CN111627790A - 半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置 - Google Patents

半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种可减少粒子的半导体制造装置用构件。具体而言，提供一种如下半导体制造装置用构件，具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层，所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。

Description

半导体制造装置构件、半导体制造装置、显示器制造装置
技术领域
本发明的形态一般涉及一种半导体制造装置用构件及具备该半导体制造装置用构件的半导体制造装置、显示器制造装置。
背景技术
在半导体设备的制造流程中，使用在腔室内进行干刻、溅射(sputtering)及化学汽相沉积(CVD(Chemical Vapor Deposition))等处理的半导体制造装置。在该腔室内，从被加工物或腔室的内壁等有时会产生粒子。由于这样的粒子会成为被制造的半导体设备的成品率降低的要因，因此要求减少粒子。
为了减少粒子，对腔室以及在其周边使用的半导体制造装置用构件要求抗等离子性。于是，采用通过抗等离子性出色的覆盖膜(层)对半导体制造装置用构件的表面进行涂覆的方法。例如，使用在基体材料的表面上形成有氧化钇喷镀膜的构件。但是，有时喷镀膜上会产生裂纹、剥离，不能说耐久性充分。由于覆盖膜的剥离及从覆盖膜的颗粒脱落会成为粒子产生的要因，因此要求抑制覆盖膜与基体材料的剥离。与此相对，专利文献1及专利文献2中公开有使用通过气溶胶沉降法形成的陶瓷膜的半导体或液晶制造装置构件(专利文献1、专利文献2)。另外，专利文献3中公开有在环状或拱状的基体材料的内壁上形成包含元素周期表第3a族元素化合物的喷镀膜的技术。
近几年，推进对半导体设备的微细化，要求以纳米级对粒子进行控制。
专利文献
专利文献1：日本国特开2005-158933号公报
专利文献2：韩国专利20100011576A公报
专利文献3：日本国特开2012-18928号公报
发明内容
本发明所涉及的半导体制造装置用构件具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；及设置于所述第1面的第2抗粒子层。所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。
半导体制造装置用构件的表面暴露在腐蚀性等离子体气氛中。此时，本发明者们发现了等离子体容易集中于基体材料的棱部分，因等离子体而受的损伤大于第1面，成为粒子产生源的可能性较高。
于是，本发明中，覆盖基体材料的第1面、第2面、棱部分的抗粒子层，构成为包括设置于棱部分的第1抗粒子层及设置于第1面的第2抗粒子层，第1抗粒子层的抗粒子性高于第2抗粒子层的抗粒子性。因此，能够减轻棱部分的等离子体损伤，能够提供一种抗粒子性出色的半导体制造装置用构件。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，所述基体材料呈环状，所述第1面是所述基体材料的内周面，所述第2面是所述基体材料的上面或下面。
如果基体材料呈环状，则能够适当地利用于半导体制造装置的腔室的内壁。当基体材料呈环状时，等离子体容易集中于连接基体材料的内周面与上面的棱部分或连接基体材料的内周面与下面的棱部分。
本发明中，通过使设置于棱部分的第1抗粒子层的抗粒子性高于第2抗粒子层的抗粒子性，从而即使在基体材料呈环状时，也能够减轻棱部分的等离子体损伤。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，所述基体材料具有上端的第1开口及下端的第2开口，所述第1开口的口径小于所述第2开口的口径，所述第2面是所述基体材料的上面。
半导体制造装置中，有时将腔室的上侧的内壁以从下朝上直径变小的锥状构成。即，有时使基体材料的上端侧的第1开口的口径小于基体材料的下端侧的第2开口的口径。本发明者们体现了如下内容，当腔室的内壁呈锥状时，尤其其上面与等离子体的接触面积较大，等离子体容易集中于连接上面与内周面的棱部分。
本发明中，由于用抗粒子性出色的第1抗粒子层覆盖连接环状的基体材料的上面与内周面的棱部分，因此能够有效地抑制抗粒子性降低。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，第1抗粒子层的厚度小于第2抗粒子层的厚度。
