JP2003152065A - 静電チャック及びその製造方法 - Google Patents
静電チャック及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 漏れ電流が小さく、静電吸着力が載置される
板状試料の種類により変動するおそれがなく、直流電圧
の印加を中止した後においても板状試料の脱離性が良好
であり、さらに、耐プラズマ性が大幅に改善されて、腐
食性ガスに対する耐性も良好な静電チャック及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の静電チャック１は、上面が板状
試料を載置する載置面２ａとされた第１の絶縁部材２
と、この第１の絶縁部材２の下面２ｂ側に対向配置され
た第２の絶縁部材３と、第１の絶縁部材２と第２の絶縁
部材３との間に挟持された内部電極４とを備え、第１の
絶縁部材２を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスとし、
かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固
有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとした
ことを特徴とする。
板状試料の種類により変動するおそれがなく、直流電圧
の印加を中止した後においても板状試料の脱離性が良好
であり、さらに、耐プラズマ性が大幅に改善されて、腐
食性ガスに対する耐性も良好な静電チャック及びその製
造方法を提供する。 【解決手段】 本発明の静電チャック１は、上面が板状
試料を載置する載置面２ａとされた第１の絶縁部材２
と、この第１の絶縁部材２の下面２ｂ側に対向配置され
た第２の絶縁部材３と、第１の絶縁部材２と第２の絶縁
部材３との間に挟持された内部電極４とを備え、第１の
絶縁部材２を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスとし、
かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固
有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとした
ことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、静電チャック及び
その製造方法に関し、特に、半導体装置、液晶装置、ハ
イブリッドＩＣ等の製造ラインにおいて用いられる半導
体ウエハ、金属ウエハ、ガラス基板等の板状試料を静電
気力を利用して固定する際に用いて好適な静電チャック
及びその製造方法に関するものである。
その製造方法に関し、特に、半導体装置、液晶装置、ハ
イブリッドＩＣ等の製造ラインにおいて用いられる半導
体ウエハ、金属ウエハ、ガラス基板等の板状試料を静電
気力を利用して固定する際に用いて好適な静電チャック
及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体装置、液晶装置、ハイブリ
ッドＩＣ等の製造ラインにおいては、シリコンウエハ等
の半導体ウエハ、銅薄板等の金属ウエハ、ガラス板等の
板状試料を固定するために、例えば、これらの板状試料
を減圧力を利用して物理的に吸着して固定することが可
能な真空チャック、あるいはこれらの板状試料を機械的
に固定することが可能なクランプが用いられている。
ッドＩＣ等の製造ラインにおいては、シリコンウエハ等
の半導体ウエハ、銅薄板等の金属ウエハ、ガラス板等の
板状試料を固定するために、例えば、これらの板状試料
を減圧力を利用して物理的に吸着して固定することが可
能な真空チャック、あるいはこれらの板状試料を機械的
に固定することが可能なクランプが用いられている。
【０００３】しかしながら、従来の真空チャックでは、
真空条件下では外部雰囲気と真空チャックとの間に圧力
差がないために、板状試料を固定することができないと
いう問題点があった。また、従来のクランプでは、クラ
ンプが板状試料に接触する箇所をデバイスとして使用す
ることができない、板状試料に部分的に歪みを生じさせ
る、クランプの昇降によってパーティクルが発生する等
の問題点があった。
真空条件下では外部雰囲気と真空チャックとの間に圧力
差がないために、板状試料を固定することができないと
いう問題点があった。また、従来のクランプでは、クラ
ンプが板状試料に接触する箇所をデバイスとして使用す
ることができない、板状試料に部分的に歪みを生じさせ
る、クランプの昇降によってパーティクルが発生する等
の問題点があった。
【０００４】そこで、これらの問題点を解決するため
に、静電気力を利用して板状試料を固定することが可能
な静電チャックが提案されている。この静電チャック
は、薄厚の円形状の内部電極と、この内部電極を挟持し
て対向配置された一対の絶縁部材とを主体として構成さ
れたもので、一対の絶縁部材のうち一方の絶縁部材の載
置面に板状試料を載置し、前記内部電極に所定の直流電
圧を印加することにより、静電気力を利用して前記板状
試料を前記載置面上に固定することが可能な構造となっ
ている。
に、静電気力を利用して板状試料を固定することが可能
な静電チャックが提案されている。この静電チャック
は、薄厚の円形状の内部電極と、この内部電極を挟持し
て対向配置された一対の絶縁部材とを主体として構成さ
れたもので、一対の絶縁部材のうち一方の絶縁部材の載
置面に板状試料を載置し、前記内部電極に所定の直流電
圧を印加することにより、静電気力を利用して前記板状
試料を前記載置面上に固定することが可能な構造となっ
ている。
【０００５】この静電チャックには、用いる静電気力の
違いにより２種類のタイプがある。１つのタイプは、静
電気力としてジョンソン・ラーベック力を用いた静電チ
ャック（以下、ジョンソン・ラーベック型静電チャック
と称する）であり、他のタイプは、静電気力としてクー
ロン力を用いた静電チャック（以下、クーロン型静電チ
ャックと称する）である。
違いにより２種類のタイプがある。１つのタイプは、静
電気力としてジョンソン・ラーベック力を用いた静電チ
ャック（以下、ジョンソン・ラーベック型静電チャック
と称する）であり、他のタイプは、静電気力としてクー
ロン力を用いた静電チャック（以下、クーロン型静電チ
ャックと称する）である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したジ
ョンソン・ラーベック型静電チャックにおいては、漏れ
電流が大きいという問題点、静電吸着力が板状試料の種
類によって変動するという問題点、直流電圧の印加を中
止した後においても、板状試料の脱離性が良好でないと
いう問題点があった。
ョンソン・ラーベック型静電チャックにおいては、漏れ
電流が大きいという問題点、静電吸着力が板状試料の種
類によって変動するという問題点、直流電圧の印加を中
止した後においても、板状試料の脱離性が良好でないと
いう問題点があった。
【０００７】一方、クーロン型静電チャックは、漏れ電
流が小さく、静電吸着力が板状試料の種類により変動す
ることが少なく、直流電圧の印加を中止した後において
も板状試料の脱離性が良好であるという特徴があるもの
の、プラズマクリーニング等を施す場合に、吸着面のチ
ャージアップが生じ易いために、このチャージアップに
伴う大きなプラズマ痕が発生し易く、腐食性ガスに対す
る耐性が十分でないという問題点があった。
流が小さく、静電吸着力が板状試料の種類により変動す
ることが少なく、直流電圧の印加を中止した後において
も板状試料の脱離性が良好であるという特徴があるもの
の、プラズマクリーニング等を施す場合に、吸着面のチ
ャージアップが生じ易いために、このチャージアップに
伴う大きなプラズマ痕が発生し易く、腐食性ガスに対す
る耐性が十分でないという問題点があった。
【０００８】本発明は、上記の課題を解決するためにな
されたものであって、漏れ電流が小さく、静電吸着力が
載置される板状試料の種類により変動するおそれがな
く、直流電圧の印加を中止した後においても板状試料の
脱離性が良好であり、さらに、耐プラズマ性が大幅に改
善されて、腐食性ガスに対する耐性も良好な静電チャッ
ク及びその製造方法を提供することを目的とする。
されたものであって、漏れ電流が小さく、静電吸着力が
載置される板状試料の種類により変動するおそれがな
く、直流電圧の印加を中止した後においても板状試料の
脱離性が良好であり、さらに、耐プラズマ性が大幅に改
善されて、腐食性ガスに対する耐性も良好な静電チャッ
ク及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は、上述した従
来の技術が有する問題点を解決すべく種々な検討を行っ
た結果、少なくとも板状試料を載置する側の絶縁部材を
炭化珪素と酸化アルミニウムとを主成分とする特定の複
合セラミックスで構成し、その体積固有抵抗値を、−２
００℃〜２００℃の温度範囲内で特定範囲内とすること
により、上記の問題点を効率よく解決し得ることを知見
し、本発明の静電チャック及びその製造方法を完成する
に至った。
来の技術が有する問題点を解決すべく種々な検討を行っ
た結果、少なくとも板状試料を載置する側の絶縁部材を
炭化珪素と酸化アルミニウムとを主成分とする特定の複
合セラミックスで構成し、その体積固有抵抗値を、−２
００℃〜２００℃の温度範囲内で特定範囲内とすること
により、上記の問題点を効率よく解決し得ることを知見
し、本発明の静電チャック及びその製造方法を完成する
に至った。
【００１０】すなわち、本発明の静電チャックは、一主
面が板状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材
と、該第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された
第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶
縁部材との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャ
ックであって、前記第１の絶縁部材は、１重量％〜４重
量％の炭化珪素（ＳｉＣ）と、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）とを主成分とした複合セラミックスからなり、か
つ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固有
抵抗値は１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍであるこ
とを特徴とする。
面が板状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材
と、該第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された
第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶
縁部材との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャ
ックであって、前記第１の絶縁部材は、１重量％〜４重
量％の炭化珪素（ＳｉＣ）と、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）とを主成分とした複合セラミックスからなり、か
つ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固有
抵抗値は１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍであるこ
とを特徴とする。
【００１１】この静電チャックでは、前記第１の絶縁部
材を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化アルミニ
ウムとを主成分とした複合セラミックスとし、かつ、−
２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固有抵抗値
を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとしたことによ
り、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジョンソン・
ラーベック力よりもクーロン力が支配的となり、プラズ
マ処理を施す際においても吸着面のチャージアップが生
じ難くなり、耐プラズマ性が大幅に向上し、腐食性ガス
に対する耐性も向上する。
材を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化アルミニ
ウムとを主成分とした複合セラミックスとし、かつ、−
２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固有抵抗値
を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとしたことによ
り、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジョンソン・
