JPH09237826A

JPH09237826A - 静電チャック

Info

Publication number: JPH09237826A
Application number: JP4387096A
Authority: JP
Inventors: Koichi Nagasaki; 浩一長崎
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 1997-09-09

Abstract

(57)【要約】【課題】均一な吸着力でもって半導体ウエハを保持する
ことができるとともに、静電吸着機能以外にプラズマ発
生機能を備えたコンパクトな静電チャックを提供する。【解決手段】セラミック基体の表面に厚さ０．０２ｍｍ
以上でかつその最大長さが５ｃｍ以下である電極部を複
数個備え、上記各電極部に厚さ０．０１〜０．５ｍｍの
窒化アルミニウム膜を被覆して保持面を形成することに
より静電チャックを構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置等
において、半導体ウエハに成膜加工や微細加工等を施す
ために使用する静電チャックに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造工程において、
半導体ウエハに膜付けを行うための成膜装置や半導体ウ
エハに微細加工を施すためのドライエッチング装置など
には、半導体ウエハを高精度に保持するための治具とし
て静電チャックが使用されている。

【０００３】また、近年、半導体素子の集積度の向上に
伴い、静電チャックに要求される精度もより高度化して
きたため、セラミック製の静電チャックが使用されるよ
うになっている。

【０００４】例えば、静電チャックを構成するセラミッ
ク基体をアルミナセラミックスや窒化珪素質セラミック
スにより形成するとともに、上記セラミック基体中に静
電吸着用の電極を埋設したものがこれまで良く知られて
いる（特開昭６２−２６４６３８号公報参照）。

【０００５】また、蒸着やドライエッチングを伴う半導
体装置の製造工程においては、プラズマを発生させたハ
ロゲン系腐食性ガス下で使用されるため、セラミック基
体を耐プラズマ性に優れた窒化アルミニウム質セラミッ
クスにより形成したものもあった（特開平６−１５１３
３２号公報参照）。

【０００６】また、プラズマを利用した半導体製造プロ
セスで使用する静電チャックにおいては、ウエハを密着
させるための静電吸着機能以外にウエハを一定温度に保
つための温度制御機能やプラズマ発生機能が要求されて
おり、これらの機能の全てを一体化できれば、コンパク
トで極めて効率の高い静電チャックを得ることができる
ことから、セラミック基体の内部に静電吸着用電極、抵
抗発熱体、およびプラズマ発生用電極の３つの電極を内
蔵したオールインワン型の静電チャックが提案されてい
る。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】ところが、セラミック
基体の内部に電極を３層も挟み込むと、焼成時の熱膨張
差によってセラミック基体が大きく反れ曲がるととも
に、クラックが発生したり電極の剥離や断線等を生じる
といった課題があった。

【０００８】特に、静電吸着用電極とプラズマ発生用電
極はセラミック基体の全面にわたるような電極パターン
をしたものであるために、これら２つの電極を埋設する
ことによるセラミック基体の反りは大きいものであっ
た。

【０００９】その為、このような静電チャックによりウ
エハを保持したとしてもウエハの平坦精度が得られず、
半導体製造プロセスに悪影響を与えるといった課題があ
った。

【００１０】そこで、このような問題点を少しでも改善
するために、電極厚みを薄くすることが考えられるが、
電極厚みを０．０１ｍｍ以下とするとプラズマ発生用電
極に印加可能な高周波電力が制限されるといった課題が
あった。

【００１１】即ち、プラズマを発生させる場合、プラズ
マ発生用電極に１００Ｗ以上の電力を印加しなければな
らないのであるが、電極厚みが０．０１ｍｍ以下である
とプラズマ発生用電極が異常発熱することから、ウエハ
に十分なドライエッチング加工を施すことができないば
かりか、プラズマ発生用電極が焼き切れたり、セラミッ
ク基体が破損するなどの課題があった。

【００１２】

【課題を解決するための手段】そこで、本発明は上記課
題に鑑み、セラミック基体の表面に厚さ０．０２ｍｍ以
上でかつその最大長さが５ｃｍ以下である電極部を複数
個備え、上記各電極部に厚さ０．０１〜０．５ｍｍの窒
化アルミニウム膜を被覆することにより保持面を形成し
て静電チャックを構成したものである。また、本発明は
上記セラミック基体の内部に加熱用の抵抗発熱体を埋設
しても良い。