第1抗粒子层的抗粒子性比第2抗粒子层更出色。例如，当第1抗粒子层比第2抗粒子层更致密时，有时第1抗粒子层的内部应力高于第2抗粒子层的内部应力。从而，通过使第1抗粒子层的厚度小于第2抗粒子层的厚度，从而使第1抗粒子层的内部应力进一步变小，能够抑制在棱部分处第1抗粒子层发生破损等的不良状况发生。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，第1抗粒子层的厚度为1μm以上、10μm以下。
通过使第1抗粒子层的厚度充分小而成为10μm以下，从而能够更加有效地减少抗粒子层发生破损等的不良状况发生。另外，实用上优选厚度为1μm以上。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，抗粒子层包含选自稀土类元素的氧化物、稀土类元素的氟化物及稀土类元素的氟氧化物中的至少一种。
根据本发明，能够提高抗粒子层的抗粒子性。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，稀土类元素是选自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中的至少一种。
根据本发明，能够进一步提高抗粒子层的抗粒子性。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的多结晶陶瓷的平均微晶尺寸为3nm以上、50nm以下。
根据本发明，能够提高抗粒子层的抗粒子性。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，第1抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸小于第2抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸。
根据本发明，将第1抗粒子层的抗粒子性比第2抗粒子层的抗粒子性更能提高。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，在基准抗等离子性试验之后的所述第1抗粒子层的算术平均高度Sa1小于在所述基准抗等离子性试验之后的所述第2抗粒子层的算术平均高度Sa2。
根据本发明，能够体现较高水准的抗粒子性。
本发明所涉及的半导体制造装置用构件中还优选如下，第1抗粒子层及所述第2抗粒子层在基准抗等离子性试验之后分别呈现出0.060以下的算术平均高度Sa。
根据本发明，能够体现较高水准的抗粒子性。
本发明所涉及的半导体制造装置具备：腔室；上述半导体制造装置用构件中的至少任意一个；及静电吸盘。所述腔室具有形成生成等离子体的空间的内壁，所述内壁具有：配置所述静电吸盘的下侧内壁；及配置成比下侧内壁更靠上方的上侧内壁，所述半导体制造装置用构件的所述抗粒子层构成所述上侧内壁的至少一部分。
根据本发明的半导体制造装置，能够体现较高水准的抗粒子性。
本发明所涉及的显示器制造装置具备上述半导体制造装置用构件中的至少任意一个。
根据本发明的显示器制造装置，能够体现较高水准的抗粒子性。
附图说明
图1是例示具有实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的半导体制造装置的剖视图。
图2(a)、(b)是例示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的模式化剖视图。
图3是例示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的模式化剖视图。
图4是例示图3中用虚线A-A切断的内部的模式化剖视图。
图5(a)及图5(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的一个例子的侧视图及剖视图。
图6(a)及图6(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的其他一个例子的侧视图及剖视图。
图7(a)及图7(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的另外其他一个例子的侧视图及剖视图。
符号说明
