JPS6362844B2 - - Google Patents
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- JPS6362844B2 JPS6362844B2 JP54061197A JP6119779A JPS6362844B2 JP S6362844 B2 JPS6362844 B2 JP S6362844B2 JP 54061197 A JP54061197 A JP 54061197A JP 6119779 A JP6119779 A JP 6119779A JP S6362844 B2 JPS6362844 B2 JP S6362844B2
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- Japan
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- dielectric
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- dielectric constant
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- Expired
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Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
本発明は誘電体磁器材料、特にBaO、SrO、
MgO、Nb2O5、およびZrO2の成分で構成される
誘電体磁器材料に関するものであり、誘電率
（ε）と無負荷Ｑが大きく、かつ共振周波数の温
度安定度（τf）に優れたマイクロ波用誘電体共振
器を構成できる材料を提供しようとするものであ
る。 従来から、マイクロ波領域において、誘電体
は、マイクロ波回路のインピーダンス整合や、誘
電体共振器などに応用されてきている。近年、特
に、マイクロ波回路の集積化の技術が進歩するに
ともない、発振器の周波数の安定化などに、高誘
電率、低損失、低価格の誘電体磁器を使用して小
形化することが積極的に進められている。従来、
これらの誘電体材料としては、BaO―TiO2系磁
器、およびその一部を他の元素で置換した磁器、
さらには誘電率が負の温度変化をもつTiO2と正
の誘電率の温度変化をもつ誘電体磁器とを組合わ
せたものを使用する場合が多い。 しかし、これらは、誘電体損失が大きかつた
り、誘電率の温度変化のばらつきが大きかつた
り、共振周波数の安定度が大きすぎたりして、実
用上問題が多い。 出願人において、これらの欠点のない材料につ
いて、種々検討した結果、一般式xBaO・
yMgO・zNb2O5で表わされる組成において、0.5
≦ｘ≦0.75、0.1≦ｙ≦0.3、0.1≦ｚ≦0.3（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）範囲内にある組成の磁器が、優
れた誘電体マイクロ波共振器になることを見出し
た（特開昭53−35345号）。しかしながら、これは
共振器周波数の温度安定度（τf）がかなり大きく
Ｑも低いものであり、その安定度およびＱを向上
させるための研究を進めた。本発明はその結果に
もとづくものである。 本発明にかかる誘電体共振器用材料は、BaO、
MgOおよびNb2O5さらにSrO・ZrO2を加えるこ
とによつて、無負荷Ｑと誘電率を低下させること
なく、共振周波数の温度安定度（τf）を向上させ
ることができたものである。その特徴とするとこ
ろは、（１−ｗ）（xBaO・yMgO・zNb2O5）＋
wSrO・ZrO2なる組成において0.5≦ｘ≦0.75、
0.1≦ｙ≦0.3、0.1≦ｚ≦0.3、0.05≦ｗ≦0.95の範
囲内（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）にある組成を有す
ることも特徴とする。 以下、実施例にもとづいて、本発明を説明す
る。 まずBaCO3、SrCO3、MgO、Nb2O5および
ZrO2の出発原料を各組成に応じて秤量し、めの
うボールを備え、かつゴム内張りしたボールミル
で純水とともに湿式混合した。この混合物を乾燥
させてから、空気中において1200℃で５時間仮焼
した後、前記ボールミルで湿式粉砕した。得られ
た粉砕泥しようをボールミルから取出して、乾燥
させた後、圧力700Kg/cm2で直径30mmの円板状に成
形し、それを空気中において所定の温度で２時間
焼成して、下表に示す組成の磁器を得た。 それをマイクロ波用誘電体共振器に使用して、
トラツプ法により共振周波数を測定し、この共振
周波数（ほぼ2GHz）と直径とから誘電率（ε）
を、また帯域反射法により無負荷Ｑ（Qu）を測定
した。共振周波数の温度安定度（τf）は、温度槽
に各試料を入れ、−30℃から＋70℃の温度変化に
おけるトラツプ周波数の変化を測定して求めた。
その結果を下表に示す。
MgO、Nb2O5、およびZrO2の成分で構成される
誘電体磁器材料に関するものであり、誘電率
（ε）と無負荷Ｑが大きく、かつ共振周波数の温
度安定度（τf）に優れたマイクロ波用誘電体共振
器を構成できる材料を提供しようとするものであ
る。 従来から、マイクロ波領域において、誘電体
は、マイクロ波回路のインピーダンス整合や、誘
電体共振器などに応用されてきている。近年、特
に、マイクロ波回路の集積化の技術が進歩するに
ともない、発振器の周波数の安定化などに、高誘
電率、低損失、低価格の誘電体磁器を使用して小
形化することが積極的に進められている。従来、
これらの誘電体材料としては、BaO―TiO2系磁
器、およびその一部を他の元素で置換した磁器、
さらには誘電率が負の温度変化をもつTiO2と正
の誘電率の温度変化をもつ誘電体磁器とを組合わ
せたものを使用する場合が多い。 しかし、これらは、誘電体損失が大きかつた
り、誘電率の温度変化のばらつきが大きかつた
り、共振周波数の安定度が大きすぎたりして、実
用上問題が多い。 出願人において、これらの欠点のない材料につ
いて、種々検討した結果、一般式xBaO・
yMgO・zNb2O5で表わされる組成において、0.5
≦ｘ≦0.75、0.1≦ｙ≦0.3、0.1≦ｚ≦0.3（ただし
ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）範囲内にある組成の磁器が、優
れた誘電体マイクロ波共振器になることを見出し
た（特開昭53−35345号）。しかしながら、これは
共振器周波数の温度安定度（τf）がかなり大きく
Ｑも低いものであり、その安定度およびＱを向上
させるための研究を進めた。本発明はその結果に
もとづくものである。 本発明にかかる誘電体共振器用材料は、BaO、
MgOおよびNb2O5さらにSrO・ZrO2を加えるこ
とによつて、無負荷Ｑと誘電率を低下させること
なく、共振周波数の温度安定度（τf）を向上させ
ることができたものである。その特徴とするとこ
ろは、（１−ｗ）（xBaO・yMgO・zNb2O5）＋
wSrO・ZrO2なる組成において0.5≦ｘ≦0.75、
0.1≦ｙ≦0.3、0.1≦ｚ≦0.3、0.05≦ｗ≦0.95の範
囲内（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）にある組成を有す
ることも特徴とする。 以下、実施例にもとづいて、本発明を説明す
る。 まずBaCO3、SrCO3、MgO、Nb2O5および
ZrO2の出発原料を各組成に応じて秤量し、めの
うボールを備え、かつゴム内張りしたボールミル
で純水とともに湿式混合した。この混合物を乾燥
させてから、空気中において1200℃で５時間仮焼
した後、前記ボールミルで湿式粉砕した。得られ
た粉砕泥しようをボールミルから取出して、乾燥
させた後、圧力700Kg/cm2で直径30mmの円板状に成
形し、それを空気中において所定の温度で２時間
焼成して、下表に示す組成の磁器を得た。 それをマイクロ波用誘電体共振器に使用して、
トラツプ法により共振周波数を測定し、この共振
周波数（ほぼ2GHz）と直径とから誘電率（ε）
を、また帯域反射法により無負荷Ｑ（Qu）を測定
した。共振周波数の温度安定度（τf）は、温度槽
に各試料を入れ、−30℃から＋70℃の温度変化に
おけるトラツプ周波数の変化を測定して求めた。
その結果を下表に示す。
【表】
ただし、※は比較例である。
表より明らかなように、本発明の誘電体磁器材
料は、マイクロ波領域において、無負荷Ｑが大き
く、誘電率が比較的大きく、さらに共振周波数の
温度安定度の改善された優れたものであることが
わかる。 本発明の範囲外の組成の試料６、７は、磁器へ
の焼結がよくなく、誘電体共振器として利用する
に十分な機械的強度をもつ磁器とならず、また試
料12はＱが低く、試料13は共振周波数の温度変化
が大きいので本発明の範囲から除いた。 なお、本発明にかかる磁器は、低周波領域にお
いても誘電損失が小さく（Ｑは10000以上）、かつ
誘電率の温度変化が小さいので、磁器コンデンサ
用としても優れた材料であり、その工業的価値の
大きいものである。
表より明らかなように、本発明の誘電体磁器材
料は、マイクロ波領域において、無負荷Ｑが大き
く、誘電率が比較的大きく、さらに共振周波数の
温度安定度の改善された優れたものであることが
わかる。 本発明の範囲外の組成の試料６、７は、磁器へ
の焼結がよくなく、誘電体共振器として利用する
に十分な機械的強度をもつ磁器とならず、また試
料12はＱが低く、試料13は共振周波数の温度変化
が大きいので本発明の範囲から除いた。 なお、本発明にかかる磁器は、低周波領域にお
いても誘電損失が小さく（Ｑは10000以上）、かつ
誘電率の温度変化が小さいので、磁器コンデンサ
用としても優れた材料であり、その工業的価値の
大きいものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式（１−ｗ）〔xBaO・yMgO・
zNb2O5〕＋wSrO・ZrO2で表わされる組成におい
て、 0.5≦ｘ≦0.75、0.1≦ｙ≦0.3、0.1≦ｚ≦0.3、
0.05≦ｗ≦0.95の範囲（ただしｘ＋ｙ＋ｚ＝１）
にある組成であることを特徴とする誘電体磁器材
料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6119779A JPS55154006A (en) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | Dielectric porcelain material |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6119779A JPS55154006A (en) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | Dielectric porcelain material |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154006A JPS55154006A (en) | 1980-12-01 |
| JPS6362844B2 true JPS6362844B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=13164203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6119779A Granted JPS55154006A (en) | 1979-05-17 | 1979-05-17 | Dielectric porcelain material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154006A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263757A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Canon Inc | 画像処理装置 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5292400A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Porcelain dielectric material |
| JPS5335345A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric resonator |
-
1979
- 1979-05-17 JP JP6119779A patent/JPS55154006A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5292400A (en) * | 1976-01-29 | 1977-08-03 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Porcelain dielectric material |
| JPS5335345A (en) * | 1976-09-13 | 1978-04-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Dielectric resonator |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0263757A (ja) * | 1988-08-30 | 1990-03-05 | Canon Inc | 画像処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154006A (en) | 1980-12-01 |
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