JP2873205B2 - オゾン発生用放電体 - Google Patents
オゾン発生用放電体Info
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- JP2873205B2 JP2873205B2 JP18089996A JP18089996A JP2873205B2 JP 2873205 B2 JP2873205 B2 JP 2873205B2 JP 18089996 A JP18089996 A JP 18089996A JP 18089996 A JP18089996 A JP 18089996A JP 2873205 B2 JP2873205 B2 JP 2873205B2
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- Oxygen, Ozone, And Oxides In General (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、オゾンを発生させ
るための放電体に関するものである。
るための放電体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】オゾンは乾燥空気中で放電を行うことに
より得られるもので、強い酸化力を持ち、脱臭、殺菌、
漂白等に使用されている。
より得られるもので、強い酸化力を持ち、脱臭、殺菌、
漂白等に使用されている。
【０００３】このようなオゾンの発生装置としては、例
えば特公昭５５−３７４８３号公報に示されるようにア
ルミナセラミックスからなる誘電体をはさんで放電を行
うようにしたものが用いられていた。また、特開昭５９
−４４７９７号公報等に示されているように、セラミッ
クスからなる誘電体の内部に面状の誘導電極を、表面に
線状の放電電極をそれぞれ形成し、これらの電極間に高
周波電圧を印加して沿面放電を発生させるようにしたも
のも用いられていた。
えば特公昭５５−３７４８３号公報に示されるようにア
ルミナセラミックスからなる誘電体をはさんで放電を行
うようにしたものが用いられていた。また、特開昭５９
−４４７９７号公報等に示されているように、セラミッ
クスからなる誘電体の内部に面状の誘導電極を、表面に
線状の放電電極をそれぞれ形成し、これらの電極間に高
周波電圧を印加して沿面放電を発生させるようにしたも
のも用いられていた。
【０００４】さらに、上記誘導電極と放電電極を形成し
てなるオゾン発生用放電体において、放電電極は放電中
に摩耗しやすいため、これを覆うようにガラスからなる
保護層を形成することも行われていた（特開昭６３−６
６８８０号公報参照）。
てなるオゾン発生用放電体において、放電電極は放電中
に摩耗しやすいため、これを覆うようにガラスからなる
保護層を形成することも行われていた（特開昭６３−６
６８８０号公報参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
オゾン発生用放電体は使用時に発熱し、長期使用時には
発熱と冷却を繰り返すことになる。そのため、誘電体や
保護層をアルミナセラミックスまたはガラスで形成した
ものでは、長期使用中に特性が劣化し、オゾン発生量が
低下してしまうという問題があった。
オゾン発生用放電体は使用時に発熱し、長期使用時には
発熱と冷却を繰り返すことになる。そのため、誘電体や
保護層をアルミナセラミックスまたはガラスで形成した
ものでは、長期使用中に特性が劣化し、オゾン発生量が
低下してしまうという問題があった。
【０００６】また、オゾン発生効率を高くするために
は、誘導電極と放電電極との距離を短くする必要がある
が、従来のオゾン発生用放電体では、セラミックス等の
基板をはさんで誘導電極と放電電極を形成するため、基
板を薄くして両電極間の距離を短くすることが困難であ
った。
は、誘導電極と放電電極との距離を短くする必要がある
が、従来のオゾン発生用放電体では、セラミックス等の
基板をはさんで誘導電極と放電電極を形成するため、基
板を薄くして両電極間の距離を短くすることが困難であ
った。
【０００７】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、誘電体
層をはさむように誘導電極と放電電極を備えてなるオゾ
ン発生用放電体において、前記放電電極を覆うように保
護層を形成するとともに、前記誘電体層及び／又は保護
層をムライト質セラミックスで形成したことを特徴とす
る。
層をはさむように誘導電極と放電電極を備えてなるオゾ
ン発生用放電体において、前記放電電極を覆うように保
護層を形成するとともに、前記誘電体層及び／又は保護
層をムライト質セラミックスで形成したことを特徴とす
る。
【０００８】
【作用】本発明によれば、オゾン発生用放電体を構成す
