KR20170013655A - 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척 - Google Patents

정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척 Download PDF

Info

Publication number
KR20170013655A
KR20170013655A KR1020150106618A KR20150106618A KR20170013655A KR 20170013655 A KR20170013655 A KR 20170013655A KR 1020150106618 A KR1020150106618 A KR 1020150106618A KR 20150106618 A KR20150106618 A KR 20150106618A KR 20170013655 A KR20170013655 A KR 20170013655A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
ceramic
conductive powder
electrostatic chuck
powder
ceramic layer
Prior art date
Application number
KR1020150106618A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102393287B1 (ko
Inventor
추호성
나지성
우석균
Original Assignee
(주)샘씨엔에스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주)샘씨엔에스 filed Critical (주)샘씨엔에스
Priority to KR1020150106618A priority Critical patent/KR102393287B1/ko
Priority to JP2016016678A priority patent/JP2017031039A/ja
Publication of KR20170013655A publication Critical patent/KR20170013655A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102393287B1 publication Critical patent/KR102393287B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111Fine ceramics
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833Details of electrostatic chucks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C04CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04BLIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/50Constituents or additives of the starting mixture chosen for their shape or used because of their shape or their physical appearance
    • C04B2235/52Constituents or additives characterised by their shapes
    • C04B2235/5208Fibers
    • C04B2235/5216Inorganic
    • C04B2235/522Oxidic
    • C04B2235/5224Alumina or aluminates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척은 세라믹 분말 및 도전성 분말을 포함하는 세라믹 조성물로 형성된 세라믹층을 포함한다. 세라믹 층은 낮은 비저항을 가질 수 있으며, 이로 인해 정전 척의 정전 흡착력을 향상시킬 수 있다.

Description

정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척 {CERAMIC COMPOSITION FOR ELECTROSTATIC CHUCK AND ELECTROSTATIC CHUCK USING THE SAME}
본 개시는 정전 척용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 정전 척에 관한 것이다.
반도체 제조 공정 진행 시, 반도체의 기판으로 이용되는 웨이퍼(wafer)의 고정이 필요하다. 이때, 정전 척(electrostatic chuck)을 이용하는데, 정전 척은 정전기의 힘을 사용해 공정시 웨이퍼를 고정해주는 부품이다.
정전 척의 원리는 정전 척에 양 또는 음의 전압을 인가시키면 대상물에는 반대의 전위인 음 또는 양의 전위가 대전되며, 이로 인해 서로 끌어 당기는 힘이 발생하는 원리로 대상물을 고정할 수 있다.
구체적으로, 정전 척은 척에 사용되는 척킹(chucking)용 기판의 전면에서 전기적인 힘에 의해 발생하는 쿨롱힘(coulomb force)와 존슨-라벡힘(Johnsen-rahbek force)를 이용하여 웨이퍼를 고정하게 된다.
상기 쿨롱힘과 존슨-라벡힘을 응용하기 위하여, 일반적으로 정전 척은 세라믹인 절연체 및 절연체 내부에 배치된 정전 흡착용 전극을 포함한다.
전극에 전압이 인가되면, 상기 전극은 정전 발생용 전극이 되며, 상기 절연체는 유전체로 작동한다. 상기 유전체 상에는 웨이퍼가 배치되며, 웨이퍼를 하나의 전하로 간주하고, 전극을 또 하나의 전하로 간주하여 전하들 사이에 절연체를 중간층으로 포함함으로써, 정전 흡착력이 발생한다.
정전 흡착력을 향상에 영향을 미치는 요인으로는 정전 척 내에 배치된 전극 및 웨이퍼 사이에 있는 절연체의 비저항이 있다. 세라믹을 포함하는 절연체의 경우, 세라믹의 비저항값이 높아 정전 흡착력을 높이는 한계가 있다.
따라서, 높은 정전 흡착력을 확보하기 위해서는 절연체의 비저항을 낮추는 것이 매우 중요한 실정이다.
하기 특허문헌 1은 세라믹 정전 척에 관한 발명이다.
한국공개특허공보 제2002-0031314호
한편, 세라믹 재료를 포함하는 정전 척은 비저항이 높아 정전 흡착력을 높이는데 한계가 있다.
본 개시의 여러 목적 중 하나는 낮은 비저항은 가지며, 정전 흡착력이 향상될 수 있는 정전 척용 세라믹 조성물 및 이를 이용한 정전 척을 제공하는 것이다.
본 개시를 통하여 제안하는 여러 해결 수단 중 하나는 정전 척의 세라믹 층에 도전성 분말을 포함하여, 세라믹 층의 비저항을 낮추며, 이를 통하여 정전 흡착력이 향상될 수 있도록 하는 것이다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척은 낮은 비저항을 가지며, 이로 인하여 정전 흡착력을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 개시에 대해 보다 상세히 설명한다. 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하, 본 개시의 정전 척용 세라믹 조성물에 대하여 설명한다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척용 세라믹 조성물은 주성분인 세라믹 분말; 및 도전성 분말;을 포함한다.
상기 세라믹 분말은 Al2O3, TiO2, SiO2, ZrO2의 그룹에서 선택되는 적어도 1종일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 알루미나(Al2O3)일 수 있다.
상기 도전성 분말은 니켈(Ni), 은(Ag) 및 금(Au) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 은(Ag)일 수 있다.
상기 도전성 분말의 함량은 상기 주성분 100중량%에 대하여 2 내지 6 중량% 일 수 있다.
상기 도전성 분말의 함량이 2 중량% 미만이면 세라믹 조성물로 형성된 세라믹층의 비저항 값이 높아질 수 있으며, 상기 도전성 분말의 함량이 6 중량%를 초과하면 정전 척의 절연 파괴 전압이 감소하여 신뢰성이 낮아질 수 있다.
상기 도전성 분말의 입경은 1μm 이하일 수 있다.
상기 도전성 분말의 입경이 1μm 이하이면, 세라믹 층의 비저항이 감소하며, 이로 인해 정전 척의 정전 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 도전성 분말이 미세화될수록 세라믹 층 및 전극 소결 후 치밀화 될 수 있어, 정전 척의 기계적 강도를 확보할 수 있다.
도전성 분말은 공기 중에서 소결이 가능하며 탈바인더 등이 용이한 재료이다. 세라믹 분말의 경우 대체로 소결 온도가 높으므로, 세라믹 분말과 도전성 분말을 동일한 온도에서 소결하게 되면, 도전성 분말의 경우 용융이 될 수 있다. 따라서, 소결시 은(Ag)이 용융되지 않으면서 세라믹이 소결되는 온도 범위에서 소결할 필요가 있다.
본 개시의 일 실시 예에 따른 세라믹 조성물은 글라스를 더 포함한다.
