JPH10241942A

JPH10241942A - 積層電子部品とその特性調整方法

Info

Publication number: JPH10241942A
Application number: JP6248097A
Authority: JP
Inventors: Takashi Sugihara; 隆杉原
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11
Anticipated expiration: 2017-02-28
Also published as: JP3423569B2

Abstract

(57)【要約】【課題】積層電子部品の外形や寸法等を変えることな
く、簡便に且つ有る程度自由に積層電子部品のインダク
タンスやインピーダンスを変えて、実際製造される積層
電子部品のインダクタンスやインピーダンスを調整す
る。【解決手段】積層電子部品は、コイル磁芯を構成すセ
ラミック層１、１…の間で順次接続されてコイル状に連
なった内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミックの積層
体１１と、この積層体１１の端部に設けられ、前記内部
電極５ａ、５ｂ…の一部に接続された外部電極１４、１
４とを有する。前記コイル磁芯を構成するセラミック層
１、１…の少なくとも片側に、内部電極５ａ、５ｂ…を
有しないブランクのセラミック層１’、２、３、４が積
層され、このブランクのセラミック層１’、２、３、４
の少なくとも一部を、前記コイル磁芯を構成するセラミ
ック層１、１…と透磁率の異なるセラミック層２、３、
４とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体積層体の内
部にコイル状の導体を有する積層電子部品に関し、特
に、より具体的には、積層インダクタやそれに積層コン
デンサを組み合わせた積層電子部品に関する。

【０００２】

【従来の技術】積層インダクタの製造において、積層体
を得るプロセスに、スラリビルト法とシート法との２つ
の手法がある。前者のスラリビルト法は、磁性体ペース
トと導電ペーストとをスクリーン印刷等によって順次塗
り重ねて磁性体層と周回状の内部電極パターンとを形成
していく方法である。また、後者のシート法は、スクリ
ーン印刷等によって予め導体により周回状の内部電極パ
ターンが印刷された磁性体シートを積層すると共に、各
磁性体シート上の周回状の内部電極パターンをスルーホ
ールで接続するものである。

【０００３】前記の何れの方法で得られた積層体でも、
最終的にはそれが焼成され、さらに導体の露出している
両端面に導電ペーストを焼き付け、外部電極が形成され
る。これによって積層インダクタが得られる。こうして
得られた磁性体の積層体の内部には、その積層方向に重
畳して周回するコイル状の内部電極が形成され、この内
部電極の一部は、前記積層体の端部で外部電極に接続さ
れる。さらに、このような積層部品は、前記のような積
層インダクタに、さらに積層コンデンサを組み合わせた
複合部品、いわゆるＬＣ部品等としても適用される。

【０００４】例えば、積層ＬＣ部品は、前記のようにし
て周回状の内部電極を有する磁性体シートと、対向する
一対の内部電極を有する誘電体シートとを積み重ね、一
体の積層体としたものである。この積層体の端部に外部
電極が形成され、この外部電極が前記周回状の内部電極
の一部と対向する内部電極が接続され、外部電極を介し
てインダクタとコンデンサとが所定の状態に接続され
る。

【０００５】このような積層電子部品は、その製造工程
において、完成した積層電子部品のインダクタンスやイ
ンピーダンスが設計された所望の範囲に収まることを目
標として製造される。しかし、実際に製造された積層電
子部品のインダクタンスやインピーダンスが所望の範囲
に収まらないことがある。このような場合は、透磁率の
異なる磁性体材料を使用してセラミックグリーンシート
を作り直すか、コイル状の内部導体の巻き数を変える
か、或いはコイル状の内部電極パターンの形状を変え
て、コイル磁芯の形状を変える等の調整をしたうえで、
それ以降の積層電子部品の製造工程を行わなければなら
ない。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】前記の透磁率の異
なる磁性体材料を使用してセラミックグリーンシートを
作り直す場合、磁性セラミック材料の各成分の配合割合
等を変えて透磁率を変化させることが必要である。しか
しそのためには、磁性セラミック材料の混合、バインダ
ーへの分散、さらにはセラミックグリーンシートの成形
と、面倒な工程を必要とし、手数がかかる。またその手
数がかかる故に、透磁率の違うセラミックグリーンシー
トを多数用意することは出来ず、これによって積層電子
部品の製造工程中に、それらのインダクタンスやインピ
ーダンスを変えるように随時調整することは出来ない。

【０００７】また、コイル状の内部導体の巻き数を変え
て積層電子部品のインダクタンスやインピーダンスを変
える場合、ターン状の内部電極パターンを有するセラミ
ックグリーンシートの枚数を増減することにより巻き数
を変える。しかし、コイル状の内部導体は、その終端を
外部電極と接続するため、積層体の所定の端面にそれぞ
れ導出しなければならない。従って、ターン状の内部電
極パターンを有するセラミックグリーンシートは、数枚
ずつ増減しなければならず、変化するインダクタンスや
インピーダンスは段階的となってしまう。このため、微
少なインダクタンスやインピーダンスの調整が困難であ
った。

【０００８】さらに、コイル磁芯の形状を変えて積層電
子部品のインダクタンスやインピーダンスを変える場
合、周回状の内部電極パターンを印刷するスクリーン等
の印刷用版の印刷パターンを変更し、印刷する内部電極
パターンの形状、寸法を変更する必要がある。しかし、
積層電子部品の小形化が進んでいる現在、内部電極パタ
ーンの形状、寸法を変更する余裕が殆どない。また、ス
クリーン等の版の変更は、乳剤の塗布やそのエッチング
等に多くの手数がかかり、時間と経費の点で極めて不利
である。

