JPH09293774A - 静電チャック - Google Patents

静電チャック

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JPH09293774A
JPH09293774A JP10711396A JP10711396A JPH09293774A JP H09293774 A JPH09293774 A JP H09293774A JP 10711396 A JP10711396 A JP 10711396A JP 10711396 A JP10711396 A JP 10711396A JP H09293774 A JPH09293774 A JP H09293774A
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敏和 岸野
Shunichi Murakawa
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Abstract

(57)【要約】 【課題】耐プラズマ性に優れるとともに、被保持物と吸
着面との間に流れる漏れ電流が少なく、かつ被保持物を
高い吸着力でもって保持することができる静電チャック
を提供する。 【解決手段】静電作用により被保持物を吸着保持する静
電チャックの吸着面をイットリウム−アルミニウム−ガ
ーネット材で構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被保持物の固定、
搬送等を行うために使用する静電チャックに関するもの
である。
【0002】
【従来の技術】従来、半導体装置や液晶基板などの製造
工程中において、半導体ウエハや液晶用ガラス基板など
のウエハに成膜加工やエッチング加工、あるいは露光処
理を施すための工程や各処理工程間への搬送において
は、上記ウエハを高精度に保持するために静電チャック
が使用されている。
【0003】この種の静電チャックは絶縁材料からなる
板状体の一方の表面を吸着面とし、内部に静電吸着用の
電極を備えてなり、上記吸着面にウエハを載置して電極
とウエハとの間に通電することにより吸着面とウエハと
の間に誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によ
るジョンソン・ラーベック力を発生させて吸着面にウエ
ハを吸着保持するようになっていた。
【0004】また、静電チャックの吸着面は平滑性、平
坦性に優れ、ウエハの脱着に伴う摩耗の少ないことが重
要視されていることから、少なくとも吸着面をCaTi
3やBaTiO3 などの強誘電体、あるいはTiO2
を含有したアルミナセラミックスや窒化アルミニウム質
セラミックスで形成したものがあった(特開平2−33
9325号公報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】ところが、吸着面をC
aTiO3 やBaTiO3 などの強誘電体で形成した静
電チャックは、機械的強度が比較的低く、また、還元雰
囲気中で使用する場合には、吸着特性が一定しないため
に使用環境が制限されるといった課題があった。
【0006】また、吸着面をTiO2 を含有するアルミ
ナセラミックスや窒化アルミニウム質セラミックスで形
成した静電チャックは、室温での体積固有抵抗値が10
11〜1013Ω・cm程度で、微少な漏れ電流により吸着
力を得るようにしたものであるが、吸着面には数十mA
程度の漏れ電流が生じることから、吸着面に保持するウ
エハの微少回路に悪影響を与えるといった恐れがあっ
た。特に、高温下で使用すると、吸着面を構成するアル
ミナセラミックスや窒化アルミニウム質セラミックスの
体積固有抵抗値がさらに低下することから、ウエハへの
悪影響がさらに顕在化するといった課題があった。
【0007】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、静電作用により被保持物を吸着保持する吸着
面をイットリウム−アルミニウム−ガーネット材により
形成して静電チャックを構成したものである。
【0008】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図1は半導体装置の製造工程で使用する本発
明に係る静電チャックを示す図で、(a)は斜視図、
(b)はそのX−X線断面図であり、単結晶または多結
晶のイットリウム−アルミニウム−ガーネット材(以
下、YAG材と略称する)からなる板状体1の上面を吸
着面5とするとともに、下面に静電吸着用の電極2を備
え、接着剤3を介して上記板状体1と同じYAG材やサ
ファイア、あるいは他の各種セラミックスからなるベー
ス板4を接合して構成してある。
【0009】また、ベース板4には電極2に通電するた
めの電極取出部4aを形成してあり、この電極取出部4
aを通して電極2と吸着面5に載置する半導体ウエハ6
との間に通電することによりYAG材からなる板状体1
とウエハ6との間に誘電分極によるクーロン力を発生さ
せてウエハ6を吸着面5に吸着保持するようにしてあ
る。なお、ここで言う接着剤3とは有機、無機接着剤だ
けでなく、ガラス、ロウ材などを含むものであり、用途
に応じた接合方法を用いれば良い。また、図1では単極
型の静電チャックを示したが、電極を複数に分割し、こ
れらの電極間に通電することでウエハと吸着面との間に
静電作用を発生させて吸着保持する双極型の静電チャッ
クとしても構わない。
【0010】上記板状体1を構成するYAG材は、表1
にその特性を示すように室温において1015Ω・cm程
度の体積固有抵抗値を有し、500℃程度の高温下にお
いても1011Ω・cm程度の高い絶縁性を有している。
その為、板状体1には微少な漏れ電流が殆ど流れないこ
とから、ウエハ6に形成する微少回路に悪影響を与える
ことがなく、高温下での使用においても好適である。
【0011】また、静電チャックの吸着力は板状体1の
厚みに反比例し、その誘電率に比例するのであるが、Y
AG材は誘電率が10.7とアルミナセラミックスや窒
化アルミニウム質セラミックスに比べて大きく、同じ厚
みに対してより大きな吸着力を得ることができるため確
実に吸着保持することができる。
【0012】さらに、YAG材は優れた耐プラズマ性を
有していることから、プラズマを発生させたハロゲン系
腐食性ガス下で使用したとしても吸着面5の腐食が少な
く、ウエハ6へのパーティクルやコンタミネーションを
低減することができる。
【0013】
【表1】
【0014】ただし、板状体1の厚みは0.1〜1.0
mm、好ましくは0.1〜0.6mmとすることが良
い。即ち、板状体1の厚みを0.1mmより薄くするこ
とは製造上難しいからであり、逆に、板状体1の厚みが
1.0mmより大きくなると吸着力が低下して実用に供
する程度の吸着力が得難くなるからである。
【0015】また、板状体1の吸着面5が粗すぎると、
吸着保持するウエハ6を傷付ける恐れがあるとともに、
吸着面5の凹部に塵埃等が堆積することからウエハ6に
悪影響を与える恐れがある。その為、板状体1の吸着面
5は中心線平均粗さ(Ra)で0.1μm以下の平滑な
面とすることが良い。
【0016】また、板状体1を構成するYAG材は緻密
でかつ高純度のものが良い。即ち、YAG材が緻密でな
いと吸着面5に微小なボイドが多数存在するために塵埃
等が溜まり易くパーティクルの発生につながるととも
に、ウエハ6の平坦精度が損なわれるために成膜、エッ
チング、露光等の加工においてはウエハ6に均一な成
膜、あるいは高精度のエッジング加工や露光処理を施す
ことができないからであり、また、YAG材の純度が低
いと他に添加した助剤や不純物量が多くなるために、こ
れらがウエハ6へのコンタミネーションの原因となり、
ウエハ6上の微小回路パターンを絶縁破壊させる恐れが
あるとともに、プラズマにより腐食を受け易くなるから
である。
【0017】その為、板状体1を構成するYAG材とし
ては純度99.7%以上、さらには99.9%以上のも
のが好ましく、緻密度合いを示す相対密度は90%以
上、さらには98%以上のものが良い。
【0018】このようなYAG材を製造するには多結晶
YAGの場合、純度がそれぞれ99.7%以上のAl2
3 粉末とY2 3 粉末に、純度が99.9%以上のY
AG粉末を添加して混合粉砕したあと所定形状に成形
し、還元性雰囲気において1600〜1900℃の温度
で焼成することにより形成することができる。
【0019】また、純度がそれぞれ99.7%以上のA
2 3 粉末とY2 3 粉末とを混合したあと仮焼し、
これを粉砕して原料粉末とし、この原料粉末に純度が9
9.9%以上のYAG粉末を添加したあと所定形状に成
形し、還元性雰囲気において1600〜1900℃の温
度で焼成しても良い。
【0020】さらには純度がそれぞれ99.9%以上の
Al2 3 粉末とY2 3 粉末とを混合して1000〜
1600℃で仮焼したあと、これらを粉砕して原料粉末
とし、この原料粉末を所定形状に成形し、還元性雰囲気
において1600〜1900℃の温度で焼成しても良
い。
【0021】また、単結晶YAGを製造する場合には、
EFG(Edge−definedFilm−fed
Growth Method)法等の単結晶育成法を用
いれば良い。
【0022】一方、電極2を構成する材料としては、銀
(Ag)、パラジウム(Pd)、白金(Pt)、ニッケ
ル(Ni)、タングステン(W)、モリブデン(M
o)、Cr(クロム)などの金属やこれらの混合物を使
用することができる。
【0023】また、ベース板4を構成する材質として
は、アルミナ、炭化珪素、窒化珪素、窒化アルミニウ
ム、YAG等を主体とするセラミックス、サファイア、
単結晶YAG、表層部をアルマイト(酸化アルミニウム
被膜)処理した高純度アルミニウムを用いることができ
る。また、上記ベース板4に抵抗発熱体を埋設しても良
く、このような場合、ベース板4を窒化アルミニウム質
セラミックスにより形成すれば、熱伝導率が80W/m
k以上とセラミックスの中でも優れた熱伝導率を有する
ことから、吸着面5に保持するウエハ6を均一に加熱す
ることができる。
【0024】次に、本発明の他の実施形態について説明
する。
【0025】図2に示す静電チャックは、単結晶または
多結晶のYAG材からなる板状体1と前記セラミックス
からなるベース板4とをMo−Mn法によるメタライズ
やTi合金からなる活性金属を用いて接合したものであ
り、メタライズ層や活性金属層を電極2としたものであ
る。
【0026】また、図3に示す静電チャックは、アルミ
ナまたはYAGを主体とするセラミック製のベース板4
に電極形状と一致する溝4bを形成し、該溝4bに電極
4を構成する金属ペーストを充填して焼き付けた後、単
結晶YAG材からなる板状体1とベース板4との接合面
を鏡面研摩し、摺り合わせた状態で1800℃の還元炉
で融着して一体化したものである。このようにベース板
4をアルミナまたはYAGを主体とするセラミックスで
形成すれば板状体1を構成する単結晶YAG材と熱膨張
係数を同一または近似させることができるため、板状体
1に反りを発生させることなく一体化することができ
る。
【0027】さらに、図4に示す静電チャックは、テー
プ成形法により多結晶YAG材を構成する複数枚のグリ
ーンシートを形成し、このうち1枚のグリーンシートに
電極2をなす金属ペーストを印刷して積層したあと、該
積層体を焼成することにより多結晶YAG材からなる板
状体1の内部に電極2を埋設したものである。
【0028】図3、4に示す静電チャックのように、Y
AG材からなる板状体1とセラミックスからなるベース
板4とを融着または一体焼結すれば、樹脂、ガラス、金
属等の腐食を受け易い接着剤3が不要であるため、腐食
性ガス下での使用においても好適に使用可能な静電チャ
ックとすることができる。
【0029】以上のように、本発明の実施形態では、半
導体装置の製造工程で使用する静電チャックについて示
したが、これ以外の様々な分野においても使用できるこ
とは言うまでもない。
【0030】
【実施例】ここで、図1〜4の静電チャックを試作して
室温および500℃の高温雰囲気下で使用した時の吸着
力について測定を行った。
【0031】本実験では印加電圧を1〜2kVとし、真
空度10-3Torrの室温下(24℃)および高温下
(500℃)の条件にて測定を行い、単極型の静電チャ
ックに要求されている50kg/cm2 以上の吸着力を
全ての条件において有するものを優れたものとした。
【0032】なお、比較例として板状体1にTiを含有
するアルミナセラミックスおよびチタン酸バリウムを用
いた図1に示す静電チャックを容易して同様に測定を行
った。
【0033】それぞれの結果は表2に示す通りである。
【0034】
【表2】
【0035】この結果、まず、室温状態で1kVの電圧
を印加した時は、本発明および比較例ともに50kg/
cm2 以上の吸着力が得られたものの、高温状態では板
状体1にチタン酸バリウムを用いた静電チャックにおい
て、漏れ電流の増大が見られ使用不可となってしまっ
た。
【0036】また、1.5kV以上の電圧を印加する
と、比較例である板状体1にTiを含有するアルミナセ
ラミックスを用いた静電チャック、および板状体1にチ
タン酸バリウムを用いた静電チャックとも絶縁破壊を生
じ使用不可となってしまった。
【0037】これに対し、図1〜4の板状体1にYAG
材を用いた本発明の静電チャックは、室温および高温状
態ともに印加電圧1〜2kVの範囲において吸着力50
kg/cm2 以上を満足することができた。しかも、静
電吸着時の漏れ電流は数〜数十μAと少なく問題となる
レベルでないことが判った。
【0038】この結果、半導体装置の製造工程において
好適に使用できることが判る。
【0039】次に、吸着面5の表面粗さを変化させた本
発明に係る図1の静電チャックを試作し、半導体ウエハ
6を吸着保持させたあとウエハ6を取り外した時に、吸
着面5と接触していた側の全面に付着した0.1μm以
上のパーティクルの数をパーティクルカウンターで測定
し、パーティクル数が10000個未満のものを○、1
0000個を越えるものを×として評価した。
【0040】結果は表3に示す通りである。
【0041】
【表3】
【0042】この結果、吸着面5を中心線平均粗さ(R
a)で0.1μm以下とすれば、ウエハ6に付着するパ
ーティクル数を10000個未満とすることができるこ
とが判る。
【0043】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、静電作
用により被保持物を吸着保持する吸着面をイットリウム
−アルミニウム−ガーネット材により形成して静電チャ
ックを構成したことにより、被保持物を高い吸着力でも
って保持することができるとともに、漏れ電流が少ない
ことから、被保持物が半導体ウエハや液晶用ガラス基板
であったとしても電気的な悪影響を与えることが少な
く、また、耐プラズマ性、耐蝕性にも優れることから、
被保持物へのパーティクルやコンタミネーションの発生
を大幅に抑えることができる。
【0044】その為、この静電チャックを成膜装置に用
いれば、被保持物に膜厚の均一な薄膜を形成することが
でき、エッチング装置や露光装置に用いれば、ウエハに
高精度の加工や露光処理を施すことができるとともに、
搬送の際には、ウエハに悪影響を与えることが少ないな
ど、様々な工程で使用可能な優れた静電チャックを提供
することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る静電チャックの一例を示す図であ
り、(a)は斜視図、(b)はX−X線断面図である。
【図2】本発明に係る静電チャックの他の例を示す断面
図である。
【図3】本発明に係る静電チャックの他の例を示す断面
図である。
【図4】本発明に係る静電チャックの他の例を示す断面
図である。
【符号の説明】
1:板状体、 2:電極、 3:接着剤、 4:ベース
板、 5:吸着面、6:ウエハ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】静電作用により被保持物を吸着保持する吸
    着面をイットリウム−アルミニウム−ガーネット材によ
    り形成したことを特徴とする静電チャック。
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