상기 세라믹 조성물에 글라스를 포함하면, 세라믹 분말과 도전성 분말의 소성이 동시에 가능할 수 있다. 즉, 상기 세라믹 조성물은 저온 동시 소성 세라믹 조성물(low temperature co-fired ceramic; LTCC)일 수 있다.
상기 글라스의 함량은 상기 주성분 100중량%에 대하여 50 내지 90중량% 일 수 있다.
상기 글라스 함량이 50 내지 90중량% 이면, 상기 세라믹 분말과 상기 도전성 분말의 동시 소성이 가능할 수 있다.
이하, 본 개시의 정전 척에 대하여 설명한다.
도 1은 본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척의 단면도를 개략적으로 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 본 개시의 일 실시 예에 따른 정전 척은 제1 세라믹 분말로 형성된 제1 세라믹층(10); 상기 제1 세라믹층(10) 상에 배치되며, 제1 도전성 분말로 형성된 전극(20); 및 상기 전극(20) 상에 배치되며, 제2 세라믹 분말 및 제2 도전성 분말을 포함하는 세라믹 조성물로 형성된 제2 세라믹층(30);을 포함한다.
상기 제1 세라믹층(10)은 정전 척에서 하부 베이스(미도시) 상에 배치될 수 있다.
즉, 본 개시의 정전 척은 하부 베이스(미도시), 제1 세라믹층(10), 전극(20) 및 제2 세라믹층(30)이 적층된 구조이다.
상기 제1 세라믹층(10)은 제1 세라믹 분말 및 글라스를 포함하는 세라믹 조성물로 형성될 수 있다.
상기 제2 세라믹 분말은 MgTiO3, SrTiO3, CaTiO3, Mg2SiO4, BaTi4O9, Al2O3, TiO2, SiO2, (Mg,Ti)2(BO4)O, ZrO2의 그룹에서 선택되는 적어도 1종일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 알루미나(Al2O3)일 수 있다.
상기 전극(20)은 제1 도전성 분말을 포함할 수 있으며, 상기 제1 도전성 분말은 니켈(Ni), 구리(Cu), 은(Ag) 및 금(Au) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 은(Ag)일 수 있다.
상기 전극(20)은 상기 제1 세라믹층(10) 및 상기 제2 세라믹층(20)의 사이에 배치될 수 있다.
상기 전극 중 외부로 인출되는 전극을 형성하기 위하여, 하부 베이스 및 제1 세라믹층의 중심에 관통홀(미도시)을 형성할 수 있다.
상기 관통홀(미도시) 상기 전극의 일부를 삽입하여 하나의 전극(20)으로 형성될 수 있다.
상기 제2 세라믹층(30)은 상기 전극 상에 배치되어, 전극에 전압인가시 정전 흡착력이 발생하는 역할을 할 수 있다.
상기 제2 세라믹층은 제2 세라믹 분말 및 제2 도전성 분말을 포함하는 세라믹 조성물로 형성될 수 있다.
상기 제2 세라믹 분말은 Al2O3, TiO2, SiO2, ZrO2의 그룹에서 선택되는 적어도 1종일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 알루미나(Al2O3)일 수 있다. 상기 제2 세라믹 분말은 상기 제1 세라믹 분말과 동일한 재료일 수 있다.
상기 제2 도전성 분말은 니켈(Ni), 은(Ag) 및 금(Au) 중 적어도 하나 또는 이들의 합금일 수 있으며, 이에 한정되는 것은 아니나 은(Ag)일 수 있다. 상기 제2 도전성 분말은 상기 제1 도전성 분말과 동일한 재료일 수 있다.
상기 제2 도전성 분말은 제2 세라믹층의 비저항을 낮추기 위하여 포함된다.
상기 제2 도전성 분말을 포함함으로써, 상기 제2 세라믹층의 체적 비저항은 1*1011Ωcm 이하일 수 있다.
상기 제2 세라믹층 형성시 세라믹 조성물에 제2 도전성 분말을 포함하면, 제2 세라믹층의 비저항이 낮아지며, 이로 인해 정전 척의 정전 흡착력이 향상될 수 있다.
상기 제2 도전성 분말의 함량은 상기 제2 세라믹 분말 100중량%에 대하여 2 내지 6중량%일 수 있다.
상기 제2 도전성 분말의 함량이 2 중량% 미만이면, 제2 세라믹층의 비저항 값이 높아질 수 있다. 상기 제2 도전성 분말의 함량이 6 중량%를 초과하면, 비저항의 감소 효과가 미비하며, 정전 척의 절연 파괴 전압이 감소하여 신뢰성이 낮아질 수 있다.
상기 도전성 분말의 입경은 1μm 이하일 수 있다.
상기 도전성 분말의 입경이 1μm 이하이면, 세라믹 층의 비저항이 감소하며, 이로 인해 정전 척의 정전 흡착력을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 도전성 분말이 미세화될수록 세라믹 층 및 전극 소결 후 치밀화 될 수 있어, 정전 척의 기계적 강도를 확보할 수 있다.
상기 제2 세라믹층의 세라믹 조성물은 글라스를 더 포함할 수 있다.
상기 글라스의 함량은 상기 주성분 100중량%에 대하여 50 내지 90중량% 일 수 있다.
상기 글라스 함량이 50 내지 90중량% 이면, 상기 세라믹 분말과 상기 도전성 분말의 동시 소성이 가능할 수 있다.
상기 제2 세라믹층은 저온 동시 소성 세라믹 조성물로 형성될 수 있다.
상기 저온 동시 세라믹 조성물은 제2 도전성 분말과 동시 소성 가능한 비결정화 조성, 부분 결정화 조성, 완전 결정화 조성 등 중 적어도 하나일 수 있다.
상기 저온 동시 세라믹 조성물이 부븐 결정화 조성 또는 완전 결정화 조성일 경우, 세라믹 조성물의 소결 전 및 중간 공정에서는 유리적 성질을 가지며 낮은 소결온도(900℃ 이하)에서 치밀화가 충분히 일어나는 반면, 소결 후에는 결정상으로 바뀌어 높은 기계적 강도 및 마모 특성을 가질 수 있다.
본 개시의 정전 척 제조시, 전극 및 제2 세라믹 분말 각각 형성하기 위한 조성물을 적층하고 소결시켜 전극 및 제2 세라믹층을 형성할 수 있다.
상기 제2 세라믹층의 제조시, 상기 제2 도전성 분말은 세라믹 조성물의 소결 온도에서 완전히 용융되어 글라스의 내부로 확산되는 것이 필요하다.
상기 제1 및 제2 도전성 분말의 입경은 소결온도 및 소결시간과 밀접하게 연관되어 있다.
일반적으로, 상대적으로 입경이 작은 것이 용융상태의 글라스와 접촉 면적이 넓으며 표면 활성 정도가 높아, 낮은 온도 및 짧은 시간에서 원하는 완전 고용 상태에 쉽게 이를 수 있다.
상기 제2 세라믹층의 제2 도전성 분말은 상기 전극의 제1 도전성 분말보다 상기 제2 세라믹층의 제2 도전성 분말보다 입경이 작을 수 있다.
상기 제1 도전성 분말의 입경을 d1이라 하고, 상기 제2 도전성 분말의 입경을 d2라 하면, 상기 d2는 d2≤0.5d1을 만족할 수 있다.
상기 d2≤0.5d1을 만족하면, 상기 제2 세라믹층과 상기 전극층의 치밀화를 향상시킬 수 있다.
(실시예)
하기 실시예는 본 개시의 일 실시예이며, 하기의 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
제2 도전성 분말을 포함하는 세라믹 조성물 및 제1 도전성 분말을 준비하고, 소결 공정을 통하여 제2 세라믹층 및 전극을 형성하였다.
상기 제2 세라믹층 및 전극 형성시, 소결 공정은 850℃의 온도에서 1시간 동안 진행하였다.
제1 도전성 분말의 입경은 d1, 제2 도전성 분말의 입경은 d2라 기재하였다.
하기 표 1은 제2 세라믹층의 제2 도전성 분말의 입경에 따른 제2 세라믹층의 비저항 및 정전 척의 절연 파괴 전압을 나타낸다.
구분 d1
(μm)
d2
(μm)
제2 도전성 분말의 함량
(중량%)
전극의
비저항
(Ωcm)
제2 세라믹층의 비저항
(Ωcm)
절연파괴 전압
(V)
비교예 1 2.5 2.5 4 1.3 2.2*1012 >3000
비교예 2 2.5 1.5 4 1.3 1.3*1012 >3000
실시예 1 2.5 1 4 1.3 7.5*1011 >3000
실시예 2 2.5 0.5 4 1.3 3.5*1011 >3000
실시예 3 2.5 0.3 4 1.3 1.1*1011 >3000
실시예와 비교예를 비교하면, 제2 도전성 분말의 입경이 클수록 제2 세라믹층의 비저항이 낮아지는 것을 알 수 있으며, 비교예의 경우 실시예에 비하여 제2 세라믹층의 비저항이 높은 것을 알 수 있다.
실시예 1 내지 3은 제2 도전성 분말의 입경이 1μm이하임과 동시에 d2≤0.5d1을 만족하는 것으로, 낮은 비저항을 가지는 제2 세라믹층을 확보할 수 있어, 정전 척의 정전 흡착력을 향상시킬 수 있다.
하기 표 2는 제2 세라믹층의 제2 도전성 분말의 함량에 따른 제2 세라믹층의 비저항 및 정전 척의 절연 파괴 전압을 나타낸다.
구분 d1
(μm)
d2
(μm)
제2 도전성 분말의 함량
(중량%)
전극의
비저항
(Ωcm)
제2 세라믹층의 비저항
(Ωcm)
절연파괴 전압
(Ωcm)
비교예 3 2.5 0.3 0 1.3 3.0*1012 >3000
실시예 4 2.5 0.3 2 1.3 3.5*1011 >3000
실시예 5 2.5 0.3 4 1.3 1.0*1011 >3000
실시예 6 2.5 0.3 6 1.3 6.2*1010 >3000
비교예 4 2.5 0.3 8 1.3 5.0*1010 2600
비교예 5 2.5 0.3 10 1.3 4.0*1010 1400
비교예 6 2.5 0.3 12 1.3 3.5*1010 900
실시예와 비교예를 비교하면, 제2 도전성 분말의 함량이 증가함에 따라 제2 세라믹층의 비저항이 감소하는 것을 알 수 있으며, 비교예 3의 경우 실시예 4 내지 6에 비하여 제2 세라믹층의 비저항이 높은 것을 알 수 있다.
비교예 4 내지 6은 실시예4 내지 6에 비하여 제2 세라믹층의 비저항이 낮으나, 절연 파괴 전압이 낮아 정전 척의 신뢰성이 문제될 수 있다.
따라서, 제2 도전성 분말의 함량은 2 내지 6 중량%를 만족하는 것이 바람직하며, 이를 통하여 제2 세라믹층의 비저항이 낮아지므로 정전 척의 정전 흡착력을 향상시킬 수 있으며, 절연 파괴 전압을 확보할 수 있어 정전 척의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
본 개시는 상술한 실시형태 및 첨부된 도면에 의해 제한되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 제한하고자 한다.
따라서, 청구범위에 기재된 본 개시의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 개시의 범위에 속한다고 할 것이다.
10: 제1 세라믹층
20: 전극
30: 제2 세라믹층

Claims (16)

  1. 주성분인 세라믹 분말; 및
    도전성 분말;을 포함하는 정전 척용 세라믹 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말의 함량은 상기 주성분 100 중량%에 대하여 2 내지 6 중량%인 정전 척용 세라믹 조성물.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말의 입경은 1μm 이하인 정전 척용 세라믹 조성물.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 도전성 분말은 은(Ag)인 정전 척용 세라믹 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 분말은 알루미나인 정전 척용 세라믹 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 세라믹 조성물은 글라스;를 더 포함하는 정전 척용 세라믹 조성물.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 글라스의 함량은 상기 주성분 100 중량%에 대하여 50 내지 90중량%인 정전 척용 세라믹 조성물.
  8. 제1 세라믹 분말로 형성된 제1 세라믹층;
    상기 제1 세라믹층 상에 배치되며, 제1 도전성 분말로 형성된 전극; 및
    상기 전극 상에 배치되며, 제2 세라믹 분말 및 제2 도전성 분말을 포함하는 세라믹 조성물로 형성된 제2 세라믹층;을 포함하는 정전 척.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제2 도전성 분말의 함량은 상기 제2 세라믹 분말 100 중량%에 대하여 2 내지 6 중량%인 정전 척.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 제1 도전성 분말의 입경을 d1이라 하고, 상기 제2 도전성 분말의 입경을 d2라 하면, 상기 d2는 d2≤0.5d1을 만족하는 정전 척.
  11. 제8항에 있어서,
    상기 제2 도전성 분말의 입경은 1μm 이하인 정전 척.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 도전성 분말은 은(Ag)인 정전 척.
  13. 제8항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 세라믹 분말은 알루미나인 정전 척.
  14. 제8항에 있어서,
    상기 세라믹 조성물은 글라스를 더 포함하는 정전 척.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 글라스의 함량은 상기 제2 세라믹 분말 100 중량%에 대하여 50 내지 90중량%인 정전 척.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 세라믹 조성물은 저온 동시 소성 세라믹 조성물인 정전 척.
KR1020150106618A 2015-07-28 2015-07-28 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척 KR102393287B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150106618A KR102393287B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척
JP2016016678A JP2017031039A (ja) 2015-07-28 2016-01-29 静電チャック用セラミック組成物、これを用いた静電チャック

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150106618A KR102393287B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20170013655A true KR20170013655A (ko) 2017-02-07
KR102393287B1 KR102393287B1 (ko) 2022-05-02

Family

ID=57987681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150106618A KR102393287B1 (ko) 2015-07-28 2015-07-28 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2017031039A (ko)
KR (1) KR102393287B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116779525B (zh) * 2023-08-24 2023-11-07 北京华卓精科科技股份有限公司 多温区静电卡盘