ラーベック力よりもクーロン力が支配的となり、プラズ
マ処理を施す際においても吸着面のチャージアップが生
じ難くなり、耐プラズマ性が大幅に向上し、腐食性ガス
に対する耐性も向上する。
【００１２】本発明の他の静電チャックは、一主面が板
状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材と、該
第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された第２の
絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶縁部材
との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャックで
あって、前記第１の絶縁部材は、表面に絶縁性物質が形
成された炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とし
た複合セラミックスからなり、かつ、−２００℃〜２０
０℃の温度範囲における体積固有抵抗値は１×１０14Ω
ｃｍ〜１×１０16Ωｃｍであることを特徴とする。
状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材と、該
第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された第２の
絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶縁部材
との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャックで
あって、前記第１の絶縁部材は、表面に絶縁性物質が形
成された炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とし
た複合セラミックスからなり、かつ、−２００℃〜２０
０℃の温度範囲における体積固有抵抗値は１×１０14Ω
ｃｍ〜１×１０16Ωｃｍであることを特徴とする。
【００１３】この静電チャックでは、前記第１の絶縁部
材を、表面に絶縁性物質が形成された炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスとし、
かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固
有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとした
ことにより、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジョ
ンソン・ラーベック力よりもクーロン力が支配的とな
り、プラズマ処理を施す際においても吸着面のチャージ
アップが生じ難くなり、耐プラズマ性が大幅に向上し、
腐食性ガスに対する耐性も向上する。
材を、表面に絶縁性物質が形成された炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスとし、
かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体積固
有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍとした
ことにより、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジョ
ンソン・ラーベック力よりもクーロン力が支配的とな
り、プラズマ処理を施す際においても吸着面のチャージ
アップが生じ難くなり、耐プラズマ性が大幅に向上し、
腐食性ガスに対する耐性も向上する。
【００１４】これらの静電チャックにおいては、前記第
２の絶縁部材は、十分な絶縁性を有し、機械的強度、耐
プラズマ性、耐熱性に優れたものであればよく、第１の
絶縁部材と異なる構造のものであっても良いが、前記第
１の絶縁部材と同等の特性を有する点、及び前記第１の
絶縁部材と同時に作製することで静電チャックの製造工
程を簡略化することができる点を考慮すると、第２の絶
縁部材も第１の絶縁部材と同一の構造を有する複合セラ
ミックスにより構成することが好ましい。
２の絶縁部材は、十分な絶縁性を有し、機械的強度、耐
プラズマ性、耐熱性に優れたものであればよく、第１の
絶縁部材と異なる構造のものであっても良いが、前記第
１の絶縁部材と同等の特性を有する点、及び前記第１の
絶縁部材と同時に作製することで静電チャックの製造工
程を簡略化することができる点を考慮すると、第２の絶
縁部材も第１の絶縁部材と同一の構造を有する複合セラ
ミックスにより構成することが好ましい。
【００１５】これにより、第２の絶縁部材も、第１の絶
縁部材と同様、ハロゲンガス等の腐食性ガスに対する耐
腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性に優れ、高い強
度及び硬度を有し、耐熱性、耐熱衝撃性に優れたものと
することができる。これらの静電チャックで、炭化珪素
（ＳｉＣ）と酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とを主成分
とした複合セラミックスとは、炭化珪素と酸化アルミニ
ウムとを合わせて９８重量％以上含有した複合セラミッ
クスである。
縁部材と同様、ハロゲンガス等の腐食性ガスに対する耐
腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性に優れ、高い強
度及び硬度を有し、耐熱性、耐熱衝撃性に優れたものと
することができる。これらの静電チャックで、炭化珪素
（ＳｉＣ）と酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とを主成分
とした複合セラミックスとは、炭化珪素と酸化アルミニ
ウムとを合わせて９８重量％以上含有した複合セラミッ
クスである。
【００１６】前記炭化珪素の表面に形成された絶縁性物
質は、ムライト系物質が好ましい。このムライト系物質
の厚みは０．２μｍ以下であることが好ましい。ここ
で、ムライト系物質とは、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓ
ｉＯ2）の他、酸化アルミニウムとムライトとの固溶体
またはガラス状物質、もしくは二酸化珪素（ＳｉＯ2）
とムライトとの固溶体またはガラス状物質を総称するも
のである。
質は、ムライト系物質が好ましい。このムライト系物質
の厚みは０．２μｍ以下であることが好ましい。ここ
で、ムライト系物質とは、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２Ｓ
ｉＯ2）の他、酸化アルミニウムとムライトとの固溶体
またはガラス状物質、もしくは二酸化珪素（ＳｉＯ2）
とムライトとの固溶体またはガラス状物質を総称するも
のである。
【００１７】前記複合セラミックス中における酸化アル
ミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下であることが好
ましい。その理由は、酸化アルミニウム粒子の平均粒子
径が２μｍを越えると、第１の絶縁部材がプラズマによ
りエッチングされ易くなり、この第１の絶縁部材の載置
面にスパッタ痕が形成されて表面粗さが大きくなり、静
電吸着力が低下するからである。
ミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下であることが好
ましい。その理由は、酸化アルミニウム粒子の平均粒子
径が２μｍを越えると、第１の絶縁部材がプラズマによ
りエッチングされ易くなり、この第１の絶縁部材の載置
面にスパッタ痕が形成されて表面粗さが大きくなり、静
電吸着力が低下するからである。
【００１８】前記複合セラミックス中における炭化珪素
粒子の平均粒子径は１μｍ以下であることが好ましく、
より好ましくは０．５μｍ以下である。その理由は、炭
化珪素粒子の平均粒子径が１μｍを越えると、炭化珪素
粒子を添加したことによる第１の絶縁部材の強度向上の
効果が小さくなるためであり、また、プラズマ照射時の
電場が半導性を有する炭化珪素粒子の部分に集中し易く
なり、炭化珪素粒子の周辺が損傷を受けるおそれがある
からである。
粒子の平均粒子径は１μｍ以下であることが好ましく、
より好ましくは０．５μｍ以下である。その理由は、炭
化珪素粒子の平均粒子径が１μｍを越えると、炭化珪素
粒子を添加したことによる第１の絶縁部材の強度向上の
効果が小さくなるためであり、また、プラズマ照射時の
電場が半導性を有する炭化珪素粒子の部分に集中し易く
なり、炭化珪素粒子の周辺が損傷を受けるおそれがある
からである。
【００１９】前記複合セラミックス中における炭化珪素
粒子の少なくとも一部は、酸化アルミニウム粒子の内部
に存在していることが好ましい。その理由は、少なくと
も一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の内部に
存在していると、第１の絶縁部材の絶縁性が高まるとと
もに、酸化アルミニウムの粒成長が抑制され、表面が平
滑でポアも少なくなり、仮にポアが存在してもその径が
小さく、良好な表面状態が得られるからである。
粒子の少なくとも一部は、酸化アルミニウム粒子の内部
に存在していることが好ましい。その理由は、少なくと
も一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の内部に
存在していると、第１の絶縁部材の絶縁性が高まるとと
もに、酸化アルミニウムの粒成長が抑制され、表面が平
滑でポアも少なくなり、仮にポアが存在してもその径が
小さく、良好な表面状態が得られるからである。
【００２０】本発明の静電チャックの製造方法は、一主
面が板状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材
と、該第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された
第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶
縁部材との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャ
ックの製造方法であって、前記第１の絶縁部材または前
記第２の絶縁部材、またはこれら双方を作製する工程
は、炭化珪素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ
所定量秤量し、これらを超高圧粉砕分散法により混合す
る混合工程と、得られた混合粉末を加圧しながら焼成
し、複合セラミックスとする加圧焼成工程を備えている
ことを特徴とする。
面が板状試料を載置する載置面とされた第１の絶縁部材
と、該第１の絶縁部材の他の一主面側に対向配置された
第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁部材と前記第２の絶
縁部材との間に挟持された内部電極とを備えた静電チャ
ックの製造方法であって、前記第１の絶縁部材または前
記第２の絶縁部材、またはこれら双方を作製する工程
は、炭化珪素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ
所定量秤量し、これらを超高圧粉砕分散法により混合す
る混合工程と、得られた混合粉末を加圧しながら焼成
し、複合セラミックスとする加圧焼成工程を備えている
ことを特徴とする。
【００２１】この静電チャックの製造方法では、炭化珪
素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ所定量秤量
し、これらを超高圧粉砕分散法により混合することによ
り、炭化珪素粉末が少量であっても容易に均一分散が成
され、組成の均一性に優れた混合粉末が得られる。これ
により、この混合粉末を加圧・焼成すれば、粒子の異常
粒成長もなく、分散剤に起因する炭素あるいは各種金属
不純物等の不純物の混入もなく、組成の均一性に優れた
複合セラミックスを得ることが可能になる。この複合セ
ラミックスは、ハロゲンガス等の腐食性ガスに対する耐
腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性、機械的強度、
硬度、耐熱性、耐熱衝撃性等の諸特性について極めて優
れたものになる。
素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ所定量秤量
し、これらを超高圧粉砕分散法により混合することによ
り、炭化珪素粉末が少量であっても容易に均一分散が成
され、組成の均一性に優れた混合粉末が得られる。これ
により、この混合粉末を加圧・焼成すれば、粒子の異常
粒成長もなく、分散剤に起因する炭素あるいは各種金属
不純物等の不純物の混入もなく、組成の均一性に優れた
複合セラミックスを得ることが可能になる。この複合セ
ラミックスは、ハロゲンガス等の腐食性ガスに対する耐
腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性、機械的強度、
硬度、耐熱性、耐熱衝撃性等の諸特性について極めて優
れたものになる。
【００２２】前記炭化珪素粉末は、酸化性雰囲気中にて
熱処理することにより、その表面に二酸化珪素を含む被
膜を形成するのが好ましい。表面に二酸化珪素を含む被
膜を形成することにより、本来半導体である炭化珪素粉
末の表面が絶縁体である二酸化珪素で被覆されることと
なり、複合セラミックスの絶縁性が高まる。
熱処理することにより、その表面に二酸化珪素を含む被
膜を形成するのが好ましい。表面に二酸化珪素を含む被
膜を形成することにより、本来半導体である炭化珪素粉
末の表面が絶縁体である二酸化珪素で被覆されることと
なり、複合セラミックスの絶縁性が高まる。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明の静電チャック及びその製
造方法の各実施の形態について説明する。なお、本実施
の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体
的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明
を限定するものではない。
造方法の各実施の形態について説明する。なお、本実施
の形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体
的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明
を限定するものではない。
【００２４】［第１の実施形態］図１は、本発明の第１
の実施形態の静電チャックを示す平面図、図２は同横断
面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、円板
状の静電チャックの例である。この静電チャック１は、
上面（一主面）が半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス基
板等の板状試料を載置する載置面２ａとされた第１の絶
縁部材２と、第１の絶縁部材２の下面（他の一主面）２
ｂ側に対向配置された第２の絶縁部材３と、これら第１
の絶縁部材２と第２の絶縁部材３との間に挟持された内
部電極４とを主体として構成されている。
の実施形態の静電チャックを示す平面図、図２は同横断
面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、円板
状の静電チャックの例である。この静電チャック１は、
上面（一主面）が半導体ウエハ、金属ウエハ、ガラス基
板等の板状試料を載置する載置面２ａとされた第１の絶
縁部材２と、第１の絶縁部材２の下面（他の一主面）２
ｂ側に対向配置された第２の絶縁部材３と、これら第１
の絶縁部材２と第２の絶縁部材３との間に挟持された内
部電極４とを主体として構成されている。
【００２５】これら第１の絶縁部材２と第２の絶縁部材
３とは、これらの間かつ内部電極４の外側の領域に設け
られた絶縁性の接合層５と、内部電極４とを介して気密
に接合されている。これら第１の絶縁部材２、第２の絶
縁部材３及び内部電極４には、静電吸着された板状試料
を脱着するために、下方から板状試料を押圧する押圧部
材（図示略）を挿通させるための貫通孔６が、これらを
貫通して形成されている。
３とは、これらの間かつ内部電極４の外側の領域に設け
られた絶縁性の接合層５と、内部電極４とを介して気密
に接合されている。これら第１の絶縁部材２、第２の絶
縁部材３及び内部電極４には、静電吸着された板状試料
を脱着するために、下方から板状試料を押圧する押圧部
材（図示略）を挿通させるための貫通孔６が、これらを
貫通して形成されている。
【００２６】また、第２の絶縁部材３及び内部電極４に
は、前記貫通孔６と異なる位置に、これらを貫通する貫
通孔７が形成され、この貫通孔７には、内部電極４に直
流電圧を印加するための取り出し電極８が装填され、こ
の取り出し電極８の上端部は内部電極４と接合され、電
気的に接続されている。
は、前記貫通孔６と異なる位置に、これらを貫通する貫
通孔７が形成され、この貫通孔７には、内部電極４に直
流電圧を印加するための取り出し電極８が装填され、こ
の取り出し電極８の上端部は内部電極４と接合され、電
気的に接続されている。
【００２７】第１の絶縁部材２は、１重量％〜４重量％
の炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とした複合
セラミックスにより構成されている。この第１の絶縁部
材２の板状試料を載置する載置面２ａの表面粗さＲａは
０．１Ｓ以下とされている。第２の絶縁部材３は、第１
の絶縁部材２と同等の特性を有する点、及び第１の絶縁
部材２と同時に作製することができる点を考慮すると、
第１の絶縁部材２と同一の構造を有する複合セラミック
スにより構成することが好ましい。
の炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とした複合
セラミックスにより構成されている。この第１の絶縁部
材２の板状試料を載置する載置面２ａの表面粗さＲａは
０．１Ｓ以下とされている。第２の絶縁部材３は、第１
の絶縁部材２と同等の特性を有する点、及び第１の絶縁
部材２と同時に作製することができる点を考慮すると、
第１の絶縁部材２と同一の構造を有する複合セラミック
スにより構成することが好ましい。
【００２８】この複合セラミックス中における酸化アル
ミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下、炭化珪素粒子
の平均粒子径は１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされている。この複合セラミックスにおいては、
少なくとも一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子
の粒内に存在していることが望ましい。また、アルミニ
ウム（Ａｌ）及び珪素（Ｓｉ）以外の金属不純物の含有
量が０．１重量％以下となっていることが望ましい。
ミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下、炭化珪素粒子
の平均粒子径は１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされている。この複合セラミックスにおいては、
少なくとも一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子
の粒内に存在していることが望ましい。また、アルミニ
ウム（Ａｌ）及び珪素（Ｓｉ）以外の金属不純物の含有
量が０．１重量％以下となっていることが望ましい。
【００２９】複合セラミックス中の少量の不純物は許容
されるものであるが、特に、板状試料が半導体装置の製
造工程に用いるものである場合、遷移金属元素やアルカ
リ金属等の不純物があると、この不純物に起因して半導
体装置の製造工程におけるライフタイムおよびゲート電
圧が低下するおそれがある。また、アルミニウム、珪素
以外の金属不純物の含有量が０．１重量％を越えると、
ウエハ等の板状試料を汚染する可能性が高くなるととも
に、第１の絶縁部材２の電気抵抗の温度依存性が大きく
なる。
されるものであるが、特に、板状試料が半導体装置の製
造工程に用いるものである場合、遷移金属元素やアルカ
リ金属等の不純物があると、この不純物に起因して半導
体装置の製造工程におけるライフタイムおよびゲート電
圧が低下するおそれがある。また、アルミニウム、珪素
以外の金属不純物の含有量が０．１重量％を越えると、
ウエハ等の板状試料を汚染する可能性が高くなるととも
に、第１の絶縁部材２の電気抵抗の温度依存性が大きく
なる。
【００３０】この第１の絶縁部材２の−２００℃〜２０
０℃の温度範囲における体積固有抵抗値は１×１０14Ω
ｃｍ〜１×１０16Ωｃｍである。この温度範囲内におい
ては、発揮される静電気力としてはクーロン力が支配的
となり、また、体積固有抵抗値（または電気伝導度）の
温度依存性が小さく、しかも、ハロゲンガス等の腐食性
ガスに対する耐腐食性、発生するプラズマに対する耐プ
ラズマ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱
性、耐熱衝撃性に優れたものとなっている。
０℃の温度範囲における体積固有抵抗値は１×１０14Ω
ｃｍ〜１×１０16Ωｃｍである。この温度範囲内におい
ては、発揮される静電気力としてはクーロン力が支配的
となり、また、体積固有抵抗値（または電気伝導度）の
温度依存性が小さく、しかも、ハロゲンガス等の腐食性
ガスに対する耐腐食性、発生するプラズマに対する耐プ
ラズマ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱
性、耐熱衝撃性に優れたものとなっている。
【００３１】また、第２の絶縁部材３も第１の絶縁部材
２と同様の構成とすることにより、ハロゲンガス等の腐
食性ガスに対する耐腐食性、プラズマに対する耐プラズ
マ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱性、
耐熱衝撃性に優れたものとなる。
２と同様の構成とすることにより、ハロゲンガス等の腐
食性ガスに対する耐腐食性、プラズマに対する耐プラズ
マ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱性、
耐熱衝撃性に優れたものとなる。
【００３２】以上により、この静電チャック１は、第１
の絶縁部材２の載置面２ａ上に半導体ウエハ、金属ウエ
ハ、ガラス基板等の板状試料を載置し、内部電極４に所
定の直流電圧を印加することにより、クーロン力を利用
して前記板状試料を固定することが可能な構造となって
いる。
の絶縁部材２の載置面２ａ上に半導体ウエハ、金属ウエ
ハ、ガラス基板等の板状試料を載置し、内部電極４に所
定の直流電圧を印加することにより、クーロン力を利用
して前記板状試料を固定することが可能な構造となって
いる。
【００３３】次に、本実施形態の静電チャック１の製造
方法について説明する。ここでは、まず、第１の絶縁部
材２、第２の絶縁部材３の作製方法について説明し、次
いで、得られた第１の絶縁部材２と第２の絶縁部材３を
用いて静電チャック１を作製する方法について説明す
る。
方法について説明する。ここでは、まず、第１の絶縁部
材２、第２の絶縁部材３の作製方法について説明し、次
いで、得られた第１の絶縁部材２と第２の絶縁部材３を
用いて静電チャック１を作製する方法について説明す
る。
【００３４】（１）第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部
材３の作製 これら第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部材３を製造す
るに際しては、炭化珪素粒子の原料粉末としては、平均
粒子径が０．５μｍ以下の炭化珪素粉末を用いることが
以下の理由により好ましい。平均粒子径が０．５μｍを
越える炭化珪素粉末を用いて作製された複合セラミック
スは、炭化珪素粒子の平均粒子径が１μｍを超えてしま
い、炭化珪素粒子の添加による第１の絶縁部材２、第２
の絶縁部材３の機械的強度を向上させるという効果が小
さくなる。
材３の作製 これら第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部材３を製造す
るに際しては、炭化珪素粒子の原料粉末としては、平均
粒子径が０．５μｍ以下の炭化珪素粉末を用いることが
以下の理由により好ましい。平均粒子径が０．５μｍを
越える炭化珪素粉末を用いて作製された複合セラミック
スは、炭化珪素粒子の平均粒子径が１μｍを超えてしま
い、炭化珪素粒子の添加による第１の絶縁部材２、第２
の絶縁部材３の機械的強度を向上させるという効果が小
さくなる。
【００３５】また、平均粒子径が０．５μｍを越える炭
化珪素粉末を用いて作製された複合セラミックスからな
る第１の絶縁部材２は、プラズマに曝されたときに、電
場が半導体である炭化珪素粒子部分に集中して大きな損
傷を受け易くなり、プラズマ損傷後の静電吸着力が低下
するおそれがある。また、炭化珪素粉末の平均粒子径が
小さい程、複合セラミックス中においては炭化珪素粒子
が酸化アルミニウム粒子の内部に形成され易くなる。
化珪素粉末を用いて作製された複合セラミックスからな
る第１の絶縁部材２は、プラズマに曝されたときに、電
場が半導体である炭化珪素粒子部分に集中して大きな損
傷を受け易くなり、プラズマ損傷後の静電吸着力が低下
するおそれがある。また、炭化珪素粉末の平均粒子径が
小さい程、複合セラミックス中においては炭化珪素粒子
が酸化アルミニウム粒子の内部に形成され易くなる。
【００３６】第１の絶縁部材２の原料として用いられる
炭化珪素粉末としては、プラズマＣＶＤ法により作製さ
れた炭化珪素粉末が好ましく、特に、非酸化性雰囲気の
プラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化
水素とを含む原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧
未満から１．３３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の範囲
で制御しつつ気相反応させることで作製された、平均粒
子径０．１μｍ以下の炭化珪素超微粉末が好ましい。
炭化珪素粉末としては、プラズマＣＶＤ法により作製さ
れた炭化珪素粉末が好ましく、特に、非酸化性雰囲気の
プラズマ中にシラン化合物またはハロゲン化珪素と炭化
水素とを含む原料ガスを導入し、反応系の圧力を１気圧
未満から１．３３×１０Ｐａ（０．１Ｔｏｒｒ）の範囲
で制御しつつ気相反応させることで作製された、平均粒
子径０．１μｍ以下の炭化珪素超微粉末が好ましい。
【００３７】この炭化珪素超微粉末は、焼結性に優れ、
高純度であり、粒子形状が球状であるために成形時の分
散性が良好であり、得られる複合セラミックスにおいて
は、炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の内部に形成
され易くなるという優れた特徴を有する粉末である。
高純度であり、粒子形状が球状であるために成形時の分
散性が良好であり、得られる複合セラミックスにおいて
は、炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の内部に形成
され易くなるという優れた特徴を有する粉末である。
【００３８】また、酸化アルミニウム粒子の原料粉末と
しては、平均粒子径が１μｍ以下の酸化アルミニウム粉
末を用いることが以下の理由により好ましい。平均粒子
径が１μｍを越える酸化アルミニウム粉末を用いて作製
された複合セラミックスにおいては、複合セラミックス
中の酸化アルミニウム粒子の平均粒径が２μｍを越えて
しまい、第１の絶縁部材２がプラズマによりエッチング
され易くなり、第１の絶縁部材２の板状試料を載置する
載置面２ａにスパッタ痕が形成されて、表面粗さが大き
くなり、静電チャック１の静電吸着力が低下するおそれ
がある。また、酸化アルミニウム粉末の平均粒子径が小
さい程、複合セラミックス中においては炭化珪素粒子が
酸化アルミニウム粒子の内部に形成され易くなる。
しては、平均粒子径が１μｍ以下の酸化アルミニウム粉
末を用いることが以下の理由により好ましい。平均粒子
径が１μｍを越える酸化アルミニウム粉末を用いて作製
された複合セラミックスにおいては、複合セラミックス
中の酸化アルミニウム粒子の平均粒径が２μｍを越えて
しまい、第１の絶縁部材２がプラズマによりエッチング
され易くなり、第１の絶縁部材２の板状試料を載置する
載置面２ａにスパッタ痕が形成されて、表面粗さが大き
くなり、静電チャック１の静電吸着力が低下するおそれ
がある。また、酸化アルミニウム粉末の平均粒子径が小
さい程、複合セラミックス中においては炭化珪素粒子が
酸化アルミニウム粒子の内部に形成され易くなる。
【００３９】次いで、上述した炭化珪素粉末と酸化アル
ミニウム粉末とを、炭化珪素が１〜４重量％、酸化アル
ミニウムが９９〜９６重量％の割合になるよう、それぞ
れの成分を秤量し混合する。得られる複合セラミックス
の体積固有抵抗値は、炭化珪素粉末の平均粒子径とその
分散状態が影響するので、所望する体積固有抵抗値、即
ち、−２００℃〜２００℃の温度範囲内での体積固有抵
抗値が１×１０14Ωｃｍ〜1×１０16Ωｃｍの複合セラ
ミックスが得られるように、炭化珪素粉末と酸化アルミ
ニウム粉末との配合比率や、分散状態を事前に予備実験
的に決定しておくのが好ましい。
ミニウム粉末とを、炭化珪素が１〜４重量％、酸化アル
ミニウムが９９〜９６重量％の割合になるよう、それぞ
れの成分を秤量し混合する。得られる複合セラミックス
の体積固有抵抗値は、炭化珪素粉末の平均粒子径とその
分散状態が影響するので、所望する体積固有抵抗値、即
ち、−２００℃〜２００℃の温度範囲内での体積固有抵
抗値が１×１０14Ωｃｍ〜1×１０16Ωｃｍの複合セラ
ミックスが得られるように、炭化珪素粉末と酸化アルミ
ニウム粉末との配合比率や、分散状態を事前に予備実験
的に決定しておくのが好ましい。
【００４０】混合に際しては、超高圧粉砕分散法を採用
することが好ましい。このとき、分散剤などの少量の不
純物が混入することは許容されるが、アルミニウム及び
珪素以外の金属不純物の含有量が０．１重量％以下とな
るように、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを混
合することが望ましい。ここで、超高圧粉砕分散法と
は、高圧で加速された粒子同士を衝突させて粉砕分散す
る方法であり、この超高圧粉砕分散法を採用することに
より、少量の分散剤を添加するだけで均一分散が容易に
なり、粗大粒子の生成もなく、しかも不純物、例えば分
散剤に起因した炭素や各種金属不純物の混入を減少させ
ることができる。
することが好ましい。このとき、分散剤などの少量の不
純物が混入することは許容されるが、アルミニウム及び
珪素以外の金属不純物の含有量が０．１重量％以下とな
るように、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを混
合することが望ましい。ここで、超高圧粉砕分散法と
は、高圧で加速された粒子同士を衝突させて粉砕分散す
る方法であり、この超高圧粉砕分散法を採用することに
より、少量の分散剤を添加するだけで均一分散が容易に
なり、粗大粒子の生成もなく、しかも不純物、例えば分
散剤に起因した炭素や各種金属不純物の混入を減少させ
ることができる。
【００４１】次いで、この混合粉末を公知の成形方法に
より成形し、円板状の成形体を作製する。次いで、得ら
れた成形体を脱脂する。脱脂は、６００℃以下のアルゴ
ン（Ａｒ）雰囲気中、または３００℃以下の大気雰囲気
中で行うことが望ましい。これらの条件下で脱脂を行う
ことにより、炭化珪素の酸化を防止することができると
ともに、効率的に脱脂を行うことができる。
より成形し、円板状の成形体を作製する。次いで、得ら
れた成形体を脱脂する。脱脂は、６００℃以下のアルゴ
ン（Ａｒ）雰囲気中、または３００℃以下の大気雰囲気
中で行うことが望ましい。これらの条件下で脱脂を行う
ことにより、炭化珪素の酸化を防止することができると
ともに、効率的に脱脂を行うことができる。
【００４２】次いで、脱脂済みの成形体を、例えば熱間
静水圧加圧法（ＨＩＰ：hot isostatic pressing）等を
用いて、所定の条件下で加圧しながら焼成し、複合セラ
ミックスとする。加圧力は、特に制限されるものではな
いが、例えば、５〜４０ＭＰａとする。その理由は、加
圧力が５ＭＰａを下回ると充分な焼結体密度の複合セラ
ミックスが得られず、一方、加圧力が４０ＭＰａを超え
ると黒鉛等からなる治具が変形損耗するので好ましくな
いからである。
静水圧加圧法（ＨＩＰ：hot isostatic pressing）等を
用いて、所定の条件下で加圧しながら焼成し、複合セラ
ミックスとする。加圧力は、特に制限されるものではな
いが、例えば、５〜４０ＭＰａとする。その理由は、加
圧力が５ＭＰａを下回ると充分な焼結体密度の複合セラ
ミックスが得られず、一方、加圧力が４０ＭＰａを超え
ると黒鉛等からなる治具が変形損耗するので好ましくな
いからである。
【００４３】焼成する際の温度としては、１７００〜１
８５０℃が好ましい。その理由は、焼成温度が１７００
℃を下回ると焼結が十分に進まないために緻密な複合セ
ラミックスが得られず、一方、１８５０℃を超えると、
焼結が進み過ぎて得られた焼結体が分解したり、あるい
は異常粒成長が生じたりし易くなるからである。また、
焼成時の雰囲気としては、アルゴン（Ａｒ）雰囲気、あ
るいは窒素（Ｎ 2）雰囲気が、炭化珪素の酸化を防止す
ることができるので好ましい。
８５０℃が好ましい。その理由は、焼成温度が１７００
℃を下回ると焼結が十分に進まないために緻密な複合セ
ラミックスが得られず、一方、１８５０℃を超えると、
焼結が進み過ぎて得られた焼結体が分解したり、あるい
は異常粒成長が生じたりし易くなるからである。また、
焼成時の雰囲気としては、アルゴン（Ａｒ）雰囲気、あ
るいは窒素（Ｎ 2）雰囲気が、炭化珪素の酸化を防止す
ることができるので好ましい。
【００４４】最後に、上記により作製された１つの複合
セラミックスの所定の位置に、機械加工により貫通孔６
を形成し、第１の絶縁部材２とする。また、上記により
作製された他の１つの複合セラミックスの所定の位置
に、機械加工により貫通孔６、７を形成し、第２の絶縁
部材３とする。また、第１の絶縁部材２のいずれか一方
の面を、通常の研磨法を用いて、例えば、表面粗さＲａ
が０．１Ｓ以下となるように研磨する。ここでは、第１
の絶縁部材２と第２の絶縁部材３とを重ね合わせたとき
に、それぞれに形成された貫通孔６が１つの貫通孔とな
るように、貫通孔６、７の位置決めがなされる。
セラミックスの所定の位置に、機械加工により貫通孔６
を形成し、第１の絶縁部材２とする。また、上記により
作製された他の１つの複合セラミックスの所定の位置
に、機械加工により貫通孔６、７を形成し、第２の絶縁
部材３とする。また、第１の絶縁部材２のいずれか一方
の面を、通常の研磨法を用いて、例えば、表面粗さＲａ
が０．１Ｓ以下となるように研磨する。ここでは、第１
の絶縁部材２と第２の絶縁部材３とを重ね合わせたとき
に、それぞれに形成された貫通孔６が１つの貫通孔とな
るように、貫通孔６、７の位置決めがなされる。
【００４５】（２）静電チャック１の作製
上記により作製された第２の絶縁部材３の面上の内部電
極４を形成する領域（中心から所定の半径内であって、
貫通孔６、７を除く領域）に、導電性材料を塗布するこ
とにより最終的に内部電極４となる導電性材料層を形成
し、この第２の絶縁部材３の面上の導電性材料層を形成
した領域より外側の環状の領域に、絶縁性材料を塗布す
ることにより最終的に絶縁性の接合層５となる絶縁性材
料層を形成する。
極４を形成する領域（中心から所定の半径内であって、
貫通孔６、７を除く領域）に、導電性材料を塗布するこ
とにより最終的に内部電極４となる導電性材料層を形成
し、この第２の絶縁部材３の面上の導電性材料層を形成
した領域より外側の環状の領域に、絶縁性材料を塗布す
ることにより最終的に絶縁性の接合層５となる絶縁性材
料層を形成する。
【００４６】この導電性材料としては、炭化タンタル、
窒化チタン等の導電性セラミックス粉末と酸化アルミニ
ウム−二酸化珪素系ガラス粉末との混合粉末を例示する
ことができる。また、上記の絶縁性材料としては、酸化
アルミニウム−二酸化珪素系ガラス等の絶縁性を有する
各種ガラス粉末を例示することができる。
窒化チタン等の導電性セラミックス粉末と酸化アルミニ
ウム−二酸化珪素系ガラス粉末との混合粉末を例示する
ことができる。また、上記の絶縁性材料としては、酸化
アルミニウム−二酸化珪素系ガラス等の絶縁性を有する
各種ガラス粉末を例示することができる。
【００４７】次いで、第１の絶縁部材２と第２の絶縁部
材３のそれぞれの貫通孔６が同じ位置になるように、こ
れらの絶縁部材２、３を導電性材料層、絶縁性材料層を
介して重ね合わせ、その後、加圧しながら加熱処理する
ことにより、導電性材料層と絶縁性材料層とを接合させ
る。このとき、導電性材料層から内部電極４が形成され
るとともに、絶縁性材料層から絶縁性の接合層５が形成
されるので、第１の絶縁部材２と第２の絶縁部材３と
は、内部電極４及び絶縁性の接合層５を介して気密に接
合される。
材３のそれぞれの貫通孔６が同じ位置になるように、こ
れらの絶縁部材２、３を導電性材料層、絶縁性材料層を
介して重ね合わせ、その後、加圧しながら加熱処理する
ことにより、導電性材料層と絶縁性材料層とを接合させ
る。このとき、導電性材料層から内部電極４が形成され
るとともに、絶縁性材料層から絶縁性の接合層５が形成
されるので、第１の絶縁部材２と第２の絶縁部材３と
は、内部電極４及び絶縁性の接合層５を介して気密に接
合される。
【００４８】次いで、第２の絶縁部材３及び内部電極４
の貫通孔７に、炭化タンタル、窒化チタン等の導電性セ
ラミックス等からなる取り出し電極８を挿入し、活性金
属、銀ろう等のろう材等を介して、取り出し電極８の上
端部と内部電極４とを電気的に接合する。
の貫通孔７に、炭化タンタル、窒化チタン等の導電性セ
ラミックス等からなる取り出し電極８を挿入し、活性金
属、銀ろう等のろう材等を介して、取り出し電極８の上
端部と内部電極４とを電気的に接合する。
【００４９】以上説明したように、本実施形態の静電チ
ャック１によれば、板状試料を載置する側の第１の絶縁
部材２を１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化アルミ
ニウムとを主成分とした複合セラミックスにより構成
し、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体
積固有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍと
したので、内部電極４に直流電圧を印加したときに発揮
される静電気力としてはジョンソン・ラーベック力より
もクーロン力が支配的となり、漏れ電流を小さくするこ
とができ、板状試料の種類にかかわらず静電吸着力を安
定化させることができ、直流電圧の印加を中止した後に
おいても、板状試料を容易に脱離させることができる。
さらに、耐プラズマ性、耐腐食性を大幅に改善すること
ができる。
ャック１によれば、板状試料を載置する側の第１の絶縁
部材２を１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化アルミ
ニウムとを主成分とした複合セラミックスにより構成
し、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲における体
積固有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃｍと
したので、内部電極４に直流電圧を印加したときに発揮
される静電気力としてはジョンソン・ラーベック力より
もクーロン力が支配的となり、漏れ電流を小さくするこ
とができ、板状試料の種類にかかわらず静電吸着力を安
定化させることができ、直流電圧の印加を中止した後に
おいても、板状試料を容易に脱離させることができる。
さらに、耐プラズマ性、耐腐食性を大幅に改善すること
ができる。
【００５０】また、第１の絶縁部材２の載置面２ａの表
面粗さＲａを０．１Ｓ以下としたので、第１の絶縁部材
２、第２の絶縁部材３の硬度及び機械的強度を高めるこ
とができる。また、第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部
材３からのパーティクルの発生を低減させることがで
き、半導体ウエハ等の板状試料の汚染を防止することが
できる。
面粗さＲａを０．１Ｓ以下としたので、第１の絶縁部材
２、第２の絶縁部材３の硬度及び機械的強度を高めるこ
とができる。また、第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部
材３からのパーティクルの発生を低減させることがで
き、半導体ウエハ等の板状試料の汚染を防止することが
できる。
【００５１】また、第１の絶縁部材２に加えて、第２の
絶縁部材３を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスにより
構成し、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲におけ
る体積固有抵抗値を１×１０ 14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃ
ｍとしたので、これら第１の絶縁部材１、第２の絶縁部
材２を、電気伝導度の温度依存性が少なく、ハロゲンガ
スに対する耐蝕性に優れ、かつ耐熱性、耐熱衝撃性に優
れ、高温下の使用においても熱応力による破損の危険性
がないものとすることができる。
絶縁部材３を、１重量％〜４重量％の炭化珪素と、酸化
アルミニウムとを主成分とした複合セラミックスにより
構成し、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲におけ
る体積固有抵抗値を１×１０ 14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃ
ｍとしたので、これら第１の絶縁部材１、第２の絶縁部
材２を、電気伝導度の温度依存性が少なく、ハロゲンガ
スに対する耐蝕性に優れ、かつ耐熱性、耐熱衝撃性に優
れ、高温下の使用においても熱応力による破損の危険性
がないものとすることができる。
【００５２】また、第１の絶縁部材２及び第２の絶縁部
材３を構成する複合セラミックスに含有される炭化珪素
粒子の平均粒子径を１μｍ以下、より好ましくは０．５
μｍ以下としたので、これら第１の絶縁部材２及び第２
の絶縁部材３のプラズマに対する耐蝕性を向上させるこ
とができる。
材３を構成する複合セラミックスに含有される炭化珪素
粒子の平均粒子径を１μｍ以下、より好ましくは０．５
μｍ以下としたので、これら第１の絶縁部材２及び第２
の絶縁部材３のプラズマに対する耐蝕性を向上させるこ
とができる。
【００５３】本実施形態の静電チャックの製造方法によ
れば、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを、超高
圧粉砕分散法により混合するので、少量の分散剤を添加
するだけで容易に均一分散することができ、分散剤等の
不純物に起因する炭素や各種金属不純物の混入を減少さ
せることができる。したがって、耐プラズマ性、耐腐食
性が大幅に改善され、しかも、硬度及び機械的強度が高
い静電チャックを容易に得ることができる。
れば、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを、超高
圧粉砕分散法により混合するので、少量の分散剤を添加
するだけで容易に均一分散することができ、分散剤等の
不純物に起因する炭素や各種金属不純物の混入を減少さ
せることができる。したがって、耐プラズマ性、耐腐食
性が大幅に改善され、しかも、硬度及び機械的強度が高
い静電チャックを容易に得ることができる。
【００５４】［第２の実施形態］本発明の第２の実施形
態の静電チャックは、上述した第１の実施形態の静電チ
ャック１を構成する第１の絶縁部材２の材料組成を変更
したものであり、それ以外の点については第１の実施形
態の静電チャック１と全く同様である。
態の静電チャックは、上述した第１の実施形態の静電チ
ャック１を構成する第１の絶縁部材２の材料組成を変更
したものであり、それ以外の点については第１の実施形
態の静電チャック１と全く同様である。
【００５５】本実施形態における第１の絶縁部材は、炭
化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とする複合セラ
ミックスにより作製され、炭化珪素粒子の表面には、例
えば０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下の厚み
のムライト系物質からなる被膜が形成されている。ムラ
イト系物質としては、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2）の他、酸化アルミニウムとムライトとの固溶体また
はガラス状物質、もしくは二酸化珪素（ＳｉＯ2）とム
ライトとの固溶体またはガラス状物質が好適である。こ
の被膜の厚みは０．２μｍ以下が望ましい。なぜなら
ば、厚みが０．２μｍを超えると、耐プラズマ性が低下
するからである。
化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とする複合セラ
ミックスにより作製され、炭化珪素粒子の表面には、例
えば０．２μｍ以下、好ましくは０．１μｍ以下の厚み
のムライト系物質からなる被膜が形成されている。ムラ
イト系物質としては、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ
2）の他、酸化アルミニウムとムライトとの固溶体また
はガラス状物質、もしくは二酸化珪素（ＳｉＯ2）とム
ライトとの固溶体またはガラス状物質が好適である。こ
の被膜の厚みは０．２μｍ以下が望ましい。なぜなら
ば、厚みが０．２μｍを超えると、耐プラズマ性が低下
するからである。
【００５６】この複合セラミクスは、炭化珪素と酸化ア
ルミニウムを合計で９８重量％以上含有するとされ、こ
の複合セラミクス中の炭化珪素の含有量は、好ましくは
４〜１３重量％とされている。この複合セラミックスの
電気伝導度は、主として半導体である炭化珪素により決
定される。そこで、複合セラミックス中の炭化珪素粒子
同士が直接接触して導電パスを形成する可能性が高くな
る、例えば、炭化珪素含有量が４〜１３重量％の高炭化
珪素含有域では、ムライト系物質等の絶縁性の被膜を炭
化珪素粒子の表面に形成させることにより、体積固有抵
抗値の急減な低下を抑制することができ、体積固有抵抗
値を容易に制御することができる。
ルミニウムを合計で９８重量％以上含有するとされ、こ
の複合セラミクス中の炭化珪素の含有量は、好ましくは
４〜１３重量％とされている。この複合セラミックスの
電気伝導度は、主として半導体である炭化珪素により決
定される。そこで、複合セラミックス中の炭化珪素粒子
同士が直接接触して導電パスを形成する可能性が高くな
る、例えば、炭化珪素含有量が４〜１３重量％の高炭化
珪素含有域では、ムライト系物質等の絶縁性の被膜を炭
化珪素粒子の表面に形成させることにより、体積固有抵
抗値の急減な低下を抑制することができ、体積固有抵抗
値を容易に制御することができる。
【００５７】本実施形態の静電チャックにおいても、第
１の実施形態の静電チャック１と同様、第１の絶縁部材
を構成する複合セラミックス中の酸化アルミニウム粒子
の平均粒子径は２μｍ以下とされ、また、炭化珪素粒子
の平均粒子径は１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされ、この第１の絶縁部材の載置面の表面粗さＲ
ａは０．１Ｓ以下とされている。
１の実施形態の静電チャック１と同様、第１の絶縁部材
を構成する複合セラミックス中の酸化アルミニウム粒子
の平均粒子径は２μｍ以下とされ、また、炭化珪素粒子
の平均粒子径は１μｍ以下、より好ましくは０．５μｍ
以下とされ、この第１の絶縁部材の載置面の表面粗さＲ
ａは０．１Ｓ以下とされている。
【００５８】また、第１の絶縁部材を構成する複合セラ
ミックス中の少なくとも一部の炭化珪素粒子は酸化アル
ミニウム粒子内に存在していることが望ましい。また、
この複合セラミックスにおいては、アルミニウム及び珪
素以外の金属不純物の含有量が０．１重量％以下となっ
ていることが望ましい。
ミックス中の少なくとも一部の炭化珪素粒子は酸化アル
ミニウム粒子内に存在していることが望ましい。また、
この複合セラミックスにおいては、アルミニウム及び珪
素以外の金属不純物の含有量が０．１重量％以下となっ
ていることが望ましい。
【００５９】なお、第２の絶縁部材は、第１の絶縁部材
と異なる構造を有する絶縁部材により構成されたもので
あってもよいが、第１の絶縁部材と同一の構造を有する
複合セラミックスにより構成すれば、ハロゲンガス等の
腐食性ガスに対する耐腐食性やプラズマに対する耐プラ
ズマ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱
性、耐熱衝撃性に優れたものとすることができるととも
に、静電チャックの製造工程を簡略化することができる
ので望ましい。
と異なる構造を有する絶縁部材により構成されたもので
あってもよいが、第１の絶縁部材と同一の構造を有する
複合セラミックスにより構成すれば、ハロゲンガス等の
腐食性ガスに対する耐腐食性やプラズマに対する耐プラ
ズマ性に優れ、高い機械的強度及び硬度を有し、耐熱
性、耐熱衝撃性に優れたものとすることができるととも
に、静電チャックの製造工程を簡略化することができる
ので望ましい。
【００６０】本実施形態の静電チャックの製造方法が、
上述した第１の実施形態の静電チャックの製造方法と異
なる点は、表面を酸化処理することにより、その表面に
二酸化珪素からなる被膜（以下、酸化膜とも称する）が
形成された炭化珪素粉末を原料として用いた点である。
この炭化珪素粉末の含有量は、４〜１３重量％が好まし
いとされている。
上述した第１の実施形態の静電チャックの製造方法と異
なる点は、表面を酸化処理することにより、その表面に
二酸化珪素からなる被膜（以下、酸化膜とも称する）が
形成された炭化珪素粉末を原料として用いた点である。
この炭化珪素粉末の含有量は、４〜１３重量％が好まし
いとされている。
【００６１】複合セラミックスの体積固有抵抗値は、表
面が酸化処理された炭化珪素粉末の平均粒子径とその分
散状態、酸化膜の厚みが影響するので、所望する体積固
有抵抗値、すなわち、−２００℃〜２００℃の温度範囲
における体積固有抵抗値が１×１０14Ωｃｍ〜１×１０
16Ωｃｍの複合セラミックスが得られるように、酸化膜
の厚み、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末の配合比
率、分散状態を事前に予備実験的に決定しておくのが望
ましい。
面が酸化処理された炭化珪素粉末の平均粒子径とその分
散状態、酸化膜の厚みが影響するので、所望する体積固
有抵抗値、すなわち、−２００℃〜２００℃の温度範囲
における体積固有抵抗値が１×１０14Ωｃｍ〜１×１０
16Ωｃｍの複合セラミックスが得られるように、酸化膜
の厚み、炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末の配合比
率、分散状態を事前に予備実験的に決定しておくのが望
ましい。
【００６２】炭化珪素粒子の表面を酸化する方法として
は、大気中で熱処理する方法を例示することができる。
例えば、大気中、３５０℃の温度下で５０時間熱処理す
る等である。これにより、表面に厚さ０．２μｍ以下、
好ましくは０．１μｍ以下の酸化膜を有する表面被覆炭
化珪素粉末を得ることができる。そして、この表面被覆
炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを、炭化珪素が
４〜１３重量％、酸化アルミニウムが９６〜８７重量％
の割合になるように、超高圧粉砕分散法を用いて混合
し、得られた混合粉末を、例えば、熱間静水圧加圧法
（ＨＩＰ：hot isostatic pressing）等を用いて、所定
の条件下で加圧しながら焼成し、複合セラミックスとす
る。
は、大気中で熱処理する方法を例示することができる。
例えば、大気中、３５０℃の温度下で５０時間熱処理す
る等である。これにより、表面に厚さ０．２μｍ以下、
好ましくは０．１μｍ以下の酸化膜を有する表面被覆炭
化珪素粉末を得ることができる。そして、この表面被覆
炭化珪素粉末と酸化アルミニウム粉末とを、炭化珪素が
４〜１３重量％、酸化アルミニウムが９６〜８７重量％
の割合になるように、超高圧粉砕分散法を用いて混合
し、得られた混合粉末を、例えば、熱間静水圧加圧法
（ＨＩＰ：hot isostatic pressing）等を用いて、所定
の条件下で加圧しながら焼成し、複合セラミックスとす
る。
【００６３】この加圧焼成過程では、まず、炭化珪素粒
子と酸化アルミニウム粒子との接触部分で、炭化珪素粒
子の表面に形成された二酸化珪素と、酸化アルミニウム
粒子とが反応し、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）
を主成分として含むムライト系物質が生成する。このム
ライト系物質は、反応が進むとともに炭化珪素粒子の表
面を覆うようになる。焼結が進むにつれて、ムライト系
物質により表面が被覆された炭化珪素粒子と、酸化アル
ミニウム粒子とは、粒成長するとともに、このムライト
系物質を介して粒子同士の接合が進行する。焼結がさら
に進むと、炭化珪素粒子と酸化アルミニウム粒子との間
の気孔が消滅して緻密な焼結体、すなわち本実施形態の
複合セラミックスとなる。
子と酸化アルミニウム粒子との接触部分で、炭化珪素粒
子の表面に形成された二酸化珪素と、酸化アルミニウム
粒子とが反応し、ムライト（３Ａｌ2Ｏ3・２ＳｉＯ2）
を主成分として含むムライト系物質が生成する。このム
ライト系物質は、反応が進むとともに炭化珪素粒子の表
面を覆うようになる。焼結が進むにつれて、ムライト系
物質により表面が被覆された炭化珪素粒子と、酸化アル
ミニウム粒子とは、粒成長するとともに、このムライト
系物質を介して粒子同士の接合が進行する。焼結がさら
に進むと、炭化珪素粒子と酸化アルミニウム粒子との間
の気孔が消滅して緻密な焼結体、すなわち本実施形態の
複合セラミックスとなる。
【００６４】このように、ムライト系物質からなる絶縁
性の被膜を炭化珪素粒子の表面に生成させることがで
き、したがって、体積固有抵抗値の急激な低下を抑制す
ることができる。なお、複合セラミックスの焼成時の雰
囲気は、炭化珪素の過度の酸化を抑制するため、非酸化
性雰囲気とするのがよい。その他の条件などは、第１の
実施形態の静電チャックの製造方法に準ずればよい。
性の被膜を炭化珪素粒子の表面に生成させることがで
き、したがって、体積固有抵抗値の急激な低下を抑制す
ることができる。なお、複合セラミックスの焼成時の雰
囲気は、炭化珪素の過度の酸化を抑制するため、非酸化
性雰囲気とするのがよい。その他の条件などは、第１の
実施形態の静電チャックの製造方法に準ずればよい。
【００６５】本実施形態の静電チャック及びその製造方
法においても、上述した第１の実施形態の静電チャック
及びその製造方法と同様の効果を奏することができる。
しかも、炭化珪素粒子の表面にムライト系物質からなる
絶縁性の被膜を形成したので、ハロゲンガス等の腐食性
ガスに対する耐腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性
をさらに高めることができる。
法においても、上述した第１の実施形態の静電チャック
及びその製造方法と同様の効果を奏することができる。
しかも、炭化珪素粒子の表面にムライト系物質からなる
絶縁性の被膜を形成したので、ハロゲンガス等の腐食性
ガスに対する耐腐食性、プラズマに対する耐プラズマ性
をさらに高めることができる。
【００６６】
【実施例】以下、実施例及び比較例を挙げ、本発明をさ
らに詳しく説明する。 「実施例１」プラズマＣＶＤ法により、平均粒子径０．
０５μｍの炭化珪素超微粉末を気相合成し、この炭化珪
素超微粉末３重量％と、平均粒子径０．５μｍの酸化ア
ルミニウム粉末９７重量％とを、超高圧粉砕分散機を用
いて２時間混合し、混合粉末を得た。
らに詳しく説明する。 「実施例１」プラズマＣＶＤ法により、平均粒子径０．
０５μｍの炭化珪素超微粉末を気相合成し、この炭化珪
素超微粉末３重量％と、平均粒子径０．５μｍの酸化ア
ルミニウム粉末９７重量％とを、超高圧粉砕分散機を用
いて２時間混合し、混合粉末を得た。
【００６７】得られた混合粉末を乾燥した後、円板状に
成形し、次いで、熱間静水圧加圧法（ＨＩＰ）により、
アルゴン（Ａｒ）雰囲気中において、１７８０℃の温度
で、３時間、加圧しながら焼結することにより、直径１
９５ｍｍ、厚み４ｍｍの円板状の複合セラミックスを２
枚作製した。なお、加圧力は３０ＭＰａとした。
成形し、次いで、熱間静水圧加圧法（ＨＩＰ）により、
アルゴン（Ａｒ）雰囲気中において、１７８０℃の温度
で、３時間、加圧しながら焼結することにより、直径１
９５ｍｍ、厚み４ｍｍの円板状の複合セラミックスを２
枚作製した。なお、加圧力は３０ＭＰａとした。
【００６８】次いで、この２枚の円板状の複合セラミッ
クスのうち、一方の複合セラミックスの中心部に、機械
加工により内径５ｍｍの貫通孔を形成し、第１の絶縁部
材とした。また、他方の複合セラミックスの中心部に内
径５ｍｍの貫通孔を形成し、さらに、中心部より２５ｍ
ｍ離れた位置に内径１０ｍｍの電極挿入孔（貫通孔）を
機械加工により形成し、第２の絶縁部材とした。
クスのうち、一方の複合セラミックスの中心部に、機械
加工により内径５ｍｍの貫通孔を形成し、第１の絶縁部
材とした。また、他方の複合セラミックスの中心部に内
径５ｍｍの貫通孔を形成し、さらに、中心部より２５ｍ
ｍ離れた位置に内径１０ｍｍの電極挿入孔（貫通孔）を
機械加工により形成し、第２の絶縁部材とした。
【００６９】次いで、第２の絶縁部材の面上の電極を形
成する領域内、例えば、中心から半径９０ｍｍ内の領域
内に、炭化タンタル粉末（３０ｖｏｌ％）と酸化アルミ
ニウム粉末（７０ｖｏｌ％）とを含む導電性塗布材をス
クリーン印刷法により塗布し、導電性材料層とした。さ
らに、この第２の絶縁部材の面上の導電性材料層を形成
した領域の外側の環状の領域、例えば、半径が９０〜９
７．５ｍｍの環状の領域に、酸化アルミニウム粉末を含
む絶縁性塗布材をスクリーン印刷により塗布し、絶縁性
材料層とした。
成する領域内、例えば、中心から半径９０ｍｍ内の領域
内に、炭化タンタル粉末（３０ｖｏｌ％）と酸化アルミ
ニウム粉末（７０ｖｏｌ％）とを含む導電性塗布材をス
クリーン印刷法により塗布し、導電性材料層とした。さ
らに、この第２の絶縁部材の面上の導電性材料層を形成
した領域の外側の環状の領域、例えば、半径が９０〜９
７．５ｍｍの環状の領域に、酸化アルミニウム粉末を含
む絶縁性塗布材をスクリーン印刷により塗布し、絶縁性
材料層とした。
【００７０】次いで、第１の絶縁部材の第２の絶縁部材
と接合させる側の表面を１．３ｍｍ研削し、第２の絶縁
部材の電極挿入孔に、炭化タンタルからなる取り出し電
極を挿入し、その後、第１の絶縁部材と第２の絶縁部材
とを導電性材料層及び絶縁性材料層を介して重ね合わ
せ、これらを１７００℃に加熱しながら７．５ＭＰａに
加圧した。この加圧焼成により、導電性材料層は焼成さ
れて内部電極となり、絶縁性材料層は焼成されて絶縁層
となり、第１の絶縁部材及び第２の絶縁部材は、内部電
極及び絶縁層を介して接合され一体化された。次いで、
第１の絶縁部材の載置面を、通常の研磨方法により表面
粗さＲａが０．００４Ｓとなるように研磨し、実施例１
の静電チャックとした。
と接合させる側の表面を１．３ｍｍ研削し、第２の絶縁
部材の電極挿入孔に、炭化タンタルからなる取り出し電
極を挿入し、その後、第１の絶縁部材と第２の絶縁部材
とを導電性材料層及び絶縁性材料層を介して重ね合わ
せ、これらを１７００℃に加熱しながら７．５ＭＰａに
加圧した。この加圧焼成により、導電性材料層は焼成さ
れて内部電極となり、絶縁性材料層は焼成されて絶縁層
となり、第１の絶縁部材及び第２の絶縁部材は、内部電
極及び絶縁層を介して接合され一体化された。次いで、
第１の絶縁部材の載置面を、通常の研磨方法により表面
粗さＲａが０．００４Ｓとなるように研磨し、実施例１
の静電チャックとした。
【００７１】「実施例２」実施例１に準じて、実施例２
の静電チャックを製造した。ただし、実施例１の炭化珪
素超微粉末の替わりに、実施例１の炭化珪素超微粉末を
大気中、３５０℃の温度下にて５０時間保持することに
より、その表面が酸化処理された表面被覆炭化珪素超微
粉末を用い、さらに、この表面被覆炭化珪素超微粉末の
配合量を１０重量％、酸化アルミニウム粉末の配合量を
９０重量％とした。この表面被覆炭化珪素超微粉末に
は、厚み０．００５μmの二酸化珪素からなる被膜が形
成されていた。
の静電チャックを製造した。ただし、実施例１の炭化珪
素超微粉末の替わりに、実施例１の炭化珪素超微粉末を
大気中、３５０℃の温度下にて５０時間保持することに
より、その表面が酸化処理された表面被覆炭化珪素超微
粉末を用い、さらに、この表面被覆炭化珪素超微粉末の
配合量を１０重量％、酸化アルミニウム粉末の配合量を
９０重量％とした。この表面被覆炭化珪素超微粉末に
は、厚み０．００５μmの二酸化珪素からなる被膜が形
成されていた。
【００７２】「比較例１」実施例１に準じて、比較例１
の静電チャックを製造した。ただし、第１の絶縁部材及
び第２の絶縁部材として、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）１００％のアルミナセラミックスを用いた。ま
た、第１の絶縁部材の載置面を、その表面粗さＲａが
０．０５Ｓとなるように研磨した。
の静電チャックを製造した。ただし、第１の絶縁部材及
び第２の絶縁部材として、酸化アルミニウム（Ａｌ
2Ｏ3）１００％のアルミナセラミックスを用いた。ま
た、第１の絶縁部材の載置面を、その表面粗さＲａが
０．０５Ｓとなるように研磨した。
【００７３】「比較例２」実施例１に準じて、比較例２
の静電チャックを製造した。ただし、炭化珪素超微粉末
及び酸化アルミニウム粉末それぞれの配合量を、炭化珪
素超微粉末７重量％、酸化アルミニウム粉末９３重量％
とした。
の静電チャックを製造した。ただし、炭化珪素超微粉末
及び酸化アルミニウム粉末それぞれの配合量を、炭化珪
素超微粉末７重量％、酸化アルミニウム粉末９３重量％
とした。
【００７４】「評価」以上により作製された実施例１、
２、比較例１、２の各静電チャックについて下記の評価
を行った。
２、比較例１、２の各静電チャックについて下記の評価
を行った。
【００７５】（１）複合セラミックスの評価
実施例１、２、比較例１、２の静電チャックに用いられ
た複合セラミックスの所定の温度における体積固有抵抗
値を常法に従って測定した。測定温度は−１８０℃、−
１００℃、２５℃、１００℃、１８０℃の５点とした。
また、これらの複合セラミックス中の酸化アルミニウム
粒子及び炭化珪素粒子粒子の平均粒子径を、走査電子顕
微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。また、実施例１、２
の複合セラミックスにおいては、ＳＥＭを用いて観察し
た際に、一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の
内部に存在することが観察された。測定結果を表１に示
す。
た複合セラミックスの所定の温度における体積固有抵抗
値を常法に従って測定した。測定温度は−１８０℃、−
１００℃、２５℃、１００℃、１８０℃の５点とした。
また、これらの複合セラミックス中の酸化アルミニウム
粒子及び炭化珪素粒子粒子の平均粒子径を、走査電子顕
微鏡（ＳＥＭ）を用いて測定した。また、実施例１、２
の複合セラミックスにおいては、ＳＥＭを用いて観察し
た際に、一部の炭化珪素粒子が酸化アルミニウム粒子の
内部に存在することが観察された。測定結果を表１に示
す。
【００７６】
【表１】
【００７７】（２）静電吸着特性の評価
実施例１、２、比較例１、２の静電チャックの静電吸着
力、吸着時間、脱離時間を２５℃の温度下で測定した。
測定に用いられる板状試料としては、表面に酸化膜が形
成されていない直径２０３．２ｍｍのＳｉウエハと、表
面に厚み２μｍの酸化膜が形成された同一径のＳｉウエ
ハとを用いた。酸化膜が形成されていないＳｉウエハの
測定結果を表２に、酸化膜が形成されたＳｉウエハの測
定結果を表３に、それぞれ示す。なお、静電吸着特性の
測定方法及び測定装置については後述する。
力、吸着時間、脱離時間を２５℃の温度下で測定した。
測定に用いられる板状試料としては、表面に酸化膜が形
成されていない直径２０３．２ｍｍのＳｉウエハと、表
面に厚み２μｍの酸化膜が形成された同一径のＳｉウエ
ハとを用いた。酸化膜が形成されていないＳｉウエハの
測定結果を表２に、酸化膜が形成されたＳｉウエハの測
定結果を表３に、それぞれ示す。なお、静電吸着特性の
測定方法及び測定装置については後述する。
【００７８】（３）プラズマ暴露後の静電吸着特性の評
価 実施例１、２、比較例１、２の静電チャックをプラズマ
ＣＶＤ装置内に装着し、圧力が１．３３×１０2Ｐａ
（１．０Ｔｏｒｒ）温度が５０℃のＣＦ4２０ｖｏｌ％
及びＯ2８０ｖｏｌ％からなる混合ガス雰囲気下におい
て、静電チャックに２０時間プラズマ照射を行った後、
上記と同様の静電吸着特性の評価を行った。酸化膜が形
成されていないＳｉウエハの測定結果を表２に、酸化膜
が形成されたＳｉウエハの測定結果を表３に、それぞれ
示す。
価 実施例１、２、比較例１、２の静電チャックをプラズマ
ＣＶＤ装置内に装着し、圧力が１．３３×１０2Ｐａ
（１．０Ｔｏｒｒ）温度が５０℃のＣＦ4２０ｖｏｌ％
及びＯ2８０ｖｏｌ％からなる混合ガス雰囲気下におい
て、静電チャックに２０時間プラズマ照射を行った後、
上記と同様の静電吸着特性の評価を行った。酸化膜が形
成されていないＳｉウエハの測定結果を表２に、酸化膜
が形成されたＳｉウエハの測定結果を表３に、それぞれ
示す。
【００７９】
【表２】
【００８０】
【表３】
【００８１】（４）表面粗さの評価
実施例１、２、比較例１、２の静電チャックについて、
通常市販されている表面粗さ計を用いて、プラズマ暴露
前後の静電チャックの載置面の表面粗さＲａを測定し
た。測定結果を表４に示す。
通常市販されている表面粗さ計を用いて、プラズマ暴露
前後の静電チャックの載置面の表面粗さＲａを測定し
た。測定結果を表４に示す。
【００８２】
【表４】
【００８３】（静電吸着特性の測定方法及び測定装置）
ここで、静電チャックの静電吸着特性の測定方法、及び
この測定の際に用いられた測定装置について説明する。
図４は、静電吸着特性の測定装置を示す断面図であり、
この測定装置１１は、中央部に貫通孔１２ａが形成され
た静電チャックステージ１２と、この貫通孔１２ａに挿
通自在とされた棒状の押圧部材１３と、この押圧部材１
３を上下方向に移動させかつ上下方向の任意の位置に固
定させるリフター１４と、直流電圧を印加するための電
源１５とを主体として構成されている。
ここで、静電チャックの静電吸着特性の測定方法、及び
この測定の際に用いられた測定装置について説明する。
図４は、静電吸着特性の測定装置を示す断面図であり、
この測定装置１１は、中央部に貫通孔１２ａが形成され
た静電チャックステージ１２と、この貫通孔１２ａに挿
通自在とされた棒状の押圧部材１３と、この押圧部材１
３を上下方向に移動させかつ上下方向の任意の位置に固
定させるリフター１４と、直流電圧を印加するための電
源１５とを主体として構成されている。
【００８４】次に、この測定装置１１を用いて板状試料
の静電吸着特性を測定する方法について説明する。ここ
では、板状試料としてＳｉウエハ１６を例にとり説明す
る。まず、静電チャックステージ１２上に、静電チャッ
ク１の貫通孔６の位置が静電チャックステージ１２の貫
通孔１２ａと同位置になるように、この静電チャック１
を載置した。次いで、静電チャック１の貫通孔６と静電
チャックステージ１２の貫通孔１２ａに押圧部材１３を
挿通させてから、静電チャック１の載置面２ａにＳｉウ
エハ１６を載置した。
の静電吸着特性を測定する方法について説明する。ここ
では、板状試料としてＳｉウエハ１６を例にとり説明す
る。まず、静電チャックステージ１２上に、静電チャッ
ク１の貫通孔６の位置が静電チャックステージ１２の貫
通孔１２ａと同位置になるように、この静電チャック１
を載置した。次いで、静電チャック１の貫通孔６と静電
チャックステージ１２の貫通孔１２ａに押圧部材１３を
挿通させてから、静電チャック１の載置面２ａにＳｉウ
エハ１６を載置した。
【００８５】次いで、リフター１４を上方に向けて移動
させることにより、押圧部材１３を上方に向けて移動さ
せ、この押圧部材１３の上端部をＳｉウエハ１６の下面
に接触させた。この状態を保持したままで、２０℃の温
度下で、電源１５により静電チャック１の載置面２ａと
取り出し電極８との間に所定の直流電圧を印加し、静電
チャック１にＳｉウエハ１６を静電吸着させた。引加さ
れる直流電圧は、実施例１、２及び比較例１では２００
０Ｖ、比較例２では５００Ｖとした。この静電吸着した
状態が５分経過した後、直流電圧の印加を停止した。そ
の後、リフター１４をさらに上方に向けて移動させるこ
とにより、押圧部材１３を上方に押し上げ、Ｓｉウエハ
１６を載置面２ａから脱離させた。この脱離に要する力
をロードセルにより測定し、静電吸着力とした。
させることにより、押圧部材１３を上方に向けて移動さ
せ、この押圧部材１３の上端部をＳｉウエハ１６の下面
に接触させた。この状態を保持したままで、２０℃の温
度下で、電源１５により静電チャック１の載置面２ａと
取り出し電極８との間に所定の直流電圧を印加し、静電
チャック１にＳｉウエハ１６を静電吸着させた。引加さ
れる直流電圧は、実施例１、２及び比較例１では２００
０Ｖ、比較例２では５００Ｖとした。この静電吸着した
状態が５分経過した後、直流電圧の印加を停止した。そ
の後、リフター１４をさらに上方に向けて移動させるこ
とにより、押圧部材１３を上方に押し上げ、Ｓｉウエハ
１６を載置面２ａから脱離させた。この脱離に要する力
をロードセルにより測定し、静電吸着力とした。
【００８６】また、吸着時間は、静電チャック１の載置
面２ａと取り出し電極８との間に、実施例１、２及び比
較例１では２０００Ｖ、比較例２では５００Ｖの直流電
圧を印加した時から、静電チャック１の静電吸着力が
９．８×１０4Ｐａ（１００ｇｆ／ｃｍ2）に達するまで
の時間とし、脱離時間は、静電チャック１の載置面２ａ
と取り出し電極８との間に、実施例１、２及び比較例１
では２０００Ｖ、比較例２では５００Ｖの直流電圧を５
分間印加した後に、直流電圧の印加を停止し、この印加
を停止した時から、静電チャック１の静電吸着力が９．
８×１０3Ｐａ（１０ｇｆ／ｃｍ2）に達するまでの時間
とした。
面２ａと取り出し電極８との間に、実施例１、２及び比
較例１では２０００Ｖ、比較例２では５００Ｖの直流電
圧を印加した時から、静電チャック１の静電吸着力が
９．８×１０4Ｐａ（１００ｇｆ／ｃｍ2）に達するまで
の時間とし、脱離時間は、静電チャック１の載置面２ａ
と取り出し電極８との間に、実施例１、２及び比較例１
では２０００Ｖ、比較例２では５００Ｖの直流電圧を５
分間印加した後に、直流電圧の印加を停止し、この印加
を停止した時から、静電チャック１の静電吸着力が９．
８×１０3Ｐａ（１０ｇｆ／ｃｍ2）に達するまでの時間
とした。
【００８７】表１によれば、実施例１、２の静電チャッ
クの第１の絶縁部材の体積固有抵抗値は、−１８０℃〜
１８０℃の温度範囲内で１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16
Ωｃｍであり、絶縁性が良好であることが確かめられ
た。これにより、発揮される静電気力としてはクーロン
力が支配的となり、漏れ電流の発生もないことが分かっ
た。一方、比較例１、２の静電チャックの第１の絶縁部
材の体積固有抵抗値は、−１８０℃〜１８０℃の温度範
囲内で１×１０14Ωｃｍを下回るものがあり、絶縁性が
不十分であることが分かった。これにより、漏れ電流が
大きいことが分かった。
クの第１の絶縁部材の体積固有抵抗値は、−１８０℃〜
１８０℃の温度範囲内で１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16
Ωｃｍであり、絶縁性が良好であることが確かめられ
た。これにより、発揮される静電気力としてはクーロン
力が支配的となり、漏れ電流の発生もないことが分かっ
た。一方、比較例１、２の静電チャックの第１の絶縁部
材の体積固有抵抗値は、−１８０℃〜１８０℃の温度範
囲内で１×１０14Ωｃｍを下回るものがあり、絶縁性が
不十分であることが分かった。これにより、漏れ電流が
大きいことが分かった。
【００８８】また、表２及び表３によれば、実施例１、
２の静電チャックは、プラズマ暴露前後のいずれの場合
にあっても、板状試料の種類（酸化膜無しＳｉウエハ
と、酸化膜付きＳｉウエハ）に係わらず静電吸着力、吸
着時間、脱離時間の変動がないことが分かった。一方、
比較例１の静電チャックは、板状試料の種類に係わら
ず、プラズマ暴露前では実施例１、２と遜色がないもの
の、プラズマ暴露後では、静電吸着力が大きく低下して
いた。また、比較例２の静電チャックでは、板状試料の
種類により静電吸着力、吸着時間、脱離時間が変動する
ことが分かり、また、プラズマ暴露前後においては静電
吸着力が大きく低下していた。
２の静電チャックは、プラズマ暴露前後のいずれの場合
にあっても、板状試料の種類（酸化膜無しＳｉウエハ
と、酸化膜付きＳｉウエハ）に係わらず静電吸着力、吸
着時間、脱離時間の変動がないことが分かった。一方、
比較例１の静電チャックは、板状試料の種類に係わら
ず、プラズマ暴露前では実施例１、２と遜色がないもの
の、プラズマ暴露後では、静電吸着力が大きく低下して
いた。また、比較例２の静電チャックでは、板状試料の
種類により静電吸着力、吸着時間、脱離時間が変動する
ことが分かり、また、プラズマ暴露前後においては静電
吸着力が大きく低下していた。
【００８９】さらに、表４によれば、比較例１、２の静
電チャックは表面粗さＲａに変化があるのに対して、実
施例１、２の静電チャックは表面粗さＲａに変化がない
ことが分かった。以上のことから、実施例１、２の静電
チャックは、耐プラズマ性、耐腐食性が大幅に向上して
いることが分かった。
電チャックは表面粗さＲａに変化があるのに対して、実
施例１、２の静電チャックは表面粗さＲａに変化がない
ことが分かった。以上のことから、実施例１、２の静電
チャックは、耐プラズマ性、耐腐食性が大幅に向上して
いることが分かった。
【００９０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の静電チャ
ックによれば、板状試料を載置する第１の絶縁部材を、
１重量％〜４重量％の炭化珪素（ＳｉＣ）と、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とを主成分とした複合セラミック
スとし、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲におけ
る体積固有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃ
ｍとしたので、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジ
ョンソン・ラーベック力よりもクーロン力が支配的とな
り、プラズマ処理を施す際においても吸着面のチャージ
アップを防止することができ、耐プラズマ性を大幅に向
上させることができ、耐腐食性も向上させることができ
る。
ックによれば、板状試料を載置する第１の絶縁部材を、
１重量％〜４重量％の炭化珪素（ＳｉＣ）と、酸化アル
ミニウム（Ａｌ2Ｏ3）とを主成分とした複合セラミック
スとし、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲におけ
る体積固有抵抗値を１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16Ωｃ
ｍとしたので、板状試料を吸着固定する静電気力は、ジ
ョンソン・ラーベック力よりもクーロン力が支配的とな
り、プラズマ処理を施す際においても吸着面のチャージ
アップを防止することができ、耐プラズマ性を大幅に向
上させることができ、耐腐食性も向上させることができ
る。
【００９１】本発明の他の静電チャックによれば、板状
試料を載置する第１の絶縁部材を、表面に絶縁性物質が
形成された炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分と
した複合セラミックスとし、かつ、−２００℃〜２００
℃の温度範囲における体積固有抵抗値を１×１０14Ωｃ
ｍ〜１×１０16Ωｃｍとしたので、板状試料を吸着固定
する静電気力は、ジョンソン・ラーベック力よりもクー
ロン力が支配的となり、プラズマ処理を施す際において
も吸着面のチャージアップを防止することができ、耐プ
ラズマ性を大幅に向上させることができ、耐腐食性も向
上させることができる。
試料を載置する第１の絶縁部材を、表面に絶縁性物質が
形成された炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分と
した複合セラミックスとし、かつ、−２００℃〜２００
℃の温度範囲における体積固有抵抗値を１×１０14Ωｃ
ｍ〜１×１０16Ωｃｍとしたので、板状試料を吸着固定
する静電気力は、ジョンソン・ラーベック力よりもクー
ロン力が支配的となり、プラズマ処理を施す際において
も吸着面のチャージアップを防止することができ、耐プ
ラズマ性を大幅に向上させることができ、耐腐食性も向
上させることができる。
【００９２】本発明の静電チャックの製造方法によれ
ば、炭化珪素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ
所定量秤量し、これらを超高圧粉砕分散法により混合す
るので、炭化珪素粉末が少量であっても容易に均一分散
させることができ、組成の均一性に優れた混合粉末を得
ることができる。したがって、この混合粉末を加圧・焼
成することにより、粒子の異常粒成長もなく、分散剤に
起因する炭素あるいは各種金属不純物等の不純物の混入
もなく、組成の均一性に優れた複合セラミックスを容易
に得ることができる。
ば、炭化珪素粉末及び酸化アルミニウム粉末をそれぞれ
所定量秤量し、これらを超高圧粉砕分散法により混合す
るので、炭化珪素粉末が少量であっても容易に均一分散
させることができ、組成の均一性に優れた混合粉末を得
ることができる。したがって、この混合粉末を加圧・焼
成することにより、粒子の異常粒成長もなく、分散剤に
起因する炭素あるいは各種金属不純物等の不純物の混入
もなく、組成の均一性に優れた複合セラミックスを容易
に得ることができる。
【図１】 本発明の第１の実施形態の静電チャックを示
す平面図である。
す平面図である。
【図２】 本発明の第１の実施形態の静電チャックを示
す横断面図である。
す横断面図である。
【図３】 図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図４】 静電吸着特性の測定装置を示す断面図であ
る。
る。
１ 静電チャック
２ 第１の絶縁部材
２ａ 載置面
２ｂ 下面
３ 第２の絶縁部材
４ 内部電極
５ 絶縁性の接合層
６ 貫通孔
７ 貫通孔
８ 取り出し電極
１１ 静電吸着特性の測定装置
１２ 静電チャックステージ
１２ａ 貫通孔
１３ 押圧部材
１４ リフター
１５ 電源
１６ Ｓｉウエハ
Claims (9)
- 【請求項１】 一主面が板状試料を載置する載置面とさ
れた第１の絶縁部材と、該第１の絶縁部材の他の一主面
側に対向配置された第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁
部材と前記第２の絶縁部材との間に挟持された内部電極
とを備えた静電チャックであって、 前記第１の絶縁部材は、１重量％〜４重量％の炭化珪素
と、酸化アルミニウムとを主成分とした複合セラミック
スからなり、かつ、−２００℃〜２００℃の温度範囲に
おける体積固有抵抗値は１×１０14Ωｃｍ〜１×１０16
Ωｃｍであることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項２】 一主面が板状試料を載置する載置面とさ
れた第１の絶縁部材と、該第１の絶縁部材の他の一主面
側に対向配置された第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁
部材と前記第２の絶縁部材との間に挟持された内部電極
とを備えた静電チャックであって、 前記第１の絶縁部材は、表面に絶縁性物質が形成された
炭化珪素と、酸化アルミニウムとを主成分とした複合セ
ラミックスからなり、かつ、−２００℃〜２００℃の温
度範囲における体積固有抵抗値は１×１０14Ωｃｍ〜１
×１０16Ωｃｍであることを特徴とする静電チャック。 - 【請求項３】 前記絶縁性物質は、ムライト系物質であ
ることを特徴とする請求項２記載の静電チャック。 - 【請求項４】 前記ムライト系物質の厚みは０．２μｍ
以下であることを特徴とする請求項３記載の静電チャッ
ク。 - 【請求項５】 前記複合セラミックス中における酸化ア
ルミニウム粒子の平均粒子径は２μｍ以下であることを
特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項記載の静電
チャック。 - 【請求項６】 前記複合セラミックス中における炭化珪
素粒子の平均粒子径は１μｍ以下であることを特徴とす
る請求項１ないし５のいずれか１項記載の静電チャッ
ク。 - 【請求項７】 前記複合セラミックス中における炭化珪
素粒子の少なくとも一部は、酸化アルミニウム粒子の内
部に存在していることを特徴とする請求項１ないし６の
いずれか１項記載の静電チャック。 - 【請求項８】 一主面が板状試料を載置する載置面とさ
れた第１の絶縁部材と、該第１の絶縁部材の他の一主面
側に対向配置された第２の絶縁部材と、前記第１の絶縁
部材と前記第２の絶縁部材との間に挟持された内部電極
とを備えた静電チャックの製造方法であって、 前記第１の絶縁部材または前記第２の絶縁部材、または
これら双方を作製する工程は、炭化珪素粉末及び酸化ア
ルミニウム粉末をそれぞれ所定量秤量し、これらを超高
圧粉砕分散法により混合する混合工程と、得られた混合
粉末を加圧しながら焼成し、複合セラミックスとする加
圧焼成工程を備えていることを特徴とする静電チャック
の製造方法。 - 【請求項９】 前記混合工程の前に、前記炭化珪素粉末
を酸化性雰囲気中にて熱処理することにより、その表面
に二酸化珪素を含む被膜を形成する被膜形成工程を備え
たことを特徴とする請求項８記載の静電チャックの製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001348985A JP4008230B2 (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | 静電チャックの製造方法 |
| KR1020020069043A KR100938690B1 (ko) | 2001-11-14 | 2002-11-08 | 정전 척 및 그 제조방법 |
| US10/294,837 US6950297B2 (en) | 2001-11-14 | 2002-11-12 | Electrostatic chuck and manufacturing method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001348985A JP4008230B2 (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | 静電チャックの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003152065A true JP2003152065A (ja) | 2003-05-23 |
| JP4008230B2 JP4008230B2 (ja) | 2007-11-14 |
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ID=19161719
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001348985A Expired - Fee Related JP4008230B2 (ja) | 2001-11-14 | 2001-11-14 | 静電チャックの製造方法 |
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| US (1) | US6950297B2 (ja) |
| JP (1) | JP4008230B2 (ja) |
| KR (1) | KR100938690B1 (ja) |
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| KR100666039B1 (ko) | 2003-12-05 | 2007-01-10 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 정전척 |
| JP2007005740A (ja) * | 2005-06-23 | 2007-01-11 | Creative Technology:Kk | 静電チャック電位供給部の構造とその製造及び再生方法 |
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| EP2163535A1 (en) | 2008-09-01 | 2010-03-17 | Ngk Insulators, Ltd. | Aluminium oxide sintered product and method for producing the same |
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| WO2015137270A1 (ja) * | 2014-03-10 | 2015-09-17 | 住友大阪セメント株式会社 | 誘電体材料及び静電チャック装置 |
| KR20170013655A (ko) * | 2015-07-28 | 2017-02-07 | (주)샘씨엔에스 | 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척 |
| JP2017183467A (ja) * | 2016-03-30 | 2017-10-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置、静電チャック装置の製造方法 |
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| JP2018104224A (ja) * | 2016-12-26 | 2018-07-05 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック部材、静電チャック装置および高周波透過材料 |
| WO2018181130A1 (ja) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
| WO2019189600A1 (ja) * | 2018-03-30 | 2019-10-03 | 住友大阪セメント株式会社 | セラミックス基体およびサセプタ |
| CN111886213A (zh) * | 2018-03-22 | 2020-11-03 | 住友大阪水泥股份有限公司 | 复合烧结体、静电卡盘部件、静电卡盘装置及复合烧结体的制造方法 |
| WO2020235651A1 (ja) * | 2019-05-22 | 2020-11-26 | 住友大阪セメント株式会社 | 複合焼結体、静電チャック部材、静電チャック装置および複合焼結体の製造方法 |
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|---|---|---|---|---|
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| JP4482472B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-06-16 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック及びその製造方法 |
| US7646581B2 (en) * | 2006-01-31 | 2010-01-12 | Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
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| US8861170B2 (en) | 2009-05-15 | 2014-10-14 | Entegris, Inc. | Electrostatic chuck with photo-patternable soft protrusion contact surface |
| CN102449754B (zh) | 2009-05-15 | 2015-10-21 | 恩特格林斯公司 | 具有聚合物突出物的静电吸盘 |
| US8619406B2 (en) | 2010-05-28 | 2013-12-31 | Fm Industries, Inc. | Substrate supports for semiconductor applications |
| US9025305B2 (en) | 2010-05-28 | 2015-05-05 | Entegris, Inc. | High surface resistivity electrostatic chuck |
| JP5915026B2 (ja) * | 2011-08-26 | 2016-05-11 | 住友大阪セメント株式会社 | 温度測定用板状体及びそれを備えた温度測定装置 |
| WO2017057273A1 (ja) | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日本碍子株式会社 | 静電チャック |
| WO2017122716A1 (ja) * | 2016-01-12 | 2017-07-20 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 |
| WO2017145802A1 (ja) | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 日本碍子株式会社 | 多結晶窒化ガリウム自立基板及びそれを用いた発光素子 |
| JP6643197B2 (ja) * | 2016-07-13 | 2020-02-12 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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