【０００９】本発明は、このような従来の積層電子部品
の製造工程時における特性の調整手段の課題に鑑み、積
層電子部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便に且
つ有る程度自由に積層電子部品のインダクタンスやイン
ピーダンスを変えて、実際製造される積層電子部品のイ
ンダクタンスやインピーダンスとその設計値との差を無
くすことが出来る積層電子部品とその特性調整方法を提
供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明では、コイル磁芯を構成すセラミック層１、
１…の間で順次接続されてコイル状に連なった内部電極
５ａ、５ｂ…を有するセラミックの積層体１１におい
て、コイル磁芯を構成するセラミック層１、１…の片側
または両側に、そのセラミック層１、１…と透磁率の異
なるセラミック層２、３、４を積層したものである。こ
の透磁率の違いにより、コイル磁芯を構成するセラミッ
ク層１、１…の両側に、同じ透磁率のセラミック層１’
のみを積層した場合に比べて、インダクタンスやインピ
ーダンスを変化させることができる。

【００１１】すなわち、本発明による積層電子部品は、
コイル磁芯を構成すセラミック層１、１…の間で順次接
続されてコイル状に連なった内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミックの積層体１１と、この積層体１１の端部
に設けられ、前記内部電極５ａ、５ｂ…の一部に接続さ
れた外部電極１４、１４とを有し、前記コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…の少なくとも片側に、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層
１’、２、３、４が積層され、このブランクのセラミッ
ク層１’、２、３、４の少なくとも一部が、前記コイル
磁芯を構成するセラミック層１、１…と透磁率の異なる
セラミック層２、３、４であることを特徴とする。

【００１２】このような積層電子部品において、そのイ
ンダクタンスは、主として周回状の内部電極５ａ、５ｂ
…の巻き数、その内側のコイル磁芯の形状、寸法、及び
そのコイル磁芯の透磁率によって決定される。ここで、
コイル磁芯となるのは、周回状の内部電極５ａ、５ｂ…
が形成されたセラミック層１、１…の部分である。従っ
て、その透磁率は、積層電子部品のインダクタンスに大
きな影響を与える。しかしながら、前記コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…の外側の内部電極５ａ、５
ｂ…が形成されていないブランクのセラミック層１’、
２、３、４も、少なからず積層電子部品のインダクタン
ス値に影響を与えている。

【００１３】そこで本発明では、このブランクのセラミ
ック層１’、２、３、４の部分に、コイル磁芯を構成す
るセラミック層１、１…と同じ透磁率のセラミック層
１’を積層するのに替えて、その一部または全部を異な
る透磁率のセラミック層２、３、４に置き換えることに
より、積層電子部品のインダクタンスを変える手段を提
案している。このような積層電子部品は、その積層数や
形状、寸法を変えることなく、ブランクのセラミック層
の一部または全体を他のセラミック層に置き換えるだけ
で、インダクタンス値を容易に変更することが出来る。

【００１４】この場合、ブランクのセラミック層１’、
２、３、４として積層するセラミック層の透磁率を変え
たり、透磁率の違うブランクのセラミック層１’、２、
３、４を適当に組み合わせることにより、インダクタン
スを任意に変えることが出来る。なお、ブランクのセラ
ミック層１’、２、３、４の少なくとも一部は、前記コ
イル磁芯を構成するセラミック層１、１…より透磁率が
大きいものが好ましい。

【００１５】このような積層電子部品は、インダクタに
コンデンサ等の他の電子部品要素を組み合わせた複合電
子部品にもそのまま適用することが出来る。すなわち、
セラミックの積層体１１が、前記のようなインダクタの
他に、セラミック層７、７…を介して互いに対向すると
共に、積層体１１の端部の外部電極１４、１４にそれぞ
れ接続された一対以上の内部電極８ａ、８ｂを有するコ
ンデンサを含んでいる積層電子部品にもそのまま適用す
ることが出来る。この場合も同様にして、いわゆるブラ
ンクのセラミック層１’、２、３、４の部分に、コイル
磁芯を構成するセラミック層１、１…と透磁率の違うセ
ラミック層２、３、４を適用することにより、インダク
タ部分のインダクタンス或いは積層電子部品のインピー
ダンスを変化させることが出来る。

【００１６】例えば、コイル磁芯を構成するセラミック
層１、１…と対向する内部電極８ａ、８ｂ…を有するセ
ラミック層７、７…との間に、内部電極５ａ、５ｂ…、
８ａ、８ｂを有しないブランクのセラミック層１’、
２、３、４、９を積層し、このブランクのセラミック層
１’、２、３、４、９の少なくとも一部を、前記コイル
磁芯を構成するセラミック層１、１…と透磁率の異なる
セラミック層２、３、４とする。また、コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…と透磁率の異なるセラミッ
ク層２、３、４は、対向する内部電極８ａ、８ｂ…を有
するセラミック層７、７…と反対側の面に積層するブラ
ンクのセラミック層にも適用することが出来る。

【００１７】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１２は、積層チップインダクタである積層電子部品の
積層体の構造を示す概念図である。このような積層体
は、通常次のようにして多数のものが同時に製造され
る。

