JPH0563062A - 静電チヤツク - Google Patents
静電チヤツクInfo
- Publication number
- JPH0563062A JPH0563062A JP24696591A JP24696591A JPH0563062A JP H0563062 A JPH0563062 A JP H0563062A JP 24696591 A JP24696591 A JP 24696591A JP 24696591 A JP24696591 A JP 24696591A JP H0563062 A JPH0563062 A JP H0563062A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- electrostatic chuck
- equation
- operating temperature
- volume resistivity
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 静電チャックに対する電圧の印加を解除した
場合の静電力の残留時間を短くする。 【構成】 静電チャックは基板１上に絶縁層２を形成
し、これら基板１と絶縁層２の間に電極３を形成し、こ
の電極３をリード線４を介して直流電源５に接続し、半
導体ウエハＷはアースと直接接続されているか、または
プラズマによる電気的接続をしている。そしてこの静電
チャックには図に示すような等価回路が成立する。
場合の静電力の残留時間を短くする。 【構成】 静電チャックは基板１上に絶縁層２を形成
し、これら基板１と絶縁層２の間に電極３を形成し、こ
の電極３をリード線４を介して直流電源５に接続し、半
導体ウエハＷはアースと直接接続されているか、または
プラズマによる電気的接続をしている。そしてこの静電
チャックには図に示すような等価回路が成立する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハ等の被吸着
物を静電力で吸着固定する静電チャックに関する。
物を静電力で吸着固定する静電チャックに関する。
【０００２】
【従来の技術】減圧雰囲気において半導体ウエハにプラ
ズマエッチング、ＣＶＤ、イオンプレーティング等の処
理を行なう際のウエハの固定治具として基板と絶縁層
（誘電層）との間に内部電極を設けた静電チャックが用
いられている。
ズマエッチング、ＣＶＤ、イオンプレーティング等の処
理を行なう際のウエハの固定治具として基板と絶縁層
（誘電層）との間に内部電極を設けた静電チャックが用
いられている。
【０００３】この静電チャックに要求される特性は、電
圧を印加している間は大きな吸着力を発生して被吸着物
の落下等を防止し、電圧印加を解除したならば直ちに吸
着力を小さくして被吸着物を容易に取外すことができる
ようにすることである。
圧を印加している間は大きな吸着力を発生して被吸着物
の落下等を防止し、電圧印加を解除したならば直ちに吸
着力を小さくして被吸着物を容易に取外すことができる
ようにすることである。
【０００４】吸着力を高める手段としては絶縁層の比誘
電率を大きくする（特公昭６０−５９１０４号、特公昭
６２−１９０６０号）、絶縁層の厚さを制御する（特開
昭５７−６４９５０号）、絶縁層の体積固有抵抗を所定
の範囲にする（特公昭６１−１４６６０号）等の手段が
あり、被吸着物の取外しを容易にする手段としてはチャ
ック表面と被吸着物との間にヘリウムガスを吹込む（実
開平２−１２０８３１号）、吸着時の電圧とは逆極性の
電圧を印加する（特公平２−６３３０４号）等の手段が
ある。
電率を大きくする（特公昭６０−５９１０４号、特公昭
６２−１９０６０号）、絶縁層の厚さを制御する（特開
昭５７−６４９５０号）、絶縁層の体積固有抵抗を所定
の範囲にする（特公昭６１−１４６６０号）等の手段が
あり、被吸着物の取外しを容易にする手段としてはチャ
ック表面と被吸着物との間にヘリウムガスを吹込む（実
開平２−１２０８３１号）、吸着時の電圧とは逆極性の
電圧を印加する（特公平２−６３３０４号）等の手段が
ある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来法のうち
吸着力を高める手段は絶縁層のみに着目しており、吸着
力が高くなっても残留吸着力も大きくなる傾向がある。
また、残留吸着力が減衰（９８％以上）し、被吸着物が
容易に取り外せるまでには６０秒以上もかかり、被吸着
物を加工処理後、直ちに取り外したい場合に対応でき
ず、このため被吸着物の取外しを容易にするには別装置
や通常の操作の他にに新たな操作を付加しなければなら
ないという不利があり、特に低温下での使用に問題があ
る。
吸着力を高める手段は絶縁層のみに着目しており、吸着
力が高くなっても残留吸着力も大きくなる傾向がある。
また、残留吸着力が減衰（９８％以上）し、被吸着物が
容易に取り外せるまでには６０秒以上もかかり、被吸着
物を加工処理後、直ちに取り外したい場合に対応でき
ず、このため被吸着物の取外しを容易にするには別装置
や通常の操作の他にに新たな操作を付加しなければなら
