JP2002252143A - 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器 - Google Patents
温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率が低く、静電容量の温度依存性を制御
できる誘電体材料を用いることで、加工精度の影響に起
因する静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型化、
薄型化、軽量化が容易であって、温度補償が可能な薄膜
コンデンサを提供することを目的とする。 【解決手段】 比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱
膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘電体薄膜
５と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下の第
２の誘電体薄膜４とが一対の電極間に介在されたことを
特徴とする温度補償用薄膜コンデンサ１。
できる誘電体材料を用いることで、加工精度の影響に起
因する静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型化、
薄型化、軽量化が容易であって、温度補償が可能な薄膜
コンデンサを提供することを目的とする。 【解決手段】 比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱
膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘電体薄膜
５と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下の第
２の誘電体薄膜４とが一対の電極間に介在されたことを
特徴とする温度補償用薄膜コンデンサ１。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の接合容
量の温度依存性を補償してこれを使用した電子回路の温
度依存性を少なくした薄膜コンデンサ及びこの薄膜コン
デンサが備えられた電子機器に関する。
量の温度依存性を補償してこれを使用した電子回路の温
度依存性を少なくした薄膜コンデンサ及びこの薄膜コン
デンサが備えられた電子機器に関する。
【０００２】
【従来の技術】薄膜コンデンサとは一般に、基板上に下
部電極、誘電体層、上部電極を積層してなる構造とさ
れ、場合によっては下部電極としての機能を有する半導
体基板の上に誘電体層と上部電極層を順次積層してなる
構造とされている。この種の薄膜コンデンサにおいて
は、誘電体層の比誘電率およびＱが大きく、かつ、共振
周波数の温度係数においては０を中心として正または負
の任意の温度係数が得られることが望まれている。従
来、このような特性を有する誘電体組成物として、例え
ば、特開昭６０−１２４０３３号公報に開示されたもの
が知られている。この特許公報に開示された誘電体組成
物は、ＢａＯ-ＴｉＯ2系の誘電体に酸化サマリウム（Ｓ
ｍ2Ｏ3）、酸化ガドリウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化ジスプロ
シウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）等
を添加して焼成してなるものであった。しかしながらこ
の種の従来の誘電体磁器組成物を得るための技術にあっ
ては、比誘電率εｒは６１〜７２、温度係数τは−２４
〜３１ｐｐｍ／℃の範囲内でしか制御することができな
かった。
部電極、誘電体層、上部電極を積層してなる構造とさ
れ、場合によっては下部電極としての機能を有する半導
体基板の上に誘電体層と上部電極層を順次積層してなる
構造とされている。この種の薄膜コンデンサにおいて
は、誘電体層の比誘電率およびＱが大きく、かつ、共振
周波数の温度係数においては０を中心として正または負
の任意の温度係数が得られることが望まれている。従
来、このような特性を有する誘電体組成物として、例え
ば、特開昭６０−１２４０３３号公報に開示されたもの
が知られている。この特許公報に開示された誘電体組成
物は、ＢａＯ-ＴｉＯ2系の誘電体に酸化サマリウム（Ｓ
ｍ2Ｏ3）、酸化ガドリウム（Ｇｄ2Ｏ3）、酸化ジスプロ
シウム（Ｄｙ2Ｏ3）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ2Ｏ3）等
を添加して焼成してなるものであった。しかしながらこ
の種の従来の誘電体磁器組成物を得るための技術にあっ
ては、比誘電率εｒは６１〜７２、温度係数τは−２４
〜３１ｐｐｍ／℃の範囲内でしか制御することができな
かった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような背景から技
術開発が進められ、共振周波数の温度係数が正の値の第
１誘電体磁器組成物シートと共振周波数の温度係数が負
の値の第２誘電体磁器組成物シートを積層し接着して組
み合わせてなる構造の誘電体磁器組成物が特開昭６３−
１１０６１８号において提供された。この特許公報に記
載された技術によれば、必要組成の原料を混合したもの
を直径１６ｍｍ、厚さ９ｍｍの円板状に成形し、この成
形体を１２６０〜１４５０℃の温度で数時間焼成するこ
とで第１の誘電体磁器組成物を得るとともに、上記と異
なる組成の原料を用いて成形と焼成処理を施し、同サイ
ズの第２の誘電体磁器組成物を製造し、両誘電体磁器組
成物を厚さ１ｍｍ程度の厚さのシート状に切り出し、こ
れらを積層することで積層型の誘電体磁器組成物を得る
ものであった。より具体的には、比誘電率が異なるか、
あるいは、等しい誘電体磁器組成物を積層し、両者の体
積組成比を調整することによって所望の比誘電率及び温
度係数を得ることができるというものである。
術開発が進められ、共振周波数の温度係数が正の値の第
１誘電体磁器組成物シートと共振周波数の温度係数が負
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み合わせてなる構造の誘電体磁器組成物が特開昭６３−
１１０６１８号において提供された。この特許公報に記
載された技術によれば、必要組成の原料を混合したもの
を直径１６ｍｍ、厚さ９ｍｍの円板状に成形し、この成
形体を１２６０〜１４５０℃の温度で数時間焼成するこ
とで第１の誘電体磁器組成物を得るとともに、上記と異
なる組成の原料を用いて成形と焼成処理を施し、同サイ
ズの第２の誘電体磁器組成物を製造し、両誘電体磁器組
成物を厚さ１ｍｍ程度の厚さのシート状に切り出し、こ
れらを積層することで積層型の誘電体磁器組成物を得る
ものであった。より具体的には、比誘電率が異なるか、
あるいは、等しい誘電体磁器組成物を積層し、両者の体
積組成比を調整することによって所望の比誘電率及び温
度係数を得ることができるというものである。
【０００４】ところが、特開昭６３−１１０６１８号に
開示の技術によれば、焼結法で製造した第１の誘電体磁
器組成物と第２の誘電体組成物の１ｍｍ程度の厚さの複
数枚のシートを積層する構成であるが為に、シート状の
積層型のコンデンサには対応できるものの、更なる小型
化、軽量化には限界を有していた。例えば、厚さ１ｍｍ
以下のコンデンサとすることができず、更なる薄膜化が
困難であった。また、特開昭６３−１１０６１８号の技
術では、上記誘電体磁器組成物の材料として比誘電率が
３０以上の高誘電体材料を用いているために高いＱ値を
得るための制約が大きいという問題があった。また、上
記誘電体磁気組成物は高誘電率であるため、加工精度に
バラツキがあると容量に影響し易く、コンデンサの静電
容量にバラツキが生じてしまう。上記Ｑ値は高周波特性
を示すもので、この値が大きい程、誘電損失が少なく、
高周波材料として優れるものである。
開示の技術によれば、焼結法で製造した第１の誘電体磁
器組成物と第２の誘電体組成物の１ｍｍ程度の厚さの複
数枚のシートを積層する構成であるが為に、シート状の
積層型のコンデンサには対応できるものの、更なる小型
化、軽量化には限界を有していた。例えば、厚さ１ｍｍ
以下のコンデンサとすることができず、更なる薄膜化が
困難であった。また、特開昭６３−１１０６１８号の技
術では、上記誘電体磁器組成物の材料として比誘電率が
３０以上の高誘電体材料を用いているために高いＱ値を
得るための制約が大きいという問題があった。また、上
記誘電体磁気組成物は高誘電率であるため、加工精度に
バラツキがあると容量に影響し易く、コンデンサの静電
容量にバラツキが生じてしまう。上記Ｑ値は高周波特性
を示すもので、この値が大きい程、誘電損失が少なく、
高周波材料として優れるものである。
【０００５】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
で、比誘電率が低く、静電容量の温度依存性を制御でき
る誘電体材料を用いることで、加工精度の影響に起因す
る静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型化、薄型
化、軽量化が容易であって、温度補償が可能な薄膜コン
デンサの提供を目的とする。また、本発明は先の特徴を
満たした上で１ＧＨｚ以上の高周波帯域でのＱ値が優れ
た薄膜コンデンサを提供することを目的とする。また、
本発明は、上記のような優れた特性を有する薄膜コンデ
ンサを備えることにより、温度安定性が優れた電子機器
を提供することを目的とする。
で、比誘電率が低く、静電容量の温度依存性を制御でき
る誘電体材料を用いることで、加工精度の影響に起因す
る静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型化、薄型
化、軽量化が容易であって、温度補償が可能な薄膜コン
デンサの提供を目的とする。また、本発明は先の特徴を
満たした上で１ＧＨｚ以上の高周波帯域でのＱ値が優れ
た薄膜コンデンサを提供することを目的とする。また、
本発明は、上記のような優れた特性を有する薄膜コンデ
ンサを備えることにより、温度安定性が優れた電子機器
を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は上記課題を解
決すべく、以下に述べるような種々の検討及び実験を重
ねた結果、誘電体材料の電子分極の密度の温度依存性
と、比誘電率の温度依存性とは相関があり、さらに容量
温度係数は比誘電率と線熱膨張係数の積に比例すること
から、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃程度以上の材料を
選択することにより、容量温度係数が負で、その絶対値
が２００ｐｐｍ／℃以上である薄膜コンデンサの提供が
可能であり、さらに、検討した結果、比誘電率が４．０
以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上で
ある誘電体薄膜を用いることにより、加工精度の影響に
起因する静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型
化、薄型化、軽量化が容易で、温度補償が可能であっ
て、しかも高周波帯域でのＱ値が優れた薄膜コンデンサ
を提供できることを究明し、本発明を完成したのであ
る。
決すべく、以下に述べるような種々の検討及び実験を重
ねた結果、誘電体材料の電子分極の密度の温度依存性
と、比誘電率の温度依存性とは相関があり、さらに容量
温度係数は比誘電率と線熱膨張係数の積に比例すること
から、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃程度以上の材料を
選択することにより、容量温度係数が負で、その絶対値
が２００ｐｐｍ／℃以上である薄膜コンデンサの提供が
可能であり、さらに、検討した結果、比誘電率が４．０
以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上で
ある誘電体薄膜を用いることにより、加工精度の影響に
起因する静電容量のバラツキの問題を改善でき、小型
化、薄型化、軽量化が容易で、温度補償が可能であっ
て、しかも高周波帯域でのＱ値が優れた薄膜コンデンサ
を提供できることを究明し、本発明を完成したのであ
る。
【０００７】下記式（１）で示されるClausius-Mosotti
の式に基づく現象論的理論から誘電率の温度依存性を検
討した。
の式に基づく現象論的理論から誘電率の温度依存性を検
討した。
【０００８】
【数１】
【０００９】（式中、ｋは比誘電率、αm／Ｖは単位体
積当たりの分極率を表す。上記式（１）を温度Ｔで微分
し整理すると下記式（２）のようになる。
積当たりの分極率を表す。上記式（１）を温度Ｔで微分
し整理すると下記式（２）のようになる。
【００１０】
【数２】
【００１１】（式中、ｔａｎδは誘電正接、Ｋは線熱膨
張係数で、Ｋ≒１０4 （ｐｐｍ／℃）である。）
張係数で、Ｋ≒１０4 （ｐｐｍ／℃）である。）
【００１２】
【数３】
【００１３】
【数４】
【００１４】
【数５】
【００１５】図６に、式（２）を基にした比誘電率ｋと
容量温度係数の関係の概略図を示す。図６から低誘電率
領域と中間誘電率領域と高誘電率領域の３つの領域が存
在することが理解できる。図６の比誘電率が４以下の低
誘電率領域（〜１＜ｋ＜〜４））では、分極の主な要因
は電子分極であり、これは温度依存性を示さない。しか
しこの電子分極の密度が温度変化することで比誘電率は
温度変化し、容量温度係数は比誘電率と線熱膨張係数の
積に比例することになる。従って、本発明者らは、線熱
膨張係数が数十から数百ｐｐｍ／℃程度の材料を選択す
ることにより、容量温度係数の値はマイナス数百から数
千ｐｐｍ／℃が得られるとの考えに至った。実際に、線
熱膨張係数が１７０〜２１０ｐｐｍ／℃のアクリル系樹
脂（ｋ＝３．５）からなる誘電体薄膜をコンデンサに適
用した場合、容量温度係数−２０００ｐｐｍ／℃程度が
得られることを確認した。しかしながら、アクリル系樹
脂は高周波領域におけるＱ値が低く、具体的には１ＧＨ
ｚでのＱ値は３０程度であるため、高周波領域で用いら
れる半導体接合容量を使用した電子回路等に適用できな
い。
容量温度係数の関係の概略図を示す。図６から低誘電率
領域と中間誘電率領域と高誘電率領域の３つの領域が存
在することが理解できる。図６の比誘電率が４以下の低
誘電率領域（〜１＜ｋ＜〜４））では、分極の主な要因
は電子分極であり、これは温度依存性を示さない。しか
しこの電子分極の密度が温度変化することで比誘電率は
温度変化し、容量温度係数は比誘電率と線熱膨張係数の
積に比例することになる。従って、本発明者らは、線熱
膨張係数が数十から数百ｐｐｍ／℃程度の材料を選択す
ることにより、容量温度係数の値はマイナス数百から数
千ｐｐｍ／℃が得られるとの考えに至った。実際に、線
熱膨張係数が１７０〜２１０ｐｐｍ／℃のアクリル系樹
脂（ｋ＝３．５）からなる誘電体薄膜をコンデンサに適
用した場合、容量温度係数−２０００ｐｐｍ／℃程度が
得られることを確認した。しかしながら、アクリル系樹
脂は高周波領域におけるＱ値が低く、具体的には１ＧＨ
ｚでのＱ値は３０程度であるため、高周波領域で用いら
れる半導体接合容量を使用した電子回路等に適用できな
い。
【００１６】そこで、本発明者らは高周波領域、特に、
１ＧＨｚ以上の高周波領域におけるＱ値が高い材料で、
しかも熱膨張係数が適切な材料について種々の検討及び
実験を重ねた結果、後述のパーフルオロジビニルエーテ
ルの環化体高分子等のフッ素系高分子材料や、ポリプロ
ピレンや、ベンゾシクロブテン系又はナフトシクロブテ
ン系高分子材料が好適であることを究明し、本発明を完
成したのである。上記環化体高分子は、比誘電率２．１
であり、線熱膨張係数が７０〜１００ｐｐｍ／℃であ
り、この高分子膜から構成した誘電体薄膜を電極間に介
在させてコンデンサを作製すると、容量温度係数が−６
００〜−７００ｐｐｍ／℃得られることが分かった。上
記ベンゾシクロブテン系又はナフトシクロブテン系高分
子材料は、比誘電率２．７であり、線熱膨張係数が５０
〜７０ｐｐｍ／℃であり、この高分子膜から構成した誘
電体薄膜を電極間に介在させてコンデンサを作製する
と、容量温度係数が−３５０ｐｐｍ／℃〜−４００ｐｐ
ｍ／℃得られることが分かった。
１ＧＨｚ以上の高周波領域におけるＱ値が高い材料で、
しかも熱膨張係数が適切な材料について種々の検討及び
実験を重ねた結果、後述のパーフルオロジビニルエーテ
ルの環化体高分子等のフッ素系高分子材料や、ポリプロ
ピレンや、ベンゾシクロブテン系又はナフトシクロブテ
ン系高分子材料が好適であることを究明し、本発明を完
成したのである。上記環化体高分子は、比誘電率２．１
であり、線熱膨張係数が７０〜１００ｐｐｍ／℃であ
り、この高分子膜から構成した誘電体薄膜を電極間に介
在させてコンデンサを作製すると、容量温度係数が−６
００〜−７００ｐｐｍ／℃得られることが分かった。上
記ベンゾシクロブテン系又はナフトシクロブテン系高分
子材料は、比誘電率２．７であり、線熱膨張係数が５０
〜７０ｐｐｍ／℃であり、この高分子膜から構成した誘
電体薄膜を電極間に介在させてコンデンサを作製する
と、容量温度係数が−３５０ｐｐｍ／℃〜−４００ｐｐ
ｍ／℃得られることが分かった。
【００１７】一方、図６の中間誘電率領域（〜４＜ｋ＜
〜３０）では、分極の主な要因は電子分極から原子分極
への遷移領域に相当する。原子振動ポテンシャルの非線
形性に起因する原子の固有振動数の低下による比誘電率
の正の温度依存性と上記密度変化による負の温度依存性
が競合し、この領域では容量温度係数は正にも負にもな
り得る。本願発明者らは、ＳｉＮxの例としてＳｉ3Ｎ4
と、ＳｉＯx の例としてＳｉＯ2の容量温度係数を調べ
たところ、Ｓｉ3Ｎ4で０ｐｐｍ／℃、ＳｉＯ2で−１２
０ｐｐｍ／℃程度の値が得られた。これらＳｉＮx又は
ＳｉＯxからなる誘電体薄膜を単独で電極間に挟んだコ
ンデンサでは、容量温度係数が負になるに従ってＱ値が
低くなるため、単独で電極間に介在させても目的とする
特性を有したコンデンサの提供が困難である。しかし、
このような中間誘電率領域にある誘電体材料から構成し
た誘電体薄膜は、上記のパーフルオロジビニルエーテル
の環化体高分子等のフッ素系高分子材料から構成した誘
電体薄膜と組み合わせて用い、これら誘電体薄膜の膜厚
比等を調整することで、容量温度係数が負で、その絶対
値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望の値に制御
できるとの結論に至った。
〜３０）では、分極の主な要因は電子分極から原子分極
への遷移領域に相当する。原子振動ポテンシャルの非線
形性に起因する原子の固有振動数の低下による比誘電率
の正の温度依存性と上記密度変化による負の温度依存性
が競合し、この領域では容量温度係数は正にも負にもな
り得る。本願発明者らは、ＳｉＮxの例としてＳｉ3Ｎ4
と、ＳｉＯx の例としてＳｉＯ2の容量温度係数を調べ
たところ、Ｓｉ3Ｎ4で０ｐｐｍ／℃、ＳｉＯ2で−１２
０ｐｐｍ／℃程度の値が得られた。これらＳｉＮx又は
ＳｉＯxからなる誘電体薄膜を単独で電極間に挟んだコ
ンデンサでは、容量温度係数が負になるに従ってＱ値が
低くなるため、単独で電極間に介在させても目的とする
特性を有したコンデンサの提供が困難である。しかし、
このような中間誘電率領域にある誘電体材料から構成し
た誘電体薄膜は、上記のパーフルオロジビニルエーテル
の環化体高分子等のフッ素系高分子材料から構成した誘
電体薄膜と組み合わせて用い、これら誘電体薄膜の膜厚
比等を調整することで、容量温度係数が負で、その絶対
値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望の値に制御
できるとの結論に至った。
【００１８】次に、本発明において誘電体薄膜として、
線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上のものを用いた理由
について述べる。半導体接合容量を使用した電子回路で
は、通常、この半導体接合容量の容量温度係数が正（＋
２００〜＋５００ｐｐｍ／℃）であるために、この半導
体接合容量の温度特性をうち消すために、この電子回路
に備える温度補償用薄膜コンデンサには、容量温度係数
が負で、その絶対値が２００ｐｐｍ／℃以上であること
が要望されている。
線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上のものを用いた理由
について述べる。半導体接合容量を使用した電子回路で
は、通常、この半導体接合容量の容量温度係数が正（＋
２００〜＋５００ｐｐｍ／℃）であるために、この半導
体接合容量の温度特性をうち消すために、この電子回路
に備える温度補償用薄膜コンデンサには、容量温度係数
が負で、その絶対値が２００ｐｐｍ／℃以上であること
が要望されている。
【００１９】容量温度係数と線熱膨張係数と比誘電率
は、下記式（３） Ｔcc＝−ａ・αｔ・ｋ （３） （式中、Ｔcc は容量温度係数、−ａ＝４、αｔは線熱
膨張係数（ｐｐｍ／℃）、ｋは比誘電率を示す。）で示
される関係で示すことができ、誘電体薄膜の比誘電率が
４以下のとき、容量温度係数を−２００ｐｐｍ／℃以下
にできる線熱膨張係数の範囲は式（３）からαｔ＝１
２．５ｐｐｍ／℃以上であるが、本発明では特に誘電体
薄膜の比誘電率が４以下で、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上のものを本発明の範囲とした。
は、下記式（３） Ｔcc＝−ａ・αｔ・ｋ （３） （式中、Ｔcc は容量温度係数、−ａ＝４、αｔは線熱
膨張係数（ｐｐｍ／℃）、ｋは比誘電率を示す。）で示
される関係で示すことができ、誘電体薄膜の比誘電率が
４以下のとき、容量温度係数を−２００ｐｐｍ／℃以下
にできる線熱膨張係数の範囲は式（３）からαｔ＝１
２．５ｐｐｍ／℃以上であるが、本発明では特に誘電体
薄膜の比誘電率が４以下で、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上のものを本発明の範囲とした。
【００２０】図７に、誘電体薄膜の比誘電率と線熱膨張
係数との関係を示した。斜線領域は、比誘電率ｋが４以
下のときに容量温度係数を−２００ｐｐｍ／℃以下（容
量温度係数が負で、その絶対値が２００ｐｐｍ／℃以
上）にできる領域（図７の斜線領域）である。本発明の
範囲（比誘電率が４以下で、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上）は、図７の斜線が重なった領域である。
係数との関係を示した。斜線領域は、比誘電率ｋが４以
下のときに容量温度係数を−２００ｐｐｍ／℃以下（容
量温度係数が負で、その絶対値が２００ｐｐｍ／℃以
上）にできる領域（図７の斜線領域）である。本発明の
範囲（比誘電率が４以下で、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上）は、図７の斜線が重なった領域である。
【００２１】上記課題を解決するために本発明の温度補
償用薄膜コンデンサは、比誘電率が４．０以下であり、
かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上である誘電体薄
膜が一対の電極間に介在されたことを特徴とする。上記
誘電体薄膜の比誘電率は、１．５以上４．０以下である
ことが好ましく、安定な電子分極の領域安定的に負の容
量温度係数を示すことができる点で比誘電率は１．５以
上２．５以下であることがさらに好ましい。かかる構成
の温度補償用薄膜コンデンサでは、誘電体薄膜として線
熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上のものを用いることに
より、容量温度係数（静電容量の温度係数）を負に制御
でき、また、誘電体薄膜として比誘電率が４．０以下の
ものを用いることにより、加工精度の影響を受けにくく
なり、静電容量のバラツキの問題を改善でき、温度補償
が可能である。また、かかる構成の温度補償用薄膜コン
デンサによれば、小型化、薄型化、軽量化された薄膜コ
ンデンサが得られる。本発明において上記誘電体薄膜の
線熱膨張係数を２５ｐｐｍ／℃以上としたのは、半導体
接合容量を使用した電子回路では、上記半導体接合容量
が正の温度係数を有しているために、この半導体接合容
量の温度係数をうち消すために、温度補償用コンデンサ
の容量温度係数（静電容量の温度係数）を負にするこ
と、特に−２００ｐｐｍ／℃から−５００ｐｐｍ／℃の
範囲内の値にすることが要望されるが、上記誘電体薄膜
の線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃未満であると、コンデ
ンサの容量温度係数を上記の範囲にするのが困難になっ
てしまうからである。
償用薄膜コンデンサは、比誘電率が４．０以下であり、
かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上である誘電体薄
膜が一対の電極間に介在されたことを特徴とする。上記
誘電体薄膜の比誘電率は、１．５以上４．０以下である
ことが好ましく、安定な電子分極の領域安定的に負の容
量温度係数を示すことができる点で比誘電率は１．５以
上２．５以下であることがさらに好ましい。かかる構成
の温度補償用薄膜コンデンサでは、誘電体薄膜として線
熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上のものを用いることに
より、容量温度係数（静電容量の温度係数）を負に制御
でき、また、誘電体薄膜として比誘電率が４．０以下の
ものを用いることにより、加工精度の影響を受けにくく
なり、静電容量のバラツキの問題を改善でき、温度補償
が可能である。また、かかる構成の温度補償用薄膜コン
デンサによれば、小型化、薄型化、軽量化された薄膜コ
ンデンサが得られる。本発明において上記誘電体薄膜の
線熱膨張係数を２５ｐｐｍ／℃以上としたのは、半導体
接合容量を使用した電子回路では、上記半導体接合容量
が正の温度係数を有しているために、この半導体接合容
量の温度係数をうち消すために、温度補償用コンデンサ
の容量温度係数（静電容量の温度係数）を負にするこ
と、特に−２００ｐｐｍ／℃から−５００ｐｐｍ／℃の
範囲内の値にすることが要望されるが、上記誘電体薄膜
の線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃未満であると、コンデ
ンサの容量温度係数を上記の範囲にするのが困難になっ
てしまうからである。
【００２２】本発明の前述の構造において周波数１ＧＨ
ｚ以上のＱ値が１００以上であることを特徴とする。ま
た、本発明の前述の構造において周波数１ＧＨｚ以上の
Ｑ値が３００以上であることが好ましい。かかる構成の
温度補償用薄膜コンデンサでは、誘電体薄膜として比誘
電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐ
ｍ／℃以上であるうえ、コンデンサに備えたときに周波
数１ＧＨｚ以上のＱ値が１００以上とすることができる
ものを用いることにより、１ＧＨｚ以上の高周波領域で
の誘電損失が小さくなり、周波数１ＧＨｚ以上の高周波
回路に適した薄膜コンデンサが得られる。
ｚ以上のＱ値が１００以上であることを特徴とする。ま
た、本発明の前述の構造において周波数１ＧＨｚ以上の
Ｑ値が３００以上であることが好ましい。かかる構成の
温度補償用薄膜コンデンサでは、誘電体薄膜として比誘
電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐ
ｍ／℃以上であるうえ、コンデンサに備えたときに周波
数１ＧＨｚ以上のＱ値が１００以上とすることができる
ものを用いることにより、１ＧＨｚ以上の高周波領域で
の誘電損失が小さくなり、周波数１ＧＨｚ以上の高周波
回路に適した薄膜コンデンサが得られる。
【００２３】本発明の前述の構成において容量温度係数
が負であることを特徴とする。上記容量温度係数の絶対
値は、２００ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。半
導体接合容量を使用した電子回路では、上記半導体接合
容量が正の温度係数を有しているために、温度補償用コ
ンデンサの容量温度係数（静電容量の温度係数）が負
で、特に温度係数の絶対値が２００ｐｐｍ／℃以上であ
ると、半導体接合容量の正の温度係数をうち消すことが
できる。
が負であることを特徴とする。上記容量温度係数の絶対
値は、２００ｐｐｍ／℃以上であることが好ましい。半
導体接合容量を使用した電子回路では、上記半導体接合
容量が正の温度係数を有しているために、温度補償用コ
ンデンサの容量温度係数（静電容量の温度係数）が負
で、特に温度係数の絶対値が２００ｐｐｍ／℃以上であ
ると、半導体接合容量の正の温度係数をうち消すことが
できる。
【００２４】本発明の前述の構成において上記誘電体薄
膜は、フッ素系高分子材料を主成分として含むことを特
徴とする。フッ素系高分子材料としては、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン
−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦ
Ａ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体（ＦＥＰ）等の結晶質で、パーフルオロ系
のフッ素系ポリマー、あるいは、パーフルオロジビニル
エーテルの環化体高分子等の非晶質で、パーフルオロ系
のフッ素系ポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン
（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共
重合体（ＥＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エ
チレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等のフッ素系ポリマー等
を用いることができる。上記のフッ素系高分子材料が誘
電体薄膜中に主成分として含まれていると、比誘電率が
４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃
以上の誘電体薄膜が得られる。また、用いるフッ素系高
分子材料によっては薄膜コンデンサの周波数１ＧＨｚ以
上のＱ値を１００以上、好ましくは３００以上とするこ
とができる。
膜は、フッ素系高分子材料を主成分として含むことを特
徴とする。フッ素系高分子材料としては、ポリテトラフ
ルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン
−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦ
Ａ）、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピ
レン共重合体（ＦＥＰ）等の結晶質で、パーフルオロ系
のフッ素系ポリマー、あるいは、パーフルオロジビニル
エーテルの環化体高分子等の非晶質で、パーフルオロ系
のフッ素系ポリマー、ポリクロロトリフルオロエチレン
（ＰＣＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−エチレン共
重合体（ＥＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレン−エ
チレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等のフッ素系ポリマー等
を用いることができる。上記のフッ素系高分子材料が誘
電体薄膜中に主成分として含まれていると、比誘電率が
４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃
以上の誘電体薄膜が得られる。また、用いるフッ素系高
分子材料によっては薄膜コンデンサの周波数１ＧＨｚ以
上のＱ値を１００以上、好ましくは３００以上とするこ
とができる。
【００２５】上記のフッ素系高分子材料でも特にパーフ
ルオロジビニルエーテルの環化体高分子を用いると、該
高分子材料は溶媒としてのパーフルオロトリブチルアミ
ン（ＴＦＰＡ）に溶解して用いることでスピンコート法
により誘電体薄膜を容易に形成できるため、製造工程の
簡略化が可能で、有利である。本発明の前述の構成にお
いて上記誘電体薄膜としては、上記フッ素系高分子材料
を主成分として含むもの以外に、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）を主成分として含むもの、あるいはポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分として含むもの、あ
るいはシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）を主
成分として含むものであってもよい。
ルオロジビニルエーテルの環化体高分子を用いると、該
高分子材料は溶媒としてのパーフルオロトリブチルアミ
ン（ＴＦＰＡ）に溶解して用いることでスピンコート法
により誘電体薄膜を容易に形成できるため、製造工程の
簡略化が可能で、有利である。本発明の前述の構成にお
いて上記誘電体薄膜としては、上記フッ素系高分子材料
を主成分として含むもの以外に、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）を主成分として含むもの、あるいはポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分として含むもの、あ
るいはシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）を主
成分として含むものであってもよい。
【００２６】本発明の前述の構成において上記誘電体薄
膜がパーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子等の
フッ素系高分子材料を主成分として含むものである場
合、この誘電体薄膜の上側に該誘電体薄膜を被覆する保
護膜（キャップ材）が積層されていることが好ましい。
それは、上記パーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子等のフッ素系高分子材料は電極形成時に用いられる
レジスト現像液やレジスト剥離液に腐食され易いため、
誘電体薄膜がパーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子等のフッ素系高分子材料を主成分として含むもので
ある場合に、この誘電体薄膜を覆う保護膜が形成されて
いれば、上記誘電体薄膜の腐食を防止できる。上記保護
膜の材料としては、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等の
ＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯxＮy、Ｔｉ等のうちから選択し
て用いられる。
膜がパーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子等の
フッ素系高分子材料を主成分として含むものである場
合、この誘電体薄膜の上側に該誘電体薄膜を被覆する保
護膜（キャップ材）が積層されていることが好ましい。
それは、上記パーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子等のフッ素系高分子材料は電極形成時に用いられる
レジスト現像液やレジスト剥離液に腐食され易いため、
誘電体薄膜がパーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子等のフッ素系高分子材料を主成分として含むもので
ある場合に、この誘電体薄膜を覆う保護膜が形成されて
いれば、上記誘電体薄膜の腐食を防止できる。上記保護
膜の材料としては、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等の
ＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯxＮy、Ｔｉ等のうちから選択し
て用いられる。
【００２７】また、本発明の前述の構成において上記誘
電体薄膜は、分子内に単環式炭化水素を含む縮合多環式
炭化水素基と、不飽和結合とを有する高分子材料を主成
分として含むものであってもよい。上記分子内に単環式
炭化水素を含む縮合多環式炭化水素基と、不飽和結合を
有する高分子材料としては、例えば、ベンゾシクロブテ
ン系高分子材料またはナフトシクロブテン系高分子材料
を主成分として含むものであってもよい。ベンゾシクロ
ブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料として
は、例えば、分子内にベンゾシクロブテン基又はナフト
シクロブテン基と、エチレン基とを有する高分子材料
や、分子内にベンゾシクロブテン基又はナフトシクロブ
テン基と、エチレン基と、シロキサン結合とを有する高
分子材料が用いられる。
電体薄膜は、分子内に単環式炭化水素を含む縮合多環式
炭化水素基と、不飽和結合とを有する高分子材料を主成
分として含むものであってもよい。上記分子内に単環式
炭化水素を含む縮合多環式炭化水素基と、不飽和結合を
有する高分子材料としては、例えば、ベンゾシクロブテ
ン系高分子材料またはナフトシクロブテン系高分子材料
を主成分として含むものであってもよい。ベンゾシクロ
ブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料として
は、例えば、分子内にベンゾシクロブテン基又はナフト
シクロブテン基と、エチレン基とを有する高分子材料
や、分子内にベンゾシクロブテン基又はナフトシクロブ
テン基と、エチレン基と、シロキサン結合とを有する高
分子材料が用いられる。
【００２８】上記のベンゾシクロブテン系またはナフト
シクロブテン系高分子材料が誘電体薄膜中に主成分とし
て含まれていると、比誘電率が４．０以下であり、かつ
線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上の誘電体薄膜が得ら
れる。また、用いるベンゾシクロブテン系またはナフト
シクロブテン系高分子材料によっては薄膜コンデンサの
周波数１ＧＨｚ以上のＱ値を１００以上、好ましくは３
００以上とすることができる。上記誘電体薄膜を上記の
ようなベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン
系高分子材料から構成する場合、これら高分子材料は電
極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離液
に腐食され難いために上記のような保護膜（キャップ
材）を設けなくてもよく、有利である。
シクロブテン系高分子材料が誘電体薄膜中に主成分とし
て含まれていると、比誘電率が４．０以下であり、かつ
線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上の誘電体薄膜が得ら
れる。また、用いるベンゾシクロブテン系またはナフト
シクロブテン系高分子材料によっては薄膜コンデンサの
周波数１ＧＨｚ以上のＱ値を１００以上、好ましくは３
００以上とすることができる。上記誘電体薄膜を上記の
ようなベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン
系高分子材料から構成する場合、これら高分子材料は電
極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離液
に腐食され難いために上記のような保護膜（キャップ
材）を設けなくてもよく、有利である。
【００２９】上記課題を解決するために本発明の温度補
償用薄膜コンデンサは、比誘電率が４．０以下であり、
かつ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘
電体薄膜と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以
下の第２の誘電体薄膜とが一対の電極間に介在されたこ
とを特徴とする。かかる構成の温度補償用薄膜コンデン
サによれば、上記第１の誘電体薄膜と上記第２の誘電体
薄膜の膜厚比や体積比を変更することで、容量温度係数
が負で、その絶対値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内
にはいるように制御することができる。このように本発
明の温度補償用薄膜コンデンサは、容量温度係数の絶対
値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望の値に制御
できるので、携帯型電子機器、マイクロ波用通信機器等
の温度に対応して補償する必要がある電子機器回路に応
じた容量温度係数を有することができ、従って、適用で
きる電子回路が制限されにくい。また、第１の誘電体薄
膜と第２の誘電体薄膜の積層により構成されているの
で、従来のシート状の誘電体磁器組成物の積層構造とは
異なり、薄型化、小型化に有利である。
償用薄膜コンデンサは、比誘電率が４．０以下であり、
かつ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘
電体薄膜と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以
下の第２の誘電体薄膜とが一対の電極間に介在されたこ
とを特徴とする。かかる構成の温度補償用薄膜コンデン
サによれば、上記第１の誘電体薄膜と上記第２の誘電体
薄膜の膜厚比や体積比を変更することで、容量温度係数
が負で、その絶対値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内
にはいるように制御することができる。このように本発
明の温度補償用薄膜コンデンサは、容量温度係数の絶対
値が０乃至７００ｐｐｍ／℃の範囲内の所望の値に制御
できるので、携帯型電子機器、マイクロ波用通信機器等
の温度に対応して補償する必要がある電子機器回路に応
じた容量温度係数を有することができ、従って、適用で
きる電子回路が制限されにくい。また、第１の誘電体薄
膜と第２の誘電体薄膜の積層により構成されているの
で、従来のシート状の誘電体磁器組成物の積層構造とは
異なり、薄型化、小型化に有利である。
【００３０】上記第１の誘電体薄膜としては、フッ素系
高分子材料を主成分として含むものを用いてもよい。ま
た、第１の誘電体薄膜としては、上記フッ素系高分子材
料を主成分として含むもの以外に、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）を主成分として含むもの、あるいはポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分として含むもの、あ
るいはシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）を主
成分として含むものであってもよい。
高分子材料を主成分として含むものを用いてもよい。ま
た、第１の誘電体薄膜としては、上記フッ素系高分子材
料を主成分として含むもの以外に、ポリプロピレン（Ｐ
Ｐ）を主成分として含むもの、あるいはポリエーテルエ
ーテルケトン（ＰＥＥＫ）を主成分として含むもの、あ
るいはシンジオタクチックポリスチレン（ＳＰＳ）を主
成分として含むものであってもよい。
【００３１】上記第１の誘電体薄膜がパーフルオロジビ
ニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子材料を
主成分として含むものである場合に、上記第２の誘電体
薄膜は、上記第１の誘電体薄膜の上側に積層されている
ことが好ましい。それは、上記フッ素系高分子材料は先
に述べたように電極形成時に用いられるレジスト現像液
やレジスト剥離液に腐食され易いため、第１の誘電体薄
膜がフッ素系高分子材料を主成分として含むものである
場合に、この第１の誘電体薄膜を覆うように第２の誘電
体薄膜が形成されていれば、上記第１の誘電体薄膜の腐
食を防止できる。上記第２の誘電体薄膜としては、Ｓｉ
3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等のＳｉＯx、非晶質ＳｉＯx
Ｎy等のうちから選択して用いることができる。
ニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子材料を
主成分として含むものである場合に、上記第２の誘電体
薄膜は、上記第１の誘電体薄膜の上側に積層されている
ことが好ましい。それは、上記フッ素系高分子材料は先
に述べたように電極形成時に用いられるレジスト現像液
やレジスト剥離液に腐食され易いため、第１の誘電体薄
膜がフッ素系高分子材料を主成分として含むものである
場合に、この第１の誘電体薄膜を覆うように第２の誘電
体薄膜が形成されていれば、上記第１の誘電体薄膜の腐
食を防止できる。上記第２の誘電体薄膜としては、Ｓｉ
3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等のＳｉＯx、非晶質ＳｉＯx
Ｎy等のうちから選択して用いることができる。
【００３２】また、上記第１の誘電体薄膜がパーフルオ
ロジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子
材料を主成分として含むものであり、しかも該第１の誘
電体薄膜が上記第２の誘電体薄膜の上側に積層されてい
る場合に、上記第１の誘電体薄膜の上側には該第１の誘
電体薄膜を被覆する保護膜が積層されていることが好ま
しい。それは、上記フッ素系高分子材料は先に述べたよ
うに電極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト
剥離液に腐食され易いため、第１の誘電体薄膜がフッ素
系高分子材料を主成分として含むものであり、しかも該
第１の誘電体薄膜が上記第２の誘電体薄膜の上側に積層
されている場合に、この第１の誘電体薄膜の上側に該第
１の誘電体薄膜を被覆する保護膜（キャップ材）が形成
されていれば、上記第１の誘電体薄膜の腐食を防止でき
る。上記保護膜としては、電極形成の際に用いるレジス
ト現像液やレジスト剥離液に対して耐食性が優れたもの
が用いられ、例えば、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等
のＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯ xＮy、Ｔｉ等のうちから選択
して用いることができる。
ロジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子
材料を主成分として含むものであり、しかも該第１の誘
電体薄膜が上記第２の誘電体薄膜の上側に積層されてい
る場合に、上記第１の誘電体薄膜の上側には該第１の誘
電体薄膜を被覆する保護膜が積層されていることが好ま
しい。それは、上記フッ素系高分子材料は先に述べたよ
うに電極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト
剥離液に腐食され易いため、第１の誘電体薄膜がフッ素
系高分子材料を主成分として含むものであり、しかも該
第１の誘電体薄膜が上記第２の誘電体薄膜の上側に積層
されている場合に、この第１の誘電体薄膜の上側に該第
１の誘電体薄膜を被覆する保護膜（キャップ材）が形成
されていれば、上記第１の誘電体薄膜の腐食を防止でき
る。上記保護膜としては、電極形成の際に用いるレジス
ト現像液やレジスト剥離液に対して耐食性が優れたもの
が用いられ、例えば、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉＮx、ＳｉＯ2等
のＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯ xＮy、Ｔｉ等のうちから選択
して用いることができる。
【００３３】また、上記第１の誘電体薄膜は、ベンゾシ
クロブテン系又はナフトシクロブテン系高分子材料を主
成分として含むものであってもよい。上記第１の誘電体
薄膜を上記のようなベンゾシクロブテン系またはナフト
シクロブテン系高分子材料から構成する場合、これら高
分子材料は電極形成時に用いられるレジスト現像液やレ
ジスト剥離液に腐食され難いために上記のような保護膜
を設けなくてもよい。
クロブテン系又はナフトシクロブテン系高分子材料を主
成分として含むものであってもよい。上記第１の誘電体
薄膜を上記のようなベンゾシクロブテン系またはナフト
シクロブテン系高分子材料から構成する場合、これら高
分子材料は電極形成時に用いられるレジスト現像液やレ
ジスト剥離液に腐食され難いために上記のような保護膜
を設けなくてもよい。
【００３４】上記課題を解決するために本発明の電子機
器は、上記のいずれかの構成の本発明の温度補償用薄膜
コンデンサが備えられたことを特徴とする。かかる構成
の電子機器によれば、半導体接合容量を使用した電子回
路等のように温度に対応して補償する必要がある電子回
路に上記のいずれかの構成の本発明の温度補償用薄膜コ
ンデンサを備えることにより、上記電子回路を有する携
帯型電子機器、マイクロ波用通信機器の電子機器の温度
安定性を優れさせることができる。
器は、上記のいずれかの構成の本発明の温度補償用薄膜
コンデンサが備えられたことを特徴とする。かかる構成
の電子機器によれば、半導体接合容量を使用した電子回
路等のように温度に対応して補償する必要がある電子回
路に上記のいずれかの構成の本発明の温度補償用薄膜コ
ンデンサを備えることにより、上記電子回路を有する携
帯型電子機器、マイクロ波用通信機器の電子機器の温度
安定性を優れさせることができる。
【００３５】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施形態について
図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施形態に
限定されるものではない。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態の温
度補償用薄膜コンデンサを示すもので、この実施形態の
薄膜コンデンサ１は、平面視矩形状の基板２の一面に、
薄膜状の第１の電極層（下部電極）３と薄膜状の第２の
誘電体薄膜４と薄膜状の第１の誘電体薄膜５と薄膜状の
第２の電極層（上部電極）７とが積層されて構成されて
いる。
図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施形態に
限定されるものではない。 （第１の実施形態）図１は本発明の第１の実施形態の温
度補償用薄膜コンデンサを示すもので、この実施形態の
薄膜コンデンサ１は、平面視矩形状の基板２の一面に、
薄膜状の第１の電極層（下部電極）３と薄膜状の第２の
誘電体薄膜４と薄膜状の第１の誘電体薄膜５と薄膜状の
第２の電極層（上部電極）７とが積層されて構成されて
いる。
【００３６】上記基板２は、その材質等を特に限定する
ものではないが、コンデンサ全体に適度な剛性を付与す
るために充分な厚さを有するとともに、各々薄膜状の第
１の電極層３と第２の誘電体薄膜４と第１の誘電体薄膜
５と第２の電極層７を成膜法により基板２上に形成する
際に成膜処理温度に耐えるものであれば良い。以上のよ
うな条件を満たすものの例として、表面がケイ素で覆わ
れた部材例えばシリコンウェハ、あるいは、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3などを例示することができる。
ものではないが、コンデンサ全体に適度な剛性を付与す
るために充分な厚さを有するとともに、各々薄膜状の第
１の電極層３と第２の誘電体薄膜４と第１の誘電体薄膜
５と第２の電極層７を成膜法により基板２上に形成する
際に成膜処理温度に耐えるものであれば良い。以上のよ
うな条件を満たすものの例として、表面がケイ素で覆わ
れた部材例えばシリコンウェハ、あるいは、ＳｉＯ2、
Ａｌ2Ｏ3などを例示することができる。
【００３７】上記第１の電極層３と第２の電極層７は、
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の単一金属からなる単層構造
でも良いし、複数の金属層からなる積層型であっても良
い。積層型の場合、ケイ素酸化物、Ｃｒ、Ｎｉ、クロム
酸化物、ニッケル酸化物、Ｐｔ等からなる層をあるいは
これらの層を２層以上積層して構成することができる。
Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の単一金属からなる単層構造
でも良いし、複数の金属層からなる積層型であっても良
い。積層型の場合、ケイ素酸化物、Ｃｒ、Ｎｉ、クロム
酸化物、ニッケル酸化物、Ｐｔ等からなる層をあるいは