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001010858A (ja) * 1999-06-22 2001-01-16 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP2002015943A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Kyocera Corp 誘電体の製造方法及びそれを用いた誘電体及びコンデンサ
KR20020031314A (ko) 2000-10-23 2002-05-01 시바타 마사하루 저체적저항 재료, 질화알루미늄 소결체 및 반도체 제조용부재
JP2003152065A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2005200281A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Kyocera Corp セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック
KR20050116672A (ko) * 2004-06-08 2005-12-13 경기대학교 저온동시소성 세라믹 기판의 소결 방법
KR20070020774A (ko) * 2005-08-17 2007-02-22 주식회사 코미코 세라믹 성형체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 세라믹성형체
JP2011187772A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Panasonic Corp セラミック電子部品とその製造方法
JP2012188339A (ja) * 2011-02-24 2012-10-04 Taiyo Yuden Co Ltd セラミックス組成物、セラミックス焼結体及び電子部品
JP2014138061A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 誘電体材料

Patent Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001010858A (ja) * 1999-06-22 2001-01-16 Murata Mfg Co Ltd セラミック基板用組成物およびセラミック回路部品
JP2002015943A (ja) * 2000-06-29 2002-01-18 Kyocera Corp 誘電体の製造方法及びそれを用いた誘電体及びコンデンサ
KR20020031314A (ko) 2000-10-23 2002-05-01 시바타 마사하루 저체적저항 재료, 질화알루미늄 소결체 및 반도체 제조용부재
JP2003152065A (ja) * 2001-11-14 2003-05-23 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 静電チャック及びその製造方法
JP2005200281A (ja) * 2004-01-16 2005-07-28 Kyocera Corp セラミック抵抗体及びその製造方法並びに静電チャック
KR20050116672A (ko) * 2004-06-08 2005-12-13 경기대학교 저온동시소성 세라믹 기판의 소결 방법
KR20070020774A (ko) * 2005-08-17 2007-02-22 주식회사 코미코 세라믹 성형체의 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 세라믹성형체
JP2011187772A (ja) * 2010-03-10 2011-09-22 Panasonic Corp セラミック電子部品とその製造方法
JP2012188339A (ja) * 2011-02-24 2012-10-04 Taiyo Yuden Co Ltd セラミックス組成物、セラミックス焼結体及び電子部品
JP2014138061A (ja) * 2013-01-16 2014-07-28 Sumitomo Osaka Cement Co Ltd 誘電体材料

Also Published As

Publication number Publication date
KR102393287B1 (ko) 2022-05-02
JP2017031039A (ja) 2017-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101761939B1 (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
US9159467B2 (en) Dielectric ceramic composition, electronic element, and composite electric element
JP6161950B2 (ja) 積層セラミック電子部品及びその製造方法
CN103219150A (zh) 多层陶瓷电子部件及其制造方法
US20130009515A1 (en) Conductive paste composition for internal electrodes and multilayer ceramic electronic component including the same
KR101383253B1 (ko) 적층세라믹커패시터의 내부전극용 금속페이스트 제조방법
JPH10130051A (ja) 誘電性ペースト、セラミック多層回路の高誘電率領域の製造のための該ペーストの使用及び該ペーストの製造方法
US20130301185A1 (en) Multilayered ceramic elements
JP2013016803A (ja) 積層セラミック電子部品の内部電極用導電性ペースト及びこれを含んで製造された積層セラミック電子部品
US10193332B2 (en) ESD protection device
KR102393287B1 (ko) 정전 척용 세라믹 조성물, 이를 이용한 정전 척
KR20150011262A (ko) 적층 세라믹 전자부품 및 이의 제조방법
CN115039190A (zh) 电容器
KR101495850B1 (ko) 세라믹 정전척 및 그 제조방법
JP4673086B2 (ja) ビア導体メタライズ用の導体ペーストおよびこれを用いたセラミック配線基板の製造方法
US8675343B2 (en) Conductive paste for external electrode, multilayered ceramic electronic component using the same and fabrication method thereof
KR102039802B1 (ko) 정전척용 세라믹 본체
WO2014188791A1 (ja) Esd保護装置
CN105355429A (zh) 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器
JP2000188322A (ja) 静電チャックの設計方法
JP4342002B2 (ja) 静電チャックとその製造方法
JP2019067827A (ja) 積層電子部品
JP2012178415A (ja) 静電チャック
KR102551215B1 (ko) 세라믹 조성물, 정전척 및 정전척의 제조방법
Lee et al. A study of the microstructure and electric properties of Ba2Ti9O20-based multilayer ceramic capacitors by microwave sintering

Legal Events

Date Code Title Description
N231 Notification of change of applicant
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant