CN105355429A - 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 - Google Patents
一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105355429A CN105355429A CN201510670260.4A CN201510670260A CN105355429A CN 105355429 A CN105355429 A CN 105355429A CN 201510670260 A CN201510670260 A CN 201510670260A CN 105355429 A CN105355429 A CN 105355429A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- voltage
- sensitive ceramic
- piezoresistor
- ceramic powder
- zno
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 7
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 6
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000005275 alloying Methods 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 claims description 3
- 239000003985 ceramic capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 239000013530 defoamer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 3
- 210000001161 mammalian embryo Anatomy 0.000 claims description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 3
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 claims description 3
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 abstract description 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(III) oxide Inorganic materials O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N dysprosium(III) oxide Inorganic materials O=[Dy]O[Dy]=O NLQFUUYNQFMIJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N holmium oxide Inorganic materials [O][Ho]O[Ho][O] JYTUFVYWTIKZGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N oxo(oxolanthaniooxy)lanthanum Chemical compound O=[La]O[La]=O KTUFCUMIWABKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N cadmium atom Chemical compound [Cd] BDOSMKKIYDKNTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007766 curtain coating Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
- H01G4/08—Inorganic dielectrics
- H01G4/12—Ceramic dielectrics
- H01G4/1209—Ceramic dielectrics characterised by the ceramic dielectric material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/453—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on zinc, tin, or bismuth oxides or solid solutions thereof with other oxides, e.g. zincates, stannates or bismuthates
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
本发明涉及陶瓷介质材料及所得元器件技术领域，它具体公开了一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器。压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，所述的稀土氧化物是Y2O3、Dy2O3、Ho2O3、La2O3中的至少一种，加入氧化物的重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(1～3)％；用压敏陶瓷粉体制作电敏电阻器时，实现压敏电压V1mA高达1000V的陶瓷压敏电阻器多层片式化，可替代相应的圆片高压压敏电阻器；用低钯含量的银钯合金电极为内电极，实现产品制造低成本化，可广泛应用于有低成本要求的民用电子产品中。
Description
技术领域
本发明涉及压敏陶瓷粉体，尤其涉及一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器。
背景技术
圆片陶瓷高压压敏电阻体积大，不适合表面贴装(SMT)，不能满足模块轻小型化和生产装配高效率自动化的要求。多层片式陶瓷压敏电阻器目前主流是65V以下的低压产品，更高电压的产品需要新的技术支持。传统多层片式陶瓷压敏电阻器多使用Pd30％/Ag70％内电极浆料，成本较高。
发明内容
本发明解决的技术问题是提供了一种抗还原钛酸钡陶瓷介质材料及所得的高压片式多层陶瓷介质电容器。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案是：一种压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，所述的稀土氧化物是Y2O3、Dy2O3、Ho2O3、La2O3等中的至少一种，加入氧化物的重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(1～3)％；ZnO重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(85～90)％。
本发明还提供了由上述压敏陶瓷粉体制得的片式多层陶瓷电容器。它由瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割成生胚、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序、电镀端电极制成，所述瓷浆制备是指在压敏陶瓷粉体中加入无水乙醇、甲苯、分散剂、塑化剂、消泡剂、粘合剂，球磨分散10-20小时。所述的排胶是指生坯在空气中250～350℃下排胶15～30h。所述的烧结是指温度在900～1000℃下，富氧气氛中烧结保温2～3h，得到致密的共烧体。所述内电极是Ag/Pd的合金元素，且合金元素比例为Ag/Pd>85/15，可实现较低的电极成本和900～1000℃烧结温度下较好的电极图形。内电极厚度为(1.0～2.0)μm。其他如瓷浆制备、制作介质膜片、坯块干燥、层压、切割成生胚、倒角、封端、烧端工序、电镀端电极等工序均是本领域技术人员常用的技术。
与现有技术相比，本发明压敏陶瓷粉体均一、粒度分布均匀、介质材料不含铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、铬(Cr+6)等不利于环保的有害元素、材料分散性高、成型工艺好。用压敏陶瓷粉体制作电敏电阻器时，实现压敏电压V1mA高达1000V的陶瓷压敏电阻器多层片式化，可替代相应的圆片高压压敏电阻器；用低钯含量的银钯合金电极为内电极，实现产品制造低成本化，可广泛应用于有低成本要求的民用电子产品中。
附图说明
图1是本发明压敏电阻器长轴纵部面示意图,
其中1电场屏蔽电极、2悬浮内电极、3端电极、4介质层。
具体实施方式
本发明的主旨是采用ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系,加入稀土氧化物，得到一种环保型、材料分散性高、成型工艺好的压敏陶瓷粉体，且在制作电敏电阻器时，实现压敏电压V1mA高达1000V的陶瓷压敏电阻器多层片式化，可替代相应的圆片高压压敏电阻器；用低钯含量的银钯合金电极为内电极，实现产品制造低成本化，可广泛应用于有低成本要求的民用电子产品中。下面结合实施例对本发明的内容作进一步详述，实施例中所提及的内容并非对本发明的限定，材料配方选择可因地制宜而对结果无实质性的影响。
实施例
一种压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，所述的稀土氧化物是Y2O3；按照表1的掺入条件进行配制，再加入无水乙醇、甲苯、分散剂、塑化剂、消泡剂、粘合剂等球磨分散，制浆并通过钢带流延制备生膜片；按照多层片式陶瓷元件工艺，印刷内电极，内电极厚度为(1.0～2.0)μm，将坯体切割成为1812尺寸规格的长方体，在空气中350℃排胶30小时；然后在富氧气氛中以950～1000℃保温2小时烧结；之后进行倒角、封端、烧端、电镀端电极，从而制成多层片式陶瓷压敏电阻器。将上述电容器进行常规性能(压敏电压V1mA、非线性系数a、漏电流IL、峰值电流Ip、能量耐量)，测试结果如表2所示。制作的陶瓷压敏电阻器结构如图1所示。
表1ZnO-Bi2O3系压敏陶瓷粉体中掺入Y2O3
| 代号 | E1 | E2 | E3 |
| Y2O3wt％ | 1.0 | 2.0 | 3.0 |
表2高压压敏电阻器测试结果
| 实施例1 | 实施例2 | 实施例3 | |
| Y2O3wt％ | 1.0 | 2.0 | 3.0 |
| 烧结温度(℃) | 950 | 980 | 1000 |
| 压敏电压V1mA(V) | 253 | 496 | 935 |
| 非线性系数a | 34 | 42 | 46 |
| 漏电流IL(uA) | 1.34 | 1.02 | 0.95 |
| 峰值电流Ip(A) | 1350 | 1720 | 1760 |
| 能量耐量Et(J) | 5.6 | 6.4 | 7.9 |
本发明压敏陶瓷粉体均一、粒度分布均匀、介质材料不含铅(Pb)、镉(Cd)、汞(Hg)、铬(Cr+6)等不利于环保的有害元素、材料分散性高、成型工艺好。用压敏陶瓷粉体制作电敏电阻器时，实现压敏电压V1mA高达1000V的陶瓷压敏电阻器多层片式化，可替代相应的圆片高压压敏电阻器；用低钯含量的银钯合金电极为内电极，实现产品制造低成本化，广泛应用于有低成本要求的民用电子产品中。
Claims (6)
1.一种压敏陶瓷粉体,将稀土氧化物掺入ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系混合而成，其特征在于：所述的稀土氧化物是Y2O3、Dy2O3、Ho2O3、La2O3中的至少一种，加入稀土氧化物的重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(1～3)％；ZnO重量占ZnO-Bi2O3压敏陶瓷体系总重量的(85～90)％。
2.一种由权利要求1所述压敏陶瓷粉体所得的压敏电阻器，通过瓷浆制备、制作介质膜片、交替叠印内电极和介质层、坯块干燥、层压、切割成生胚、排胶、烧结、倒角、封端、烧端工序、电镀端电极制成，其特征在于：所述瓷浆制备是指在压敏陶瓷粉体中加入无水乙醇、甲苯、分散剂、塑化剂、消泡剂、粘合剂，球磨分散10-20小时。
3.根据权利要求2所述的压敏电阻器，其特征在于：所述的排胶是指生坯在空气中250～350℃下排胶15～30h。
4.根据权利要求3所述的压敏电阻器，其特征在于：所述的烧结是指温度在900～1000℃下，富氧气氛中烧结保温2～3h，得到致密的共烧体。
5.根据权利要求4所述的片式多层陶瓷电容器，其特征在于：所述内电极是Ag/Pd的合金元素，且合金元素比例为Ag/Pd>85/15。
6.根据权利要求5所述的片式多层陶瓷电容器，其特征在于：内电极厚度为(1.0～2.0)μm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510670260.4A CN105355429A (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510670260.4A CN105355429A (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105355429A true CN105355429A (zh) | 2016-02-24 |
Family
ID=55331377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510670260.4A Pending CN105355429A (zh) | 2015-10-13 | 2015-10-13 | 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105355429A (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106673641A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-17 | 华南理工大学 | 一种低压压敏陶瓷片及其制备方法 |
| CN111635225A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-09-08 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1564270A (zh) * | 2004-04-05 | 2005-01-12 | 广州新日电子有限公司 | 低温烧结ZnO多层片式压敏电阻器及其制造方法 |
| CN1921032A (zh) * | 2006-09-08 | 2007-02-28 | 清华大学深圳研究生院 | 水基流延法制备多层片式ZnO压敏电阻器的方法 |
| CN101717250A (zh) * | 2009-12-11 | 2010-06-02 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层片式压敏电阻器瓷料及所得的产品 |
| CN102709010A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-03 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层压敏电阻器及其制备方法 |
-
2015
- 2015-10-13 CN CN201510670260.4A patent/CN105355429A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1564270A (zh) * | 2004-04-05 | 2005-01-12 | 广州新日电子有限公司 | 低温烧结ZnO多层片式压敏电阻器及其制造方法 |
| CN1921032A (zh) * | 2006-09-08 | 2007-02-28 | 清华大学深圳研究生院 | 水基流延法制备多层片式ZnO压敏电阻器的方法 |
| CN101717250A (zh) * | 2009-12-11 | 2010-06-02 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层片式压敏电阻器瓷料及所得的产品 |
| CN102709010A (zh) * | 2012-06-08 | 2012-10-03 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种多层压敏电阻器及其制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 曹春娥，顾幸勇，王艳香，陈云霞: "《无机材料测试技术》", 30 June 2011, 江西高校出版社 * |
| 陈大明: "《先进陶瓷材料的注凝技术与应用》", 30 November 2011, 国防工业出版社 * |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106673641A (zh) * | 2017-01-03 | 2017-05-17 | 华南理工大学 | 一种低压压敏陶瓷片及其制备方法 |
| CN106673641B (zh) * | 2017-01-03 | 2019-08-20 | 华南理工大学 | 一种低压压敏陶瓷片及其制备方法 |
| CN111635225A (zh) * | 2020-05-09 | 2020-09-08 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 片式压敏电阻陶瓷粉料、片式压敏电阻器制备方法及产品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI351702B (en) | Voltage non-linear resistance ceramic composition | |
| CN105788699B (zh) | 一种耐高温高湿ZnO压敏电阻用电极银浆及其制备方法 | |
| US8865028B2 (en) | ZnO-based varistor composition | |
| JPWO2010067503A1 (ja) | Ｅｓｄ保護デバイス | |
| CN102964122A (zh) | 介电陶瓷组合物及其电子元器件制作方法 | |
| CN105218089A (zh) | 一种钛酸钡陶瓷介质材料及所得的电容器 | |
| JP5125674B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体磁器組成物および電圧非直線性抵抗体素子 | |
| CN107848891B (zh) | 高介电常数ltcc介电组合物和装置 | |
| KR101066456B1 (ko) | 회로 보호 소자 | |
| CN105355429A (zh) | 一种压敏陶瓷粉体及所得的压敏电阻器 | |
| CN104341146A (zh) | 一种高性能避雷器用氧化锌压敏陶瓷材料 | |
| JP4690123B2 (ja) | 酸化亜鉛積層型バリスタの製造方法 | |
| JP2008244348A (ja) | 電気的過大応力に対する保護のために使用されるセラミック材料、及びそれを使用する低キャパシタンス多層チップバリスタ | |
| JP6089220B2 (ja) | 電圧非直線性抵抗体組成物およびこれを用いた積層バリスタ | |
| JP2004022976A (ja) | 積層型電圧非直線抵抗体、及びその製造方法 | |
| JPWO2015083822A1 (ja) | バリスタ用焼結体およびこれを用いた多層基板、ならびにそれらの製造方法 | |
| TWI482180B (zh) | 變阻器陶瓷、包括變阻器陶瓷之多層元件及變阻器陶瓷之製造方法 | |
| CN102709010A (zh) | 一种多层压敏电阻器及其制备方法 | |
| KR20160130653A (ko) | 바리스터 세라믹 및 이의 제조방법 | |
| KR100295282B1 (ko) | 저전압용디스크및칩형세라믹바리스터제조방법 | |
| KR101853131B1 (ko) | 적층 세라믹 전자 부품 | |
| CN101717250B (zh) | 一种多层片式压敏电阻器瓷料及所得的产品 | |
| WO2012093575A1 (ja) | 積層型半導体セラミックコンデンサの製造方法、及び積層型半導体セラミックコンデンサ | |
| KR101301475B1 (ko) | 바리스터 제조방법 및 바리스터 | |
| KR101236766B1 (ko) | 적층형 복합 칩 소자 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160224 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |