JPH0897272A - ウェハ支持部材 - Google Patents
ウェハ支持部材Info
- Publication number
- JPH0897272A JPH0897272A JP23543994A JP23543994A JPH0897272A JP H0897272 A JPH0897272 A JP H0897272A JP 23543994 A JP23543994 A JP 23543994A JP 23543994 A JP23543994 A JP 23543994A JP H0897272 A JPH0897272 A JP H0897272A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- resistance layer
- sintered body
- aluminum nitride
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ウェハ支持部材を窒化アルミニウム質焼結体に
より形成するとともに、ウェハ２０との接触部位に母材
である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値
の高い高抵抗層１３を備える。 【効果】ウェハ２０との接触部位が高抵抗層１３からな
るために、ジョンソン−ラーベック力による静電吸着を
防止し、工程終了後にウェハ２０を容易に外すことがで
きる。そのために、ウェハ２０の処理能力が向上し、不
純物の混入も防止できる。
より形成するとともに、ウェハ２０との接触部位に母材
である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値
の高い高抵抗層１３を備える。 【効果】ウェハ２０との接触部位が高抵抗層１３からな
るために、ジョンソン−ラーベック力による静電吸着を
防止し、工程終了後にウェハ２０を容易に外すことがで
きる。そのために、ウェハ２０の処理能力が向上し、不
純物の混入も防止できる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の製造工程
において、半導体ウェハを接触して支持するための部材
に関する。
において、半導体ウェハを接触して支持するための部材
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造工程において、シリコ
ン等の半導体ウェハに対し、プラズマを用いたエッチン
グが行われている。この時、ウェハはサセプタ上に載置
され、クランプリングで端部を押さえて支持されてい
る。
ン等の半導体ウェハに対し、プラズマを用いたエッチン
グが行われている。この時、ウェハはサセプタ上に載置
され、クランプリングで端部を押さえて支持されてい
る。
【０００３】これらのサセプタ、クランプリングは、耐
熱性、耐食性が要求されるため、従来アルミナセラミッ
クスが用いられている。しかし、アルミナセラミックス
はプラズマにエッチングされやすく、そのためＡｌ2 Ｏ
3 粒子が脱粒してパーティクルとなりウェハ上の配線に
悪影響を及ぼす等の問題点があった。
熱性、耐食性が要求されるため、従来アルミナセラミッ
クスが用いられている。しかし、アルミナセラミックス
はプラズマにエッチングされやすく、そのためＡｌ2 Ｏ
3 粒子が脱粒してパーティクルとなりウェハ上の配線に
悪影響を及ぼす等の問題点があった。
【０００４】そこで、耐プラズマ性が高く、熱伝導率の
高い窒化アルミニウム質焼結体を上記ウェハ支持部材と
して用いることが提案されている（特開平５−２５１３
６５号公報等参照）。
高い窒化アルミニウム質焼結体を上記ウェハ支持部材と
して用いることが提案されている（特開平５−２５１３
６５号公報等参照）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記窒化アル
ミニウム質焼結体は静電気を発生しやすく、発生した静
電気によって半導体ウェハを吸着してしまうという欠点
があった。そのため、窒化アルミニウム質焼結体でクラ
ンプリングやサセプタを形成すると、工程終了後に半導
体ウェハを機械的に剥がす作業が必要となり、ウェハ処
理能力が低下するだけでなく、剥がす作業中にウェハへ
の不純物が増加する等の問題点があった。
ミニウム質焼結体は静電気を発生しやすく、発生した静
電気によって半導体ウェハを吸着してしまうという欠点
があった。そのため、窒化アルミニウム質焼結体でクラ