100-半导体制造装置；110-腔室；120-顶板；130-半导体制造装置用构件；160-静电吸盘；191-区域；210-晶片；221-粒子；10-基体材料；10a-表面；10u-上边；10b-下边；11-第1部分；11s-棱部分；12-第2部分；15a-第1开口；15b-第2开口；20-抗粒子层；21-第1抗粒子层；22-第2抗粒子层；23-第3抗粒子层；24-第4抗粒子层；25-第5抗粒子层；31-第1面；32-第2面；33-第3面；41-第1棱部分；42-第2棱部分、R1、R2、R3-区域。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。并且，在各附图中，对于相同的构成要素标注相同符号并适当省略详细说明。
图1是例示具有实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的半导体制造装置的剖视图。
图1所示的半导体制造装置100具备腔室110、顶板120、半导体制造装置用构件130、静电吸盘160。顶板120设置在腔室110内部的上部。静电吸盘160设置在腔室110内部的下部。即，顶板120在腔室110内部设置在静电吸盘160的上方。晶片210等被吸附物放置在静电吸盘160上。
腔室110的内壁111具有：配置静电吸盘160的下侧内壁111b；及配置成比下侧内壁111b更靠上方的上侧内壁111u。在该例子中，腔室110的内壁111以从下朝上直径变小的锥状构成。即，接触顶板120的腔室110的上边的直径小于静电吸盘160侧的腔室110的下边的直径。半导体制造装置用构件130例如配置成接触顶板120。
半导体制造装置100中，供给高频电力，如图1所示的箭头A1那样，例如卤素类气体等原料气体导入到腔室110内部。这样，导入到腔室110内部的原料气体在静电吸盘160与顶板120之间的区域191中发生等离子化。
在此，当在腔室110内部产生的粒子221附着于晶片210时，有时在被制造的半导体设备上产生不良状况。这样，有时半导体设备的成品率及生产性会降低。因此，对顶板120、半导体制造装置用构件130要求抗等离子性。
并且，实施方式所涉及的半导体制造装置用构件还可以是配置在腔室内的上部以外的位置或腔室周边的构件。另外，使用半导体制造装置用构件的半导体制造装置并不局限于图1的例子，而是包括进行退火、蚀刻(etching)、溅射、CVD等处理的任意的半导体制造装置(半导体处理装置)。
图2(a)、(b)是例示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的模式化剖视图。
图2(a)是用于说明半导体制造装置用构件130的一部分中的基体材料10的模式化剖视图。图2(b)是表示半导体制造装置用构件130的一部分的模式化剖视图。
如图2(a)及(b)所示，半导体制造装置用构件130具备基体材料10、抗粒子层20。
基体材料10包括第1部分11、第2部分12。基体材料10具有表面10a。第1部分11包括棱部分11s。如图2(a)及(b)所示，棱部分11s具有向上凸出的形状。棱部分11s例如是R面。剖视图上第2部分12由平面构成。
抗粒子层20覆盖基体材料10的表面10a。抗粒子层20包含多结晶陶瓷。抗粒子层20具备第1抗粒子层21、第2抗粒子层22。第1抗粒子层21设置于第1部分11的棱部分11s的表面。第2抗粒子层22设置于第2部分12的表面。半导体制造装置用构件130中，第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。
并且，本申请说明书中，“抗粒子性较高”表示缘于等离子体照射的抗粒子层的腐蚀而产生的粒子量较少。例如，能够从抗粒子层的消耗量较少或者抗粒子层的表面粗糙度的变化较小等判断抗粒子性较高。本申请说明书中，优选以后述的“亮度Sa(luminance Sa)”为指标判断“抗粒子性”。
图3是例示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的模式化剖视图。
图4是例示图3中用虚线A-A切断的内部的模式化剖视图。
半导体制造装置用构件130中，基体材料10呈环状，基体材料10中还可以由表面10a构成环状的基体材料10的内侧部分。如图3所示，环状的基体材料10的内侧部分成为表面10a。在该表面10a上设置抗粒子层20(图3中省略抗粒子层20)。
如图3及图4所示，环状的基体材料10具有上边10u、下边10b。上边10u的直径Du小于下边10b的直径Db。环状的基体材料10例如以从下边10b朝着上边10u直径变小的锥状构成。如图4所示，在环状的基体材料10中，基体材料10的上边10u对应于第1部分11的棱部分11s。
通过将基体材料10做成环状，从而能够作为半导体制造装置用构件130的内壁而适当地加以利用。另外，半导体制造装置中，有时将腔室的上侧的内壁以从下朝上直径变小的锥状构成。此时，本发明者们发现了基体材料10中有时尤其其上边10u与等离子体气氛P的接触面积较大(参照图4)。
半导体制造装置用构件130中，当基体材料10呈环状时，例如还可以将上边10u作为棱部分11s，用抗粒子性更加出色的第1抗粒子层21进行覆盖。由此，能够有效地抑制抗粒子性降低。
半导体制造装置用构件130中，第1抗粒子层21的厚度例如小于第2抗粒子层22的厚度。半导体制造装置用构件130中，第1抗粒子层21的抗粒子性比第2抗粒子层22更出色。例如，当第1抗粒子层21比第2抗粒子层22更致密时，有时第1抗粒子层21的内部应力高于第2抗粒子层22的内部应力。从而，通过使第1抗粒子层21的厚度小于第2抗粒子层22的厚度，从而使第1抗粒子层21的内部应力进一步变小，能够抑制在棱部分11s处第1抗粒子层21发生破损等的不良状况发生。
并且，作为等离子体容易集中于棱部分11s的理由，可考虑边缘(edge)效果的影响。边缘效果是指当使用平行板电极引起放电时，在极板周边的尖锐的部分或者在电极面上存在凹凸部时的凸部处的电场强度较大而等离子体集中的现象。
第1抗粒子层21的厚度为例如1μm以上、10μm以下，更优选1μm以上、5μm以下，还更优选1μm以上、3μm以下。通过使第1抗粒子层21的厚度充分小而成为10μm以下，从而能够更加有效地减少第1抗粒子层21发生破损等的不良状况发生。另外，实用上优选第1抗粒子层21的厚度为1μm以上。第1抗粒子层21的厚度是在基体材料10的棱部分11s处的与切线正交的方向的抗粒子层20的厚度。
第2抗粒子层22的厚度为例如1μm以上、10μm以下。第2抗粒子层22的厚度是在基体材料10的第2部分12处的与切线正交的方向的抗粒子层20的厚度。
本说明书中，如下地求出抗粒子层20(第1抗粒子层21、第2抗粒子层22)的厚度。
切断半导体制造装置用构件130，使用扫描式电子显微镜(SEM：Scanning ElectronMicroscope)能够观察并确认其断裂面。SEM例如使用HITACHI制S-5500，还可以将SEM观察条件做成5000倍倍率、15kV加速电压。当截面图像上厚度存在偏差时，在多个部位进行测定，算出其平均值。
基体材料10还可以是金属、陶瓷、玻璃、塑料及这些的组合中的任意一种。优选基体材料10是金属或陶瓷。金属可使用对表面实施了阳极氧化处理(铝阳极化处理)的铝或铝合金。陶瓷可使用氧化铝、氮化铝等。
抗粒子层20包含多结晶陶瓷。抗粒子层20例如包含选自稀土类元素的氧化物、稀土类元素的氟化物及稀土类元素的氟氧化物中的至少一种。作为稀土类元素例如可例举选自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中的至少一种。更具体而言，抗粒子层20包含选自钇的氧化物(Y2O3、YαOβ(非化学计量的组成))、钇氧氟化物(YOF、Y5O4F7，Y6O5F8，Y7O6F9及Y17O14F23)、(YO0.826F0.17)F1.174、YF3、Er2O3、Gd2O3、Nd2O3、Y3Al5O12、Y4Al2O9、Y2O3-ZrO2、Er3Al5O12、Gd3Al5O12、Er4Al2O9、ErAlO3、Gd4Al2O9、GdAlO3、Nd3Al5O12、Nd4Al2O9及NdAlO3中的至少一种。抗粒子层20还可以包含选自Fe、Cr、Zn及Cu中的至少一种。
例如，抗粒子层20包含氟及氧中的至少任意一种和钇。抗粒子层20例如将氧化钇(Y2O3)、氟化钇(YF3)或氟氧化钇(YOF)作为主成分。
本说明书中的“主成分”是指将该成分包含50％以上，优选包含70％以上，更优选包含90％以上，还更优选包含95％以上，最优选包含100％。在此所讲的“％”是例如质量％。
或者，抗粒子层20还可以是氧化物、氟化物、氟氧化物以外。具体而言，可例举包含Cl元素或Br元素的化合物(氯化物、溴化物)。
在本发明所涉及的半导体制造装置用构件130中，构成为第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。将第1抗粒子层21与第2抗粒子层22以相同组成所构成，例如还可以通过控制其纳米级的微构造来控制抗粒子性。另外，还可以将第1抗粒子层21与第2抗粒子层22做成不同组成，使第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。
半导体制造装置用构件130中，构成为第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。能够将以下所述的“基准抗等离子性试验”作为一个基准方法而评价该“抗粒子性”。半导体制造装置用构件130中，在基准抗等离子性试验之后的第1抗粒子层21的算术平均高度Sa1小于在基准抗等离子性试验之后的第2抗粒子层22的算术平均高度Sa2。在基准抗等离子性试验之后的第1抗粒子层21的算术平均高度Sa1优选0.060以下，更优选0.020以下，还更优选0.016以下。
接下来对基准抗等离子性试验进行详细叙述。
为了进行基准抗等离子性试验，作为等离子体蚀刻装置使用电感耦合型等离子体反应性离子蚀刻装置(Muc-21 Rv-Aps-Se/住友精密工业制)。等离子体蚀刻的条件如下，作为电源输出而将ICP(Inductively Coupled Plasma：电感耦合等离子体)的输出做成1500W，偏压输出做成750W，作为流程气体而做成100ccm的CHF3气体与10ccm的O2气体的混合气体，压力做成0.5Pa，等离子体蚀刻时间做成1个小时。通过激光显微镜(例如，OLS4500/奥林巴斯制)拍摄在等离子体照射之后的半导体制造装置用构件130的表面(抗粒子层20的表面)的状态。观察条件等的详细内容在以后进行叙述。从所得到的图像算出在等离子体照射之后的表面的算术平均高度Sa。在此，算术平均高度Sa是将2维的算术平均粗糙度Ra扩张为3维的高度，是3维粗糙度参数(3维高度方向参数)。具体而言，算术平均高度Sa是用被表面形状曲面、平均面围住的部分的体积除以测定面积的值。即，当将平均面作为xy面、纵向作为z轴、被测定的表面形状曲线作为z(x、y)时，用以下式定义算术平均高度Sa。在此，式(1)中的“A”是测定面积。
式1
Figure BDA0002388809820000101
虽然算术平均高度Sa是基本上并不依赖测定方法的值，但是在本说明书的“基准抗等离子性试验”中，则在以下的条件下算出。在算术平均高度Sa的算出中使用激光显微镜。具体而言，使用激光显微镜“OLS4500/奥林巴斯制”。物镜使用MPLAPON100xLEXT(开口数0.95、工作距离0.35mm、聚光点直径0.52μm、测定区域128×128μm)，将倍率做成100倍。将除去波动成分的λc滤波器设定为25μm。测定则在任意的3处进行，将其平均值作为算术平均高度Sa。除此之外，适当参照三维表面性状国际标准ISO25178。
并且，对用于进行基准抗等离子性试验的试样，适当切断成放入蚀刻装置的腔室的尺寸。例如，准备以包含第1抗粒子层21的方式进行切断的样品及以包含第2抗粒子层22的方式进行切断的样品，对这些实施基准抗等离子性试验。
作为“抗粒子性”的指标，优选采用“亮度Sa(luminance Sa)”。在此所讲的“亮度Sa”是对通过透射型电子显微镜(TEM：Transmission Electron Microscope)得到的构造物的明视场图像的数码黑白图像的像素信息进行定量化而得到的指标，是在气孔率极小(0.01～0.1％)的构造物中能够评价更微细(例如纳米级)的构造的指标。亮度Sa越小，则抗粒子性越出色。“亮度Sa”是将算术平均高度Sa的概念应用于数码TEM图像的图像处理的指标。
例如，如以下地算出亮度Sa。
在亮度Sa的算出中，采用聚焦离子束(FIB：Focused Ion Beam)法抑制加工损伤而制造用于取得数码黑白图像的TEM观察试样。FIB加工时，在构造物的表面上设置用于防止带电及保护试样的碳层及钨层。在将FIB加工方向作为纵向时，在垂直于纵向的平面上，将构造物表面的短轴方向的长度即试样上部厚度做成100±30nm。从一个构造物至少准备3个TEM观察试样。
对至少3个TEM观察试样，分别取得数码黑白图像。使用透射型电子显微镜(TEM)，在10万倍倍率、200kV加速电压下取得数码黑白图像。数码黑白图像中包括构造物、碳层、钨层。
数码黑白图像中，从构造物表面在所述纵向上设定将0.5μm作为区域纵向长度的亮度取得区域。从至少3个TEM观察试样分别取得多个所述数码黑白图像，以便使该亮度取得区域的面积的合计成为6.9μm2以上。
关于用等级数值表示所取得的数码黑白图像中的每一个像素的色数据的亮度值，将碳层的亮度值作为255，将钨层的亮度值作为0而相对地进行补正。
使用已补正的亮度值如以下地算出亮度Sa。即，对亮度取得区域分别采用最小二乗法算出每一个像素的补正后的亮度值差的绝对值的平均，将这些的平均作为亮度Sa。关于亮度Sa的详细内容，例如参照日本国专利第6597922号公报。
本发明中，第1抗粒子层21的亮度Sa小于第2抗粒子层22的亮度Sa。
根据本发明的一个形态，优选设置抗粒子层20而使基体材料10的表面10a平滑。根据本发明的一个形态，对基体材料10的表面10a例如实施喷砂、物理研磨、化学机械抛光、抛光(lapping)、化学研磨中的至少任意一个，由此除去表面的凹凸。这样的凹凸除去优选以在此之后的表面10a的例如其算术平均粗糙度Ra成为0.2μm以下的方式进行，更优选以成为0.1μm以下的方式进行，或者优选以最大高度粗糙度Rz成为3μm以下的方式进行。能够根据JIS B 0601：2001例如通过表面粗糙度测定器“SURFCOM 130A/东京精密制”测定算术平均粗糙度Ra及最大高度粗糙度Rz。
例如，能够通过“气溶胶沉降法”形成抗粒子层20(第1抗粒子层21、第2抗粒子层22)。“气溶胶沉降法”是如下方法，从喷嘴朝着基体材料喷射在气体中分散有包含脆性材料的微粒的“气溶胶”，使微粒碰撞金属、玻璃、陶瓷、塑料等基体材料，通过该碰撞的冲击来引起脆性材料微粒的变形、破碎，由此接合这些，在基体材料上直接形成由微粒的构成材料所构成的层状构造物(也称为膜状构造物)。
在该例子中，例如朝着基体材料10喷射氧化钇等抗粒子性出色的陶瓷材料的微粒与气体的混合物即气溶胶，由此形成层状构造物(抗粒子层20)。
根据气溶胶沉降法，并不特意需要加热单元、冷却单元等，能够在常温下形成层状构造物，能够得到具有与烧成体同等以上的机械强度的层状构造物。另外，通过对微粒发生碰撞的条件或微粒的形状、组成等进行控制，从而能够将层状构造物的密度或微构造、机械强度、电特性等改变成多样。
例如，通过适当控制上述条件，能够使第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。
并且，本申请说明书中“多结晶”是晶粒发生接合、累积而形成的构造体。晶粒实质上构成一个结晶。晶粒的直径通常为5纳米(nm)以上。但是，当微粒并未发生破碎而进入构造物中时，晶粒是多结晶。
另外，在半导体制造装置用构件130中，抗粒子层20(第1抗粒子层21、第2抗粒子层22)既可以仅由多结晶陶瓷所构成，另外还可以包含多结晶陶瓷及非晶形陶瓷。
抗粒子层20(第1抗粒子层21、第2抗粒子层22)中，多结晶陶瓷的平均微晶尺寸为3nm以上、50nm以下。优选其上限为30nm，更优选20nm，还更优选15nm。另外，优选其下限为5nm。
半导体制造装置用构件130中，第1抗粒子层21的平均微晶尺寸例如小于第2抗粒子层21的平均微晶尺寸。由此，例如使第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。
本发明中，能够通过以下方法求出“平均微晶尺寸”。
首先，以40万倍以上的倍率拍摄透射型电子显微镜(TEM)图像。将在该图像中通过近似圆形的15个微晶的直径的平均值来算出的值作为平均微晶尺寸。此时，如果将FIB加工时的样品厚度做成30nm左右地充分薄，则能够更加明确地判别微晶。拍摄倍率则能够在40万倍以上的范围内适当选择。
另外，本申请说明书中，“微粒”是当一次粒子为致密质粒子时，通过粒度分布测定或扫描式电子显微镜等进行同定的平均粒径为5微米(μm)以下的粒子。当一次粒子为因冲击而容易破碎的多孔质粒子时，指的是平均粒径为50μm以下的粒子。
另外，本申请说明书中，“气溶胶”是指在氦、氮、氩、氧、干燥空气、含有这些的混合气体等的气体中分散有前述的微粒的固气混合相体，虽然有时会含有一部分“凝聚体”，但是实质上指微粒单独分散的状态。虽然气溶胶的气体压力及温度是任意的，但是当气体压为1气压、将温度换算为摄氏20度时，优选气体中的微粒的浓度为在从吐出口喷射的时刻处于0.0003mL/L～5mL/L的范围内，以便有助于层状构造物的形成。
气溶胶沉降的流程通常在常温下实施，比微粒材料的融点充分低的温度即在摄氏数100度以下能够形成层状构造物，在这点上具有一个特征。
并且，本申请说明书中，“常温”是显著低于陶瓷的烧结温度的温度，实质上指0～100℃的环境，更加普遍的是20℃±10℃左右的室温。
构成成为层状构造物的原料的粉体的微粒，可将陶瓷或半导体等脆性材料作为主体，将同一材质的微粒以单独或混合粒径不同的微粒而加以使用，除此之外还可以混合或者复合异种的脆性材料微粒而加以使用。另外，还可以将金属材料或有机物材料等的微粒混合于脆性材料微粒，或者涂覆于脆性材料微粒的表面而加以使用。即使在这些情况下，成为形成层状构造物的主要物质还是脆性材料。
在通过该方法形成的复合构造物中，在将结晶性的脆性材料微粒作为原料而加以使用时，复合构造物的层状构造物的部分是其晶粒尺寸小于原料微粒的晶粒尺寸的多结晶体，其结晶实质上并不具有结晶指向性的情况较多。另外，在脆性材料结晶彼此的界面上，实质上并不存在由玻璃层构成的粒界层。另外，在较多的情况下，复合构造物的层状构造物部分在基体材料(该例子中是基体材料10)的表面上形成凹下的“固定(anchor)层”。形成有该固定层的层状构造物以极高的强度牢固地附着于基体材料而形成。
通过气溶胶沉降法形成的层状构造物，明显不同于微粒彼此通过压力被填料并通过物理性附着来保持形态的状态的所谓“压粉体”，而是具有充分的强度。
气溶胶沉降法中，通过X线衍射法等测定作为原料而加以使用的脆性材料微粒、所形成的脆性材料构造物的微晶(晶粒)尺寸，由此能够确认飞来的脆性材料微粒在基体材料上发生破碎、变形。即，通过气溶胶沉降法形成的层状构造物的微晶尺寸小于原料微粒的微晶尺寸。在因微粒发生破碎、变形而形成的“错开面”或“断面”上，形成原本存在于微粒内部且与其他原子发生结合的原子处于剥离状态的“新生面”。认为表面能量较高且比较活性的该新生面接合于邻接的脆性材料微粒的表面或同样邻接的脆性材料的新生面或基体材料的表面而形成层状构造物。
另外，还认为如下，当气溶胶中的微粒的表面上适度存在羟基时，当微粒发生碰撞时因在彼此微粒或微粒与构造物之间产生的局部的剪切应力等而发生机械化学性酸碱脱水反应，由此将这些彼此接合。认为来自外部的连续的机械性冲击力的追加使这些现象继续发生，因反复的微粒的变形、破碎等而实现接合的推进、致密化，由脆性材料构成的层状构造物成长。
例如，当通过气溶胶沉降法形成抗粒子层20时，陶瓷层即抗粒子层20与陶瓷烧成体、喷镀膜等相比具有构成的微晶尺寸较小且致密的微构造。由此，实施方式所涉及的半导体制造装置用构件130的抗粒子性高于烧成体、喷镀膜的抗粒子性。另外，实施方式所涉及的半导体制造装置用构件130成为粒子产生源的概率低于烧成体、喷镀膜等成为粒子产生源的概率。
对例如通过气溶胶沉降法制造本发明所涉及的半导体制造装置用构件130时用于其中的装置的一个例子进行说明。气溶胶沉降法中使用的装置由腔室、气溶胶供给部、气体供给部、排气部、配管所构成。在腔室的内部例如配置：配置基体材料10的载物台；驱动部；及喷嘴。通过驱动部能够相对地改变配置于载物台的基体材料10与喷嘴的位置。此时，使喷嘴与基体材料10之间的距离既可以呈一定还可以可变。在该例子中，虽然示出了驱动部驱动载物台的形态，但是驱动部还可以驱动喷嘴。驱动方向是例如XYZθ方向。
通过配管将气溶胶供给部连接于气体供给部。气溶胶供给部中介由配管向喷嘴供给混合原料微粒与气体的气溶胶。装置还具备供给原料微粒的粉体供给部。粉体供给部既可以配置在气溶胶供给部内，还可以与气溶胶供给部分开配置。另外，除了气溶胶供给部之外还可以具备混合原料微粒与气体的气溶胶形成部。通过以从喷嘴喷射的微粒的量呈一定的方式控制来自气溶胶供给部的供给量，从而能够得到均质的构造物。
气体供给部供给氮气、氦气、氩气、空气等。当被供给的气体为空气时，例如优选使用水分、油分等不纯物较少的压缩空气或者还设置从空气中去除不纯物的空气处理部。
接下来，对采用气溶胶沉降法的装置的动作的一个例子进行说明。在腔室内的载物台上配置有基体材料10的状态下，通过真空泵等排气部将腔室内部减压成大气压以下，具体而言减压成数百Pa左右。另一方面，将气溶胶供给部的内压设定成高于腔室的内压。气溶胶供给部的内压为例如数百～数万Pa。将粉体供给部还可以做成大气压。通过腔室与气溶胶供给部的压差等，以来自喷嘴的原料粒子的喷射速度处于亚音速～超音速(50～500m/s)的区域的方式对气溶胶中的微粒进行加速。喷射速度被从气体供给部供给的气体的流速、气体种类、喷嘴的形状、配管的长度、内径及排气部的排气量等所控制。例如，作为喷嘴还可以使用拉瓦尔喷嘴等超音速喷嘴。从喷嘴高速喷射的气溶胶中的微粒碰撞基体材料10，发生粉砕或变形而作为构造物(抗粒子层20)堆积在基体材料10上。通过改变基体材料10与喷嘴的相对位置，能够形成在基体材料10上具备具有规定面积的构造物(抗粒子层20)的复合构造物(半导体制造装置用构件130)。
另外，还可以设置在从喷嘴喷射之前用于解开微粒的凝聚的破碎部。破碎部中的破碎方法可选择任意的方法。例如，可例举振动、碰撞等机械性破碎及静电、等离子体照射、分级等公知的方法。