ないという不利があり、特に低温下での使用に問題があ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者は低温下におい
ても静電チャック自体の特性として残留静電力が短時間
で減衰するものを得るべく、静電チャックの等価回路に
着目し本発明をなしたものである。即ち、本発明は以下
の内容を要旨とする。
ても静電チャック自体の特性として残留静電力が短時間
で減衰するものを得るべく、静電チャックの等価回路に
着目し本発明をなしたものである。即ち、本発明は以下
の内容を要旨とする。
【０００７】静電チャックの使用温度における前記絶縁
層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温
度における絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層
表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表
面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらは以下の
（数１）に示す関係になるようにした。
層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温
度における絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層
表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表
面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらは以下の
（数１）に示す関係になるようにした。
【０００８】
【数１】
【０００９】絶縁層の２５℃における体積固有抵抗を
ρ’（Ωｍ）、絶縁層の２５℃における比誘電率を
εr’、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ
（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）
とした場合、これらは以下の（数２）に示す関係になる
ようにした。
ρ’（Ωｍ）、絶縁層の２５℃における比誘電率を
εr’、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ
（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）
とした場合、これらは以下の（数２）に示す関係になる
ようにした。
【００１０】
【数２】
【００１１】静電チャックの使用温度における絶縁層の
体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度に
おける絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面
との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面と
のギャップをδ（ｍ）、静電チャックの使用温度におけ
るチャック表面に形成した保護膜の比誘電率をεrt、保
護膜の体積固有抵抗をρt（Ωｍ）、保護膜の厚さをｄt
（ｍ）とした場合、これらは以下の（数３）に示す関係
になるようにした。
体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度に
おける絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面
との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面と
のギャップをδ（ｍ）、静電チャックの使用温度におけ
るチャック表面に形成した保護膜の比誘電率をεrt、保
護膜の体積固有抵抗をρt（Ωｍ）、保護膜の厚さをｄt
（ｍ）とした場合、これらは以下の（数３）に示す関係
になるようにした。
【００１２】
【数３】
【００１３】静電チャックの使用温度における絶縁層の
体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度に
おける絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面
との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、絶縁層の表面粗さ（最大
高さ）を（Ｒmax）esc（ｍ）、被吸着物の表面粗さ（最
大高さ）を（Ｒmax）plate（ｍ）とした場合、これらは
以下の（数４）に示す関係になるようにした。
体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度に
おける絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面
との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、絶縁層の表面粗さ（最大
