JPH0432483B2 - - Google Patents
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- JPH0432483B2 JPH0432483B2 JP56172481A JP17248181A JPH0432483B2 JP H0432483 B2 JPH0432483 B2 JP H0432483B2 JP 56172481 A JP56172481 A JP 56172481A JP 17248181 A JP17248181 A JP 17248181A JP H0432483 B2 JPH0432483 B2 JP H0432483B2
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- dielectric ceramic
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 11
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 8
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- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
- C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
- C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
- C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
- C04B35/4686—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on phases other than BaTiO3 perovskite phase
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
- H01P1/00—Auxiliary devices
- H01P1/20—Frequency-selective devices, e.g. filters
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Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は高周波用誘電体磁器組成物に関し、特
に高周波用または温度補償用として好適な高周波
用誘電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 従来、マイクロ波回路においては、フイルター
の小型化、固体発振器の周波数安定化、インピー
ダンス整合用、コンデンサ等の目的に広く誘電体
磁器材料が使用されてきた。このようなマイクロ
波領域に使用される誘電体磁器材料としては、あ
る程度の高誘電率を有し、無負荷Ｑが高くかつ共
振周波数温度係数が小さく、その温度特性の直線
性の良好なことが希望される。そしてこのような
用途に使用される誘電体磁器材料としていくつか
の組成物が知られているが、その中でBaO−
TiO2系の誘電体磁器についても提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら従来の此種BaO−TiO2系磁器で
は、例えば前記の如きマイクロ波領域に使用され
る誘電体磁器に対して要望される特性が不安定で
あつたり、また製造工程が難しく、そのために量
産性に欠けたり共振周波数の温度係数を正確に制
御することが困難であつたり、また共振周波数温
度特性の直線性があまり良くないため、局部発振
回路の周波数安定化用としては問題があるなど、
いくつかの欠点が存在した。 したがつて本発明の目的はこのような問題点を
改善した、共振周波数温度特性を小さくかつ直線
性をよくし、磁器特性の安定なBaO−xTiO2（４
＜ｘ＜4.5）系の高周波用誘電体磁器組成物を提
供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 そしてこのような目的を達成するために、本発
明では、BaO、TiO2およびSnO2の３成分を有す
る誘電体磁器組成物であつて、これをBaO・ｘ
｛（１−ｙ）TiO2・ySnO2｝で表したときに、ｘ，
ｙがそれぞれモル比で４＜ｘ＜4.5，０＜ｙ＜
0.10の条件を満し、かつ結晶構造としてBaTi4O9
にSnが一部固溶した型の結晶と、Ba2Ti9O20に
Snが一部固溶した型の結晶を有するようにした
ことを特徴としている。 そして誘電体磁器をこのように構成することに
より、BaO−xTiO2（４＜ｘ＜4.5）系においてTi
の一部をSnで置換することになり、共振周波数
温度特性の改善や磁器特性の安定化をはかること
が可能になつた。 〔実施例〕 以下本発明を実施例にもとづき詳細に説明す
る。 先ず市販の原料BaCO3，TiO2，SnO2を表１に
なるように、各組成に応じて秤量し、これらをボ
ールミルで20時間湿式混合した。この混合原料を
脱水、乾燥し、0.5t／cmの圧力でプレスして仮成
型して1050℃〜1200℃で２時間仮焼成し、その後
これをボールミルで20時間湿式粉砕した。それか
らこれを脱水、乾燥したのち、バインダーを適当
量加えて造粒し、直径13mm、高さ７mmの円柱状に
成型して1250℃〜1370℃で２時間焼成した。こう
して得られた磁器を直径10mm、高さ５mmの寸法に
加工して表１の試料を作成し、25℃、7GHzにお
ける誘電体ε、無負荷Ｑ及び共振周波数温度係数
TCfを求めた。なおこのTCfは−40℃から＋80℃
の範囲での共振周波数の温度変化から求めたもの
である。そしてこれらの測定は次の方法で行つ
た。まず誘電体円柱の各試料を上下２枚の金属板
ではさむことにより共振器を構成し、そのTE01
モードからε，Ｑ及びTCfを求めた。このよう
にして各試料より表１に示す結果が得られた。な
おこの表１において、＊印の付与されている試料
は本発明の範囲外のものである。 そして試料番号１，２，７，８の共振周波数の
温度特性を第１図、第２図に示す。ここでその縦
軸はΔf／f20℃であり、f20℃は20℃での共振周波
数である。
に高周波用または温度補償用として好適な高周波
用誘電体磁器組成物に関する。 〔従来の技術〕 従来、マイクロ波回路においては、フイルター
の小型化、固体発振器の周波数安定化、インピー
ダンス整合用、コンデンサ等の目的に広く誘電体
磁器材料が使用されてきた。このようなマイクロ
波領域に使用される誘電体磁器材料としては、あ
る程度の高誘電率を有し、無負荷Ｑが高くかつ共
振周波数温度係数が小さく、その温度特性の直線
性の良好なことが希望される。そしてこのような
用途に使用される誘電体磁器材料としていくつか
の組成物が知られているが、その中でBaO−
TiO2系の誘電体磁器についても提案されている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら従来の此種BaO−TiO2系磁器で
は、例えば前記の如きマイクロ波領域に使用され
る誘電体磁器に対して要望される特性が不安定で
あつたり、また製造工程が難しく、そのために量
産性に欠けたり共振周波数の温度係数を正確に制
御することが困難であつたり、また共振周波数温
度特性の直線性があまり良くないため、局部発振
回路の周波数安定化用としては問題があるなど、
いくつかの欠点が存在した。 したがつて本発明の目的はこのような問題点を
改善した、共振周波数温度特性を小さくかつ直線
性をよくし、磁器特性の安定なBaO−xTiO2（４
＜ｘ＜4.5）系の高周波用誘電体磁器組成物を提
供するものである。 〔問題点を解決するための手段〕 そしてこのような目的を達成するために、本発
明では、BaO、TiO2およびSnO2の３成分を有す
る誘電体磁器組成物であつて、これをBaO・ｘ
｛（１−ｙ）TiO2・ySnO2｝で表したときに、ｘ，
ｙがそれぞれモル比で４＜ｘ＜4.5，０＜ｙ＜
0.10の条件を満し、かつ結晶構造としてBaTi4O9
にSnが一部固溶した型の結晶と、Ba2Ti9O20に
Snが一部固溶した型の結晶を有するようにした
ことを特徴としている。 そして誘電体磁器をこのように構成することに
より、BaO−xTiO2（４＜ｘ＜4.5）系においてTi
の一部をSnで置換することになり、共振周波数
温度特性の改善や磁器特性の安定化をはかること
が可能になつた。 〔実施例〕 以下本発明を実施例にもとづき詳細に説明す
る。 先ず市販の原料BaCO3，TiO2，SnO2を表１に
なるように、各組成に応じて秤量し、これらをボ
ールミルで20時間湿式混合した。この混合原料を
脱水、乾燥し、0.5t／cmの圧力でプレスして仮成
型して1050℃〜1200℃で２時間仮焼成し、その後
これをボールミルで20時間湿式粉砕した。それか
らこれを脱水、乾燥したのち、バインダーを適当
量加えて造粒し、直径13mm、高さ７mmの円柱状に
成型して1250℃〜1370℃で２時間焼成した。こう
して得られた磁器を直径10mm、高さ５mmの寸法に
加工して表１の試料を作成し、25℃、7GHzにお
ける誘電体ε、無負荷Ｑ及び共振周波数温度係数
TCfを求めた。なおこのTCfは−40℃から＋80℃
の範囲での共振周波数の温度変化から求めたもの
である。そしてこれらの測定は次の方法で行つ
た。まず誘電体円柱の各試料を上下２枚の金属板
ではさむことにより共振器を構成し、そのTE01
モードからε，Ｑ及びTCfを求めた。このよう
にして各試料より表１に示す結果が得られた。な
おこの表１において、＊印の付与されている試料
は本発明の範囲外のものである。 そして試料番号１，２，７，８の共振周波数の
温度特性を第１図、第２図に示す。ここでその縦
軸はΔf／f20℃であり、f20℃は20℃での共振周波
数である。
【表】
以上説明のように、結局本発明によればマイク
ロ波用に好適な、高誘電率であり無負荷Ｑの高
い、共振周波数の温度係数が低くてかつその値を
選択することができるとともにその温度特性の直
線性の良好な高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。したがつてこれらを使用したものを
マイクロ波回路に組込んだときに、適宜の温度係
数の材料を選ぶことにより、他の電子部品との温
度補償を容易にすることができる。勿論本発明の
高周波用誘電体磁器組成物はコンデンサ材料とし
ても良好な特性を具備しているので、コンデンサ
としても使用することができる。
ロ波用に好適な、高誘電率であり無負荷Ｑの高
い、共振周波数の温度係数が低くてかつその値を
選択することができるとともにその温度特性の直
線性の良好な高周波用誘電体磁器組成物を得るこ
とができる。したがつてこれらを使用したものを
マイクロ波回路に組込んだときに、適宜の温度係
数の材料を選ぶことにより、他の電子部品との温
度補償を容易にすることができる。勿論本発明の
高周波用誘電体磁器組成物はコンデンサ材料とし
ても良好な特性を具備しているので、コンデンサ
としても使用することができる。
第１図は表１の試料番号１と２（本発明の範囲
外）のTCf特性説明図、第２図は表１の試料番号
７と８（本発明の範囲内）のTCf特性説明図、第
３図は本発明のTC特性説明図、第４図は本発明
の組成範囲を示す三元図、第５図はBaO−TiO2
系状態図である。
外）のTCf特性説明図、第２図は表１の試料番号
７と８（本発明の範囲内）のTCf特性説明図、第
３図は本発明のTC特性説明図、第４図は本発明
の組成範囲を示す三元図、第５図はBaO−TiO2
系状態図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ BaO、TiO2及びSnO2の３成分を有する誘電
体磁器組成物であつて、これを BaO・ｘ｛（１−ｙ）TiO2・ySnO2｝で表した
時に、ｘ，ｙがそれぞれ４＜ｘ＜4.5、０＜ｙ＜
0.10の条件を満たし、かつ結晶構造として、
BaTi4O9にSnが一部固溶した型の結晶と、Ba2
Ti9O20にSnが一部固溶した型の結晶を有するこ
とを特徴とする高周波数誘電体磁器組成物。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172481A JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| GB08229557A GB2111969B (en) | 1981-10-28 | 1982-10-15 | Dielectric ceramic composition |
| DE3238858A DE3238858C2 (de) | 1981-10-28 | 1982-10-20 | In einem Bauteil eines Mikrowellenkreises einer Frequenz von bis zu 40 GHz zu verwendendes dielektrisches keramisches Material |
| US06/680,127 US4548910A (en) | 1981-10-28 | 1984-12-10 | Dielectric ceramic of BaO-TiO2 and SnO2 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56172481A JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5873908A JPS5873908A (ja) | 1983-05-04 |
| JPH0432483B2 true JPH0432483B2 (ja) | 1992-05-29 |
Family
ID=15942784
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56172481A Granted JPS5873908A (ja) | 1981-10-28 | 1981-10-28 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4548910A (ja) |
| JP (1) | JPS5873908A (ja) |
| DE (1) | DE3238858C2 (ja) |
| GB (1) | GB2111969B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3326830A1 (de) * | 1983-07-26 | 1985-02-14 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | Anordnung zur temperaturkompensation von hohlleiterschaltungen |
| US5290740A (en) * | 1991-11-06 | 1994-03-01 | Ngk Insulators, Ltd. | Dielectric ceramic composition used for producing dielectric resonator or filter for microwave application |
| ES2107933B1 (es) * | 1994-06-24 | 1998-07-01 | De La Fuente Ramiro Mau Merino | Sistema de seleccion y sintonia de hiperfrecuencias. |
| JP3275799B2 (ja) * | 1997-09-25 | 2002-04-22 | 株式会社村田製作所 | 誘電体磁器組成物 |
| JP3640342B2 (ja) | 2000-05-22 | 2005-04-20 | Ｔｄｋ株式会社 | 誘電体組成物の設計方法 |
| JP2002075783A (ja) | 2000-08-25 | 2002-03-15 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償用薄膜コンデンサ |
| JP2002252143A (ja) * | 2000-12-21 | 2002-09-06 | Alps Electric Co Ltd | 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器 |
| JP5120406B2 (ja) * | 2010-03-31 | 2013-01-16 | Ｔｄｋ株式会社 | セラミック電子部品及びセラミック電子部品の製造方法 |
| CN103508731B (zh) * | 2012-06-14 | 2015-08-26 | Tdk株式会社 | 电介质陶瓷组合物以及电子部件 |
| CN114409396B (zh) * | 2021-11-18 | 2022-11-29 | 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | 高温度稳定型wifi用微波介质陶瓷及其制备方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271700A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Production of dielectric material for microwave use |
| JPS5292400A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Porcelain dielectric material |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB583496A (en) * | 1944-04-21 | 1946-12-19 | Standard Telephones Cables Ltd | Improvements in wide frequency band antennae |
| IT454567A (ja) * | 1948-06-25 | |||
| GB964726A (en) * | 1960-12-27 | 1964-07-22 | Telegraph Condenser Co Ltd | Improvements in or relating to ceramic dielectric materials |
| US3938064A (en) * | 1973-09-04 | 1976-02-10 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Devices using low loss dielectric material |
| JPS55102292A (en) * | 1979-01-29 | 1980-08-05 | Nippon Electric Co | High frequency high output transistor amplifier |
| US4338403A (en) * | 1980-05-23 | 1982-07-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramics |
| US4337446A (en) * | 1980-06-16 | 1982-06-29 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Apparatus for processing microwave electrical energy |
-
1981
- 1981-10-28 JP JP56172481A patent/JPS5873908A/ja active Granted
-
1982
- 1982-10-15 GB GB08229557A patent/GB2111969B/en not_active Expired
- 1982-10-20 DE DE3238858A patent/DE3238858C2/de not_active Expired
-
1984
- 1984-12-10 US US06/680,127 patent/US4548910A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5271700A (en) * | 1975-12-11 | 1977-06-15 | Nec Corp | Production of dielectric material for microwave use |
| JPS5292400A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Porcelain dielectric material |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5873908A (ja) | 1983-05-04 |
| GB2111969B (en) | 1984-09-05 |
| DE3238858A1 (de) | 1983-05-05 |
| DE3238858C2 (de) | 1986-08-28 |
| US4548910A (en) | 1985-10-22 |
| GB2111969A (en) | 1983-07-13 |
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