【００１３】また、本発明は上記電極部に静電吸着用の
直流高電圧および／またはプラズマ発生用の高周波電力
を印加し、静電吸着作用と共にプラズマ発生用電極とし
ても作用させるようにしたものである。

【００１４】さらに、本発明は上記セラミック基体を体
積固有抵抗値が１０¹⁰Ω・ｃｍ以上でかつ熱伝導率が２
０Ｗ／ｍｋ以上を有するセラミックスにより構成すると
ともに、電極部をタングステン、モリブデン、またはコ
バールにより構成したものである。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図によ
って説明する。

【００１６】図１（ａ）に本発明に係る静電チャックの
斜視図を、図１（ｂ）にそのＸ−Ｘ線断面図を示すよう
に、本発明に係る静電チャックはセラミック基体１の表
面に複数の電極部２を備えてなり、各電極部２を窒化ア
ルミニウム膜３により被覆してその表面を保持面４とし
てある。

【００１７】また、図２にセラミック基体１の分解図を
示すように、セラミック基体１の内部には複数の電極部
２に通電するためのビアホール５と各ビアホール５を導
通させるための２極の導体層６を有するとともに、該導
体層６とは別に加熱用の抵抗発熱体７を埋設してあり、
上記導体層６および抵抗発熱体７にはそれぞれに通電す
るためのリード端子８、９が接合してある。

【００１８】ところで、上記セラミック基体１を構成す
るセラミックスとしては、１０¹⁰Ω・ｃｍ以上の体積固
有抵抗値と２０Ｗ／ｍｋ以上の熱伝導率を有するものが
良い。これは、電極部２との電気絶縁性を確保するとと
もに、ウエハ１０に均一な膜を成膜したり高精度の加工
を施すためには均熱性の良いことが欠かせないからであ
る。

【００１９】そして、このような特性を有するセラミッ
クスとしては窒化アルミニウム質セラミックスやアルミ
ナセラミックスが良く、好ましくは熱伝導率が高く均熱
性に優れ、かつ高い耐プラズマ性を有する窒化アルミニ
ウム質セラミックスを用いることが良い。

【００２０】ただし、セラミック基体１の厚みは、後述
する電極部２を形成する時の熱応力に耐ええるようにす
るために３ｍｍ以上とすることが必要である。

【００２１】また、セラミック基体１の表面に形成する
電極部２は、図３に示すような円形状の電極を等間隔で
分割した複数の電極部２により構成してあり、ウエハ１
０を均一に吸着保持するためには少なくとも電極部２を
セラミック基体１の表面に等間隔で配置することが好ま
しい。

【００２２】ただし、セラミック基体１とその表面に形
成する電極部２の大きさには密接な関係があり、上記各
電極部２の最大長さＬが５ｃｍより大きくなると、電極
部２とセラミック基体１との間の熱膨張差によるセラミ
ック基体１の反りが大きくなりすぎるために、その反り
量を無視することができず、ウエハ１０への成膜精度や
加工精度に悪影響を与えることになる。

【００２３】その為、セラミック基体１の表面に形成す
る各電極部２の最大長さＬは５ｃｍ以下とすることが必
要である。

【００２４】なお、本発明で言う電極部２の最大長さと
は、電極部２における最も長い部分の長さのことであ
り、例えば、円形をした電極部２ではその直径を、四角
形をした電極部２ではその対角線のうち長い方をそれぞ
れ最大長さとする。

【００２５】さらに、各電極部２の形状については円形
や楕円、あるいは多角形や星形など最大長さＬが５ｃｍ
以下のものであればどのような形状をしたものであって
も構わない。

【００２６】また、電極部２の厚みＴ₁も重要な要件で
ある。即ち、電極部２には静電吸着用電極としての機能
以外にプラズマ発生用電極としての機能を持たせてある
のであるが、電極部２の厚みＴ₁が０．０２ｍｍ未満と
薄すぎると、プラズマを発生させるために高周波電力を
印加した時に電極部２が発熱したり焼き切れてしまうか
らである。

【００２７】従って、電極部２の厚みＴ₁は０．０２ｍ
ｍ以上とすることが必要である。

【００２８】このような電極部２を構成する金属として
はタングステン、モリブデン、コバール等の熱膨張係数
が４〜６×１０^-6／℃の金属が良い。これらの金属はセ
ラミック基体１を構成する窒化アルミニウム質セラミッ
クスやアルミナセラミックスの熱膨張係数（５〜７．８
×１０^-6／℃）と近似しているために、熱膨張差に伴う
セラミック基体１の反りや破損を低減することができ
る。さらに、セラミック基体１が窒化アルミニウム質セ
ラミックスからなる時には、上記金属に窒化アルミニウ
ム粉末を微量添加しても良く、このように窒化アルミニ
ウム粉末を添加することで、セラミック基体１との熱膨
張差をさらに小さくすることができるため、セラミック
基体１の反りや破損をさらに低減することができる。

【００２９】このようにセラミック基体１の表面に電極
部２を形成するには、上記金属からなるペーストを所定
の大きさにそれぞれ塗布したのち焼き付けることにより
セラミック基体１と一体化したり、メタライズ層を形成
したあと電極部２をなす所定の大きさの金属板や金属箔
をチタンや銀などのロウ材でもってセラミック基体１に
接合すれば良い。

【００３０】さらに、上述の方法でもってセラミック基
体１の表面のほぼ全面に電極を形成したあと、切削加工
等により最大長さＬが５ｃｍ以下の電極部２に分割した
ものであっても構わない。

【００３１】また、セラミック基体１上の電極部２には
窒化アルミニウム膜３を被覆してあるのであるが、この
窒化アルミニウム膜３は周知の気相成長法、例えばスパ
ッタリング法やイオンプレーティング法などのＰＶＤ法
やプラズマＣＶＤ法、ＭｏＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法などＣ
ＶＤ法等の薄膜形成手段により被覆することができ、膜
純度としては９９％以上、好ましくは９９．９％以上の
ものが良い。また、上記薄膜形成手段により形成する場
合、膜３中に酸素が含有される可能性があるのである
が、この酸素量が多すぎると電極部２との密着性が低下
する。その為、窒化アルミニウム膜３中に含有する酸素
量は２０ａｔｏｍｉｃ％以下とすることが望ましい。

【００３２】この窒化アルミニウム膜３の膜厚みＴ₂は
０．０１〜０．５ｍｍが良く、さらに望ましくは０．０
５〜０．４ｍｍが良い。この理由としては窒化アルミニ
ウム膜３の膜厚みＴ₂が０．０１ｍｍ未満であると膜３
の耐電圧が小さすぎるために絶縁破壊を起こして耐久性
が低下するからであり、逆に、窒化アルミニウム膜３の
膜厚みＴ₂が０．５ｍｍより大きくなると窒化アルミニ
ウム膜３の成膜に時間がかかることから生産性が劣り、
また、膜厚みＴ₂にバラツキを生じることから吸着バラ
ツキが発生するとともに、静電吸着力が低下してしまう
からである。

【００３３】なお、窒化アルミニウム膜３は電極部２を
有するセラミック基体１の表面全体に被覆しても良い
が、好ましくは電極部２のみを覆うように形成すること
が好ましい。これは、セラミック基体１と窒化アルミニ
ウム膜３とではその形成方法が異なるために、例えば、
セラミック基体１が窒化アルミニウム質セラミックスか
らなるものであっても両者の間には若干の熱膨張差が存
在し、セラミック基体に反りが発生したり、窒化アルミ
ニウム膜３にクラックを生じる恐れがあるからである。

【００３４】ただし、電極部２のみを窒化アルミニウム
膜３で被覆するには、電極部２間にマスクを配置して窒
化アルミニウム膜３を被覆するか、あるいはセラミック
基体１の表面全体に窒化アルミニウム膜３を被覆したあ
と、ショットブラスト等の方法により電極部２間にある
窒化アルミニウム膜３を取り除けば良い。

【００３５】一方、セラミック基体１には電極部２に通
電するための２極の導体層６と加熱用の抵抗発熱体７を
埋設してあるのであるが、これらの導体層６および抵抗
発熱体７の厚みＴ₃を０．０３ｍｍ以下とすることによ
りセラミック基体１の反りを抑制することができる。な
お、導体層６および抵抗発熱体７の材質は電極部２の材
質と同様にセラミック基体１との熱膨張差をできるだけ
小さくしてセラミック基体１の反りを低減するためにタ
ングステン、モリブデン、またはコバール等の熱膨張係
数４〜６×１０^-6／℃を有する金属を用いることが良
く、さらには上記金属に窒化アルミニウム粉末を微量添
加したものを用いることが好ましい。

【００３６】次に、この静電チャックの作動について説
明する。

【００３７】図１に示すように、半導体ウエハ１０を保
持面４に載置し、リード端子８を介して電極部２に１０
００Ｖ程度の直流高電圧を印加することにより上記電極
部２を静電吸着用電極として作用させることができるた
め、窒化アルミニウム膜３と半導体ウエハ１０との間に
誘電分極によるクーロン力や微少な漏れ電流によるジョ
ンソン・ラーベック力を発生させて半導体ウエハ１０を
保持面４に吸着保持させることができる。ここで、本発
明に係る静電チャックは、セラミック基体１の表面に形
成する複数の電極部２の最大長さＬを５ｃｍ以下として
あることから、セラミック基体１に殆ど反りがなく、保
持面４を優れた平坦度に仕上げることができる。その
為、吸着バラツキが少なくウエハ１０を高精度に保持す
ることができる。

【００３８】また、静電チャックの上方に金属プレート
（不図示）を配設するとともに、電極部２に高周波電源
より高周波電力を印加することにより、上記金属プレー
トと電極部２との間でプラズマ密度が一定のプラズマを
発生させることができる。この時、電極部２は０．０２
ｍｍ以上の厚みＴ₁を有するため、高周波電力を印加し
ても発熱したり焼き切れるようなことがない。なお、電
極部２に静電吸着用の直流電圧以外にプラズマ発生用の
高周波電力を印加する場合、高周波をカットできるよう
なフィルターを静電チャックと高圧電源との間に設置し
ておけば良い。

【００３９】そして、電極部２を被覆する窒化アルミニ
ウム膜３は高純度で耐プラズマ性にも優れることから、
ウエハ１０にパーティクルやコンタミネーション等の悪
影響を及ぼすことがない。

【００４０】さらに、セラミック基体１中には抵抗発熱
体７を埋設してあるため、リード端子９を介して電圧を
印加することにより静電チャックを発熱させてウエハ１
０を均一に加熱することができる。しかも、セラミック
基体１中には厚みＴ₃が０．０３ｍｍ以下の帯状薄膜パ
ターンを有する抵抗発熱体７と、セラミック基体１上に
形成する複数の電極部２と連通させるための２極の導体
層６を埋設しただけであるため、一般的なセラミックヒ
ータと同様に反りや破損を生じることがなく、極めて信
頼性の高い静電チャックとすることができる。

【００４１】その為、本発明に係る静電チャックを用い
てウエハ１０に成膜を施せば、均一な厚みをもった膜を
被覆することができ、ウエハ１０にエッチング加工を施
せば、寸法通りの加工を施すことができる。

【００４２】

【実施例】

（実施例１）ここで、図１に示す静電チャックを試作し
て、その効果を調べる実験を行った。

【００４３】まず、純度９９．９％以上の窒化アルミニ
ウム粉末にバインダーおよび溶媒を添加して泥漿を作製
したあと、ドクターブレード法にて厚さ０．５ｍｍ程度
のグリーンシートを複数枚形成した。このうち１枚のグ
リーンシートにタングステン粉末と窒化アルミニウム粉
末を混合して粘土調整した抵抗発熱体用の金属ペースト
をスクリーン印刷でもって帯状パターンに形成し、別の
１枚のグリーンシートにタングステン粉末と窒化アルミ
ニウム粉末を混合して粘土調整した金属ペーストをスク
リーン印刷でもって図２に示すような配線形状に形成し
た。

【００４４】そして、これらのグリーンシートを積層
し、さらに残りのグリーンシートを積層して８０℃、５
０ｋｇ／ｃｍ²程度の圧力で熱圧着して積層体を形成
し、さらに切削加工を施して円盤状の板状体としたあ
と、電極部２と導通をとるために積層体の表面に直径
０．１ｍｍ程度の小孔を穿設し、金属ペーストを注入し
た。

【００４５】このようにして形成した積層体を真空脱脂
したあと、２０００℃程度の温度で還元焼成することに
よって、熱伝導率が１００Ｗ／ｍｋ、体積固有抵抗値が
１０¹³Ω・ｃｍの窒化アルミニウム質セラミックスから
なり、内部に抵抗発熱体７および２極の導体層６を埋設
した外径２２０ｍｍ、厚さ１０ｍｍのセラミック基体１
を形成した。

【００４６】また、他に純度９９％の高純度アルミナ、
窒化珪素、および炭化珪素の各セラミックスからなる基
体１を作製した。アルミナおよび窒化珪素は窒化アルミ
ニウムと同様にドクターブレード法にて製作し、炭化珪
素はホットプレス法により製作した。なお、各セラミッ
ク基体１はそれぞれの材料理論密度の９８％以上とし、
セラミック基体１の内部に埋設する抵抗発熱体７および
導体層６の印刷パターン形状は全て同一形状とし、その
抵抗値は５Ω、厚みＴ₃は０．０３ｍｍ以下とした。

【００４７】このようにして製作したセラミック基体１
の抵抗発熱体７に対して１００Ｖの電圧を印加して４０
０℃に発熱させた。そして、セラミック基体１の表面温
度を温度画像処理装置で確認したところ、表１に示すよ
うに窒化珪素製セラミック基体１の温度分布が極端に悪
く、実用に耐え得ないことが判った。

【００４８】また、炭化珪素製セラミック基体１では抵
抗値が小さいことから抵抗発熱体７に印加した電流の回
り込みが見られ、絶縁性を確保できないことが判った。

【００４９】これに対し、セラミック基体１を窒化アル
ミニウムおよびアルミナで形成したものは、発熱させた
としても電流の回り込みが見られず十分な絶縁性を有し
ており、温度分布についてもそれほど大きな温度ムラは
見られなかった。特に、窒化アルミニウムは高い熱伝導
率を有しているため、温度ムラが殆どなく優れたもので
あった。

【００５０】この結果、セラミック基体１を構成するセ
ラミックスとしては熱伝導率２０Ｗ／ｍｋ以上でかつ体
積固有抵抗値１０¹⁰Ω・ｃｍ以上を有するものを選定す
れば良いことが判る。

【００５１】

【表１】

【００５２】（実施例２）次に、窒化アルミニウムから
なるセラミック基体１の表面に研摩加工施して平坦度１
μｍ以下、中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としたあ
と、この表面に各ビアホール５と電気的に接続されるよ
うに表２に示すような形状および厚みの異なる電極部２
を形成し、セラミック基体１の反り量について実験を行
った。

【００５３】ただし、電極部２はチタン、銅、銀粉末を
混合して粘土調整したコバールのペーストを各電極形状
にスクーン印刷したあと、真空雰囲気下で１０００℃の
温度で加熱することにより形成した。

【００５４】それぞれの結果は表２に示す通りである。

【００５５】

【表２】

【００５６】この結果、まず、電極部２の形状や厚みに
関係なく、電極部２の最大長さＬが大きくなるにしたが
ってセラミック基体１の反り量も大きくなっていること
が判る。そして、電極部２の最大長さＬが５ｃｍより大
きくなると、セラミック基体１の反りが顕著になること
が判る。

【００５７】これに対し、電極部２の最大長さＬが５ｃ
ｍ以下であれば、セラミック基体１に発生する反り量を
１μｍ以下とすることができ、反りによる影響が無視で
きるレベルであった。

【００５８】また、電極部２の最大長さＬが５ｃｍより
大きいものでも研削加工等により電極部２を分割し、一
つの電極部２の最大長さＬが５ｃｍ以下となるようにす
ることでセラミック基板１の反り量を１μｍ以下とする
ことができた。

【００５９】このことから、電極部２の最大長さＬは５
ｃｍ以下すればセラミック基体１の反りを大幅に低減す
ることができることが判る。

【００６０】（実施例３）さらに、表２にある試料Ｎ
ｏ．７の電極部２を備えたセラミック基体１を用意し、
電極部２に膜厚みＴ₂を変化させた窒化アルミニウム膜
３を被覆して静電チャックを試作した。

【００６１】窒化アルミニウム膜３の成膜には、反応ガ
スとして塩化アルミニウム、アンモニア、水素、および
窒素を使用し、８００〜１０００℃の温度で５０ｔｏｒ
ｒ程度の減圧下で成膜し、成膜時間を制御することによ
り表３に示すような膜厚みＴ₂を有する窒化アルミニウ
ム膜３を被覆した。

【００６２】そして、電極部２に１０００Ｖの直流電圧
を印加してシリコンウエハ１０を吸着保持させたとこ
ろ、厚みＴ₂が０．００５ｍｍ以下のものでは絶縁破壊
が発生した。

【００６３】これに対し、膜厚みＴ₂が０．０１ｍｍ以
上のものでは、絶縁破壊を生じることなく安定して吸着
させることができた。しかしながら、膜厚みＴ₂が０．
５ｍｍより厚くなると窒化アルミニウム膜３の膜形成に
時間がかかり、生産効率が悪かった。

【００６４】また、吸着力についても膜厚みＴ₂が０．
０５〜０．４ｍｍの範囲であればほぼ一定の吸着力が得
られ、静電チャックとして扱い易いものであった。

【００６５】この結果、窒化アルミニウム膜３の膜厚み
Ｔ₂は０．０１〜０．５ｍｍの範囲が良く、望ましくは
０．０５〜０．４ｍｍが良いことが判る。

【００６６】

【表３】

【００６７】さらに、本発明に係る静電チャックをエッ
チング装置内にセットし、フッ素ガスを供給するととも
に、高周波電源から８００Ｗ、１３．５６ＭＨｚの高周
波電力を印加したところ、電極部２は０．０２ｍｍ以上
と十分な厚みＴ₁を持たせてあることから、高周波に対
して発熱したり焼き切れることはなかった。しかも、セ
ラミック基体１上に形成する電極部２および窒化アルミ
ニウム膜３は均一な厚みを有していることからウエハ１
０上のプラズマ密度を一定とすることができ、シリコン
ウエハへの所望の集積回路の形成が可能であった。

【００６８】

【発明の効果】以上のように、本発明は、セラミック基
体の表面に厚さ０．０２ｍｍ以上でかつその最大長さが
５ｃｍ以下である電極部を複数個備え、上記各電極部に
厚さ０．０１〜０．５ｍｍの窒化アルミニウム膜を被覆
することにより保持面を形成して静電チャックを構成し
たことにより、高い平坦精度を持った保持面とすること
ができ、均一な吸着力でもって半導体ウエハを保持する
ことができるとともに、電極部には静電吸着用の電極と
しての機能以外にプラズマ発生用の電極としての機能を
持たせることができるため、コンパクトで極めて効率の
高い静電チャックとすることができる。

【００６９】しかも、窒化アルミニウム膜は耐プラズマ
性に優れるために長寿命とすることができ、半導体ウエ
ハにコンタミネーションやパーティクル等の悪影響を及
ぼすことがない。

【００７０】また、上記セラミック基体の内部には電極
部と導通をとるための導体層と抵抗発熱体を埋設してあ
るだけであるため、一般的なセラミックヒータ同様極め
て高い信頼性が得られる。

【００７１】また、本発明では上記セラミック基体を高
い熱伝導率と体積固有抵抗値を有するセラミックスによ
り形成するとともに、電極部をタングステン、モリブデ
ン、またはコバールにより形成してあるために均熱性に
優れ、半導体ウエハを均一に加熱することができる。

【００７２】その為、本発明に係る静電チャックを用い
て半導体ウエハに成膜加工を施せば高精度の膜付けを行
うことができ、半導体ウエハに微細加工を施せば所定の
寸法通りに高精度に加工することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】（ａ）は本発明に係る静電チャックを示す斜視
図であり、（ｂ）はそのＸ−Ｘ線断面図である。

【図２】本発明に係る静電チャックを構成するセラミッ
ク基体の分解図である。

【図３】本発明に係る静電チャックの電極部のパターン
構造を示す図である。

【符号の説明】

１・・・セラミック基体、２・・・電極部、３・・
・窒化アルミニウム膜４・・・保持面、５・・・ビアホール、６・・・導
体層、７・・・抵抗発熱体、８・・・リード端子、
９・・・リード端子 10・・・半導体ウエハ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】セラミック基体の表面に厚さ０．０２ｍｍ
以上でかつその最大長さが５ｃｍ以下である電極部を複
数個備え、上記各電極部に厚さ０．０１〜０．５ｍｍの
窒化アルミニウム膜を被覆して保持面を具備したことを
特徴とする静電チャック。
【請求項２】上記セラミック基体の内部に加熱用の抵抗
発熱体が埋設されていることを特徴とする請求項１に記
載の静電チャック。
【請求項３】上記電極部には、静電吸着用の直流高電圧
および／またはプラズマ発生用の高周波電力を印加し、
静電吸着作用と共にプラズマ発生用電極としても作用さ
せるようにしたことを特徴とする請求項１乃至請求項２
に記載の静電チャック。
【請求項４】上記セラミック基体は体積固有抵抗値１０
¹⁰Ω・ｃｍ以上でかつ熱伝導率２０Ｗ／ｍｋ以上を有す
るセラミックスからなり、電極部はタングステン、モリ
ブデン、またはコバールからなることを特徴とする請求
項１乃至請求項３に記載の静電チャック。