JPH09213774A - ウェハ保持部材及びその製造方法 - Google Patents
ウェハ保持部材及びその製造方法Info
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- JPH09213774A JPH09213774A JP1449296A JP1449296A JPH09213774A JP H09213774 A JPH09213774 A JP H09213774A JP 1449296 A JP1449296 A JP 1449296A JP 1449296 A JP1449296 A JP 1449296A JP H09213774 A JPH09213774 A JP H09213774A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mounting surface
- residue
- less
- mounting face
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Jigs For Machine Tools (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】保持したウェハ３０にパーティクルが付着しに
くいウェハ保持部材を得る。 【解決手段】ウェハ３０の載置面１１ａを有する基体１
１をセラミックスで形成し、上記載置面１１ａの中心線
平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とするとともに、載
置面１１ａのボイド中の残留物を除去してウェハ保持部
材を構成する。
くいウェハ保持部材を得る。 【解決手段】ウェハ３０の載置面１１ａを有する基体１
１をセラミックスで形成し、上記載置面１１ａの中心線
平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とするとともに、載
置面１１ａのボイド中の残留物を除去してウェハ保持部
材を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体や液晶の製
造装置において、半導体ウェハや液晶用ガラス等のウェ
ハを保持・搬送するために使用するウェハ保持部材に関
する。
造装置において、半導体ウェハや液晶用ガラス等のウェ
ハを保持・搬送するために使用するウェハ保持部材に関
する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程で、半導体ウェハに成膜
を施すＣＶＤ装置やそのウェハに微細加工処理を施すド
ライエッチング装置において、半導体ウェハの保持部材
としてサセプターや静電チャックが用いられている。
を施すＣＶＤ装置やそのウェハに微細加工処理を施すド
ライエッチング装置において、半導体ウェハの保持部材
としてサセプターや静電チャックが用いられている。
【０００３】例えば図３に示すように、サセプター２０
はセラミックス等の基体２１の載置面２１ａにウェハ３
０を載置して各種加工処理を施すものである。
はセラミックス等の基体２１の載置面２１ａにウェハ３
０を載置して各種加工処理を施すものである。
【０００４】また、静電チャックは、上記基体２１に内
部電極を備え、この内部電極とウェハ３０間に電圧を印
加して、静電吸着力により、ウェハ３０を載置面２１ａ
に吸着固定した状態で、各種加工処理を施すものであ
る。
部電極を備え、この内部電極とウェハ３０間に電圧を印
加して、静電吸着力により、ウェハ３０を載置面２１ａ
に吸着固定した状態で、各種加工処理を施すものであ
る。
【０００５】上記ウェハ保持部材を成す基体２１の材質
としてはセラミックスが用いられており、例えばアルミ
ナにチタンを添加して還元性雰囲気で焼成したもの（特
開昭６２−２６４６３８号公報参照）、チタン酸バリウ
ム等の強誘電体材料で形成したもの（特開平２−３３９
３２５号公報参照）等がある。
としてはセラミックスが用いられており、例えばアルミ
ナにチタンを添加して還元性雰囲気で焼成したもの（特
開昭６２−２６４６３８号公報参照）、チタン酸バリウ
ム等の強誘電体材料で形成したもの（特開平２−３３９
３２５号公報参照）等がある。
【０００６】また、特にハロゲン系ガスのプラズマ雰囲
気中で使用される場合には、基体２１として焼結助剤を
添加した窒化アルミニウム質セラミックスを用いること
も提案されている（特開平５−２５１３６５号公報参
照）。
気中で使用される場合には、基体２１として焼結助剤を
添加した窒化アルミニウム質セラミックスを用いること
も提案されている（特開平５−２５１３６５号公報参
照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記ウェハ
３０をウェハ保持部材で保持して加工した場合、ウェハ
３０にパーティクルと呼ばれる微小な粒子が付着し、こ
れがウェハ３０上に形成する配線パターンに悪影響を及
ぼすという問題があった。特に、近年の半導体回路の高
密度化に伴って、上記パーティクルの付着が大きな問題
となってきた。
３０をウェハ保持部材で保持して加工した場合、ウェハ
３０にパーティクルと呼ばれる微小な粒子が付着し、こ
れがウェハ３０上に形成する配線パターンに悪影響を及
ぼすという問題があった。特に、近年の半導体回路の高
密度化に伴って、上記パーティクルの付着が大きな問題
となってきた。
【０００８】一般に、ウェハに付着するパーティクルの
付着原因としては、ウェハ自体の引っかき傷等によるＳ
ｉ等の付着と、ウェハ保持部材の載置面からの付着の２
種類があることが知られている。そのため、ウェハ保持
部材からの付着を防止することが望まれているが、従来
のウェハ保持部材ではこの要求を満たすことができなか
った。
付着原因としては、ウェハ自体の引っかき傷等によるＳ
ｉ等の付着と、ウェハ保持部材の載置面からの付着の２
種類があることが知られている。そのため、ウェハ保持
部材からの付着を防止することが望まれているが、従来
のウェハ保持部材ではこの要求を満たすことができなか
った。
【０００９】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、ウェハ
の載置面を有する基体をセラミックスで形成し、上記載
置面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とする
とともに、載置面のボイド中の残留物を除去してウェハ
保持部材を構成したものである。即ち、上記載置面にお
ける０．０１ｍｍ2 の範囲中に、０．１μｍ以上の残留
物が存在するボイドの個数を１００個以下、または０．
１μｍ以上の大きさの残留物の個数を５００個以下とし
たことを特徴とする。
の載置面を有する基体をセラミックスで形成し、上記載
置面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とする
とともに、載置面のボイド中の残留物を除去してウェハ
保持部材を構成したものである。即ち、上記載置面にお
ける０．０１ｍｍ2 の範囲中に、０．１μｍ以上の残留
物が存在するボイドの個数を１００個以下、または０．
１μｍ以上の大きさの残留物の個数を５００個以下とし
たことを特徴とする。
【００１０】また本発明は、セラミックスからなる基体
に形成した載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μ
ｍ以下となるように研磨した後、この載置面を酸処理し
てボイド中の残留物を除去する工程からウェハ保持部材
を製造したことを特徴とする。
に形成した載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μ
ｍ以下となるように研磨した後、この載置面を酸処理し
てボイド中の残留物を除去する工程からウェハ保持部材
を製造したことを特徴とする。
【００１１】即ち、本発明者が検討の結果、ウェハ保持
部材を構成するセラミックス製基体の表面に存在する微
小なボイドに、セラミックス粒子のかけらや研削・研磨
粉等の残留物が存在しており、この残留物がウェハに付
着してパーティクルとなることを見出した。
部材を構成するセラミックス製基体の表面に存在する微
小なボイドに、セラミックス粒子のかけらや研削・研磨
粉等の残留物が存在しており、この残留物がウェハに付
着してパーティクルとなることを見出した。
【００１２】そこで、本発明では、セラミックス製の基
体のウェハ載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μ
ｍ以下となるように滑らかに研磨してボイドを小さくす
るとともに、この面を酸処理することによって、ボイド
中の残留物を溶かして除去し、ウェハへのパーティクル
の付着を防止するようにしたのである。
体のウェハ載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μ
ｍ以下となるように滑らかに研磨してボイドを小さくす
るとともに、この面を酸処理することによって、ボイド
中の残留物を溶かして除去し、ウェハへのパーティクル
の付着を防止するようにしたのである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明のウェハ保持部材の実
施形態を図によって説明する。
施形態を図によって説明する。
【００１４】図１に示す静電チャックは、セラミックス