高さ）を（Ｒmax）esc（ｍ）、被吸着物の表面粗さ（最
大高さ）を（Ｒmax）plate（ｍ）とした場合、これらは
以下の（数４）に示す関係になるようにした。
【００１４】
【数４】
【００１５】
【作用】静電チャックの等価回路から静電力残留時間と
体積固有抵抗、比誘電率、絶縁層または保護膜の厚さ等
を結び付けることにより、低温域でも静電力が短時間で
減衰する静電チャックが得られる。
体積固有抵抗、比誘電率、絶縁層または保護膜の厚さ等
を結び付けることにより、低温域でも静電力が短時間で
減衰する静電チャックが得られる。
【００１６】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。図１は静電チャックの等価回路を示す図であ
り、この静電チャックは基板１上に絶縁層２を形成し、
これら基板１と絶縁層２の間に電極３を形成し、この電
極３をリード線４を介して直流電源５に接続し、半導体
ウエハＷはアースと直接接続されているか、またはプラ
ズマによる電気的接続をしている。
説明する。図１は静電チャックの等価回路を示す図であ
り、この静電チャックは基板１上に絶縁層２を形成し、
これら基板１と絶縁層２の間に電極３を形成し、この電
極３をリード線４を介して直流電源５に接続し、半導体
ウエハＷはアースと直接接続されているか、またはプラ
ズマによる電気的接続をしている。
【００１７】ここで、基板１はＡl2Ｏ3、Ｓi3Ｎ4、Ａl
Ｎ或いはＳiＣ等を材料とし、絶縁層２は耐浸食性、機
械強度及び電気特性を考慮すると、Ａl2Ｏ3を主成分と
し、これにＴiＯ2或いはＣr2Ｏ3等の遷移金属酸化物を
絶縁抵抗値の調整用として添加したものを材料とする。
また絶縁層２の材料としては上記の他にＳi3Ｎ4、Ｓi
Ｃ、ＡlＮ、ＺrＯ2、ＳiＯ2・Ａl2 Ｏ3またはＢＮから
なるセラミックス焼結体或いはクロロプレンゴム若しく
はアクリルゴム等の有機物を材料としてもよい。
Ｎ或いはＳiＣ等を材料とし、絶縁層２は耐浸食性、機
械強度及び電気特性を考慮すると、Ａl2Ｏ3を主成分と
し、これにＴiＯ2或いはＣr2Ｏ3等の遷移金属酸化物を
絶縁抵抗値の調整用として添加したものを材料とする。
また絶縁層２の材料としては上記の他にＳi3Ｎ4、Ｓi
Ｃ、ＡlＮ、ＺrＯ2、ＳiＯ2・Ａl2 Ｏ3またはＢＮから
なるセラミックス焼結体或いはクロロプレンゴム若しく
はアクリルゴム等の有機物を材料としてもよい。
【００１８】そして、基板１及び絶縁層２を作製するに
は上記の材料を溶剤とともに混練し、これをシート状に
成形した後、基板となるシートの上面または絶縁層２と
なるシートの下面のいずれかにタングステン（Ｗ）等の
ペースト状電極材料を塗布し、これらシートを重ねて焼
成することで得る。
は上記の材料を溶剤とともに混練し、これをシート状に
成形した後、基板となるシートの上面または絶縁層２と
なるシートの下面のいずれかにタングステン（Ｗ）等の
ペースト状電極材料を塗布し、これらシートを重ねて焼
成することで得る。
【００１９】ところで、静電チャックの等価回路の要素
であるキャパシタンスＣ1、Ｃ2及びコンダクタンス
Ｇ1、Ｇ2は、絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、絶縁
層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面との間隔
（厚さ）をｄ（ｍ）、ウエハの面積Ｓ（ｍ2）、被吸着
物と絶縁層表面との間の接触抵抗をＲ（Ω）、被吸着物
と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）とすると以下の
（数５）によって表わされる。
であるキャパシタンスＣ1、Ｃ2及びコンダクタンス
Ｇ1、Ｇ2は、絶縁層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、絶縁
層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁層表面との間隔
（厚さ）をｄ（ｍ）、ウエハの面積Ｓ（ｍ2）、被吸着
物と絶縁層表面との間の接触抵抗をＲ（Ω）、被吸着物
と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）とすると以下の
（数５）によって表わされる。
【００２０】
【数５】
【００２１】そして、上記の静電チャックに対する電圧
の印加を解除した場合の残留静電力Ｆは、電圧をＶ、時
間をｔ、真空での比誘電率をε0とした場合以下の（数
６）によって表わされる。
の印加を解除した場合の残留静電力Ｆは、電圧をＶ、時
間をｔ、真空での比誘電率をε0とした場合以下の（数
６）によって表わされる。
【００２２】
【数６】
【００２３】上記の（数６）において残留静電力の減衰
の早さを決めるのは２（Ｇ1＋Ｇ2）／（Ｃ1＋Ｃ2）の値
であり、ここで残留静電力が飽和静電力に対し９８％減
衰するのに要する時間をｔsとすると、ｔsは以下の（数
７）で表わされる。
の早さを決めるのは２（Ｇ1＋Ｇ2）／（Ｃ1＋Ｃ2）の値
であり、ここで残留静電力が飽和静電力に対し９８％減
衰するのに要する時間をｔsとすると、ｔsは以下の（数
７）で表わされる。
【００２４】
【数７】
【００２５】ところで、被吸着物がシリコンウエハ等の
場合には接触抵抗Ｒが十分に大きいのでｔsを以下の
（数８）でもって表わすことができる。
場合には接触抵抗Ｒが十分に大きいのでｔsを以下の
（数８）でもって表わすことができる。
【００２６】
【数８】
【００２７】そして、前記同様従来の静電チャックより
も残留時間が短い静電チャックとするには前記（数１）
を満足するように絶縁層の体積固有抵抗ρ等を設定すれ
ばよい。
も残留時間が短い静電チャックとするには前記（数１）
を満足するように絶縁層の体積固有抵抗ρ等を設定すれ
ばよい。
【００２８】
【数１】
【００２９】尚、上記（数１）における絶縁層の体積固
有抵抗ρ及び比誘電率をεrは静電チャックの使用温度
におけるものであり、これを２５℃に換算した値を用い
る時には以下の（数２）で表わされる。
有抵抗ρ及び比誘電率をεrは静電チャックの使用温度
におけるものであり、これを２５℃に換算した値を用い
る時には以下の（数２）で表わされる。
【００３０】
【数２】
【００３１】ここで、Ａは体積固有抵抗値の常用対数の
絶対温度の逆数に対する傾きを表し（logρ＝Ａ・１／
Ｔ＋Ｂ Ａ及びＢは定数）、物質に固有な値である。例
えばＡl2 Ｏ3−Ｃr2Ｏ3−ＴiＯ2系セラミックの体積固
有抵抗の温度変化を示すと図４のようになる。このグラ
フにおいて、Ａは低温域では約８００、高温域では約２
５００の値を示す。これらの値を前記（数２）に当ては
めたものが以下の（数９）、（数１０）及び（数１１）
である。
絶対温度の逆数に対する傾きを表し（logρ＝Ａ・１／
Ｔ＋Ｂ Ａ及びＢは定数）、物質に固有な値である。例
えばＡl2 Ｏ3−Ｃr2Ｏ3−ＴiＯ2系セラミックの体積固
有抵抗の温度変化を示すと図４のようになる。このグラ
フにおいて、Ａは低温域では約８００、高温域では約２
５００の値を示す。これらの値を前記（数２）に当ては
めたものが以下の（数９）、（数１０）及び（数１１）
である。
【００３２】
【数９】
【数１０】
【数１１】
【００３３】また、ギャップについては表面粗さ（最大
高さ）でもって表わすこともできる。即ち、絶縁層の表
面粗さ（最大高さ）を（Ｒmax）esc、被吸着物の表面粗
さ（最大高さ）を（Ｒmax）plateとした場合、（数１）
は以下の（数４）で表わされる。ここで、表面粗さの測
定はＪＩＳ（Ｂ０６０１）に基づいて行なう。またギャ
ップは表面粗さを最大表面うねりで代用できる。ここで
表面うねりの測定はＪＩＳ（Ｂ０６１０）に基づいて行
えばよい。
高さ）でもって表わすこともできる。即ち、絶縁層の表
面粗さ（最大高さ）を（Ｒmax）esc、被吸着物の表面粗
さ（最大高さ）を（Ｒmax）plateとした場合、（数１）
は以下の（数４）で表わされる。ここで、表面粗さの測
定はＪＩＳ（Ｂ０６０１）に基づいて行なう。またギャ
ップは表面粗さを最大表面うねりで代用できる。ここで
表面うねりの測定はＪＩＳ（Ｂ０６１０）に基づいて行
えばよい。
【００３４】
【数４】
【００３５】図２は別実施例に係る静電チャックの断面
図であり、この実施例にあっては吸着面となる前記絶縁
層２の表面に絶縁層２からウエハＷへ不純物が拡散また
は混入するのを防止する保護膜６を形成している。この
保護膜６は例えばＳi3Ｎ4、ＳiＣ、ＳiＯ2等のＳiを含
有するセラミック材料、またはＡlＮ、Ｃ（ダイヤモン
ド）等の熱伝導率の高い材料からなる。
図であり、この実施例にあっては吸着面となる前記絶縁
層２の表面に絶縁層２からウエハＷへ不純物が拡散また
は混入するのを防止する保護膜６を形成している。この
保護膜６は例えばＳi3Ｎ4、ＳiＣ、ＳiＯ2等のＳiを含
有するセラミック材料、またはＡlＮ、Ｃ（ダイヤモン
ド）等の熱伝導率の高い材料からなる。
【００３６】そして、保護膜６を設けた時の残留時間ｔ
sを６０秒以下にするには以下の（数３）を満足するよ
うに絶縁層の体積固有抵抗ρ等を設定すればよい。
sを６０秒以下にするには以下の（数３）を満足するよ
うに絶縁層の体積固有抵抗ρ等を設定すればよい。
【００３７】
【数３】
【００３８】（表１）〜（表４）はそれぞれ絶縁層の体
積固有抵抗ρ、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）
ｄ、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（δ＝
｛（Ｒmax）esc＋（Ｒmax）plate｝／２とする）及び絶
縁層の材質を変えた場合の、前記各式によって算出した
残留時間の計算値と実測値を示すものである。これらの
（表）から計算値と実測値とは良く一致することが分
る。したがって前記（数１）〜（数４）に合致する絶縁
層の体積固有抵抗、比誘電率、内部電極と吸着面との間
隔、絶縁層の表面粗さと被吸着物の表面粗さから算出さ
れるギャップを設定すれば所望の残留時間の静電チャッ
クが得られる。また（表５）は保護膜としてＳi3Ｎ4、
ＳiＣ、ＳiＯ2を用いた場合の残留値の計算値と実測値
を示したものである。
