JPH10241997A

JPH10241997A - 積層複合電子部品

Info

Publication number: JPH10241997A
Application number: JP6248297A
Authority: JP
Inventors: Yutaka Irisawa; 裕入沢
Original assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Current assignee: Taiyo Yuden Co Ltd
Priority date: 1997-02-28
Filing date: 1997-02-28
Publication date: 1998-09-11

Abstract

(57)【要約】【課題】積層複合電子部品の外形や寸法等を変えるこ
となく、簡便な手段で積層複合電子部品の焼成時の絶縁
抵抗の低下を防止する。【解決手段】フェライト系セラミックからなる磁性体
セラミック層１、１’と、誘電体セラミック層７、７’
との間に、前記磁性体セラミック層１から多種のセラミ
ック層に近くなる従って、比抵抗が次第に大きくなるよ
うな中間磁性体セラミック層ａ、ｂ…を挿入する。より
具体的には、フェライト系セラミックからなる磁性体セ
ラミック層１、１’と、他種のセラミック層との間に、
前記磁性体セラミック層１から多種のセラミック層に近
くなる従って、Ｚｎの酸化物成分の含有率が次第に大き
くなるような中間磁性体セラミック層ａ、ｂ…、或はＮ
ｉの酸化物成分の含有率が次第に小さくなるような中間
磁性体セラミック層ａ、ｂ…を挿入する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁性体セラミック
と誘電体セラミックのように、異種のセラミック層を積
層してなる積層複合電子部品に関し、例えば、磁性体セ
ラミック層に周回状の内部電極を形成したインダクタ部
と、誘電体セラミック層に対向する内部電極を形成した
コンデンサ部とを組み合わせた積層複合電子部品に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】積層複合電子部品の製造において、積層
体を得るプロセスに、スラリビルト法とシート法との２
つの手法がある。前者のスラリビルト法は、磁性体ペー
ストと導電ペーストとをスクリーン印刷等によって順次
塗り重ねて磁性体層と周回状の内部電極パターンとを形
成し、さらに誘電体ペーストと導電ペーストとを順次塗
り重ねて誘電体層と対向する内部電極パターンとを形成
していく方法である。また、後者のシート法は、スクリ
ーン印刷等によって予め導電ペーストにより周回状の内
部電極パターンが印刷された磁性体セラミックグリーン
シートを積層し、さらに、予め導電ペーストにより対向
する内部電極パターンが印刷された誘電体シートを積層
するものである。各磁性体セラミックグリーンシートに
形成した周回状の内部電極パターンは、予め磁性体セラ
ミックグリーンシートに設けたスルーホール導体で順次
接続する。

【０００３】前記の何れの方法で得られた積層体でも、
最終的にはそれが焼成され、さらに導体の露出している
両端面に導電ペーストを焼き付け、外部電極が形成され
る。これによって積層複合電子部品が得られる。こうし
て得られた積層体の内部には、磁性体層と誘電体層とが
一体となっている。そして、磁性体層には、その積層方
向に重畳して周回するコイル状の内部電極が形成され、
この内部電極の一部は、前記積層体の端部で外部電極に
接続される。また、誘電体層には、同層を介して交互に
対向する一対以上の内部電極が形成され、この内部電極
が前記積層体の対向する端面に交互に導出され、それぞ
れ外部電極に接続される。これにより、外部電極を介し
てインダクタとコンデンサとが所定の状態に接続され
る。

【０００４】このような積層複合電子部品では、その製
造工程において、異種のセラミックの積層体を接合した
状態の積層体を高温で焼成する。ところが、磁性体セラ
ミック層や誘電体セラミック層のように、異種のセラミ
ック層を積層した積層体を高温で焼成すると、磁性体セ
ラミックに含まれる磁性体成分の一部と誘電体セラミッ
クに含まれる誘電体成分の一部とが相互に拡散してしま
う。そのため、これら磁性体成分と誘電体成分の一部が
反応し、低抵抗の化合物が生成する。これによって、積
層複合電子部品の電気的特性が低下してしまうという課
題があった。

【０００５】従来では、このような焼成時における磁性
体セラミック層の電気的特性の低下を防止するため、磁
性体セラミック層と誘電体セラミック層との間に、それ
らの中間の組成を有するセラミック層を挿入すること
で、内部電極を有する磁性体セラミック層と誘電体セラ
ミック層との間を離す等の対策がとられていた。

【０００６】

【発明が解決しようとしている課題】とことが、この種
の積層複合電子部品は、他の電子部品と同様に小型化の
要請が著しく、年々小型化が図られている。これに対
し、前記従来の対策法では、積層体が厚く或は長く且つ
幅広になり、小型化に逆行することなる。それにも拘ら
ず、積層複合電子部品の電気的特性の低下防止には必ず
しも十分な成果が得られていないのが実状である。

【０００７】本発明は、このような従来の積層複合電子
部品の焼成時の電気的特性の低下という課題に鑑み、積
層複合電子部品の外形や寸法等を変えることなく、簡便
な手段で積層複合電子部品の焼成時の電気的特性の低下
を防止することが出来る積層複合電子部品を提供するこ
とを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明では、フェライト系セラミックからなる磁性
体セラミック層１、１’と、他種のセラミック層との間
に、前記磁性体セラミック層１から他種のセラミック層
に近くなる従って、比抵抗が次第に大きくなるような中
間磁性体セラミック層ａ、ｂ…を挿入したものである。
より具体的には、フェライト系セラミックからなる磁性
体セラミック層１、１’と、他種のセラミック層との間
に、前記磁性体セラミック層１から他種のセラミック層
に近くなる従って、Ｚｎの酸化物成分の含有率が次第に
大きくなるような中間磁性体セラミック層ａ、ｂ…、或
はＮｉの酸化物成分の含有率が次第に小さくなるような
中間磁性体セラミック層ａ、ｂ…を挿入したものであ
る。これにより、積層体の焼成時に、磁性体セラミック
層１、１’と他種セラミック層との間の部分で、低抵抗
の化合物が発生することを防止し、積層複合電子部品の
電気的特性の低下を防止するようにしたものである。

【０００９】すなわち、本発明による積層複合電子部品
は、フェライト系磁性体からなる磁性体セラミック層
１、１’と、この磁性体セラミック層１、１’に積層さ
れた他の種類のセラミック層とを有し、前記磁性体セラ
ミック層１、１…と他種のセラミック層との間に、前記
前記磁性体セラミック層１、１…から他種のセラミック
層にいくに従って、比抵抗が次第に大きくなるような中
間磁性体セラミック層ａ、ｂ、…が介在されていること
を特徴とする。

【００１０】より具体的にいうと、前記磁性体セラミッ
ク層１、１…と他種のセラミック層との間に、前記前記
磁性体セラミック層１、１…から他種のセラミック層に
いくに従って、Ｚｎの酸化物の含有率が次第に大きくな
るような中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、…が介在され
ている。例えば、中間磁性体セラミック層ａ、ｂ…は、
磁性体セラミック層１から他種セラミック層に近くなる
に従ってＺｎの酸化物含有率が段階的または連続的に大
きくなっている。

【００１１】また、前記磁性体セラミック層１、１…と
他種のセラミック層との間に、前記前記磁性体セラミッ
ク層１、１…から他種のセラミック層にいくに従って、
Ｎｉの酸化物の含有率が次第に低くなるような中間磁性
体セラミック層ａ、ｂ、…が介在されている。中間磁性
体セラミック層ａ、ｂ…は、磁性体セラミック層１から
他種セラミック層に近くなるに従って、酸化物の含有率
が段階的または連続的に低くなっている。

【００１２】フェライト系磁性体セラミックは、Ｆｅ₂
Ｏ₃、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯを主成分とするものであ
る。このフェライト系磁性体セラミックでは、インダク
タ素子としての電気的特性を考慮してその組成比が決定
される。特に、周回状に連なるコイル状の内部電極が形
成された磁性体セラミック層の部分は、コイル磁芯とな
る部分であり、磁性体としての特性が極めて重要であ
り、その組成は綿密に設計される。

【００１３】前記フェライト系磁性体セラミックにおい
ては、ＺｎＯの含有率が大きい程絶縁抵抗は高くなる。
また、ＮｉＯの含有率が小さい程絶縁抵抗は高くなる。
そこで本発明では、この磁性体セラミック層１、１…と
他種のセラミック層との間に、前記磁性体セラミック層
１、１…から他種セラミック層に近くなるに従って、Ｚ
ｎＯの含有率が次第に大きくなるか、或はＮｉＯの含有
率が次第に小さくなるような中間磁性体セラミック層
ａ、ｂ…を挿入したものである。なお当然ながら、ここ
では前記ＺｎＯの含有率が次第に大きくなり、且つＮｉ
Ｏの含有率が次第に小さくなるような中間磁性体セラミ
ック層ａ、ｂ…を挿入することを含む。

【００１４】ＺｎＯの含有率がより大きいか、或はＮｉ
Ｏの含有率がより小さい中間磁性体セラミック層ａ、ｂ
…は、インダクタを構成する磁性体セラミック層１、１
…より絶縁抵抗値が元々大きいため、焼成時に磁性体成
分と誘電体成分等の他種セラミック成分とが相互拡散
し、反応しても、その部分の絶縁抵抗値が所要の値以下
に低下しない。また、インダクタを構成するセラミック
層１、１…に絶縁抵抗値の低下が及ぶのを防止すること
が出来る。

【００１５】しかも、このような積層電子部品は、磁性
体セラミック層１、１…と同じ比抵抗のブランクの磁性
体セラミック層１’、１’…の一部または全部に代え
て、ＺｎＯやＮｉＯの含有率の異なる中間磁性体セラミ
ック層ａ、ｂ…を挿入すればよいので、積層体１１の積
層数や形状、寸法を変えることなく、インダクタンス値
の低下を防止することが出来る。

【００１６】

【発明の実施の形態】次に、図面を参照しながら、本発
明の実施の形態について、具体的且つ詳細に説明する。
図１は、積層ＬＣ部品である積層複合電子部品の積層体
の構造を示す概念図である。このような積層体は、通常
次のようにして多数のものが同時に製造される。

【００１７】まず、フェライト粉末等の磁性体粉末をバ
インダー中に分散した磁性体スラリーを用い、ドクター
ブレード法、押出成形法等の手段で薄い磁性体セラミッ
クグリーンシートを作る。これらのセラミックグリーン
シートの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜く。そ
の後、銀ペースト等の導電ペーストを使用し、このセラ
ミックグリーンシートの上に周回状の内部電極電極パタ
ーンを縦横に列べて多数組分印刷すると共に、上記スル
ーホールに導電ペーストを吸引し、スルーホール導体を
印刷する。

【００１８】また、酸化チタン等の誘電体粉末を含む誘
電体セラミックグリーンシートを用意し、銀ペースト等
の導電ペーストを使用し、このセラミックグリーンシー
トの一部に内部電極パターンを縦横に列べて多数組分印
刷する。さらに、これら磁性体セラミックグリーンシー
トと誘電体セラミックグリーンシートの他に、前記磁性
体セラミックよりＺｎＯやＮｉＯの含有率が異なる磁性
体セラミックを形成するためのセラミックグリーンシー
トを用意する。

【００１９】磁性体セラミック層の比抵抗は、その中に
含まれる磁性体セラミック材料の成分の組成により異な
る。例えば後述するように、Ｆｅ₂Ｏ₃、ＮｉＯ、Ｚｎ
Ｏ、ＣｕＯからなるフェライト系磁性体セラミックにお
いて、ＺｎＯの含有率が大きい程、またＮｉＯの含有率
が小さい比抵抗は大きくなる。ここでは、磁性体セラミ
ック中の前記ＺｎＯやＮｉＯの含有率の違う磁性体セラ
ミック層が得られる複数種類の磁性体セラミックグリー
ンシートを用意しておく。より具体的には、前記磁性体
セラミックグリーンシートよりＺｎＯを多く含む複数種
類の磁性体セラミックグリーンシート及び前記磁性体セ
ラミックグリーンシートよりＮｉＯを少なく含む磁性体
セラミックグリーンシートを何種類か作っておく。この
磁性体セラミックグリーンシートには、内部電極は印刷
しない。