ンプリングやサセプタを形成すると、工程終了後に半導
体ウェハを機械的に剥がす作業が必要となり、ウェハ処
理能力が低下するだけでなく、剥がす作業中にウェハへ
の不純物が増加する等の問題点があった。
【０００６】この原因は、通常のアルミナセラミックス
の常温での体積固有抵抗値が１０15〜１０17Ω・ｃｍで
あるのに対し、窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵
抗値は１０12〜１０14Ω・ｃｍと低いことによる。即
ち、上記窒化アルミニウム質焼結体はプラズマ処理工程
中に加熱されると体積固有抵抗値が１０13Ω・ｃｍ以下
になり、微小な漏れ電流により電荷が発生し、ジョンソ
ン−ラーベック力と呼ばれる静電吸着力が発生するため
に半導体ウェハを吸着してしまうのである。
の常温での体積固有抵抗値が１０15〜１０17Ω・ｃｍで
あるのに対し、窒化アルミニウム質焼結体の体積固有抵
抗値は１０12〜１０14Ω・ｃｍと低いことによる。即
ち、上記窒化アルミニウム質焼結体はプラズマ処理工程
中に加熱されると体積固有抵抗値が１０13Ω・ｃｍ以下
になり、微小な漏れ電流により電荷が発生し、ジョンソ
ン−ラーベック力と呼ばれる静電吸着力が発生するため
に半導体ウェハを吸着してしまうのである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記に鑑みて、本発明
は、ウェハ支持部材を窒化アルミニウム質焼結体で形成
するとともに、ウェハと接触する部位に母材である窒化
アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵
抗層を備えたものである。
は、ウェハ支持部材を窒化アルミニウム質焼結体で形成
するとともに、ウェハと接触する部位に母材である窒化
アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵
抗層を備えたものである。
【０００８】なお、上記高抵抗層は使用時の体積固有抵
抗値が１０13Ω・ｃｍ以上の材質からなり、膜として被
着したりあるいは他部材を固着すれば良い。また、窒化
アルミニウム質焼結体の表面を酸化して形成したアルミ
ナ膜であっても良い。
抗値が１０13Ω・ｃｍ以上の材質からなり、膜として被
着したりあるいは他部材を固着すれば良い。また、窒化
アルミニウム質焼結体の表面を酸化して形成したアルミ
ナ膜であっても良い。
【０００９】
【作用】本発明のウェハ支持部材は、ウェハとの接触部
位が高抵抗層からなるため、ジョンソン−ラーベック力
による吸着を防止し、工程処理後のウェハを容易に外す
ことができる。
位が高抵抗層からなるため、ジョンソン−ラーベック力
による吸着を防止し、工程処理後のウェハを容易に外す
ことができる。
【００１０】また、ウェハ支持部材自体は、耐プラズマ
性の高い窒化アルミニウム質焼結体から成るため、プラ
ズマによって腐食されることがなくパーティクルの発生
を防止できる。
性の高い窒化アルミニウム質焼結体から成るため、プラ
ズマによって腐食されることがなくパーティクルの発生
を防止できる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明をクランプリングに適用した例
について説明する。
について説明する。
【００１２】図１にプラズマエッチング装置の概略図を
示す。シリコン等のウェハ２０をサセプタ２１上に載置
し、その端部をクランプリング１０で押さえつけて固定
する。また、サセプタ２１の下部に備えたプラズマ下部
電極２２と上部に備えたプラズマ上部電極２３間に、高
周波電圧２４を印加してプラズマを発生させ、ウェハ２
０に対してプラズマエッチングを行うようになってい
る。
示す。シリコン等のウェハ２０をサセプタ２１上に載置
し、その端部をクランプリング１０で押さえつけて固定
する。また、サセプタ２１の下部に備えたプラズマ下部
電極２２と上部に備えたプラズマ上部電極２３間に、高
周波電圧２４を印加してプラズマを発生させ、ウェハ２
０に対してプラズマエッチングを行うようになってい
る。
【００１３】また、図２に詳細を示すように、クランプ
リング１０は中央に貫通孔１１を有する板状体で、該貫
通孔１１の周囲に段部１２を有し、この段部１２でウェ
ハ２０の端部を押さえつけて固定するようになってい
る。そして、このクランプリング１０は全体が窒化アル
ニウム質焼結体からなり、上記段部１２の表面のみに高
抵抗層１３を備えている。