これらの層を２層以上積層して構成することができる。
【００３８】上記第２の誘電体薄膜４は、後述する第１
の誘電体薄膜５よりも高耐圧で高いＱ値を有し、低い温
度変化率のものを用いることが好ましい。
の誘電体薄膜５よりも高耐圧で高いＱ値を有し、低い温
度変化率のものを用いることが好ましい。
【００３９】より具体的に第２の誘電体薄膜４は、容量
温度係数（静電容量の温度係数）の絶対値が５０ｐｐｍ
／℃以下のものを用いるのが好ましく、より好ましくは
容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下、比誘電率
が１０以下、耐電界強度が、５ＭＶ／ｃｍ以上、より好
ましくは８ＭＶ／ｃｍ以上、無負荷Ｑ値が２００以上、
より好ましくは５００以上（周波数１ＧＨｚ以上におい
て）、誘電緩和時間が１秒以上のものを用いることが好
ましい。第２の誘電体薄膜４としての厚さは、１μｍ
（１×１０-6ｍ）以下が好ましく、５００〜５０００Å
（０.０５〜０.５μｍ）程度の範囲がより好ましい。こ
れは、耐電圧を確保し、かつ、薄型化、高生産性を実現
するためである。また、これらの条件を満たし得る材料
として例えば、ＳｉＮx層、ＳｉＯx層、非晶質ＳｉＯx
Ｎy層を例示することができる。このＳｉＮx層は、例え
ば、ＰＥＣＶＤ法等の成膜法で作成することができる。
また、非晶質ＳｉＯxＮy層は、例えばスパッタ法もしく
はＰＥＣＶＤ法等の成膜法で作成することができる。第
２の誘電体薄膜４の膜厚は、５０ｎｍ（５００Å）〜５
００ｎｍ（５０００Å）程度の範囲とされる。
温度係数（静電容量の温度係数）の絶対値が５０ｐｐｍ
／℃以下のものを用いるのが好ましく、より好ましくは
容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下、比誘電率
が１０以下、耐電界強度が、５ＭＶ／ｃｍ以上、より好
ましくは８ＭＶ／ｃｍ以上、無負荷Ｑ値が２００以上、
より好ましくは５００以上（周波数１ＧＨｚ以上におい
て）、誘電緩和時間が１秒以上のものを用いることが好
ましい。第２の誘電体薄膜４としての厚さは、１μｍ
（１×１０-6ｍ）以下が好ましく、５００〜５０００Å
（０.０５〜０.５μｍ）程度の範囲がより好ましい。こ
れは、耐電圧を確保し、かつ、薄型化、高生産性を実現
するためである。また、これらの条件を満たし得る材料
として例えば、ＳｉＮx層、ＳｉＯx層、非晶質ＳｉＯx
Ｎy層を例示することができる。このＳｉＮx層は、例え
ば、ＰＥＣＶＤ法等の成膜法で作成することができる。
また、非晶質ＳｉＯxＮy層は、例えばスパッタ法もしく
はＰＥＣＶＤ法等の成膜法で作成することができる。第
２の誘電体薄膜４の膜厚は、５０ｎｍ（５００Å）〜５
００ｎｍ（５０００Å）程度の範囲とされる。
【００４０】上記第１の誘電体薄膜５は、耐圧の面では
先の第２の誘電体薄膜４よりも多少劣っても良いが、第
２の誘電体薄膜４よりも高い温度変化率を示すものを用
いることが好ましい。第１の誘電体薄膜５としてより具
体的には、比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張
係数が５０ｐｐｍ／℃以上、好ましくは比誘電率が４．
０以下であり、かつ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上
で、容量温度係数が負であるものを用いることが好まし
く、さらに好ましくは比誘電率が４．０以下であり、か
つ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上で、容量温度係数
が負で、該容量温度係数の絶対値が２００ｐｐｍ／℃以
上の用いることがさらに好ましい。また、第１の誘電体
薄膜５としては、第１と第２の電極層３、７のような電
極間に介在したときのＱ値が１ＧＨｚ以上において１０
０以上、好ましくは３００以上のものが用いられる。更
に、第１の誘電体薄膜５の比誘電率は、１．５以上４．
０以下がより好ましく、さらに好ましくは１．５以上
２．５以下である。
先の第２の誘電体薄膜４よりも多少劣っても良いが、第
２の誘電体薄膜４よりも高い温度変化率を示すものを用
いることが好ましい。第１の誘電体薄膜５としてより具
体的には、比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張
係数が５０ｐｐｍ／℃以上、好ましくは比誘電率が４．
０以下であり、かつ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上
で、容量温度係数が負であるものを用いることが好まし
く、さらに好ましくは比誘電率が４．０以下であり、か
つ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上で、容量温度係数
が負で、該容量温度係数の絶対値が２００ｐｐｍ／℃以
上の用いることがさらに好ましい。また、第１の誘電体
薄膜５としては、第１と第２の電極層３、７のような電
極間に介在したときのＱ値が１ＧＨｚ以上において１０
０以上、好ましくは３００以上のものが用いられる。更
に、第１の誘電体薄膜５の比誘電率は、１．５以上４．
０以下がより好ましく、さらに好ましくは１．５以上
２．５以下である。
【００４１】また、上記誘電体薄膜５の材質としては、
例えばフッ素系高分子材料を主成分として含むもの、あ
るいは、ポリプロピレン、ポリエーテルエーテルケト
ン、シンジオタクチックポリスチレンのうちから選択さ
れる一種以上を主成分として含むものを例示することが
できる。上記フッ素系高分子材料としては、ポリテトラ
フルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体等の結晶
質で、パーフルオロ系のフッ素系ポリマー、あるいは、
パーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子等の非晶
質で、パーフルオロ系のフッ素系ポリマー、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチ
レン共重合体（ＥＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等のフッ素系ポリ
マー等を用いることができる。これらのフッ素系ポリマ
ーのなかでもパーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子を用いるのが、スピンコート法、スプレー法、ディ
ップ法（浸漬法）等の塗布法により第１の誘電体薄膜を
容易に形成できる点及び１ＧＨｚ以上におけるＱ値が１
００以上得られる点で好ましい。
例えばフッ素系高分子材料を主成分として含むもの、あ
るいは、ポリプロピレン、ポリエーテルエーテルケト
ン、シンジオタクチックポリスチレンのうちから選択さ
れる一種以上を主成分として含むものを例示することが
できる。上記フッ素系高分子材料としては、ポリテトラ
フルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−パーフル
オロアルキルビニルエーテル共重合体、テトラフルオロ
エチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体等の結晶
質で、パーフルオロ系のフッ素系ポリマー、あるいは、
パーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子等の非晶
質で、パーフルオロ系のフッ素系ポリマー、ポリクロロ
トリフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン−エチ
レン共重合体（ＥＴＦＥ）、クロロトリフルオロエチレ
ン−エチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）等のフッ素系ポリ
マー等を用いることができる。これらのフッ素系ポリマ
ーのなかでもパーフルオロジビニルエーテルの環化体高
分子を用いるのが、スピンコート法、スプレー法、ディ
ップ法（浸漬法）等の塗布法により第１の誘電体薄膜を
容易に形成できる点及び１ＧＨｚ以上におけるＱ値が１
００以上得られる点で好ましい。
【００４２】また、上記誘電体薄膜５の材質としては、
ベンゾシクロブテン系高分子材料またはナフトシクロブ
テン系高分子材料を主成分として含むものであってもよ
い。ベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン系
高分子材料としては、例えば、分子内にベンゾシクロブ
テン基又はナフトシクロブテン基と、エチレン基とを有
する高分子材料や、分子内にベンゾシクロブテン基又は
ナフトシクロブテン基と、エチレン基と、シロキサン結
合とを有する高分子材料が用いられる。誘電体薄膜５を
上記ベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン系
高分子材料から形成する場合の成膜方法としては、例え
ば、上記第１の電極層３が形成された基板２の表面（第
１の電極層３の表面）に下記構造式（Ｉ）で示されるモ
ノマーを溶媒に溶解した溶液をスピンコート法、スプレ
ー法、ディップ法（浸漬法）等の塗布法により塗布した
後、ホットプレート上でキュアリングを行うことによ
り、上記溶媒をとばして上記モノマーを重合させると、
ベンゾシクロブテン系高分子材料またはナフトシクロブ
テン系高分子膜からなる誘電体薄膜５を形成できる。
ベンゾシクロブテン系高分子材料またはナフトシクロブ
テン系高分子材料を主成分として含むものであってもよ
い。ベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン系
高分子材料としては、例えば、分子内にベンゾシクロブ
テン基又はナフトシクロブテン基と、エチレン基とを有
する高分子材料や、分子内にベンゾシクロブテン基又は
ナフトシクロブテン基と、エチレン基と、シロキサン結
合とを有する高分子材料が用いられる。誘電体薄膜５を
上記ベンゾシクロブテン系またはナフトシクロブテン系
高分子材料から形成する場合の成膜方法としては、例え
ば、上記第１の電極層３が形成された基板２の表面（第
１の電極層３の表面）に下記構造式（Ｉ）で示されるモ
ノマーを溶媒に溶解した溶液をスピンコート法、スプレ
ー法、ディップ法（浸漬法）等の塗布法により塗布した
後、ホットプレート上でキュアリングを行うことによ
り、上記溶媒をとばして上記モノマーを重合させると、
ベンゾシクロブテン系高分子材料またはナフトシクロブ
テン系高分子膜からなる誘電体薄膜５を形成できる。
【００４３】
【化１】
【００４４】第１の誘電体薄膜５の膜厚は、５０ｎｍ
（５００Å）〜５００ｎｍ（５０００Å）程度の範囲と
される。
（５００Å）〜５００ｎｍ（５０００Å）程度の範囲と
される。
【００４５】第１の実施形態の薄膜コンデンサ１では、
第１の誘電体薄膜５として線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／
℃以上のものを用いたことにより、容量温度係数（静電
容量の温度係数）を負に制御でき、また、この第１の誘
電体薄膜５は比誘電率が４．０以下のものであるので、
加工精度の影響を受けにくくなり、静電容量のバラツキ
の問題を改善でき、温度補償が可能である。そして、こ
のような容量温度係数が負で、その絶対値が２００ｐｐ
ｍ／℃以上の第１の誘電体薄膜５は、先の第２の誘電体
薄膜４の容量温度係数を調整する目的で設けられる。ま
た、第１の誘電体薄膜５と第２の誘電体薄膜４との膜
厚、組成比を調整することでコンデンサとしてのＱ値、
耐電圧、容量温度係数を調整することができ、使用環境
において温度差が大きくても温度安定性を優れさせるこ
とができる。更に、第１の誘電体薄膜５と第２の誘電体
薄膜４との積層により構成されているので、従来のシー
ト状の誘電体磁器組成物の積層構造とは異なり、薄型
化、小型化に有利であり、厚さ５μｍ（５×１０-6ｍ）
程度以下のものを容易に得ることができる。また、第１
の誘電体薄膜５を上記のようなベンゾシクロブテン系ま
たはナフトシクロブテン系高分子材料から構成した場
合、これら高分子材料は電極形成時に用いられるレジス
ト現像液やレジスト剥離液に腐食され難いため、後述の
第３の実施形態で示すような保護膜８を設けなくて済
み、有利である。
第１の誘電体薄膜５として線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／
℃以上のものを用いたことにより、容量温度係数（静電
容量の温度係数）を負に制御でき、また、この第１の誘
電体薄膜５は比誘電率が４．０以下のものであるので、
加工精度の影響を受けにくくなり、静電容量のバラツキ
の問題を改善でき、温度補償が可能である。そして、こ
のような容量温度係数が負で、その絶対値が２００ｐｐ
ｍ／℃以上の第１の誘電体薄膜５は、先の第２の誘電体
薄膜４の容量温度係数を調整する目的で設けられる。ま
た、第１の誘電体薄膜５と第２の誘電体薄膜４との膜
厚、組成比を調整することでコンデンサとしてのＱ値、
耐電圧、容量温度係数を調整することができ、使用環境
において温度差が大きくても温度安定性を優れさせるこ
とができる。更に、第１の誘電体薄膜５と第２の誘電体
薄膜４との積層により構成されているので、従来のシー
ト状の誘電体磁器組成物の積層構造とは異なり、薄型
化、小型化に有利であり、厚さ５μｍ（５×１０-6ｍ）
程度以下のものを容易に得ることができる。また、第１
の誘電体薄膜５を上記のようなベンゾシクロブテン系ま
たはナフトシクロブテン系高分子材料から構成した場
合、これら高分子材料は電極形成時に用いられるレジス
ト現像液やレジスト剥離液に腐食され難いため、後述の
第３の実施形態で示すような保護膜８を設けなくて済
み、有利である。
【００４６】以上のことから図１に示す構成の薄膜コン
デンサ１は、携帯電話等の携帯型電子機器、マイクロ波
用通信機器等の温度に対応して補償する必要がある電子
機器回路に有用である。例えば、電圧で発振周波数を制
御する素子、バラクタダイオードと組み合わせて使用す
ることができる。なお、上記実施形態においては、第１
と第２の電極層３，７間に第１と第２の誘電体薄膜５，
４を設けた場合について説明したが、図８に示すように
第１と第２の電極層３，７間に第１の誘電体薄膜５のみ
を設けた薄膜コンデンサ１ａであってもよい。なお、図
８中、符号２は基板である。
デンサ１は、携帯電話等の携帯型電子機器、マイクロ波
用通信機器等の温度に対応して補償する必要がある電子
機器回路に有用である。例えば、電圧で発振周波数を制
御する素子、バラクタダイオードと組み合わせて使用す
ることができる。なお、上記実施形態においては、第１
と第２の電極層３，７間に第１と第２の誘電体薄膜５，
４を設けた場合について説明したが、図８に示すように
第１と第２の電極層３，７間に第１の誘電体薄膜５のみ
を設けた薄膜コンデンサ１ａであってもよい。なお、図
８中、符号２は基板である。
【００４７】図３は、本発明に係る薄膜コンデンサ１か
らなる薄膜コンデンサＣ１を実用的な電気回路に組み込
んだ構成例を示すもので、この回路では、コイルＬに対
してコンデンサＣ０とバラクタダイオードＤｃを並列接
続し、上記バラクタダイオードＤｃに先の実施形態の薄
膜コンデンサＣ１を並列接続し、薄膜コンデンサＣ１の
上部電極７と下部電極３に入出力端子１、１２を接続
し、入出力端子１２と薄膜コンデンサＣ１の一方の電極
との間に抵抗Ｒを組み込んでなる構造としたものであ
る。
らなる薄膜コンデンサＣ１を実用的な電気回路に組み込
んだ構成例を示すもので、この回路では、コイルＬに対
してコンデンサＣ０とバラクタダイオードＤｃを並列接
続し、上記バラクタダイオードＤｃに先の実施形態の薄
膜コンデンサＣ１を並列接続し、薄膜コンデンサＣ１の
上部電極７と下部電極３に入出力端子１、１２を接続
し、入出力端子１２と薄膜コンデンサＣ１の一方の電極
との間に抵抗Ｒを組み込んでなる構造としたものであ
る。
【００４８】図３に示す回路において、バラクタダイオ
ードＤｃとは電圧によってキャパシタンスが変化するも
ので、このバラクタダイオードＤｃの温度係数が正の所
定の値を有するので、このバラクタダイオードＤｃの温
度係数を薄膜コンデンサＣ１で打ち消して、温度安定性
の優れた共振回路を提供できるものである。図４にそれ
らの温度係数分布を示すが、バラクタダイオードＤｃの
温度係数が＋２００〜＋５００ｐｐｍ／℃の範囲である
とすると、薄膜コンデンサＣ１の温度係数分布を−２０
０〜−５００ｐｐｍ／℃の範囲とするならば、両者の温
度係数を調整して温度安定性を向上させることができ
る。なお、先に記述した従来の特許によるコンデンサで
はこのような−２００〜−５００ｐｐｍ／℃の広い範囲
で温度係数を調整できるものは得られなかった。
ードＤｃとは電圧によってキャパシタンスが変化するも
ので、このバラクタダイオードＤｃの温度係数が正の所
定の値を有するので、このバラクタダイオードＤｃの温
度係数を薄膜コンデンサＣ１で打ち消して、温度安定性
の優れた共振回路を提供できるものである。図４にそれ
らの温度係数分布を示すが、バラクタダイオードＤｃの
温度係数が＋２００〜＋５００ｐｐｍ／℃の範囲である
とすると、薄膜コンデンサＣ１の温度係数分布を−２０
０〜−５００ｐｐｍ／℃の範囲とするならば、両者の温
度係数を調整して温度安定性を向上させることができ
る。なお、先に記述した従来の特許によるコンデンサで
はこのような−２００〜−５００ｐｐｍ／℃の広い範囲
で温度係数を調整できるものは得られなかった。
【００４９】このような薄膜コンデンサは、バラクタダ
イオードの温度補償回路の適用等、温度補償用として広
く適用することが可能である。
イオードの温度補償回路の適用等、温度補償用として広
く適用することが可能である。
【００５０】（第２の実施形態）図９は本発明の第２の
実施形態の温度補償用薄膜コンデンサを示す断面図で、
この実施形態の薄膜コンデンサ２１が図１乃至図２に示
した薄膜コンデンサ１と異なるところは、第１の誘電体
薄膜５と第２の誘電体薄膜４の積層順が逆であること、
すなわち、第２の誘電体薄膜４は第１の誘電体薄膜５の
上側に積層されている点である。なお、第１の実施形態
と同一の構成部分は、同一符号を付して説明を略す。第
２の誘電体薄膜４の材質としては、第１の実施形態で用
いたものと同様のＳｉＮx層、ＳｉＯx層、非晶質ＳｉＯ
xＮy層等から選択して用いられる。
実施形態の温度補償用薄膜コンデンサを示す断面図で、
この実施形態の薄膜コンデンサ２１が図１乃至図２に示
した薄膜コンデンサ１と異なるところは、第１の誘電体
薄膜５と第２の誘電体薄膜４の積層順が逆であること、
すなわち、第２の誘電体薄膜４は第１の誘電体薄膜５の
上側に積層されている点である。なお、第１の実施形態
と同一の構成部分は、同一符号を付して説明を略す。第
２の誘電体薄膜４の材質としては、第１の実施形態で用
いたものと同様のＳｉＮx層、ＳｉＯx層、非晶質ＳｉＯ
xＮy層等から選択して用いられる。
【００５１】第１の誘電体薄膜５の材質としては、第１
の実施形態で用いたものと同様のフッ素系高分子材料を
主成分として含むものや、ベンゾシクロブテン系又はナ
フトシクロブテン系高分子材料を主成分として含むもの
等から選択して用いられるが、本実施形態では特にパー
フルオロジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系
高分子材料を主成分として含むものである場合に、第２
の誘電体薄膜４を第１の誘電体薄膜５の上側に積層した
効果が得られる点で好ましい。それは、上記フッ素系高
分子材料は電極形成時に用いられるレジスト現像液やレ
ジスト剥離液に腐食され易いため、フッ素系高分子材料
を主成分として含む第１の誘電体薄膜５を覆うように第
２の誘電体薄膜４が形成されていれば、第１の誘電体薄
膜５の腐食を防止でき、有利である。
の実施形態で用いたものと同様のフッ素系高分子材料を
主成分として含むものや、ベンゾシクロブテン系又はナ
フトシクロブテン系高分子材料を主成分として含むもの
等から選択して用いられるが、本実施形態では特にパー
フルオロジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系
高分子材料を主成分として含むものである場合に、第２
の誘電体薄膜４を第１の誘電体薄膜５の上側に積層した
効果が得られる点で好ましい。それは、上記フッ素系高
分子材料は電極形成時に用いられるレジスト現像液やレ
ジスト剥離液に腐食され易いため、フッ素系高分子材料
を主成分として含む第１の誘電体薄膜５を覆うように第
２の誘電体薄膜４が形成されていれば、第１の誘電体薄
膜５の腐食を防止でき、有利である。
【００５２】第２の実施形態の薄膜コンデンサ２１で
は、上記の構成としたことにより、第１の実施実施形態
の薄膜コンデンサ１と同様の作用効果がある。また、第
２の誘電体薄膜４が第１の誘電体薄膜５の上側に積層さ
れているので、この第１の誘電体薄膜５がパーフルオロ
ジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子材
料を主成分として含むものから構成されている場合に、
電極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離
液により第１の誘電体薄膜５が腐食するのを防止でき、
有利である。
は、上記の構成としたことにより、第１の実施実施形態
の薄膜コンデンサ１と同様の作用効果がある。また、第
２の誘電体薄膜４が第１の誘電体薄膜５の上側に積層さ
れているので、この第１の誘電体薄膜５がパーフルオロ
ジビニルエーテルの環化体高分子等のフッ素系高分子材
料を主成分として含むものから構成されている場合に、
電極形成時に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離
液により第１の誘電体薄膜５が腐食するのを防止でき、
有利である。
【００５３】（第３の実施形態）図１０は本発明の第３
の実施形態の温度補償用薄膜コンデンサを示す断面図
で、この実施形態の薄膜コンデンサ３１が図１乃至図２
に示した薄膜コンデンサ１と異なるところは、第２の誘
電体薄膜４の上側に積層された第１の誘電体薄膜５がフ
ッ素系高分子材料を主成分として含むものであり、さら
に該第１の誘電体薄膜５の上側に第１の誘電体薄膜５を
被覆する保護膜（キャップ材）８が積層されている点で
ある。なお、第１の実施形態と同一の構成部分は、同一
符号を付して説明を略す。
の実施形態の温度補償用薄膜コンデンサを示す断面図
で、この実施形態の薄膜コンデンサ３１が図１乃至図２
に示した薄膜コンデンサ１と異なるところは、第２の誘
電体薄膜４の上側に積層された第１の誘電体薄膜５がフ
ッ素系高分子材料を主成分として含むものであり、さら
に該第１の誘電体薄膜５の上側に第１の誘電体薄膜５を
被覆する保護膜（キャップ材）８が積層されている点で
ある。なお、第１の実施形態と同一の構成部分は、同一
符号を付して説明を略す。
【００５４】保護膜８の材料としては電極形成の際に用
いるレジスト現像液やレジスト剥離液に対して耐食性が
優れたものが用いられ、例えば、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ
Ｎx、ＳｉＯ2等のＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯxＮy、Ｔｉ等
のうちから選択して用いられる。第３の実施形態の薄膜
コンデンサ３１では、上記の構成としたことにより、第
１の実施実施形態の薄膜コンデンサ１と同様の作用効果
がある。また、フッ素系高分子材料を主成分として含ん
でなる第１の誘電体薄膜５の上側に第１の誘電体薄膜５
を被覆する保護膜８が形成されているので、電極形成時
に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離液により第
１の誘電体薄膜５が腐食するのを防止でき、有利であ
る。
いるレジスト現像液やレジスト剥離液に対して耐食性が
優れたものが用いられ、例えば、Ｓｉ3Ｎ4等のＳｉ
Ｎx、ＳｉＯ2等のＳｉＯx 、非晶質ＳｉＯxＮy、Ｔｉ等
のうちから選択して用いられる。第３の実施形態の薄膜
コンデンサ３１では、上記の構成としたことにより、第
１の実施実施形態の薄膜コンデンサ１と同様の作用効果
がある。また、フッ素系高分子材料を主成分として含ん
でなる第１の誘電体薄膜５の上側に第１の誘電体薄膜５
を被覆する保護膜８が形成されているので、電極形成時
に用いられるレジスト現像液やレジスト剥離液により第
１の誘電体薄膜５が腐食するのを防止でき、有利であ
る。
【００５５】なお、上記実施形態においては、第１と第
２の電極層３，７間に第２と第１の誘電体薄膜４，５
と、保護膜８を設けた場合について説明したが、図１１
に示すように第１と第２の電極層３，７間に第１の誘電
体薄膜５とこれの上側に形成された保護膜８とを設けた
薄膜コンデンサ３１ａであってもよい。なお、図１１
中、符号２は基板である。
２の電極層３，７間に第２と第１の誘電体薄膜４，５
と、保護膜８を設けた場合について説明したが、図１１
に示すように第１と第２の電極層３，７間に第１の誘電
体薄膜５とこれの上側に形成された保護膜８とを設けた
薄膜コンデンサ３１ａであってもよい。なお、図１１
中、符号２は基板である。
【００５６】
【実施例】（実験例１）アルミナ又はガラスからなる基
板上に成膜したＣｕからなる上部と下部電極層間に成膜
する誘電体薄膜の材質を下記表１に示すものに変更した
ときの各種の薄膜コンデンサ（サンプルＮｏ.１〜１
２）のＱ値について調べた。上部と下部電極層の厚み
は、それぞれ膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）とし
た。上記誘電体薄膜の厚みは、２０００ｎｍ（２０００
０Å）とした。また、薄膜コンデンサのシート容量設定
値は１０ｐＦと一定とするため、上部電極層の縦横の寸
法は５０〜１０００μｍの範囲で変更した。Ｑ値の測定
結果及び評価結果を表１に示す。また、各誘電体薄膜の
比誘電率及び線熱膨張係数とその評価結果を表１に示
す。
板上に成膜したＣｕからなる上部と下部電極層間に成膜
する誘電体薄膜の材質を下記表１に示すものに変更した
ときの各種の薄膜コンデンサ（サンプルＮｏ.１〜１
２）のＱ値について調べた。上部と下部電極層の厚み
は、それぞれ膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）とし
た。上記誘電体薄膜の厚みは、２０００ｎｍ（２０００
０Å）とした。また、薄膜コンデンサのシート容量設定
値は１０ｐＦと一定とするため、上部電極層の縦横の寸
法は５０〜１０００μｍの範囲で変更した。Ｑ値の測定
結果及び評価結果を表１に示す。また、各誘電体薄膜の
比誘電率及び線熱膨張係数とその評価結果を表１に示
す。
【００５７】
【表１】
【００５８】表１中、ＰＴＦＥはポリテトラフルオロエ
チレン、ＰＦＡはテトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体、ＦＥＰはテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、
ＰＣＴＦＥはポリクロロトリフルオロエチレン、ＥＴＦ
Ｅはテトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ＥＣ
ＴＦＥはクロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合
体、ＰＰはポリプロピレン、ＰＭＭＡはポリメタクリル
酸メチル、ＰＥＩはポリエーテルイミド、ＰＰＳはポリ
フェニレンサルファイド、ＳＰＳはシンジオタクチック
ポリスチレン、ＰＥＥＫはポリエーテルエーテルケトン
を示す。表１の比誘電率の欄で○は比誘電率が４．０以
下のを示し、×は比誘電率が４．０を越えるものを示
し、線熱膨張係数の欄で○は線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上のものを示し、×は線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃未満のものを示す。
チレン、ＰＦＡはテトラフルオロエチレン−パーフルオ
ロアルキルビニルエーテル共重合体、ＦＥＰはテトラフ
ルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、
ＰＣＴＦＥはポリクロロトリフルオロエチレン、ＥＴＦ
Ｅはテトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、ＥＣ
ＴＦＥはクロロトリフルオロエチレン−エチレン共重合
体、ＰＰはポリプロピレン、ＰＭＭＡはポリメタクリル
酸メチル、ＰＥＩはポリエーテルイミド、ＰＰＳはポリ
フェニレンサルファイド、ＳＰＳはシンジオタクチック
ポリスチレン、ＰＥＥＫはポリエーテルエーテルケトン
を示す。表１の比誘電率の欄で○は比誘電率が４．０以
下のを示し、×は比誘電率が４．０を越えるものを示
し、線熱膨張係数の欄で○は線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃以上のものを示し、×は線熱膨張係数が２５ｐｐｍ
／℃未満のものを示す。
【００５９】表１の結果からサンプルＮｏ.９〜１０の
誘電体薄膜は、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃未満であ
ることから、容量温度係数を負に制御するのが困難であ
る。これに対してサンプルＮｏ.１〜８、１１、１２の
誘電体薄膜は、比誘電率および線熱膨張係数は要求され
る条件を満たしていることから、容量温度係数（静電容
量の温度係数）を負に制御でき、また、加工精度の影響
を受けにくく、静電容量のバラツキの問題もない。ま
た、Ｑ値は周波数が高くなると低下する傾向があるが、
サンプルＮｏ.１〜４、８、１１、１２のコンデンサは
１ＧＨｚ以上の領域でＱ値が１００以上であることか
ら、高周波特性が優れていることがわかる。
誘電体薄膜は、線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃未満であ
ることから、容量温度係数を負に制御するのが困難であ
る。これに対してサンプルＮｏ.１〜８、１１、１２の
誘電体薄膜は、比誘電率および線熱膨張係数は要求され
る条件を満たしていることから、容量温度係数（静電容
量の温度係数）を負に制御でき、また、加工精度の影響
を受けにくく、静電容量のバラツキの問題もない。ま
た、Ｑ値は周波数が高くなると低下する傾向があるが、
サンプルＮｏ.１〜４、８、１１、１２のコンデンサは
１ＧＨｚ以上の領域でＱ値が１００以上であることか
ら、高周波特性が優れていることがわかる。
【００６０】（実験例２）以下のようにして作製した積
層型の薄膜コンデンサの電極層間の第１と第２の誘電体
薄膜のうち第１の誘電体薄膜の膜厚を５０ｎｍ〜３００
ｎｍ（５００Å〜３０００Å）の範囲で変更したときの
容量温度係数と、１ＧＨｚにおけるＱ値と、耐電圧性に
ついて調べた。ここでの容量温度係数は、雰囲気温度を
２０℃から１２０℃に昇温したときの温度（℃）と静電
容量（ｐＦ）との関係を示した図５のグラフの傾きから
それぞれ求めたものであり、第１と第２の誘電体薄膜の
膜厚と、容量温度係数の結果を下記表２に示す。アルミ
ナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる膜厚１５０
０ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパッタ法によ
り室温成膜した。次に、この下部電極層の上にＳｉＮx
からなる膜厚３００ｎｍ（３０００Å）の第２の誘電体
薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
層型の薄膜コンデンサの電極層間の第１と第２の誘電体
薄膜のうち第１の誘電体薄膜の膜厚を５０ｎｍ〜３００
ｎｍ（５００Å〜３０００Å）の範囲で変更したときの
容量温度係数と、１ＧＨｚにおけるＱ値と、耐電圧性に
ついて調べた。ここでの容量温度係数は、雰囲気温度を
２０℃から１２０℃に昇温したときの温度（℃）と静電
容量（ｐＦ）との関係を示した図５のグラフの傾きから
それぞれ求めたものであり、第１と第２の誘電体薄膜の
膜厚と、容量温度係数の結果を下記表２に示す。アルミ
ナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる膜厚１５０
０ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパッタ法によ
り室温成膜した。次に、この下部電極層の上にＳｉＮx
からなる膜厚３００ｎｍ（３０００Å）の第２の誘電体
薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
【００６１】続いて、この第２の誘電体薄膜の表面にパ
ーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子を溶媒とし
てのパーフルオロトリブチルアミン（ＴＦＰＡ）に溶解
したしたものをスピンコート法で塗布した後、上記溶媒
をとばすためにホットプレート上で５０℃で２分、
１１０℃で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で
３ステップのキュアリングを行い、パーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子膜を得た。この後、ドライエ
ッチャーを用いて上記高分子膜からなる第１の誘電体薄
膜の最表面をＡｒプラズマで２０ｎｍ（２００Å）エッ
チングし、その上にフォトレジストコート、プリベー
ク、露光、現像、ポストベークを行ってレジストパター
ンを形成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第
２の誘電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フ
ォトレジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜
上にＣｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の
上部電極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄
膜コンデンサを得た。また、薄膜コンデンサの容量設定
値は１０ｐＦと一定とするため、上部電極層の縦横の寸
法は５０〜１０００μｍの範囲で変更した。このように
して得られた積層型の薄膜コンデンサの１ＧＨｚにおけ
るＱ値は２１０〜２９０の範囲であり、耐電圧は２００
Ｖ以上を示し、これらＱ値や耐電圧は第１の誘電体薄膜
の厚みによって異なる値を示した。
ーフルオロジビニルエーテルの環化体高分子を溶媒とし
てのパーフルオロトリブチルアミン（ＴＦＰＡ）に溶解
したしたものをスピンコート法で塗布した後、上記溶媒
をとばすためにホットプレート上で５０℃で２分、
１１０℃で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で
３ステップのキュアリングを行い、パーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子膜を得た。この後、ドライエ
