JPH05144670A - 貫通コンデンサ - Google Patents
貫通コンデンサInfo
- Publication number
- JPH05144670A JPH05144670A JP30173791A JP30173791A JPH05144670A JP H05144670 A JPH05144670 A JP H05144670A JP 30173791 A JP30173791 A JP 30173791A JP 30173791 A JP30173791 A JP 30173791A JP H05144670 A JPH05144670 A JP H05144670A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- capacitor
- based ceramic
- insertion loss
- mhz
- several
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 数ＭＨｚ〜数ＧＨｚの広範囲の周波数領域に
おいて優れたノイズ除去効果を発揮する貫通コンデンサ
を得る。 【構成】 チタン酸ストロンチウム系セラミックからな
る誘電体に一対の容量電極を設けて貫通コンデンサを作
製する。このコンデンサは誘電体の比誘電率が従来の酸
化チタン系セラミックを使用したものと比較して大き
く、自己共振周波数が数Ｍ〜数十ＭＨｚと低くなる。従
って、数Ｍ〜数十ＭＨｚの周波数領域の挿入損失が大き
くなる。また、チタン酸ストロンチウム系やセラミック
の方が酸化チタン系セラミックより電波吸収特性が優れ
ているので、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数領域の挿入
損失も大きくなる。挿入損失は貫通コンデンサのノイズ
除去能力に比例し、挿入損失が大きくなるにつれて貫通
コンデンサのノイズ除去能力は大きくなる。
おいて優れたノイズ除去効果を発揮する貫通コンデンサ
を得る。 【構成】 チタン酸ストロンチウム系セラミックからな
る誘電体に一対の容量電極を設けて貫通コンデンサを作
製する。このコンデンサは誘電体の比誘電率が従来の酸
化チタン系セラミックを使用したものと比較して大き
く、自己共振周波数が数Ｍ〜数十ＭＨｚと低くなる。従
って、数Ｍ〜数十ＭＨｚの周波数領域の挿入損失が大き
くなる。また、チタン酸ストロンチウム系やセラミック
の方が酸化チタン系セラミックより電波吸収特性が優れ
ているので、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数領域の挿入
損失も大きくなる。挿入損失は貫通コンデンサのノイズ
除去能力に比例し、挿入損失が大きくなるにつれて貫通
コンデンサのノイズ除去能力は大きくなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、貫通コンデンサ、特に
高周波誘導あるいは誘電加熱装置等の高圧電源のＤＣラ
インノイズフィルタとして使用される貫通コンデンサに
関する。
高周波誘導あるいは誘電加熱装置等の高圧電源のＤＣラ
インノイズフィルタとして使用される貫通コンデンサに
関する。
【０００２】
【従来の技術と課題】一般に、高周波誘導あるいは誘電
加熱装置等の高圧電源回路や電子回路に対しては、ノイ
ズ除去のために貫通コンデンサが使用されている。従
来、このような貫通コンデンサの誘電体材料としては、
以下に列挙した理由から酸化チタン系セラミックが採用
されていた。
加熱装置等の高圧電源回路や電子回路に対しては、ノイ
ズ除去のために貫通コンデンサが使用されている。従
来、このような貫通コンデンサの誘電体材料としては、
以下に列挙した理由から酸化チタン系セラミックが採用
されていた。
【０００３】（１）自己共振周波数が高く（代表値７０
〜１００ＭＨｚ）、その周波数付近でのノイズ除去効果
が大きい。 （２）損失係数が小さいので電力容量を大きくできる。 しかしながら、誘電体材料として酸化チタン系セラミッ
クを採用した貫通コンデンサには、以下に列挙する問題
点があった。
〜１００ＭＨｚ）、その周波数付近でのノイズ除去効果
が大きい。 （２）損失係数が小さいので電力容量を大きくできる。 しかしながら、誘電体材料として酸化チタン系セラミッ
クを採用した貫通コンデンサには、以下に列挙する問題
点があった。
【０００４】（１）自己共振周波数より高い周波数（例
えば２００ＭＨｚ）のノイズ除去効果が劣る。 （２）自己共振周波数より低い周波数（例えば２０ＭＨ
ｚ）のノイズ除去効果が劣る。 そこで、本発明の課題は、数ＭＨｚ〜数ＧＨｚの広範囲