製の基体１１の表面を載置面１１ａとし、内部に電極１
２と発熱抵抗体１３を備えたものである。また必要があ
れば、この基体１１の下面をベース板（不図示）に接合
することもできる。
製の基体１１の表面を載置面１１ａとし、内部に電極１
２と発熱抵抗体１３を備えたものである。また必要があ
れば、この基体１１の下面をベース板（不図示）に接合
することもできる。
【００１５】ここで、上記電極１２は静電吸着用電極で
あり、基体１１の載置面１１ａに載置したウェハ３０
と、上記電極１２間に電源１４より直流電圧を印加する
と、単極型の静電チャックとして作用し、ウェハ３０を
吸着することができる。また、発熱抵抗体１３は不図示
の電源より通電することによって発熱させ、ウェハ３０
を加熱することができる。
あり、基体１１の載置面１１ａに載置したウェハ３０
と、上記電極１２間に電源１４より直流電圧を印加する
と、単極型の静電チャックとして作用し、ウェハ３０を
吸着することができる。また、発熱抵抗体１３は不図示
の電源より通電することによって発熱させ、ウェハ３０
を加熱することができる。
【００１６】そして、本発明では、上記基体１１の載置
面１１ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下と
するとともに、この載置面１１ａのボイド中の残留物を
除去したことを特徴とする。
面１１ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下と
するとともに、この載置面１１ａのボイド中の残留物を
除去したことを特徴とする。
【００１７】また、このような載置面１１ａは、まず中
心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように研
磨した後、この載置面１１ａを酸処理し、ボイド中の残
留物を溶かして除去することによって得ることができ
る。
心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように研
磨した後、この載置面１１ａを酸処理し、ボイド中の残
留物を溶かして除去することによって得ることができ
る。
【００１８】即ち、本発明ではまず載置面１１ａを中心
線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように研磨
して、表面のボイド１１ｂを小さくする。この時点で
は、図２（ａ）に示すようにボイド１１ｂ中には、セラ
ミックス粒子のかけらや研削・研磨粉等の残留物１１ｃ
が存在している。その後、この載置面１１ａを酸処理す
ることによって、上記残留物１１ｃを溶かして除去し、
図２（ｂ）に示すようにボイド１１ｂ内に残留物１１ｃ
が実質的に存在しない状態とするのである。
線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下となるように研磨
して、表面のボイド１１ｂを小さくする。この時点で
は、図２（ａ）に示すようにボイド１１ｂ中には、セラ
ミックス粒子のかけらや研削・研磨粉等の残留物１１ｃ
が存在している。その後、この載置面１１ａを酸処理す
ることによって、上記残留物１１ｃを溶かして除去し、
図２（ｂ）に示すようにボイド１１ｂ内に残留物１１ｃ
が実質的に存在しない状態とするのである。
【００１９】そのため、この載置面１１ａにウェハ３０
を載置すると、パーティクルの原因となる残留物１１ｃ
が存在しないため、ウェハ３０へのパーティクル付着を
防止するとができるのである。
を載置すると、パーティクルの原因となる残留物１１ｃ
が存在しないため、ウェハ３０へのパーティクル付着を
防止するとができるのである。
【００２０】なお、本発明において、ウェハ載置面１１
ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下としたの
は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍよりも大きい
とボイド１１ｂが大きいままであり、酸処理しても残留
物１１ｃが除去しにくくなるためである。
ａの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下としたの
は、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍよりも大きい
とボイド１１ｂが大きいままであり、酸処理しても残留
物１１ｃが除去しにくくなるためである。
【００２１】また、本発明において、載置面１１ａのボ
イド１１ｂに実質的に残留物１１ｃが存在しないとは、
ウェハ３０への付着が問題となるような大きさの残留物
１１ｃがほとんど存在しないことを言う。具体的には、
載置面１１ａの任意の箇所を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観
察したとき、０．０１ｍｍ2 の範囲中に、０．１μｍ以
上の大きさの残留物１１ｃが存在するボイド１１ｂの数
が１００個以下、又は０．１μｍ以上の大きさの残留物
１１ｃの個数が５００個以下のいずれかを満たしていれ
ば良い。
イド１１ｂに実質的に残留物１１ｃが存在しないとは、
ウェハ３０への付着が問題となるような大きさの残留物
１１ｃがほとんど存在しないことを言う。具体的には、
載置面１１ａの任意の箇所を電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観
察したとき、０．０１ｍｍ2 の範囲中に、０．１μｍ以
上の大きさの残留物１１ｃが存在するボイド１１ｂの数
が１００個以下、又は０．１μｍ以上の大きさの残留物
１１ｃの個数が５００個以下のいずれかを満たしていれ
ば良い。
【００２２】さらに、載置面１１ａを酸処理する場合
は、ＨＦ、ＨＮＯ3 等の酸中に載置面１１ａを浸漬し、
所定時間経過した後で洗浄すれば良い。このとき、浸漬
時間が長すぎると基体１１自体を溶かしてしまうため、
適度な時間となるように制御する必要がある。
は、ＨＦ、ＨＮＯ3 等の酸中に載置面１１ａを浸漬し、
所定時間経過した後で洗浄すれば良い。このとき、浸漬
時間が長すぎると基体１１自体を溶かしてしまうため、
適度な時間となるように制御する必要がある。
【００２３】また、図示していないが上記載置面１１ａ
には溝等を形成することもできる。この場合は、載置面
１１ａのうちウェハ３０と接触する面を、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下で、ボイド中に実質的に残
留物が存在しない状態としておけば良く、溝の内側表面
はこのような状態となっていなくても良い。そして、上
記溝中にＨｅガス等を流すことによって、基体１１とウ
ェハ３０間の熱伝達を高めることができる。
には溝等を形成することもできる。この場合は、載置面
１１ａのうちウェハ３０と接触する面を、中心線平均粗
さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下で、ボイド中に実質的に残
留物が存在しない状態としておけば良く、溝の内側表面
はこのような状態となっていなくても良い。そして、上
記溝中にＨｅガス等を流すことによって、基体１１とウ
ェハ３０間の熱伝達を高めることができる。
【００２４】さらに、図１の例では、基体１１中に電極
１２と発熱抵抗体１３を備えたものを示したが、さらに
プラズマ発生用電極を備えたり、または電極１２のみを
備えた構造の静電チャック１０とすることもできる。
１２と発熱抵抗体１３を備えたものを示したが、さらに
プラズマ発生用電極を備えたり、または電極１２のみを
備えた構造の静電チャック１０とすることもできる。
【００２５】あるいは、図３に示すようなサセプタ２０
についても同様に本発明を適用するとができ、基体２１
の載置面２１ａを中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ
以下で、ボイド中に実質的に残留物が存在しない状態と
すれば良い。また、このサセプタ２０に発熱抵抗体やプ
ラズマ発生用電極を備えることもできる。
についても同様に本発明を適用するとができ、基体２１
の載置面２１ａを中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ
以下で、ボイド中に実質的に残留物が存在しない状態と
すれば良い。また、このサセプタ２０に発熱抵抗体やプ
ラズマ発生用電極を備えることもできる。
【００２６】このように、本発明のウェハ保持部材と
は、ウェハを載置して、搬送・加工を行うためのサセプ
ターや静電チャックを指している。また本発明のウェハ
とは、上述した半導体ウェハに限らず、液晶用ガラス基
板やその他のさまざまな板状体のものであれば良い。
は、ウェハを載置して、搬送・加工を行うためのサセプ
ターや静電チャックを指している。また本発明のウェハ
とは、上述した半導体ウェハに限らず、液晶用ガラス基
板やその他のさまざまな板状体のものであれば良い。
【００２７】以上の実施例において、基体１１、２１を
成すセラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の一種以上を主成分とする
セラミックスを用いる。これらの中でも特に耐プラズマ
性の点から、９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし
ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ等の焼結助剤を含有するアル
ミナセラミックスや、ＡｌＮを主成分とし周期律表２ａ
族元素酸化物や３ａ族元素酸化物を０．５〜２０重量％
の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックス、あ
るいは９９重量％以上のＡｌＮを主成分とする高純度窒
化アルミニウム質セラミックスのいずれかが好適であ
る。
成すセラミックスとしては、Ａｌ2Ｏ3 ，ＡｌＮ，Ｚｒ
Ｏ2 ，ＳｉＣ，Ｓｉ3 Ｎ4 等の一種以上を主成分とする
セラミックスを用いる。これらの中でも特に耐プラズマ
性の点から、９９重量％以上のＡｌ2 Ｏ3 を主成分とし
ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ等の焼結助剤を含有するアル
ミナセラミックスや、ＡｌＮを主成分とし周期律表２ａ
族元素酸化物や３ａ族元素酸化物を０．５〜２０重量％
の範囲で含有する窒化アルミニウム質セラミックス、あ
るいは９９重量％以上のＡｌＮを主成分とする高純度窒
化アルミニウム質セラミックスのいずれかが好適であ
る。
【００２８】
【実施例】本発明のウェハ保持部材として、図１に示す
静電チャックを試作した。窒化アルミニウム質セラミッ
クスの原料をシート状に成形し、導電ペーストを塗布し
て電極１２や発熱抵抗体１３を形成し、各シート状成形
体を積層した後、所定の雰囲気、温度で焼成して基体１
１を得た。
静電チャックを試作した。窒化アルミニウム質セラミッ
クスの原料をシート状に成形し、導電ペーストを塗布し
て電極１２や発熱抵抗体１３を形成し、各シート状成形
体を積層した後、所定の雰囲気、温度で焼成して基体１
１を得た。
【００２９】この載置面１１ａを切削等により所定の平
面度、平行度となるように加工した後、ＳｉＯ2 を主成
分とする研磨剤を用いてラップ機で研磨加工を行い、研
磨条件を変化させて、中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０
５〜０．３μｍの範囲で変化させた。その後、載置面１
１ａに対して、ＨＦ−ＨＮＯ3 の混酸を用いて酸処理を
施しボイド１１ｂ内の残留物１１ｃを除去した。なお比
較例として、この酸処理を施さないものも用意した。
面度、平行度となるように加工した後、ＳｉＯ2 を主成
分とする研磨剤を用いてラップ機で研磨加工を行い、研
磨条件を変化させて、中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．０
５〜０．３μｍの範囲で変化させた。その後、載置面１
１ａに対して、ＨＦ−ＨＮＯ3 の混酸を用いて酸処理を
施しボイド１１ｂ内の残留物１１ｃを除去した。なお比
較例として、この酸処理を施さないものも用意した。
【００３０】このようにして得られた各静電チャック１
０の載置面１１ａに直径８インチのシリコンのウェハ３
０を載置し、電源１４より通電して吸着した。その後、
ウェハ３０を取り外し、載置面１１ａと接触していた側
の全面に付着した０．１μｍ以上のパーティクルの数を
パーティクルカウンターで測定し、パーティクル数が２
０００個以下のものを○、２０００個を越えるものを×
で評価した。
０の載置面１１ａに直径８インチのシリコンのウェハ３
０を載置し、電源１４より通電して吸着した。その後、
ウェハ３０を取り外し、載置面１１ａと接触していた側
の全面に付着した０．１μｍ以上のパーティクルの数を
パーティクルカウンターで測定し、パーティクル数が２
０００個以下のものを○、２０００個を越えるものを×
で評価した。
【００３１】結果は表１に示す通りである。この結果よ
り、酸処理を施さなかったもの（Ｎｏ．５〜８）ではパ
ーティクル数が４０００個以上と大きかった。また、酸
処理を施したものでも、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．
１μｍより大きい（Ｎｏ．３，４）とパーティクル数が
５０００以上と大きかった。
り、酸処理を施さなかったもの（Ｎｏ．５〜８）ではパ
ーティクル数が４０００個以上と大きかった。また、酸
処理を施したものでも、中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．
１μｍより大きい（Ｎｏ．３，４）とパーティクル数が
５０００以上と大きかった。
【００３２】これらに対し、中心線平均粗さ（Ｒａ）が
０．１μｍ以下で、酸処理を施した本発明実施例（Ｎ
ｏ．１，２）ではパーティクル数を２０００以下と極め
て小さくできることがわかった。
０．１μｍ以下で、酸処理を施した本発明実施例（Ｎ
ｏ．１，２）ではパーティクル数を２０００以下と極め
て小さくできることがわかった。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ウェハの
載置面を有する基体をセラミックスで形成し、上記載置
面のの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とする
とともに、載置面のボイド中の残留物を除去してウェハ
保持部材を構成したことによって、ウェハに付着するパ
ーティクルの数を極めて少なくするとができ、優れたウ
ェハを歩留り良く加工することが可能となる。
載置面を有する基体をセラミックスで形成し、上記載置
面のの中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１μｍ以下とする
とともに、載置面のボイド中の残留物を除去してウェハ
保持部材を構成したことによって、ウェハに付着するパ
ーティクルの数を極めて少なくするとができ、優れたウ
ェハを歩留り良く加工することが可能となる。
【００３５】また、本発明によれば、セラミックスから
なる基体に形成いた載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が
０．１μｍ以下となるように研磨した後、この載置面を
酸処理してボイド中の残留物を除去する工程からウェハ
保持部材を製造したことによって、載置面のボイド中に
実質的に残留物の存在しないウェハ保持部材を簡単な工
程で製造することができる。
なる基体に形成いた載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が
０．１μｍ以下となるように研磨した後、この載置面を
酸処理してボイド中の残留物を除去する工程からウェハ
保持部材を製造したことによって、載置面のボイド中に
実質的に残留物の存在しないウェハ保持部材を簡単な工
程で製造することができる。
【図１】本発明のウェハ保持部材を示す概略断面図であ
る。
る。
【図２】本発明のウェハ保持部材の載置面を示す拡大断
面図である。
面図である。
【図３】ウェハ保持部材の一例であるサセプターを示す
断面図である。
断面図である。
１０：静電チャック １１：基体 １１ａ：載置面 １１ｂ：ボイド １１ｃ：残留物 １２：電極 １３：発熱抵抗体 １４：電源 ２０：サセプター ２１：基体 ２１ａ：載置面 ３０：ウェハ
Claims (2)
- 【請求項１】ウェハの載置面を有する基体をセラミック
スで形成し、該載置面の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．
１μｍ以下とするとともに、上記載置面における０．０
１ｍｍ2 の範囲中に、０．１μｍ以上の残留物が存在す
るボイドの個数が１００個以下、または０．１μｍ以上
の大きさの残留物の個数が５００個以下であることを特
徴とするウェハ保持部材。 - 【請求項２】セラミックスからなる基体に備えたウェハ
の載置面を中心線平均粗さ（Ｒａ）が０．１μｍ以下と
なるように研磨した後、この載置面を酸処理してボイド
中の残留物を除去する工程からなるウェハ保持部材の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1449296A JP3602901B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ウェハ保持部材とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1449296A JP3602901B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ウェハ保持部材とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09213774A true JPH09213774A (ja) | 1997-08-15 |
| JP3602901B2 JP3602901B2 (ja) | 2004-12-15 |
Family
ID=11862558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1449296A Expired - Fee Related JP3602901B2 (ja) | 1996-01-30 | 1996-01-30 | ウェハ保持部材とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3602901B2 (ja) |
Cited By (7)
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