【００２０】次に、これらのセラミックグリーンシート
を積層する。まず、内部電極パターンを印刷していない
磁性体セラミックグリーンシートを数枚積層し、その上
に必要とするコイルの巻数により、異なる形状の内部電
極パターンを有するセラミックグリーンシートを順次積
層する。そして、これらセラミックグリーンシートの上
に内部電極パターンが印刷されていないセラミックグリ
ーンシートを積層する。この際、内部電極５ａ、５ｂ…
を有する磁性体セラミック層１、１…を形成するのと同
じ種類のブランクのセラミックグリーンシートの一部ま
たは全部に代えて、磁性体セラミックの組成比が異な
り、よりＺｎＯの含有率の大きいもの、或はＮｉＯが含
有率の小さい磁性体セラミック層ａ、ｂ…が得られる前
記セラミックグリーンシートを積層する。

【００２１】次に、このようにして積層された磁性体セ
ラミックグリーンシートの上に、内部電極が印刷されて
いない誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層
し、この上に内部電極パターンを有するセラミックグリ
ーンシートを交互に積層する。この内部電極を有する誘
電体セラミックグリーンシートを必要とする静電容量に
より、適当な枚数積層する。さらにこの誘電体セラミッ
クグリーンシートの上に、内部電極パターンが印刷され
ていない誘電体セラミックグリーンシートを積層する。

【００２２】誘電体セラミックグリーンシートと磁性体
セラミックグリーンシートとの積層順序は、前後しても
よいことはもちろんである。すなわち、誘電体セラミッ
クグリーンシートを予め積層し、その上に磁性体セラミ
ックグリーンシートを積層するが出来るのは、言うまで
もない。この積層体を圧着した後、個々のチップ毎に裁
断し、この未焼成の積層チップを焼成しすることによ
り、焼成済みの積層体１１を得る。

【００２３】こうして得られた積層体１１は、複数のセ
ラミック層１、１…、１’、１’…が積層され、一体と
なったものであり、その層構造を図１に示す。まず、図
１において下側に、内部電極が形成されていない磁性体
セラミック層１’、１’…、いわゆるブランクの磁性体
セラミック層１’、１’…が積層されている。このブラ
ンクの磁性体セラミック層１’、１’…は、その上の内
部電極５ａ、５ｂ…が形成された磁性体セラミック層
１、１…と同じ組成であり、同じ比抵抗を有する。その
上の磁性体セラミック層１、１…には、周回状の内部電
極５ａ、５ｂ…が形成されている。これら内部電極５
ａ、５ｂ…は、スルーホール６、６…に設けられたスル
ーホール導体を介して順次接続され、積層体１１の内部
でコイル状に連なっている。磁性体セラミック層１、１
…は、このコイルの磁芯となる。

【００２４】内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体セラ
ミック層１、１…のうち、図１において上下の端の磁性
体セラミック層１、１に形成された内部電極５ｅ、５ｆ
は、積層体１１の対向する一対の端面にそれぞれ導出し
ている。さらに、内部電極５ａ、５ｂ…を有する磁性体
セラミック層１、１…の上に、それと組成及び比抵抗の
同じブランクの磁性体セラミック層１’、１’が積層さ
れ、さらにその上に、組成比の異なる中間磁性体セラミ
ック層ｆ、ｅ、ｂ、ａが４層積層されている。この中間
磁性体セラミック層ｆ、ｅ、ｂ、ａは、そのＺｎＯやＮ
ｉＯの含有率を変えることにより、図１において下から
上にいくに従って比抵抗が段階的に高くなっている。

【００２５】この中間磁性体セラミック層ｆ、ｅ、ｂ、
ａの上に、内部電極８ａ、８ｂを有していない、いわゆ
るブランクの誘電体セラミック層７’、７’…が積層さ
れ、この上に内部電極８ａ、８ｂを有する誘電体セラミ
ック層７、７…が積層され、さらにこの上に内部電極８
ａ、８ｂを有していない誘電体セラミック層７’、７’
…が積層されている。誘電体セラミック層７、７…に設
けられた内部電極８ａ、８ｂは、同セラミック層７、７
…を介して対向している共に、前記内部電極５ｅ、５ｆ
が導出された積層体１１の対向する一対の端面とそれと
直行する一対の側面の中央部とにそれぞれ交互に導出さ
れている。

【００２６】図３に示すように、このような一体となっ
た積層体１１の両端部及び側面中央部に銀ペースト等の
導電ペーストを塗布し、これを焼き付け、さらに必要に
応じてその上にニッケルメッキや半田メッキ等を施して
外部電極１４、１４、１６、１６が形成される。積層体
１１の端部の外部電極１４、１４には、積層体１１の端
面に導出された前記内部電極５ｅ、５ｆ、８ｂ（図１参
照）が接続され、積層体１１の側面中央部の外部電極１
６、１６には、前記内部電極８ａが接続される。図３に
おいて、符号１２は、磁性体セラミック層１、１’が積
層されたインダクタ部、符号１５は、誘電体セラミック
層７、７’が積層されたコンデンサ部、符号１３は、前
記インダクタ部１２とコンデンサ部１５との間に挿入さ
れ、中間磁性体セラミックａ、ｂ、ｅ、ｆが積層された
中間部である。

【００２７】このような積層複合電子部品では、インダ
クタ部１２とコンデンサ部１５との間に、インダクタ部
１２構成する磁性体セラミック層１、１’より絶縁抵抗
値の高い中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、ｅ、ｆが積層
された中間部１５が挿入されているため、積層体の焼成
時に、中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、ｅ、ｆ（図１参
照）の抵抗値が下がっても、その部分の抵抗値は概ね磁
性体セラミック層１、１…と同等になる。その結果、所
要の電気的特性が得られる。そして、焼成時に抵抗値の
低下が大きいコンデンサ部１５に近い側の中間磁性体セ
ラミック層ｅ、ｆがより高い抵抗値を有するため、焼成
後はそれらの抵抗値が概ね均衡することになる。また、
これら抵抗値の高い中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、
ｅ、ｆにより、焼成時の抵抗値の低下がインダクタ部１
２を構成する磁性体セラミック層１、１’側に及ばな
い。

【００２８】

【実施例】次に、本発明の実施例について、具体的数値
をあげて詳細に説明する。（実施例）フェライト系磁性体粉末を作るため、表１に
示すような割合で原料粉末を混合し、表１のＮｏ．Ａ〜
Ｇまで、７種類の磁性体材料粉末を調整した。また、後
述の方法と同様にして、これらＮｏ．Ａ〜Ｇの磁性体材
料粉末をバインダに分散してスラリとし、このスラリを
セラミックグリーンシートに成形し、これを後述する積
層複合電子部品と同様にして焼成して磁性セラミック層
を作った。そして、この磁性セラミック層に電極を設
け、その抵抗値を測定し、比抵抗を求めた。その結果も
表１に示す。

【００２９】

【表１】

【００３０】前記のようにして調整した磁性体材料粉末
をそれぞれ７００℃で仮焼きした後、これらを有機バイ
ンダー中に分散し、磁性体スラリを作った。この磁性体
スラリをドクターブレード法により成形し、厚さ５５μ
ｍの磁性体セラミックグリーンシートを作った。これら
セラミックグリーンシートのうち、前記表１の磁性体材
料Ｎｏ．Ｇを使用して作られたセラミックグリーンシー
トの所定の位置に予めスルーホールを打ち抜いた後、銀
ペーストを使用し、このセラミックグリーンシートの上
に周回状の内部電極電極パターンを縦横に列べて多数組
分印刷すると共に、上記スルーホールに銀ペーストを吸
引し、スルーホール導体を印刷した。

【００３１】この磁性体セラミックグリーンシートの他
に、ＴｉＯ₂ 粉末が９０ｍｏｌ％、ＮｉＯ粉末が６．５
ｍｏｌ％、ＣｕＯが３ｍｏｌ％、Ｍｎ₃Ｏ₄が０．５ｍｏ
ｌ％からなる誘電体セラミック粉末を用意した。この誘
電体セラミック粉末を使用し、前記と同様にして厚さ５
５μｍの誘電体セラミックグリーンシートを作った。一
部の誘電体セラミックグリーンシートの上に銀ペースト
を使用して内部電極パターンを縦横に多数組分印刷し
た。まず、前記内部電極パターンが印刷されていないブ
ランクのセラミックグリーンシートを５枚積層した。こ
こでは、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．Ｇを使用して作ら
れたブランクのセラミックグリーンシートを使用した。

【００３２】次に、内部電極パターンを有する前記表１
のＮｏ．Ｇの磁性体セラミックグリーンシートを、スル
ーホールを介してそれらがコイル状に連なるように順次
積層した。さらに、これらセラミックグリーンシートの
上に内部電極パターンが印刷されていないブランクの磁
性体セラミックグリーンシートを５枚積層した。ここで
は、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．Ｇを使用して作られた
ブランクの磁性体セラミックグリーンシートを積層し
た。

【００３３】この磁性体セラミックグリーンシートの上
に、内部電極が印刷されていない前記表１の磁性体材料
Ｎｏ．Ｆ、Ｅ、Ｂ及びＡを使用して作られたセラミック
グリーンシートをこの順に積層した。次に、この磁性体
セラミックグリーンシートの上に、内部電極を有しない
誘電体セラミックグリーンシートを何枚か積層した。こ
の上に内部電極パターンを有する誘電体セラミックグリ
ーンシートを交互に複数層積層した。さらにこの上に、
内部電極パターンが印刷されていない誘電体セラミック
グリーンシートを積層した。

【００３４】この積層体を４００Ｋｇｆ／ｃｍ² の圧力
で圧着した後、個々のチップ毎に裁断した。この未焼成
の積層チップを、５００℃の温度で脱バインダー処理し
た後、９００℃の温度で焼成することにより、図１に示
すような焼成済みの積層体１１を得た。図１において、
磁性体セラミック層１、１…と磁性体セラミック層１’
は、前記表１のＮｏ．Ｇの磁性体材料を使用したセラミ
ックグリーンシートが焼成されて形成されたもので、中
間磁性体セラミック層ｆ、ｅ、ｂ、ａは、それぞれ前記
表１の磁性体材料Ｎｏ．Ｆ、Ｅ、Ｂ、Ａを使用したブラ
ンクのセラミックグリーンシートが焼成されて形成され
たものである。

【００３５】この積層体１１を作った時のセラミックグ
リーンシートの組合わせを表２の試料Ｎｏ．１１の欄に
示す。「○」印は各欄の層を１層ずつ積層したことを示
し、「−」印はその層を積層していないことを示す。磁
性体のＧ層は、周回状のコイルを構成する内部電極５
ａ、５ｂ…を有し、その磁芯として機能するのに最適な
磁性体材料である。

【００３６】さらにこの積層体１１の両端及び両側面中
央部に銀ペースト等の導電ペーストを塗布し、これを焼
き付け、さらにその上にニッケルメッキや半田メッキ等
を施し、図３に示すような外部電極１４、１４、１６、
１６を形成した。これによって、図３に示すような積層
複合電子部品が完成した。この積層複合電子部品の端子
間で絶縁抵抗値を測定したところ、表２の試料Ｎｏ．１
１に示すような結果が得られた。この積層複合電子部品
の積層体１１の一部を破断し、その中間部１３（図３参
照）の部分の組成を分析したところ、インダクタ部１２
からコンデンサ部１５側に向って、Ｚｎの検出量がほぼ
段階的に増加し、逆にＮｉの検出量がほぼ段階的に減少
する結果を得た。

【００３７】さらに、表２の試料Ｎｏ．３〜１０、Ｎ
ｏ．１２に示すように、中間磁性体セラミック層を形成
するための前記表１の磁性体材料Ｎｏ．Ａ〜Ｆを使用し
て作られた磁性体セラミックグリーンシートの枚数及び
組合わせを替えて、前記と同様にして積層複合電子部品
を測定した。この積層複合電子部品の測定された絶縁抵
抗値を表２のそれぞれの欄に示した。これらの試料で
は、前記表１の磁性体材料Ｎｏ．Ｇを使用して作られた
磁性体セラミックグリーンシートと誘電体セラミックグ
リーンシートとの間に、２種〜３種の磁性体材料Ａ〜Ｆ
を使用して作られたセラミックグリーンシートを積層し
ている。これらの場合、中間磁性体セラミッック層は、
インダクタ部１２からコンデンサ部１５側に向って、Ｚ
ｎの検出量がほぼ段階的に増加し、逆にＮｉの検出量が
ほぼ段階的に減少する結果を得た。

【００３８】（実施例２）前記実施例１において、中間
磁性体セラミック層ａ、ｂ、ｅ、ｆを形成するための前
記表１の磁性体材料Ｎｏ．Ａ、Ｂ、Ｅ、Ｆを使用して作
られたセラミックグリーンシートの厚みを、５５μｍか
ら１８μｍと薄くしたこと、及び積層体の焼成温度を９
００℃から９２０℃と高くしたこと以外は、前記実施例
と同様にして積層複合電子部品を作った。

【００３９】この積層複合電子部品の端子間で絶縁抵抗
値を測定したところ、表２の試料Ｎｏ．１３の欄に示す
ような結果が得られた。この積層複合電子部品の積層体
１１の一部を破断し、その中間部１３（図３参照）の部
分の組成を分析したところ、インダクタ部１２からコン
デンサ部１５側に向って、Ｚｎの検出量がほぼ連続的に
増加し、逆にＮｉの検出量がほぼ連続的に減少する結果
を得た。

【００４０】これは、中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、
ｅ、ｆを形成するためのセラミックグリーンシートの厚
みを薄くしたこと、積層体の焼成温度を若干高めにした
ことにより、焼成時の中間磁性体セラミック層ａ、ｂ、
ｅ、ｆの成分の拡散、浸透が起りやすくなったためと推
定される。例えば、スラリビルト法で積層体を作った場
合は、必然的に磁性体セラミック層の厚さが薄くなるた
め、このような傾向がより強く表れる。

【００４１】（比較例１）前記実施例１において、中間
磁性体セラミック層を形成するための前記表１の磁性体
材料Ｎｏ．Ａ〜Ｆを使用して作られたセラミックグリー
ンシートを積層することなく、磁性体セラミックグリー
ンシートの上に誘電体セラミックグリーンシートを直接
積層したこと以外は、前記実施例と同様にして積層複合
電子部品を作った。この積層複合電子部品の端子間で絶
縁抵抗値を測定したところ、表２の試料Ｎｏ．１の欄に
示すような結果が得られた。

【００４２】（比較例２）前記実施例１において、磁性
体セラミックグリーンシートと誘電体セラミックグリー
ンシートとの間に、中間磁性体セラミック層を形成する
ためのセラミックグリーンシートとして、前記表１の磁
性体材料Ｎｏ．Ａのみを使用して作られたセラミックグ
リーンシートを１枚積層したこと以外は、前記実施例と
同様にして積層複合電子部品を作った。この積層複合電
子部品の積層体１１の層構造を図２に示す。この積層複
合電子部品の端子間で絶縁抵抗値を測定したところ、表
２の試料Ｎｏ．２の欄に示すような結果が得られた。

【００４３】

【表２】

【００４４】

【発明の効果】以上説明した通り、本発明による積層複
合電子部品では、積層複合電子部品の積層数や形状、寸
法を変えることなく、ブランクの磁性体セラミック層の
一部または組成比の異なる他の磁性体セラミック層に置
き換えるだけで、積層体の焼成時における絶縁抵抗値の
低下を防止することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による積層複合電子部品の例を示すその
積層体の分解斜視図である。

【図２】積層複合電子部品の比較例を示すその積層体の
分解斜視図である。

【図３】本発明による積層複合電子部品の例を示すその
外観斜視図である。

【符号の説明】

１内部電極を有する磁性体セラミック層１’ ブランクの磁性体セラミック層５ａ周回状の内部電極５ｂ周回状の内部電極５ｃ周回状の内部電極５ｄ周回状の内部電極５ｅ周回状の内部電極５ｆ周回状の内部電極７内部電極を有する誘電体セラミック層７’ 内部電極を有しない誘電体セラミック層８ａ対向する内部電極８ｂ対向する内部電極１１積層体１４外部電極１６外部電極ａ中間磁性体セラミック層ｂ中間磁性体セラミック層ｅ中間磁性体セラミック層ｆ中間磁性体セラミック層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】フェライト系磁性体からなる磁性体セラ
ミック層（１）、（１’）と、この磁性体セラミック層
（１）、（１’）に積層された他の種類のセラミック層
とを有する積層複合電子部品において、前記磁性体セラ
ミック層（１）、（１）…と他種のセラミック層との間
に、前記前記磁性体セラミック層（１）、（１）…から
他種のセラミック層側にいくに従って、比抵抗が次第に
大きくなるような中間磁性体セラミック層（ａ）、
（ｂ）、…が介在されていることを特徴とする積層複合
電子部品。
【請求項２】フェライト系磁性体からなる磁性体セラ
ミック層（１）、（１’）と、この磁性体セラミック層
（１）、（１’）に積層された他の種類のセラミック層
とを有する積層複合電子部品において、前記磁性体セラ
ミック層（１）、（１）…と他種のセラミック層との間
に、前記前記磁性体セラミック層（１）、（１）…から
他種のセラミック層側にいくに従って、Ｚｎの酸化物の
含有率が次第に大きくなるような中間磁性体セラミック
層（ａ）、（ｂ）、…が介在されていることを特徴とす
る積層複合電子部品。
【請求項３】磁性体セラミック層（１）から他種セラ
ミック層に近くなるに従って、中間磁性体体セラミック
層（ａ）、（ｂ）…のＺｎの酸化物の含有率が段階的に
大きくなることを特徴とする請求項２に記載の積層複合
電子部品。
【請求項４】磁性体セラミック層（１）から他種セラ
ミック層に近くなるに従って、中間磁性体体セラミック
層（ａ）、（ｂ）…のＺｎの酸化物の含有率が連続的に
大きくなることを特徴とする請求項２に記載の積層複合
電子部品。
【請求項５】フェライト系磁性体からなる磁性体セラ
ミック層（１）、（１’）と、この磁性体セラミック層
（１）、（１’）に積層された他の種類のセラミック層
とを有する積層複合電子部品において、前記磁性体セラ
ミック層（１）、（１）…と他種のセラミック層との間
に、前記前記磁性体セラミック層（１）、（１）…から
他種のセラミック層側にいくに従って、Ｎｉの酸化物の
含有率が次第に低くなるような間磁性体セラミック層
（ａ）、（ｂ）、…が介在されていることを特徴とする
積層複合電子部品。
【請求項６】磁性体セラミック層（１）から他種セラ
ミック層に近くなるに従って、中間磁性体体セラミック
層（ａ）、（ｂ）…のＮｉの酸化物の含有率が段階的に
低くなることを特徴とする請求項５に記載の積層複合電
子部品。
【請求項７】磁性体セラミック層（１）から他種セラ
ミック層に近くなる従って、中間磁性体体セラミック層
（ａ）、（ｂ）…のＮｉの酸化物の含有率が連続的に低
くなることを特徴とする請求項５に記載の積層複合電子
部品。