る誘電体層及び／又は保護層が耐熱性の高いムライト質
セラミックスからなるため、使用時に発熱しても長期に
わたってオゾン発生量の変化を小さくし、長寿命とする
ことができる。
る誘電体層及び／又は保護層が耐熱性の高いムライト質
セラミックスからなるため、使用時に発熱しても長期に
わたってオゾン発生量の変化を小さくし、長寿命とする
ことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
って説明する。図１（ａ）（ｂ）に示すオゾン発生用放
電体は、未焼成のセラミック板１に面状の誘導電極３
を、もう一枚の未焼成のセラミック板２に線状の放電電
極４を、それぞれタングステン、モリブデンなどのペー
ストを塗布して形成し、これらのセラミック板１、２を
積層した後、上記放電電極４を覆うようにセラミックス
からなる保護層５を印刷、吹き付け、ＣＶＤ法、ＰＶＤ
法等により形成して全体を焼成一体化したものである。
って説明する。図１（ａ）（ｂ）に示すオゾン発生用放
電体は、未焼成のセラミック板１に面状の誘導電極３
を、もう一枚の未焼成のセラミック板２に線状の放電電
極４を、それぞれタングステン、モリブデンなどのペー
ストを塗布して形成し、これらのセラミック板１、２を
積層した後、上記放電電極４を覆うようにセラミックス
からなる保護層５を印刷、吹き付け、ＣＶＤ法、ＰＶＤ
法等により形成して全体を焼成一体化したものである。
【００１０】このオゾン発生用放電体は、上記セラミッ
ク板２が誘電体層となり、誘導電極３と放電電極４間に
電圧を印加すると沿面放電が生じ、オゾンを発生させる
ことができる。
ク板２が誘電体層となり、誘導電極３と放電電極４間に
電圧を印加すると沿面放電が生じ、オゾンを発生させる
ことができる。
【００１１】また、他の実施形態として、図２（ａ）
（ｂ）（ｃ）に示すオゾン発生用放電体は、まず図２
（ａ）に示すように未焼成のセラミック板１１の表面に
タングステン、モリブデン等からなる面状の誘導電極１
３を形成し、これを覆うように誘電体層としてのセラミ
ック層１２を印刷、吹き付け、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法など
により形成した後、このセラミック層１２の上にタング
ステン、モリブデン等からなる線状の放電電極１４を形
成し、これを覆うようにセラミックスの保護層１５を前
記と同様の手段で形成したものである。
（ｂ）（ｃ）に示すオゾン発生用放電体は、まず図２
（ａ）に示すように未焼成のセラミック板１１の表面に
タングステン、モリブデン等からなる面状の誘導電極１
３を形成し、これを覆うように誘電体層としてのセラミ
ック層１２を印刷、吹き付け、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法など
により形成した後、このセラミック層１２の上にタング
ステン、モリブデン等からなる線状の放電電極１４を形
成し、これを覆うようにセラミックスの保護層１５を前
記と同様の手段で形成したものである。
【００１２】このオゾン発生用放電体は、コーティング
により形成したセラミック層１２を誘電体層としている
ことから、誘電体層を薄くして放電特性を向上させ、オ
ゾン発生効率を高くすることができる。
により形成したセラミック層１２を誘電体層としている
ことから、誘電体層を薄くして放電特性を向上させ、オ
ゾン発生効率を高くすることができる。
【００１３】また、上記誘電体層、保護層を成すセラミ
ックスとしては、アルミナ、ムライト、フォルステライ
ト、ステアタイト、ジルコン、チタニア等さまざまなも
のを用いることができるが、これらの中でも特にムライ
ト質セラミックスが好ましい。即ち、誘電体層を成すセ
ラミック基板２、セラミック層１２や、保護層５、１５
をムライト質セラミックスで形成することが好ましく、
この場合、焼成温度や熱膨張係数を合わせるために、基
体を成すセラミック板１、１１も同じムライト質セラミ
ックスで形成すれば好適である。
ックスとしては、アルミナ、ムライト、フォルステライ
ト、ステアタイト、ジルコン、チタニア等さまざまなも
のを用いることができるが、これらの中でも特にムライ
ト質セラミックスが好ましい。即ち、誘電体層を成すセ
ラミック基板２、セラミック層１２や、保護層５、１５
をムライト質セラミックスで形成することが好ましく、
この場合、焼成温度や熱膨張係数を合わせるために、基
体を成すセラミック板１、１１も同じムライト質セラミ
ックスで形成すれば好適である。
【００１４】ここで、ムライトは３Ａｌ2 Ｏ3 ・２Ｓｉ
Ｏ2 の分子式で表され、モル比３：２のＡｌ2 Ｏ3 とＳ
ｉＯ2 を反応させて得られる化合物である。そして、ム
ライト質セラミックスとは上記ムライトを主成分とする
セラミックスのことである。また、このムライト質セラ
ミックスを用いて、公知の製造方法により上記誘電体層
や保護層を形成することができる。例えばＡｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 粉末を混合して仮焼等の手段で反応させてムラ
イト化し、これを粉砕して得たムライト粉末を成形、焼
成したり、あるいは上記ムライト粉末をペースト状にし
て塗布すること等により、上記誘電体層や保護層を形成
することができる。
Ｏ2 の分子式で表され、モル比３：２のＡｌ2 Ｏ3 とＳ
ｉＯ2 を反応させて得られる化合物である。そして、ム
ライト質セラミックスとは上記ムライトを主成分とする
セラミックスのことである。また、このムライト質セラ
ミックスを用いて、公知の製造方法により上記誘電体層
や保護層を形成することができる。例えばＡｌ2 Ｏ3 と
ＳｉＯ2 粉末を混合して仮焼等の手段で反応させてムラ
イト化し、これを粉砕して得たムライト粉末を成形、焼
成したり、あるいは上記ムライト粉末をペースト状にし
て塗布すること等により、上記誘電体層や保護層を形成
することができる。
【００１５】このムライト質セラミックスは各種セラミ
ックスの中でも特に耐熱性に優れることから、オゾン発
生用放電体として使用する際に発熱しても特性が劣化す
ることがなく、長期にわたってオゾン発生効率を低下さ
せることを防止できる。
ックスの中でも特に耐熱性に優れることから、オゾン発
生用放電体として使用する際に発熱しても特性が劣化す
ることがなく、長期にわたってオゾン発生効率を低下さ
せることを防止できる。
【００１６】
【実施例】図２に示すオゾン発生用放電体において、誘
電体層としてのセラミック層１２の材質、厚みＴ1 、及
び保護層１５の材質、厚みＴ2 を種々に変化させたもの
を試作し、それぞれ誘電体層、保護層の静電容量Ｃ1 、
Ｃ2 を測定した後、実際のオゾン発生量を調べた。
電体層としてのセラミック層１２の材質、厚みＴ1 、及
び保護層１５の材質、厚みＴ2 を種々に変化させたもの
を試作し、それぞれ誘電体層、保護層の静電容量Ｃ1 、
Ｃ2 を測定した後、実際のオゾン発生量を調べた。
【００１７】なお、誘電体層の静電容量Ｃ1 とは誘導電
極１３と放電電極１４の間の静電容量であり、保護層の
静電容量Ｃ2 とは保護層１５の上面に誘導電極１３と同
じ大きさの電極を置いたときの、この電極と放電電極１
４間の静電容量のことである。また、上記誘導電極１３
は５ｍｍ×２０ｍｍ、放電電極１４は１ｍｍ×１７．５
ｍｍの大きさでタングステンにより形成し、オゾン発生
時の条件は、５℃、湿度３０％で一次側電圧３．５Ｖを
６０秒間印加させたときのオゾン発生量を調べた。
極１３と放電電極１４の間の静電容量であり、保護層の
静電容量Ｃ2 とは保護層１５の上面に誘導電極１３と同
じ大きさの電極を置いたときの、この電極と放電電極１
４間の静電容量のことである。また、上記誘導電極１３
は５ｍｍ×２０ｍｍ、放電電極１４は１ｍｍ×１７．５
ｍｍの大きさでタングステンにより形成し、オゾン発生
時の条件は、５℃、湿度３０％で一次側電圧３．５Ｖを
６０秒間印加させたときのオゾン発生量を調べた。
【００１８】誘電体層１２、保護層１５の材質として、
ムライト質セラミックスとアルミナセラミックスを用い
た。ムライト質セラミックスは誘電率６．８であり、ア
ルミナセラミックスは、９２％のＡｌ2 Ｏ3 と残部がＳ
ｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ等からなり誘電率９．５のもの
を用いた。
ムライト質セラミックスとアルミナセラミックスを用い
た。ムライト質セラミックスは誘電率６．８であり、ア
ルミナセラミックスは、９２％のＡｌ2 Ｏ3 と残部がＳ
ｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ等からなり誘電率９．５のもの
を用いた。
【００１９】結果は表１〜表３に示す通りである。ま
た、表３における静電容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 とオゾン発生
量の関係を図３に示す。
た、表３における静電容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 とオゾン発生
量の関係を図３に示す。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】
【００２２】
【表３】
【００２３】これらの結果より、表１、２に示すように
保護層としてムライト質セラミックスを用いれば、耐熱
性に優れるため、Ｎｏ．１のように厚みＴ2 を１１．４
μｍと薄くしても好適に使用することができる。
保護層としてムライト質セラミックスを用いれば、耐熱
性に優れるため、Ｎｏ．１のように厚みＴ2 を１１．４
μｍと薄くしても好適に使用することができる。
【００２４】また、これらの例では図２に示すように誘
電体層をセラミックコーティングで形成してあるため、
薄く形成することができ、オゾン発生効率を高くするこ
とができる。
電体層をセラミックコーティングで形成してあるため、
薄く形成することができ、オゾン発生効率を高くするこ
とができる。
【００２５】さらに、これらの結果より明らかに、静電
容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 が０．４より大きくなると極端にオ
ゾン発生量が低下し、特にＣ1 ／Ｃ2 が０．５より大き
いとオゾン発生量がほとんど０になることがわかる。
容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 が０．４より大きくなると極端にオ
ゾン発生量が低下し、特にＣ1 ／Ｃ2 が０．５より大き
いとオゾン発生量がほとんど０になることがわかる。
【００２６】また、例えば表３のＮｏ．３と表２のＮ
ｏ．２を比較すると、両者は誘電体層、保護層の厚みは
ほぼ同じであるが、保護層の材質が異なるため、静電容
量の比Ｃ1 ／Ｃ2 も異なり、オゾン発生量も異なってい
る。即ち、オゾン発生量は誘電体層と保護層の厚みの比
ではなく、静電容量の比で決定されることが確認され
た。したがって、放電電極上にセラミックスの保護層を
形成したオゾン発生用放電体において、オゾン発生量を
多くするためには、セラミックスの種類にかかわらず、
誘電体層の静電容量Ｃ1 と保護層の静電容量Ｃ2 の比Ｃ
1 ／Ｃ2 を０．５以下とすれば良く、特にＣ1 ／Ｃ2 を
０．４以下とすれば最も優れていることがわかった。
ｏ．２を比較すると、両者は誘電体層、保護層の厚みは
ほぼ同じであるが、保護層の材質が異なるため、静電容
量の比Ｃ1 ／Ｃ2 も異なり、オゾン発生量も異なってい
る。即ち、オゾン発生量は誘電体層と保護層の厚みの比
ではなく、静電容量の比で決定されることが確認され
た。したがって、放電電極上にセラミックスの保護層を
形成したオゾン発生用放電体において、オゾン発生量を
多くするためには、セラミックスの種類にかかわらず、
誘電体層の静電容量Ｃ1 と保護層の静電容量Ｃ2 の比Ｃ
1 ／Ｃ2 を０．５以下とすれば良く、特にＣ1 ／Ｃ2 を
０．４以下とすれば最も優れていることがわかった。
【００２７】ただし、これはオゾン発生量の点から見た
ものであって放電電極の保護という観点からは保護層の
厚みが大きいほど良いため、実際には静電容量の比Ｃ1
／Ｃ2 が０．５以下の範囲内で、保護層の厚みを最大に
すれば良い。
ものであって放電電極の保護という観点からは保護層の
厚みが大きいほど良いため、実際には静電容量の比Ｃ1
／Ｃ2 が０．５以下の範囲内で、保護層の厚みを最大に
すれば良い。
【００２８】また、誘電体層の静電容量Ｃ1 と保護層の
静電容量Ｃ2 は、それぞれ理論的に下記の式によって求
められる。
静電容量Ｃ2 は、それぞれ理論的に下記の式によって求
められる。
【００２９】 Ｃ1 ＝ε0 ・ε1 ・Ｓ／Ｔ1 Ｃ2 ＝ε0 ・ε2 ・Ｓ／Ｔ2 ただし、 ε0 ：真空中の誘電率 ε1 ：誘電体層の比誘電率 ε2 ：保護層の比誘電率 Ｓ ：電極（放電電極）の面積 Ｔ1 ：電極間の距離（誘電体層の厚み） Ｔ2 ：電極間の距離（保護層の厚み） これらの２式より、 Ｃ1 ／Ｃ2 ＝ε1 ・Ｔ2 ／ε2 ・Ｔ1 と表すことができ
る。
る。
【００３０】したがって、Ｃ1 ／Ｃ2 を小さくするため
には、保護層の誘電率ε2 を大きくするか厚みＴ2 を小
さくする、あるいは誘電体層の誘電率ε1 を小さくする
か厚みＴ1 を大きくすれば良いことがわかる。
には、保護層の誘電率ε2 を大きくするか厚みＴ2 を小
さくする、あるいは誘電体層の誘電率ε1 を小さくする
か厚みＴ1 を大きくすれば良いことがわかる。
【００３１】ここで、ムライト質セラミックスは誘電率
が６．８と小さいことから、ムライト質セラミックスで
誘電体層を構成することによって、静電容量の比Ｃ1 ／
Ｃ2を小さくし、オゾン発生効率を向上させることがで
きる。
が６．８と小さいことから、ムライト質セラミックスで
誘電体層を構成することによって、静電容量の比Ｃ1 ／
Ｃ2を小さくし、オゾン発生効率を向上させることがで
きる。
【００３２】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、誘電体層
をはさむように誘導電極と放電電極を備えてなるオゾン
発生用放電体において、前記放電電極を覆うように保護
層を形成するとともに、前記誘電体層及び／又は保護層
をムライト質セラミックスで形成したことによって、ム
ライト質セラミックスは耐熱性に優れることから、オゾ
ン発生量を低下させることなく長期間使用することがで
きる。
をはさむように誘導電極と放電電極を備えてなるオゾン
発生用放電体において、前記放電電極を覆うように保護
層を形成するとともに、前記誘電体層及び／又は保護層
をムライト質セラミックスで形成したことによって、ム
ライト質セラミックスは耐熱性に優れることから、オゾ
ン発生量を低下させることなく長期間使用することがで
きる。
【図１】（ａ）は本発明のオゾン発生用放電体を示す分
解斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図である。
解斜視図、（ｂ）は（ａ）中のＸ−Ｘ線断面図である。
【図２】（ａ）（ｂ）は本発明の他の実施形態のオゾン
発生用放電体の製造工程を示す斜視図、（ｃ）は（ｂ）
中のＹ−Ｙ線断面図である。
発生用放電体の製造工程を示す斜視図、（ｃ）は（ｂ）
中のＹ−Ｙ線断面図である。
【図３】本発明のオゾン発生用放電体における、誘電体
層と保護層の静電容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 とオゾン発生量の
関係を示すグラフである。
層と保護層の静電容量の比Ｃ1 ／Ｃ2 とオゾン発生量の
関係を示すグラフである。
１、１１：セラミック板 ２、１２：誘電体層 ３、１３：誘導電極 ４、１４：放電電極 ５、１５：保護層
Claims (1)
- 【請求項１】誘電体層をはさむように誘導電極と放電電
極を備えてなるオゾン発生用放電体において、前記放電
電極を覆うように保護層を形成するとともに、前記誘電
体層及び／又は保護層をムライト質セラミックスで形成
したことを特徴とするオゾン発生用放電体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18089996A JP2873205B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | オゾン発生用放電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18089996A JP2873205B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | オゾン発生用放電体 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1222348A Division JP2608477B2 (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | オゾン発生用放電体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09100104A JPH09100104A (ja) | 1997-04-15 |
| JP2873205B2 true JP2873205B2 (ja) | 1999-03-24 |
Family
ID=16091266
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18089996A Expired - Fee Related JP2873205B2 (ja) | 1996-07-10 | 1996-07-10 | オゾン発生用放電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2873205B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100981399B1 (ko) * | 2004-08-19 | 2010-09-10 | 니혼도꾸슈도교 가부시키가이샤 | 방전 소자, 방전 소자 유닛, 전기 제품, 차량, 및 방전소자의 제조 방법 |
| JP5004079B2 (ja) * | 2007-04-24 | 2012-08-22 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 表面プラズマアクチュエータ |
| JP2013166660A (ja) | 2012-02-14 | 2013-08-29 | Murata Mfg Co Ltd | オゾン発生素子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-10 JP JP18089996A patent/JP2873205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09100104A (ja) | 1997-04-15 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |