JP3412607B2 - 高周波用磁性体の製造方法および高周波回路部品 - Google Patents
高周波用磁性体の製造方法および高周波回路部品Info
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Description
キュレータ、アイソレータなどの高周波用非可逆回路素
子を構成するのに適した高周波用磁性体の製造方法、お
よびこの製造方法によって得られた高周波用磁性体を用
いて構成される高周波回路部品に関するものである。
な積層セラミック電子部品において採用される積層構造
は、電子部品の小型化を図ることを可能にし、このよう
に電子部品が小型化されることによって、電子部品を用
いて構成される電子機器の小型化を図ることができる。
状に成形された複数のセラミックグリーンシートを用意
し、これらセラミックグリーンシートの特定のものに内
部導体をスクリーン印刷または蒸着法等によって形成
し、これら複数のセラミックグリーンシートを積層し、
得られた生の積層体を焼成することによって製造され
る。
セラミック電子部品において、内部導体はセラミック材
料と同時焼成されるため、その材料としては、用いられ
るセラミック材料の焼結温度において融解しないものを
用いる必要がある。また、酸化雰囲気中にて焼成する場
合には、内部導体の材料としては、酸化することなく、
導体としての役目を果たし得るものであることも要求さ
れる。さらに、内部導体のための材料の選択にあたって
は、抵抗率、材料コスト、セラミック材料との反応性等
も考慮されなければならない。
機が小型化され、また、使用周波数帯域が広がっている
ため、この分野において使用される回路部品に対して
は、広帯域化、小型化、低価格化等の要求が高まってい
る。
る代表的な高周波回路部品として、たとえば、サーキュ
レータ、アイソレータなどの高周波用非可逆回路素子が
あるが、このような非可逆回路素子は、互いに絶縁状態
でありかつ交差状に配置される複数の中心導体と、これ
ら中心導体に密接して配置される高周波用磁性体と、中
心導体および高周波用磁性体に直流磁界を印加する永久
磁石とを主要な構成要素としており、これら構成要素
は、それぞれ、互いに別の部品として製造され、これら
別の部品が組み合わされて使用に供されている。
において、前述したような小型化、低価格化等の要求に
応えるため、各部品を別々に製造するのではなく、たと
えば特開平6−61708号公報に記載されるように、
高周波用磁性体と中心導体とを一体焼成することによっ
て得ることが提案されている。この公報には、また、中
心導体の材料として、パラジウムまたは白金を用いるこ
とが記載されている。
って得られる高周波用非可逆回路素子において、高周波
用磁性体材料としては、たとえばCa−V系ガーネット
材料が用いられる。このCa−V系ガーネット材料は、
緻密な焼結体を得るためには、1300℃以上の温度で
焼成する必要があり、これを下回る温度では、十分な焼
結密度が得られず、強磁性共鳴半値幅が大きかったり、
気孔が多いという問題を引き起こす。
は白金は、融点が1300℃以上と高く、Ca−V系ガ
ーネット材料からなる高周波用磁性体材料との一体焼結
が容易であるという長所を有している。しかし、その反
面、比抵抗が高く、たとえば積層アイソレータ素子に使
用した場合、挿入損失が大きくなるという欠点を有して
いる。
たとえば特開平7−212108号公報には、中心導体
材料として、銀または銀を主成分とするものを用いなが
ら、中心導体を高周波用磁性体と一体焼成することも提
案されている。
いため、使用する高周波用磁性体材料については、銀ま
たは銀を主成分とするものの融点以下の低温で焼結でき
るものであることが条件となる。高周波用磁性体が十分
に焼結していない場合には、その密度が低いため、損失
の小さい材料とすることができない。
ものとの同時焼成において十分な焼結性を得るため、た
とえば1000℃以下の低温で焼結可能な高周波用磁性
体材料としてCa−V系ガーネット材料にBiを添加し
たBi−Ca−V系ガーネット材料を用いたり、高周波
用磁性体材料に低融点ガラスを添加したりすることが考
えられるが、このような場合には、異相の生成などのた
めに、低損失の高周波用磁性体とすることができない。
な問題を解決し得る、高周波用磁性体の製造方法および
この製造方法によって得られた高周波用磁性体を用いて
構成される高周波回路部品を提供しようとすることであ
る。
して用意された、少なくとも、鉄化合物、イットリウム
化合物、カルシウム化合物およびバナジウム化合物に対
して、混合工程、仮焼工程、粉砕工程、成形工程および
焼成工程を順次実施する、Ca−V系ガーネット構造を
有する高周波用磁性体の製造方法にまず向けられるもの
であって、上述した技術的課題を解決するため、次のよ
うな構成を備えることを特徴としている。
比表面積が8.5m2 /g以上の粉体を用い、イットリ
ウム化合物は、比表面積が8.0m2 /g以上の粉体を
用い、カルシウム化合物は、比表面積が5.0m2 /g
以上の粉体を用い、バナジウム化合物は、比表面積が
5.0m2 /g以上の粉体を用いる。
0.0m2 /g以上とし、仮焼工程後の粉体の比表面積
を3.0m2 /g以上とし、粉砕工程後の粉体の比表面
積を3.5m2 /g以上とする。
80%以上とする。
折におけるオルソフェライトの(121)面のピーク強
度(IO121)と、ガーネット結晶の(420)面の
ピーク強度(IG420)とから、次式で表される値の
ことである。ガーネット合成度=IG420/(IO1
21+IG420)×100[%]この発明に係る高周
波用磁性体の製造方法において、出発原料としての鉄化
合物は、Fe2 O3 であり、イットリウム化合物は、Y
2 O3 であり、カルシウム化合物は、CaCO3 であ
り、バナジウム化合物は、V2 O5 であることが好まし
い。
3 が40〜60モル%、Y2 O3 が15〜35モル%、
CaCO3 が5〜30モル%となり、残部がV2 O5 と
なるように混合されることが好ましい。
造方法において、出発原料としての鉄化合物、イットリ
ウム化合物、カルシウム化合物およびバナジウム化合物
の少なくとも1種は、湿式法によって合成されたもので
あることが好ましい。
て得られた高周波用磁性体を用いて構成される高周波回
路部品にも向けられる。
ありかつ交差状に配置された、複数の中心導体と、中心
導体に密接して配置された、高周波用磁性体とを備え
る。この高周波用磁性体が、前述したこの発明に係る製
造方法によって得られた高周波用磁性体によって構成さ
れる。そして、中心導体と高周波用磁性体とは一体焼結
され、また、中心導体および高周波用磁性体には、永久
磁石により直流磁界が印加されるようにされる。
くは、高周波用非可逆回路素子である。
よる高周波回路部品1を示す斜視図である。図1には、
高周波回路部品1の内部構造が透視されて示されてい
る。
イソレータなどの高周波用非可逆回路素子を構成するた
めのもので、複数の磁性体層を積層した構造を有する積
層体をもって構成される高周波用磁性体2を備えてい
る。高周波用磁性体2の内部には、互いに絶縁状態であ
りかつ交差状に配置された複数の中心導体3、4および
5が埋設されている。より具体的には、中心導体3〜5
は、高周波用磁性体2を構成する複数の磁性体層の間の
特定の界面に沿って形成されている。
複数の外部電極6〜11が形成される。中心導体3の各
端部は、外部電極6および7にそれぞれ接続され、中心
導体4の各端部は、外部電極8および9にそれぞれ接続
され、中心導体5の各端部は、外部電極10および11
にそれぞれ接続されている。
容量および外部入出力端子との接続のために用いられ
る。また、外部電極8は、整合用容量との接続のために
用いられ、この高周波回路部品1がアイソレータを構成
する場合には、ここに抵抗が接続される。また外部電極
7、9および11は、外部アース端子との接続のために
用いられる。
め、次のような工程が実施される。
合物、イットリウム化合物、カルシウム化合物およびバ
ナジウム化合物の各粉体が用意される。
8.5m2 /g以上とされ、イットリウム化合物の粉体
の比表面積は、8.0m2 /g以上とされ、カルシウム
化合物の粉体の比表面積は、5.0m2 /g以上とさ
れ、バナジウム化合物の粉体の比表面積は、5.0m2
/g以上とされる。
混合される。この混合工程の後の粉体の比表面積は、1
0.0m2 /g以上となるようにされる。
仮焼される。この仮焼工程の後の粉体の比表面積は、
3.0m2 /g以上となるようにされる。そして、この
仮焼工程後のガーネット合成度は、80%以上となるよ
うにされる。
の粉砕工程の後の粉体の比表面積は、3.5m2 /g以
上となるようにされる。
成度に関して、上述のような特定の範囲に限定したの
は、次のような理由による。
0m2 /g以上としたのは、これが3.0m2 /g未満
の場合には、後の粉砕工程での粉砕時間を通常より長く
したり、または、媒体(メディア)攪拌式の粉砕機を使
用する必要があり、その結果、玉石等の媒体から侵入す
る不純物量が増加し、後述する焼成工程を経て得られた
高周波用磁性体の特性を劣化させてしまうからである。
5m2 /g以上としたのは、これが3.5m2 /g未満
の場合には、粉体の表面エネルギーが低下し、粉体の焼
結活性度が低いため、相対焼結密度の低下等を招いてし
まうからである。
0%以上としたのは、これが80%未満の場合には、異
相であるオルソフェライト相が多く残り、焼成時に均一
なCa−V系ガーネット材料が得られず、強磁性共鳴半
値幅の狭い材料が得られないからである。
0.0m2 /g以上としたのは、これが10.0m2 /
g未満の場合には、粉体の活性度が低いため、仮焼時に
80%以上のガーネット合成度を得ようとすると、比表
面積が10.0m2 /g以上の粉体の場合と比較して、
より高い温度で仮焼しなければならず、結果的に粉体の
粒成長が進み、仮焼後の粉体の比表面積が3.0m2 /
g未満となってしまうからである。
の比表面積が8.5m2 /g未満の場合、イットリウム
化合物の粉体の比表面積が8.0m2 /g未満の場合、
または、カルシウム化合物およびバナジウム化合物の各
粉体の比表面積が5.0m2/g未満の場合であって
も、いずれかの粉体の比表面積を極端に大きくすれば、
混合工程後の粉体の比表面積を10.0m2 /g以上に
することが可能である。
ットリウム化合物、カルシウム化合物およびバナジウム
化合物のうち、いずれかの粉体の比表面積が、上述のよ
うに、特定値未満の場合には、この特定値未満となった
化合物の固相反応が律速反応となり、80%以上のガー
ネット合成度を得ようとすると、鉄化合物の粉体の比表
面積が8.5m2 /g以上、かつ、イットリウム化合物
の粉体の比表面積が8.0m2 /g以上、かつ、カルシ
ウム化合物およびバナジウム化合物の各粉体の比表面積
が5.0m2 /g以上の場合と比べて、仮焼工程におい
て、より高い温度が必要となる。その結果、仮焼工程に
おいて、粉体の粒成長が進んでしまい、仮焼後の粉体の
比表面積が3.0m2 /g未満となってしまう。
化合物の粉体の比表面積は8.5m 2 /g以上、イット
リウム化合物の粉体の比表面積は8.0m2 /g以上、
カルシウム化合物およびバナジウム化合物の各粉体の比
表面積は5.0m2 /g以上であることが必要である。
2 O3 であり、イットリウム化合物は、Y2 O3 であ
り、カルシウム化合物は、CaCO3 であり、バナジウ
ム化合物は、V2 O5 であることが好ましい。各原料が
安価で取り扱いやすいためである。
3 、CaCO3 およびV2 O5 の各粉体が出発原料とし
て用いられるとき、混合工程において、Fe2 O3 が4
0〜60モル%、Y2 O3 が15〜35モル%、CaC
O3 が5〜30モル%となり、残部がV2 O5 となるよ
うに混合されることが好ましい。
モル%を超える場合、Y2 O3 が15モル%未満あるい
は35モル%を超える場合、または、CaCO3 が5モ
ル%未満あるいは30モル%を超える場合、後述する焼
成工程において、比較的高温での焼成が必要となり、た
とえば1150℃といった比較的低温での焼成では、焼
結密度を高くすることができない。
リウム化合物、カルシウム化合物およびバナジウム化合
物は、湿式法によって合成されたものであることが好ま
しい。このように湿式法によって合成されると、微粒粉
体を得るための粉砕工程を簡略化することができるとと
もに、不純物の混入による特性劣化を防ぐこともでき
る。
粉砕工程を経て得られた粉体に、バインダおよび有機溶
剤を加えることによって、スラリーが作製される。
ーブレード法を適用することによってシート状に成形さ
れ、それによって、図2に示すような複数の高周波用磁
性体グリーンシート12〜15が作製される。
スラリーの作製工程等において、Al2 O3 を添加する
ことにより、飽和磁化(4πMS)を小さくすることが
でき、Gd2 O3 を添加することにより、飽和磁化の温
度係数を小さくすることができ、In2 O3 を添加する
ことにより、強磁性共鳴半値幅をさらに低下させること
ができるという効果が得られる。
ト13、14および15上には、前述した中心導体3、
4および5となるべき導電性ペースト膜16、17およ
び18が、たとえばスクリーン印刷によって、それぞれ
形成される。
膜16〜18がそれぞれ形成された高周波用磁性体グリ
ーンシート13〜15と導電性ペースト膜が形成されて
いない高周波用磁性体グリーンシート12とを積層し、
圧着して得られた生の積層体が焼成される。これによっ
て、高周波用磁性体グリーンシート12〜15が焼結
し、図1に示した高周波用磁性体2となり、導電性ペー
スト膜16〜18が焼結し、中心導体3〜5となる。そ
して、高周波用磁性体2と中心導体3〜5とは一体焼結
されることになる。
0℃以上の温度を必要としたが、この実施形態では、1
150℃以下の低温で、高周波用磁性体2を緻密に焼結
させた状態とすることができ、また、後述する実験例か
ら明らかなように、強磁性共鳴半値幅を3kA/m未満
とすることができる。このことから、上述したような高
周波用磁性体2の製造方法は、高周波用磁性体グリーン
シート12〜15を積層してなる生の積層体中に、中心
導体3〜5のような内部導体を埋め込んだ状態で同時に
焼成する、図1に示すような高周波回路部品1の製造に
おいて有利に適用することができる。
電極6〜11を形成するため、たとえば銀粉末およびガ
ラスフリットを含む導電性ペーストを印刷し、焼き付け
ることが行なわれる。
は、サーキュレータ、アイソレータなどの高周波用非可
逆回路素子として用いられるとき、中心導体3〜5およ
び高周波用磁性体2に直流磁界を印加するための永久磁
石(図示せず。)と組み合わされる。
製造方法についてのより具体的な実施例を、実験例に基
づいて説明する。
比表面積が13.8m2 /gおよび6.2m2 /gのα
−Fe2 O3 粉体、イットリウム化合物として、比表面
積が10.7m2 /gおよび7.0m2 /gのY2 O3
粉体、カルシウム化合物として、比表面積が8.4m2
/gおよび1.0m2 /gのCaCO3 粉体、ならび
に、バナジウム化合物として、比表面積が8.3m2 /
gおよび4.0m2 /gのV2 O5 粉体をそれぞれ用意
した。
て、出発原料となる粉体の比表面積を選択して、これら
化合物の粉体を、Fe2 O3 が53モル%、Y2 O3 が
24モル%、CaCO3 が18モル%およびV2 O5 が
5モル%となるように秤量し、乾式混合した。
示す仮焼温度にて仮焼した。
よって湿式粉砕した。
を加え、乾燥し、造粒し、プレス成形することによっ
て、直径8mmおよび厚さ1mmの円板状に成形した。
5時間焼成して、高周波用磁性体を得た。
の粉体、仮焼工程後の粉体および粉砕工程後の粉体につ
いて、BET法によって、それぞれ、比表面積を測定し
た。また、仮焼工程後の粉体について、X線回折分析を
行ない、前述した式により、ガーネット合成度を求め
た。これらの結果が表1に示されている。
デス法によって密度を求め、理論密度に対する相対密度
(%)を算出した。また、ネットワークアナライザによ
って、強磁性共鳴半値幅を測定した。これらの結果も、
表1に示されている。
は、この発明の範囲外のものである。
もに、鉄化合物として、比表面積が、8.5m2 /g以
上である13.8m2 /gのα−Fe2 O3 粉体を用
い、イットリウム化合物として、比表面積が8.0m2
/g以上である10.7m2 /gのY2 O3 粉体を用
い、カルシウム化合物として、比表面積が5.0m2 /
g以上である8.4m2 /gのCaCO3 粉体を用い、
バナジウム化合物として、比表面積が5.0m2 /g以
上である8.3m2 /gのV2 O5 粉体を用い、混合後
の粉体の比表面積を10.0m2 /g以上である12.
8m2 /gとしている。
とし、試料2では1000℃とすることによって、試料
1および2に係る仮焼後の粉体の各々の比表面積を3.
0m 2 /g以上である3.9m2 /gおよび3.2m2
/gとし、粉砕後の粉体の各々の比表面積を3.5m2
/g以上である4.6m2 /gおよび3.7m2 /gと
しているとともに、仮焼後のガーネット合成度を80%
以上である85%および92%としている。
℃の温度での焼成工程を経て得られた高周波用磁性体の
相対焼結密度は、ともに、98%といった高い値を示し
ている。また、この高周波用磁性体の強磁性共鳴半値幅
については、アイソレータ素子として用いるときに有効
な3kA/m以下である2.86kA/mおよび2.2
3kA/mの値がそれぞれ得られている。
鉄化合物としてのα−Fe2 O3 粉体の比表面積は8.
5m2 /g以上の13.8m2 /gであるが、イットリ
ウム化合物としてのY2 O3 粉体の比表面積が8.0m
2 /g未満の7.0m2 /gであり、カルシウム化合物
としてのCaCO3 粉体の比表面積が5.0m2 /g未
満の1.0m2 /gであり、バナジウム化合物としての
V2 O5 粉体の比表面積が5.0m2 /g未満の4.0
m2 /gである。また、これら試料3〜6の間では、採
用された仮焼温度が異ならされている。
00℃以下と低くすることにより、仮焼後の粉体の比表
面積を3.0m2 /g以上である4.2m2 /gおよび
3.3m2 /gとし、さらに、粉砕後の粉体の比表面積
を3.5m2 /g以上である4.8m2 /gおよび3.
8m2 /gとすることができるが、ガーネット合成度が
80%未満の55%および74%に留まり、また、強磁
性共鳴半値幅については、13.5kA/mおよび5.
17kA/mというように、3kA/m未満の幅が得ら
れていない。
を1050℃以上と高くすることにより、ガーネット合
成度を80%以上である94%および100%にまで高
めることができるものの、強磁性共鳴半値幅について
は、4.14kA/mおよび5.73kA/mというよ
うに、3kA/m未満の値が得られていない。
e2 O3 粉体の比表面積が8.5m 2 /g未満の6.2
m2 /gであり、Y2 O3 粉体の比表面積が8.0m2
/g未満の7.0m2 /gであり、CaCO3 粉体の比
表面積が5.0m2 /g未満の1.0m2 /gであり、
V2 O5 粉体の比表面積が5.0m2 /g未満の4.0
m2 /gである。これら試料6〜10の間でも、採用さ
れた仮焼温度が異ならされている。
焼温度を800℃、1000℃、1050℃および11
00℃いうように上下させても、3.0m2 /g以上の
比表面積を有する仮焼後の粉体を得ることができない。
また、仮焼温度を上げることにより、ガーネット合成度
を高めることができるが、粉体の反応性が低くなり、こ
のため、相対焼結密度を高めることができないととも
に、3kA/m未満の強磁性共鳴半値幅を得ることがで
きない。
原料となる各化合物の比表面積については、この発明の
範囲内にある試料1および2と同様であるが、仮焼温度
が異ならされている。
低くしたとき、仮焼後の粉体の比表面積を3.0m2 /
g以上である4.5m2 /gとし、粉砕後の粉体の比表
面積を3.5m2 /g以上である5.2m2 /gとする
ことができるが、仮焼後のガーネット合成度が80%未
満の76%と低くなり、この場合には、強磁性共鳴半値
幅については、3kA/m未満の値が得られない。
ぞれ、仮焼温度を1050℃および1100℃と高くし
たとき、仮焼後のガーネット合成度が85%以上である
99%および100%となるが、仮焼後の粉体の比表面
積が3.0m2 /g未満の2.7m2 /gおよび2.4
m2 /gとなり、また、粉砕後の粉体の比表面積が3.
5m2 /g未満の3.3m2 /gおよび2.7m2 /g
となり、相対焼結密度を高めることができず、また、3
kA/m未満の強磁性共鳴半値幅を得ることができな
い。
α−Fe2 O3 粉体を、イットリウム化合物としてY2
O3 粉体を、カルシウム化合物としてCaCO3 粉体
を、バナジウム化合物としてV2 O5 粉体をそれぞれ用
いたが、これらに限定されるものではなく、たとえば、
Fe3 O4 、FeOOH等の鉄化合物、CaO、CaO
H等のカルシウム化合物を用いることもできる。
磁性体の製造方法によれば、出発原料として用いられる
粉体、混合工程後の粉体、仮焼工程後の粉体および粉砕
工程後の粉体の各表面積、ならびに仮焼工程後のガーネ
ット合成度を、それぞれ、前述したような特定的な値に
なるように制御しているので、たとえば1150℃以下
といった低温での焼成であっても、緻密に焼結し、かつ
強磁性共鳴半値幅が3kA/m未満と小さい、Ca−V
系ガーネット構造を有する高周波用磁性体を得ることが
できる。
料として、鉄化合物、イットリウム化合物、カルシウム
化合物の各粉体が用いられるが、鉄化合物としてFe2
O3、イットリウム化合物としてY2 O3 、カルシウム
化合物としてCaCO3 およびバナジウム化合物として
V2 O5 を用いると、安価で取り扱いやすいという効果
を期待することができる。
e2 O3 が40〜60モル%、Y2O3 が15〜35モ
ル%、CaCO3 が5〜30モル%となり、残部がV2
O5となるように混合されると、たとえば1150℃以
下といった比較的低温での焼結であっても、高い焼結密
度をより確実に得ることができるようになる。
リウム化合物、カルシウム化合物およびバナジウム化合
物の少なくとも1種が、湿式法によって合成されると、
微粒粉体を得るための粉砕工程を簡略化することができ
るとともに、不純物の混入による特性劣化を防ぐことも
できる。
方法によって得られた高周波用磁性体は、互いに絶縁状
態でありかつ交差状に配置された、複数の中心導体と、
中心導体に密接して配置された、高周波用磁性体とを備
え、中心導体と高周波用磁性体とが一体焼結され、中心
導体および高周波用磁性体には、永久磁石により直流磁
界が印加されるようにされた、たとえば高周波用非可逆
回路素子のような高周波回路部品における上述した高周
波用磁性体として有利に用いることができる。
を示す斜視図であり、その内部構造を透視して示してい
る。
意される複数の高周波用磁性体グリーンシート12〜1
5を互いに分離して示す斜視図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 出発原料として用意された、少なくと
も、鉄化合物、イットリウム化合物、カルシウム化合物
およびバナジウム化合物に対して、混合工程、仮焼工
程、粉砕工程、成形工程および焼成工程を順次実施す
る、Ca−V系ガーネット構造を有する高周波用磁性体
の製造方法であって、 前記出発原料としての前記鉄化合物は、比表面積が8.
5m2 /g以上の粉体であり、前記イットリウム化合物
は、比表面積が8.0m2 /g以上の粉体であり、前記
カルシウム化合物は、比表面積が5.0m2 /g以上の
粉体であり、前記バナジウム化合物は、比表面積が5.
0m2 /g以上の粉体であり、 前記混合工程後の粉体の比表面積を10.0m2 /g以
上とし、 前記仮焼工程後の粉体の比表面積を3.0m2 /g以上
とし、 前記粉砕工程後の粉体の比表面積を3.5m2 /g以上
とするとともに、 前記仮焼工程後のガーネット合成度を80%以上とす
る、高周波用磁性体の製造方法。 - 【請求項2】 前記出発原料としての前記鉄化合物は、
Fe2 O3 であり、前記イットリウム化合物は、Y2 O
3 であり、前記カルシウム化合物は、CaCO3 であ
り、前記バナジウム化合物は、V2 O5 である、請求項
1に記載の高周波用磁性体の製造方法。 - 【請求項3】 前記混合工程において、前記Fe2 O3
が40〜60モル%、前記Y2 O3 が15〜35モル
%、前記CaCO3 が5〜30モル%となり、残部が前
記V2 O5 となるように混合される、請求項2に記載の
高周波用磁性体の製造方法。 - 【請求項4】 前記出発原料としての前記鉄化合物、前
記イットリウム化合物、前記カルシウム化合物および前
記バナジウム化合物の少なくとも1種は、湿式法によっ
て合成されたものである、請求項1ないし3のいずれか
に記載の高周波用磁性体の製造方法。 - 【請求項5】 互いに絶縁状態でありかつ交差状に配置
された、複数の中心導体と、 前記中心導体に密接して配置された、請求項1ないし4
のいずれかに記載の製造方法によって得られた高周波用
磁性体とを備え、 前記中心導体と前記高周波用磁性体とは一体焼結され、 前記中心導体および前記高周波用磁性体には、永久磁石
により直流磁界が印加されるようにされた、高周波回路
部品。 - 【請求項6】 高周波用非可逆回路素子である、請求項
5に記載の高周波回路部品。
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