JP2004031599A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁性基板3の一方の主面に静電電極2を備え、他方の主面に前記静電電極2へ通電する給電端子6を備えて静電チャック1を構成する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶ガラス基板製造装置や、半導体製造装置等において、導体膜を備えたガラス基板やSOS(シリコンオンサファイア)、SOI(シリコンオンインシュレータ)等の絶縁性基板を静電気力で吸着し保持する静電チャックに関するものであって、特に、液晶注入、イオン注入、エッチング、CVD、スパッタ工程に使用される静電チャックに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶ガラス基板製造装置等において、上面に導電性の膜を備えたガラス基板や、SOSやSOI等の導体層を備えた絶縁性基板からなるウエハ(以下ウエハWと略す)を固定・搬送するには、これまでクランプリングや真空吸着装置が採用されていた。しかしながら、ウェハWの大型化やスループットの向上に伴い、半導体ウェハの固定に用いられている静電チャックの採用が検討されている。
【0003】
例えば、特開平10−32239公報に記載の双極型の静電チャックを図6に示す。この静電チャック10は、円板状の絶縁性基板11の内部に円を2分割にした静電電極12を埋設し、静電電極12の表面には表面絶縁層11aが形成され、前記絶縁性基板11の上面を半導体ウェハ17を載せる載置面11bとし、載置面11bに半導体ウェハ17を載せ、静電電極12に電源15より電圧を印加し、半導体ウェハを吸着している。
【0004】
このような静電チャック10は、絶縁性基板11に静電電極12を埋設した構造となっており、その吸着力Fは、
F=(S/2)×ε0×εr×(V/d)2
で示される。
【0005】
尚、Sは静電電極の面積、ε0は真空中の誘電率、εrは絶縁層11aの比誘電率、Vは印加電圧、dは絶縁層11aの厚みである。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図7に示すようにSOS、SOI基板のような絶縁性基板S上に導体膜Cを備えたウェハWを図6の従来の静電チャック10で吸着すると、図7に示すように実質的な絶縁層厚みdは静電チャックの絶縁層厚みd2とウェハWの絶縁基板Sの厚みd1を加えた値となり、吸着力Fsは、
Fs=(S/2)×ε0×εr×((V/(d1+d2))2
で表されることとなり、このFsは上記Fより非常に小さくなるという問題があった。
【0007】
また、真空中で、これらのウェハWを大きな静電吸着力で吸着することができないことから、ウェハWを加工処理する間にウェハWが載置面11bからズレてしまい、ウェハWを高精度に加工処理する事ができない虞があった。
【0008】
また、載置面11bにウェハWを吸着させても、載置面11bに倣ってウェハWを平坦にできない虞があった。
【0009】
更に、ウェハWと載置面11bが接触すると載置面11bからパーティクルが発生する虞があった。
【0010】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、絶縁性基板の一方の主面に静電電極を備え、他方の主面に前記静電電極へ通電する給電端子を備えて市電チャックを構成したことを特徴とする。
【0011】
また、前記絶縁性基板をセラミックスとし、更に、前記静電電極がタングステンカーバイド或いはタングステンを主成分とし、微量成分として前記セラミックス成分を含むことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【0013】
図1は、本発明に係る静電チャック1の例を示す斜視図である。又、図2は図1のX−X線断面図である。
【0014】
本発明の静電チャック1は、絶縁性基板3の上面に一対の静電電極2を備え、他方の主面3bに前記静電電極2に通電する給電端子6を備えている。この静電電極2上は載置面3aに露出しし、その上に絶縁層は存在していない。
【0015】
図3は静電チャック1にウェハWを載せた断面図を示す。ウェハWは、ガラスやサファイヤ等からなる厚みd1の絶縁基板Sの上面に導電性の膜Cを備えている。
【0016】
そして、静電チャック1の上面にウェハWを載せ、一対の静電電極2間に電圧Vを印加すると、静電電極2とウェハW上面の導電性の膜Cの間で静電吸着力が発生し、ウェハWを載置面2aに吸着させることができる。この時の静電吸着力F1は、
F1=(S/2)×ε0×εs×(V/d1)2
で示すことができる。
【0017】
尚、Sは静電電極の面積を示し、εsは絶縁基板Sの比誘電率を示す。また、d1は絶縁基板Sの厚みを示す。
【0018】
このように、本発明の静電チャック1は静電電極2の上に絶縁層が存在しないため、静電吸着力F1が前記の静電吸着力Fsと比べて大きく、ウェハWを強固に吸着することができることが判る。特に、本発明の静電チャック1の静電吸着力F1は、ウェハWの絶縁基板Sの比誘電率ε1が大きいほど、また、絶縁性基板Sの厚みd1が小さい程大きくなり、従来の静電チャックでは得られない吸着力を得る事ができる。
【0019】
図4は、前記静電電極2の他の実施形態を示す。静電電極2は、絶縁性基板3の上面に、一対の櫛歯状に形成され、外部電源7より直流電圧を印加しウェハWを吸着することができる。さらに他の実施形態を図5に示すように、静電電極2を4分割した形状とし、電源7からそれぞれ交互に+電圧と−電圧を印加することもできる。
【0020】
また、以上の実施形態では一対の静電電極2を備えた双極型の静電チャックについてのみ述べたが、一つの静電電極2を備え、ウェハWとの間に電圧を印加するようにした単極型の静電チャックにも同様に本発明を適用することができる。
【0021】
また、絶縁性基板3の材料としては、ポリイミド樹脂、ポリカーボネート樹脂やフッ素樹脂等の樹脂製の絶縁性基板や、酸化物セラミックスや窒化物セラミックスを使えるが、特に、本発明の静電チャック1は、絶縁性基板3の材質がセラミックスであることが好ましい。
【0022】
絶縁性基板としてのセラミックは、剛性が300GPa以上と大きく、ウェハWを載置面3aに大きな静電吸着力で吸着させた際に、載置面3aを支える絶縁性基板3がウェハWに倣って変形することがない。従って、逆にウェハWの微妙な反りを載置面3aの平坦度に倣わせることで、ウェハWの平坦度を矯正することができ、ウェハWに精密な精度で加工処理をすることが可能となり好ましい。つまり、ウェハWの表面に形成される素子の微細な配線パターンを高精度に加工処理するには、ウェハWの微妙な反りや変形を矯正することが必要であり、より具体的には、静電電極2をセラミックス製の絶縁性基板3に強固に固定し、載置面3aの平坦度を5μm程度に仕上げることで、ウェハWを大きな力で載置面2a上に吸着した際に、ウェハWを載置面2aに倣わせることが可能となりウェハWを精度良く平坦に保持することができる。
【0023】
絶縁性基板3として用いるセラミックスは、ウェハWに対して汚染が少ないアルミナ(Al2O3)、窒化アルミニウム(AlN)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素(Si3N4)、窒化ホウ素(BN)、シリカ(SiO2)等を主成分とするものが好ましく、さらに好ましくは、熱伝導率が大きく、半導体製造装置用静電チャックとして多用されている窒化アルミニウムセラミックスがある。
【0024】
さらに、本発明の静電チャック1の表面に形成される静電電極2の材質としては、セラミックスからなる絶縁性基板3の上面に容易に導電性の膜を形成できる点から、一般的なTi、TiN、Cr、Mo、Ni、W、WC等の材料が使用できる。
【0025】
本発明の静電チャック1は、従来の静電チャック10と異なり静電電極2の上面である載置面2aがウェハWと直接接触し、且つ、ウェハWを静電吸着したり離脱する操作によって載置面2aにはウェハWの処理枚数に応じて、繰り返し応力が作用する。この繰り返し応力は、静電電極2と絶縁性基板3の間に作用し、絶縁性基板3であるセラミックの表面から静電電極2を引き剥がし、静電電極2を脱落させたり、静電電極2の結晶粒子が磨耗したり脱粒する恐れがある。
【0026】
そこで、ウェハWの熱膨張係数に近いアルミナや窒化物セラミックスからなる絶縁性基板3の上面に、耐磨耗性の大きなタングステンカーバイド(WC)やタングステン(W)を主成分とし、微量成分として前記セラミックス成分を含む静電電極2を備えることが好ましい。
【0027】
絶縁性基板3と静電電極2の密着性を高めるには、上記WCやWからなる粒子を絶縁性基板3を構成するセラミックを介在させ固定し、絶縁性基板3を構成するセラミックスと静電電極2の内部のセラミックス成分とを同じセラミックスとすることで、絶縁性基板3に静電電極2を強固に密着させることができる事を見いだした。
【0028】
尚、W、WCに含まれるセラミックス成分の含有量は1〜20重量%が好ましい。これは、1重量%未満では絶縁性基板3と静電電極2との密着性が小さくなり、20重量%を越えると静電電極2の導電率が小さくなるためである。更に好ましくは3〜10重量%である。
【0029】
また、静電電極2を構成するWCやWの粒径は10μm以下が好ましく、更に好ましくは5μm以下である。粒径10μm以下とすることによりセラミックス製の絶縁性基板3と同時に焼結させることが可能であり、静電電極2を緻密に焼結することができることから静電電極2の上面を載置面2aとしてもWCやWの粒子が磨耗したり脱落する虞が小さいからである。
【0030】
又、静電電極2の厚みは、100μm以下であることが好ましい。これは、静電電極2の密着性を高める為に絶縁性基板を構成するセラミックス材料を介在させることによって、密着性は高まるものの、本来、熱膨張率の違う材料である為、静電電極2の厚みを厚くすると熱膨張差による応力が高くなり、100μmを越えて厚くなると静電電極が剥がれる虞が高くなるためである。静電電極2に対しては、数mアンペア程度の微弱な電流しか流れない為、電気的な導通があればよく、厚みを厚くする必要はない。100μm以下であれば静電電極としての機能に影響はない。
【0031】
さらに、静電電極2の載置面2aの表面粗さは、算術平均粗さRaで1μm以下、好ましくは0.4μm以下とすることが好ましい。表面が粗いと吸着した際に、ウエハーWとの擦れによってパーティクルが多量に発生したり、又WCやWの粒子が摩耗したり脱落する虞があるからである。表面粗さが良好であるとこの擦れによる摩擦抵抗が減少する。
【0032】
なお、本発明における静電電極2の形成方法としては、同時に焼結する静電電極2の形成方法だけでなく、セラミックス焼結体基板である絶縁性基板3の表面に、直接スパッタリングやCVD法により数μm〜50μm程度のW、WC、Ti、TiN、Cr、Mo等の金属の薄膜電極を形成する方法を用いても良い。この製法により作製した静電チャック1は、絶縁性基板3と静電電極2の熱膨張差により発生する応力により静電電極2膜の剥離や、絶縁性基板3が変形する場合があることから、前述のようなW、WCを主成分とした静電電極2とセラミックス製の絶縁性基板3を同時に焼結することが好ましい。
【0033】
静電電極2に吸着電圧を印加する給電端子6は、絶縁性基板3の他方に主面に取り付けられ、静電電極2と接続する方法として、絶縁性基板3の載置面3aと反対側の面の近くに埋設したビアホールを貫通する孔を設け、この孔の内面にAg−Cu−Tiの合金等を真空中でメタライズした後、Ag−Cu等のロー材を用いて給電端子6をロー付けする事によって得る事ができる。ここで、ロー付けの方法としてAg−Cuのロー剤について説明したが、ロー剤としては、融点の低いAlロー剤等を用いても良い。また、給電端子を取りつける方法については、ロー付け方法だけでなく導電性の接着剤を用いて導通と固定を同時に行う構造とすることもできる。また、絶縁性基板3に機械的にネジ加工し、このネジ部で露出した静電電極2との導通と固定を行うこともできる。
【0034】
尚、本発明は、絶縁性基板3に抵抗発熱電極や高周波印加電極を埋設した静電チャックにおいても適用できることは言うまでもない。
【0035】
【実施例】
本発明の実施例を以下に示す。
【0036】
平均粒径約1μmの純度99%の窒化アルミニウム原料粉末と有機バインダーと溶媒を加えて泥奬を作製し、ドクターブレード法により厚さ約0.5mmのグリーンシートを複数枚成形した。
【0037】
また、静電電極2用のペーストとして、純度99%以上、平均粒径約2.5μmのW、及びWCのそれぞれの原料粉末と上記のAlN原料粉末5重量%を有機バインダーとともに混練し作製した。また、静電電極2として、ペーストは、Tiを主成分としたものと、AlN原料粉末を添加していないペーストを準備した。このそれぞれのペーストをグリーンシート上にスクリーン印刷法にて四角形状の静電電極を印刷した。
【0038】
この静電電極を印刷したグリーンシートが最上面となるように複数枚のグリーンシートを重ねて所定の厚みに積層し積層体を作製した。作製した積層体を50℃、4900Paの圧力で熱圧着し、グリーンシート間の密着性を高めた。そして、積層体を切削加工により円板状に加工した後、該円板状の積層体を真空脱脂した。そして、窒素雰囲気下において2000℃で焼成する事により静電電極が露出した静電チャック1を作製した。
【0039】
比較例として、載置面の表面から深さ200μmのところにWを主成分とする静電電極が埋設されるように積層した積層体を同様に作製し、内部に静電電極を備えた静電チャックを作製した。
【0040】
これらの静電チャックを厚み2mmに機械加工し、吸着面をRa0.1μmとした後、さらにAg−Cu−Ti系ロー材を用いて真空中約800℃で電圧印可用の給電端子をロー付けした。なお、静電チャックの外寸法は、200mm角とした。
【0041】
これらの静電チャックに対し、静電吸着力、及びウェハWを吸着させた時に発生するウェハWの裏面のパーティクル数を測定した。
【0042】
先ず、静電吸着力の測定方法について説明する。真空チャンバー内に設置したロードセルの先端に金属製のワイヤーを介して測定用ウェハを取り付けた。このウェハは、100mm角の板状で、継ぎ手を備えた固定ジグに機械的に固定した。ワイヤーはロードセルを介してモータで巻き上げることができ、ワイヤーの巻き上げ力によって測定用ウェハが引き剥がされた時のロードセルの読みとり値を吸着力とした。この吸着力を測定用ウェハの面積で除した数値を静電吸着力とした。
【0043】
この静電吸着力測定装置を使って給電端子に2kVの電圧を印加した時の静電吸着力を比較した。
【0044】
尚、厚みが0.7mmの液晶用ガラス基板で吸着面の反対の面に1μmのITO(インジウム−スズ酸化物)の導体膜を備えた測定用ウェハを用い測定した。
【0045】
次に、大きさ8インチ角のウェハWを吸着させ、ウェハWを10、100、1000枚処理した後に、ウェハWの裏面のパーティクル数をパーティクルカウンター(TENKOR社製:機種SP1)にてに測定し、パーティクル数を比較し、0.3μm以上のパーティクルをカウントした。
【0046】
これらの試験結果を表1に示す。
【0047】
【表1】
【0048】
従来の載置面に絶縁膜を有する静電チャックである試料No.1,2は、液晶ガラス基板を吸着する静電吸着力が、それぞれ35、45Paと小さかった。この静電吸着力は、ガラス基板からなるウェハWを搬送・反転するに必要な静電吸着力である50Pa以下であり使用できなかった。
【0049】
一方、本発明の静電チャック1である試料No.3〜5は、それぞれ、200、300Paと大きな静電吸着力を示した。
【0050】
従って、本発明の静電チャックは、絶縁性基板の一方の主面に静電電極を備えた静電チャックは吸着力が大きくウェハWを吸着する静電チャックとして使用できることが分った。
【0051】
又、ウェハWを10枚、100枚、1000枚吸着処理した後にウェハWの裏面のパーティクル数を測定した。その結果、WやWCにAlNを添加した静電電極を備えた試料No.3、4、5の静電チャックは、Tiを静電電極とした試料No.6の静電チャックや、Wからなる静電電極に、絶縁性基板の成分と同じセラミック成分を含まない試料No.7の静電チャックよりもパーティクル数が1000ヶ以下と極端に少なく、ウェハWを1,000枚処理した後のパーティクル数は通常のウェハ加工処理装置に要求される3000ヶ以下と好ましい結果であった。
【0052】
以上の結果から、静電電極がW,WCを主成分とし、且つ静電電極に絶縁性基板と同一のセラミックス成分を含む静電チャックは、繰り返しの静電吸着や離脱による脱粒や磨耗によるパーティクルの発生が少なく好ましいことが確認できた。
【0053】
よって、本発明によれば、液晶ガラス、SOS、SOI等の絶縁性をもつ被吸着物を高い吸着力で保持できる静電チャックを提供できる。
【0054】
なお、上記については、2分割の静電電極をもつ双極型の静電チャックについて述べたが、単極型の静電チャックについても被吸着物の上面の導体膜と静電電極との間に静電吸着電圧を印可すれば、同様に高い吸着力を得ることができることは言うまでもない。
【0055】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、絶縁性基板の一方の主面に静電電極を備え、他方の主面に前記静電電極へ通電する給電端子を備えて静電チャックを構成することにより、導電性膜を備えた絶縁基板からなるウェハを強固に吸着できる。
【0056】
更に、前記絶縁性基板をセラミックスで形成すると、ウェハを吸着した際にウェハの平坦度を小さくできる。
【0057】
また、前記静電電極がタングステンカーバイド或いはタングステンを主成分とし、微量成分として前記セラミックス成分を含むことによりウェハWとの吸着による静電電極の磨耗や脱粒・脱落を少なくできる。
【0058】
従って、液晶ガラス基板のようにその表面に導電性膜を有するウェハWを真空中で大きな静電吸着力で安定して固定する静電チャックを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の静電チャックを示す斜視図である。
【図2】図1のX−X線の断面図である。
【図3】本発明の静電チャックにウェハを載せた状態の断面図である。
【図4】本発明の静電チャックにおける静電電極の他の実施形態を示す平面図である。
【図5】本発明の静電チャックにおける静電電極の他の実施形態を示す平面図である。
【図6】従来の静電チャックの断面図である。
【図7】従来の静電チャックを使用した場合の断面図である。
【符号の説明】
1、10:静電チャック
2、12:静電電極
3、11:絶縁性基板
3a、11b:載置面
6、16:給電端子
7、15:電源
17 :シリコンウエハー
W:ウェハ
Claims (3)
- 絶縁性基板の一方の主面に静電電極を備え、他方の主面に前記静電電極へ通電する給電端子を備えたことを特徴とする静電チャック。
- 前記絶縁性基板がセラミックスからなることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- 前記静電電極がタングステンカーバイド或いはタングステンを主成分とし、微量成分として前記セラミックス成分を含むことを特徴とする請求項2記載の静電チャック。
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005091356A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Creative Technology Corporation | 双極型静電チャック |
JP2006052075A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Tsukuba Seiko Co Ltd | ハンドリング装置及びそれを用いたハンドリング方法 |
JP2006066857A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャック |
JP2012512537A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvリソグラフィのためのウェハチャック |
US8525418B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-09-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
-
2002
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Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005091356A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Creative Technology Corporation | 双極型静電チャック |
JPWO2005091356A1 (ja) * | 2004-03-19 | 2008-02-07 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 双極型静電チャック |
JP4684222B2 (ja) * | 2004-03-19 | 2011-05-18 | 株式会社クリエイティブ テクノロジー | 双極型静電チャック |
JP2006066857A (ja) * | 2004-07-26 | 2006-03-09 | Creative Technology:Kk | 双極型静電チャック |
JP2006052075A (ja) * | 2004-08-13 | 2006-02-23 | Tsukuba Seiko Co Ltd | ハンドリング装置及びそれを用いたハンドリング方法 |
JP4498852B2 (ja) * | 2004-08-13 | 2010-07-07 | 筑波精工株式会社 | ハンドリング装置及びそれを用いたハンドリング方法 |
US8525418B2 (en) | 2005-03-31 | 2013-09-03 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Electrostatic chuck |
JP2012512537A (ja) * | 2008-12-19 | 2012-05-31 | カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー | Euvリソグラフィのためのウェハチャック |
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