JP2002260913A - 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 - Google Patents
磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品Info
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- H01F1/342—Oxides
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 数百ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域まで
極めて磁気特性が良好であり、かつＹ型六方晶フェライ
ト以外の異相をできるだけ含まず１０００℃以下特に、
９００℃付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体および
これを用いた高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１
５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくと
も１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．
５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成する。
極めて磁気特性が良好であり、かつＹ型六方晶フェライ
ト以外の異相をできるだけ含まず１０００℃以下特に、
９００℃付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体および
これを用いた高周波回路部品を提供する。 【解決手段】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸化物焼
結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜
１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸
化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１
５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくと
も１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ
（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）とし
て含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．
５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高周波回路部品用
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
に使用される磁性酸化物焼結体およびそれを用いた高周
波回路部品に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器の小型化や高周波化に伴
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導電体
を内蔵した積層構造のコイルを作製することが望まし
い。
い、高周波帯域において高いインダクタンス、インピー
ダンスを持つ電子部品の需要が高まっている。小型で高
いインダクタンス、インピーダンスを得るためには、い
わゆる印刷工法やシート工法によって磁性体中に導電体
を内蔵した積層構造のコイルを作製することが望まし
い。
【０００３】積層構造とすることでコイルの巻数を多く
することができ、構造も閉磁路となるため高いインダク
タンス、インピーダンスが得られる。
することができ、構造も閉磁路となるため高いインダク
タンス、インピーダンスが得られる。
【０００４】焼結体に内蔵される導電体材料としては、
電気抵抗率、融点、コストの点を考慮して一般に銀（Ａ
ｇ）が多く用いられている。銀の融点は１０００℃以下
であるため、積層構造用の磁性体材料としては、従来よ
り一般に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られる
ＮｉＺｎ系フェライトが用いられてきた。
電気抵抗率、融点、コストの点を考慮して一般に銀（Ａ
ｇ）が多く用いられている。銀の融点は１０００℃以下
であるため、積層構造用の磁性体材料としては、従来よ
り一般に、９００℃の焼成でも高い焼結密度が得られる
ＮｉＺｎ系フェライトが用いられてきた。
【０００５】しかしながら、ＮｉＺｎ系フェライトは磁
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
気異方性が低いために数百ＭＨｚの周波数で自然共鳴を
起こしてしまい、ＧＨｚの周波数帯域で使用することが
できなかった。
【０００６】高周波仕様として、非磁性体を用いた空心
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
コイルが用いられることもあるが、非磁性体を用いると
高いインダクタンスやインピーダンスを得ることが困難
になる。
【０００７】この一方で六方晶フェライトは、六角板状
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向とでは磁気的異方
性が異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨ
ｚの周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもっ
ている。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や
磁気特性を得るためには焼成温度を高くする必要があ
る。
結晶の面内方向とこの面に垂直な方向とでは磁気的異方
性が異なっているため、自然共鳴を起こしにくく、ＧＨ
ｚの周波数帯域まで高い透磁率を持つという特徴をもっ
ている。しかしながら、このものは、所望の焼結密度や
磁気特性を得るためには焼成温度を高くする必要があ
る。
【０００８】これまで生成温度の高い六方晶フェライト
において、低融点酸化物を用いることでＡｇの融点以下
で焼成するという低温焼結化の試みもなされているが、
軟磁性相の生成率が低く、六方晶フェライトの磁気特性
を十分に発揮することは困難であった。
において、低融点酸化物を用いることでＡｇの融点以下
で焼成するという低温焼結化の試みもなされているが、
軟磁性相の生成率が低く、六方晶フェライトの磁気特性
を十分に発揮することは困難であった。
【０００９】このような実状のもと、本願にかかる発明
者らはすでに、特願２００１−５６１５２号として、数
百ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域まで磁気特性が良
好で使用可能であり、かつＹ型六方晶フェライト以外の
異相をできるだけ含まず１０００℃以下特に、９００℃
付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体およびこれを用
いた高周波回路部品を提案している。
者らはすでに、特願２００１−５６１５２号として、数
百ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域まで磁気特性が良
好で使用可能であり、かつＹ型六方晶フェライト以外の
異相をできるだけ含まず１０００℃以下特に、９００℃
付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体およびこれを用
いた高周波回路部品を提案している。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本出願
に係る技術分野においては、上記提案に満足することな
くさらなる磁気特性等の改善が望まれており、本発明で
は特に高周波帯域におけるさらなる透磁率の向上を図る
ことを主目的としている。
に係る技術分野においては、上記提案に満足することな
くさらなる磁気特性等の改善が望まれており、本発明で
は特に高周波帯域におけるさらなる透磁率の向上を図る
ことを主目的としている。
【００１１】高周波帯域における透磁率をさらに向上さ
せることにより、例えば、（ｉ）インダクタンス部品と
して用いた場合に、より高いインダクタンスを得ること
ができる、また（ｉｉ）ノイズフィルタ部品として用い
た場合に、高いインピーダンス特性を得ることができ
る。
せることにより、例えば、（ｉ）インダクタンス部品と
して用いた場合に、より高いインダクタンスを得ること
ができる、また（ｉｉ）ノイズフィルタ部品として用い
た場合に、高いインピーダンス特性を得ることができ
る。
【００１２】このような実状のもとに本発明は創案され
たものであり、その目的は、上記の課題を解決し、数百
ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域まで透磁率特性が極
めて良好で、かつＹ型六方晶フェライト以外の異相をで
きるだけ含まず１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能である磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周
波回路部品を提供することにある。
たものであり、その目的は、上記の課題を解決し、数百
ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域まで透磁率特性が極
めて良好で、かつＹ型六方晶フェライト以外の異相をで
きるだけ含まず１０００℃以下特に、９００℃付近で焼
成可能である磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周
波回路部品を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを
０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少
なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を
０．５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成される。
るために、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８０％以
上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該磁性酸
化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算
で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル
％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを
０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少
なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、残部を
ＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）
として含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を
０．５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成される。
【００１４】また、本発明は、磁性酸化物焼結体中に導
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで
８０％以上占有され、かつ、該磁性酸化物焼結体は、主
成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル
％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸化鉄をＦ
ｅ 2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％
（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくとも１種で