【００１８】まず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバ
インダー中に分散した磁性体スラリーを用い、ドクター
ブレード法、押出成形法等の手段で薄い磁性体セラミッ
クグリーンシートを作る。これらのセラミックグリーン
シートの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜く。そ
の後、銀ペースト等の導電ペーストを使用し、このセラ
ミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パタ
ーンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スル
ーホールに導電ペーストを吸引し、スルーホール導体を
印刷する。

【００１９】必要とするコイルの巻数により、異なる形
状の内部電極パターンを有するセラミックグリーンシー
トを適当な組数用意し、これらを順次積層する。そし
て、これらセラミックグリーンシートの両側に内部電極
パターンが印刷されていないセラミックグリーンシート
を積層する。この積層体を圧着した後、個々のチップ毎
に裁断し、この未焼成の積層チップを焼成しすることに
より、焼成済みの積層体１１を得る。

【００２０】こうして得られた積層体１１は、複数のセ
ラミック層１、１…、１’、１’…が積層され、一体と
なったものであり、その層構造を図１２に示す。セラミ
ック層１には、周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形成さ
れている。これら内部電極５ａ、５ｂ…は、スルーホー
ル６、６…に設けられたスルーホール導体を介して順次
接続され、積層体１１の内部でコイル状に連なってい
る。磁性体セラミックからなるセラミック層１、１…
は、このコイルの磁芯となる。内部電極５ａ、５ｂ…を
有するセラミック層１、１…のうち、図１２において上
下の端のセラミック層１、１に形成された内部電極積５
ｅ、５ｆは、積層体１１の対向する一対の端面にそれぞ
れ導出している。

【００２１】さらに、前記内部電極５ａ、５ｂ…が形成
されたセラミック層１、１…の両側に、内部電極が形成
されていないセラミック層１’、１’…、いわゆるブラ
ンクのセラミック層１’、１’…が積層されている。図
１２の積層体１１では、このブランクのセラミック層
１’、１’…は、前記内部電極５ａ、５ｂ…を有するコ
イル磁芯となるセラミック層１、１…と同じ磁性体材料
からなり、それらの透磁率は同じである。

【００２２】図１０に示すように、このような積層体１
１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これ
を焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッ
キや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４が形成さ
れる。この外部電極１４、１４には、積層体１１の端面
に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ（図１１参照）に
接続される。図１０において、符号１３は、内部電極５
ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、１…が積層された
コイル部分、符号１２は、内部電極５ａ、５ｂ…を有し
ないブランクのセラミックシート１’、１’…が積層さ
れた保護層部分である。

【００２３】その後、この外部電極１４、１４の間で、
内部電極５ａ、５ｂ…により形成されたコイルのインダ
クタンスが測定される。その結果、測定されたインダク
タンス値が設計された所望のインダクタンス値の許容範
囲に収まらない場合、前記ブランクのセラミック層
１’、１’…の全部または一部を、それとは透磁率の異
なる他のブランクのセラミック層２、３、４に替え、そ
れ以降の積層インダクタの製造工程を行う。

【００２４】セラミック層１、１’、２、３、４の透磁
率は、その中に含まれる磁性体セラミック材料の成分の
組成により変えることが出来る。例えば後述するよう
に、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯからなるフェラ
イト系磁性体セラミックにおいて、Ｆｅ₂Ｏ₃を一定の組
成比とした場合、ＮｉＯの組成比が少ない程、換言する
とその他の成分のＺｎＯ、ＣｕＯの組成比が多い程、透
磁率が大きくなる。このようにして磁性体セラミックの
組成比を変え、透磁率の異なる複数種類の磁性体セラミ
ックグリーンシートを用意しておく。これら磁性体セラ
ミックグリーンシートには、内部電極パターンは印刷し
ない。

【００２５】そして、前記のインダクタンス値の測定結
果に応じて、前述のようにセラミックグリーンシートを
積層する際に、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミッ
ク層１、１…を形成するのと同じ種類のブランクのセラ
ミックグリーンシートに代えて、磁性体セラミックの組
成比の異なる、すなわち透磁率が異なる磁性体セラミッ
ク層２、３、４が得られる前記セラミックグリーンシー
トを積層する。以下、前記と同様にして積層インダクタ
を製造する。

【００２６】このようにして、ブランクのセラミック層
１’、２、３、４の一部または全部に、コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…と異なる透磁率を有するセ
ラミック層２、３、４を積層した例を図１〜図５に示
す。図１の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラ
ミック層１、１…の両側に、同層１、１…と同じ透磁率
を有するブランクのセラミック層１’、１’を２層ずつ
積層し、さらにその外側にそれらと透磁率の異なる３種
類のブランクのセラミック層２、３、４を１層ずつ積層
している。この積層インダクタのブランクのセラミック
層１’、２、３、４の透磁率は、内側から外側にいくに
従って高くなる。

【００２７】図２の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の両側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を４層ずつ積層し、さらにその外側にそれらと透磁率の
異なる１種類のブランクのセラミック層２を積層してい
る。外側のブランクのセラミック層２の透磁率は、内側
のブランクのセラミック層１、１’より高い。

【００２８】図３の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の両側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を３層ずつ積層し、さらにその外側にそれらと透磁率の
異なる２種類のブランクのセラミック層２、３を１層ず
つ積層している。この積層インダクタのブランクのセラ
ミック層１’、２、３の透磁率は、内側から外側にいく
に従って高くなる。

【００２９】図４の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を５層積層し、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミッ
ク層１、１…の他側に、それと同じ透磁率を有するブラ
ンクのセラミック層１’、１’…を４層積層し、さらに
その外側にそれらと透磁率の異なる１種類のブランクの
セラミック層４を１層積層している。外側のブランクの
セラミック層４の透磁率は、内側のブランクのセラミッ
ク層１、１’より高い。

【００３０】図５の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を５層積層し、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミッ
ク層１、１…の他側に、それと同じ透磁率を有するブラ
ンクのセラミック層１’、１’…を２層積層し、さらに
その外側にそれらと透磁率の異なる３種類のブランクの
セラミック層２、３、４を１層ずつ積層している。ブラ
ンクのセラミック層１’、２、３の透磁率は、内側から
外側にいくに従って高くなる。

【００３１】このようにして、ブランクのセラミック層
１’、２、３、４の一部または全部を、コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…と透磁率が異なるブランク
のセラミック層２、３、４に置き換えることにより、積
層電子部品のインダクタンスを変えることが出来る。こ
れにより、積層電子部品の積層数や形状、寸法を変える
ことなく、そのインダクタンス値を容易に変更すること
が出来る。そして、ブランクのセラミック層１’、２、
３、４として積層するセラミック層の透磁率を変えた
り、透磁率の違うブランクのセラミック層１’、２、
３、４を適当に組み合わせることにより、所望のインダ
クタンス値とすることが出来る。

【００３２】なお、図１〜図５に示す積層体から作られ
る積層インダクタの形状及び寸法は、基本的に図１２に
示す積層体から作られる積層インダクタと同じであり、
図１０に示すような形状を有する。積層電子部品のイン
ダクタンス値を大きく変えるためには、コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…と、その外側のブランクの
セラミック層２、３、４との透磁率の差を大きくとる
か、透磁率の違うセラミック層２、３、４の積層数を多
くする。他方、積層電子部品のインダクタンス値を僅か
に変えるためには、コイル磁芯を構成するセラミック層
１、１…と、その外側のブランクのセラミック層２、
３、４との透磁率の差を小さくとるか、透磁率の違うセ
ラミック層２、３、４の積層数を少なくする。また、積
層電子部品のインダクタンス値を大きく変える場合は、
コイル磁芯を構成するセラミック層１、１…の両側に透
磁率の違うセラミック層２、３、４を挿入する。他方、
積層電子部品のインダクタンス値を僅かに変えるために
は、コイル磁芯を構成するセラミック層１、１…の片側
のみに透磁率の違うセラミック層２、３、４を挿入す
る。

【００３３】このような積層電子部品は、インダクタに
コンデンサ等の他の電子部品要素を組み合わせた複合電
子部品にもそのまま適用することが出来る。図１３は、
インダクタにコンデンサを組み合わせた複合電子部品で
ある積層電子部品の積層体の層構造を示す概念図であ
る。このような積層体は、基本的には、前述のような積
層インダクタと同様にして製造されるが、インダクタ部
分にブランクのセラミック層を介してコンデンサ部分が
積層されていることが異なる。

【００３４】すなわち、前記のようなインダクタを構成
するセラミック層１、１’を形成するためのセラミック
グリーンシート以外に、チタン酸バリウム等の誘電体粉
末を含む誘電体セラミックグリーンシートを用意し、銀
ペースト等の導電ペーストを使用し、このセラミックグ
リーンシートの一部に内部電極パターンを縦横に列べて
多数組分印刷する。

【００３５】そして、前記のようにして積層された磁性
体セラミックグリーンシートの上に、内部電極が印刷さ
れていない誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積
層し、この上に互いにずれた内部電極パターンを有する
セラミックグリーンシートを交互に積層する。この内部
電極を有する誘電体セラミックグリーンシートを必要と
する静電容量により、適当な枚数積層した上に、さらに
内部電極パターンが印刷されていない誘電体セラミック
グリーンシートを積層する。

【００３６】誘電体セラミックグリーンシートと磁性体
セラミックグリーンシートとの積層順序は、前後しても
よいことはもちろんである。すなわち、誘電体セラミッ
クグリーンシートを予め積層し、その上に磁性体セラミ
ックグリーンシートを積層するが出来るのは、言うまで
もない。この積層体を圧着し、焼成した後、個々のチッ
プ毎に裁断することにより、図１３に示すような焼成済
みの積層体１１を得る。

【００３７】図１３に示すように、得られた積層体１１
は、複数のセラミック層１、１…、１’、１’…、７、
７…、９、９が積層され、一体となったものである。セ
ラミック層１には、周回状の内部電極５ａ、５ｂ…が形
成され、これら内部電極５ａ、５ｂ…は、スルーホール
６、６…に設けられたスルーホール導体を介して順次接
続され、積層体１１の内部でコイル状に連なっている。
磁性体セラミックからなるセラミック層１、１…は、こ
のコイルの磁芯となる。内部電極５ａ、５ｂ…を有する
セラミック層１、１…のうち、図１３において上下の端
のセラミック層１、１に形成された内部電極積５ｅ、５
ｆは、積層体１１の対向する一対の端面にそれぞれ導出
している。

【００３８】さらに、前記内部電極５ａ、５ｂ…が形成
されたセラミック層１、１…の両側に、内部電極が形成
されていないセラミック層１’、１’…、いわゆるブラ
ンクのセラミック層１’、１’…が積層されている。図
１３の積層体１１では、このブランクのセラミック層
１’、１’…は、前記内部電極５ａ、５ｂ…を有するセ
ラミック層１、１…と同じセラミック材料からなり、そ
れらの透磁率は同じである。

【００３９】内部電極５ａ、５ｂ…を有しない一方の磁
性体セラミック層１’、１’…の上に、内部電極８ａ、
８ｂを有していない誘電体セラミック層９が積層され、
この上に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミック
層７、７…が積層され、さらにこの上に内部電極８ａ、
８ｂを有していない誘電体セラミック層９が積層されて
いる。誘電体セラミック層７、７…に設けられた内部電
極８ａ、８ｂは、同セラミック層７、７…を介して対向
している共に、前記内部電極５ｅ、５ｆが導出された積
層体１１の対向する一対の端面に交互に導出されてい
る。

【００４０】図１１に示すように、このような積層体１
１の両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これ
を焼き付け、さらに必要に応じてその上にニッケルメッ
キや半田メッキ等を施して外部電極１４、１４が形成さ
れる。この外部電極１４、１４には、積層体１１の端面
に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ、８ａ、８ｂ（図
１３参照）が接続される。これにより、図示の例では、
内部電極５ａ、５ｂ…により形成されるインダクタと、
内部電極８ａ、８ｂの対向により取得される静電容量と
が、外部電極１４、１４を介して並列に接続された状態
となる。

【００４１】図１１において、符号１３は、内部電極５
ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、１…が積層された
コイル部分、符号１２は、内部電極５ａ、５ｂ…を有し
ないブランクのセラミックシート１’、１’…が積層さ
れた保護層部分である。また、符号１６は、内部電極８
ａ、８ｂを有するセラミック層７、７…が積層されたコ
ンデンサ部分、符号１６は、内部電極８ａ、８ｂ…を有
しないブランクのセラミックシート９、９…が積層され
た保護層部分である。

【００４２】その後、この外部電極１４、１４の間で、
前記インダクタ部のインダクタンスとコンデンサ部の静
電容量が測定され、積層ＬＣ部品のインピーダンスが測
定される。その結果、測定されたインピーダンスが設計
された所望のインピーダンス値の許容範囲に収まらない
場合、以後の積層ＬＣ部品の製造工程では、前記と同様
にして、ブランクのセラミック層１’、１’…の全部ま
たは一部を、それとは透磁率の異なる他のブランクのセ
ラミックシート２、３、４に替え、インダクタ部のイン
ダクタンス値を変える。

【００４３】このようにして、ブランクのセラミック層
１’、２、３、４の一部または全部に、コイル磁芯を構
成するセラミック層１、１…と異なる透磁率を有するセ
ラミック層２、３、４を積層した例を図６〜図９に示
す。図６の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラ
ミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同じ透磁率
を有するブランクのセラミック層１’、１’…を５層積
層し、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、
１…とコンデンサ側のブランクのセラミックシート９と
の間に、前記セラミック層１、１…と同じ透磁率を有す
るブランクのセラミック層１’、１’…を４層積層し、
さらにその上に透磁率の異なる１種類のブランクのセラ
ミック層４を１層積層している。ブランクのセラミック
層４の透磁率は、ブランクのセラミック層１、１’より
高い。

【００４４】図７の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を５層積層し、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミッ
ク層１、１…とコンデンサ側のブランクのセラミックシ
ート９との間に、前記セラミック層１、１…と同じ透磁
率を有するブランクのセラミック層１’、１’…を２層
積層し、さらにその上に透磁率の異なる３種類のブラン
クのセラミック層２、３、４を１層ずつ積層している。
これらのブランクのセラミック層１’、２、３の透磁率
は、図において下から上にいくに従って高くなる。

【００４５】図８の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同
じブランクのセラミック層１’、１’…を４層積層し、
さらにその外側にそれらと透磁率の異なる１種類のブラ
ンクのセラミック層２を１層積層している。また、内部
電極５ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、１…とコン
デンサ側のブランクのセラミックシート９との間にも、
前記セラミック層１、１…と同じ透磁率を有するブラン
クのセラミック層１’、１’…を４層積層し、さらにそ
の上に透磁率の異なる１種類のブランクのセラミック層
２を１層積層している。図において、上側と下側のブラ
ンクのセラミック層２の透磁率は、その内側のブランク
のセラミック層１、１’より高い。

【００４６】図９の例では、内部電極５ａ、５ｂ…を有
するセラミック層１、１…の片側に、同層１、１…と同
じ透磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…
を２層積層し、さらにその外側にそれらと透磁率の異な
る３種類のブランクのセラミック層２を１層ずつ積層し
ている。また、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミッ
ク層１、１…とコンデンサ側のブランクのセラミックシ
ート９との間にも、前記セラミック層１、１…と同じ透
磁率を有するブランクのセラミック層１’、１’…を２
層積層し、さらにその上に透磁率の異なる３種類のブラ
ンクのセラミック層２、３、４を１層ずつ積層してい
る。ブランクのセラミック層１’、２、３、４の透磁率
は、内側から外側にいくに従って高くなる。なお、図６
〜図９に示す積層体から作られる積層インダクタの形状
及び寸法は、基本的に図１３に示す積層体から作られる
積層インダクタと同じであり、図１１に示すような形状
を有する。

【００４７】

【実施例】次に、本発明の実施例について、具体的数値
をあげて詳細に説明する。（実施例１）フェライト系磁性体粉末を作るため、表１
に示すような割合で原料粉末を混合し、表１のＮｏ．１
〜４まで、４種類の磁性体材料粉末を調整した。また、
後述の方法と同様にして、これらＮｏ．１〜４の磁性体
材料粉末をバインダに分散してスラリとし、このスラリ
をリング状に成形し、これを後述する積層インダクタと
同様にして焼成してリング状の磁性セラミックを作っ
た。そして、このリング状の磁性セラミックにトロイダ
ルコイルを巻線し、９３０℃の温度下での透磁率を測定
した。その結果も表１に示す。

【００４８】

【表１】

【００４９】前記のようにして調整した磁性体材料粉末
をそれぞれ６８０℃で仮焼きした後、これらを有機バイ
ンダー中に分散し、磁性体スラリを作った。この磁性体
スラリをドクターブレード法により成形し、厚さ３２μ
ｍの磁性体セラミックグリーンシートを作った。これら
セラミックグリーンシートのうち、前記磁性体材料Ｎ
ｏ．１を使用して作られたセラミックグリーンシートの
所定の位置に予めスルーホールを打ち抜いた後、銀ペー
ストを使用し、このセラミックグリーンシートの上に周
回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組分印
刷すると共に、上記スルーホールに銀ペーストを吸引
し、スルーホール導体を印刷した。

【００５０】まず、前記内部電極パターンが印刷されて
いないブランクのセラミックグリーンシートを５枚積層
した。ここでは、前記磁性体材料Ｎｏ．４を使用して作
られたブランクのセラミックグリーンシート、前記磁性
体材料Ｎｏ．３を使用して作られたブランクのセラミッ
クグリーンシート及び前記磁性体材料Ｎｏ．２を使用し
て作られたブランクのセラミックグリーンシートをそれ
ぞれ１枚ずつこの順に積層し、その上に、前記磁性体材
料Ｎｏ．１を使用して作られたブランクのセラミックグ
リーンシートを２枚積層した。

【００５１】次に、内部電極パターンを有するセラミッ
クグリーンシートを、スルーホールを介してそれらがコ
イル状に連なるように順次積層した。さらに、これらセ
ラミックグリーンシートの上に内部電極パターンが印刷
されていないブランクのセラミックグリーンシートを５
枚積層した。ここでは、前記磁性体材料Ｎｏ．１を使用
して作られたブランクのセラミックグリーンシートを２
枚積層した後、その上に前記磁性体材料Ｎｏ．２を使用
して作られたブランクのセラミックグリーンシート、前
記磁性体材料Ｎｏ．３を使用して作られたブランクのセ
ラミックグリーンシート及び前記磁性体材料Ｎｏ．４を
使用して作られたブランクのセラミックグリーンシート
をそれぞれ１枚ずつこの順に積層した。

【００５２】この積層体を３９０Ｋｇｆ／ｃｍ² の圧力
で圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。この未焼成
の積層チップを、５００℃の温度で脱バインダー処理し
た後、８９０℃の温度で焼成することにより、図１に示
すような焼成済みの積層体１１を得た。図１において、
セラミック層１、１…とセラミック層１’は、前記Ｎ
ｏ．１の磁性体材料を使用したセラミックグリーンシー
トが焼成されて形成されたもので、セラミック層２、
３、４は、それぞれ前記Ｎｏ．２、３、４の磁性体材料
を使用したブランクのセラミックグリーンシートが焼成
されて形成されたものである。さらにこの積層体１１の
両端に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼
き付け、さらにその上にニッケルメッキや半田メッキ等
を施して外部電極１４、１４を形成した。これによって
積層インダクタが完成した。

【００５３】この積層インダクタのインダクタンス値を
測定し、この値を後述する比較例による積層インダクタ
のインダクタンス値の測定結果と比較した。この比較例
は、内部電極５ａ、５ｂ…を有するセラミック層１、１
…の両側に、全て同層１、１…と同じ前記Ｎｏ．１の磁
性材料を使用して作った同じ透磁率のブランクのセラミ
ック層１’、１’を積層したものである。その結果、比
較例に対する実施例のインダクタンス値の変動率は＋１
１％であった。なお、インダクタンス値の変動率の計算
は次に式により計算した。

【００５４】（実施例２）前記実施例１において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例１と同
様にして図２に示すような積層体を作り、これから積層
インダクタを作った。図２において、図１と同じ符号
は、同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作った
セラミックグリーンシートが焼成されることにより形成
されたセラミック層を示す。この積層インダクタのイン
ダクタンス値を測定し、前記の式により、その比較例に
対するインダクタンス値の変動率を求めたところ、＋４
％であった。

【００５５】（実施例３）前記実施例１において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例１と同
様にして図３に示すような積層体を作り、これから積層
インダクタを作った。図３において、図１と同じ符号
は、同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作った
セラミックグリーンシートが焼成されることにより形成
されたセラミック層を示す。この積層インダクタのイン
ダクタンス値を測定し、前記の式により、その比較例に
対するインダクタンス値の変動率を求めたところ、＋５
％であった。

【００５６】（実施例４）前記実施例１において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例１と同
様にして図４に示すような積層体を作り、これから積層
インダクタを作った。図４において、図１と同じ符号
は、同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作った
セラミックグリーンシートが焼成されることにより形成
されたセラミック層を示す。この積層インダクタのイン
ダクタンス値を測定し、前記の式により、その比較例に
対するインダクタンス値の変動率を求めたところ、＋１
％であった。

【００５７】（実施例５）前記実施例１において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例１と同
様にして図５に示すような積層体を作り、これから積層
インダクタを作った。図５において、図１と同じ符号
は、同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作った
セラミックグリーンシートが焼成されることにより形成
されたセラミック層を示す。この積層インダクタのイン
ダクタンス値を測定し、前記の式により、その比較例に
対するインダクタンス値の変動率を求めたところ、＋４
％であった。

【００５８】（実施例６）前記実施例１において、磁性
体セラミックグリーンシートの他に、チタン酸バリウム
粉末を含む誘電体セラミックグリーンシートを用意し、
銀ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの
一部に内部電極パターンを縦横に列べて多数組分印刷し
た。前記実施例１において、内部電極５ａ、５ｂ…を有
しないブランクのセラミック層を形成するためのブラン
クのセラミックグリーンシートの種類及び積層順序を変
えて、インダクタ部となるセラミックグリーンシートを
積層し、さらにその上に、内部電極が印刷されていない
誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層した。こ
の上に互いにずれた内部電極パターンを有するセラミッ
クグリーンシートを交互に複数層積層した。さらにこの
上に、内部電極パターンが印刷されていない誘電体セラ
ミックグリーンシートを積層した。

【００５９】以下、前記実施例１と同様にして図６に示
すような積層体を作り、これから積層ＬＣ部品を作っ
た。図６において、図１と同じ符号は、同じ配合の磁性
体材料をバインダに分散して作ったセラミックグリーン
シートが焼成されることにより形成されたセラミック層
を示す。また、符号７と９は、誘電体セラミック層を示
す。この積層ＬＣ部品のインダクタ部のインダクタンス
値を測定し、前記の式により、その比較例に対するイン
ダクタンス値の変動率を求めたところ、＋２％であっ
た。

【００６０】（実施例７）前記実施例６において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例６と同
様にして図７に示すような積層体を作り、これから積層
ＬＣ部品を作った。図７において、図６と同じ符号は、
同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作ったセラ
ミックグリーンシートが焼成されることにより形成され
たセラミック層を示す。この積層ＬＣ部品のインダクタ
部のインダクタンス値を測定し、前記の式により、その
比較例に対するインダクタンス値の変動率を求めたとこ
ろ、＋６％であった。

【００６１】（実施例８）前記実施例６において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例６と同
様にして図８に示すような積層体を作り、これから積層
ＬＣ部品を作った。図８において、図６と同じ符号は、
同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作ったセラ
ミックグリーンシートが焼成されることにより形成され
たセラミック層を示す。この積層ＬＣ部品のインダクタ
部のインダクタンス値を測定し、前記の式により、その
比較例に対するインダクタンス値の変動率を求めたとこ
ろ、＋３％であった。

【００６２】（実施例９）前記実施例６において、内部
電極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を
形成するためのブランクのセラミックグリーンシートの
種類及び積層順序を変えて、その他は前記実施例６と同
様にして図９に示すような積層体を作り、これから積層
ＬＣ部品を作った。図９において、図６と同じ符号は、
同じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作ったセラ
ミックグリーンシートが焼成されることにより形成され
たセラミック層を示す。この積層ＬＣ部品のインダクタ
部のインダクタンス値を測定し、前記の式により、その
比較例に対するインダクタンス値の変動率を求めたとこ
ろ、＋１６％であった。

【００６３】（比較例）前記実施例１において、内部電
極５ａ、５ｂ…を有しないブランクのセラミック層を形
成するためのブランクのセラミックグリーンシートを、
全て内部電極を有するセラミック層１、１…を形成する
ための前記Ｎｏ．１の磁性材料粉末を含むセラミックグ
リーンシートとし、その他は前記実施例１と同様にして
図１２に示すような積層体を作り、これから積層インダ
クタを作った。図１２において、図１と同じ符号は、同
じ配合の磁性体材料をバインダに分散して作ったセラミ
ックグリーンシートが焼成されることにより形成された
セラミック層を示す。この積層インダクタのインダクタ
ンス値を測定し、これを基準として前記各実施例による
積層インダクタ及び積層ＬＣ部品のインダクタンス値を
比較した。

【００６４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明による積層電
子部品とそのインダクタンス調整方法では、積層電子部
品の積層数や形状、寸法を変えることなく、ブランクの
セラミック層の一部または全体を他のセラミック層に置
き換えるだけで、インダクタンス値を容易に変更するこ
とが出来る。しかも、ブランクのセラミック層１’、
２、３、４として積層するセラミック層の透磁率を変え
たり、透磁率の違うブランクのセラミック層１’、２、
３、４を適当に組み合わせることにより、インダクタン
スを任意に変えることが出来る。これにより、積層電子
部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便に且つ有る
程度自由に積層電子部品のインダクタンスやインピーダ
ンスを変えて、実際製造される積層電子部品のインダク
タンスやインピーダンスとその設計値との差を無くすこ
とが出来るようになる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による積層インダクタの例を示すその積
層体の分解斜視図である。

【図２】本発明による積層インダクタの他の例を示すそ
の積層体の分解斜視図である。

【図３】本発明による積層インダクタの他の例を示すそ
の積層体の分解斜視図である。

【図４】本発明による積層インダクタの他の例を示すそ
の積層体の分解斜視図である。

【図５】本発明による積層インダクタの他の例を示すそ
の積層体の分解斜視図である。

【図６】本発明による積層ＬＣ部品の例を示すその積層
体の分解斜視図である。

【図７】本発明による積層ＬＣ部品の他の例を示すその
積層体の分解斜視図である。

【図８】本発明による積層ＬＣ部品の他の例を示すその
積層体の分解斜視図である。

【図９】本発明による積層ＬＣ部品の他の例を示すその
積層体の分解斜視図である。

【図１０】本発明による積層インダクタの例を示すその
外観斜視図である。

【図１１】本発明による積層ＬＣ部品の例を示すその外
観斜視図である。

【図１２】積層インダクタの比較例を示すその積層体の
分解斜視図である。

【図１３】積層ＬＣ部品の比較例を示すその積層体の分
解斜視図である。

【符号の説明】

１コイル磁芯を構成するセラミック層１’ ブランクのセラミック層２透磁率の異なるブランクのセラミック層３透磁率の異なるブランクのセラミック層４透磁率の異なるブランクのセラミック層５ａ内部電極５ｂ内部電極５ｃ内部電極５ｄ内部電極５ｅ内部電極５ｆ内部電極１１積層体１４外部電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コイル磁芯を構成すセラミック層
（１）、（１）…の間で順次接続されてコイル状に連な
った内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有するセラミック
の積層体（１１）と、この積層体（１１）の端部に設け
られ、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…の一部に接続
された外部電極（１４）、（１４）とを有する積層電子
部品において、前記コイル磁芯を構成するセラミック層
（１）、（１）…の少なくとも片側に、内部電極（５
ａ）、（５ｂ）…を有しないブランクのセラミック層
（１’）、（２）、（３）、（４）が積層され、このブ
ランクのセラミック層（１’）、（２）、（３）、
（４）の少なくとも一部が、前記コイル磁芯を構成する
セラミック層（１）、（１）…と透磁率の異なるセラミ
ック層（２）、（３）、（４）であることを特徴とする
積層電子部品。
【請求項２】ブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）がそれぞれ透磁率の異なる複数
種類のセラミック層（１’）、（２）、（３）、（４）
からなることを特徴とする請求項１に記載の積層電子部
品。
【請求項３】ブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）の少なくとも一部が、前記コイ
ル磁芯を構成するセラミック層（１）、（１）…より透
磁率が大きいセラミック層（２）、（３）、（４）であ
ることを特徴とする請求項１または２に記載の積層電子
部品。
【請求項４】セラミックの積層体（１１）は、セラミ
ック層（７）、（７）…を介して互いに対向すると共
に、積層体（１１）の端部の外部電極（１４）、（１
４）にそれぞれ接続された一対以上の内部電極（８
ａ）、（８ｂ）を有することを特徴とする請求項１〜３
の何れかに記載の積層電子部品。
【請求項５】コイル磁芯を構成するセラミック層
（１）、（１）…と対向する内部電極（８ａ）、（８
ｂ）…を有するセラミック層（７）、（７）…との間
に、内部電極（５ａ）、（５ｂ）…、（８ａ）、（８
ｂ）を有しないブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）、（９）が積層され、このブラ
ンクのセラミック層（１’）、（２）、（３）、
（４）、（９）の少なくとも一部が、前記コイル磁芯を
構成するセラミック層（１）、（１）…と透磁率の異な
るセラミック層（２）、（３）、（４）であることを特
徴とする請求項４に記載の積層電子部品。
【請求項６】コイル磁芯を構成すセラミック層
（１）、（１）…の間で順次接続されてコイル状に連な
った内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有するセラミック
の積層体（１１）と、この積層体（１１）の端部に設け
られ、前記内部電極（５ａ）、（５ｂ）…の一部に接続
された外部電極（１４）、（１４）とを有する積層電子
部品の特性を調整する方法において、前記コイル磁芯を
構成するセラミック層（１）、（１）…の少なくとも片
側に、内部電極（５ａ）、（５ｂ）…を有しないブラン
クのセラミック層（１’）、（２）、（３）、（４）を
積層し、このブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）の少なくとも一部を、前記コイ
ル磁芯を構成するセラミック層（１）、（１）…と透磁
率の異なるセラミック層（２）、（３）、（４）とする
ことを特徴とする積層電子部品の特性調整方法。
【請求項７】ブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）を、それぞれ透磁率の異なる複
数種類のセラミック層（１’）、（２）、（３）、
（４）とすることを特徴とする請求項６に記載の積層電
子部品の特性調整方法。
【請求項８】ブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）の少なくとも一部を、前記コイ
ル磁芯を構成するセラミック層（１）、（１）…より透
磁率が大きいセラミック層（２）、（３）、（４）とす
ることを特徴とする請求項６または７に記載の積層電子
部品の特性調整方法。
【請求項９】セラミックの積層体（１１）は、セラミ
ック層（７）、（７）…を介して互いに対向すると共
に、積層体（１１）の端部の外部電極（１４）、（１
４）にそれぞれ接続された一対以上の内部電極（８
ａ）、（８ｂ）を有することを特徴とする請求項６〜８
の何れかに記載の積層電子部品の特性調整方法。
【請求項１０】コイル磁芯を構成するセラミック層
（１）、（１）…と対向する内部電極（８ａ）、（８
ｂ）…を有するセラミック層（７）、（７）…との間
に、内部電極（５ａ）、（５ｂ）…、（８ａ）、（８
ｂ）を有しないブランクのセラミック層（１’）、
（２）、（３）、（４）、（９）を積層し、このブラン
クのセラミック層（１’）、（２）、（３）、（４）、
（９）の少なくとも一部を、前記コイル磁芯を構成する
セラミック層（１）、（１）…と透磁率の異なるセラミ
ック層（２）、（３）、（４）とすることを特徴とする
請求項９に記載の積層電子部品の特性調整方法。