ッチャーを用いて上記高分子膜からなる第１の誘電体薄
膜の最表面をＡｒプラズマで２０ｎｍ（２００Å）エッ
チングし、その上にフォトレジストコート、プリベー
ク、露光、現像、ポストベークを行ってレジストパター
ンを形成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第
２の誘電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フ
ォトレジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜
上にＣｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の
上部電極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄
膜コンデンサを得た。また、薄膜コンデンサの容量設定
値は１０ｐＦと一定とするため、上部電極層の縦横の寸
法は５０〜１０００μｍの範囲で変更した。このように
して得られた積層型の薄膜コンデンサの１ＧＨｚにおけ
るＱ値は２１０〜２９０の範囲であり、耐電圧は２００
Ｖ以上を示し、これらＱ値や耐電圧は第１の誘電体薄膜
の厚みによって異なる値を示した。
【００６２】なお、ここでのＳｉＮxからなる第２の誘
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、パーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄膜
は、線熱膨張係数が７４ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．１
であり、電極層間に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき
（第２の誘電体薄膜の厚みが０のとき）の容量温度係数
は−６７７ｐｐｍ／℃、１ＧＨｚでのＱ値が３００であ
った。
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、パーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄膜
は、線熱膨張係数が７４ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．１
であり、電極層間に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき
（第２の誘電体薄膜の厚みが０のとき）の容量温度係数
は−６７７ｐｐｍ／℃、１ＧＨｚでのＱ値が３００であ
った。
【００６３】
【表２】
【００６４】上記図５と表２の結果に示すように電極層
間に第２の誘電体薄膜（ＳｉＮx膜）とパーフルオロジ
ビニルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄
膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデンサにおいては、線
熱膨張係数が７４ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．１である
第１の誘電体薄膜の厚みが５０ｎｍから３００ｎｍの範
囲で調整することにより、第１と第２の誘電体薄膜の膜
厚比を調整し、これにより容量温度係数を−２４０〜−
５１２ｐｐｍ／℃の範囲で調整することができることが
判明した。よってこの例の薄膜コンデンサであるなら
ば、容量温度係数を−２４０〜−５１２ｐｐｍ／℃の範
囲で調整することができるので、バラクタダイオード等
の温度係数が正の電子機器の温度補償用に好適である。
また、電極間に第２の誘電体薄膜のみ設けたものの１Ｇ
ＨｚにおけるＱ値は２００であるが、電極層間にＳｉＮ
xからなる第２の誘電体薄膜以外にパーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄膜を
設けた本例の薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が２１
０以上と大きくできることがわかる。
間に第２の誘電体薄膜（ＳｉＮx膜）とパーフルオロジ
ビニルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄
膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデンサにおいては、線
熱膨張係数が７４ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．１である
第１の誘電体薄膜の厚みが５０ｎｍから３００ｎｍの範
囲で調整することにより、第１と第２の誘電体薄膜の膜
厚比を調整し、これにより容量温度係数を−２４０〜−
５１２ｐｐｍ／℃の範囲で調整することができることが
判明した。よってこの例の薄膜コンデンサであるなら
ば、容量温度係数を−２４０〜−５１２ｐｐｍ／℃の範
囲で調整することができるので、バラクタダイオード等
の温度係数が正の電子機器の温度補償用に好適である。
また、電極間に第２の誘電体薄膜のみ設けたものの１Ｇ
ＨｚにおけるＱ値は２００であるが、電極層間にＳｉＮ
xからなる第２の誘電体薄膜以外にパーフルオロジビニ
ルエーテルの環化体高分子からなる第１の誘電体薄膜を
設けた本例の薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が２１
０以上と大きくできることがわかる。
【００６５】（実験例３）Ｃｕからなる上部と下部電極
層間に介在させる誘電体薄膜の誘電率を変更したときの
薄膜コンデンサの加工ズレと容量（Ｃｓ）のバラツキに
ついて調べた。ここでの薄膜コンデンサの目標シート容
量設定値は１０ｐＦ とした。容量は以下の式（４）に
より計算したものである。 Ｃｓ＝ε0 ×ε（Ｓ／ｄ） （４） （式中、ε0＝８．８５４×１０-14 （Ｆｃｍ-1）、Ｓ
は電極面積、ｄは電極間距離、εは比誘電率を表す）
層間に介在させる誘電体薄膜の誘電率を変更したときの
薄膜コンデンサの加工ズレと容量（Ｃｓ）のバラツキに
ついて調べた。ここでの薄膜コンデンサの目標シート容
量設定値は１０ｐＦ とした。容量は以下の式（４）に
より計算したものである。 Ｃｓ＝ε0 ×ε（Ｓ／ｄ） （４） （式中、ε0＝８．８５４×１０-14 （Ｆｃｍ-1）、Ｓ
は電極面積、ｄは電極間距離、εは比誘電率を表す）
【００６６】表３に上記薄膜コンデンサに設けた誘電体
薄膜として比誘電率が２．５のもの（ＥＣＴＦＥからな
るもの）を用いたときの加工ズレと容量のバラツキを示
す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．４ｍｍ、電極間
距離ｄ＝０．３μｍとした。表４に上記薄膜コンデンサ
に設けた誘電体薄膜として比誘電率が４のもの（ＰＰＳ
からなるもの ）を用いたときの加工ズレと容量のバラ
ツキを示す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．３ｍ
ｍ、電極間距離ｄ＝０．３μｍとした。また、ここで用
いたＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）は、表１に
示したように比誘電率については本発明の範囲である
が、線熱膨張係数は本発明の範囲外のものであり、従っ
て、この実験例でＰＰＳは、比誘電率の値が、加工ズレ
による容量のバラツキに及ぼす影響のみについて調べる
ために用いたものである。表５ に上記薄膜コンデンサ
に設けた誘電体薄膜として比誘電率が１０００のもの
（ＢａＴｉＯ3系からなるもの）で、電極間距離が比誘
電率が２．５や４のものを用いたものと同じ距離にした
ときの加工ズレと容量のバラツキを示す。なお、ここで
は電極の長さＬ＝０．０２ｍｍ、電極間距離ｄ＝０．３
μｍとした。表６ に上記薄膜コンデンサに設けた誘電
体薄膜として比誘電率が１０００のもの（ＢａＴｉＯ3
系からなるもの）で、電極面積が比誘電率が４のものと
同じ面積にしたときの加工ズレと容量のバラツキを示
す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．３ｍｍ、電極間
距離ｄ＝８０μｍとした。
薄膜として比誘電率が２．５のもの（ＥＣＴＦＥからな
るもの）を用いたときの加工ズレと容量のバラツキを示
す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．４ｍｍ、電極間
距離ｄ＝０．３μｍとした。表４に上記薄膜コンデンサ
に設けた誘電体薄膜として比誘電率が４のもの（ＰＰＳ
からなるもの ）を用いたときの加工ズレと容量のバラ
ツキを示す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．３ｍ
ｍ、電極間距離ｄ＝０．３μｍとした。また、ここで用
いたＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド）は、表１に
示したように比誘電率については本発明の範囲である
が、線熱膨張係数は本発明の範囲外のものであり、従っ
て、この実験例でＰＰＳは、比誘電率の値が、加工ズレ
による容量のバラツキに及ぼす影響のみについて調べる
ために用いたものである。表５ に上記薄膜コンデンサ
に設けた誘電体薄膜として比誘電率が１０００のもの
（ＢａＴｉＯ3系からなるもの）で、電極間距離が比誘
電率が２．５や４のものを用いたものと同じ距離にした
ときの加工ズレと容量のバラツキを示す。なお、ここで
は電極の長さＬ＝０．０２ｍｍ、電極間距離ｄ＝０．３
μｍとした。表６ に上記薄膜コンデンサに設けた誘電
体薄膜として比誘電率が１０００のもの（ＢａＴｉＯ3
系からなるもの）で、電極面積が比誘電率が４のものと
同じ面積にしたときの加工ズレと容量のバラツキを示
す。なお、ここでは電極の長さＬ＝０．３ｍｍ、電極間
距離ｄ＝８０μｍとした。
【００６７】
【表３】
【００６８】
【表４】
【００６９】
【表５】
【００７０】
【表６】
【００７１】上記表３〜表６の結果から比誘電率が２．
５や４の誘電体薄膜を用いたものと電極間距離が同じ
で、比誘電率が１０００の誘電体薄膜を用いたコンデン
サは、加工ズレが１μｍ以上あると容量のバラツキが許
容範囲（１０ｐＦの±５％の範囲）外に大きくずれてし
まうことがわかる。また、比誘電率が４の誘電体薄膜を
用いたものと電極面積が同じで、比誘電率が１０００の
誘電体薄膜を用いたコンデンサは、加工ズレが５μｍ以
下であれば容量のバラツキが許容範囲（１０ｐＦの±５
％の範囲）とできるが、電極間距離が８０μｍと厚くな
ってしまうため、薄型化が困難になってしまう。これに
対して比誘電率が２．５や４の誘電体薄膜を用いたコン
デンサでは、加工ズレが５μｍ以下であれば容量のバラ
ツキが許容範囲（１０ｐＦの±５％の範囲）にできるこ
とがわかる。比誘電率が４の誘電体薄膜を用いたコンデ
ンサでは、比誘電率が１０００の誘電体薄膜を用いたコ
ンデンサと電極面積を同じにした場合、電極間距離を約
１／２７とすることができることがわかる。従って、誘
電体薄膜の比誘電率が４以下であると、加工ズレに起因
する容量のバラツキを少なくできるうえ、コンデンサの
薄型化、小型化できることがわかる。
５や４の誘電体薄膜を用いたものと電極間距離が同じ
で、比誘電率が１０００の誘電体薄膜を用いたコンデン
サは、加工ズレが１μｍ以上あると容量のバラツキが許
容範囲（１０ｐＦの±５％の範囲）外に大きくずれてし
まうことがわかる。また、比誘電率が４の誘電体薄膜を
用いたものと電極面積が同じで、比誘電率が１０００の
誘電体薄膜を用いたコンデンサは、加工ズレが５μｍ以
下であれば容量のバラツキが許容範囲（１０ｐＦの±５
％の範囲）とできるが、電極間距離が８０μｍと厚くな
ってしまうため、薄型化が困難になってしまう。これに
対して比誘電率が２．５や４の誘電体薄膜を用いたコン
デンサでは、加工ズレが５μｍ以下であれば容量のバラ
ツキが許容範囲（１０ｐＦの±５％の範囲）にできるこ
とがわかる。比誘電率が４の誘電体薄膜を用いたコンデ
ンサでは、比誘電率が１０００の誘電体薄膜を用いたコ
ンデンサと電極面積を同じにした場合、電極間距離を約
１／２７とすることができることがわかる。従って、誘
電体薄膜の比誘電率が４以下であると、加工ズレに起因
する容量のバラツキを少なくできるうえ、コンデンサの
薄型化、小型化できることがわかる。
【００７２】（実験例４）以下のようにして作製した第
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１２のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１２のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
【００７３】続いて、この第２の誘電体薄膜の表面に下
記構造式（ＩＩ）で示す構造のジビニルシロキサン−ビ
ス−ベンゾシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレ
ン）をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばす
ためにホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃
で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステッ
プのキュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００
Å）のベンゾシクロブテン系高分子膜を得た。
記構造式（ＩＩ）で示す構造のジビニルシロキサン−ビ
ス−ベンゾシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレ
ン）をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばす
ためにホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃
で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステッ
プのキュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００
Å）のベンゾシクロブテン系高分子膜を得た。
【００７４】
【化２】
【００７５】この後、上記高分子膜からなる第１の誘電
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２６１ｐｐ
ｍ／℃を示した。
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２６１ｐｐ
ｍ／℃を示した。
【００７６】なお、ここでのＳｉＮxからなる第２の誘
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ベンゾシクロブテン
系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨張係数が
５２ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．７であり、電極層間に
第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘電体薄膜
の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３８０ｐｐｍ／
℃、１ＧＨｚでのＱ値が２５０であった。
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ベンゾシクロブテン
系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨張係数が
５２ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．７であり、電極層間に
第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘電体薄膜
の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３８０ｐｐｍ／
℃、１ＧＨｚでのＱ値が２５０であった。
【００７７】上記の結果から電極層間に第２の誘電体薄
膜（ＳｉＮx膜）とベンゾシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２６１ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にベンゾシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
膜（ＳｉＮx膜）とベンゾシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２６１ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にベンゾシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
【００７８】（実験例５）以下のようにして作製した第
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１３のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１３のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
【００７９】続いて、この第２の誘電体薄膜の表面に下
記構造式（ＩＩＩ）で示す構造のジビニルエチル−ビス
−ナフトシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレン）
をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばすため
にホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃で２
分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステップの
キュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の
ナフトシクロブテン系高分子膜を得た。
記構造式（ＩＩＩ）で示す構造のジビニルエチル−ビス
−ナフトシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレン）
をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばすため
にホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃で２
分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステップの
キュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の
ナフトシクロブテン系高分子膜を得た。
【００８０】
【化３】
【００８１】この後、上記高分子膜からなる第１の誘電
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２３８ｐｐ
ｍ／℃を示した。
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２３８ｐｐ
ｍ／℃を示した。
【００８２】なお、ここでのＳｉＮxからなる第２の誘
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ナフトシクロブテン
系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨張係数が
５０ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．７５であり、電極層間
に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘電体薄
膜の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３７０ｐｐｍ
／℃、１ＧＨｚでのＱ値が２４０であった。
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ナフトシクロブテン
系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨張係数が
５０ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．７５であり、電極層間
に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘電体薄
膜の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３７０ｐｐｍ
／℃、１ＧＨｚでのＱ値が２４０であった。
【００８３】上記の結果から電極層間に第２の誘電体薄
膜（ＳｉＮx膜）とナフトシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２３８ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にナフトシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
膜（ＳｉＮx膜）とナフトシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２３８ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にナフトシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
【００８４】（実験例６）以下のようにして作製した第
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１４のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
１と第２の誘電体薄膜が電極間に介在された積層型の薄
膜コンデンサの電極層間の容量温度係数と、１ＧＨｚに
おけるＱ値と、耐電圧性について調べた。ここでの容量
温度係数は、雰囲気温度を２０℃から１００℃に昇温し
たときの温度（℃）と静電容量（ｐＦ）との関係を示し
た図１４のグラフの傾きからそれぞれ求めたものであ
る。アルミナ又はガラスからなる基板上にＣｕからなる
膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の下部電極層をスパ
ッタ法により室温成膜した。次に、この下部電極層の上
にＳｉＮxからなる膜厚１５０ｎｍ（１５００Å）の第
２の誘電体薄膜をＰＥＣＶＤ法により成膜した。
【００８５】続いて、この第２の誘電体薄膜の表面に下
記構造式（ＩＶ）で示す構造のジビニルシロキサン−ビ
ス−ナフトシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレ
ン）をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばす
ためにホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃
で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステッ
プのキュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００
Å）のナフトシクロブテン系高分子膜を得た。
記構造式（ＩＶ）で示す構造のジビニルシロキサン−ビ
ス−ナフトシクロブタンを含む溶液（溶媒はメシチレ
ン）をスピンコート法で塗布した後、上記溶媒をとばす
ためにホットプレート上で５０℃で２分、１１０℃
で２分、好ましくは２５０℃で１０分の順で３ステッ
プのキュアリングを行い、膜厚１５０ｎｍ（１５００
Å）のナフトシクロブテン系高分子膜を得た。
【００８６】
【化４】
【００８７】この後、上記高分子膜からなる第１の誘電
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２４３ｐｐ
ｍ／℃を示した。
体薄膜の表面にフォトレジストコート、プリベーク、露
光、現像、ポストベークを行ってレジストパターンを形
成し、ＳＦ6又はＣＦ4プラズマにて上記第１と第２の誘
電体薄膜を連続的にドライエッチングした後、フォトレ
ジストを剥離した。最後にこの第２の誘電体薄膜上にＣ
ｕからなる膜厚１５００ｎｍ（１５０００Å）の上部電
極層をスパッタ法により室温成膜し、積層型の薄膜コン
デンサを得た。このようにして得られた積層型の薄膜コ
ンデンサの１ＧＨｚにおけるＱ値は１００であり、耐電
圧は１５０Ｖ以上を示し、容量温度係数は−２４３ｐｐ
ｍ／℃を示した。
【００８８】なお、ここでのＳｉＮxからなる第２の誘
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ここでのナフトシク
ロブテン系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨
張係数が５０ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．８であり、電
極層間に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘
電体薄膜の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３７３
ｐｐｍ／℃、１ＧＨｚでのＱ値が２３０であった。
電体薄膜は、線熱膨張係数が３ｐｐｍ／℃、比誘電率が
７．０であり、電極層間に第２の誘電体薄膜のみ形成し
たとき（第１の誘電体薄膜の厚みが０のとき）１ＧＨｚ
でのＱ値が２００であった。また、ここでのナフトシク
ロブテン系高分子からなる第１の誘電体薄膜は、線熱膨
張係数が５０ｐｐｍ／℃、比誘電率が２．８であり、電
極層間に第１の誘電体薄膜のみ形成したとき（第２の誘
電体薄膜の厚みが０のとき）の容量温度係数は−３７３
ｐｐｍ／℃、１ＧＨｚでのＱ値が２３０であった。
【００８９】上記の結果から電極層間に第２の誘電体薄
膜（ＳｉＮx膜）とナフトシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２４３ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にナフトシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
膜（ＳｉＮx膜）とナフトシクロブテン系高分子からな
る第１の誘電体薄膜（高分子膜）を設けた薄膜コンデン
サにおいては、容量温度係数が−２４３ｐｐｍ／℃のも
のが得られることが判明した。よってこの例の薄膜コン
デンサであるならば、容量温度係数が負のものが得られ
ているので、バラクタダイオード等の温度係数が正の電
子機器の温度補償用に好適である。また、電極層間にＳ
ｉＮxからなる第２の誘電体薄膜以外にナフトシクロブ
テン系高分子からなる第１の誘電体薄膜を設けた本例の
薄膜コンデンサは、１ＧＨｚのＱ値が１００以上と大き
くできることがわかる。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の温度補償用
薄膜コンデンサによれば、比誘電率が４．０以下であ
り、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上である誘電
体薄膜を一対の電極間に介在したことにより、容量温度
係数（静電容量の温度係数）を負に制御でき、また、加
工精度の影響を受けにくくなり、静電容量のバラツキの
問題を改善でき、これによって小型化、薄型化、軽量化
でき、温度補償が可能となる。本発明において、周波数
１ＧＨｚ以上のＱ値が１００以上としたものにあって
は、１ＧＨｚ以上の高周波領域での誘電損失が小さくな
り、周波数１ＧＨｚ以上の高周波回路に適した薄膜コン
デンサが得られる。また、上記誘電体薄膜は、フッ素系
高分子材料が主成分として含まれるものであると、比誘
電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐ
ｍ／℃以上の誘電体薄膜が得られ、また、誘電体薄膜に
用いるフッ素系高分子材料によってはこの誘電体薄膜を
電極間に介在させた薄膜コンデンサの周波数１ＧＨｚ以
上のＱ値を１００以上とすることが可能である。
薄膜コンデンサによれば、比誘電率が４．０以下であ
り、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上である誘電
体薄膜を一対の電極間に介在したことにより、容量温度
係数（静電容量の温度係数）を負に制御でき、また、加
工精度の影響を受けにくくなり、静電容量のバラツキの
問題を改善でき、これによって小型化、薄型化、軽量化
でき、温度補償が可能となる。本発明において、周波数
１ＧＨｚ以上のＱ値が１００以上としたものにあって
は、１ＧＨｚ以上の高周波領域での誘電損失が小さくな
り、周波数１ＧＨｚ以上の高周波回路に適した薄膜コン
デンサが得られる。また、上記誘電体薄膜は、フッ素系
高分子材料が主成分として含まれるものであると、比誘
電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐ
ｍ／℃以上の誘電体薄膜が得られ、また、誘電体薄膜に
用いるフッ素系高分子材料によってはこの誘電体薄膜を
電極間に介在させた薄膜コンデンサの周波数１ＧＨｚ以
上のＱ値を１００以上とすることが可能である。
【００９１】また、上記誘電体薄膜は、ベンゾシクロブ
テン系またはナフトシクロブテン系高分子材料が主成分
として含まれるものであると、比誘電率が４．０以下で
あり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上の誘電体
薄膜が得られ、また、誘電体薄膜に用いるベンゾシクロ
ブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料によっ
てはこの誘電体薄膜を電極間に介在させた薄膜コンデン
サの周波数１ＧＨｚ以上のＱ値を１００以上とすること
が可能である。このように上誘電体薄膜を上記ベンゾシ
クロブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料か
ら構成する場合、これら高分子材料は電極形成時に用い
られるレジスト現像液やレジスト剥離液に腐食され難い
ために有利である。また、本発明の電子機器によれば、
温度に対応して補償する必要がある電子回路に本発明の
温度補償用薄膜コンデンサを備えるようにしたことによ
り、上記電子回路を有する携帯型電子機器、マイクロ波
用通信機器等の電子機器の温度安定性を優れさせること
ができる。
テン系またはナフトシクロブテン系高分子材料が主成分
として含まれるものであると、比誘電率が４．０以下で
あり、かつ線熱膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上の誘電体
薄膜が得られ、また、誘電体薄膜に用いるベンゾシクロ
ブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料によっ
てはこの誘電体薄膜を電極間に介在させた薄膜コンデン
サの周波数１ＧＨｚ以上のＱ値を１００以上とすること
が可能である。このように上誘電体薄膜を上記ベンゾシ
クロブテン系またはナフトシクロブテン系高分子材料か
ら構成する場合、これら高分子材料は電極形成時に用い
られるレジスト現像液やレジスト剥離液に腐食され難い
ために有利である。また、本発明の電子機器によれば、
温度に対応して補償する必要がある電子回路に本発明の
温度補償用薄膜コンデンサを備えるようにしたことによ
り、上記電子回路を有する携帯型電子機器、マイクロ波
用通信機器等の電子機器の温度安定性を優れさせること
ができる。
【図１】 図１は本発明に係る温度補償用薄膜コンデン
サの第１実施形態の断面構造を示す図である。
サの第１実施形態の断面構造を示す図である。
【図２】 図２は図１に示す薄膜コンデンサの平面図で
ある。
ある。
【図３】 図３は本発明に係る薄膜コンデンサを備えた
電気回路の一例を示す回路図である。
電気回路の一例を示す回路図である。
【図４】 図４は本発明に係わる薄膜コンデンサの温度
係数とバラクタダイオードの温度係数とを比較して示す
図である。
係数とバラクタダイオードの温度係数とを比較して示す
図である。
【図５】 図５は本発明の薄膜コンデンサの第１の誘電
体薄膜の膜厚を変更したときの温度特性を示す図であ
る。
体薄膜の膜厚を変更したときの温度特性を示す図であ
る。
【図６】 Clausius-Mosottiの式を温度で微分して得ら
れた式を基にした比誘電率と容量温度係数の関係を示す
概略図である。
れた式を基にした比誘電率と容量温度係数の関係を示す
概略図である。
【図７】 誘電体薄膜の比誘電率と線熱膨張係数との関
係を示す図である。
係を示す図である。
【図８】 本発明に係る温度補償用薄膜コンデンサのそ
の他の実施形態の断面構造を示す図である。
の他の実施形態の断面構造を示す図である。
【図９】 本発明に係る温度補償用薄膜コンデンサの第
２の実施形態の断面構造を示す図である。
２の実施形態の断面構造を示す図である。
【図１０】 本発明に係る温度補償用薄膜コンデンサの
第３の実施形態の断面構造を示す図である。
第３の実施形態の断面構造を示す図である。
【図１１】 本発明に係る温度補償用薄膜コンデンサの
その他の実施形態の断面構造を示す図である。
その他の実施形態の断面構造を示す図である。
【図１２】 実験例４で作製した薄膜コンデンサの温度
と静電容量との関係を示す図である。
と静電容量との関係を示す図である。
【図１３】 実験例５で作製した薄膜コンデンサの温度
と静電容量との関係を示す図である。
と静電容量との関係を示す図である。
【図１４】 実験例６で作製した薄膜コンデンサの温度
と静電容量との関係を示す図である。
と静電容量との関係を示す図である。
１、１ａ、２１、３１、３１ａ・・・薄膜コンデンサ、２・
・・基板、３・・・第１の電極層（電極）、４・・・第２の誘電
体薄膜、５・・・第１の誘電体薄膜、７・・・第２の電極層
（電極）、８・・・保護膜（キャップ材）。
・・基板、３・・・第１の電極層（電極）、４・・・第２の誘電
体薄膜、５・・・第１の誘電体薄膜、７・・・第２の電極層
（電極）、８・・・保護膜（キャップ材）。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 北川 均 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 (72)発明者 福井 洋文 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5E082 BC15 EE23 FF05 FG03
Claims (15)
- 【請求項１】 比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱
膨張係数が２５ｐｐｍ／℃以上である誘電体薄膜が一対
の電極間に介在されたことを特徴とする温度補償用薄膜
コンデンサ。 - 【請求項２】 周波数１ＧＨｚ以上のＱ値が１００以上
であることを特徴とする請求項１記載の温度補償用薄膜
コンデンサ。 - 【請求項３】 容量温度係数が負であることを特徴とす
る請求項１記載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項４】 前記容量温度係数の絶対値が２００ｐｐ
ｍ／℃以上であることを特徴とする請求項３記載の温度
補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項５】 前記誘電体薄膜はフッ素系高分子材料を
主成分として含むことを特徴とする請求項１記載の温度
補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項６】 前記誘電体薄膜の上側に該誘電体薄膜を
被覆する保護膜が積層されていることを特徴とする請求
項５記載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項７】 前記誘電体薄膜はベンゾシクロブテン系
またはナフトシクロブテン系高分子材料を主成分として
含むことを特徴とする請求項１記載の温度補償用薄膜コ
ンデンサ。 - 【請求項８】 前記高分子材料は、分子内にベンゾシク
ロブテン基又はナフトシクロブテン基と、エチレン基と
を有することを特徴とする請求項７記載の温度補償用薄
膜コンデンサ。 - 【請求項９】 前記高分子材料は、分子内にベンゾシク
ロブテン基又はナフトシクロブテン基と、エチレン基
と、シロキサン結合とを有することを特徴とする請求項
７記載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１０】 比誘電率が４．０以下であり、かつ線
熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘電体薄
膜と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下の第
２の誘電体薄膜とが一対の電極間に介在されたことを特
徴とする温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１１】 前記第１の誘電体薄膜は、フッ素系高
分子材料を主成分として含むものであることを特徴とす
る請求項１０記載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１２】 前記第２の誘電体薄膜は、前記第１の
誘電体薄膜の上側に積層されていることを特徴とする請
求項１１記載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１３】 前記第１の誘電体薄膜は前記第２の誘
電体薄膜の上側に積層され、さらに前記第１の誘電体薄
膜の上側に該第１の誘電体薄膜を被覆する保護膜が積層
されていることを特徴とする請求項１１記載の温度補償
用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１４】 前記第１の誘電体薄膜は、ベンゾシク
ロブテン系又はナフトシクロブテン系高分子材料を主成
分として含むものであることを特徴とする請求項１０記
載の温度補償用薄膜コンデンサ。 - 【請求項１５】 請求項１又は１０記載の温度補償用薄
膜コンデンサが備えられたことを特徴とする電子機器。
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|---|---|---|---|
| JP2001254927A JP2002252143A (ja) | 2000-12-21 | 2001-08-24 | 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器 |
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| US10/028,543 US6556421B2 (en) | 2000-12-21 | 2001-12-19 | Temperature-compensating thin-film capacitor and electronic device |
| KR10-2001-0081832A KR100428225B1 (ko) | 2000-12-21 | 2001-12-20 | 온도 보상용 박막 콘덴서 및 전자 기기 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000-389008 | 2000-12-21 | ||
| JP2000389008 | 2000-12-21 | ||
| JP2001254927A JP2002252143A (ja) | 2000-12-21 | 2001-08-24 | 温度補償用薄膜コンデンサ及び電子機器 |
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|---|---|
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ID=26606293
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104619475A (zh) * | 2012-07-13 | 2015-05-13 | 英国国防部 | 制造包含分散的纳米颗粒的连续电介质膜的方法 |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6461886B1 (en) * | 2000-05-13 | 2002-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
| UA77459C2 (en) * | 2001-11-03 | 2006-12-15 | Thin-film capacitor and a method for producing the capacitor | |
| US20040061990A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-01 | Dougherty T. Kirk | Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication |
| DE102004005082B4 (de) | 2004-02-02 | 2006-03-02 | Infineon Technologies Ag | Kondensator mit einem Dielektrikum aus einer selbstorganisierten Monoschicht einer organischen Verbindung und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US7161795B1 (en) * | 2005-09-26 | 2007-01-09 | Ferro Corporation | COG dielectric composition for use with copper electrodes |
| US20100067172A1 (en) * | 2008-03-13 | 2010-03-18 | Strategic Polymer Sciences, Inc. | High electric energy density polymeric compositions, methods of the manufacture therefor, and articles comprising the same |
| US8223472B1 (en) * | 2008-11-14 | 2012-07-17 | Sandia Corporation | Norbornylene-based polymer systems for dielectric applications |
| JP4905497B2 (ja) * | 2009-04-22 | 2012-03-28 | 株式会社村田製作所 | 電子部品 |
| TW201121786A (en) * | 2009-10-22 | 2011-07-01 | Chi Lin Technology Co Ltd | Hybrid electret |
| US8315032B2 (en) | 2010-07-16 | 2012-11-20 | Ut-Battelle, Llc | High power density capacitor and method of fabrication |
| JP5679167B2 (ja) * | 2010-10-18 | 2015-03-04 | 信越ポリマー株式会社 | フィルムキャパシタ用フィルム |
| CN103772783A (zh) * | 2013-12-18 | 2014-05-07 | 芜湖万润机械有限责任公司 | 一种电容器用改性聚乙烯等规聚丙烯复合金属化薄膜及其制备方法 |
| CN106463620B (zh) * | 2014-04-16 | 2019-04-12 | 里兰斯坦福初级大学理事会 | 用于高性能电子和光电子器件的极性弹性体 |
| CN111328424B (zh) * | 2017-11-15 | 2022-01-11 | 株式会社村田制作所 | 薄膜电容器以及金属化薄膜 |
| CN109166730B (zh) * | 2018-08-28 | 2020-05-22 | 西安交通大学 | 一种宽温高储能的无铅柔性的介电薄膜电容器及其制备方法 |
| US11469761B1 (en) | 2020-09-11 | 2022-10-11 | Mixed-Signal Devices Inc. | CMOS frequency reference circuit with temperature coefficient cancellation |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3949280A (en) * | 1975-02-18 | 1976-04-06 | Mitsumi Electric Co., Ltd. | Miniature variable capacitor and method of manufacture |
| JPS5873908A (ja) * | 1981-10-28 | 1983-05-04 | ティーディーケイ株式会社 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| EP0134249A4 (en) * | 1983-01-31 | 1987-06-29 | Nippon Soda Co | PROCESS FOR PRODUCING A THIN FILM DIELECTRIC. |
| JPS63110618A (ja) | 1986-10-28 | 1988-05-16 | 沖電気工業株式会社 | 積層型マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| EP0393271A1 (en) * | 1987-08-08 | 1990-10-24 | The Standard Oil Company | Fluoropolymer thin film coatings and method of preparation by plasma polymerization |
| DE68906219T2 (de) | 1988-08-25 | 1993-08-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Duennfilmkapazitaet und verfahren zur herstellung einer integrierten hybridmikrowellenschaltung. |
| US5088003A (en) * | 1989-08-24 | 1992-02-11 | Tosoh Corporation | Laminated silicon oxide film capacitors and method for their production |
| JPH03252160A (ja) * | 1990-02-28 | 1991-11-11 | Nec Corp | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
| US5311406A (en) * | 1991-10-30 | 1994-05-10 | Honeywell Inc. | Microstrip printed wiring board and a method for making same |
| US5723171A (en) * | 1992-10-23 | 1998-03-03 | Symetrix Corporation | Integrated circuit electrode structure and process for fabricating same |
| JPH08115851A (ja) * | 1994-10-14 | 1996-05-07 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 薄膜コンデンサ付きセラミック基板および その製造方法 |
| JP3475976B2 (ja) * | 1995-01-13 | 2003-12-10 | 出光石油化学株式会社 | コンデンサ |
| DE69624042T2 (de) | 1995-06-16 | 2003-06-05 | At & T Corp | TiO2 dotiertes, Ta2O5 enthaltendes dielektrisches Material und dieses enthaltende Bauteile |
| AU2923397A (en) * | 1996-04-18 | 1997-11-07 | California Institute Of Technology | Thin film electret microphone |
| US5965273A (en) * | 1997-01-31 | 1999-10-12 | Hoechst Celanese Corporation | Polymeric compositions having a temperature-stable dielectric constant |
| US6153525A (en) * | 1997-03-13 | 2000-11-28 | Alliedsignal Inc. | Methods for chemical mechanical polish of organic polymer dielectric films |
| JPH11214250A (ja) * | 1998-01-28 | 1999-08-06 | Kuraray Co Ltd | デバイスとこれを実装した実装回路基板 |
| US6324048B1 (en) * | 1998-03-04 | 2001-11-27 | Avx Corporation | Ultra-small capacitor array |
| US6154311A (en) * | 1998-04-20 | 2000-11-28 | Simtek Hardcoatings, Inc. | UV reflective photocatalytic dielectric combiner having indices of refraction greater than 2.0 |
-
2001
- 2001-08-24 JP JP2001254927A patent/JP2002252143A/ja not_active Withdrawn
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104619475A (zh) * | 2012-07-13 | 2015-05-13 | 英国国防部 | 制造包含分散的纳米颗粒的连续电介质膜的方法 |
| US9518162B2 (en) | 2012-07-13 | 2016-12-13 | The Secretary Of State For Defence | Process of making a continuous dielectric film comprising dispersed nanoparticles |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1198297C (zh) | 2005-04-20 |
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| US20020122285A1 (en) | 2002-09-05 |
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| US6556421B2 (en) | 2003-04-29 |
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| CN1360323A (zh) | 2002-07-24 |
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