JP2002252143A5 - - Google Patents
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Description
【０００２】
【従来の技術】
薄膜コンデンサとは一般に、基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を積層してなる構造とされ、場合によっては下部電極としての機能を有する半導体基板の上に誘電体層と上部電極層を順次積層してなる構造とされている。
この種の薄膜コンデンサにおいては、誘電体層の比誘電率およびＱが大きく、かつ、共振周波数の温度係数においては０を中心として正または負の任意の温度係数が得られることが望まれている。
従来、このような特性を有する誘電体組成物として、例えば、特開昭６０−１２４３０３号公報に開示されたものが知られている。この特許公報に開示された誘電体組成物は、ＢａＯ-ＴｉＯ２系の誘電体に酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、酸化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）等を添加して焼成してなるものであった。しかしながらこの種の従来の誘電体磁器組成物を得るための技術にあっては、比誘電率εｒは６１〜７２、温度係数τは−２４〜３１ｐｐｍ／℃の範囲内でしか制御することができなかった。
【従来の技術】
薄膜コンデンサとは一般に、基板上に下部電極、誘電体層、上部電極を積層してなる構造とされ、場合によっては下部電極としての機能を有する半導体基板の上に誘電体層と上部電極層を順次積層してなる構造とされている。
この種の薄膜コンデンサにおいては、誘電体層の比誘電率およびＱが大きく、かつ、共振周波数の温度係数においては０を中心として正または負の任意の温度係数が得られることが望まれている。
従来、このような特性を有する誘電体組成物として、例えば、特開昭６０−１２４３０３号公報に開示されたものが知られている。この特許公報に開示された誘電体組成物は、ＢａＯ-ＴｉＯ２系の誘電体に酸化サマリウム（Ｓｍ２Ｏ３）、酸化ガドリウム（Ｇｄ２Ｏ３）、酸化ジスプロシウム（Ｄｙ２Ｏ３）、酸化ユーロピウム（Ｅｕ２Ｏ３）等を添加して焼成してなるものであった。しかしながらこの種の従来の誘電体磁器組成物を得るための技術にあっては、比誘電率εｒは６１〜７２、温度係数τは−２４〜３１ｐｐｍ／℃の範囲内でしか制御することができなかった。
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