リング１０は中央に貫通孔１１を有する板状体で、該貫
通孔１１の周囲に段部１２を有し、この段部１２でウェ
ハ２０の端部を押さえつけて固定するようになってい
る。そして、このクランプリング１０は全体が窒化アル
ニウム質焼結体からなり、上記段部１２の表面のみに高
抵抗層１３を備えている。
【００１４】このクランプリング１０を用いれば、上面
１４はプラズマにさらされることになるが、耐プラズマ
性に優れた窒化アルミニウム質焼結体からなるため、プ
ラズマによる腐食を防止し、パーティクルの発生もなく
長期間使用することができる。また、ウェハ２０と接触
する段部１２は高抵抗層１３からなるため、ジョンソン
−ラーベック力による吸着を防止し、工程終了後にウェ
ハ２０を容易に外すことができる。
１４はプラズマにさらされることになるが、耐プラズマ
性に優れた窒化アルミニウム質焼結体からなるため、プ
ラズマによる腐食を防止し、パーティクルの発生もなく
長期間使用することができる。また、ウェハ２０と接触
する段部１２は高抵抗層１３からなるため、ジョンソン
−ラーベック力による吸着を防止し、工程終了後にウェ
ハ２０を容易に外すことができる。
【００１５】上記高抵抗層１３は、漏れ電流に基づくジ
ョンソン−ラーベック力による吸着を防止するために、
母材である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵
抗値の高い材質により形成する。特に、使用時の温度に
おける体積固有抵抗値が１０13Ω・ｃｍ以上の材質を用
いれば、ジョンソン−ラーベック力による吸着力を無く
すことができる。また耐プラズマ性の点からはＡｌ化合
物であることが好ましい。これらの点から、高抵抗層１
３としては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ等を用いる。
なお、使用時の温度が低ければ高抵抗層１３としてＡｌ
Ｎを用いることもできるが、この場合は、母材よりも体
積固有抵抗値の高いものを用いる。
ョンソン−ラーベック力による吸着を防止するために、
母材である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵
抗値の高い材質により形成する。特に、使用時の温度に
おける体積固有抵抗値が１０13Ω・ｃｍ以上の材質を用
いれば、ジョンソン−ラーベック力による吸着力を無く
すことができる。また耐プラズマ性の点からはＡｌ化合
物であることが好ましい。これらの点から、高抵抗層１
３としては、Ａｌ2 Ｏ3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ等を用いる。
なお、使用時の温度が低ければ高抵抗層１３としてＡｌ
Ｎを用いることもできるが、この場合は、母材よりも体
積固有抵抗値の高いものを用いる。
【００１６】そして、これらの高抵抗層３０は、上記の
材質を膜として被着したり、他部材として固着すること
により形成する。
材質を膜として被着したり、他部材として固着すること
により形成する。
【００１７】膜とする場合は、ＣＶＤ法、ＰＶＤ法等の
周知の手段により所定の場所に被覆すれば良い。
周知の手段により所定の場所に被覆すれば良い。
【００１８】あるいは、母材である窒化アルミニウム質
焼結体を酸化処理することにより、表面のＡｌＮを酸化
させてＡｌ2 Ｏ3 膜を形成することもできる。この場合
は、クランプリング１０を窒化アルミニウム質焼結体で
形成し、酸化処理して全表面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成した
後、上記段部１２以外の表面を研磨してＡｌ2 Ｏ3 膜を
除去すれば、段部１２の表面のみに高抵抗層１３として
Ａｌ2 Ｏ3 膜を有するクランプリング１０を得ることが
できる。
焼結体を酸化処理することにより、表面のＡｌＮを酸化
させてＡｌ2 Ｏ3 膜を形成することもできる。この場合
は、クランプリング１０を窒化アルミニウム質焼結体で
形成し、酸化処理して全表面にＡｌ2 Ｏ3 膜を形成した
後、上記段部１２以外の表面を研磨してＡｌ2 Ｏ3 膜を
除去すれば、段部１２の表面のみに高抵抗層１３として
Ａｌ2 Ｏ3 膜を有するクランプリング１０を得ることが
できる。
【００１９】このように高抵抗層１３を膜で形成する場
合、厚みは２〜３０μｍの範囲が好ましい。これは２μ
ｍ未満では膜の厚みを均一化することが困難であり、３
０μｍを越えると熱膨張差のために剥離する恐れがある
ためである。好適には５〜１５μｍの範囲が好ましい。
合、厚みは２〜３０μｍの範囲が好ましい。これは２μ
ｍ未満では膜の厚みを均一化することが困難であり、３
０μｍを越えると熱膨張差のために剥離する恐れがある
ためである。好適には５〜１５μｍの範囲が好ましい。
【００２０】また、高抵抗層１３として、上記Ａｌ2 Ｏ
3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ等を別途成形し焼成した焼結体を接
着等により固着することもできる。この場合は、高抵抗
体層１３の厚みを２μｍ以上、好ましくは１ｍｍ以上と
すれば良い。
3 、ＡｌＮ、ＡｌＦ等を別途成形し焼成した焼結体を接
着等により固着することもできる。この場合は、高抵抗
体層１３の厚みを２μｍ以上、好ましくは１ｍｍ以上と
すれば良い。
【００２１】なお、クランプリング１０をなす窒化アル
ミニウム質焼結体は、ＡｌＮを主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 、
Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 等の焼結助剤を含有する焼結体
であり、耐プラズマ性に優れ、熱伝導率が極めて高いこ
とから放熱性に優れている。また、ウェハ２０に対する
汚染防止や耐プラズマ性をより高めるために、焼結助剤
を添加せずにＡｌＮを９９重量％以上、好適には９９．
９重量％以上とした高純度窒化アルミニウム質焼結体を
用いることもできる。
ミニウム質焼結体は、ＡｌＮを主成分とし、Ｙ2 Ｏ3 、
Ｙｂ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 等の焼結助剤を含有する焼結体
であり、耐プラズマ性に優れ、熱伝導率が極めて高いこ
とから放熱性に優れている。また、ウェハ２０に対する
汚染防止や耐プラズマ性をより高めるために、焼結助剤
を添加せずにＡｌＮを９９重量％以上、好適には９９．
９重量％以上とした高純度窒化アルミニウム質焼結体を
用いることもできる。
【００２２】また、上記実施例ではクランプリング１０
について述べたが、本発明のウェハ支持部材はクランプ
リング１０のみに限るものではない。例えば、図１にお
けるサセプタ２１を窒化アルミニウム質焼結体で形成
し、その上面に高抵抗層を形成することもできる。ある
いは、図示していないが、ウェハを搬送するためのハド
リングアームやその他のウェハに接触し支持する部材に
本発明を適用することができる。
について述べたが、本発明のウェハ支持部材はクランプ
リング１０のみに限るものではない。例えば、図１にお
けるサセプタ２１を窒化アルミニウム質焼結体で形成
し、その上面に高抵抗層を形成することもできる。ある
いは、図示していないが、ウェハを搬送するためのハド
リングアームやその他のウェハに接触し支持する部材に
本発明を適用することができる。
【００２３】実験例１ 窒素雰囲気下で焼成した板状の窒化アルミニウム質焼結
体を９００〜１３００℃で３時間、大気雰囲気下で酸化
処理し、表面に２〜２０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜を形成し
た。その後、ダイヤモンド砥石によりウェハ接触面以外
の表面を研削加工してＡｌ2 Ｏ3 膜を除去し、段部１２
のみに高抵抗層１３としてのＡｌ2 Ｏ3 膜を有するクラ
ンプリング１０を得た。
体を９００〜１３００℃で３時間、大気雰囲気下で酸化
処理し、表面に２〜２０μｍのＡｌ2 Ｏ3 膜を形成し
た。その後、ダイヤモンド砥石によりウェハ接触面以外
の表面を研削加工してＡｌ2 Ｏ3 膜を除去し、段部１２
のみに高抵抗層１３としてのＡｌ2 Ｏ3 膜を有するクラ
ンプリング１０を得た。
【００２４】半導体製造工程中のプラズマエッチング装
置において、ＣＦ4 ガスを用いた１００℃の条件下でこ
のクランプリング１０を用いて、工程終了後にウェハ２
０とクランプリング１０との吸着力を調べた。なお、１
００℃におけるＡｌ2 Ｏ3 膜の体積固有抵抗値は１０15
Ω・ｃｍである。
置において、ＣＦ4 ガスを用いた１００℃の条件下でこ
のクランプリング１０を用いて、工程終了後にウェハ２
０とクランプリング１０との吸着力を調べた。なお、１
００℃におけるＡｌ2 Ｏ3 膜の体積固有抵抗値は１０15
Ω・ｃｍである。
【００２５】結果は表１に示す通り、Ａｌ2 Ｏ3 膜の無
いものでは０．１ｇ／ｃｍ2 以上のウェハ吸着力が生
じ、ウェハ２０の剥離が困難であったのに対し、厚み２
μｍ以上のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成したものはウェハ吸着力
を低下させられ、容易にウェハ２０を外せることがわか
った。これは、上述したように、Ａｌ2 Ｏ3 膜の体積固
有抵抗値が高いために漏れ電流が生じにくく、ジョンソ
ン−ラーベック力による吸着力が生じなかったものと考
えられる。
いものでは０．１ｇ／ｃｍ2 以上のウェハ吸着力が生
じ、ウェハ２０の剥離が困難であったのに対し、厚み２
μｍ以上のＡｌ2 Ｏ3 膜を形成したものはウェハ吸着力
を低下させられ、容易にウェハ２０を外せることがわか
った。これは、上述したように、Ａｌ2 Ｏ3 膜の体積固
有抵抗値が高いために漏れ電流が生じにくく、ジョンソ
ン−ラーベック力による吸着力が生じなかったものと考
えられる。
【００２６】
【表１】
【００２７】実験例２ 図２に示すクランプリング１０の段部１２に、ＣＶＤ法
によってＡｌＮの膜を厚み１０μｍに形成して高抵抗層
１３とした。成膜条件を変化させ、さらに得られた膜の
使用時の温度を変化させることによって、使用時の体積
固有抵抗値とウェハ吸着力との関係を調べた。
によってＡｌＮの膜を厚み１０μｍに形成して高抵抗層
１３とした。成膜条件を変化させ、さらに得られた膜の
使用時の温度を変化させることによって、使用時の体積
固有抵抗値とウェハ吸着力との関係を調べた。
【００２８】それぞれについて、実験例１と同じ評価を
行った結果は表２に示す通りである。この結果より、高
抵抗層１３の使用時の体積固有抵抗値が１０11Ω・ｃｍ
と低い場合はウェハ２０を吸着してしまうが、体積固有
抵抗値を１０13Ω・ｃｍ以上にすればウェハの吸着を防
止できることがわかる。
行った結果は表２に示す通りである。この結果より、高
抵抗層１３の使用時の体積固有抵抗値が１０11Ω・ｃｍ
と低い場合はウェハ２０を吸着してしまうが、体積固有
抵抗値を１０13Ω・ｃｍ以上にすればウェハの吸着を防
止できることがわかる。
【００２９】
【表２】
【００３０】実験例３ 次に、高抵抗層１３として、厚み２ｍｍのアルミナ焼結
体をエポキシ樹脂にて接着して本発明のクランプリング
１０を製造した。上記と同様の評価を行ったところ、ウ
ェハ２０の吸着はなく、吸着力は０ｇ／ｃｍ2 であっ
た。
体をエポキシ樹脂にて接着して本発明のクランプリング
１０を製造した。上記と同様の評価を行ったところ、ウ
ェハ２０の吸着はなく、吸着力は０ｇ／ｃｍ2 であっ
た。
【００３１】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、ウェハ
支持部材を窒化アルミニウム質焼結体により形成すると
ともに、半導体ウェハとの接触部位に母材である窒化ア
ルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵抗
層を備えたことによって、ウェハとの接触部位が高抵抗
層からなるために、ジョンソン−ラーベック力による静
電吸着を防止し、工程終了後にウェハを容易に外すこと
ができる。そのために、ウェハの処理能力が向上し、不
純物の混入も防止できる。
支持部材を窒化アルミニウム質焼結体により形成すると
ともに、半導体ウェハとの接触部位に母材である窒化ア
ルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値の高い高抵抗
層を備えたことによって、ウェハとの接触部位が高抵抗
層からなるために、ジョンソン−ラーベック力による静
電吸着を防止し、工程終了後にウェハを容易に外すこと
ができる。そのために、ウェハの処理能力が向上し、不
純物の混入も防止できる。
【００３２】また、ウェハ支持部材の母材は窒化アルミ
ニウム質焼結体からなるため、耐プラズマ性に優れるこ
とからパーティクルの発生もなく長期間良好に使用で
き、さらに放熱性も優れるなど、さまざまな特長を持っ
たウェハ支持部材を提供できる。
ニウム質焼結体からなるため、耐プラズマ性に優れるこ
とからパーティクルの発生もなく長期間良好に使用で
き、さらに放熱性も優れるなど、さまざまな特長を持っ
たウェハ支持部材を提供できる。
【図１】本発明のウェハ支持部材の一実施例であるクラ
ンプリングを用いたプラズマエッチング装置を示す概略
図である。
ンプリングを用いたプラズマエッチング装置を示す概略
図である。
【図２】本発明のウェハ支持部材の一実施例であるクラ
ンプリングを示す断面図である。
ンプリングを示す断面図である。
１０：クランプリング １１：貫通孔 １２：段部 １３：高抵抗層 １４：上面 ２０：ウェハ ２１：サセプタ
Claims (3)
- 【請求項１】半導体装置の製造工程中に半導体ウェハを
支持する部材であって、窒化アルミニウム質焼結体によ
り形成するとともに、半導体ウェハとの接触部位に母材
である窒化アルミニウム質焼結体よりも体積固有抵抗値
の高い高抵抗層を備えてなるウェハ支持部材。 - 【請求項２】上記高抵抗層は、使用時における体積固有
抵抗値が１０13Ω・ｃｍ以上であることを特徴とする請
求項１記載のウェハ支持部材。 - 【請求項３】上記高抵抗層は、母材の窒化アルミニウム
質焼結体を酸化して得られたアルミナ膜、または成膜で
形成したＡｌ化合物膜であることを特徴とする請求項１
記載のウェハ支持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23543994A JP3393714B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クランプリング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23543994A JP3393714B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クランプリング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0897272A true JPH0897272A (ja) | 1996-04-12 |
| JP3393714B2 JP3393714B2 (ja) | 2003-04-07 |
Family
ID=16986133
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23543994A Expired - Fee Related JP3393714B2 (ja) | 1994-09-29 | 1994-09-29 | クランプリング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3393714B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6204489B1 (en) * | 1998-01-09 | 2001-03-20 | Ngk Insulators, Ltd. | Electrically heated substrate with multiple ceramic parts each having different volume restivities |
| JP2005210077A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-08-04 | Ngk Insulators Ltd | 静電チャック及びその製造方法並びにアルミナ焼結部材及びその製造方法 |
| EP1876641A1 (fr) * | 2006-07-07 | 2008-01-09 | Alcatel Lucent | Réacteur à plasma avec porte-substrat mécanique |
| JP2014154866A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Fujifilm Corp | ドライエッチング装置及びドライエッチング装置用のクランプ |
| JP2014225579A (ja) * | 2013-05-16 | 2014-12-04 | 株式会社アルバック | ドライエッチング装置及び方法 |
-
1994
- 1994-09-29 JP JP23543994A patent/JP3393714B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP2014154866A (ja) * | 2013-02-14 | 2014-08-25 | Fujifilm Corp | ドライエッチング装置及びドライエッチング装置用のクランプ |
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| JP3393714B2 (ja) | 2003-04-07 |
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