JPH11214250A - デバイスとこれを実装した実装回路基板 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 軽量、低吸湿性、高耐熱性、吸湿寸法安定
性、熱寸法安定性および電気的性質に優れた薄膜コンデ
ンサ１や薄膜抵抗６等に使用するデバイスとこれを用い
たプリント配線板９および実装回路基板１０を低コスト
で提供する。 【解決手段】 光学的異方性の溶融相を形成し得るポリ
マーから成形されるフィルム２を電気絶縁性基板とし、
該基板上に導電体３，５，７を形成した。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光学的異方性の溶
融相を形成し得るポリマーから成形されるフィルム（以
下、液晶ポリマーフィルムということがある）を電気絶
縁性基板とするデバイスと、これをプリント配線板に搭
載した実装回路基板とに関する。さらに詳しくは、本発
明によるデバイスは、その電気絶縁性基板として用いる
上記液晶ポリマーフィルムに由来する優れた耐熱性、耐
薬品性、電気的性質を備え、しかも軽量で低吸湿性に優
れ、酸素を透過させない性質なども合わせて具有してお
り、薄膜コンデンサや薄膜抵抗などのデバイスとして有
用なものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、移動体通信を始め、携帯用電子機
器の小型・軽量化の要求が強くなり、高密度実装に対す
る期待が一段と強まっている。これに伴い、配線板の多
層化、配線ピッチの狭幅化、バイアホール（スルーホー
ル）の微細化、ＩＣパッケージの小型多ピン化が進めら
れているが、コンデンサや抵抗などの受動素子について
も小型化と表面実装化が合わせて進められている。特
に、これらの受動部品を直接プリント配線板の表面ある
いは内部に形成すれば、高密度実装が可能となるだけで
なく、信頼性の向上にも寄与できる。

【０００３】従来、受動素子の小型化と表面実装化は、
電気絶縁性基板であるセラミック基板に金属や電気絶縁
体のペーストを印刷法等により形成し、焼結することに
よって行われている。また最近では、電気絶縁性基板で
あるポリイミド等の有機樹脂基板上に、低温で成膜でき
る電子サイクロトロン共鳴気相成長法（以下、ＥＣＲ−
ＣＶＤ法と略す）を用いて誘電体膜を形成する技術等も
開発され、コンデンサや抵抗の小型化と表面実装化が行
われている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、電気絶縁性
基板としてセラミック基板を用いたデバイスは、重量が
重くコストも高いので、民生用電子機器として使用する
ことは困難である。このため、民生用電子機器に適用可
能とするためには、有機樹脂基板上に受動素子を直接形
成することが必要となる。

【０００５】しかし、一般の有機樹脂基板材料は耐熱性
に劣ることから、セラミック基板のように、受動素子を
形成するのに焼結手段を採用することはできない。ま
た、比較的耐熱性を有する有機樹脂基板材料であるポリ
イミド等は、吸水率が数パーセントと大きいため、吸湿
により大きな寸法変化が起こるばかりでなく、吸湿され
た水分が高温加熱時に爆発的に気化して、電気的接続の
破壊原因になることもある。

【０００６】また、上記デバイスは、セラミックや有機
樹脂等の電気的絶縁性基板上に導電体を設けた構成とし
ているので、これら基材と導電体の熱膨張係数がある範
囲を超えて異なると、熱衝撃を受けた際にその界面で剥
離して、電気的接続の破壊原因になることがある。した
がって、デバイスの信頼性を向上させるためには、基板
の熱膨張係数（線膨張率）をできる限り導電体の熱膨張
係数に近づける必要がある。

【０００７】本発明者等は、上記デバイスの基板材料に
ついて研究を続けたところ、液晶ポリマーフィルムは、
優れた耐熱性、耐薬品性、電気的性質（電気絶縁性、誘
電的性質等）を備え、その上軽量かつ低吸湿性で酸素を
透過させない性質なども具有しているので、デバイスの
基板材料として最適であることを見出した。しかも、液
晶ポリマーフィルムは、熱処理することにより、その融
点や熱膨張係数を任意に調節できることも見出し、本発
明を完成するに至った。而して、本発明の目的は、軽
量、低吸湿性、高耐熱性、吸湿寸法安定性、熱寸法安定
性および電気的性質に優れた薄膜コンデンサや薄膜抵抗
等のデバイスとこれを用いたプリント配線板および実装
回路基板を、低コストで提供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明のデバイスは、液晶ポリマーフィルムを電気
絶縁性基板とし、該基板上に導電体を形成している。

【０００９】デバイスの作製方法について、薄膜コンデ
ンサを例に説明する。まず、電気絶縁性基板となる上記
液晶ポリマーフィルムの少なくとも一方の面に銅などの
導電体を下部電極パターンとして積層する。用いる導電
体の材質としては、電気的接続に使用されるような金属
が好適であり、銅のほか金、銀、ニッケル、アルミニウ
ムなどを挙げることができる。例えば銅を導電体のパタ
ーンとして積層するには、電子ビーム蒸着法で成膜する
方法や、銅箔を用いて液晶ポリマーフィルムと熱圧着し
た後にパターンを形成する方法を採用できる。銅箔は圧
延法、電気分解法などによって製造される何れのもので
も用いることができるが、表面粗さの大きい電気分解法
によって製造されるものが密着性の点で好ましい。ま
た、銅箔の厚さは、１０〜１００μｍの範囲内が好まし
く、１０〜３５μｍの範囲内がより好ましい。次に、Ｓ
ｉＯ₂などの誘電体薄膜パターンを前述のＥＣＲ−ＣＶ
Ｄ法により成膜する。反応ガスとしては、ＳｉＨ₄とＯ₂
を用いることができる。その後、電子ビーム蒸着法等に
より、フィルムの他面にＴｉ／Ａｕなどの上部電極パタ
ーンを形成して、薄膜コンデンサとする。

【００１０】上記液晶ポリマーフィルムは、光学的異方
性の溶融相を形成し得るポリマーを押出成形して得られ
る。その押出成形には、任意の方法が採用できるが、周
知のＴダイ法、インフレーション法等を採用するのが工
業的に有利である。特にインフレーション法では、フィ
ルムの機械軸方向（以下、ＭＤ方向と略す）だけでな
く、これと直交する方向（以下、ＴＤ方向と略す）にも
応力が加わり、ＭＤ方向とＴＤ方向との間における機械
的性質および熱的性質のバランスのとれたフィルムを得
ることができる。

【００１１】また液晶ポリマーフィルムは、任意の厚み
とすることができ、例えば５ｍｍ以下の厚みの板状また
はシート状のものをも包含する。ただし、電気絶縁性基
板として液晶ポリマーフィルムからなるデバイスをプリ
ント配線板として使用する場合は、フィルムの膜厚は１
０〜１５０μｍの範囲内にあることが好ましく、特に１
５〜７５μｍの範囲内にあることがより好ましい。フィ
ルムの厚さが薄過ぎる場合には、その剛性や強度が小さ
くなるため、得られるプリント配線板に電子部品を実装
する際に加圧により変形して、配線の位置精度が悪化し
て不良の原因となる。また、デバイスの電気絶縁性基板
として、上記フィルムと他の電気絶縁性材料、例えばガ
ラス布基材との複合体を用いることもできる。なお、フ
ィルムには、滑剤、酸化防止剤などの添加剤を後述する
本発明の効果が失われない範囲内で配合してもよい。

【００１２】さらに、液晶ポリマーフィルムの熱膨張係
数は、該液晶ポリマーフィルム上に形成された導電体の
熱膨張係数と実質的に同一であることが好ましい。液晶
ポリマーフィルムは、熱処理することにより、該液晶ポ
リマーフィルム上に形成する導電体の熱膨張係数と実質
的に同一にすることができる。この結果、デバイスとし
たとき、ヒートサイクルによって界面剥離が発生したり
することなく、信頼性が高められる。

【００１３】上記熱処理は、液晶ポリマーフィルム上に
導電体を形成する前または後に行ってもよい。また、該
フィルムは導電体を形成する段階で加熱されると、その
熱膨張係数が変化することがあるので、この点を事前に
考慮したプロセスを設計する必要がある。さらに、熱処
理の手段としては特に制限はなく、熱風循環炉、熱ロー
ル、セラミックヒーター、熱プレスなどを例示すること
ができる。

【００１４】また、熱処理の温度としては、上記液晶ポ
リマーフィルムの熱膨張係数が、該フィルム上に設ける
導電体の熱膨張係数よりも大きい場合は、フィルムの融
点よりも１４０℃低い温度から、該融点までの温度範囲
を選択することが好ましい。この温度範囲では、フィル
ムの熱膨張係数を最大で１８×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃低
くできる。この熱膨張係数は処理時間によっても調整す
ることができる。

【００１５】一方液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数
が、該フィルム上に設ける導電体の熱膨張係数よりも小
さい場合には、フィルムの融点よりも２０℃高い温度ま
での温度範囲を選択することが好ましい。この温度範囲
では、フィルムの熱膨張係数を最大で３０×１０^-6ｃｍ
／ｃｍ／℃大きくできる。この熱膨張係数は処理時間に
よっても調整することができる。

【００１６】また、上記デバイスのヒートサイクルに対
する信頼性をより高めるためには、液晶ポリマーフィル
ム上に形成する導電体の熱膨張係数をＰ×１０^-6ｃｍ／
ｃｍ／℃としたときに、液晶ポリマーフィルムの熱膨張
係数が、（Ｐ−１０）×１０ ^-6ｃｍ／ｃｍ／℃から（Ｐ
＋１０）×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃の範囲内になるように
調節することが好ましい。この範囲から外れると、導電
体と液晶ポリマーフィルムからなる基板との間の界面剥
離の発生が多くなる。ここで、銅、アルミニウムなどの
代表的な導電体のＰ値は１１〜３０である。

【００１７】上記液晶ポリマーフィルムは、その分子配
向度ＳＯＲを１．３以下とすることが好ましい。該液晶
ポリマーフィルムは、上記のＭＤ方向とＴＤ方向との間
における機械的および熱的性質のバランスが良好である
ので、より実用性が高い。

【００１８】ここで、分子配向度ＳＯＲ（Segment Orie
ntation Ratio）とは、分子配向の度合いを与える指標
をいい、従来のＭＯＲ（Molecular Orientation Rati
o）とは異なり、物体の厚さを考慮した値である。この
分子配向度ＳＯＲは、以下のように算出される。

【００１９】まず、周知のマイクロ波分子配向度測定機
において、液晶ポリマーフィルムを、マイクロ波の進行
方向にフィルム面が垂直になるように、マイクロ波共振
導波管中に挿入し、該フィルムを透過したマイクロ波の
電場強度（マイクロ波透過強度）が測定される、そし
て、この測定値に基づいて、次式により、ｍ値（屈折率
と称する）が算出される。 ｍ＝（Ｚ₀／Δｚ）×［１−ν_MAX／ν₀］ ただし、Ｚ₀は装置定数、Δｚは物体の平均厚、ν_MAXは
マイクロ波の振動数を変化させたとき、最大のマイクロ
波透過強度を与える振動数、ν₀は平均厚ゼロのとき
（すなわち物体がないとき）の最大マイクロ波透過強度
を与える振動数である。

【００２０】次に、マイクロ波の振動方向に対する物体
の回転角が０°のとき、つまり、マイクロ波の振動方向
と、物体の分子が最もよく配向されている方向であっ
て、最小マイクロ波透過強度を与える方向とが合致して
いるときのｍ値をｍ₀ 、回転角が９０°のときのｍ値を
ｍ₉₀として、分子配向度ＳＯＲがｍ₀ ／ｍ₉₀により算出
される。

【００２１】本発明の液晶ポリマーフィルムの適用分野
によって、必要とされる分子配向度ＳＯＲは当然異なる
が、ＳＯＲ≧１．５の場合は液晶ポリマー分子の配向の
偏りが著しいためにフィルムが硬くなり、かつ配向方向
に裂け易い。加熱時の反りがないなどの形態安定性が必
要とされるプリント配線板や多層プリント配線板等の場
合には、ＳＯＲ≦１．３であることが望ましい。特に加
熱時の反りをほとんど無くす必要がある用途分野の場合
には、ＳＯＲ≦１．０３であることが望ましい。

【００２２】上記液晶ポリマーフィルムの原料は特に限
定するものではないが、その具体例として、以下に例示
する（１）〜（４）に分類される化合物およびその誘導
体から導かれる公知のサーモトロピック液晶ポリエステ
ルおよびサーモトロピック液晶ポリエステルアミドを挙
げることができる。但し、光学的に異方性の溶融相を形
成し得るポリマー（以下、液晶ポリマーということがあ
る）を得るためには、繰り返し単位の好適な組み合わせ
が必要とされることは言うまでもない。

【００２３】（１）芳香族または脂肪族ジヒドロキシ化
合物（代表例は表１参照）

【表１】

【００２４】（２）芳香族または脂肪族ジカルボン酸
（代表例は表２参照）

【表２】

【００２５】（３）芳香族ヒドロキシカルボン酸（代表
例は表３参照）

【表３】

【００２６】（４）芳香族ジアミン、芳香族ヒドロキシ
アミンまたは芳香族アミノカルボン酸（代表例は表４参
照）

【表４】

【００２７】これらの原料化合物から得られる液晶ポリ
マーの代表例として表５に示す構造単位を有する共重合
体（ａ）〜（ｅ）を挙げることができる。

【表５】

【００２８】また、液晶ポリマーの融点としては、フィ
ルムに高い耐熱性と加工性を与える目的においては、約
２００〜約４００℃の範囲内、とりわけ約２５０〜約３
５０℃の範囲内のものが良く、一方フィルム製造の観点
からは、比較的融点の低い液晶ポリマーフィルムの方が
好ましい。したがって、より高い耐熱性や融点が必要な
場合は、低い融点の液晶ポリマーを用いてフィルムを製
造し、該フィルムを加熱処理することによって、所望の
耐熱性や融点にまで高める。加熱処理の一例を説明すれ
ば、一旦得られたフィルムの融点が２８３℃の場合で
も、２６０℃で５時間加熱すれば、融点は３２０℃にな
る。

【００２９】以上のようにして得られるデバイスは、例
えばプリント配線板の部分を構成する。また、該プリン
ト配線板には、電子部品が組付けられて実装回路基板と
される。

【００３０】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
にしたがって説明する。図１は本発明にかかるデバイス
の一例として薄膜コンデンサ１を示しており、該コンデ
ンサ１は、その電気絶縁性基板として液晶ポリマーフィ
ルム２を用い、その上に銅などの下部電極である導電体
３、ＳｉＯ₂などの誘電体４、銅などの上部電極である
導電体５を順次積層して構成している。

【００３１】図２は、薄膜抵抗６を示しており、該薄膜
抵抗６は、上記液晶ポリマーフィルム２上に銅などの導
電体７と抵抗体８を積層して構成している。

【００３２】図３は、多層プリント配線板９を用いた実
装回路基板１０を示している。この基板１０は、多層プ
リント配線板９の表面と内部に上記薄膜コンデンサ１と
薄膜抵抗６を組み込むとともに、配線板９に形成した配
線導体１１にＩＣチップ１２を組付けて構成している。
なお図中、１３は部分バイアホール、１４はスルーホー
ルである。

【００３３】図４は、シートコイル１５を示しており、
該コイル１５は上記液晶ポリマーフィルム２の上下両面
に銅などの導電体１６を螺旋状に形成するとともに、フ
ィルム２の中央に両導電体１６の間を貫通するスルーホ
ール１７を形成して、該ホール１７の内壁に設けた導電
体により各導電体１５間を電気的に接続している。な
お、図中、１８は導電体１５の端部に設けたランドであ
る。

【００３４】次に、具体的な実施例を挙げて説明する。 実施例１ 先ず、ｐ−ヒドロキシ安息香酸と６−ヒドロキシ−２−
ナフトエ酸の共重合物で、融点が２８３℃である液晶ポ
リマーを溶融押出し、インフレーション成形法により膜
厚が５０μｍ、分子配向度ＳＯＲが１．０５の液晶ポリ
マーフィルムを作製した。次に、上記液晶ポリマーフィ
ルムに、金属箔である厚さ１８μｍの銅箔（電解銅）を
２８５℃で加熱圧着して、銅箔／液晶ポリマーフィルム
の組み合わせからなる積層体の３枚を作製した。そし
て、この積層体の熱膨張係数を測定するために、１枚の
積層体から銅箔を塩化第二鉄溶液で除去し、その液晶ポ
リマーフィルムの熱膨張係数を測定した結果、５×１０
^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。また、上記積層体の残り２
枚を、２９０℃の窒素雰囲気中の熱風乾燥機中に水平に
６０分間静置して熱処理した。処理後の積層体の熱膨張
係数を測定するために、１枚の積層体より銅箔を塩化第
二鉄溶液で除去し、液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数
を測定した結果、１７×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であっ
た。以上のように、積層体を熱処理しない場合は、フィ
ルムの熱膨張係数が導電体として用いる銅の熱膨張係数
（１７×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃）と大きく異なるのに対
し、熱処理を施すことにより、フィルムの熱膨張係数を
導電体として用いる銅の熱膨張係数と同一にできる。こ
れに引き続き、熱処理後の積層体の残り１枚を用いて薄
膜コンデンサを作製し、その電気的接続性の信頼性を評
価した結果、電気容量の変化率は２．５％と小さく、安
定であった。上記コンデンサは、液晶ポリマーフィルム
上に銅からなる下部電極をパターン形成し、誘電体薄膜
として３００ｎｍ厚のＳｉＯ₂膜をＥＣＲ−ＣＶＤで成
膜した後に、Ｔｉ／Ａｕを上部電極として電子ビーム蒸
着により形成したものである。作製したコンデンサ部の
実効寸法は３×２ｍｍである。なお、上記融点と熱膨張
係数の測定方法および信頼性の評価方法については後述
する。

【００３５】実施例２ 実施例１で作製した液晶ポリマーフィルムを、２６０℃
で５時間加熱処理して融点を３２０℃にまで高め、該フ
ィルムに厚さ１８μｍの銅箔（電解銅）を３２５℃で加
熱圧着して、銅箔／液晶ポリマーフィルムの組み合わせ
からなる積層体の３枚を作製した。そして、この積層体
の熱膨張係数を測定するために、１枚の積層体から銅箔
を塩化第二鉄溶液で除去し、その液晶ポリマーフィルム
の熱膨張係数を測定した結果、２８×１０^-6ｃｍ／ｃｍ
／℃であった。また、上記積層体の残り２枚を、２４０
℃の窒素雰囲気中の熱風乾燥機中に水平に６０分間静置
して熱処理した。処理後の積層体の熱膨張係数を測定す
るために、１枚の積層体より銅箔を塩化第二鉄溶液で除
去し、液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数を測定した結
果、１７×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。以上のよう
に、フィルムに熱処理を施すことにより、その熱膨張係
数を導電体として用いる銅の熱膨張係数と同一にでき
る。これに引き続き、熱処理後の積層体の残り１枚を用
いて上記と同様にして薄膜コンデンサを作製し、その信
頼性を評価した結果、電気容量の変化率は１．５％と小
さく、安定であった。

【００３６】実施例３ 本実施例においては、上記各実施例とは異なる液晶ポリ
マーフィルムを使用している。つまり、ｐ−ヒドロキシ
安息香酸と６−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸の共重合物
で、融点が３３０℃である液晶ポリマーを溶融押出し、
インフレーション成形法により膜厚が５０μｍ、分子配
向度ＳＯＲが１．０３の液晶ポリマーフィルムを作製し
た。次に、上記液晶ポリマーフィルムに、電子ビーム蒸
着法により銅層を形成し、銅層／液晶ポリマーフィルム
の組み合わせからなる積層体の３枚を作製した。そし
て、この積層体の熱膨張係数を測定するために、１枚の
積層体より銅層を塩化第二鉄溶液で除去し、液晶ポリマ
ーフィルムの熱膨張係数を測定した結果、１×１０^-6ｃ
ｍ／ｃｍ／℃であった。また、上記積層体の残り２枚
を、３３５℃の窒素雰囲気中の熱風乾燥機中に水平に６
０分間静置して熱処理した。処理後の積層体の熱膨張係
数を測定するために、１枚の積層体より銅層を塩化第二
鉄溶液で除去し、液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数を
測定した結果、１５×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。
以上のように、積層体を熱処理しない場合は、フィルム
の熱膨張係数が導電体として用いる銅の熱膨張係数と大
きく異なるのに対し、熱処理を施すことにより、フィル
ムの熱膨張係数を導電体として用いる銅の熱膨張係数に
近付けて実質的にほぼ同一にできる。これに引き続き、
熱処理後の積層体の残り１枚を用いて上記と同様にして
薄膜コンデンサを作製し、その信頼性を評価した結果、
電気容量の変化率は２．０％と小さく、安定であった。 実施例４ 実施例３において、積層体の残り２枚を３４０℃の窒素
雰囲気中の熱風乾燥機中に水平に１００分間静置して熱
処理した。他は上記実施例３と同様にして、銅層／液晶
ポリマーフィルムの組み合わせからなる熱処理済の積層
体の２枚を作製した。熱処理後の積層体の熱膨張係数を
測定するために、１枚の積層体より銅層を塩化第二鉄溶
液で除去し、液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数を測定
した結果、２０×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃であった。これ
に引き続き、熱処理後の積層体の残り１枚を用いて上記
と同様にして薄膜コンデンサを作製し、その信頼性を評
価した結果、電気容量の変化率は２．５％と小さく、安
定であった。

【００３７】比較例１ 実施例１において、窒素雰囲気中で熱処理せずに、熱膨
張係数が５×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃の液晶ポリマーフィ
ルムを電気絶縁性基板として用いた。他は上記実施例と
同様にして、薄膜コンデンサを作製した。その信頼性を
評価した結果、電気容量の変化率は７．５％と大きく、
不安定であった。

【００３８】比較例２ 実施例３において、窒素雰囲気中で熱処理せずに、熱膨
張係数が１×１０^-6ｃｍ／ｃｍ／℃の液晶ポリマーフィ
ルムを電気絶縁性基板として用いた。他は上記実施例と
同様にして、薄膜コンデンサを作製した。その信頼性を
評価した結果、電気容量の変化率は１１．０％と大き
く、不安定であった。

【００３９】以上のように、比較例のものは、電気容量
の変化率が大きく、電気的接続性の信頼性が悪いのに対
し、実施例１〜４のものは、フィルムの熱膨張係数を導
電体として用いる銅の熱膨張係数と同一ないしは近付け
られるので、電気的接続性の信頼性が高められる。

【００４０】上記液晶ポリマーフィルムの融点は、示差
走査熱量計を用いて、フィルムの熱挙動を観察して得
た。つまり、フィルムを２０℃／分の速度で上昇させて
完全に溶融させた後、溶融物を５０℃／分の速度で５０
℃まで急冷し、再び２０℃／分の速度で昇温した時に現
れる吸熱ピークの位置を、フィルムの融点として記録し
た。

【００４１】上記液晶ポリマーフィルムの熱膨張係数
は、熱機械分析装置（ＴＭＡ）を用いて、室温から５℃
／分の速度で２００℃にまで昇温した後、２０℃／分の
速度で３０℃まで冷却し、再び５℃／分の速度で昇温し
た時の３０℃と１５０℃の間で測定した。

【００４２】また、作製した薄膜コンデンサの電気的接
続性の信頼性は、該コンデンサを大気中１２５℃の恒温
槽に５００時間暴露した後、コンデンサを恒温槽外２５
℃の雰囲気に取り出すことによって、ヒートショックを
与え、ヒートショック試験前後の、１ｋＨｚにおける電
気容量の変化率（単位％）で評価した。

【００４３】

【発明の効果】本発明によれば、軽量、低吸湿性、高耐
熱性で、吸湿寸法安定性、熱寸法安定性および電気的性
質に優れたデバイスを低コストで提供することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態を示す薄膜コンデンサの断
面図である。

【図２】本発明の他の実施形態を示す薄膜抵抗の断面図
である。

【図３】本発明の他の実施形態を示す多層プリント配線
板を用いた実装回路基板１０の断面図である。

【図４】本発明の他の実施形態を示すシートコイルの斜
視図である。

【符号の説明】

２…液晶ポリマーフィルム（電気絶縁性基板）、３，
５，７…導電体、１０…実装回路基板

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 光学的異方性の溶融相を形成し得るポリ
   マーから成形されるフィルムを電気絶縁性基板とし、該
   基板上に導電体を形成したデバイス。
2. 【請求項２】 請求項１において、上記フィルムの熱膨
   張係数を、該フィルム上に形成された導電体の熱膨張係
   数と実質的に同一にしているデバイス。
3. 【請求項３】 請求項１または２において、上記フィル
   ムの分子配向度が１．３以下であるデバイス。
4. 【請求項４】 請求項１〜３の何れかに記載のデバイス
   をプリント配線板に搭載してなる実装回路基板。