JP2004259805A - 静電チャック - Google Patents
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Abstract
【解決手段】板状セラミック体3の一方の主面に吸着用電極4が形成され、吸着用電極4の上に絶縁膜2を備え、その上面をウェハを載せる吸着面とした静電チャック1において、吸着用電極4に接続する給電部7として、板状セラミック体3に直径1mm以下の給電孔を備え、該給電孔にロウ材またははんだを充填する。また、絶縁膜2は非晶質セラミックス膜で形成され、厚みは10ミクロンより大きく100ミクロン以下とする。
【選択図】図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体製造工程や液晶製造工程において、半導体ウエハ(以下、ウエハと称す)や液晶ガラスに微細加工を施すエッチング工程や薄膜を形成するための成膜工程、フォトレジスト膜を露光する露光処理工程等において、ウエハや液晶ガラスを保持する静電チャックに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造工程において、ウエハに微細加工を施すためのエッチング工程や、薄膜を形成するための成膜工程、又はフォトレジスト膜を露光するための露光処理工程等において、ウエハを保持するために静電気的に吸着する静電チャックが使用されている。
【0003】
この静電チャックは、図5に示すように板状セラミック体23の上面に一対の吸着用電極24を備え、該吸着用電極24を覆うように絶縁膜22が形成され、該絶縁膜22の上面はウェハを載せる吸着面22aとなっている。
【0004】
静電チャックは、静電気によるクーロン力を利用するウェハ保持装置で、図5に示すように板状セラミック体23体上に一対の吸着用電極24を形成し、その上に、誘電率εの絶縁膜22を厚みrで形成し、絶縁膜22の上にウェハW(不図示)をのせ、吸着用電極24の間にVボルトの電圧を印加すると、ウェハWと吸着用電極24の間にその電圧の半分のV/2ボルトが印加される。その電圧によりウェハWを引きつける静電気力Fが生じる。
【0005】
式1 F=(ε/2)×(V2/4r2)
物体を保持する保持力である静電吸着力Fは、絶縁膜22の厚みrが小さい程大きく、また、電圧Vが大きい程大きくなる。電圧Vを大きくすればするほど保持力が増すが、あまり大きくすると絶縁膜22の絶縁性が破壊されてしまう。また、絶縁膜22にボイドなどの空隙があると絶縁が破壊される。それで、物体を保持する膜の内部及び表面は、滑らかであること、ボイドがないことが求められる。
【0006】
特許文献1は、静電チャックを生テープを積層して形成し、その間に吸着用電極を挿入して一体焼成した静電チャックで、その給電部分は図5に示すようにビアホール30やパッド31を使って吸着用電極24と導通をとり、パッド31を貫通させるように穴を開けてその内面をメタライズした後に給電端子28をロウ付けする方法が開示されている。
【0007】
また、特許文献2も静電チャックを生テープを積層して形成し、その間に吸着用電極を挿入して一体焼成した静電チャックで、その給電部分は図7に示すように吸着用電極24に電圧を印加する手段としては板状セラミック体23に吸着用電極24を貫通するように穴が開いており、その内面をメタライズした後に給電端子28をロウ付けする方法が開示されている。
【0008】
特許文献1や2のようにテープを積層して形成する静電チャックにおいては焼成することにより絶縁膜22、板状セラミック体23及び吸着用電極24が一体になるため、焼結体の一方の主面より吸着用電極24やパッド31を貫通するような座ぐり穴を設けて内面をメタライズ・ロウ付けして給電端子を設けることにより電気的導通をとることが可能であり、また、上記座ぐり穴の底に絶縁膜22が存在するため、吸着面22aと給電端子28は電気的に絶縁されており、静電チャックとして機能することができる。
【0009】
特許文献3は、板状セラミック体の主面に吸着用電極を形成し、板状セラミック体の主面の全面に数ミクロン厚みの絶縁膜をスパッタ、イオンプレーティング、真空蒸着で形成する方法が記載されている。
【0010】
この場合、図8のように吸着用電極24を形成する前に給電端子28を埋め込んでおく必要があり、板状セラミック体23と熱膨張に近似した金属性の給電端子28をロウ材27によりロウ付けする方法を用いることが多い。
【0011】
また、特許文献4には絶縁膜22をCVD等で形成する窒化アルミニウム膜の静電チャックが開示されており、この給電部分は図6のようにビアホール30やパッド31を使って吸着用電極24と導通をとり、パッド31を貫通させるように穴を開けてその内面をメタライズした後に給電端子28をロウ付けする方法が開示されている。
【0012】
〔特許文献1〕
特開平10−189696号公報
〔特許文献2〕
特開平9−213455号公報
〔特許文献3〕
特開平4−49879号公報
〔特許文献4〕
特開平9−237826号公報
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、特許文献3や4のように絶縁膜22を薄膜で形成した静電チャック21は給電部分を絶縁する必要があるので、給電部分を形成してから絶縁膜22を形成する工程となる。従って、板状セラミック体23に給電部分を設けてそれを面一に加工した後、吸着用電極24を形成し、その上に絶縁膜22を形成することになる。
【0014】
スパッタやCVD等で形成された絶縁膜22は厚みが薄いため母材のセラミックス基体23の表面に大きなボイドがあったり、給電端子をロウ付けしてあるロウ材層に大きなボイドがあるとその上に形成される絶縁膜22に欠陥が発生しやすく、静電チャック21の吸着用電極24に電圧を加えると前記欠陥部分で絶縁破壊することがあり、静電チャック21の寿命が短いとの問題があった。特に図8のようにロウ付け部は給電端子28とそれを挿入している穴のクリアランスに毛細管現象によりロウ材27を流すが、穴と給電端子28の芯ズレによりクリアランスが設計値以上に大きくなってボイドが発生したり、クリアランスが小さくなりすぎてロウ材が流れずに空隙になることがあった。
【0015】
また、図6に示すようなビアホール構造のものはグリーンシートの状態で穴を形成し、その中に導電性ペーストを流してビアホール30を形成し、パッド電極31と繋がるように積層される。そして脱脂焼成することにより板状セラミック体23の中に内蔵一体することができる。しかし、導電性ペーストが乾燥収縮する過程やビアホール30を形成したグリーンシートを積層する過程、その積層体を脱脂、焼成する過程においてビアホール部分にボイドが生じてしまう。その上に薄膜で絶縁膜22を形成するとそのビアホールのボイドより絶縁破壊を起こすことが多かった。
【0016】
【課題を解決するための手段】
そこで本発明は、板状セラミック体の一方の主面に吸着用電極が形成され、該吸着用電極の上に絶縁膜を備え、その上面をウェハを載せる吸着面とした静電チャックにおいて、該吸着用電極に接続する給電部として、前記板状セラミック体に直径1mm以下の給電孔を備え、該給電孔にロウ材またははんだを充填したことを特徴とする。
【0017】
また、上記給電部に金属製の給電端子を電気的に接続したことを特徴とする。さらに、上記絶縁膜が非晶質セラミック膜で形成されたことを特徴とする。また、上記絶縁膜の厚みが10μmより大きく100μm以下であることを特徴とする。
【0018】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【0019】
図1は本発明の静電チャック1の一例を示す。また、図2に図1の給電部7の拡大構造を示す。板状セラミック体3の上面に一対の吸着用電極4が形成され、吸着用電極4の上面には、絶縁膜2が形成されている。その絶縁膜2の上面をウェハを吸着させる吸着面2aとする。また、吸着用電極4は板状セラミック体3の給電孔5に充填されたロウ材やはんだからなる給電部7により板状セラミック体3の裏面側への電気的な取り出しが可能となっている。
【0020】
そして、吸着面2aの上にウェハWを載せ、一対の給電部7に数百Vの電圧を印加し吸着用電極4とウェハWの間に静電吸着力を発現させ、ウェハWを吸着することができる。
【0021】
本発明の静電チャックは給電孔5にロウ材またははんだを充填し給電部7としたものである。
【0022】
給電孔5の内径は板状セラミック体3と給電部7の熱膨張率が異なるため、小径でなくてはならない。給電孔5の内径としては直径1mm以下、好ましくは直径0.5mm以下が好ましい。これは、直径1mmを越えるとロウ材7と板状セラミック体3の熱膨張差による応力で板状セラミック体3の給電孔5周辺にクラックを生じてしまうためである。
【0023】
しかし径があまり小さくなると加工が困難で、メタライズ層6を給電孔5内面に形成したりやロウ材やはんだを充填するのが困難となってくるため、給電孔5は直径0.2mm以上必要である。
【0024】
また、穴の形状は楕円や四角形などもあるが、最大径の大きさが1mm以内にする必要がある。但し、円形状が理想的に応力が穴の内面に均一にかかるため最も好ましい形状である。
【0025】
ロウ材またははんだの充填方法としては途中工程で給電孔5を貫通穴ではなく有底穴にした状態で穴表面にメタライズ層6を形成し、その後ロウ材やはんだを真空中、N2中または還元雰囲気で溶融して有底穴に流し込んで溜めて充填し、その後板状セラミック体の一方の主面を研削加工し給電部7を露出させて形成する。このような方法により、小径の給電孔5に対して、良好にロウ材やはんだを充填できる。
【0026】
また、給電部7のロウ材またははんだの充填具合としては有底穴の底にロウ材やはんだが充填されており、吸着用電極4を板状セラミック体3の表面を研削加工して給電部7を露出させた際に、給電部7のロウ材またははんだが空隙なく充填されいればよい。従って、給電部7の吸着面の反対面側に多少の凹みが生じても、導通の機能上は特に問題とならないため構わない。
【0027】
ロウ材またははんだの熱膨張率は板状セラミック体3の熱膨張率より大きいため、溶けたロウ材またははんだが給電孔5内で固まってから温度を室温に下げる際に応力を発生する。つまり、熱膨張率に温度差を掛けた物が収縮となることから、高温でロウ材またははんだが固化するほど大きな応力が発生する。そのため、ロウ材またははんだの融点が低い金属を使う方が好ましい。
【0028】
ロウ材としては銀系、銀銅系、金スズ系、インジウム系のものや、鉛系やすず系のはんだを用いるのが好ましい。ロウ材またははんだの融点としては850℃以下のものを使うのが好ましい。また、給電孔5にロウ材またははんだを充填した後に絶縁膜2や吸着用電極4を形成するため、絶縁膜2や吸着用電極4を形成するプロセスより高い融点のロウ材またははんだを使う必要がある。この点からロウ材またははんだの融点としては200℃以上のものが好ましい。
【0029】
ロウ材は直接セラミックとはほとんど濡れないため、板状セラミック体3の給電孔5の内面はロウ材が濡れるように金属化処理が必要である。活性金属法や高融点金属法で給電孔5の内面にメタライズ層6を形成したり、無電界メッキにより給電孔5の内面にメッキ層を形成しても構わない。
【0030】
メタライズ層6やメッキ層の厚みは0.2μm以上が好ましい。0.2μmより薄いとロウ材の流れが悪くなるためである。メッキを使用した場合には10μmを越えるとメッキの剥がれが発生しやすくなる。メタライズ層6に高融点金属を使用した場合は30μmを越えるとメタライズ層6の剥離が発生する。しかし、活性金属法を用いる場合はロウ材にTiなどの活性金属を添加した組成になっているので、メタライズ材を充填するだけでも同じ効果を得られるため、厚みの上限は限定されない。
【0031】
板状セラミック体3とロウ材またははんだの熱膨張率が異なるため、ヤング率が大きいロウ材またははんだになるとロウ材またははんだに変形が起こらず、板状セラミック体3に大きな応力がかかってしまう。熱膨張率による応力を緩和できるように軟らかいロウ材やはんだである方が好ましい。ロウ材やはんだのヤング率としては90GPa以下が望ましく、更に好ましくは80GPa以下である。このようなロウ材7としては銀系、銀銅系、金スズ系、インジウム系のものや、鉛系やすず系のはんだを用いるのが好ましい。
【0032】
また、図3は本発明の静電チャック1の他の実施形態の概略の構造を示す。また、図4に図3の給電部の拡大図を示す。板状セラミック体3の上面に一対の吸着用電極4が形成され、吸着用電極4の上面には、絶縁膜2が形成されている。その絶縁膜2の上面をウェハを吸着させる吸着面2aとする。また、吸着用電極4は板状セラミック体3の給電孔5に充填されたロウ材またははんだにより板状セラミック体3の裏面側の給電端子8へ電気的に接続している。
【0033】
実際に半導体製造装置に静電チャック1を組み込んで静電チャック1の吸着用電極4に電圧を印加する時には、電源からのリード線と接続する必要がある。リード線を静電チャックに直接接続するには給電部7と電気的導通のとれた雌ネジを設けた給電端子8が必要となる。また、静電チャックの給電部7に給電ピンをバネで押し当てることもあるが、確実に給電を取るには平滑で接触面積が大きな給電端子8が好ましい。給電端子8は給電孔5にロウ材またははんだを充填した給電部7に、ロウ材やはんだまたは導電性接着剤を用いて接合する。給電端子8の固定にロウ材やはんだを用いる場合は充填したロウ材より融点の低いものを用いなければならない。
【0034】
また、給電端子8の外径が5mmより大きい場合は、低温で付けられる導電性接着剤やはんだが好ましい。導電性接着剤9としては銀エポキシが好ましい。
【0035】
また、半導体のプロセスでは電子ビームや高周波を使うために磁性材料は問題となることがあるため、給電端子8の材質としては銅、真鍮、チタンモリブデン、タングステンなどの非磁性材料が好ましい。
【0036】
更に、本発明では上記絶縁膜2が酸化物または窒化物からなる均一な非晶質セラミックから成ると好ましい。均一な非晶質セラミックスからなる絶縁膜2は、吸着用電極4から吸着面2aの間の体積固有抵抗が一様であるため、絶縁膜2の中を電界が一様に形成され電圧を印加した時に吸着力がすぐに発現し一定の吸着力になる。そして、印加する電圧を切ると、すぐに吸着力が0になりウェハWを離脱できる。このように吸着/離脱特性が優れたものとすることができる。
【0037】
尚、均一な非晶質セラミックスとは、絶縁膜2の厚み方向の内部で電荷の分布が不連続となるような複数の絶縁膜層を含むことなく単一の絶縁膜2からなることであり、これによって上記の吸着/離脱特性が優れた絶縁膜2とすることができる。更に、絶縁層2に5μm以上のボイドがなく緻密であることから絶縁膜2が絶縁破壊する虞がない。
【0038】
また、非晶質セラミックからなる絶縁膜2の厚みは10μmより大きく100μm以下が好ましい。絶縁膜2の厚みが10μmより大きくなると、セラミックス基体3の表面のボイドの影響を受けてボイドの上の絶縁膜2に欠陥が発生しこの欠陥部分の耐電圧が小さくなり、吸着電極4に電圧を印加すると前記欠陥部分で絶縁破壊することがある。そのため、少なくと10μmより大きくすることが必要である。また、100μmを越えると絶縁膜2を成膜する時間が数10時間以上となり量産性に乏しく、また内部応力も大きくなりすぎるため絶縁膜2がセラミック基体3から剥離するという問題が発生する。最も好ましい絶縁膜2の厚みとしては30〜70μmである。
【0039】
次に本発明の静電チャック1の製法について述べる。ここでは給電孔5の穴径を内径0.5mmとして、給電孔5の内面のメタライズ層6はAg−Cu−Tiの活性金属法を用いて、ロウ材にはBAG8(Ag72%−Cu28%)を用いたものについて述べる。また、板状セラミック体3として酸化アルミニウムを用いて、絶縁膜2は非晶質の酸化アルミニウム膜をスパッタ法により形成したものを説明する。
【0040】
大気圧で焼成した板状の酸化アルミニウム基板を用意し、その酸化アルミニウム基板を約1400℃、2000気圧でHIP(HOT ISOSTATIC PRESS)処理を施し、ボイドを数ミクロン程度に小さくした酸化アルミニウム基板を板状セラミック体2として用意する。ボイドを小さくする方法としてはホットプレスにより焼成しても構わない。そして酸化アルミニウム基板を所定の形状に加工する。その際、酸化アルミニウム基板の他方の主面に給電端子8用の直径5mm、深さ4mmの座ぐり穴を設けた後、その底面に給電孔5用の直径0.5mm、深さ2mmの座ぐり穴をマシニング加工にて作製した。直径0.5mm、直径5mmの座ぐり穴の底面及び内面にAg−Cu−Tiのペーストを塗布し、直径0.5mmの穴に完全にペーストが入るように、直径0.5mmの座ぐり穴を覆うようにペーストをのせ、それを真空に引くことで穴の中の空気を脱気して、大気圧に戻すことにより座ぐり穴を覆っていたペーストが穴の中に入れることができる。その後、直径0.3mmのBAG8の線材を直径0.5mmの穴に充填して乾燥させる。それを約850℃の真空炉で処理することでロウ材がつまった座ぐり穴が形成する。
【0041】
上記はメタライズとロウ付けを同時行う方法を示しているが、メタライズロウ付けを別々に行っても構わない。
【0042】
ロウ付け終了後に酸化アルミニウム基板の一方の主面を削ることにより、給電孔5に詰まったロウ材が表れ、所定の厚みに削ることにより、給電部7を形成した板状セラミックス体3を作製する。その後、上記主面を脱粒が起こらないようにラップ加工して吸着用電極4を形成する面を整える。
【0043】
その後、板状セラミック体3の一方の主面の吸着用電極4を形成する面の全面と給電部7であるロウ材の端面とにTiからなるTi膜を成膜する。その後Ti膜の上にレジストを塗布してエッチング加工して所望の形状のTi膜からなる吸着用電極4を形成する。
【0044】
板状セラミック体3の表面に吸着用電極4を形成した後、吸着用電極4上に非晶質セラミックからなる絶縁膜2を形成する。この非晶質セラミックからなる絶縁膜2はスパッタによって作製する。平行平板型のスパッタ装置に絶縁膜2として成膜したい材質のターゲットをセットする。ここでは酸化アルミニウム焼結体をターゲットとし、該ターゲットと対向するようにして吸着用電極4を備えた板状セラミック体3をセットする。板状セラミック体3は銅製のホルダーの中にセットする。板状セラミック体3の裏面とホルダー表面はInとGaからなる液状合金を塗り貼り合わせることにより基板とホルダーの熱伝達が良くなり、板状セラミック体3の冷却効率を上げることができることから良質な非晶質セラミックからなる絶縁膜2を形成することができる。
【0045】
このように板状セラミック体3をチャンバー内にセットし、真空度を0.001Paとした後、アルゴンガスを25〜75sccm流す。
【0046】
そして、ターゲットとホルダーの間にRFをかけることによりプラズマが発生する。そして、ターゲットのプレスパッタ及び板状セラミック体2側のエッチングを数分間行いターゲットと板状セラミック体2のクリーニングを行う。
【0047】
酸化アルミニウムの非晶質セラミックからなる絶縁膜2の成膜は上記のRFのパワーを3〜9W/cm2にしてスパッタを行う。また、板状セラミック体3の吸着用電極4側には−100〜−200V程度のバイアスをかけてターゲットから電離した分子及び電離したアルゴンイオンを引きつける。しかし、板状セラミック体3が絶縁体であると電離したアルゴンイオンにより板状セラミック体3の表面が帯電してしまい、次のアルゴンイオンが入りにくい状態になる。膜中に入ったアルゴンイオンは電荷を放出してアルゴンの状態に戻り、膜中に残留する。アルゴンを膜中に多く取り込むには成膜時に吸着用電極4と給電部7からInGa層、ホルダーの経路で電荷を逃がし、常にアルゴンを絶縁膜2に取り込みやすい状態にしておくことが必要である。
【0048】
また、板状セラミック体3の冷却が悪いと部分的に非晶質セラミックからなる絶縁膜2が結晶化してしまい、部分的に耐電圧が小さくなることがある。板状セラミック体3の冷却は装置の冷却板に冷却水を流すことで基板ホルダー内を充分冷却して板状セラミック体3の温度を数十℃に保つようにしておく。
【0049】
絶縁膜2の成膜レートは3μm/時間にて17時間成膜し、約50μmの膜厚の非晶質セラミックからなる絶縁膜2を作製した。
【0050】
その後、リフトピン穴などの加工を施し、板状セラミック体3の裏面等を所定の厚みにして形状を整える。非晶質セラミックからなる絶縁膜2上にブラストや平研やエッチングなどの手法で凹部を形成した後、非晶質セラミックからなる絶縁膜2の表面をポリッシング等で整えることにより静電チャック1を作製する。
【0051】
最後に直径5mmの座ぐり穴にネジを形成した給電端子8を半田付けや導電性接着剤にて固定して給電部を構成する。
【0052】
【実施例】
(実施例1)
本発明の静電チャック1として給電孔5の内径を変えた板状セラミック体3と比較例としてセラミック生テープに印刷して作製したビアホール構造の板状セラミック体、また、直径1mmの給電孔にモリブデンのピンを接合して給電部とした板状セラミック体を用意して、各々に吸着用電極4としてTiを0.2ミクロン成膜して、その上に非晶質酸化アルミニウムからなる絶縁膜2を10〜100μmの厚みで成膜したものを作製して耐電圧の評価を行った。テスト数を増やすために各条件で作ったサンプルに10ヶづつ給電部を設けてテストを行った。
【0053】
耐電圧の方法としては各給電部上の非晶質酸化アルミニウムの上に1インチ角のSiウェハをのせ、各ウェハと各給電部に3kVの電圧を1分間印加して初期の耐電圧を評価した。その後、3kVの電圧を1分間印加して一旦電圧をOFFにした後にまた電圧を印加するということを100回繰り返すという条件での耐電圧の評価を行った。
【0054】
また、電極を成膜する前にクラックの有無を目視や双眼で確認し外観として評価した。
【0055】
その結果を表1に示す。表の数値は上記条件の耐電圧テストで破壊した給電部の数を示している。
【0056】
【表1】
【0057】
従来例の静電チャックはNo.8、9であるが、初期の状態で耐電圧が3kV以下のものが発生している。
【0058】
ロウ材を充填したもののうち、穴径が直径1.5mmと直径2.0mmの試料No.6、7は初期から給電孔周辺の板状セラミック体にクラックが発生しており、耐電圧でももたなかった。
【0059】
本発明の静電チャックはNo.1〜5であるが、全てクラックも発生せずに耐電圧評価結果でも全数絶縁破壊しなかった。
【0060】
上記実施例では給電部7に金属ピンを押し当てて導通をとったが、給電部7に電気的接続がとれるように雌ねじ付き給電端子8を導電性接着剤で固定したものにリード線を付けた方が確実に導通をとることが可能である。
【0061】
【発明の効果】
板状セラミック体の一方の主面に吸着用電極が形成され、該吸着用電極の上に絶縁膜を備え、その上面をウェハを載せる吸着面とした静電チャックにおいて、該吸着用電極に接続した給電部として前記板状セラミック体に直径1mm以下の給電孔を備え、該給電孔にロウ材またははんだが充填することにより給電部のボイドが低減できるため、その上に形成される絶縁膜の絶縁破壊電圧を向上させることができる。
【0062】
それにより、絶縁膜が薄い静電チャックを形成できるため、非常に高い吸着力の静電チャックを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る静電チャックの断面図である。
【図2】本発明に係る静電チャックの拡大断面図である。
【図3】本発明に係る静電チャックの断面図である。
【図4】本発明に係る静電チャックの拡大断面図である。
【図5】従来の静電チャックの断面図である。
【図6】従来の静電チャックの拡大断面図である。
【図7】従来の静電チャックの拡大断面図である。
【図8】従来の静電チャックの拡大断面図である。
【符号の説明】
1、21:静電チャック
2、22:絶縁膜、絶縁膜
2a、22a:吸着面
3、23:板状セラミック体
4、24:吸着用電極
5、25:給電孔
6、26:メタライズ層
7、27:給電部
8、28:給電端子
9、29:導電性接着剤
30:ビアホール
31:パッド電極
Claims (4)
- 板状セラミック体の一方の主面に吸着用電極が形成され、該吸着用電極の上に絶縁膜を備え、その上面をウェハを載せる吸着面とした静電チャックにおいて、該吸着用電極に接続する給電部として、前記板状セラミック体に直径1mm以下の給電孔を備え、該給電孔にロウ材またははんだを充填したことを特徴とする静電チャック。
- 上記給電部に金属製の給電端子を電気的に接続したことを特徴とする請求項1に記載の静電チャック。
- 上記絶縁膜が非晶質セラミック膜で形成されたことを特徴とする請求項1または2に記載の静電チャック。
- 上記絶縁膜の厚みが10μmより大きく100μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の静電チャック。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003046816A JP4184829B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 静電チャックの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003046816A JP4184829B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 静電チャックの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008059285A Division JP2008153701A (ja) | 2008-03-10 | 2008-03-10 | 静電チャック |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004259805A true JP2004259805A (ja) | 2004-09-16 |
JP4184829B2 JP4184829B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=33113222
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003046816A Expired - Fee Related JP4184829B2 (ja) | 2003-02-25 | 2003-02-25 | 静電チャックの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4184829B2 (ja) |
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-
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- 2003-02-25 JP JP2003046816A patent/JP4184829B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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---|---|
JP4184829B2 (ja) | 2008-11-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040706 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070424 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070622 |
|
A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
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A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080904 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110912 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120912 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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