あり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、
ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）として含み、副
成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．５〜７ｗｔ
％を含有してなるように構成される。
電体が埋設された構造を備える高周波回路部品であっ
て、前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで
８０％以上占有され、かつ、該磁性酸化物焼結体は、主
成分として酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル
％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７モル％、酸化鉄をＦ
ｅ 2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％
（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくとも１種で
あり、ＭＯの含有率０は除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、
ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも１種）として含み、副
成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．５〜７ｗｔ
％を含有してなるように構成される。
【００１５】また、本発明の好ましい態様として、前記
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は８５０℃〜
１０００℃の範囲に設定される。
磁性酸化物焼結体の製造における仮焼温度は８５０℃〜
１０００℃の範囲に設定される。
【００１６】また、本発明の高周波回路部品の好ましい
態様として、前記導電体は、銀（Ａｇ）を主成分として
なるように構成される。
態様として、前記導電体は、銀（Ａｇ）を主成分として
なるように構成される。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の磁性酸化物焼結体
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
について詳細に説明する。本発明の磁性酸化物焼結体は
セラミック焼結体であるために通常のセラミック作製プ
ロセスで製造することができる。
【００１８】本発明の磁性酸化物焼結体は、主成分とし
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、ＭＯを０〜１５ｗｔ％、好ましくは１〜
１５ｗｔ％、特に好ましくは５〜１５ｗｔ％（ＭＯは、
ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯ
の含有率０は除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまた
はＳｒＯの少なくとも１種）として含んでいる。ＭＯの
形態は、ＮｉＯ，ＺｎＯ，あるいはＭｇＯの単独形態、
または少なくとも２種以上の混在形態である。２種以上
を混合して用いる場合には、混合した総計モル％が上記
の範囲に入るようにすればよい。ＡＯの形態は、ＢａＯ
あるいはＳｒＯの単独形態、またはＢａＯとＳｒＯの混
在形態である。
て酸化コバルトをＣｏＯ換算で３〜１５モル％（好まし
くは、３〜５モル％）、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１７
モル％（好ましくは、５．５〜１０モル％）、酸化鉄を
Ｆｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％（好ましくは、５９〜
６０モル％）、ＭＯを０〜１５ｗｔ％、好ましくは１〜
１５ｗｔ％、特に好ましくは５〜１５ｗｔ％（ＭＯは、
ＮｉＯ，ＺｎＯ，ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯ
の含有率０は除く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまた
はＳｒＯの少なくとも１種）として含んでいる。ＭＯの
形態は、ＮｉＯ，ＺｎＯ，あるいはＭｇＯの単独形態、
または少なくとも２種以上の混在形態である。２種以上
を混合して用いる場合には、混合した総計モル％が上記
の範囲に入るようにすればよい。ＡＯの形態は、ＢａＯ
あるいはＳｒＯの単独形態、またはＢａＯとＳｒＯの混
在形態である。
【００１９】また、本発明の磁性酸化物焼結体は、副成
分として酸化ビスマスＢｉ2Ｏ3を０．５〜７ｗｔ％（好
ましくは０．６〜５ｗｔ％）、含有している。
分として酸化ビスマスＢｉ2Ｏ3を０．５〜７ｗｔ％（好
ましくは０．６〜５ｗｔ％）、含有している。
【００２０】このような酸化ビスマスＢｉ2Ｏ3は、後述
する実施例からもわかるように添加時に当該酸化物の形
態で混入され、焼結後も一般に当該酸化物の形態で残存
する。
する実施例からもわかるように添加時に当該酸化物の形
態で混入され、焼結後も一般に当該酸化物の形態で残存
する。
【００２１】上記主成分の含有割合において、ＣｏＯが
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、例えば５
００ＭＨｚにおける透磁率が低下する（例えば２．０未
満）という不都合が生じる傾向にある。
３モル％未満となると、例えば２ＧＨｚにおける透磁率
が低下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる
傾向にあり、ＣｏＯが１５モル％を超えると、例えば５
００ＭＨｚにおける透磁率が低下する（例えば２．０未
満）という不都合が生じる傾向にある。
【００２２】また、ＣｕＯが５モル％未満となると、仮
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、透磁率が低
下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる傾向
にある。
焼き温度が１０００℃を超えるという不都合が生じる傾
向にあり、ＣｕＯが１７モル％を超えると、透磁率が低
下する（例えば２．０未満）という不都合が生じる傾向
にある。
【００２３】また、Ｆｅ2Ｏ3が５７モル％未満となった
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
り、Ｆｅ2Ｏ3が６１モル％を超えたりすると透磁率が低
下するという不都合が生じる傾向にある。
【００２４】上記の副成分の含有割合において、上記Ｂ
ｉ2Ｏ3の含有量が０．５ｗｔ％未満となると、１０００
℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなくなる
という不都合が生じる傾向にあり、上記Ｂｉ2Ｏ3の含有
量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不都
合が生じる傾向にある。このようなＢｉ2Ｏ3副成分の添
加は、特に、上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結
を顕著に実現させることができる。磁気特性向上の相乗
効果もある。焼成温度が低くなると、安価で電気抵抗の
低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した形で同時
焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易に製造で
きる。
ｉ2Ｏ3の含有量が０．５ｗｔ％未満となると、１０００
℃以下の焼成で理論密度の９０％以上が得られなくなる
という不都合が生じる傾向にあり、上記Ｂｉ2Ｏ3の含有
量が７ｗｔ％を超えると、透磁率が低下するという不都
合が生じる傾向にある。このようなＢｉ2Ｏ3副成分の添
加は、特に、上記のＣｕＯ量の含有と相俟って低温焼結
を顕著に実現させることができる。磁気特性向上の相乗
効果もある。焼成温度が低くなると、安価で電気抵抗の
低いＡｇのような低融点の電極材料を内蔵した形で同時
焼成し、電極一体型の閉磁路構成の素子を容易に製造で
きる。
【００２５】このようにして製造された素子は、例え
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
ば、小型でかつ高いＱ値を持つインダクタ、あるいは小
型で高周波帯の特に特定周波数でのインピーダンスが大
きいノイズフィルター等の高周波素子（高周波回路部
品）として利用される。
【００２６】ＭＯとしてＺｎＯを用いて、このものを０
〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含有させた場合には、
透磁率を各段と向上させることができ、高周波回路部品
を作製したときの高インピーダンス化（高いインピーダ
ンスを得ること）およびインピーダンスの広帯域化に特
に好ましい効果を発揮する。また、ＭＯとしてＮｉＯや
ＭｇＯを用いて、０〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含
有させた場合には、透磁率を向上させることはもとよ
り、共鳴周波数を高くする効果がある。従って、高周波
回路部品として、高いインピーダンスとインピーダンス
の帯域を制御するのに特に好ましい効果を発揮する。
〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含有させた場合には、
透磁率を各段と向上させることができ、高周波回路部品
を作製したときの高インピーダンス化（高いインピーダ
ンスを得ること）およびインピーダンスの広帯域化に特
に好ましい効果を発揮する。また、ＭＯとしてＮｉＯや
ＭｇＯを用いて、０〜１５ｗｔ％（含有率０は除く）含
有させた場合には、透磁率を向上させることはもとよ
り、共鳴周波数を高くする効果がある。従って、高周波
回路部品として、高いインピーダンスとインピーダンス
の帯域を制御するのに特に好ましい効果を発揮する。
【００２７】さらに本発明における磁性酸化物焼結体
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
は、その８０％以上、特に好ましくは、９０％以上がＹ
型六方晶フェライトで形成されている。ここに言う
「％」は、エックス線回折強度のメインピーク比から算
出したものである。
【００２８】Ｙ型六方晶フェライトの占有割合が８０％
未満となると、高周波において高い透磁率を得ることが
できくなるという不都合が生じる。これにより、高いイ
ンダクタンスやインピーダンスを持つ高周波回路部品を
得ることが困難となる。
未満となると、高周波において高い透磁率を得ることが
できくなるという不都合が生じる。これにより、高いイ
ンダクタンスやインピーダンスを持つ高周波回路部品を
得ることが困難となる。
【００２９】銀（Ａｇ）のような低融点電極材料と同時
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。
焼成する場合、本焼成温度が低くなるため、焼結後のＹ
型六方晶フェライトを８０％以上とするためには、仮焼
時にＹ型六方晶フェライトを８０％以上生成しておく必
要がある。組成によって異なるが、８５０℃付近からＢ
ａＦｅ12Ｏ19およびＢａＦｅ2Ｏ4の分解が始まり、Ｙ型
六方晶フェライトの生成が始まる。
【００３０】しかしながら、ＢａＦｅ12Ｏ19およびＢａ
Ｆｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなければＹ型六方晶フェラ
イトの生成が進まない。従って、Ｙ型六方晶フェライト
を８０％以上とするために、仮焼温度を８５０℃以上、
特に、８５０〜１０００℃とする必要がある。さらに、
ＣｕＯ量を、好ましくは５．５〜１７モル％含有させる
ことが必要となる。仮焼温度が８５０℃未満となった
り、ＣｕＯ量が上記の範囲を外れると、８０％を超える
Ｙ型六方晶フェライトの生成が困難となる。また、仮焼
き温度が１０００℃を超えて高くなり過ぎると、細かい
粉砕粉が得られなくなってしまう。細かい粉砕粉の作製
は、低温焼成には極めて重要な技術である。
Ｆｅ2Ｏ4の分解が十分に進まなければＹ型六方晶フェラ
イトの生成が進まない。従って、Ｙ型六方晶フェライト
を８０％以上とするために、仮焼温度を８５０℃以上、
特に、８５０〜１０００℃とする必要がある。さらに、
ＣｕＯ量を、好ましくは５．５〜１７モル％含有させる
ことが必要となる。仮焼温度が８５０℃未満となった
り、ＣｕＯ量が上記の範囲を外れると、８０％を超える
Ｙ型六方晶フェライトの生成が困難となる。また、仮焼
き温度が１０００℃を超えて高くなり過ぎると、細かい
粉砕粉が得られなくなってしまう。細かい粉砕粉の作製
は、低温焼成には極めて重要な技術である。
【００３１】このような観点から、上述のごとく仮焼温
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を、好ましくは５．５〜１７モル％含有させるこ
とが必要となる。
度を８５０〜１０００℃において、Ｙ型六方晶フェライ
トの生成率を高くするためには、主成分としての前記Ｃ
ｕＯ量を、好ましくは５．５〜１７モル％含有させるこ
とが必要となる。
【００３２】このような本発明における磁性酸化焼結体
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、インピーダ、インダクタ
として用いられる。
は、磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設された構造を備
える高周波回路部品、例えば、インピーダ、インダクタ
として用いられる。
【００３３】
【実施例】以下、具体的実施例を挙げて本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００３４】[実験例Ｉ] （実施例サンプルおよび比較例サンプルの作製）焼結後
の組成が下記表１に示すような組成となるように各原料
を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。
次に、この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２
時間仮焼きした。次いで、表１に示されるごとく副成分
としてＢｉ2Ｏ3を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミル
で１５時間粉砕した。
の組成が下記表１に示すような組成となるように各原料
を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合した。
次に、この混合粉を大気中、表１に記載された温度で２
時間仮焼きした。次いで、表１に示されるごとく副成分
としてＢｉ2Ｏ3を所定量添加した後、鉄鋼製ボールミル
で１５時間粉砕した。
【００３５】このようにして得られた六方晶フェライト
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
粉を造粒して、１００ＭＰａの圧力で所望の形状に成形
した。
【００３６】この成形体を大気中、表１に示される温度
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率をそれぞれ測定して表１に示した。透磁率は周
波数５００ＭＨｚの周波数において２．５以上、および
２ＧＨｚの周波数において、２．０以上の値を目標とし
ている。
で２時間焼結した。六方晶フェライト焼結体の組成は下
記表１に示すとおりであり、これらの各サンプルについ
て、２５℃における周波数５００ＭＨｚおよび２ＧＨｚ
の透磁率をそれぞれ測定して表１に示した。透磁率は周
波数５００ＭＨｚの周波数において２．５以上、および
２ＧＨｚの周波数において、２．０以上の値を目標とし
ている。
【００３７】なお、Ｙ型六方晶フェライトによる占有率
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
は、焼結体の粉砕粉を用いて、Ｘ線回折ピークの強度比
より算出した。
【００３８】
【表１】
【表２】
【００３９】[実験例II]次に、本発明の磁性体を用いて
インダクタンス素子を作製した。すなわち、焼結後の組
成が上記表１の実施例１１サンプルに示されるような組
成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１
５時間湿式混合した。次に、この混合粉を大気中、９５
０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分としてＢｉ2
Ｏ3を５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時
間粉砕した。
インダクタンス素子を作製した。すなわち、焼結後の組
成が上記表１の実施例１１サンプルに示されるような組
成となるように各原料を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１
５時間湿式混合した。次に、この混合粉を大気中、９５
０℃で２時間仮焼きした。次いで、副成分としてＢｉ2
Ｏ3を５ｗｔ％添加した後、鉄鋼製ボールミルで１５時
間粉砕した。
【００４０】この仮焼き粉末に有機バインダーを混合
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
し、ドクターブレード法により均一なグリーンシートを
形成した。
【００４１】比較のためにＮｉＣｕＺｎ系スピネルフェ
ライト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、
ＺｎＯ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ
＝０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準
備した。
ライト粉末（ＮｉＯ＝４５モル％、ＣｕＯ＝５モル％、
ＺｎＯ＝１．５モル％、Ｆｅ2Ｏ3＝４８モル％、ＣｏＯ
＝０．５モル％）を用いて作製したグリーンシートも準
備した。
【００４２】この一方で、銀を混合してなる導電性ペー
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためにモ
デル図として描かれている。図１において、符号１１は
インナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０は
ターミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを
示している。
ストを用意し、先のグリーンシート上にコイルをスパイ
ラル状となるように積層した。厚み方向に圧力を加えて
圧着し、磁性体に電極がサンドイッチされたグリーンシ
ート積層体を作製した。これを９３０℃で２時間焼成し
た。得られた焼結体の側面の内部導電体の位置に銀ペー
ストを塗布し、外部電極を焼き付け、図１に概略的に示
されるインピーダンス素子（高周波回路部品）とした。
なお、図１は素子内部構造の理解を容易にするためにモ
デル図として描かれている。図１において、符号１１は
インナーコンダクタ（Ａｇコイル）であり、符号１０は
ターミナルコンダクタであり、符号２０はフェライトを
示している。
【００４３】得られたインピーダンス素子のインピーダ
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２３６Ω（透磁率は４．
２）という極めて優れた特性が得られた。これに対して
従来のＮｉＣｕＺｎフェライトのインピーダンスは１３
５Ω（透磁率１．２）であった。
ンスおよび透磁率を２ＧＨｚで測定したところ、本発明
のものではインピーダンスが２３６Ω（透磁率は４．
２）という極めて優れた特性が得られた。これに対して
従来のＮｉＣｕＺｎフェライトのインピーダンスは１３
５Ω（透磁率１．２）であった。
【００４４】
【発明の効果】上記の結果より本発明の効果は明らかで
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｍｇ
Ｏの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2
Ｏ3）を０．５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成さ
れているので、数百ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域
まで極めて磁気特性が良好であり、かつＹ型六方晶フェ
ライト以外の異相をできるだけ含まず１０００℃以下特
に、９００℃付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体お
よびこれを用いた高周波回路部品を提供することができ
る。
ある。すなわち、本発明は、Ｙ型六方晶フェライトで８
０％以上占有されてなる磁性酸化物焼結体であって、該
磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣｏ
Ｏ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜１
７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル％、
ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，Ｍｇ
Ｏの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除く）、
残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少なくとも
１種）として含み、副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2
Ｏ3）を０．５〜７ｗｔ％を含有してなるように構成さ
れているので、数百ＭＨｚ〜ＧＨｚといった高周波帯域
まで極めて磁気特性が良好であり、かつＹ型六方晶フェ
ライト以外の異相をできるだけ含まず１０００℃以下特
に、９００℃付近で焼成可能である磁性酸化物焼結体お
よびこれを用いた高周波回路部品を提供することができ
る。
【図１】実施例で用いたインダクタンス素子（高周波回
路部品）の概略図面である。
路部品）の概略図面である。
１０…ターミナルコンダクタ １１…インナーコンダクタ ２０…フェライト
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4G018 AA01 AA07 AA09 AA10 AA22 AA23 AA24 AA25 AB03 AC16 5E041 AA06 AA19 BD01 CA01 HB01 NN01 NN02 NN06 NN18
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｙ型六方晶フェライトで８０％以上占有
されてなる磁性酸化物焼結体であって、 該磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣ
ｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜
１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，
ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除
く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少な
くとも１種）として含み、 副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．５〜７ｗ
ｔ％を含有してなることを特徴とする磁性酸化物焼結
体。 - 【請求項２】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項１に記載の
磁性酸化物焼結体。 - 【請求項３】 磁性酸化物焼結体中に導電体が埋設され
た構造を備える高周波回路部品であって、 前記磁性酸化物焼結体は、Ｙ型六方晶フェライトで８０
％以上占有され、かつ、 該磁性酸化物焼結体は、主成分として酸化コバルトをＣ
ｏＯ換算で３〜１５モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で５〜
１７モル％、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3換算で５７〜６１モル
％、ＭＯを０〜１５ｗｔ％（ＭＯは、ＮｉＯ，ＺｎＯ，
ＭｇＯの少なくとも１種であり、ＭＯの含有率０は除
く）、残部をＡＯ（ＡＯは、ＢａＯまたはＳｒＯの少な
くとも１種）として含み、 副成分として酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．５〜７ｗ
ｔ％を含有してなることを特徴とする高周波回路部品。 - 【請求項４】 前記磁性酸化物焼結体の製造における仮
焼温度が８５０℃〜１０００℃である請求項３に記載の
高周波回路部品。 - 【請求項５】 前記導電体が銀（Ａｇ）を主成分とする
請求項３または請求項４に記載の高周波回路部品。
Priority Applications (8)
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|---|---|---|---|
| JP2001056412A JP4074439B2 (ja) | 2001-03-01 | 2001-03-01 | 磁性酸化物焼結体およびこれを用いた高周波回路部品 |
| DE60136223T DE60136223D1 (de) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Gesintertes magnetisches oxid und hochfrequenzschaltkreisteil dieses verwendend |
| KR10-2001-7016331A KR100423961B1 (ko) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 자성 산화물 소결체 및 이것을 이용한 고주파 회로부품 |
| EP01954432A EP1364927B1 (en) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Magnetic oxide sinter and high-frequency circuit part employing the same |
| US10/070,706 US6660179B2 (en) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Sintered body and high-frequency circuit component |
| PCT/JP2001/006691 WO2002070432A1 (fr) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | Agglomere d'oxyde magnetique et partie de circuit haute frequence l'utilisant |
| CNB018087744A CN1232471C (zh) | 2001-03-01 | 2001-08-03 | 磁性氧化物烧结体及使用该烧结体的高频电路部件 |
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|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016117648A1 (ja) * | 2015-01-22 | 2016-07-28 | パウダーテック株式会社 | 六角板状フェライト粉及びその製造方法、並びに該フェライト粉を用いた樹脂組成物及び成型体 |
| WO2017170427A1 (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | パウダーテック株式会社 | フェライト粉、樹脂組成物および成形体 |
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|---|---|---|---|---|
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| JPH09167703A (ja) * | 1995-12-15 | 1997-06-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料およびこれを用いた高周波回路部品 |
| JPH09246031A (ja) * | 1996-03-11 | 1997-09-19 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
| JPH10335133A (ja) * | 1997-05-30 | 1998-12-18 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
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| JP2000323320A (ja) * | 1999-03-09 | 2000-11-24 | Tdk Corp | 軟磁性フェライト粉末の製造方法および積層チップインダクタの製造方法 |
| JP2001006915A (ja) * | 1999-06-23 | 2001-01-12 | Osamu Kimura | 高周波用磁性材料 |
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| JP2002068830A (ja) * | 2000-09-01 | 2002-03-08 | Murata Mfg Co Ltd | 六方晶ｙ型酸化物磁性材料およびインダクタ素子 |
| JP2002246224A (ja) * | 2001-02-14 | 2002-08-30 | Toda Kogyo Corp | 軟磁性シート |
| JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
| JP2004143042A (ja) * | 2003-12-16 | 2004-05-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | マイクロ波用磁性体材料とその製造方法およびこれを用いた高周波回路部品 |
-
2001
- 2001-03-01 JP JP2001056412A patent/JP4074439B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| TWI666661B (zh) * | 2015-01-22 | 2019-07-21 | 日商保德科技股份有限公司 | 六角板狀鐵氧體粉末及其製造方法，以及使用該鐵氧體粉末的樹脂組合物及成型體 |
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