆｅ２０．、等のフェライト原料粉末と前
記のホウケイ酸ガラスの所定量とをボールミル等により
湿式混合する。　用いる粉末の粒径は０．１〜１０μｍ
程度とする。こうして湿式混合したものを、通常スプレードライヤー
により乾燥し、その後仮焼する。これを通常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．１
μｍ程度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライ
ヤーにより乾燥し、公知の方法により各種焼結体とする
。また、本発明の別の態様では、得られた混合フェライト
粉末に酸化ホウ素粉末を加え、必要に応じバインダーお
よび溶剤を添加して、公知の方法により各種焼結体とす
ればよい。また、ペースト化して焼結体とするには、得られた混合
フェライト粉末やもしくはこれに酸化ホウ素粉末を加え
、これをエチルセルロース等のバインダーとチルビオネ
ール、ブチルカルピトール等の溶剤中に溶かしてペース
トとすればよい。これらを適当な形状に成形し、あるいは印刷ないしグリ
ーンシート等としてシート化し、９５０℃以下、例えば
８５０〜９３０℃で焼結する。　焼結時間は通常０．５
〜４時間程度とする。なお、用いる酸化ホウ素粉末は０．１〜１０μｍ程度の
粒径とする。ホウケイ酸ガラス、酸化ホウ素を含有させない従来の場
合には、十分な焼結密度を得るために、焼結温度は１１
００℃程度とされていたのに比べ、本発明のようにホウ
ケイ酸ガラスを例えば３０ｗｔ％含有させることにより
、９５０℃以下と低い温度で、同程度の相対焼結密度を
得ることができる。また、これに酸化ホウ素を１０賃ｔ％以下加えることに
よって、より低温（８５０〜９５０℃）でも高い焼結密
度のものが得られ、抗折強度が高くなる等の点でより好
ましい結果を得る。なお、前記では、ホウケイ酸ガラスとフェライト原料と
の混合フェライト粉末を用いてペースト化し、あるいは
これに酸化ケイ素粉末を加えたものをペースト化して焼
成することによってスピネルフェライトとガラス等との
混合物を得ているが、フェライト粉末とガラス粉末およ
び酸化ホウ素粉末とをペースト化する際に添加しても良
い。このようにして作成されるフェライト焼結体は、低温焼
成が可能で周波数特性等の点ですぐれた電磁気特性を有
し、また高い機械的強度を持ち、各種電子部品の磁心や
チップインダクタ用絶縁磁性体等や、磁気ないし電磁波
シールド材、アッテネータ等に好適に用いることができ
る。　また、加工性にもすぐれている。なお、シールド材等の用途において、焼結体を用いる他
、これを粉砕して、これをバインダーと混合して用いて
もよい。第１図に本発明のチップインダクタの１例が示される。本発明のチップインダクタ１は、第１図に示されるよう
に従来公知の構造をもち、スパイラル状等の所定のパタ
ーンに形成した内部導体層２とフェライト磁性層３とを
交互に積層して、フェライト磁性体中に所定巻形状およ
び巻数の内部導体を形成し、内部導体層２の両端部を外
部電極４１．４５に接続したものであり、従来公知の方
法で作製される。このチップインダクタ１のフェライト磁性層用ペースト
は、上記したフェライト焼結体用ペーストと同様にして
作製することができる。” このフェライト磁性層用ペーストと、ＡｇあるいはＡｇ
−Ｐｄ等の内部導体用ペーストとを、例えばＰＥＴ等の
基板上に各所定パターンをもつように交互に印刷または
グリーンシート等により積層し、９５０℃以下、好まし
くは８５０〜９３０℃で、０．５〜４時間焼結を行い、
本発明のチップインダクタ１を得ることができる。このようにして作製される本発明のチップインダクタ１
は、フェライト磁性層にホウケイ酸ガラス、もしくはこ
れに酸化ホウ素を含み焼結性を高めているので高い機械
的強度を持っている。　また、同じ焼結密度を得るのに
必要な焼結温度は、従来の場合に比べて低くてよい。さらに、電磁気特性等の高周波特性の点でも優れた特性
を有する。なお、フェライト磁性層３の積層数は目的に応じて選定
すればよいが、通常は、１〜２０層とする。　−層当り
の厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常は１
０〜３０μｍ程度とする。　また、内部導体２は例えば
Ａｇ。Ａｇ−Ｐｄ等の金属から形成し、通常その厚さは１０〜
２５μｍ程度とする。また、外部電極４は、同様にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。第２図に本発明のＬＣ複合部品の一例が示される。本発明のＬＣ複合部品５は、インダクタ部６とコンデン
サ部７とを一体化したものである。インダクタ部６は、所定のパターンに形成した内部導体
６５を互いに導通するように介在させながら、フェライ
ト磁性層６１を積層したものである。　また、このイン
ダクタ部６に積層一体止されるコンデンサ部７は、内部
電極７５とセラミックの誘電体層７１とを、交互に積層
したものである。第２図に示される例では、インダクタ部６およびコンデ
ンサ部７は、それぞれ複数のしおよびＣを有し、これら
から所定のＬＣ回路が構成されるように所定の外部電極
８を設けている。本発明のＬＣ複合部品５の、インダクタ部６は、前述の
第１図に示されるチップインダクタ１と同様のものであ
り、低温焼成が可能で、周波数特性、機械的強度に優れ
たものであり、しかも、フェライト磁性層にホウケイ酸
ガラスを添加し、その含有量を調節することによって、
その収縮率の調節ができるので、インダクタ部６の収縮
率とコンデンサ部７の収縮率とをほぼ一致させ、焼成時
のインダクタ、コンデンサ両部界面でのそり、！ＩＩＭ
等の発生を回避するものである。すなわち、通常前述のようなＮｉ系フェライトの線膨張
率は９０Ｘ１０−’〜１１５Ｘ１０−’ｄｅｇ−’であ
るが、これにホウケイ酸ガラスを１７〜７５ｗｔ％添加
することにより、線膨張率を９０　Ｘ　１０””〜７０
　ｘ　１０−’ｄｅｇ−’　とすることができる。　こ
れは後述のコンデンサ部７の誘電体層７１に用いるＴｉ
Ｏ２系の誘電材料の線膨張率７５　ｘ　１０−’　〜８
５　Ｘ　１０−’ｄｅｇ−’とほぼ一致するものである
。また、収縮率も１５〜２０％程度となり、これもＴｉＯ
２系の誘電材料の１５〜１８％とほぼ同等となる。また、インダクタ部６に酸化ホウ素を好ましくは１０ｗ
ｔ％以下含有させることにより、インダクタ部６の焼結
密度が大きくなり、高い機械的強度のＬＣ複合部品５が
得られる。コンデンサ部７の誘電体層７１を構成する材質としては
種々の誘電材料を用いてよいが、ＴｉＯ□を主成分とす
るＴｉＯ２系が好ましい。Ｔｉｅ□系としてはＮ　ｉＯ％Ｃｕ　Ｏ％Ｍ　ｎ　３０
４　、Ａ　１１２０３　、Ｍ　ｇＯｓ　Ｓ　ｓ　０２等
を、総計１０ｍｏｊ１％程度以下含有するものが、誘電
体損失および線膨張率の変化等の点で好ましい。なお、Ｔｉｅ、系の誘電体層７１の収縮率は１５〜１８
％程度である。　そして、上記のフェライトにホウケイ
酸ガラスを添加することにより、その収縮率をこれと同
等なものとすることができる。コンデンサ部７の誘電体層７１の積層数は目的に応じて
定めればよいが、通常は１〜１０程度とする。　−層当
りの厚さは通常５０〜１５０μｍ程度とする。　　また
、コンデンサ部の内部電極７５は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等
の金属から形成すればよく、その厚さは、通常５〜１５
μｍ程度とされる。なお、磁性層６１の積層数は目的に応じて選定すわばよ
いが、通常は、１〜２ＯＮとするい一層当りの厚さも目
的に応じ適当に選定すればよいが、通常は１０〜３０μ
ｍ程度とする。また、内部導体６５は例えばＡｉｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金
属から形成し、通常その厚さは１０〜３０μｍと程度と
する。また、外部電極８は、上記と同様にＡｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常５０〜５００
μｍ程度とする。本発明のＬＣ複合部品は、従来公知の印刷法やグリーン
シートによって製造される。すなわち、セラミック磁性層、誘電体層および内部電極
、導体のペーストを用意し、これらを印刷法やグリーン
シートにより、例えばＰＥＴ等の基板上に一層ごとに積
層していくものである。この場合コンデンサ部７の誘電体層７１および内部電極
７５や、インダクタ部６の内部導体６５や外部電極８の
ペーストはバインダー、溶剤を用いて作製すればよい。これら各ペーストを用い、印刷法やグリーンシートによ
りコンデンサ部、インダクタ部とを積層して形成した後
、所定形状に切断し基板から積層品を剥離して、９５０
を以下、例えば８５０〜９３０℃で焼成する。　焼成時
間は０．５〜４時間時間上する。焼成後、Ａｇペーストを焼きつけて外部電極とする。なお、このようにして製造されるＬＣ複合部品の大きさ
等は、目的に応じ選定すればよい。 ■　発明の具体的作用効果本発明のフェライト焼結体は、ホウケイ酸ガラスを含有
する。　そのため９５０℃以下の低温焼成でも十分な焼
結密度が得られ、機械的強度が高い。　しかも加工性に
優れ、また、電磁気特性の高周波特性にも優れる。また、本発明のチップインダクタは、磁性層として前記
のフェライト焼結体を用いるため、低温焼成が可能で、
機械的強度が高く、しかも電磁気特性の高周波特性に優
れる。また、本発明のＬＣ複合部品は、インダクタ部として前
記のチップインダクタを用いるため、低温焼成が可能で
、機械的強度が高く、しかも電磁気特性の高周波特性に
優れる。また、インダクタ部とコンデンサ部との焼結時収縮率を
、添加する酸化ホウ素の量の調節により近似させること
ができ、従って焼結時収縮率の違いにもとづく、両部界
面でのそり、剥離の発生を回避することができる。　従
って、そり、剥離等のために、部品を表面実装できない
という問題もなくなる。 ■　発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明をさらに
詳細に説明する。実施例ＩＮｉ系フェライトにホウケイ酸ガラスとあるいはこれに
Ｂ２０．とを添加することによって、本発明のフェライ
ト焼結体用のペーストを作製した。用いたＮｉ系フェライト原料は、粒径０．１〜１．０μｍ程度のＮｉｐ、およびＦｅ２０３の
粉体で、ＮｉＯ換算で５２ｍｏｕ％、Ｆｅ２Ｏ，換算で
４８ｍｏＩＬ％の組成となるように配合した。このフェライト原料と、平均粒径５μｍ、Ｓｉ０．８０
．３ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３１７，５ｗｔ％、Ｋ２Ｏ２，２ｗ
ｔ％の組成のポウケイ酸ガラス（ガラスＩ）粉末とをボ
ールミルを用いて湿式混合した。次いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾
燥し、８５０℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径０．１μｍの粉体とした。得られた粉体とあるいはこれに平均粒径５．０μｍの　
Ｂ２Ｏ３粉体な加えたものを、所定量のエチルセルロー
スとともにチルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキ
サーで混合しフェライト焼結体ペーストを作製した。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して９００℃で２時間焼成し、
３．ＯＸ３．０ＸＩ５．００ｍｍの棒状の試料を得た。得られた試料の相対焼結密度（焼結密度／理論密度）、
線膨張率および収縮率を表１に示す。　なお、表１には
下記の比較ガラスを用いた結果も併記する。比較ガラスＩＩ　（高ケイ酸ガラス）９５ｗｔ％ＳｉＯ２５ｗｔ％Ｎａ２Ｏ比較ガラスｍ　（鉛ガラス）４２ｗｔ％Ｓｉｎ、−５２ｗｔ％ｐｂｏ−５，５ｗｔ％
ＡｆＬ２０３−０．　５ｗｔ％Ｂ２Ｏ３ガラス■（ホウ
ケイ酸ガラス）７０ｗｔ％Ｓ　ｉ　０２−２５．０ｗｔ％Ｂ２０３５ｗ
ｔ％Ｎａ２Ｏさらに、従来材としてＦｅ２Ｏ３４５，５ｍｏＪ２％、
ＮｉＯ４４ｍｏＪ：Ｌ％、ＣｕＯ８ｍｏ１％、ＺｎＯ２
ｍｏｆｔ％、Ｃｏ。Ｏ，６ｍｏＪＺ％の組成を有するものを用いた結果も併
記する（サンプルＮｏ、１０）。なお、サンプルＮｏ、１は、前記のフェライトのみのも
のである。表１に示される結果より、本発明のサンプルＮｏ、２〜
６は低温での焼成でも、十分な焼結密度が得られ、機械
的強度に優れることがわかる。　　また、収縮率も１６
．５〜２３．２％と大きくすることができる。これは、ＴｉＯ２系の誘電材料の収縮率１５〜１８％と
ほぼ同等であり、ＬＣ複合部品として用いた際、ソリや
剥蔑、クラックのない良好なものが得られる。　このこ
とは実施例３にてより詳しく実証する。なお、サンプルＮｏ、２とＮｏ、１０の焼成温度と相対
焼結密度との関係を表２に示す。表　　　　　　　　　　２また、サンプルＮｏ、２および８につき、それぞれコア
を作成し、磁気損失の周波数特性を測定したところ、５
００ＭＧ以上では、サンプルＮｏ、８の磁気損失はサン
プルＮｏ、２の２倍以上であった。実施例２次に、前記サンプルＮ０８２．４．７．８．９．１０の
フェライト焼結体用ペーストを磁性層として用い、また
、内部導体層としてＡｇペーストとを用い、印刷積層法
によって３．２ｍｍＸ２．５ｍｍＸ１．Ｏｍｍの第１図
に示されるチップインダクタを作製した。各フェライト層の厚さは４０μｍ２導電体の厚さは２０
μｍ１その線巾は３００μｍ、コイルは長径２．５ｍｍ
、短径１．３ｍｍの楕円形とし２．５タ一ン積層した。　外部電極はＡｇ−Ｐｄ−ペーストで構成した。　　ま
た、焼成温度は８７０℃で２時間とした。このようにして得られたチップインダクタの各周波数で
のＱ値およびインダクタンスを測定した。結果を表３に示す。なお、磁性層として、Ｆｅ２　０３　　４６ｎｏ１％、
ＺｎＯ４４ｍｏ１％、ＣｕＯ１０ｍ０℃％の組成に、Ｃ
ｏｏ、ＭｎＯを各ｆａｔ％加えた非磁性材を用いた空芯
コイルのものも併記する。表３に示される結果より、本発明のサンプルは比較サン
プルに比べて優れた周波数特性を有することがわかる。また、磁性層に比較ガラスＩＩとして高ケイ酸ガラスを
加えたものは、他のサンプルに比べて強度が低かった。また、磁性層に比較ガラスｍとして鉛ガラスを加えたサ
ンプルＮｏ、８では、鉛が内部導体層の銀を拡散させて
しまい、電極が消失したり、断線が発生して、測定不能
であった。また、同様の実験をフェライト原料を他の種々のＮｉ−
Ｚｎフェライトに変え、あるいはガラス材質を他の種々
のホウケイ酸ガラスに変え、その含有量を３０ｗｔ％と
したものでも行なったが、すべて同様の結果を得た。さらに、フェライト原料をＮｉ−Ｃｕフェライトにホウ
ケイ酸ガラスを２５ｗｔ％含有させたもの、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライトにホウケイ酸ガラス２８ｗｔ％含有さ
たものＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｌｉフェライトにホウケイ酸
ガラス２３ｗｔ％含有させたものでも同様の結果を得た
。実施例３Ｎｉ系フェライトに全体の１０〜８０ｗｔ％となるよう
にホウケイ酸ガラスを添加することによって、本発明の
ＬＣ複合部品の磁性層用ペーストを作製した。用いたＮｉ系フェライト原料は、粒径０．１〜１．０．ｕｍ程度のＮｉ０１ＣＯｏおよびＦｅ
２Ｏ３の粉体で、ＮｉＯ換算で５２ｍｏ！１％、Ｆｅ２
Ｏ３換算で４８ｍｏ４１％であり、これにＣｏｏが０．
４ｗｔ％含有される組成となるように配合した。このフェライト原料と、平均粒径５μｍ、５ｉ０２８２
．０ｗｔ％、Ｂ２Ｏ３１６，０ｗｔ％、ＡＩＬ２０３　
　０．３ｗｔ％、Ｋ２Ｏ１，７ｗｔ％の組成のホウケイ
酸ガラス粉末とをボールミルを用いて湿式混合した。次いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾
燥し、８００℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径０．１μｍの粉体とした。次いで、この粉体を所定量のエチルセルロースとともに
チルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合
しインダクタ部セラミック磁性層のペーストを作製した
。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して８７０℃で、２時間焼成し
、３．ＯＸ３．０Ｘ１５．００ｍｍの棒状の試料を得た
。得られた試料の線膨張率を表４に示す。　なお、表４に
は前記の比較ガラスＩＩ、ＩＩＩおよびガラス■を用い
た結果も併記する。表　　　４ガラス　　　　添加量　　　　線膨張率（ｗｔ％）　　
　　（ｘ　１０−’ｄｅｇ−’）なしくＮｉＦｅ２０４
）　　　　　　０　　　　　１１５ホウケイ酸ガラス　
　ｔｏ　　　　　　１０４ホウケイ酸ガラス　　２０　
　　　　９６ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　　　８
２　　　　（ホウケイ酸ガラス　　４０　　　　　７４
ホウケイ酸ガラス　　５０　　　　　６５ホウケイ酸ガ
ラス　　６０　　　　　６２ホウケイ酸ガラス　　７０
　　　　　４８ホウケイ酸ガラス　　８０　　　　　４
３比較ガラスＩＩ　　　　　２５　　　　　　９２比較
ガラスＩＩＩ　　　　　４０　　　　　　８８ガラスｍ
Ｖ　　　　　　　５０　　　　　　９６Ｓｉ０２　　　
　　　２０　　　　　　８５Ｔｉ０２系　　　　０８５次に、上記試料にて収縮率を算出した。　結果を表５に
示す。表　　　５ガラス　　　　ガラス添加量　　収縮率（ｗｔ％）　　
　　　　　　　（％）なしくＮｉＦｅ２０４）０　　　　１６．　５ホウケイ
酸ガラス　　　３０　　　　１４．５比較ガラスＩＩ　
　　　　　２５　　　　　８．０比較ガラスＩＩＩ　　
　　　　４０　　　　１７．１ガラスＩＶ　　　　　　
　　５０　　　　２０．３Ｓｉｎ２　　　　　　２０　
　　　　０．５Ｔｉｅ２系　　　　０　　１６．７なお、表４、表５には下記のコンデンサ部のＴｉＯ２系
の誘電体層の値を併記する。これらの結果から本発明のホウケイ酸ガラスによれば、
線膨張率および収縮率をＴｉＯ２系の誘電体層とほぼ等
しくすることができることがわかる。さらに、下記衣６に１００ＭＨｚでの初透磁率μｉを示
す。表　　　６ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　２．５表６に示
される結果から、本発明によればμｉが低下して、磁性
層としての高周波側の周波数特性が改善されることがわ
かる。次に、Ｔｉ０２９１ｗｔ％、Ｎｉ０％　Ｃｕｂ。Ｍｎ３Ｏ４各３ｗｔ％の組成で、平均粒径０．　１〜１
．０μｍの粉体な用い、上記の磁性層用のペーストと同
様のバインダーと溶剤を用いてコンデンサ部の誘電体層
のペーストを作製した。ホウケイ酸ガラス３０ｗｔ％添加の磁性層用ペーストと
、上記の誘電体層用ペーストと、内部電極および導体用
のＡｇペーストとを印刷法により積層した。　インダク
タ部−層当りの厚さは４０８ｍ１積層数は１０、コンデ
ンサ部−層当りの厚さは１００μｍ１積層数は２とした
。　また、内部電極および導体の厚さは２０μｍとした
。　印刷積層後、８７０℃、２時間、焼成を行なった。その後、徐冷して４つのＬと３つのＣを有する１００Ｍ
Ｈｚ以上のバイパスフィルター回路の４．５ｍｍｘ３．
２ｍｍｘ１．５ｍｍのＬＣ複合部品を得た。得られたＬＣ複合部品のコンデンサ、インダクタ両部界
面には、そり、剥離あるいはクラックの発生等は一切認
められなかった。　また、内部導体の特性劣化も生じな
かった。　また、使用周波帯域が無添加のものが１００
〜５００ＭＨｚの帯域を通過させていたのに対し、本発
明の部品は高域端が５００ＭＨｚ程度高周波側に伸び、
１００ＭＨｚ　〜ＩＧＨｚの帯域を通過させることがで
きた。これに対し、上記比較ガラスＩＩ、ガラス■およびＳ　
ｉ　Ｏ，を用いたサンプルでは、そりや剥離やクラック
が発生した。また、比較ガラスＨ１では、内部導体の特性劣化が生じ
た。表７には、各サンプルのそり、剥離およびクラックの発
生を顕微鏡で観察し、サンプル１００個中の不良品個数
を調べた結果を示す。また、４０℃、相対湿度８５〜９０％にて１０００時間
保存後の内部導体の抵抗を測定し、初期の抵抗値から１
０％以上に変化したサンプル個数をサンプル１００個あ
たりの個数として表７に併記する。表　　　７ガラス　　　　　添加量　　　不良個数　　　抵抗劣化
（ｗｔ％）　　　（個／１００個）　　　（個／１００
個）なしくＮｉＦｅ２０４）０　　　　　８７　　　　
　　　０ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　０　　
　　　　０比較ガラスＩＩ　　　　　　２５　　　　　
５８　　　　　　　５比較ガラスＩＩＩ　　　　　　４
２　　　　　９’８　　　　　　８６ガラスｒＶ　　　
　　　　　６０　　　　　６２　　　　　　３６ＳｉＯ
ｚ　　　　　　　　　２０　　　　１００　　　　　　
　□実施例４実施例３と同様にして、同組成のフェライト原料とホウ
ケイ酸ガラスの混合物粉体を作成した。得られた粉体と平均粒径５．０μｍの８２０３粉体とを、所定量のエチルセルロースとともに
チルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合
しインダクタ部セラミック磁性層のペーストを作製した
。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して８７０℃で２時間焼成し、
３．ＯＸ３．０Ｘ１５．００ｍｍの棒状の試料を得た。得られた試料の線膨張率および収縮率を表８、表９に示
す。　なお、表８には下記の比較ガラスＩＩ　、　ＩＩ
Ｉおよびガラス■を用いた結果も併記する。表　　　８ガラス　　　　添加量　　　　線膨張率（ｗｔ％）　　
　　（ｘ　１０−’ｄｅｇ−’）なしくＮｉＦｅ２０４
）　　　　　０　　　　　１１５ホウケイ酸ガラス　　
１０　　　　　１０４ホウケイ酸ガラス　　２０　　　
　　９６ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　　８２ホウ
ケイ酸ガラス　　４０　　　　　７４ホウケイ酸ガラス
　　５０　　　　　６５ホウケイ酸ガラス　　６０　　
　　　６２ホウケイ酸ガラス　　７０　　　　　４８ホ
ウケイ酸ガラス　　８０　　　　　　４３比較ガラスＩ
Ｉ　　　　　２５　　　　　　９２比較ガラスＩＩＩ　
　　　　４０　　　　　　８８ガラスｍＶ　　　　　　
　５０　　　　　　９６Ｓｉ０２　　　　　　２０　　
　　　　８５ＴｉＯ□系　　　　０８５次に、上記試料にて収縮率を算出した。　結果を表９に
示す。表　　　９ガラス　　　　ガラス添加量　　収縮率（ｗｔ％）　　
　　　　　　　（％）なし　　　　　　　　　　０　　　　１６．５ホウケイ
酸ガラス　　　３０　　　　１４．５比較ガラスＩＩ　
　　　　　２５　　　　　８．０比較ガラスＩＩＩ　　
　　　　４０　　　　１７．１ガラスＩＶ　　　　　　
　　５０　　　　２０．３Ｓｔｏｗ　　　　　　　　２
０　　　　　０．５Ｔｉ０２系　　　　０　　　１Ｂ、
７なお、表８、表９には下記のコンデンサ部のＴｉＯ２系
の誘電体層の値を併記する。これらの結果から本発明のホウケイ酸ガラスによれば、
線膨張率および収縮率をＴｉＯ２系の誘電体層とほぼ等
しくすることができることがわかる。次に、上記試料にて下記表３に示されるように８２０．
の添加量を変え、抗折強度を測定した。結果を表１０に示す。表　　　１０ガラス　　　　ガラス添加量　　Ｂ２Ｏ３添加量　　抗
折強度（ｗｔ％）　　　　　　　（ｗｔ％）　　　　（
Ｋｇｆ／ｍｍ２）な　　し　　　　　　　　　　　　　
　ＯＯ８，７ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　０
　　　　　　３．５ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　
　　０．　５　　　　６．　１ホウケイ酸ガラス　　　
３０　　　　　１　　　　　　７．５ホウケイ酸ガラス
　　　３０　　　　　１．　５　　　　８．９ホウケイ
酸ガラス　　　３０　　　　　２　　　　　１０．０ホ
ウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　３　　　　　１０
．３ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　４　　　　
　１０．０ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　６　
　　　　　９．　７ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　
　　８　　　　　　８．５ホウケイ酸ガラス　　　３０
　　　　１０　　　　　　８．０ホウケイ酸ガラス　　
　３０　　　　１５　　　　　　７．５表１０に示され
る結果から、Ｂ２０３による機械的強度の向上が明らか
である。なお、添加量１５ｗｔ％のものは、耐湿性が不十分であ
った。さらに、下記表１１に１００ＭＨｚでの初透磁率μｉを
示す。表　　　　　１１（ｗｔ％）　　　（ｗｔ％）　　　　μｉな　　　し　
　　　　　　　ＯＯ１３，１ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　２　　　　　２．５表１１に示
される結果から、本発明によればμｉが低下して、磁性
層としての高周波側の周波数特性が改善されることがわ
かる。次に比較例３と同様にしてＬＣ複合部品を得た。得られたＬＣ複合部品のコンデンサ、インダクタ両部界
面には、そり、剥離あるいはクラックの発生等は一切認
められなかった。　また、内部導体の特性劣化も生じな
かった。　また、使用周波帯域が無添加のものに比較し
て、５００Ｍ）Ｉｚ程度高周波側に伸びた。これに対し、上記比較ガラスＩＩ、ガラス■および５ｉ
０２を用いたサンプルでは、そりや剥離やクラックが発
生した。また、比較ガラスＩＩＩでは、内部導体の特性劣化が生
じた。表１２には、各サンプルのサンプル１００個中のそり、
剥離およびクラックの発生個数を不良品個数として示す
。　また、４０℃、相対湿度８５〜９０％にて１０００
時間保存後の内部導体の抵抗を測定し、初期の抵抗値か
ら１０％以上に変化したサンプル個数をサンプル１００
個あたりの個数として表１２に併記する。表　　　　　１２ガラス　　　　ガラス添加量　Ｂ２０．添加量　不良個
数　　特性劣化（ｗｔ％）　　　　　（ｗｔ％）　　（
個／１００個）　（個７１００個）なし　　　　　　　
　　０　　　０　　　　８フ　　　　０ホウケイ酸ガラ
ス　　３０　　　　０　　　　　　０　　　　０ホウケ
イ酸ガラス　　３０　　　　２　　　　　　０　　　　
０ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　４　　　　　　０
　　　　０ホウケイ酸ガラス　　３０　　　１５　　　
　　　０　　　　２比較ガラス！１　　　　２５　　　
　−　　　　　５６　　　　５比較ガラスＩＩＩ　　　
　　４２　　　　−　　　　　９８　　　８６ガラスＩ
Ｖ　　　　　　　６０　　　　−　　　　　６２　　　
３６Ｓｔ（ｈ　　　　　　　２０　　　　　　　　　１
００　　　　−以上より本発明の効果は明らかである。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のチップインダクタの実施例を一部切
欠いて示す正面図である。第２図は、本発明のＬＣ複合部品の実施例を一部切欠い
て示す斜視図である。符号の説明１・・・・チップインダクタ、２・・・・内部導体、３・・・・フェライト磁性層、４１．４５・・・・外部電極、５・・・・ＬＣ複合部品、６・・・・インダクタ部、６１・・・・フェライト磁性層、６５・・・・内部導体、７１１争コンデンサ部、７１・・・・誘電体層、７５・・・・内部電極、８・・・・外部電極特許出願人　ティーデイ−ケイ株式会社手続ネ甫正書（
自発）１．事件の表示昭和６２年特許願第２８９０９５号２、発明の名称３、補正をする者事件との関係　　　特許出願人名　　称　　ティーデイ−ケイ株式会社４、代理人住　　所　　〒１１３東京都文京区湯島３丁目２３番１号天神弥栄興産ビル３階 ′Ｆ１８３９−０３６７　　Ｆａｘ、　８３９−０３２
７明細書の全文明　　　　　細　　　　　書１、発明の名称フェライト焼結体、チップインダクタおよびＬＣ複合部品２、特許請求の範囲（１）フェライトとホウケイ酸ガラスとを誉有し、ホウ
ケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％であることを
特徴とするフェライト焼結体。（２）ホウケイ酸ガラスは、６５〜９０ｗｔ％の酸化ケ
イ素と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請
求の範囲第１項に記載のフェライト焼結体。（３）ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化ケ
イ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請
求の範囲第２項に記載のフェライト焼結体。（４）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求の
範囲第１項ないし第３項のいずれかに。記載のフェライト焼結体。（５）フェライトとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを
含有することを特徴とするフェライト焼結体。（６）酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である特許
請求の範囲第５項に記載のフェライト焼結体。（７）ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％で
ある特許請求の範囲第５項または第６項に記載のフェラ
イト焼結体。（８）ホウケイ酸ガラスは６５〜９０ｗｔ％の酸化ケイ
素と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請求
の範囲第５項ないし第７項のいずれかに記載のフェライ
ト焼結体。（９）ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化ケ
イ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請
求の範囲第８項に記載のフェライト焼結体。（１０）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第５項ないし第９項のいずれかに記載のフェライ
ト焼結体。（１１）セラミック磁性層と内部導体層とを積層したチ
ップインダクタにおいて、セラミック磁性層がフェライ
トとホウケイ酸ガラスとを含有することを特徴とするチ
ップインダクタ。（１２）ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％
である特許請求の範囲第１１項に記載のチップインダク
タ。（１３）ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第１１項または第１２項に記載のチップイン
ダクタ。（１４）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第１１項ないし第１３項のいずれかに記載のチッ
プインダクタ。（１５）セラミック磁性層と内部導体層とを積層したチ
ップインダクタにおいて、セラミック磁性層がフェライ
トとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含有することを
特徴とするチップインダクタ。（１６）酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である特
許請求の範囲第１５項に記載のチップインダクタ。（１７）ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％
である特許請求の範囲第１５項または１６項に記載のチ
ップインダクタ。（１８）ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第１５項ないし第１７項のいずれかに記載の
チップインダクタ。（１９）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第１５項ないし第１８項のいずれかに記載のチッ
プインダクタ。（２０）セラミック誘電体層と電極層とを積層したコン
デンサ部と、フェライト磁性層と内部導体層とを積層し
たインダクタ部とを一体化したセラミックＬＣ複合部品
において、セラミック磁性層がフェライトとホウケイ酸
ガラスとを含有することを特徴とするＬＣ複合部品。（２１）ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％
である特許請求の範囲第２０項に記載のＬＣ複合部品。（２２）ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第２０項または第２１項に記載のＬＣ複合部
品。（２３）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第２０項ないし第２２項のいずれかに記載のＬＣ
複合部品。（２４）誘電体層がＴ　ｉ　Ｏを系である特許請求の範
囲第２０項ないし第２３項のいずれかに記載のＬＣ複合
部品。（２５）コンデンサ部とインダクタ部とが同時−焼成し
て一体化されている特許請求の範囲第２０項ないし第２
４項のいずれかに記載のＬＣ複合部品。（２６）セラミック誘電体層と電極層とを積層したコン
デンサ部と、セラミック磁性層と内部導体層とを積層し
たインダクタ部とを一体化したセラミックＬＣ複合部品
において、セラミック磁性層がフェライトとホウケイ酸
ガラスと酸化ホウ素とを含有することを特徴とするＬＣ
複合部品。（２７）酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である特
許請求の範囲第２６項に記載のＬＣ複合部品。（２８）ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５　ｗ’
ｔ％である特許請求の範囲第２６項または第２７項に記
載のＬＣ複合部品。（２９）ホウケイ酸ガラスが７５〜９０ｗｔ％の酸化ケ
イ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請
求の範囲第２６項ないし第２８項のいずれかに記載のＬ
Ｃ複合部品。（３０）フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第２６項ないし第２９項のいずれかに記載のＬＣ
複合部品。（３１）誘電体層がＴ　ｉ　Ｏｍ系である特許請求の範
囲第２６項ないし第３０項のいずれかに記載のＬＣ複合
部品。（３２）コンデンサ部とインダクタ部とが同時焼成して
一体化されている特許請求の範囲第２６項ないし第３１
項のいずれかに記載のＬＣ複合部品。３、発明の詳細な説明 ■　発明の背景技術分野本発明は、各種磁性材料として用いられるフェライト焼
結体、この焼結体を磁性材料として用いるチップインダ
クタおよび１つのチップ内にコンデンサ部とインダクタ
部とをもつ、ＬＣ複合部品に関する。先行技術とその問題点各種フェライトが、そのすぐれた磁気特性から各種磁心
材料として用いられている。　そして、このうち特にＮ
ｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライト、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライト等のＮｉ系フェライトが印刷法やグリーン
シート法等の低温焼結用材料として多用されてきている
。しかし、フェライト焼結体は機械的強度の点で満足でき
ない。　また、焼結密度を高め機械的強度を太き（する
ためには焼結温度を高（する必要があり、製造費の増大
を招くという問題がある。一方、フェライトはペースト化して、印刷法やグリーン
シート法により内部に内部導体を形成したのち焼結して
チップインダクタや１つのチップにインダクタ部とコン
デンサ部とをもつＬＣ複合部品として用いられている。このような場合にも、前記の機械的強度が低い点や焼結
温度を高くせざるをえない点が大きな問題となっている
。また、これらインダクタでは、インダクタンスやＱ値の
周波数特性が不十分であり、例えば２００ＫＨｚをこえ
る高周波帯域では、インダクタンスやＱ値が実質的にゼ
ロになってしまう。周波数特性を向上させるこためにはインダクタ部に非磁
性セラミックを用いて空芯コイルとすればよいが、この
ものはインダクタンス、Ｑ値とも不十分な特性しか得ら
れない。また、１つのチップにインダクタ部とコンデンサ部とを
もつＬＣ複合部品では、焼結時、インダクタ部のフェラ
イトとコンデンサ部の誘電体材料の収縮率の違いにもと
づき、ＬＣ界面の剥離、そり等が発生し、また線膨張率
の違いにもとづきクラックが発生し表面実装部品として
の機能を満足することができなくなるという問題がある
。なお、フェライト焼結体としては、各種磁心、磁気シー
ルド材、電波シールド材、アッテネータ等の用途に用い
られるが、これらの用途においても焼結温度、焼結密度
、機械的強度等の改善と、透磁率損失等の電磁気特性の
周波数特性の改良等が望まれる。 ■　発明の目的本発明の目的は、従来に比較して機械的強度が高く、焼
結温度を低くでき、しかも高周波特性の良好なフェライ
ト焼結体、チップインダクタおよび同時焼成においても
そり、剥離等の生じないＬＣ複合部品を提供することに
ある。 ■　発明の開示このような目的は下記の本発明によって達成される。すなわち、本発明は、フェライトとホウケイ酸ガラスと
を含有し、ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ
％であることを特徴とするフェライト焼結体である。また、第２の発明は、フェライトとホウケイ酸ガラスと
酸化ホウ素とを含有することを特徴とするフェライト焼
結体である。また、第３の発明は、セラミック磁性層と内部導体層と
を積層したチップインダクタにおいて、セラミック磁性
層がフェライトとホウケイ酸ガラスとを含有することを
特徴とするチップインダクタである。また、第４の発明は、セラミック磁性層と内部導体層と
を積層したチップインダクタにおいて、セラミック磁性
層がフェライトとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含
有することを特徴とするチップインダクタである。また、第５の発明は、セラミック誘電体層と電極層とを
積層したコンデンサ部と、フェライト磁性層と内部導体
層とを積層したインダクタ部とを一体化したセラミック
ＬＣ複合部品において、セラミック磁性層がフェライト
とホウケイ酸ガラスとを含有することを特徴とするＬＣ
複合部品である。また、第６の発明は、セラミック誘電体層と電極層とを
積層したコンデンサ部と、セラミック磁性層と内部導体
層とを積層したインダクタ部とを一体化したセラミック
ＬＣ複合部品において、セラミック磁性層がフェライト
とホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含有することな特
徴とするＬＣ複合部品である。なお、特開昭５８−１３５１３３号、同５８−１３５６０６号、同５８−１３５６０７号、同
５８−１３５６０８号、同５８−１３５６０９号公報に
は、フェライトにガラスを添加して焼き縮みを小さくす
る旨の提案がなされているが、このものでは、当然のこ
とながら焼結密度や機械的強度が不十分である。　これ
は、これら公報では、ガラスと称するのみで、どのよう
な組成のガラスを用いるかについて開示がなく、本発明
のようなホウケイ酸ガラスを用いていないからであると
考えられる。また、特開昭５１−１５１３３１号公報および米国特許
第４５４０５００号明細書には、リチウムホウケイ酸ガ
ラスを５％以下添加したフェライトが開示されている。　しかし、このものは、ガラス量が少なく、本発明の効
果は実現しない。さらに、特開昭５９−９０９１５号公報には、チップ部
品において、導電層と絶縁層との間にガラス中間層を設
ける旨が開示されるが、このものは本発明のようにガラ
スを層中に混合するのではなく、ガラスを別層として設
層するので、例えばインダクタを形成する場合、Ｑ値が
低下する、膨張率の制御ができない等の欠点をもつ。ＩＶ　　発明の具体的構成以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。本発明のフェライト焼結体はフェライトとホウケイ酸ガ
ラスを含有し、さらに好ましくはこれに酸化ホウ素を含
有するものである。このような本発明のフェライト焼結体は、９５０℃、特
に９００℃以下での低温焼成が可能で、このような温度
でも十分な焼結密度を得ることができ高い機械的強度を
有する。本発明のフェライト焼結体に用いるフェライトは公知の
スピネル構造を有するソフトフェライトのいずれであっ
てもよいが、一般に、Ｎ１、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｚｎ、Ｆｅの
うちの１種以上を含有するものが好適に使用される。このうち、特に高周波用に有効であり、低温焼結が可能
である点では、Ｎｉフェライト、Ｎ　１−Ｃｕフェライ
ト、Ｎ　１−Ｚｎフェライト、ＮＬ−Ｃｕ−Ｚｎフェラ
イト、あるいはこれらにＬｉを含有するもの等のＮｉ系
フェライトが好適である。Ｎｉ系フェライトの場合、Ｎｉの含有量は、ＮｉＯに換
算して４５〜５５ｍ０Ｉ２％が好ましく、このＮｉの一
部をＣｕおよび／またはＺｎ、あるいはＬｉ等が４０ｍ
ｏ１％程度以下置換してもよい。この他、Ｃｏ、Ｍｎ等が全体の５ｗｔ％程度以下含有さ
れていてもよい。　さらに、Ｃａ、Ｓｉ、Ｂｉ、ｖ、Ｐ
ｂ等が１ｗｔ％程度以下含有されていてもよい。本発明のフェライト焼結体は、このようなフェライトに
対して前記のホウケイ酸ガラスを１５〜７５ｗｔ％、よ
り好ましくは２５〜３５ｗｔ％添加する。ホウケイ酸ガラスの添加量が１５ｗｔ％未満では本発明
の効果がな（，７５ｗｔ％をこえると、ガラス成分が多
すぎ、焼結時に敷物等に付着し取扱いにく（、また形状
変化が非常に大きくなり、変形度が太き（なり、加えて
透磁率も悪くなるからである。用いるホウケイ酸ガラスとしては、通常のホウケイ酸ガ
ラスの他、アルミナホウケイ酸ガラス、アルカリホウケ
イ酸ガラス等種々のものが使用可能である。ホウケイ酸ガラスを用いることにより、本発明のフェラ
イト焼結体は、チップインダクタやＬＣ複合部品や、各
種磁心等に用いる際に、機械的強度が高く、低損失、高
Ｑ値等の電磁気特性の高周波特性の優れたものとなる。このような効果は、ホウケイ酸ガラスを用いた時のみに
得られる効果であり、鉛ガラスや高ケイ酸化ガラスでは
実現しない。このようなホウケイ酸ガラスは、６５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素（通常５ｉＯ＝）と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ
素（通常Ｂ、Ｏ，）とを含有するものである。このようなホウケイ酸ガラスのうち、特に好適なものは
、７５〜９０ｗｔ％、より好ましくは８０〜８４ｗｔ％
との酸化ケイ素と、８〜２０ｗｔ％より好ましくは１４
〜１８ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有するのである。このような場合において上記の量範囲に対し酸化ケイ素
が過剰となり、酸化ホウ素が過少となると、線膨張率が
過小となりまた焼結性の低下により焼結密度が低（なる
。　また、酸化ケイ素が過少となり、酸化ホウ素が過剰
となると線膨張率が過大となる。また、焼結時に、発泡してしまい、焼結密度が低くなり
、さらに寸法も狂ってしまう、そのため比抵抗が高くな
り、Ｑ値が低（なってしまう。さらに、このような組成では内部導体に対する悪影響が
なく、内部導体の特性劣化がない。この他、ホウケイ酸ガラス中には５　ｗ　ｔ％以下の酸
化アルミニウム（通常Ａ℃−０３）、５ｗｔ％以下のに
、Ｎａ、Ｌｉ等の１価の金属Ｍ１の酸化物（通常　Ｍ１
□０）の１種以上、５ｗｔ％以下のＢａ、Ｃａ％Ｓｒ、
Ｚｎ等の２価の金属Ｍ２の酸化物（通常Ｍ２０）の１種
以上を含有してもよい。本発明のフェライト焼結体の別の態様では、このような
フェライト焼結体に加え、さらに酸化ホウ素を含有する
。　　　゛この場合、本発明のフェライト焼結体は、このようなフ
ェライトに１０ｗｔ％以下、特に０．１〜１０ｗｔ％、
より好ましくは０．５〜１０ｗｔ％の酸化ホウ素が含有
されることが好ましい。酸化ホウ素の添加により焼結性が向上し、機械的強度が
向上するが、その含有量が１０ｗｔ％をこえると耐湿性
の点で不十分となり、保存性、耐久性に欠けるからであ
る。なお、酸化ホウ素は、通常、フェライトとは粒界を隔て
て焼成過程でホウケイ酸ガラスに固溶する。本発明のフェライト焼結体は、基本的には従来公知の方
法によって製造される。　すなわち１例えばＮＬ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライトの場合には、所定量のＮｉｐ、Ｃｕｂ
、ＺｎＯ１Ｆｅ２０８等のフェライト原料粉末と前記の
ホウケイ酸ガラスの所定量とをボールミル等により湿式
混合する。　用いる粉末の粒径は０．１〜１０μｍ程度
とする。こうして湿式混合したものを、通常スプレードライヤー
により乾燥し、その後仮焼する。これを通常は、ボールミルで粉体粒径０．０１〜０．５
μｍ程度の粒径となるまで湿式粉砕し、スプレードライ
ヤーにより乾燥し、公知の方法により各種焼結体とする
。また、本発明の別の態様では、得られた混合フェライト
粉末に酸化ホウ素粉末を加え、必要に応じバインダーお
よび溶剤を添加して、公知の方法により各種焼結体とす
ればよい。また、ペースト化して焼結体とするには、得られた混合
フェライト粉末やもしくはこれに酸化ホウ素粉末を加え
、これをエチルセルロース等のバインダーとテルピネオ
ール、・ブチルカルピトール等の溶剤中に溶かしてペー
ストとすればよい。これらを適当な形状に成形し、あるいは印刷ないしグリ
ーンシート等としてシート化し、９５０℃以下、例えば
８５０〜９３０℃で焼結する。　焼結時間は通常０．５
〜４時間時間上する。なお、用いる酸化ホウ素粉末はＯ，１〜１０μｍ程度の
粒径とする。ホウケイ酸ガラス、酸化ホウ素を含有させない従来の場
合には、十分な焼結密度を得るために、焼結温度は１１
００℃程度とされていたのに比べ、本発明のようにホウ
ケイ酸ガラスを例えば３０ｗｔ％含有させることにより
、９５０℃以下と低い温度で、同程度の相対焼結密度を
得ることができる。また、これに酸化ホウ素を１０ｗｔ％以下加えることに
よって、より低温（８５０〜９５０℃）でも高い焼結密
度のものが得られ、抗折強度が高くなる等の点でより好
ましい結果を得る。なお、前記では、ホウケイ酸ガラスとフェライト原料と
の混合フェライト粉末を用いてペースト化し、あるいは
これに酸化ホウ素粉末を加えたものをペースト化して焼
成することによってスピネルフェライトとガラス等との
混合物を得ているが、フェライト粉末とガラス粉末およ
び酸化ホウ素粉末とをペースト化する際に添加しても良
い。このようにして作成されるフェライト焼結体は、低温焼
成が可能で周波数特性等の点ですぐれた電磁気特性を有
し、また高い機械的強度を持ち、各種電子部品の磁心や
゛チップインダクタ用絶縁磁性体等や、磁気ないし電磁
波シールド材、アッテネータ等に好適に用いることがで
きる。　また、加工性にもすぐれている。なお、シールド材等の用途において、焼結体を用いる他
、これを粉砕して、これをバインダーと混合して用いて
もよい。第１図に本発明のチップインダクタの１例が示される。本発明のチップインダクタ１は、第１図に示されるよう
に従来公知の構造をもち、スパイラル状等の所定のパタ
ーンに形成した内部導体２とフェライト磁性層３とを交
互に積層して、フェライト磁性層中に所定巻形状および
巻数の内部導体を形成し、内部導体２の両端部を外部電
極４１．４５に接続したものであり、従来公知の方法で
作製される。このチップインダクタ１のフェライト磁性層用ペースト
は、上記したフェライト焼結体用ペーストと同様にして
作製することができる。このフェライト磁性層用ペーストと、ＡｇあるいはＡｇ
−Ｐｄ等の内部導体用ペーストとを、例えばＰＥＴ等の
基板上に各所定パターンをもつように交互に印刷または
グリーンシート等により積層し、９５０℃以下、好まし
くは８５０〜９３０℃で、０．５〜４時間焼結を行い、
本発明のチップインダクタ１を得ることができる。このようにして作製される本発明のチップインダクタ１
は、フェライト磁性層にホウケイ酸ガラス、もしくはこ
れに酸化ホウ素を含み焼結性を高めているので高い機械
的強度を持っている。　また、同じ焼結密度を得るのに
必要な焼結温度は、従来の場合に比べて低くてよい。さらに、電磁気特性等の高周波特性の点でも優れた特性
を有する。なお、フェライト磁性層３の積層数は目的に応じて選定
すればよいが、通常は、１〜２０層とする。　−層当り
の厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、通常はｌ
Ｏ〜３０μｍ程度とする。　また、内部導体２は例えば
Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属から形成し、通常その厚さは
ｌＯ〜２５μｍ程度とする。また、外部電極４１．４５は、同様にＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ
等の金属から形成することができ、その厚さは通常１０
〜３００μｍ程度とする。第２図に本発明のＬＣ複合部品の一例が示される。本発明のＬＣ複合部品５は、インダクタ部６とコンデン
サ部７とを一体化したものである。インダクタ部６は、所定のパターンに形成した内部導体
６５を互いに導通するように介在させながら、フェライ
ト磁性層６１を積層したものである。　また、このイン
ダクタ部６に積層一体止されるコンデンサ部７は、内部
電極７５とセラミックの誘電体層７１とを、交互に積層
したものである。第２図に示される例では、インダクタ部６およびコンデ
ンサ部７は、それぞれ複数のしおよびＣを有し、これら
から所定のＬＣ回路が構成されるように所定の外部電極
８を設けている。本発明のＬＣ複合部品５の、インダクタ部６は、前述の
第１図に示されるチップインダクタ１と同様のものであ
り、低温焼成が可能で、周波数特性、機械的強度に優れ
たものであり、しかも、フェライト磁性層にホウケイ酸
ガラスを添加し、その含有量を調節することによって、
その収縮率の調節ができるので、インダクタ部６の収縮
率とコンデンサ部７の収縮率とをほぼ一致させ、焼成時
のインダクタ、コンデンサ両部界面でのそり、剥離等の
発生を回避するものである。すなわち、通常前述のようなＮｉ系フェライトの線膨張
率は９０Ｘ１０−’〜１１５Ｘ１０−’ｄｅ（’である
が、これにホウケイ酸ガラスを１５〜７５ｗｔ％添加す
ることにより、線膨張率を９０Ｘ１０−’　〜７０Ｘ１
０−’ｄｅｇ−’　とすることができる。　これは後述
のコンデンサ部７の誘電体層７１に用いるＴ　ｉ　Ｏｍ
系の誘電材料の線膨張率７５　Ｘ　１０−’〜８５　Ｘ
　１０−’ｄｅｇ−’とほぼ一致するものである。また、収縮率も１５〜２０％程度となり、これもＴｉＯ
□系の誘電材料の１５〜１８％とほぼ同等となる。また、インダクタ部６に酸化ホウ素を好ましくは１０ｗ
ｔ％以下含有させることにより、インダクタ部６の焼結
密度が大きくなり、高い機械的強度のＬＣ複合部品５が
得られる。コンデンサ部７の誘電体層７１を構成する材質としては
種々の誘電材料を用いてよいが、Ｔｉ０ｚを主成分とす
るＴｉ　Ｏｉ系が好ましい。Ｔｉ　Ｏｘ系としてはＮｉｐ、ＣｕＯｌＭｎ３Ｏ４、Ａ
Ａ＊　Ｏｓ　、ＭｇＯ，Ｓ　ｉ　Ｏａ等を、総計１０ｍ
ｏβ％程度以下含有するものが、誘電体損失および線膨
張率の変化等の点で好ましい。なお、Ｔ　ｉ　Ｏｚ系の誘電体層７１の収縮率は１５〜
１８％程度である。　そして、上記のフェライトにホウ
ケイ酸ガラスを添加することにより、その収縮率をこれ
と同等なものとすることができる。コンデンサ部７の誘電体層７１の積層数は目的に応じて
定めればよいが、通常は１〜１０程度とする。　−層当
りの厚さは通常５０〜１５０μｍ程度とする。　また、
コンデンサ部の内部電極７５は、Ａｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の
金属から形成すればよ（、その厚さは、通常５〜１５μ
ｍ程度とされる。なお、磁性層６１の積層数は目的に応じて選定すればよ
いが、通常は、１〜２０層とする。 −層当りの厚さも目的に応じ適当に選定すればよいが、
通常はｌＯ〜３０ｔＬｍ程度とする。また、内部導体６５は例えばＡｇ、Ａｇ−Ｐｄ等の金属
から形成し、通常その厚さは１０〜３０μｍと程度とす
る。また、外部電極８は、上記と同様にＡｇ−Ｐｄ等の金属
から形成することができ、その厚さは通常１０〜３００
ｔＬｍ程度とする。本発明のＬＣ複合部品は、従来公知の印刷法やグリーン
シート法によって製造される。すなわち、セラミック磁性層、誘電体層および内部電極
、導体のペーストを用意し、これらを印刷法やグリーン
シート法により、例えばりＥＴ等の基板上に一層ごとに
積層していくものである。この場合コンデンサ部７の誘電体層７１および内部電極
７５や、インダクタ部６の内部導体６５や外部電極８の
ペーストはバインダー、溶剤を用いて作製すればよい。これら各ペーストを用い、印刷法やグリーンシート法に
よりコンデンサ部、インダクタ部とを積層して形成した
後、所定形状に切断し基板から積層品を剥離して、９５
０’Ｃ以下、例えば８５０〜９３０’Ｃで焼成する。　
焼成時間は０．５〜４時間時間上する。焼成後、Ａｇペーストを焼きつけて外部電極とする。なお、このようにして製造されるＬＣ複合部品の大きさ
等は、目的に応じ選定すればよい。 ■　発明の具体的作用効果本発明のフェライト焼結体は、ホウケイ酸ガラスを含有
する。　そのため９５０℃以下の低温焼成でも十分な焼
結密度が得られ、機械的強度が高い。　しかも加工性に
優れ、また、電磁気特性の高周波特性にも優れる。また、本発明のチップインダクタは、磁性層として前記
のフェライト焼結体を用いるため、低温焼成が可能で、
機械的強度が高く、しかも電磁気特性の高周波特性に優
れる。また、本発明のＬＣ複合部品は、インダクタ部として前
記のチップインダクタを用いるため、低温焼成が可能で
、機械的強度が高く、しかも電磁気特性の高周波特性に
優れる。また、インダクタ部とコンデンサ部との焼結時収縮率を
、添加する酸化ホウ素の量の調節により近似させること
ができ、従って焼結時収縮率の違いにもとづく、両部界
面でのそり、剥離の発生を回避することができる。　従
って、そり、剥離等のために、部品を表面実装できない
という問題もなくなる。 ■　発明の具体的実施例以下、本発明の具体的実施例を挙げて、本発明をさらに
詳細に説明する。実施例ＩＮｉ系フェライトにホウケイ酸ガラスとあるいはこれに
Ｂ２０．とを添加することによって、本発明のフェライ
ト焼結体用のペーストを作製した。用いたＮｉ系フェライト原料は、粒径０．１〜１．０ｕｍ程度のＮｉ０１およびＦ　ｅ　ｚ　
Ｏｓの粉体で、ＮｉＯ換算で５２ｍｏ４２％、Ｆｅ２０
ｍ換算で４８ｍｏＡ％の組成となるように配合した。このフェライト原料と、平均粒径５μｍ、Ｓｉｎｇ　　
８０．３ｗｔ％、Ｂ、０．　１７．５ｗｔ％、Ｋｉ　Ｏ
２，２ｗｔ％の組成のホウケイ酸ガラス（ガラス■）粉
末とをボールミルを用いて湿式混合した。次いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾
燥し、８５０℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径０．１μｍの粉体とした。得られた粉体とあるいはこれに平均粒径５．０μｍのＢ
２０．粉体を加えたものを、所定量のエチルセルロース
とともにテルピネオール中に溶解し、ヘンシェルミキサ
ーで混合しフェライト焼結体ペーストを作製した。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して９００℃で２時間焼成し、
３．ＯＸ３．０Ｘ１５．００ｍｍの棒状の試料を得た。得られた試料の相対焼結密度（焼結密度／理論密度）、
線膨張率および収縮率を表１に示す。　なお、表１には
下記のホウケイ酸ガラスおよび比較ガラスを用いた結果
も併記する。比較ガラス■（高ケイ酸ガラス）９５ｗｔ％Ｓｉｎｇ　−５ｗｔ％Ｎ　ａ　ｘ　Ｏ比較ガ
ラス■（鉛ガラス）４２ｗｔ％Ｓｉｇｎ−５２ｗｔ％ｐｂｏ−５，５ｗｔ％
Ａρｚ　Ｏｓ　−〇、　５ｗｔ％Ｂ２Ｏ３ガラス■（ホ
ウケイ酸ガラス）７０ｗｔ％Ｓｉｎｇ−２５．Ｏｗｔ％Ｂ２０３５ｗｔ％
Ｎ　ａ　ｘ　Ｏさらに、従来材としてＦｅｚｅｓ　　４５．５ｍｏＩ２
％、ＮｉＯ４４ｍｏ１２％、ＣｕＯ８ｍｏβ％、Ｚｎ０
　２ｍｏ１２％、Ｃｏ。Ｏ，６ｍｏ１２％の組成を有するものを用いた結果も併
記する（サンプルＮｏ、１０）。なお、サンプルＮｏ、１は、前記のフェライトのみのも
のである。表１に示される結果より、本発明のサンプルＮｏ、２〜
６およびＮｏ、９は低温での焼成でも、十分な焼結密度
が得られ、機械的強度に優れることがわかる。　また、
収縮率も１６．５〜２３．２％と大きくすることができ
る。これは、Ｔ　ｉ　Ｏｍ系の誘電材料の収縮率１５〜１８
％とほぼ同等であり、ＬＣ複合部品として用いた際、ソ
リや剥離、クラックのない良好なものが得られる。　こ
のことは実施例３にてより詳しく実証する。なお、サンプルＮｏ、２とＮｏ、ＩＯの焼成温度と相対
焼結密度との関係を表２に示す。表　　　　　　　　　２（比較）また、サンプルＮ００２および８につき、それぞれコア
を作成し、磁気損失の周波数特性を測定したところ、５
００ＭＨｚ以上では、サンプルＮｏ、８の磁気損失はサ
ンプルＮｏ、２の２倍以上であった。実施例２次に、前記サンプルＮｏ、２．４．７．８．９．１０の
フェライト焼結体用ペーストを磁性層用として用い、ま
た、内部導体用としてＡｇペーストを用い、印刷積層法
によって３．２ｍｍＸ２．５ｍｍＸ１．Ｏｍｍの第１図
に示されるチップインダクタを作製した。各フェライト層の厚さは４０μｍ、導体層の厚さは２０
μｍ、その線巾は３００μｍ、コイルは長径２．５　ｍ
　ｍ　ｓ短径１．３ｍｍの楕円形とし２．５タ一ン積層
した。　外部電極はＡｇ−Ｐｄペーストで構成した。　
また、焼成温度は８７０℃で２時間とした。このようにして得られたチップインダクタの各周波数で
のＱ値およびインダクタンスを測定した。結果を表３に示す。なお、磁性層として、Ｆｅｗ　　Ｏｓ　　　４６ｍｏ１
２％、ＺｎＯ４４ｍｏ４２％、ＣｕＯｌｏｍｏｌ％の組
成に、Ｃｏｏ、ＭｎＯを各１ｗｔ％加えた非磁性材を用
いた空芯コイルのものも併記する。表３に示される結果より、本発明のサンプルは比較サン
プルに比べて優れた周波数特性を有することがわかる。また、磁性層に比較ガラス■として高ケイ酸ガラスを加
えたものは、他のサンプルに比べて強度が低かった。また、磁性層に比較ガラス■として鉛ガラスを加えたサ
ンプルＮｏ、８では、鉛が内部導体層の銀を拡散させて
しまい、電極が消失したり、断線が発生して、測定不能
であった。また、同様の実験をフェライト原料を他の種々のＮ　１
−Ｚｎフェライトに変え、あるいはガラス材質を他の種
々のホウケイ酸ガラスに変え、その含有量を３０ｗｔ％
とじたものでも行なったが、すべて同様の結果を得た。さらに、フェライト原料をＮｉ−Ｃｕフェライトにホウ
ケイ酸ガラスを２５ｗｔ％含有させたもの、Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎフェライトにボウケイ酸ガラス２８ｗｔ％含有さ
たものＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ−Ｌｉフェライトにホウケイ酸
ガラス２３ｗｔ％含有させたものでも同様の結果を得た
。実施例３Ｎｉ系フェライトに全体の１０〜８０ｗｔ％となるよう
にホウケイ酸ガラスを添加することによって、本発明の
ＬＣ複合部品の磁性１用ペーストを作製した。用いたＮｉ系フェライト原料は、粒径０．１〜１．０μｍ程度のＮｉｐ、ＣｏｏおよびＦｅｗ
　Ｏｎの粉体で、ＮｉＯ換算で５２ｍｏ４２％、Ｆｅ１
ｏｎ換算で４８ｍｏＡ％であり、これにＣｏｏが０．４
ｗｔ％含有される組成となるように配合した。このフェライト原料と、平均粒径５μｍ、ＳｉＯｘ　　
８２．０ｗｔ％、Ｂ２０ｇ　　１６．０ｗｔ％、Ａｊ２
ａ　　Ｏｓ　　　０．３ｗｔ％、Ｋ、　　０１．７ｗｔ
％の組成のホウケイ酸ガラス粉末とをボールミルを用い
て湿式混合した。次いで、この湿式混合物をスプレードライヤーにより乾
燥し、８００℃にて仮焼し、顆粒とし、これをボールミ
ルにて粉砕したのちスプレードライヤーで乾燥し、平均
粒径０．１μｍの粉体とした。次いで、この粉体を所定量のエチルセルロースとともに
テルピネオール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合
しインダクタ部セラミック磁性層のペーストを作製した
。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して８７０℃で、２時間焼成し
、３．ＯＸ３．０ｘ１５．００ｍｍの棒状の試料を得た
。得られた試料の線膨張率を表４に示す。　なお、表４に
は前記の比較ガラス■、■およびガラスＩＶを用いた結
果も併記する。表　　　４ガラス　　　　添加量　　　　線膨張率（ｗｔ％）　　
　　（Ｘ　１０−’ｄｅｇ−’）なしくＮｉＦｅ２０４
）　　　　　Ｏｌ　１５ホウケイ酸ガラス　　１０　　
　　　１０４ホウケイ酸ガラス　　２０　　　　　９６
ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　　８２ホウケイ酸ガ
ラス　　４０　　　　　７４ホウケイ酸ガラス　　５０
　　　　　６５ホウケイ酸ガラス　　６０　　　　　６
２ホウケイ酸ガラス　　７０　　　　　４８ホウケイ酸
ガラス　　８０　　　　　４３比較ガラスＩＩ　　　　
　２５　　　　　　９２比較ガラスｍ　　　　　４０　
　　　　　８８ガラスＴＶ　　　　　　　５０　　　　
　　９６ＳｉＯ□　　　　　　２０　　　　　８５７’
　ｉ　０２系　　　　０　　　　８５次に、上記試料に
て収縮率を算出した。　結果を表５に示す。表　　　５ガラス　　　　ガラス添加量　　収縮率（ｗｔ％）　　
　　　（％）なしくＮｔＦｅ＊ＯＪ　　　　　　Ｏ１６，５ホウケイ
酸ガラス　　　３０　　　　１４．５比較ガラスＩＩ　
　　　　　２５　　　　　８．０比較ガラスＩＩ＋　　
　　　　４０　　　　１７．１ガラスＴＶ　　　　　　
　　５０　　　　２０．３ＳｉＯｉ　　　　　　　　２
０　　　　　０．５ＴｉＯ□系　　　　０　　　１６．
７なお、表４、表５には下記のコンデンサ部のＴ　Ｌ　Ｏ
２系の誘電体層の値を併記する。これらの結果から本発明によれば、線膨張率および収縮
率をＴ　ｉ　Ｏａ系の誘電体層とほぼ等しくすることが
できることがわかる。さらに、下記表６にｌｏＯＭＨｚでの初透磁率μｉを示
す。表　　　　６ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　２．　５表６に
示される結果から、本発明によればμｉが低下して、磁
性層としての高周波側の周波数特性が改善されることが
わかる。次に、ＴｉＯａ９１ｗｔ％、Ｎｉｐ、Ｃｕｂ。Ｍｎｉ　０４各３ｗｔ％の組成で、平均粒径０．　１〜
１．０μｍの粉体を用い、上記の磁性層用のペーストと
同様のバインダーと溶剤を用いてコンデンサ部の誘電体
層のペーストを作製した。ホウケイ酸ガラス３０ｗｔ％添加の磁性層用ペーストと
、上記の誘電体要用ペーストと、内部電極および導体用
のＡｇペーストとを印刷法により積層した。　インダク
タ部−層当りの厚さは４０μｍ、積層数はｌＯ、コンデ
ンサ部−層当りの厚さは１００μｍ、積層数は２とした
。　また、内部電極および導体の厚さは２０μｍとした
。　印刷積層後、８７０℃、２時間、焼成を行なった。その後、徐冷して４つのＬと３つのＣを有する１００Ｍ
Ｈｚ以上のバイパスフィルター回路の４．５ｍｍＸ３．
２ｍｍＸ１．５ｍｍのＬＣ複合部品を得た。得られたＬＣ複合部品のコンデンサ、インダクタ両部界
面には、そり、剥離あるいはクラックの発生等は一切認
められなかった。　また、内部導体の特性劣化も生じな
かった。　また、使用周波帯域が無添加のものが１００
〜５００ＭＨｚの帯域を通過させていたのに対し、本発
明の部品は高域端が５００　Ｍ　Ｈｚ程度高周波側に伸
び、１００ＭＨｚ〜ＩＧＨｚの帯域を通過させることが
できた。これに対し、上記比較ガラス■、ガラス！■およびＳ　
ｉ　Ｏｘを用いたサンプルでは、そりや剥離やクラック
が発生した。また、比較ガラス■では、内部導体の特性劣化が生じた
。表７には、各サンプルのそり、剥離およびクラックの発
生を顕微鏡で観察し、サンプル１００個中の不良品個数
を調べた結果を示す。また、４０℃、相対湿度８５〜９０％にて１０００時間
保存後の内部導体の抵抗を測定し、初期の抵抗値から１
０％以上に変化したサンプル個数をサンプル１００個あ
たりの個数として表７に併記する。表　　　７実施例４実施例３と同様にして、同組成のフェライト原料とホウ
ケイ酸ガラスの混合物粉体を作成した・得られた粉体と平均粒径５，０μｍのＢ８０３粉体とを、所定量のエチルセルロースとともに
チルビオネール中に溶解し、ヘンシェルミキサーで混合
しインダクタ部セラミック磁性層のペーストを作製した
。このペーストを印刷法にてＰＥＴ基板上に印刷し、次い
で基板から積層品を剥離して８７０℃で２時間焼成し、
３．ＯＸ３．０Ｘ１５．００ｍｍの棒状の試料を得た。得られた試料の線膨張率および収縮率を表８、表９に示
す。　なお、表８には下記の比較ガラス■、■およびガ
ラス■を用いた結果も併記する。一表　８ガラス　　　　添加ｌｉｔ　　　　Ｂ、０．添加量　　
線膨張率（ｗｔ％）　　　　　（ｗｔ％）　　　（ＸＩ
Ｏ−’ｄｅｇ−’）なしくＮＬＦｅｚＯ４）　　　　　
　０　　　　　０　　　　　１１５ホウケイ酸ガラス　
　１０　　　　　２　　　　　１０５ホウケイ酸ガラス
　　２０　　　　　２　　　　　　９５ホウケイ酸ガラ
ス　　３０　　　　　２　　　　　　８５ホウケイ酸ガ
ラス　　４０　　　　　２　　　　　　７５ホウケイ酸
ガラス　　５０　　　　　２　　　　　　６７ホウケイ
酸ガラス　　６０　　　　　２　　　　　　６３ホウケ
イ酸ガラス　　７０　　　　　２　　　　　　５０ホウ
ケイ酸ガラス　　８０　　　　　２　　　　　　４５比
較ガラスｎ　　　　　２５　　　　　　　　　　　　９
２比較ガラスＩＩＩ　　　　　４０　　　　　　　　　
　　　８８ガラスＩＶ　　　　　　　５０　　　　　　
　　　　　　９６Ｓｉ０．　　　　　　２０　　　　　
　　　　　　　８５ＴｉＯ□系　　　　０　　　　　　
　　８５次に、上記試料にて収縮率を算出した。　結果
を表９に示す。表　　　９ガラス　　　　ガラス添加量　　Ｂ２Ｏ３添加量　　収
縮率（ｗｔ％）　　　　　　　（ｗｔ％）　　　（％）
なし　　　　　　　　　　ＯＯ１６，５ホウケイ酸ガラ
ス　　　３０　　　　　２　　　　　１６．８比較ガラ
スＩ［２５８，０比較ガラスｍ　　　　　　４０　　　　　　　　　　　
１７．　１ガラスＩＶ　　　　　　　　５０　　　　　
−　　　　　２０．３ＳｉＯ□　　　　　　　２０　　
　　　　　　　　　　　Ｑ、５ＴｉＯｚ系　　　　０　
　　−　　　１６．７なお、表８、表９には下記のコン
デンサ部のＴｉＯ□系の誘電体層の値を併記する。これらの結果から本発明によれば、線膨張率および収縮
率をＴ　ｉ　Ｏｚ系の誘電体層とほぼ等しくすることが
できることがわかる。次に、上記試料にて下記表１０に示されるようにＢ２０
．の添加量を変え、抗折強度を測定した。結果を表１０に示す。表　　　１０ガラス　　　　ガラス添加量　　Ｂ□０３添加量　　抗
折強度（ｗｔ％）　　　　　　　（ｗｔ％）　　　　（
Ｋｇｆ／ｍｍ”）な　　し　　　　　　　　　　　　　
　　０　　　　　　　　０　　　　　　　　　　３．　
７ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　０　　　　　
　３．５ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　０．５
　　　　６．１ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　
１　　　　　　７．５ホウケイ酸ガラス　　　３０　　
　　　１．５　　　　８’、９ホウケイ酸ガラス　　　
３０　　　　　２　　　　　１０．０ホウケイ酸ガラス
　　　３０　　　　　３　　　　　１０．３ホウケイ酸
ガラス　　　３０　　　　　４　　　　　１０．０ホウ
ケイ酸ガラス　　　３０　　　　　６　　　　　　９．
７ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　　８　　　　　
　８．５ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　１０　　
　　　　８．０ホウケイ酸ガラス　　　３０　　　　１
５　　　　　　７．５表１０に示される結果から、Ｂ２
Ｏ３による機械的強度の向上が明らかである。なお、添加量１５ｗｔ％のものは、耐湿性が不十分であ
った。さらに、下記表１１に１００ＭＨｚでの初透磁率μｉを
示す。表　　　　　１１（ｗｔ％）　　　（ｗｔ％）　　　　μｉな　　　し　
　　　　　　０　　　　　　　　　０　　　　　　　　
　　１３．１表１１に示される結果から、本発明によれ
ばμｉが低下して、磁性層としての高周波側の周波数特
性が改善されることがわかる。次に比較例３と同様にしてＬＣ複合部品を得た。得られたＬＣ複合部品のコンデンサ、インダクタ両部界
面には、そり、剥離あるいはクラックの発生等は一切認
められなかった。　また、内部導体の特性劣化も生じな
かった。　また、使用周波帯域が無添加のものに比較し
て、５００　Ｍ　Ｈｚ程度高周波側に伸びた。これに対し、上記比較ガラス■、ガラスＩＶおよびＳｉ
Ｏ□を用いたサンプルでは、そりや剥離やクラックが発
生した。また、比較ガラス■では、内部導体の特性劣化が生じた
。表１２には、各サンプルのサンプル１００個中のそり、
剥離およびクラックの発生個数を不良品個数として示す
。　また、４０℃、相対湿度８５〜９０％にて１０００
時間保存後の内部導体の抵抗を測定し、初期の抵抗値か
ら１０％以上に変化したサンプル個数をサンプル１００
個あたりの個数として表１２に併記する。表　　　　　１２ガラス　　　　ガラス添加量　Ｂｉａｍ添加量　不良個
数　　特性劣化（ｗｔ％）　　　　　（ｗｔ％）　　（
個／１００個）　（個／１００個）なし　　　　　　　
　　ＯＯ８７０ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　０　　　　　　０　
　　　０ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　２　　　　
　　０　　　　０ホウケイ酸ガラス　　３０　　　　４
　　　　　　０　　　　０ホウケイ酸ガラス　　３０　
　　１５　　　　　　０　　　　２比較ガラスｆｆ　　
　　　２５　　　　−　　　　　５６　　　　５比較ガ
ラスＩＩＩ　　　　　４２　　　　−　　　　　９８　
　　８６ガラスＩＶ　　　　　　　６０　　　　−　　
　　　６２　　　３６Ｓｉ０．　　　　　　２０　　　
　−　　　　１００　　　　−

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明のチップインダクタの実施例を一部切
欠いて示す正面図である。第２図は、本発明のＬＣ複合部品の実施例を一部切欠い
て示す斜視図である。符号の説明１・・・チップインダクタ、２・・・内部導体、３・・・フェライト磁性層、４１．４５・・・外部電極、５・・・ＬＣ複合部品、６・・・インダクタ部、６１・・・フェライト磁性層、６５・・・内部導体、７・・・コンデンサ部、７１・・・誘電体層、７５・・・内部電極、８・・・外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

（１）　フェライトとホウケイ酸ガラスとを含有するこ
とを特徴とするフェライト焼結体。
（２）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％
である特許請求の範囲第１項に記載のフェライト焼結体
。
（３）　ホウケイ酸ガラスは、６５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第１項または第２項に記載のフェライト焼結
体。
（４）　ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第３項に記載のフェライト焼結体。
（５）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請求
の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載のフェライ
ト焼結体。
（６）　フェライトとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素と
を含有することを特徴とするフェライト焼結体。
（７）　酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である特
許請求の範囲第６項に記載のフェライト焼結体。
（８）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ％
である特許請求の範囲第６項または第７項に記載のフェ
ライト焼結体。
（９）　ホウケイ酸ガラスは６５〜９０ｗｔ％の酸化ケ
イ素と８〜３０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許請
求の範囲第６項ないし第８項のいずれかに記載のフェラ
イト焼結体。
（１０）　ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特
許請求の範囲第９項に記載のフェライト焼結体。
（１１）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請
求の範囲第６項ないし第１０項のいずれかに記載のフェ
ライト焼結体。
（１２）　セラミック磁性層と内部導体層とを積層した
チップインダクタにおいて、セラミック磁性層がフェラ
イトとホウケイ酸ガラスとを含有することを特徴とする
チップインダクタ。
（１３）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ
％である特許請求の範囲第１２項に記載のチップインダ
クタ。
（１４）　ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特
許請求の範囲第１２項または第１３項に記載のチップイ
ンダクタ。
（１５）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請
求の範囲第１２項ないし第１４項のいずれかに記載のチ
ップインダクタ。
（１６）　セラミック磁性層と内部導体層とを積層した
チップインダクタにおいて、セラミック磁性層がフェラ
イトとホウケイ酸ガラスと酸化ホウ素とを含有すること
を特徴とするチップインダクタ。
（１７）　酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である
特許請求の範囲第１６項に記載のチップインダクタ。
（１８）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ
％である特許請求の範囲第１６項または１７項に記載の
チップインダクタ。
（１９）　ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特
許請求の範囲第１６項ないし第１８項のいずれかに記載
のチップインダクタ。
（２０）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請
求の範囲第１６項ないし第１９項のいずれかに記載のチ
ップインダクタ。
（２１）　セラミック誘電体層と電極層とを積層したコ
ンデンサ部と、フェライト磁性層と内部導体層とを積層
したインダクタ部とを一体化したセラミックＬＣ複合部
品において、セラミック磁性層がフェライトとホウケイ
酸ガラスとを含有することを特徴とするＬＣ複合部品。
（２２）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ
％である特許請求の範囲第２１項に記載のＬＣ複合部品
。
（２３）　ホウケイ酸ガラスは、７５〜９０ｗｔ％の酸
化ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特
許請求の範囲第２１項または第２２項に記載のＬＣ複合
部品。
（２４）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請
求の範囲第２１項ないし第２３項のいずれかに記載のＬ
Ｃ複合部品。
（２５）　誘電体層がＴｉＯ＿２系である特許請求の範
囲第２１項ないし第２４項のいずれかに記載のＬＣ複合
部品。
（２６）　コンデンサ部とインダクタ部とが同時焼成し
て一体化されている特許請求の範囲第２１項ないし第２
５項のいずれかに記載のＬＣ複合部品。
（２７）　セラミック誘電体層と電極層とを積層したコ
ンデンサ部と、セラミック磁性層と電極層とを積層した
インダクタ部とを一体化したセラミックＬＣ複合部品に
おいて、セラミック磁性層がフェライトとホウケイ酸ガ
ラスと酸化ホウ素とを含有することを特徴とするＬＣ複
合部品。
（２８）　酸化ホウ素の含有量が１０ｗｔ％以下である
特許請求の範囲第２７項に記載のＬＣ複合部品。
（２９）　ホウケイ酸ガラスの含有量が１５〜７５ｗｔ
％である特許請求の範囲第２７項または第２８項に記載
のＬＣ複合部品。
（３０）　ホウケイ酸ガラスが７５〜９０ｗｔ％の酸化
ケイ素と８〜２０ｗｔ％の酸化ホウ素とを含有する特許
請求の範囲第２７項ないし第２９項に記載のＬＣ複合部
品。
（３１）　フェライトがＮｉ系フェライトである特許請
求の範囲第２７項ないし第３０項のいずれかに記載のＬ
Ｃ複合部品。
（３２）　誘電体層がＴｉＯ＿２系である特許請求の範
囲第２７項ないし第３１項のいずれかに記載のＬＣ複合
部品。
（３３）　コンデンサ部とインダクタ部とが同時焼成し
て一体化されている特許請求の範囲第２７項ないし第３
２項のいずれかに記載のＬＣ複合部品。