JPS63198207A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
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- JPS63198207A JPS63198207A JP62030945A JP3094587A JPS63198207A JP S63198207 A JPS63198207 A JP S63198207A JP 62030945 A JP62030945 A JP 62030945A JP 3094587 A JP3094587 A JP 3094587A JP S63198207 A JPS63198207 A JP S63198207A
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Landscapes
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- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は、例えばマイクロ波用誘電体材料として好適で
あって、高誘電率で誘電損失が小さく、温度係数の制御
が容易な誘電体磁器組成物に関するものである。
あって、高誘電率で誘電損失が小さく、温度係数の制御
が容易な誘電体磁器組成物に関するものである。
「従来の技術」
従来から、衛星放送のマイクロ波受信用サテライトレノ
−バーの低雑音周波数変換器（ＬＮＢ）、または、電圧
制御発振器（ＶＣＯ）やマイクロ波用フィルタ等の構成
材料として、あるいは、電気回路のインピーダンス整合
などのために、磁器製の誘電体が使用されてきた。そし
て近年、情報化社会の発達に応じて、特に、衛星放送の
受信器用低雑音コンバータや自動車電話等のマイクロ波
回路技術を応用した製品が多くなるにつれ、ますます高
誘電率で低損失の誘電体材料が要求され、その要求内容
も多様化しつつある。
−バーの低雑音周波数変換器（ＬＮＢ）、または、電圧
制御発振器（ＶＣＯ）やマイクロ波用フィルタ等の構成
材料として、あるいは、電気回路のインピーダンス整合
などのために、磁器製の誘電体が使用されてきた。そし
て近年、情報化社会の発達に応じて、特に、衛星放送の
受信器用低雑音コンバータや自動車電話等のマイクロ波
回路技術を応用した製品が多くなるにつれ、ますます高
誘電率で低損失の誘電体材料が要求され、その要求内容
も多様化しつつある。
従来これらの誘電体磁器組成物としてＢａＯ−４Ｔｉ０
ｔ、（ＺｒＳｎ）ＴｉＯｔ、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ
３などのＴ ｒ ０２系の材料が多く使用されてきた。
ｔ、（ＺｒＳｎ）ＴｉＯｔ、ＭｇＴｉＯ３−ＣａＴｉＯ
３などのＴ ｒ ０２系の材料が多く使用されてきた。
「発明が解決しようとする問題点ゴ
ところで一般に、マイクロ波用誘電体材料には、以下の
■〜■に記載する特性が要求される。
■〜■に記載する特性が要求される。
■誘電率が大きいこと。
■誘電損失が小さいこと。
■温度係数が小さく、かつ、その値を自由に制御できる
こと。
こと。
■前記各特性のバラツキが小さいこと。
しかしながら、従来知られている誘電体材料にあっては
、前記■〜■に記載した特性の総てを満足するものは少
なく、前記■〜■の要求のうちのどれかが不足であると
いった問題を有していた。
、前記■〜■に記載した特性の総てを満足するものは少
なく、前記■〜■の要求のうちのどれかが不足であると
いった問題を有していた。
本発明は、前記問題に鑑みてなされたもので、高い誘電
率を有し、誘電損失が小さいとともに、温度係数か小さ
く、しかも温度係数の制御が容易であって各特性のバラ
ツキも少ない誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
率を有し、誘電損失が小さいとともに、温度係数か小さ
く、しかも温度係数の制御が容易であって各特性のバラ
ツキも少ない誘電体磁器組成物を提供することを目的と
する。
「問題点を解決するための手段」
本発明は、前記問題点を解決するために、ＳｒＯ，Ｂａ
Ｏ，ＣａＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５からなる誘電体磁
器組成物であって、 その組成を一般式、 ＸＳｒ”ｙ Ｂａ（Ｃａ ｚｙ３Ｎｂ ｗｙ３Ｔａ ｔ
７３）ＯＬ十Ｚ／３＋５ｗＺｅ＋５ｔ／ａ と表したときに、 組成比 Ｘ、ｙ、Ｚ＋ｗ、ｔを ０．１＜ Ｘ ＜０．３ ０．７＜ ｙ ＜０．９ ０．６＜ Ｚ ＜１．１ ０ 〈 ッ 〈２ ０ 〈 ゎ 〈２ （ただしｘ ＋ｙ ＝１，２．６＜ｚ＋１十〇＜３．１
）の範囲としたものである。
Ｏ，ＣａＯ，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２０５からなる誘電体磁
器組成物であって、 その組成を一般式、 ＸＳｒ”ｙ Ｂａ（Ｃａ ｚｙ３Ｎｂ ｗｙ３Ｔａ ｔ
７３）ＯＬ十Ｚ／３＋５ｗＺｅ＋５ｔ／ａ と表したときに、 組成比 Ｘ、ｙ、Ｚ＋ｗ、ｔを ０．１＜ Ｘ ＜０．３ ０．７＜ ｙ ＜０．９ ０．６＜ Ｚ ＜１．１ ０ 〈 ッ 〈２ ０ 〈 ゎ 〈２ （ただしｘ ＋ｙ ＝１，２．６＜ｚ＋１十〇＜３．１
）の範囲としたものである。
本発明の誘電体磁器組成物において、組成を前記のよう
に限定した理由は、Ｘ≦０．１であって７≧０．９であ
ると温度係数がプラス側で大きくなりすぎるとともに、
Ｘ≧０．３であって、ｙ≦０７であると誘電体損（ｔａ
ｎδ）が大きくなりすぎるためである。また、Ｗ−０、
ｔ ＝ ２であると誘電率が小さくなりすぎ、Ｗ−２，
ｔ＝０であると誘電体損が大きくなるためである。更に
、Ｚ≦０゜６であると誘電率が小さくなり、２≧１．１
であると誘電体損が大きくなるためである。
に限定した理由は、Ｘ≦０．１であって７≧０．９であ
ると温度係数がプラス側で大きくなりすぎるとともに、
Ｘ≧０．３であって、ｙ≦０７であると誘電体損（ｔａ
ｎδ）が大きくなりすぎるためである。また、Ｗ−０、
ｔ ＝ ２であると誘電率が小さくなりすぎ、Ｗ−２，
ｔ＝０であると誘電体損が大きくなるためである。更に
、Ｚ≦０゜６であると誘電率が小さくなり、２≧１．１
であると誘電体損が大きくなるためである。
即ち前記組成の誘電体磁器組成物は、高い誘電率を有し
、誘電損失が少なく、かつ、温度係数も小さいものであ
る。
、誘電損失が少なく、かつ、温度係数も小さいものであ
る。
「実施例」
出発原料として、高純度の炭酸ストロンチウム（Ｓ ｒ
ＣＯ３）、炭酸バリウム（Ｂ ａＣＯ３）、炭酸カルシ
ウム（ＣａＣＯ３）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ５）、五
酸化タンタル（Ｔａ２０５）、を用い、先に記載した組
成比Ｘ＋Ｖ＋Ｚ＋ｗ、ｔが、後に記載する第１表に示す
値になるように秤量し、めのうボールを備えたボールミ
ル装置で湿式混合を行った。
ＣＯ３）、炭酸バリウム（Ｂ ａＣＯ３）、炭酸カルシ
ウム（ＣａＣＯ３）、五酸化ニオブ（Ｎｂ２ｏ５）、五
酸化タンタル（Ｔａ２０５）、を用い、先に記載した組
成比Ｘ＋Ｖ＋Ｚ＋ｗ、ｔが、後に記載する第１表に示す
値になるように秤量し、めのうボールを備えたボールミ
ル装置で湿式混合を行った。
前記混合物を脱水して乾燥した後、空気中において１２
００℃の温度で仮焼成を行った。この仮焼物を前記ボー
ルミル装置により湿式粉砕した。
００℃の温度で仮焼成を行った。この仮焼物を前記ボー
ルミル装置により湿式粉砕した。
こうして得られた粉末に、ポリビニールアルコール系の
バインダーを添加し、５０〜！５０メツシユの粒度に造
粒した。そして、Ｉ Ｏ００ｋｇ／ａｍ”の圧力でプレ
ス成形し、この成形体に空気中において１６００℃の温
度で５時間、本焼成を施し、誘電体磁器を得た。
バインダーを添加し、５０〜！５０メツシユの粒度に造
粒した。そして、Ｉ Ｏ００ｋｇ／ａｍ”の圧力でプレ
ス成形し、この成形体に空気中において１６００℃の温
度で５時間、本焼成を施し、誘電体磁器を得た。
以上の工程により製造された各誘電体磁器（第１表に示
す試料Ｎｏ１＝Ｎｏ１６）について、各試料の比誘電率
（Ｓｒ）と誘電体損（ｔａｎδ）と共振周波数における
温度係数（τｆｏ）の各値を誘電体共振器法を用い、１
０〜ＩＩＧＨｚの周波数で測定した。
す試料Ｎｏ１＝Ｎｏ１６）について、各試料の比誘電率
（Ｓｒ）と誘電体損（ｔａｎδ）と共振周波数における
温度係数（τｆｏ）の各値を誘電体共振器法を用い、１
０〜ＩＩＧＨｚの周波数で測定した。
その結果を第１表に示す。
（以下、余白）
第１表
以下に、第１表で得られた測定結果を基に、本発明で限
定した組成範囲について検討する。
定した組成範囲について検討する。
第１表において、試料Ｎｏ２．Ｎｏ３と試料Ｎｏ６〜Ｎ
ｏｌ０とＮｏ１２〜Ｎｏｌ ４が本発明で限定した組成
に基いて製造された試料であり、試料Ｎ。
ｏｌ０とＮｏ１２〜Ｎｏｌ ４が本発明で限定した組成
に基いて製造された試料であり、試料Ｎ。
ＩとＮｏ４ 、Ｎｏ５とＮｏｌ ＩとＮｏｌ ５ 、Ｎ
ｏｌ ６が本発明で限定した範囲から外れた組成の試料
である。
ｏｌ ６が本発明で限定した範囲から外れた組成の試料
である。
本発明においては、組成比のＸとｙについて、０ 、
Ｉ ＜ ｘ ＜ ０ 、３．０．７＜ｙ＜０．９の範囲
に限定しているが、Ｘ＝０．１、ｙ ＝ ０ 、９に設
定した試料Ｎｏｌの温度係数が３８．４を示し、プラス
側で他の試料に比較して大きくなりすぎていることと、
Ｘ＝０．３、ｙ＝０．７に設定した試料Ｎｏ４における
誘電体損が６．７１ＸＩＯ−’を示し、本発明例の各試
料に比較して大きくなっていることから、Ｘとｙの値に
関し前記の範囲が適切であることが明らかである。
Ｉ ＜ ｘ ＜ ０ 、３．０．７＜ｙ＜０．９の範囲
に限定しているが、Ｘ＝０．１、ｙ ＝ ０ 、９に設
定した試料Ｎｏｌの温度係数が３８．４を示し、プラス
側で他の試料に比較して大きくなりすぎていることと、
Ｘ＝０．３、ｙ＝０．７に設定した試料Ｎｏ４における
誘電体損が６．７１ＸＩＯ−’を示し、本発明例の各試
料に比較して大きくなっていることから、Ｘとｙの値に
関し前記の範囲が適切であることが明らかである。
また、組成比のＺについて、０．６＜ｚ＜１．１の範囲
に限定しているが、Ｚ＝０．６に設定した試料Ｎｏｌ
５の比誘電率が３３．１を示し、他の試料に比較して低
くなっていること、更には、ｚ−１，１に設定した試料
Ｎ０１６の誘電体損が７．３２ＸＩＯ−’を示し、他の
試料に比較して大きくなっていることから、Ｚの値に関
し、前記の範囲が適切であることが明らかである。
に限定しているが、Ｚ＝０．６に設定した試料Ｎｏｌ
５の比誘電率が３３．１を示し、他の試料に比較して低
くなっていること、更には、ｚ−１，１に設定した試料
Ｎ０１６の誘電体損が７．３２ＸＩＯ−’を示し、他の
試料に比較して大きくなっていることから、Ｚの値に関
し、前記の範囲が適切であることが明らかである。
更に、組成比の７とｔについて、０＜、＜２．０＜ｔ＜
２の範囲に限定しているが、Ｗ−０に、ｔ＝２に限定し
た試料Ｎｏ５の比誘電率が３２．６を示し、他の試料に
比較して低い値となっていること、Ｗ−２に、ｔ−０に
各々限定した試料Ｎ。
２の範囲に限定しているが、Ｗ−０に、ｔ＝２に限定し
た試料Ｎｏ５の比誘電率が３２．６を示し、他の試料に
比較して低い値となっていること、Ｗ−２に、ｔ−０に
各々限定した試料Ｎ。
１１の誘電体損が７．０１ｘｌＯ″□′を示し、本発明
例の試料より大きくなっていることから、ッとｔについ
て、前記の範囲が適切であることが明らかである。
例の試料より大きくなっていることから、ッとｔについ
て、前記の範囲が適切であることが明らかである。
ここで更に第１表において、本発明で限定した組成の試
料である試料Ｎｏ２、Ｎｏ３、Ｎｏ６〜Ｎ。
料である試料Ｎｏ２、Ｎｏ３、Ｎｏ６〜Ｎ。
１０、Ｎｏ１２〜Ｎｏｌ ４は、いずれも比誘電率が高
く、誘電体損が小さく、しかもこれらの値にバラツキが
少なく、更に、温度係数も０を中心としたマイナス側か
らプラス側の範囲でいずれも小さな絶対値を示し、組成
比を変えることで温度係数をマイナス側からプラス側に
容易に制御できることが明らかである。
く、誘電体損が小さく、しかもこれらの値にバラツキが
少なく、更に、温度係数も０を中心としたマイナス側か
らプラス側の範囲でいずれも小さな絶対値を示し、組成
比を変えることで温度係数をマイナス側からプラス側に
容易に制御できることが明らかである。
このため前記誘電体磁器組成物は、衛星通信のザテライ
トレソーバや自動車電話等の高周波機器用低雑音周波数
変換器の共振器として、あるいは、電圧制御発振器とし
て、更には、デュプレクサ、マイクロ波用フィルタ用、
温度補償コンデンサ用として好適であり、これらの機器
に適用することによって機器の小型化や高性能化、低コ
スト化が可能になる。
トレソーバや自動車電話等の高周波機器用低雑音周波数
変換器の共振器として、あるいは、電圧制御発振器とし
て、更には、デュプレクサ、マイクロ波用フィルタ用、
温度補償コンデンサ用として好適であり、これらの機器
に適用することによって機器の小型化や高性能化、低コ
スト化が可能になる。
「発明の効果」
以上説明したように本発明の誘電体磁器組成物は、Ｓｒ
ＯとＢａＯとＣａＯとＮｂｐＯｓとＴａｐＯ６からなり
、各元素の割合を特別な値に限定したものであるために
、誘電率が大きく、誘電損失が小さいとともに、温度係
数の値が小さく、かつ、含有元素の比を変更することに
よって温度係数を０を中心としたプラス側からマイナス
側の任意の値に制御できる優れたものである。このため
本発明の誘電体磁器組成物は、衛星放送のサテライトレ
シーバ等の高周波機器用低雑音周波数変換器の共振器用
として、あるいは、電圧制御発振器用として、更には、
デュプレクサ、マイクロ波用フィルタ用、温度補償コン
デンサ用として好適であり、これらの機器に応用するこ
とによって機器の小型化や高性能化、低コスト化を可能
にする効果がある。
ＯとＢａＯとＣａＯとＮｂｐＯｓとＴａｐＯ６からなり
、各元素の割合を特別な値に限定したものであるために
、誘電率が大きく、誘電損失が小さいとともに、温度係
数の値が小さく、かつ、含有元素の比を変更することに
よって温度係数を０を中心としたプラス側からマイナス
側の任意の値に制御できる優れたものである。このため
本発明の誘電体磁器組成物は、衛星放送のサテライトレ
シーバ等の高周波機器用低雑音周波数変換器の共振器用
として、あるいは、電圧制御発振器用として、更には、
デュプレクサ、マイクロ波用フィルタ用、温度補償コン
デンサ用として好適であり、これらの機器に応用するこ
とによって機器の小型化や高性能化、低コスト化を可能
にする効果がある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＳｒＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、Ｎｂ＿２Ｏ＿５、Ｔａ＿２Ｏ
＿５からなる誘電体磁器組成物であって、 その組成を一般式、 ｘＳｒ・ｙＢａ（Ｃａ＿ｚ＿／＿３Ｎｂ＿ｗ＿／＿３Ｔ
ａ＿ｔ＿／＿３）Ｏ＿１＿＋＿ｚ＿／＿３＿＋＿５＿ｗ
＿／＿６＿＋＿５＿ｔ＿／＿６と表したときに、 組成比 ｘ、ｙ、ｚ、ｗ、ｔを ０．１＜ｘ＜０．３ ０．７＜ｙ＜０．９ ０．６＜ｚ＜１．１ ０＜ｗ＜２ ０＜ｔ＜２ （ただしｘ＋ｙ＝１、２．６＜ｚ＋ｗ＋ｔ＜３．１）の
範囲としたことを特徴とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62030945A JPS63198207A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62030945A JPS63198207A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63198207A true JPS63198207A (ja) | 1988-08-16 |
Family
ID=12317815
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62030945A Pending JPS63198207A (ja) | 1987-02-13 | 1987-02-13 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63198207A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170096371A1 (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-06 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| KR20190136418A (ko) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 삼성전자주식회사 | 유전 복합체, 및 이를 포함하는 적층형 커패시터 및 전자 소자 |
| KR20200010807A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 삼성전자주식회사 | 세라믹 유전체, 세라믹 전자 부품 및 장치 |
-
1987
- 1987-02-13 JP JP62030945A patent/JPS63198207A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20170096371A1 (en) * | 2015-10-06 | 2017-04-06 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| CN106960726A (zh) * | 2015-10-06 | 2017-07-18 | Tdk株式会社 | 电介质组合物以及电子元件 |
| US9862646B2 (en) * | 2015-10-06 | 2018-01-09 | Tdk Corporation | Dielectric composition and electronic component |
| KR20190136418A (ko) * | 2018-05-30 | 2019-12-10 | 삼성전자주식회사 | 유전 복합체, 및 이를 포함하는 적층형 커패시터 및 전자 소자 |
| KR20200010807A (ko) * | 2018-07-23 | 2020-01-31 | 삼성전자주식회사 | 세라믹 유전체, 세라믹 전자 부품 및 장치 |
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