積固有抵抗ρ、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）
ｄ、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（δ＝
｛（Ｒmax）esc＋（Ｒmax）plate｝／２とする）及び絶
縁層の材質を変えた場合の、前記各式によって算出した
残留時間の計算値と実測値を示すものである。これらの
（表）から計算値と実測値とは良く一致することが分
る。したがって前記（数１）〜（数４）に合致する絶縁
層の体積固有抵抗、比誘電率、内部電極と吸着面との間
隔、絶縁層の表面粗さと被吸着物の表面粗さから算出さ
れるギャップを設定すれば所望の残留時間の静電チャッ
クが得られる。また（表５）は保護膜としてＳi3Ｎ4、
ＳiＣ、ＳiＯ2を用いた場合の残留値の計算値と実測値
を示したものである。
【００３９】
【表１】
【表２】
【表３】
【表４】
【表５】
【００４０】尚、実施例にあっては静電チャックの電極
の形態として単極タイプのものを示したが、図３（ａ）
に示すような双極タイプのものでもよい。この場合の等
価回路は図３（ｂ）に示すようになる。ここで、Ｃ3、
Ｃ4はキャパシタンス、Ｇ3、Ｇ4はコンダクタンスを示
す。
の形態として単極タイプのものを示したが、図３（ａ）
に示すような双極タイプのものでもよい。この場合の等
価回路は図３（ｂ）に示すようになる。ここで、Ｃ3、
Ｃ4はキャパシタンス、Ｇ3、Ｇ4はコンダクタンスを示
す。
【００４１】
【発明の効果】以上に説明した如く本発明によれば、静
電チャックを構成する絶縁層の体積固有抵抗、比誘電
率、内部電極と吸着面との間隔、更には吸着面に保護膜
を形成した場合にはこの保護膜の比誘電率、保護膜の厚
さ等を一定の関係にあるようにしたので、通常の使用温
度では勿論のこと低温域でも静電力が短時間で減衰する
静電チャックが得られる。
電チャックを構成する絶縁層の体積固有抵抗、比誘電
率、内部電極と吸着面との間隔、更には吸着面に保護膜
を形成した場合にはこの保護膜の比誘電率、保護膜の厚
さ等を一定の関係にあるようにしたので、通常の使用温
度では勿論のこと低温域でも静電力が短時間で減衰する
静電チャックが得られる。
【図１】静電チャックの等価回路を示す図
【図２】別実施例に係る静電チャックの断面図
【図３】別実施例に係る静電チャックの等価回路を示す
図
図
【図４】Ａl2 Ｏ3−Ｃr2Ｏ3−ＴiＯ2系セラミックの体
積固有抵抗の温度変化を示すグラフ
積固有抵抗の温度変化を示すグラフ
１…基板、２…絶縁層、３，３ａ，３ｂ…電極、６…保
護膜。
護膜。
Claims (8)
- 【請求項１】 絶縁層内に内部電極を設けた静電チャッ
クにおいて、静電チャックの使用温度における前記絶縁
層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温
度における前記絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶
縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁
層表面とのギャップをδ（ｍ）とした場合、これらは以
下の（数１）に示す関係にあることを特徴とする静電チ
ャック。 【数１】 - 【請求項２】 絶縁層内に内部電極を設けた静電チャッ
クにおいて、前記絶縁層の２５℃における体積固有抵抗
をρ’（Ωｍ）、前記絶縁層の２５℃における比誘電率
をεr’、内部電極と絶縁層表面との間隔（厚さ）をｄ
（ｍ）、被吸着物と絶縁層表面とのギャップをδ（ｍ）
とした場合、これらは以下の（数２）に示す関係にある
ことを特徴とする静電チャック。 【数２】 - 【請求項３】 絶縁層内に内部電極を設けるとともに被
吸着物が接触する表面に保護膜を形成した静電チャック
において、静電チャックの使用温度における前記絶縁層
の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温度
における前記絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶縁
層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、被吸着物と絶縁層
表面とのギャップをδ（ｍ）、静電チャックの使用温度
における前記保護膜の体積固有抵抗をρt（Ωｍ）、前
記保護膜の比誘電率をεrt、保護膜の厚さをｄt（ｍ）
とした場合、これらは以下の（数３）に示す関係にある
ことを特徴とする静電チャック。 【数３】 - 【請求項４】 絶縁層内に内部電極を設けた静電チャッ
クにおいて、静電チャックの使用温度における前記絶縁
層の体積固有抵抗をρ（Ωｍ）、静電チャックの使用温
度における前記絶縁層の比誘電率をεr、内部電極と絶
縁層表面との間隔（厚さ）をｄ（ｍ）、絶縁層の表面粗
さ（最大高さ）を（Ｒmax）esc（ｍ）、被吸着物の表面
粗さ（最大高さ）を（Ｒmax）plate（ｍ）とした場合、
これらは以下の（数４）に示す関係にあることを特徴と
する静電チャック。 【数４】 - 【請求項５】 前記静電チャックの使用温度は０℃以下
