KR102341011B1 - 플라스마 처리 장치용 부재 - Google Patents

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Abstract

본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재는 관통 구멍을 축방향으로 구비한 세라믹스로 이루어지는 통 형상체의 플라스마 처리 장치용 부재로서, 세라믹스는 산화알루미늄을 주성분으로 하고, 복수의 결정 입자와, 결정 입자 사이에 존재하는 입계상을 갖고, 통 형상체의 내주면은 산술 평균 조도(Ra)가 1㎛ 이상 3㎛ 이하이며, 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상 130㎛ 이하이다.

Description

플라스마 처리 장치용 부재
본 개시는 플라스마 처리 장치에 사용하는 플라스마 처리 장치용 부재에 관한 것이다.
종래, 반도체 소자를 제조하는데 있어서, 기판 상의 박막을 에칭해서 미세 패턴을 형성하기 위해 플라스마 처리 장치가 사용되고 있다. 플라스마 처리 장치에 플라스마 생성용 가스를 공급하기 위한 플라스마 처리 장치용 부재에는 미세 패턴의 결손으로 이어지는 파티클의 발생을 억제하기 위해서, 플라스마 생성용 가스에 대하여 높은 내식성을 갖는 것이 요구되고 있다. 특허문헌 1에는 부식 가스와 접촉하는 세라믹스 부품을 기계적으로 가공한 후, 열처리를 실시함으로써 내식성을 높이는 것이 기재되어 있다. 이 세라믹스 부품은 소성 후에 드릴 등을 사용하여 세라믹스를 기계 가공하고 있기 때문에, 내주면에 노출되는 결정 입자는 기계적으로 파괴되어 결정 입자에 생긴 균열 등에 의해 이웃한 결정 입자끼리의 압박력이 저감한 것이 되어, 결정 입자의 탈락이 발생하기 쉬워지고 있다. 또한, 입계상이 플라스마 생성용 가스와 접촉하기 쉬워지고 있다.
일본 특허 공개 평 10-167859호 공보
본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재는 관통 구멍을 축방향으로 구비한 세라믹스로 이루어지는 통 형상체의 플라스마 처리 장치용 부재로서, 상기 세라믹스는 산화알루미늄을 주성분으로 해서 복수의 결정 입자와, 상기 결정 입자 사이에 존재하는 입계상을 갖고, 상기 통 형상체의 내주면은 산술 평균 조도(Ra)가 1㎛ 이상 3㎛ 이하이며, 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상 130㎛ 이하이다.
도 1은 본 실시형태의 플라스마 처리 장치용 부재를 사용한 플라스마 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 2는 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치용 부재의 내주면의 주사형 전자현미경 사진이다.
본 발명에 따른 플라스마 처리 장치용 부재에 대해서 도를 참조하면서 설명한다.
도 1은 본 실시형태의 플라스마 처리 장치용 부재를 사용한 플라스마 처리 장치의 일부를 나타내는 단면도이다.
도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치는 내부 공간에 피처리 부재(도시하지 않음)를 배치하는 챔버(1)를 구비하고, 플라즈마에 의한 패턴 형성 처리, 클리닝 처리 등의 각종 처리를 피처리 부재에 실시한다. 이 챔버(1)의 개구부(1a) 상에는 양단에 플랜지(2a, 2b)를 구비한 환상 부재(2)가 챔버(1)에 대하여 기밀하게 고정되어 있다.
환상 부재(2)의 내부 공간에는 관통 구멍(3a)을 축방향으로 구비하여 이루어지는 세라믹스로 이루어지는 통 형상체의 플라스마 처리 장치용 부재(3)가 배치되고, 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 외주면(3b)에는 플랜지부(4)가 접합되어 있다. 플랜지부(4)는 O링(5)을 개재해서 환상 부재(2)에 접합되고, 챔버(1) 내에의 대기의 침입을 방지함과 아울러, 플라스마 처리 장치용 부재(3)를 환상 부재(2)에 고정하고 있다.
이러한 구성의 플라스마 처리 장치를 사용하여, 피처리 부재에 각종 처리를 실시하는 경우, 플라스마 생성용 가스는 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 상측의 개구부로부터 관통 구멍(3a)을 통해서 챔버(1)를 향하여 공급되고, 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 관통 구멍(3a)을 형성하는 내주면(3c)에 접촉한다.
플라스마 생성용 가스의 예로서, SF6, CF4, CHF3, ClF3, NF3, C4F8, HF 등의 불소계 가스, Cl2, HCl, BCl3, CCl4 등의 염소계 가스를 들 수 있다.
이들의 가스와 접촉하는 본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재(3)를 구성하는 세라믹스는 산화알루미늄을 주성분으로 한다. 산화알루미늄은 플라스마 생성용 가스에 대하여 높은 내식성을 가지고 있다.
여기에서, 본 실시형태에 있어서의 주성분이란 세라믹스를 구성하는 전체 성분의 합계 100질량% 중, 가장 많은 성분을 말하고, 특히 90질량% 이상, 또한 98질량%인 것이 좋다. 각 성분의 동정은 CuKα선을 사용한 X선 회절 장치로 행하고, 각 성분의 함유량은 예를 들면 ICP(Inductively Coupled Plasma) 발광 분광 분석 장치 또는 형광 X선 분석 장치에 의해 구하면 좋다.
이 세라믹스의 입계상을 형성하는 성분으로서 규소, 마그네슘 및 칼슘의 산화물을 들 수 있다.
플라스마 처리 장치용 부재(3)를 구성하는 세라믹스는, 소위 소결체이며, 복수의 결정 입자와, 결정 입자 사이에 존재하는 입계상을 갖는 것이다. 결정 입자는 상기의 주성분의 결정으로 이루어지고, 일반적으로 입계상은 결정 입자보다 플라스마 생성용 가스에 대한 내식성이 열화하고 있다.
도 2는 도 1에 나타내는 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)을 촬영한 주사형 전자 현미경 사진이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 플라스마 처리 장치용 부재(3)는 관통 구멍(3a)을 형성하는 내주면(3c)에 있어서 복수의 결정 입자(3d)를 가지고 있다. 또한, 결정 입자(3d) 사이에 존재하는 입계상(도시하지 않음)을 가지고 있다.
본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)은 산술 평균 조도(Ra)가 1㎛ 이상 3㎛ 이하이며, 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상 130㎛ 이하이다.
본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)의 산술 평균 조도(Ra)는 일반적인 연삭면보다 커지고 있다. 또한, 통상 최대 높이(Rmax)는 산술 평균 조도(Ra)의 4배 정도이지만, 본 실시형태의 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 통 형상체의 내주면(3c)의 최대 높이(Rmax)는 산술 평균 조도(Ra)의 6.7배 이상이다.
본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재(3)는 내주면(3c)의 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상이기 때문에, 관통 구멍(3a)을 흐르는 플라스마 생성용 가스는 플라스마 생성용 가스에 대한 내식성이 비교적 낮은 입계상의 노출부에 접촉하기 어려워진다. 그 결과, 입계상의 노출부의 부식에 의해 발생하는 탈립을 억제할 수 있고, 파티클의 발생을 저감시킬 수 있다.
또한, 최대 높이(Rmax)가 130㎛ 이하이기 때문에, 플라스마 생성용 가스가 내주면(3c)을 따라 층류가 되어 매끄럽게 흐르기 쉬워지고, 그 결과 입계상의 노출부의 부식을 억제할 수 있다.
산술 평균 조도(Ra)뿐만 아니라, 최대 높이(Rmax)도 원료 입경이나 소성 후의 열처리 시간을 적당히 조정함으로써 조정할 수 있다.
예를 들면, 원료 입경이 작아지면 산술 평균조도(Ra), 최대 높이(Rmax)는 작아지는 경향이 있다. 열처리 시간이 길어지면, 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rmax)는 커지는 경향이 있다.
또한, 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)에 있어서의 쿨토시스(Rku)의 평균값은 6 이상이어도 좋다.
여기에서, 쿨토시스(Rku)란 표면의 첨예도의 척도인 첨도를 나타내는 지표이다. 그리고, 쿨토시스(Rku)가 3이면, 표면에 있어서의 산이 되는 부분 및 골짜기가 되는 부분의 첨도는 정규 분포의 상태인 것을 나타낸다. 한편, 쿨토시스(Rku)가 3보다 커지면, 산이 되는 부분 및 골짜기가 되는 부분의 정점 근방은 뾰족해진 형상이 되고, 쿨토시스(Rku)가 3보다 작아지면, 산이 되는 부분 및 골짜기가 되는 부분의 정점 근방은 찌그러진 것과 같은 형상이 된다.
쿨토시스(Rku)의 평균값이 6 이상이면, 내주면(3c)에 존재하는 오목부가 깊어지고, 이 오목부가 입계상에 해당하는 경우에는 플라스마 생성용 가스가 입계상의 노출부에 접촉하기 어려워져 노출부의 부식이 억제된다. 또한, 오목부는 내주면(3c)의 골짜기가 되는 부분의 일부이다.
또한, 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)에 있어서의 조도 곡선으로부터 구해지는 쿨토시스(Rku)의 평균값은 9 이하이어도 좋다.
쿨토시스(Rku)의 평균값이 9를 초과하면, 내주면(3c)의 오목부가 깊어지고, 이 오목부가 입계상에 해당하는 경우에는 입계상이 결정 입자(3d)끼리를 결합하는 힘이 약해지기 쉽다. 이러한 경우, 플라스마 생성용 가스가 관통 구멍(3a)을 흐르면, 결정 입자(3d) 및 그 일부가 탈립할 우려가 높아진다.
쿨토시스(Rku)의 평균값이 6 이상 9 이하이면, 플라스마 생성용 가스가 관통 구멍(3a)을 흘러도 노출부의 부식이 억제됨과 아울러, 결정 입자(3d) 및 그 일부의 탈립을 억제할 수 있다.
쿨토시스(Rku)는 JIS B 0601:2001에 준거하여, 예를 들면 Keyence Corporation의 레이저 현미경 VK-9500을 사용해서 구하면 좋다. 레이저 현미경 VK-9510을 사용하는 경우, 예를 들면 측정 모드를 컬러 초심도, 측정 배율을 400배, 1개소당 측정 범위를 112㎛×84㎛, 측정 피치를 0.05㎛, 컷오프 필터 λs를 2.5㎛, 컷오프 필터 λc를 0.08mm, 측정 개소를 8개소로 해서 구하면 좋다.
또한, 본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재(3)의 내주면(3c)은 어닐링 피부면이어도 좋다. 내주면(3c)이 어닐링 피부면이면 연삭 찌꺼기가 내주면(3c)에 부착하는 일이 없으므로, 연삭 찌꺼기가 내주면(3c)으로부터 탈리함으로써 생기는 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
또한, 내주면(3c)은 산화알루미늄의 결정 입자(3d)로 이루어지는 볼록부를 가지고 있고, 도 2에 나타내는 바와 같이 볼록부의 표면은 복수의 평면을 포함하고 있어도 좋다. 내주면(3c)이 이러한 구성이면, 플라스마 생성용 가스가 내주면(3c)을 따라 층류가 되어 매끄럽게 흐르기 쉬워지고, 그 결과 입계상의 노출부의 부식을 더욱 억제할 수 있다.
이러한 복수의 평면을 포함하는 산화알루미늄의 결정 입자(3d)를 내주면(3c)에 형성하기 위해서는, 예를 들면 소성 후의 열처리를 길게 해서 산화알루미늄의 결정 입자(3d)의 외형을 육방정의 단결정에 가까워지도록 하면 좋다.
이러한 구성은 주사형 전자 현미경을 사용하여 측정 배율을 2000배, 1개소당 측정 범위를 64㎛×42㎛로 해서 관찰할 수 있다.
또한, 세라믹스는 알루민산 마그네슘을 포함하고 있어도 좋다. 알루민산 마그네슘이 입계상에 포함되어 있으면, 불소계 가스에 대한 입계상의 내식성이 향상된다. 또한, 알루민산 마그네슘은 불산에 대한 내식성이 높으므로, 플라스마 처리 장치용 부재(3)를 떼어내어 불산으로 세정하는 경우의 내식성이 향상된다.
다음에, 본 개시의 플라스마 처리 장치용 부재의 제조 방법의 일례를 설명한다.
우선, 주성분인 산화알루미늄 분말과, 수산화마그네슘, 산화규소 및 탄산칼슘의 각 분말과, 필요에 따라서 산화알루미늄 분말을 분산시키는 분산제와, 유기 결합제를 볼밀, 비즈밀 또는 진동밀에 의해 습식 혼합하여 슬러리로 한다.
이 습식 혼합의 시간을 길게 하면 같은 원료 분말을 사용한 경우에도, 그 입경이 작아지고, 내주면의 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rmax)가 커지기 쉽다.
여기에서, 산화알루미늄 분말의 평균 입경(D50)은 1.6㎛ 이상 2.0㎛ 이하이며, 상기 분말의 합계 100질량%에 있어서의 수산화마그네슘 분말의 함유량은 0.43∼0.53질량%, 산화규소 분말의 함유량은 0.039∼0.041질량%, 탄산칼슘 분말의 함유량은 0.020∼0.022질량%이다.
습식 혼합하는 시간은, 예를 들면 40∼50시간이다. 또한, 유기 결합제는 예를 들면 파라핀 왁스, 왁스 에멀전(wax+유화제), PVA(폴리비닐알코올), PEG(폴리에틸렌글리콜), PEO(폴리에틸렌옥사이드) 등이다.
다음에, 상술한 방법에 의해 얻은 슬러리를 분무 조립해서 과립을 얻은 후, 이 과립을 분말 프레스 성형법이나 정수압 프레스 성형법(러버 프레스법) 등에 의해 성형함으로써 원기둥 형상의 성형체를 얻는다.
다음에, 소결 다이아몬드제의 드릴을 사용하여 축방향으로 관통 구멍을 형성한다. 이 관통 구멍을 형성하는 공정에 있어서, 관통 구멍의 형성 속도를 빨리하면, 관통 구멍의 내주면이 거칠어져 산술 평균 조도(Ra), 최대 높이(Rmax)가 커지기 쉽고, 특히 최대 높이(Rmax)가 커지기 쉽다.
다음에, 관통 구멍을 형성한 성형체를 대기 분위기 중에서, 예를 들면 승온 속도를 80℃/시간 이상 120℃/시간 이하, 소성 온도를 1500℃ 이상 1700℃ 이하, 보관 유지 시간을 4시간 이상 6시간 이하, 강온 속도를 80℃/시간 이상 120℃/시간 이하로 해서 소성함으로써, 본 실시형태의 플라스마 처리 장치용 부재를 얻을 수 있다.
산화알루미늄을 주성분으로 하고, 알루민산 마그네슘을 포함하는 세라믹스를 얻기 위해서는 주성분인 산화알루미늄 분말과, 수산화마그네슘, 산화규소 및 탄산칼슘의 각 분말의 합계 100질량%에 있어서의 수산화마그네슘 분말의 함유량을 0.48∼0.53질량%, 산화규소 분말의 함유량을 0.039∼0.041질량%, 탄산칼슘 분말의 함유량을 0.020∼0.022질량%로 하면 좋다.
성형체에 기계 가공으로 관통 구멍을 형성하고, 소성 후에 기계 가공을 실시하지 않고 관통 구멍을 형성하는 내주면을 어닐링 피부면으로 하면 좋다.
또한, 소성 온도를 높게 하거나, 소성 시간을 길게 하거나, 또는 소성 후에 열처리하는 등의 방법에 의해, 각각의 결정 입자의 입성장을 보다 재촉함으로써 내주면의 최대 높이(Rmax)를 크게 할 수 있다.
통 형상체의 내주면의 조도 곡선의 쿨토시스(Rku)의 평균값이 6.0 이상인 플라스마 처리 장치용 부재를 얻기 위해서는 소성 후에 산화알루미늄의 결정이 입성장하도록 열처리하면 좋고, 예를 들면 승온 속도를 80℃/시간 이상 120℃/시간 이하, 열처리 온도를 1300℃ 이상 1500℃ 이하, 보관 유지 시간을 2시간 이상 4시간 이하, 강온 속도를 80℃/시간 이상 120℃/시간 이하로 해서 열처리하면 좋다.
또한, 본 개시는 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 본 개시의 요지를 벗어나지 않는 범위에 있어서 다양한 변경, 개량, 조합 등이 가능하다.
도 1에 나타내는 예에서는 플라스마 처리 장치용 부재는 플라스마 생성용 가스를 챔버에 공급하는 부재로서 나타냈지만, 플라스마 생성용 가스를 챔버로부터 배출하는 부재나, 챔버 내에 배치되어 플라스마 생성용 가스로부터 안정한 플라즈마를 발생시키기 위한 노즐이어도 좋다.
실시예 1
우선, 주성분인 산화알루미늄 분말과, 수산화마그네슘, 산화규소 및 탄산칼슘의 각 분말과, 필요에 따라서 산화알루미늄 분말을 분산시키는 분산제와, 유기 결합제를 볼밀에 의해 습식 혼합해서 슬러리라고 했다.
여기에서, 산화알루미늄 분말의 평균 입경(D50)은 1.8㎛이며, 상기 분말의 합계 100질량%에 있어서의 수산화마그네슘 분말의 함유량을 0.48질량%, 산화규소 분말의 함유량을 0.04질량%, 탄산칼슘 분말의 함유량을 0.021질량%로 했다.
다음에, 상술한 방법에 의해 얻은 슬러리를 분무 조립해서 과립을 얻은 후, 이 과립을 분말 프레스 성형법에 의해 성형함으로써 원기둥 형상의 성형체를 얻었다.
다음에, 소결 다이아몬드제의 드릴을 사용하여 축방향으로 관통 구멍을 형성했다.
다음에, 관통 구멍을 형성한 성형체를 소성로 안에 배치하고, 대기 분위기 중에서, 소성 온도를 1600℃, 보관 유지 시간을 5시간으로 해서 소성했다.
또한, 일부의 시료에는 소성 후에, 승온 속도를 100℃/시간, 열처리 온도를 1400℃, 보관 유지 시간을 표 1에 나타내는 시간, 강온 속도를 100℃/시간으로 해서 열처리를 실시하여, 플라스마 처리 장치용 부재인 시료 No. 2∼9를 얻었다.
이들 시료 No. 2∼9의 내주면은 어닐링 피부면으로 되어 있다.
또한 비교예로서, 플라스마 처리 장치용 부재의 내주면을 연삭한 시료 No. 1을 얻었다. 이 시료 No. 1의 내주면은 연삭면으로 되어 있다.
그리고, 각 시료에, 수산화칼륨 및 계면활성제에 의한 세정, 초음파 세정, 산 세정, 초음파 세정을 순차적으로 실시했다.
그리고, 각 시료의 관통 구멍의 일방측의 개구부에 순수 공급용 호스, 타방측의 개구부에 용기를 각각 접속했다. 다음에, 유속을 5mL/초로 해서 호스로부터 순수를 100초간 공급하고, 용기에 배출된 순수에 포함되는 파티클의 개수를 액중 파티클 카운터를 사용하여 측정했다. 또한, 측정의 대상으로 하는 파티클은 직경이 0.2㎛를 초과하는 것으로 했다. 또한, 용기는 접속하기 전에 초음파 세정을 행하고, 직경이 0.2㎛를 초과하는 파티클의 개수가 20개 이하인 것이 확인된 것을 사용했다.
여기에서, 각 시료로부터 발생하는 파티클의 개수는 시료 No. 1로부터 발생한 파티클의 개수를 1이라고 했을 때의 상대값으로 나타냈다. 결과를 표 1에 나타낸다.
또한, 각 시료를 구성하는 성분을, CuKα선을 사용한 X선 회절 장치로 행한 결과, 산화알루미늄이 동정되었다. 또한, 각 금속 원소의 함유량을, ICP(Inductively Coupled Plasma) 발광 분광 분석 장치로 측정한 결과, 알루미늄의 함유량이 가장 많고, 산화알루미늄이 주성분인 것을 알았다.
또한, 각 시료의 내주면의 산술 평균 조도(Ra) 및 최대 높이(Rmax)는 JIS B 0601:2001에 준거하여 Keyence Corporation의 레이저 현미경 VK-9500을 사용해서 구했다. 측정 조건으로서는 측정 모드를 컬러 초심도, 측정 배율을 400배, 1개소당 측정 범위를 112㎛×84㎛, 측정 피치를 0.05㎛, 컷오프 필터 λs를 2.5㎛, 컷오프 필터 λc를 0.08mm으로 해서 산술 평균 조도(Ra) 및 최대 높이(Rmax)를 구하고, 그 값을 표 1에 나타냈다.
Figure 112020002749334-pct00001
표 1에 나타내는 바와 같이, 내주면의 산술 평균 조도(Ra)가 1㎛ 이상 3㎛ 이하이며, 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상 130㎛ 이하인 시료 No. 2, 4∼6, 8은 산술 평균 조도(Ra) 또는 최대 높이(Rmax)가 상술한 범위 외인 시료 No. 1, 3, 7, 9보다 파티클의 발생이 적었다.
실시예 2
실시예 1에 나타내는 시료 No. 4에, 승온 속도를 100℃/시간, 열처리 온도를 1400℃, 보관 유지 시간을 표 1에 나타내는 시간, 강온 속도를 100℃/시간으로 해서 열처리를 실시하여, 플라스마 처리 장치용 부재인 시료 No. 10∼13을 얻었다.
그리고, 실시예 1에서 나타낸 방법과 같은 방법을 이용하여, 각 시료로부터 발생하는 파티클의 개수를 실시예 1에 나타내는 시료 No. 1로부터 발생한 파티클의 개수를 1이라고 했을 때의 상대값으로 나타냈다.
또한, 각 시료의 내주면의 산술 평균 조도(Ra) 및 최대 높이(Rmax)는 실시예 1에 나타내는 방법과 같은 방법을 이용하여 측정하고, 그 값을 표 2에 나타냈다.
각 시료의 내주면의 쿨토시스(Rku)는 JIS B 0601:2001에 준거하여 Keyence Corporation의 레이저 현미경 VK-9500을 사용해서 구했다. 측정 조건으로서는 측정 모드를 컬러 초심도, 측정 배율을 400배, 1개소당 측정 범위를 112㎛×84㎛, 측정 피치를 0.05㎛, 컷오프 필터 λs를 2.5㎛, 컷오프 필터 λc를 0.08mm, 측정 개소를 8개소로서 쿨토시스(Rku)의 평균값을 구하고, 그 값을 표 2에 나타냈다.
Figure 112020002749334-pct00002
시료 No. 11∼13과 같이, 통 형상체의 내주면의 쿨토시스(Rku)의 평균값이 6.0 이상이면, 파티클의 발생이 적은 것을 알았다.
1: 챔버 2: 환상 부재
3: 플라스마 처리 장치용 부재 3a: 관통 구멍
3b: 외주면 3c: 내주면
3d: 결정 입자 4: 플랜지부
5: O링

Claims (4)

  1. 내부 공간에 피처리 부재를 배치하는 챔버 내에 플라스마 생성용 가스를 공급하기 위한 관통 구멍을 축방향으로 구비한 세라믹스로 이루어지는 통 형상체의 플라스마 처리 장치용 부재로서,
    상기 세라믹스는 산화알루미늄을 주성분으로 하고, 복수의 결정 입자와, 상기 결정 입자 사이에 존재하는 입계상을 갖고,
    상기 통 형상체의 내주면은 산술 평균 조도(Ra)가 1㎛ 이상 3㎛ 이하이며, 최대 높이(Rmax)가 30㎛ 이상 130㎛ 이하인 플라스마 처리 장치용 부재.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 통 형상체의 내주면은 쿨토시스(Rku)의 평균값이 6.0 이상이고 9.0 이하인 플라스마 처리 장치용 부재.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 통 형상체의 내주면은 산화알루미늄의 결정 입자로 이루어지는 볼록부를 가지고 있고, 상기 볼록부의 표면은 복수의 평면으로 이루어지는 플라스마 처리 장치용 부재.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 통 형상체의 내주면은, 어닐링 피부면인 플라스마 처리 장치용 부재.
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