JP3728078B2 - プラズマ発生用部材 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、プラズマ発生機構を有する成膜装置やエッチング装置などに用いられるプラズマ発生用部材に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウエハに薄膜を形成するためのPVD装置やCVD装置などの成膜装置や上記ウエハに微細加工を施すためのドライエッチング装置にはプラズマ発生機構を備えたものがあり、各装置のチャンバー内にはプラズマ発生用電極が配置されている。
【0003】
このプラズマ発生用電極としてはアルミニウムなどの金属板が用いられていたが、ハロゲン系の腐食性ガスが用いられるようになり、また、成膜装置においては高温に曝されることから、図5に示すように、プラズマ発生用電極13を耐食性、耐熱性に優れるアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素などのセラミック基体12に埋設したプラズマ発生用部材11が提案されている。
【0004】
また、このプラズマ発生用部材11を構成するセラミック基体12の内部にプラズマ発生用電極13とともに静電吸着用電極やヒータ電極を埋設することにより、半導体ウエハWの静電吸着機能や加熱機能を持たせたものも提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、近年、ウエハサイズの大型化とともに、ECRやヘリコン波などによる高密度プラズマ発生源が使用されるようになり、2kWを越えるような高出力のプラズマを発生させるようになっている。また、ウエハWへの成膜や加工の均一性も益々重要視され、高出力のプラズマをいかに均一に発生させるかという点が検討されている。
【0006】
しかしながら、上記プラズマ発生用部材11は、セラミックグリーンシートの間にプラズマ発生用電極13を挟み込み、積層一体化したあと焼成して製作されていたため、セラミック基体2中に埋設することができるプラズマ発生用電極13の厚み幅はせいぜい10〜50μm程度であった。その為、このようなプラズマ発生用部材11に1MHz、2kWを越えるような高周波を印加すると、プラズマ発生用電極13の厚み幅が薄いために高周波が流れ難く、一気に対設されたプラズマ発生用電極10へ向かって発散することから、プラズマ発生用電極13の全面にわたって一様なプラズマを発生させることができなかった。その結果、ウエハWの全面わたって均一な成膜や加工を施すことができず、歩留りが悪かった。
【0007】
しかも、プラズマ発生用電極13と給電端子15との接合部に集中的な熱応力が発生する結果、セラミック基体12が破損するとともに、上記プラズマ発生用電極13や給電端子15が磁性を有していると異常発熱し、電極13や端子15として使用できなくなるといった課題もあった。
【0008】
【課題を解決するための手段】
そこで、本発明は上記課題に鑑み、円盤状をしたセラミック基体の内部で、複数の円板状のプラズマ発生用電極を相互に導通するようにして積層してなるプラズマ発生用部材を構成したものである。
【0009】
また、上記各プラズマ発生用電極の厚み幅を20〜50μm、その合計厚み幅を60μm以上とすることが好ましい。
さらに、上記セラミック基体がアルミナ又は窒化アルミニウムからなり、上記プラズマ発生用電極が比透磁率10以下の金属材料により形成することが好ましい。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【0011】
図1(a)は、本発明のプラズマ発生用部材の一実施形態を示す一部を破断した斜視図で、(b)は(a)のX−X線断面図である。
【0012】
このプラズマ発生用部材1は、円盤状をしたセラミック基体2の内部に、円板状のプラズマ発生用電極3を4層にわたってそれぞれ平行に積層してあり、いずれもその径はセラミック基体2よりも若干小さく、ほぼ同径としてある。また、各プラズマ発生用電極3同士はビアホール導体4を介して電気的に結合してあり、最下層のプラズマ発生用電極3には給電端子5が接続されている。
【0013】
このようなセラミック基体2を構成するセラミックスとしては、チャンバー内に供給されるフッ素や塩素などの腐食性ガスに対して耐食性を有するとともに、高温に曝されても充分な耐熱性を有するものが良く、さらにはプラズマを発生させた時にセラミック基体2が発熱することを防ぐために比透磁率が10以下であるセラミックスを用いることが良い。具体的には、アルミナ、窒化アルニウム、炭化珪素、ムライト、炭化硼素などを用いることができる。
【0014】
また、プラズマ発生用電極3及び給電端子5を構成する材質としては、高周波の流れを阻害することなく、かつ磁性発熱を防ぐために、導電性を有するとともに、比透磁率が10以下であるものが良く、例えば、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、真鍮などを用いることができる。
【0015】
そして、上記セラミック基体2の内部に埋設するプラズマ発生用電極3の厚み幅tは50μm以下とすることが重要である。
【0016】
これは、プラズマ発生用電極3の厚み幅tを厚くすればそれだけ高周波を通し易くなるのであるが、50μmを越えると、セラミック基体2の内部にプラズマ発生用電極3を埋設することができないからである。
【0017】
即ち、50μmを越えるようなプラズマ発生用電極3をセラミックグリーンシート間に挟み込んで積層すると、グリーンシート全面に対して十分な加圧ができなくなるために密着性が低下し、焼成時に破損に至からであり、逆に20μmより薄くなると高周波を通し難くなるからである。
【0018】
その為、プラズマ発生用電極3の厚み幅tは20〜50μm、好ましくは20〜30μmとすることが良い。
【0019】
なお、図1ではセラミック基体2の内部に4層のプラズマ発生用電極3を積層した例を示したが、合計厚み幅が60μm以上となるように、20〜50μmの厚み幅tを有するプラズマ発生用電極3を2層以上積層すれば良い。
【0020】
これは、高周波を印加した時にプラズマ発生用電極3が発熱することなく、スムーズに高周波を通過させるためには、プラズマ発生用電極3の厚み幅tが少なくとも60μm以上必要であるからであり、20〜50μmの厚み幅tを有するプラズマ発生用電極3を1層だけ埋設したものでは、図5のように給電端子5に印加された高周波がプラズマ発生用電極3内に広がらず、一気に対設されたプラズマ発生用電極10へ発散することから、一様なプラズマ分布が得られず、さらにはプラズマ発生用電極3と給電端子5との接合部に熱応力が集中する結果、セラミック基体2が破損するからである。これに対し、例えば15μmの厚み幅tを有するプラズマ発生用電極3を4層積層すれば、その合計厚み幅が60μmとなり、60μmの厚み幅tを有するプラズマ発生用電極3を1層設けた場合と同様の効果が得られるため、プラズマ発生用電極3の異常発熱を抑え、セラミック基体2の破損を防ぐとともに、図4に示すように対設されたプラズマ発生用電極10との間で一様なプラズマを発生させることができる。
【0021】
なお、上記プラズマ発生用電極3としては、円板状をした金属膜以外に、円板状をした金属箔を埋設したものでも良く、さらには円板状をした編み目構造のメッシュ体であっても構わない。
【0022】
また、プラズマ発生用電極3や給電端子5における異常発熱を抑えるためには、プラズマ発生用電極3と給電端子5からなる高周波印加経路において、1MHzの高周波を印加した時の高周波抵抗値(インピーダンス)が10Ω以下、望ましくは1Ω以下とすることが良い。
【0023】
これは、プラズマを発生させるために1MHzの高周波が給電端子5に印加されているからであり、給電端子5の径やプラズマ発生用電極3の厚み幅tをいくら厚くしても、その高周波印加経路の抵抗値が10Ωより高すぎては異常発熱を抑えることができないからである。
【0024】
なお、この高周波抵抗値(インピーダンス)とはプラズマ発生用電極3や給電端子5を構成する金属材料の体積固有抵抗値やその形状等によって決定されるが、LCRメータを用いることで容易に測定することができる。具体的には、セラミック基体2の上面に、プラズマ発生用電極3とほぼ同径のアルミニウム円板を載置し、このアルミニウム円板とプラズマ発生用部材1の給電端子5間に1MHzに設定したLCRメータを接続すれば良い。ただし、本発明において高周波抵抗値は、リアクタンス成分を除いた値のことである。
【0025】
このようなプラズマ発生用部材1を製作する方法としては、セラミックグリーンシートを複数枚製作し、このうち4枚のセラミックグリーンシートの同一位置にビアホールを形成したあと、このビアホールに金属ペーストを充填するとともに、その上面にも金属ペーストを円板状に敷設する。そして、これらのセラミックグリーンシートを積み重ねるとともに、最上面の金属ペーストを覆うように別のセラミックグリーンシートを重ねたあと、熱圧着させてセラミック積層体を形成する。しかるのち、このセラミック積層体を所定の形状に切削したあと、セラミックスを焼結させることができる温度にて焼成することにより、円板状のプラズマ発生用電極3を4層にわたって平行に積層してなるセラミック基体2を製作する。
【0026】
そして、このセラミック基体2に必要に応じて研削、研磨加工を施したあと、セラミック基体2の下面に、最下層のプラズマ発生用電極3と連通する凹部を穿孔し、メタライズ処理を施したあと、給電端子5をロウ付け固定することにより、図1に示すプラズマ発生用部材1を得ることができる。
【0027】
なお、このプラズマ発生用部材1においては、図2に示すように給電端子5に別途直流電源を設けることで、静電吸着機構を持たせることもできる。
【0028】
例えば、セラミック基体2の上面に半導体ウエハWを載置し、プラズマ発生用電極3と半導体ウエハWとの間に直流電圧を印加すれば、4層のプラズマ発生用電極3のうち、最上層のプラズマ発生用電極3が静電吸着用電極として機能するため、上記半導体ウエハWをセラミック基体2の上面に吸着固定することができる。なお、セラミック基体2中のプラズマ発生用電極3には高周波と直流電圧が重畳した状態となるが、互いの電源間にチョークなどの遮断回路を設け、電源同士が干渉することを防止すれば良い。
【0029】
また、他の実施形態として、図3に示すように、プラズマ発生用電極3とは別に内部電極6をセラミック基体2の内部に埋設し、この内部電極6に静電吸着用電極やヒータ電極としての機能を持たせても良い。ただし、上記内部電極6を静電吸着用電極として使用する時には、静電吸着力を高めるためにできるだけセラミック基体2の上面側に埋設することが良く、上記内部電極6をヒータ電極として使用する時には、セラミック基体2の上面における均熱性を高めるためにセラミック基体2の下面側に埋設することが良い。
【0030】
(実施例)
図1に示すプラズマ発生用部材1を試作し、その効果を調べる実験を行った。
【0031】
まず、平均粒子径が1.2μm程度である純度99%以上のAlN粉末にバインダーと溶媒を添加混合して泥漿を作製したあと、ドクターブレード法にて厚さ0.4mm程度のグリーンシートを40枚製作した。このうち4枚のグリーンシートの同一位置にそれぞれビアホールを形成し、このビアホールにAlN粉末を含むタングステンペーストを充填するとともに、上記4枚のグリーンシートの上面にもタングステンペーストを円板状にそれぞれ敷設した。なお、各グリーンシートの上面に形成したタングステンペーストの厚みは約36μmとした。
【0032】
そして、これらのグリーンシートを順次積み重ねるとともに、別のグリーンシートを最上層のペースト上に重ね、80℃、50kg/cm2 の条件にて熱圧着し、その後円盤状に切削加工を施してセラミック積層体を得た。しかるのち、このセラミック積層体に真空脱脂を施し、さらに2000℃程の真空雰囲気下で焼成することにより、窒化アルミニウムの内部に4層の円板状のプラズマ発生用電極3を積層してなるセラミック基体2を得た。
【0033】
なお、このセラミック基体2を構成する窒化アルミニウムについて調べたところ、純度99%以上、平均結晶粒子径3μm、平均気孔径0.5μm、比重3.2の緻密質体であり、熱伝導率は100W/mkを有していた。
【0034】
また、セラミック基体2中のプラズマ発生用電極3について調べたところ、直径約196mm、厚み幅t約30μmの円板状をなし、プラズマ発生用電極3の間隔は2mmであった。
【0035】
次に、このセラミック基体2に研削加工を施して外径200mm、表面粗さ(Ra)0.2μmに仕上げたあと、セラミック基体2の下面に、最下層のプラズマ発生用電極3と連通する凹部を形成し、この凹部にメタライズ処理を施したあと、モリブデン製の給電端子5をロウ付け固定することにより、図1のプラズマ発生用部材1を得た。
【0036】
そして、このプラズマ発生用部材1を成膜装置のチャンバー内に設置し、対設されたプラズマ発生用電極10との間に1MHz、2kWの高周波を印加したところ、セラミック基体2の破損は見られず、また、プラズマ発生用電極3の全面にわたってほぼ一様なプラズマ分布が得られた。
【0037】
(実験例1)
そこで、図1のプラズマ発生用部材1におけるプラズマ発生用電極3の数とその厚み幅tをそれぞれ変えた時の製作性とプラズマ分布の度合いについて実施例と同様の条件にて実験を行った。
【0038】
それぞれの結果は表1に示す通りである。
【0039】
【表1】
【0040】
この結果、試料No.1,2のようにプラズマ発生用電極3の厚み幅tが50μm以下のものは製作可能であったものの、厚み幅tが薄く、高周波抵抗値が10Ωより高いために、一様なプラズマ分布が得られず、また、プラズマ発生用電極3がいずれも焼損してしまった。
【0041】
一方、試料No.3,4のようにプラズマ発生用電極3の厚み幅tが60μm以上のものではプラズマ発生用部材1の製作が困難であり、厚み幅tが70μmの試料No.4にあっては製作が不可能であった。
【0042】
これに対し、試料No.5〜9のように厚み幅tが50μm以下のプラズマ発生用電極3を2層以上積層したものにおいては、各プラズマ発生用電極3の厚み幅tが薄いために2層以上積層してもプラズマ発生用部材1の製作が可能であり、また、その合計厚み幅tがいずれも60μm以上であるとともに、高周波抵抗値が10Ω以下であることから、プラズマ発生用電極3が発熱することなく、一様なプラズマを発生させることができた。
【0043】
この結果、一様なプラズマを発生させるためにはセラミック基体2の内部に、厚み幅tが50μm以下のプラズマ発生用電極3を2層以上積層すれば良いことが判る。
【0044】
(実験例2)
次に、プラズマ発生用電極3や給電端子5を比透磁率の異なる材質によりそれぞれ形成した時の電極3や端子5の破損の有無について実験を行った。
【0045】
それぞれの結果は表2に示す通りである。
【0046】
なお、本実験では、プラズマ発生用電極3の数を2層とし、各プラズマ発生用電極3の厚み幅tを30μmに設定し、実験例1と同様の高周波を印加して測定した。また、表2中、合金1とは比透磁率が10の銅とニッケルの合金、合金2とは比透磁率が12の銅とニッケルの合金、合金3とは鉄−コバルト−ニッケルの合金(コバール)のことである。
【0047】
【表2】
【0048】
この結果、試料No.11,15,16では、給電端子5を構成するニッケル(Ni)、合金2、合金3の比透磁率が10より高いために、高周波を印加すると給電端子5が異常発熱し、特に比透磁率の高い試料No.11,16では給電端子5が焼損し、使用できなかった。
【0049】
また、試料No.12では、プラズマ発生用電極3を構成するニッケル(Ni)の比透磁率が300と高すぎるために、高周波を印加するとプラズマ発生用電極3が焼損し、使用できなかった。
【0050】
これに対し、試料No.10,13,14は、プラズマ発生用電極3及び給電端子5を比透磁率が10以下の材質により形成してあることから、高周波を印加してもプラズマ発生用電極3や給電端子5に異常な発熱はなく、一様なプラズマを発生させることができた。
【0051】
この結果、プラズマ発生用電極3及び給電端子5は、比透磁率が10以下の材質により形成すれば良いことが判る。
【0052】
(実験例3)
さらに、セラミック基体2を構成する窒化アルミニウムにニッケル(Ni)を含有させ、セラミック基体2の比透磁率を異ならせた時のセラミック基体2の破損の有無について実験を行った。
【0053】
それぞれの結果は表3に示す通りである。
【0054】
なお、本実験では、プラズマ発生用電極3と給電端子5の双方を比透磁率が1のモリブデン(Mo)により形成し、上記プラズマ発生用電極3の数を2層、各プラズマ発生用電極3の厚み幅tを30μmに設定し、実験例1と同様の高周波を印加して測定した。
【0055】
【表3】
【0056】
この結果、試料No.20は、窒化アルミニウムの比透磁率が10より高いため、高周波を印加するとセラミック基体2を構成する窒化アルミニウムが発熱し、この熱応力によりセラミック基体2が破損した。
【0057】
これに対し、試料No.17〜19のように、比透磁率が10以下であれば、高周波を印加してもセラミック基体2を構成する窒化アルミニウムの発熱は見られなかった。
【0058】
この結果、セラミック基体2を構成するセラミックスとしては、比透磁率が10以下であるものが良いことが判る。
【0059】
なお、本実施例及び実験例では、セラミック基体2を構成するセラミックスとして窒化アルミニウムを用いた例を示したが、アルミナなど比透磁率が10以下のセラミックスであればいずれも同様の傾向が見られた。
【0060】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、円盤状をしたセラミック基体の内部に、厚み幅が20〜50μmである円板状のプラズマ発生用電極を複数層積層してプラズマ発生用部材を構成したことにより、上記プラズマ発生用電極は緻密で耐食性、耐熱性に優れるセラミックスにより包囲されていることから、高温でハロゲン系腐食性ガスに曝されたとしても腐食や特性劣化を生じることがない。また、上記プラズマ発生用電極に高周波を印加しても異常発熱することなく、一様なプラズマを発生させることができる。
【0061】
その為、本発明のプラズマ発生用部材を成膜装置やエッチング装置に用いれば、長期間にわたって使用可能であるとともに、一様なプラズマを発生させることができることから、ウエハの全面に対して均一な成膜や加工を施すことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明のプラズマ発生用部材の一実施形態を示す一部を破断した斜視図で、(b)は(a)のX−X線断面図である。
【図2】本発明のプラズマ発生用部材の他実施形態を示す断面図である。
【図3】本発明のプラズマ発生用部材の他実施形態を示す断面図である。
【図4】本発明のプラズマ発生用部材を用いた時のプラズマ分布を示す模式図である。
【図5】従来のプラズマ発生用部材を用いた時のプラズマ分布を示す模式図である。
【符号の説明】
1・・・プラズマ発生用部材 2・・・セラミック基体
3・・・プラズマ発生用電極 4・・・ビアホール導体
5・・・給電端子 6・・・内部電極
Claims (4)
- 円盤状をしたセラミック基体の内部で、複数の円板状のプラズマ発生用電極を相互に導通するようにして積層してなるプラズマ発生用部材。
- 上記各プラズマ発生用電極の厚み幅が20〜50μmである請求項1に記載のプラズマ発生用部材。
- 上記プラズマ発生用電極の合計厚み幅が60μm以上である請求項1又は請求項2に記載のプラズマ発生用部材。
- 上記セラミック基体がアルミナ又は窒化アルミニウムからなり、上記プラズマ発生用電極が比透磁率10以下の金属材料からなる請求項1乃至請求項3に記載のプラズマ発生用部材。
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