であることを特徴とする請求項１〜３に記載の静電チャ
ック。 - 【請求項６】 前記絶縁層はアルミナを主成分とし、こ
れにチタニア及び／又はクロミアを添加し、焼結助剤と
してシリコン及びアルカリ土類金属の酸化物を用いて焼
成したセラミックス焼結体としたことを特徴とする請求
項１〜３に記載の静電チャック。 - 【請求項７】 前記絶縁層はＳi3Ｎ4、ＳiＣ、ＡlＮ、
ＺrＯ2、ＳiＯ2・Ａl2 Ｏ3またはＢＮからなるセラミッ
クス焼結体としたことを特徴とする請求項１〜３に記載
の静電チャック。 - 【請求項８】 前記絶縁層はクロロプレンゴム若しくは
アクリルゴムからなることを特徴とする請求項１〜３に
記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24696591A JPH0563062A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電チヤツク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24696591A JPH0563062A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電チヤツク |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000004808A Division JP3275901B2 (ja) | 1991-08-30 | 2000-01-13 | 静電チャックの設計方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0563062A true JPH0563062A (ja) | 1993-03-12 |
Family
ID=17156360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24696591A Pending JPH0563062A (ja) | 1991-08-30 | 1991-08-30 | 静電チヤツク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0563062A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08154387A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JPH10158815A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック用被保持物配置部材及びその製造方法並びに静電チャック |
| US6433346B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-08-13 | Nikon Corporation | Electrostatic reticle chucks, charged-particle-beam microlithography apparatus and methods, and semiconductor-device manufacturing methods comprising same |
| US6768627B1 (en) | 1999-05-25 | 2004-07-27 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck and processing apparatus for insulative substrate |
| EP1662559A2 (en) | 2004-11-30 | 2006-05-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Chucking method and processing method using the same |
| JP2006287210A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
| JP2009081223A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック部材 |
-
1991
- 1991-08-30 JP JP24696591A patent/JPH0563062A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08154387A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック |
| JPH10158815A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-16 | Nissin Electric Co Ltd | 静電チャック用被保持物配置部材及びその製造方法並びに静電チャック |
| US6768627B1 (en) | 1999-05-25 | 2004-07-27 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck and processing apparatus for insulative substrate |
| US7209339B2 (en) | 1999-05-25 | 2007-04-24 | Ulvac, Inc. | Electrostatic chuck for an electrically insulative substrate, and a method of using same |
| EP1852907A1 (en) | 1999-05-25 | 2007-11-07 | Toto Ltd. | Electrostatic chuck and processing apparatus |
| US6433346B1 (en) | 1999-10-19 | 2002-08-13 | Nikon Corporation | Electrostatic reticle chucks, charged-particle-beam microlithography apparatus and methods, and semiconductor-device manufacturing methods comprising same |
| EP1662559A2 (en) | 2004-11-30 | 2006-05-31 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Chucking method and processing method using the same |
| US7495881B2 (en) | 2004-11-30 | 2009-02-24 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Chucking method and processing method using the same |
| JP2006287210A (ja) * | 2005-03-07 | 2006-10-19 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法 |
| JP2009081223A (ja) * | 2007-09-26 | 2009-04-16 | Tokyo Electron Ltd | 静電チャック部材 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5384682A (en) | Electrostatic chuck | |
| JP2938679B2 (ja) | セラミックス製静電チャック | |
| JP2865472B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2003152065A (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
| JPH07297265A (ja) | 静電チャック | |
| JPH11111828A (ja) | 静電吸着装置 | |
| JPH11176920A (ja) | 静電吸着装置 | |
| EP0615280B1 (en) | Electrostatic chuck | |
| JPH0563062A (ja) | 静電チヤツク | |
| JPH0760849B2 (ja) | 静電チャック板 | |
| JP3275901B2 (ja) | 静電チャックの設計方法 | |
| JP3447305B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP4043219B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP2798570B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP4241571B2 (ja) | 双極型静電チャックの製造方法 | |
| JP3369505B2 (ja) | 静電チャック | |
| JPH09293774A (ja) | 静電チャック | |
| JP2000012666A (ja) | 静電チャック | |
| JPH1187479A (ja) | 静電チャック | |
| JP3667077B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3370532B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3623102B2 (ja) | 静電チャック | |
| JP3324268B2 (ja) | 静電吸着方法 | |
| JP2002319614A (ja) | 静電チャック | |
| JPH0855899A (ja) | 静電チャック |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20000801 |