JP4683783B2 - 半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CVDやエッチング処理等に使用される、フッ素や塩素等のハロゲン化合物のプラズマ処理装置のプラズマ容器やドーム、ベルジャー、窓材、誘電板等の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体製造装置用耐プラズマ部材としては、純度99.5%以上のアルミナ(Al2 O3 )粉末から成形体を得、これを大気焼成した高純度アルミナセラミックスからなるものが汎用されている。又、金属汚染が問題となる場合、純度99.9%以上のアルミナ粉末から成形体を得、これを大気焼成した超高純度アルミナセラミックスからなるものが使用されている。
一方、近年では、アルミナセラミックスよりもハロゲン化合物のプラズマに対する耐プラズマ性に優れた酸化イットリウム(Y2 O3 )やイットリウム・アルミニウム・ガーネット(YAG:Y3 Al5 O12)セラミックスからなるものも知られている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体製造装置用耐プラズマ部材では、半導体のデザインルールが0.1μmとなっている昨今、Fe(鉄)等の金属汚染が発生し、半導体デバイスの不良が発生する不具合がある。
ちなみに、半導体ウェーハの汚染(コンタミ)レベルとしては、Poly−Siエッチャーでは、Feで1E+10atoms/cm2 以下が望まれている。
かかる不具合が生じるのは、現在、工業的に使用できる純度99.99%の超高純度のアルミナ粉末でも、原料レベルですでにFe等の金属不純物が3〜20ppm程度含まれていることによると考えられる。
従って、純度99.5%以上の通常の粉末から成形体を得、大気中で焼成した高純度アルミナセラミックスからなる耐プラズマ部材の表層には、原料に含まれるFe等がそのまま含有されている。
又、酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるものでも、原料レベルですでに金属不純物が含まれており、同様に半導体ウェーハ上の汚染が生じている。
【0004】
そこで、本発明は、半導体ウェーハ上の汚染レベルを低減し得る半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第1の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法は、透光性アルミナセラミックスとなる成形体を還元性雰囲気において1720〜1900℃の温度で焼成し、得られた焼成体の表面を機械加工又はケミカルエッチングにより粗面化処理した後、還元性雰囲気において1720〜1900℃の温度で熱処理して、表面から少なくとも10μmの深さまでのFe、Ni、Cr及びCuの含有量が1.0ppm未満である透光性アルミナセラミックスからなる耐プラズマ部材を得ることを特徴とする。
【0006】
第2の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法は、酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスとなる成形体を還元性雰囲気において1650〜2000℃の温度で焼成し、得られた焼成体の表面を機械加工又はケミカルエッチングにより粗面化処理した後、還元性雰囲気において1650〜2000℃の温度で熱処理して、表面から少なくとも10μmの深さまでのFe、Ni、Cr及びCuの含有量が1.0ppm未満である酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなる耐プラズマ部材を得ることを特徴とする。
【0007】
【作用】
上記半導体製造装置用耐プラズマ部材においては、表面がハロゲン化合物のプラズマ(ハロゲン化合物のガスが共存している場合を含む)に曝されると、表面から徐々にエッチングされて行くが、表面から少なくとも10μmの深さまでは、各金属不純物による汚染が半導体ウェーハ上のコンタミレベル1E+10atoms/cm 2 以下を満たすこととなる。
各金属不純物の含有量が1.0ppm未満である表面層の厚みが、10μm未満であると、耐プラズマ部材の耐用寿命が短くなる。
耐プラズマ部材の全て亘って各金属不純物の含有量が1.0ppm未満であることが最も好ましいが、現実的にコストの面から難しい。各金属不純物の含有量が1.0ppm未満である表面層の厚みは、20μmがより好ましく、50μmがさらに好ましい。
ちなみに、ハロゲン化合物のプラズマによるエッチングレートは、プラズマ状態によって様々に変化するが、アルミナでおおよそ0.01〜0.1μm/hr、酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットでおおよそ0.001〜0.1μm/hrである。
又、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm以上であると、半導体ウェーハ上のコンタミレベルが1E+10atoms/cm 2 を超える。
【0008】
一方、第1の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法においては、表面形態が改変され、かつ、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm未満となる。
焼成時の還元性雰囲気としては、水素ガス雰囲気が用いられる。
又、焼成温度が、1720℃未満であると、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm以上となる。一方、1900℃を超えると、結晶粒子が異常成長し、焼成体にクラックが入ったり、強度不足となる。
焼成温度は、1760〜1820℃がより好ましい。
【0009】
機械加工としては、ダイヤモンド砥石等による研削加工やダイヤモンド砥粒等によるサンドブラスト加工が行われる。
ケミカルエッチングには、熱硫酸や熱リン酸等が用いられる。
熱処理時の還元性雰囲気としては、水素ガス雰囲気が用いられる。
又、熱処理温度が、1720℃未満であると、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm以上となる。一方、1900℃を超えると、結晶粒子が異常成長し、クラックが発生したり、強度不足となる。又、熱処理中に変形が発生する。
熱処理温度は、1760〜1820℃がより好ましい。
【0010】
第2の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法においては、表面形態が改変され、かつ、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm未満となる。
焼成時の還元性雰囲気としては、水素ガス雰囲気が用いられる。
又、焼成温度が、1650℃未満であると、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm以上となる。一方、2000℃を超えると、結晶の粒成長に伴う焼結体の強度不足が顕著となる。酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体は、元来強度が低いことが知られており、特にこの点に留意する必要がある。又、イットリウム・アルミニウム・ガーネットは、1800℃以上の温度で融解することがあり、注意が必要である。
焼成温度は、1700〜1900℃がより好ましい。
【0011】
機械加工としては、ダイヤモンド砥石等による研削加工やダイヤモンド砥粒等によるサンドブラスト加工が行われている。
ケミカルエッチングには、熱硫酸や熱リン酸等が用いられる。
熱処理時の還元性雰囲気としては、水素ガス雰囲気が用いられる。
又、熱処理温度が、1650℃未満であると、表面から少なくとも10μmの深さまでの各金属不純物の含有量が1.0ppm以上となる。一方、2000℃を超えると、結晶の粒成長に伴う焼結体の強度不足が顕著となる。酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体は、元来強度が低いことが知られており、特にこの点に留意する必要がある。又、イットリウム・アルミニウム・ガーネットは、1800℃以上の温度で融解することがあり、注意が必要である。
熱処理温度は、1700〜1900℃がより好ましい。
【0012】
他方、本発明で用いる透光性アルミナセラミックスは、焼成体としてその粒径が平均10〜50μmであることが好ましい。
このような粒径に制御することにより、効率的に純化を行うことができる。
粒径が細かすぎると、不純物が抜け難く、粒径が大きすぎると、強度が弱く、耐プラズマ部材として用いたときに、エッチング量が大きくなってしまう。
更に好ましい平均粒径は、15〜40μmである。
なお、このような透光性アルミナセラミックスは、表面粗さRaが0.6〜2.0μmであることにより、不純物が抜け易くなり好ましい。
又、表面の吸水率が、0.01%以下であることが好ましい。
【0013】
不純物の抜けを促進するには、水素ガス雰囲気での焼成(還元性雰囲気での熱処理)の際に、Si及びアルカリ元素の不純物ガスが少ないほど有利であり、水素ガス中に不純物ガス含有量は、2ppm以下であることが特に好ましい。
これらの不純物元素が多いと、被焼成物の表面が閉気孔になり易く、不純物の蒸発が阻害される。
不純物を少なくすると、結果として、結晶粒径が揃った組織とすることができる。
更に、Fe等の遷移金属の蒸発を促進するには、1200〜1500℃の温度での昇温速度を10〜50℃/h程度にし、ゆっくりと水素ガス中で昇温することが好ましい。
この範囲の温度の間、被焼成物は多孔質の状態であり、水素ガスが被焼成物の内部にまで行き渡ることで還元され、不純物金属の蒸発が促進され易い。
1600℃以上の温度では、被焼成物は閉気孔状態となり、被焼成物の表面からのみ不純物金属の蒸発が行われる。
【0014】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について具体的な実施例、比較例を参照して説明する。
【0015】
参考例1、比較例1
先ず、純度99.99%、不純物としてFeが10ppm含まれている市販の超高純度アルミナ(住友化学製AKP−30)を出発原料として用い、これにMgO(マグネシア)を500ppm、バインダーとしてPVA(ポリビニルアルコール)2wt%を添加混合し、スプレードライヤを用いて造粒した。
次に、得られた造粒粉末を金型を用いて加圧成形し、成形体を大気中において1000℃の温度で仮焼成した後、水素ガス雰囲気において1700℃(比較例1)及び1800℃(参考例1)の温度で焼成し、直径300mmのドーム形状の透光性アルミナセラミックスの焼成体をそれぞれ得た。
又、表面純度測定用サンプルとして、それぞれ30×20×10mmの直方体状の焼成体も同時に作製した。
上記両表面純度測定用サンプルを、個別に、密閉テフロン(登録商標)容器中で加熱硫酸を用いてエッチングし、時間毎にサンプリングした溶解溶液をICP発光分析装置で定量したところ、表面から表1に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量は、それぞれ表1に示すようになった。
なお、表面からの深さは、溶解溶液に含まれるAl(アルミニウム)の定量から算出した。
又、両ドーム形状の透光性アルミナセラミックスの焼成体を、個別に、ICPプラズマ装置に装着し、ガスとしてHBr(臭化水素)、Cl2 (塩素)及びO2 (酸素)の混合ガスを5mTorr流し、ソースパワー1000WでSi(シリコン)ウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、未処理のSiウェーハの汚染レベルを併記する表1に示すようになった。
なお、流したSiウェーハの汚染レベルは、ICP−MASにて分析した。
【0016】
【表1】
【0017】
比較例2
参考例1の表面純度測定用サンプルの表面を、ダイヤモンド砥石を用いて表面から1mmの深さまで研削加工し、その表面から表1に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、参考例1と同様にして測定したところ、表1に示すようになった。
又、参考例1の透光性アルミナセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材の表面を、ダイヤモンド砥石を用いて表面から1mmの深さまで研削加工し、これを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表1に示すようになった。
【0018】
実施例1、比較例3
比較例2の表面純度測定用サンプルを、水素ガス雰囲気において1700℃(比較例3)及び1800℃(実施例1)の温度で熱処理し、それらの表面から表1に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、実施例1と同様にして測定したところ、それぞれ表1に示すようになった。
又、比較例2の透光性アルミナセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を、水素ガス雰囲気において1700℃(比較例3)及び1800℃(実施例1)の温度で熱処理し、それらを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表1に示すようになった。
【0019】
比較例4
先ず、純度99.5%、不純物としてFeが45ppm含まれている市販のアルミナ(住友化学製)を出発原料として用い、これにバインダーとしてPVA2.0wt%を添加混合し、スプレードライヤを用いて造粒した。
次に、得られた造粒粉末を金型を用いて加圧成形し、成形体を大気中において1700℃の温度で焼成し、直径300mmのドーム形状のアルミナセラミックスの焼成体を得た。
又、表面純度測定用サンプルとして、30×20×10mmの直方体状の焼成体も同時に作製した。
上記表面純度測定用サンプルの表面から10μmの深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量は、参考例1と同様にして測定したところ、表1に示すようになった。
又、アルミナセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表1に示すようになった。
【0020】
表1から分るように、水素ガス雰囲気において1720℃以上の温度で焼成した透光性アルミナセラミックスからなる耐プラズマ部材、又は水素ガス雰囲気において1720℃以上の温度で焼成した後、表面に機械加工を施し、しかる後に、水素ガス雰囲気において1720℃以上の温度で熱処理した透光性アルミナセラミックスからなる耐プラズマ部材を用いることにより、Siウェーハの汚染レベルが1E+10atoms/cm 2 以下となる。
【0021】
参考例2
先ず、イットリウム・アルミニウム・ガーネットの組成になるように混合した、純度99.9%、不純物としてFeが10ppm程度含まれている酸化イットリウム(イットリア:Y2 O3 )粉末と、純度99.99%、不純物としてFeが10ppm含まれた市販の高純度アルミナ(住友化学製AKP−30)粉末の混合粉末を出発原料とし、これにバインダーとしてPVA2wt%を添加混合し、スプレードライヤを用いて造粒した。
次に、得られた造粒粉末を金型を用いて加圧成形し、成形体を大気中において1000℃の温度で仮焼成した後、水素ガス雰囲気において1700℃の温度で焼成し、直径300mmのドーム形状のイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスの焼成体を得た。
又、表面純度測定用サンプルとして、30×20×10mmの直方体状の焼成体も作製した。
上記表面純度測定用サンプルの表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量は、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すようになった。
又、イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、未処理のSiウェーハの汚染レベルを併記する表2に示すようになった。
【0022】
【表2】
【0023】
比較例5
先ず、純度99.9%、不純物としてFeが10ppm程度含まれている酸化イットリウム粉末を出発原料として用い、これにバインダーとしてPVA2wt%を添加混合し、スプレードライヤを用いて造粒した。
次に、得られた造粒粉末を金型を用いて加圧成形し、成形体を大気中において1000℃の温度で仮焼成した後、水素ガス雰囲気において1600℃の温度で焼成し、直径300mmのドーム形状の酸化イットリウムセラミックスの焼成体を得た。
又、表面純度測定用サンプルとして、30×20×10mmの直方体状の焼成体も作製した。
上記表面純度測定用サンプルの表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量は、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すようになった。
又、酸化イットリウムセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0024】
比較例6
参考例2の表面純度測定用サンプルの表面を、ダイヤモンド砥石を用いて表面から1mmの深さまで研削加工し、その表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すようになった。
又、参考例2のイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材の表面を、ダイヤモンド砥石を用いて表面から1mmの深さまで研削加工し、これを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0025】
実施例2
比較例6の表面純度測定用サンプルを、水素ガス雰囲気において1780℃の温度で熱処理し、その表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、参考例1と同様にして測定したところ、表1に示すようになった。
又、比較例6のイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を、水素ガス雰囲気において1780℃の温度で熱処理し、それを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0026】
比較例7
参考例2の表面純度測定用サンプルの表面をダイヤモンド砥粒を用いて表面から1mmの深さまでのサンドブラスト加工し、その表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すようになった。
又、参考例2のイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材の表面を、ダイヤモンド砥粒を用いて表面から1mmの深さまでサンドブラスト加工し、これを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0027】
比較例8
比較例7の表面純度測定用サンプルを、水素ガス雰囲気において1600℃の温度で熱処理し、その表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量を、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すようになった。
又、比較例7のイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を、水素ガス雰囲気において1600℃の温度で熱処理し、それを用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0028】
比較例9
先ず、酸化イットリウムとイットリウム・アルミニウム・ガーネットの混合組成になるようにした混合した、純度99.9%、不純物としてFeが10ppm程度含まれている酸化イットリウム粉末と、純度99.99%、不純物としてFeが10ppm含まれた市販の高純度アルミナ(住友化学製AKP−30)粉の混合粉末を出発原料とし、これにバインダーとしてPVA2wt%を添加混合し、スプレードライヤを用いて造粒した。
次に、得られた造粒粉末を金型を用いて加圧成形し、成形体を大気中において1000℃の温度で仮焼成した後、水素ガス雰囲気において1600℃の温度で焼成し、直径300mmのドーム形状の酸化イットリウム+イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスの焼成体を得た。
又、表面純度測定用サンプルとして、30×20×10mmの直方体状の焼成体も作製した。
上記表面純度測定用サンプルの表面から表2に示す各深さまでに含まれるFe、Ni、Cr及びCuの金属不純物の含有量は、参考例1と同様にして測定したところ、表2に示すになった。
又、酸化イットリウム+イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるドーム形状の耐プラズマ部材を用いて、参考例1と同様にして、Siウェーハのエッチング試験を行ったところ、Fe、Ni、Cr及びCuの金属不純物によるSiウェーハの汚染レベルは、表2に示すようになった。
【0029】
表2から分るように、水素ガス雰囲気において1650℃以上の温度で焼成した酸化イットリウムセラミックス、イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックス若しくは酸化イットリウム+イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなる耐プラズマ部材、又は水素ガス雰囲気において1650℃以上の温度で焼成した後、表面に研削加工やサンドブラスト加工等の機械加工を施し、しかる後に、水素ガス雰囲気において1650℃以上の温度で熱処理した酸化イットリウムセラミックス、イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックス若しくは酸化イットリウム+イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなる耐プラズマ部材を用いることにより、Siウェーハの汚染レベルが1E+10atoms/cm 2 以下となる。
【0030】
なお、上述した各実施例においては、耐プラズマ部材として、透光性アルミナセラミックスや酸化イットリウムセラミックス、イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックス、酸化イットリウム+イットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなるものについて説明したが、これらに限定されるものではなく、例えば、イットリウム以外の希土類元素を主成分とするセラミックス、CaF2 やHgF2 等のアルカリ土類金属のフッ化物からなるセラミックスからなる耐プラズマ部材であってもよい。
又、焼成体の表面を粗面化する処理は、機械加工による場合に限らず、ケミカエルエッチングによって行ってもよいのは勿論である。
【0031】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法によれば、耐プラズマ部材の表面がハロゲン化物のプラズマに曝されると、表面から徐々にエッチングされて行くが、表面から少なくとも10μmの深さまでは、各金属不純物による汚染が半導体ウェーハ上のコンタミレベル1E+10atoms/cm 2 以下を満たすこととなるので、従来に比べて半導体ウェーハ上の汚染レベルを十分に低減することができる。
Claims (2)
- 透光性アルミナセラミックスとなる成形体を還元性雰囲気において1720〜1900℃の温度で焼成し、得られた焼成体の表面を機械加工又はケミカルエッチングにより粗面化処理した後、還元性雰囲気において1720〜1900℃の温度で熱処理して、表面から少なくとも10μmの深さまでのFe、Ni、Cr及びCuの含有量が1.0ppm未満である透光性アルミナセラミックスからなる耐プラズマ部材を得ることを特徴とする半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法。
- 酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスとなる成形体を還元性雰囲気において1650〜2000℃の温度で焼成し、得られた焼成体の表面を機械加工又はケミカルエッチングにより粗面化処理した後、還元性雰囲気において1650〜2000℃の温度で熱処理して、表面から少なくとも10μmの深さまでのFe、Ni、Cr及びCuの含有量が1.0ppm未満である酸化イットリウム及び/又はイットリウム・アルミニウム・ガーネットセラミックスからなる耐プラズマ部材を得ることを特徴とする半導体製造装置用耐プラズマ部材の製造方法。
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