の周波数領域において優れたノイズ除去効果を発揮する
貫通コンデンサを提供することにある。
えば２００ＭＨｚ）のノイズ除去効果が劣る。 （２）自己共振周波数より低い周波数（例えば２０ＭＨ
ｚ）のノイズ除去効果が劣る。 そこで、本発明の課題は、数ＭＨｚ〜数ＧＨｚの広範囲
の周波数領域において優れたノイズ除去効果を発揮する
貫通コンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決するた
め、本発明に係る貫通コンデンサは、一対の容量電極
と、前記容量電極の間に充填されたチタン酸ストロンチ
ウム系セラミック材からなる誘電体とを備えたことを特
徴とする。チタン酸ストロンチウム系セラミックとして
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系
セラミック、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−ＭｇＴｉＯ3
−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系セラミック、ＳｒＴｉＯ3−Ｐｂ
ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系セラミッ
ク等がある。
め、本発明に係る貫通コンデンサは、一対の容量電極
と、前記容量電極の間に充填されたチタン酸ストロンチ
ウム系セラミック材からなる誘電体とを備えたことを特
徴とする。チタン酸ストロンチウム系セラミックとして
は、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系
セラミック、ＳｒＴｉＯ3−ＰｂＴｉＯ3−ＭｇＴｉＯ3
−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系セラミック、ＳｒＴｉＯ3−Ｐｂ
ＴｉＯ3−ＣａＴｉＯ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＴｉＯ2系セラミッ
ク等がある。
【０００６】
【作用】以上の構成において、誘電体材料としてチタン
酸ストロンチウム系セラミックを採用したため、酸化チ
タン系セラミックを用いた従来の貫通コンデンサと比較
して誘電体の比誘電率が大きくなり、自己共振周波数が
数〜数十ＭＨｚと小さい値になる。従って、数〜数十Ｍ
Ｈｚ周波数領域のノイズ除去効果が向上する。また、数
百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数領域のノイズ除去効果も改
善される。これは、チタン酸ストロンチウム系セラミッ
クが酸化チタン系セラミックより優れた電波吸収特性を
有するためであると考えられる。
酸ストロンチウム系セラミックを採用したため、酸化チ
タン系セラミックを用いた従来の貫通コンデンサと比較
して誘電体の比誘電率が大きくなり、自己共振周波数が
数〜数十ＭＨｚと小さい値になる。従って、数〜数十Ｍ
Ｈｚ周波数領域のノイズ除去効果が向上する。また、数
百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数領域のノイズ除去効果も改
善される。これは、チタン酸ストロンチウム系セラミッ
クが酸化チタン系セラミックより優れた電波吸収特性を
有するためであると考えられる。
【０００７】
【実施例】以下、本発明に係る貫通コンデンサの実施例
を説明する。誘電体の材料として用いられる９８％以上
の純度のＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，Ｃ
ａＴｉＯ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｉＯ2を表１に示すような組成
となるように秤量した後、これらを塩ビポットとＰＳＺ
ボールを用いて湿式混合し、混合物を得た。
を説明する。誘電体の材料として用いられる９８％以上
の純度のＳｒＴｉＯ3，ＰｂＴｉＯ3，ＭｇＴｉＯ3，Ｃ
ａＴｉＯ3，Ｂｉ2Ｏ3，ＴｉＯ2を表１に示すような組成
となるように秤量した後、これらを塩ビポットとＰＳＺ
ボールを用いて湿式混合し、混合物を得た。
【０００８】次に、得られた混合物を脱水乾燥した後、
約１０００℃で２時間仮焼を行い、さらに粉砕を行い、
粉砕物を得た。次に、得られた粉砕物にＰＶＡ等の有機
バインダーを１〜２ｗｔ％添加し、再度塩ビポットとＰ
ＳＺボールを用いて湿式混合し、脱水乾燥した後、５０
メッシュのふるいを通して整粒し、整粒物を得た。
約１０００℃で２時間仮焼を行い、さらに粉砕を行い、
粉砕物を得た。次に、得られた粉砕物にＰＶＡ等の有機
バインダーを１〜２ｗｔ％添加し、再度塩ビポットとＰ
ＳＺボールを用いて湿式混合し、脱水乾燥した後、５０
メッシュのふるいを通して整粒し、整粒物を得た。
【０００９】次に、得られた整粒物をプレスにより圧力
１ｔ／ｃｍ2で加圧成形した後、１１５０℃〜１３００
℃の温度で２〜４時間焼成し、貫通形状の焼成物を得
た。次に、得られた焼成物の内周面及び外周面にＡｇペ
ーストを塗布、焼き付けることによって、３種類の実施
例と１種類の従来例の貫通コンデンサを作製した。な
お、得られた各貫通コンデンサは長さが１２ｃｍとなっ
ている。
１ｔ／ｃｍ2で加圧成形した後、１１５０℃〜１３００
℃の温度で２〜４時間焼成し、貫通形状の焼成物を得
た。次に、得られた焼成物の内周面及び外周面にＡｇペ
ーストを塗布、焼き付けることによって、３種類の実施
例と１種類の従来例の貫通コンデンサを作製した。な
お、得られた各貫通コンデンサは長さが１２ｃｍとなっ
ている。
【００１０】
【表１】
【００１１】得られた貫通コンデンサのノイズ除去効果
を確かめるため、測定器（ネットワークアナライザ［入
出力抵抗は５０Ω］）を用いて貫通コンデンサの挿入損
失を測定した。挿入損失の値は貫通コンデンサのノイズ
除去能力に比例し、挿入損失が大きくなるにつれて、貫
通コンデンサのノイズ除去能力は大きくなる。測定結果
を表２に表す。表２には比誘電率及び自己共振周波数も
合わせて記載している。
を確かめるため、測定器（ネットワークアナライザ［入
出力抵抗は５０Ω］）を用いて貫通コンデンサの挿入損
失を測定した。挿入損失の値は貫通コンデンサのノイズ
除去能力に比例し、挿入損失が大きくなるにつれて、貫
通コンデンサのノイズ除去能力は大きくなる。測定結果
を表２に表す。表２には比誘電率及び自己共振周波数も
合わせて記載している。
【００１２】
【表２】
【００１３】表２において、２００ＭＨｚ以上の周波数
領域では、酸化チタン系セラミック誘電体（従来例）と
比較してチタン酸ストロンチウム系セラミック誘電体
（実施例１〜３）の方が挿入損失が大きいことが示され
ている。これは、酸化チタン系セラミックと比較してチ
タン酸ストロンチウム系セラミックの方が電波吸収特性
が良いためと考えられる。
領域では、酸化チタン系セラミック誘電体（従来例）と
比較してチタン酸ストロンチウム系セラミック誘電体
（実施例１〜３）の方が挿入損失が大きいことが示され
ている。これは、酸化チタン系セラミックと比較してチ
タン酸ストロンチウム系セラミックの方が電波吸収特性
が良いためと考えられる。
【００１４】また、貫通コンデンサの自己共振周波数ｆ
（０）は（１）式で表わされる。
（０）は（１）式で表わされる。
【００１５】
【数１】
【００１６】表２より、チタン酸ストロンチウム系セラ
ミックの方が、酸化チタン系セラミックと比較して比誘
電率εが大きいので、（１）式より実施例１〜３の貫通
コンデンサの自己共振周波数ｆ（０）は従来例の貫通コ
ンデンサより低くなり、１４〜２４ＭＨｚになる（表２
参照）。従って、実施例１〜３の貫通コンデンサはこの
周波数領域において挿入損失が大きくなり、優れたノイ
ズ除去効果が認められる。
ミックの方が、酸化チタン系セラミックと比較して比誘
電率εが大きいので、（１）式より実施例１〜３の貫通
コンデンサの自己共振周波数ｆ（０）は従来例の貫通コ
ンデンサより低くなり、１４〜２４ＭＨｚになる（表２
参照）。従って、実施例１〜３の貫通コンデンサはこの
周波数領域において挿入損失が大きくなり、優れたノイ
ズ除去効果が認められる。
【００１７】さらに、図１に測定器（ネットワークアナ
ライザ）を用いて実施例１と従来例の貫通コンデンサの
挿入損失を測定して得られたグラフを示す。実線１は実
施例１の測定結果であり、点線５は従来例の測定結果で
ある。矢印で示したポイント１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが
実施例１の自己共振周波数に相当する箇所であり、ポイ
ント５ａ，５ｂ，５ｃが従来例の自己共振周波数に相当
する箇所である。
ライザ）を用いて実施例１と従来例の貫通コンデンサの
挿入損失を測定して得られたグラフを示す。実線１は実
施例１の測定結果であり、点線５は従来例の測定結果で
ある。矢印で示したポイント１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄが
実施例１の自己共振周波数に相当する箇所であり、ポイ
ント５ａ，５ｂ，５ｃが従来例の自己共振周波数に相当
する箇所である。
【００１８】なお、本発明に係る貫通コンデンサは前記
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変形することができる。特に、チタン酸ストロンチ
ウム系セラミックの組成については必ずしも前記実施例
に限定されるものではなく、耐電圧、絶縁抵抗及び静電
容量等の要求仕様を満足すればその組成は任意である。
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変形することができる。特に、チタン酸ストロンチ
ウム系セラミックの組成については必ずしも前記実施例
に限定されるものではなく、耐電圧、絶縁抵抗及び静電
容量等の要求仕様を満足すればその組成は任意である。
【００１９】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、誘電体材料としてチタン酸ストロンチウム系セ
ラミックを採用したので、従来の貫通コンデンサと比較
して誘電体の比誘電率が大きくなり、自己共振周波数が
低くなる。従って、数〜数十ＭＨｚの周波数領域の挿入
損失が大きくなる。一方、従来の酸化チタン系セラミッ
クよりチタン酸ストロンチウム系セラミックの方が電波
吸収特性が優れており、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数
領域での挿入損失も大きくなる。従って、数ＭＨｚから
数ＧＨｚの広範囲の周波数領域において優れたノイズ除
去効果を発揮する貫通コンデンサが得られる。
よれば、誘電体材料としてチタン酸ストロンチウム系セ
ラミックを採用したので、従来の貫通コンデンサと比較
して誘電体の比誘電率が大きくなり、自己共振周波数が
低くなる。従って、数〜数十ＭＨｚの周波数領域の挿入
損失が大きくなる。一方、従来の酸化チタン系セラミッ
クよりチタン酸ストロンチウム系セラミックの方が電波
吸収特性が優れており、数百ＭＨｚ〜数ＧＨｚの周波数
領域での挿入損失も大きくなる。従って、数ＭＨｚから
数ＧＨｚの広範囲の周波数領域において優れたノイズ除
去効果を発揮する貫通コンデンサが得られる。
【図１】本発明に係る貫通コンデンサの挿入損失を測定
した結果を示すグラフ。
した結果を示すグラフ。
Claims (1)
- 【請求項１】 一対の容量電極と、 前記容量電極の間に充填されたチタン酸ストロンチウム
系セラミック材からなる誘電体と、 を備えたことを特徴とする貫通コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30173791A JPH05144670A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 貫通コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30173791A JPH05144670A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 貫通コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05144670A true JPH05144670A (ja) | 1993-06-11 |
Family
ID=17900560
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30173791A Pending JPH05144670A (ja) | 1991-11-18 | 1991-11-18 | 貫通コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05144670A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03166808A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Materials Corp | Ｅｍｉフィルターネットワーク |
-
1991
- 1991-11-18 JP JP30173791A patent/JPH05144670A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03166808A (ja) * | 1989-11-27 | 1991-07-18 | Mitsubishi Materials Corp | Ｅｍｉフィルターネットワーク |
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