能够将本发明所涉及的半导体制造装置用构件作为半导体制造装置内的各种构件尤其作为在暴露于腐蚀性的高密度等离子体气氛的环境中使用的构件而适当地加以使用。具体而言，可例举腔室壁、喷淋板、衬套、密封件、窗口、边缘环、聚焦环等。
图5(a)及图5(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的一个例子的侧视图及剖视图。
图5(b)是图5(a)所示的区域R1的侧剖视图。
如图5(a)及图5(b)所示，在该例子中，基体材料10具有第1面31、第2面32、第3面33、第1棱部分41、第2棱部分42。
第1面31例如是曲面。第1面31还可以是平面。第2面32交叉于第1面31。即，第2面32并不是平行于第1面31的面。第2面32例如是平面。第2面32还可以是曲面。第1棱部分41连接第1面31与第2面32。即，第1棱部分41是第1面31与第2面32之间的凸状的角部分(阳角：outside corner)。
第3面33交叉于第1面31。即，第3面33并不是平行于第1面31的面。第3面33例如是平面。第3面33还可以是曲面。第2棱部分42连接第1面31与第3面33。即，第2棱部分42是第1面31与第3面33之间的凸状的角部分(阳角)。
棱部分11s是第1棱部分41及第2棱部分42中的至少任意一个。第1部分11是例如构成第2面32及第1棱部分41的部分。第1部分11还可以是构成第3面33及第2棱部分42的部分。第2部分12是构成第1面31的部分。
在该例子中，基体材料10呈在上下方向上穿通的环状。第1面31是环状的基体材料10的内周面。即，第1面31是基体材料10内侧的侧面，是位于腔室内侧的面。第2面32是环状的基体材料10的上面。第1棱部分41是环状的基体材料10的内侧上端的角部分。第3面33是环状的基体材料10的下面。第2棱部分42是环状的基体材料10的内侧下端的角部分。
并且，第2面32还可以是环状的基体材料10的下面。此时，第1棱部分41是环状的基体材料10的内侧下端的角部分。同样，第3面33还可以是环状的基体材料10的上面。此时，第2棱部分42是环状的基体材料10的内侧上端的角部分。
在该例子中，第2面32及第3面33是大致水平的平面。第2面32及第3面33并不局限于此，分别既可以是倾斜于水平方向的倾斜面，还可以是曲面。另外，在该例子中，虽然第2面32与第3面33相互平行，但是第2面32与第3面33还可以相互并不平行。第1棱部分41及第2棱部分42分别既可以是直角，还可以是锐角，也可以是钝角。第1棱部分41还可以具有从第1面31朝着第2面32发生弯曲的弯曲面(R面)。第2棱部分42还可以具有从第1面31朝着第3面33发生弯曲的弯曲面(R面)。
另外，基体材料10具有：位于上端的第1开口15a；及位于下端的第2开口15b。即，基体材料10呈在上下端部具有开口的筒状。在该例子中，第1开口15a的口径小于第2开口15b的口径。在该例子中，基体材料10呈内径从下端的第2开口15b朝着上端的第1开口15a变小的锥状。第1开口15a的口径还可以与第2开口15b的口径相同。
基体材料10的第1面31、第2面32、第3面33、第1棱部分41、第2棱部分42被抗粒子层20所覆盖。换言之，抗粒子层20上设置有基体材料10的第1面31、第2面32、第3面33、第1棱部分41、第2棱部分42。
抗粒子层20具有第1～第5抗粒子层21～25。第1抗粒子层21设置于第1棱部分41。即，抗粒子层20中设置于第1棱部分41的部分为第1抗粒子层21。第2抗粒子层22设置于第1面31。即，抗粒子层20中设置于第1面31的部分为第2抗粒子层22。第3抗粒子层23设置于第2面32。即，抗粒子层20中设置于第2面32的部分为第3抗粒子层23。第4抗粒子层24设置于第2棱部分42。即，抗粒子层20中设置于第2棱部分42的部分为第4抗粒子层24。第5抗粒子层25设置于第3面33。即，抗粒子层20中设置于第3面33的部分为第5抗粒子层25。
第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。第1抗粒子层21的抗粒子性例如高于第3抗粒子层23的抗粒子性。第3抗粒子层23的抗粒子性例如与第2抗粒子层22的抗粒子性相同。
另外，第4抗粒子层24的抗粒子性例如高于第2抗粒子层22的抗粒子性。第4抗粒子层24的抗粒子性例如高于第5抗粒子层25的抗粒子性。第4抗粒子层24的抗粒子性例如与第1抗粒子层21的抗粒子性相同。第5抗粒子层25的抗粒子性例如与第2抗粒子层22的抗粒子性相同。
抗粒子层20构成为包括设置于棱部分(第1棱部分41)的第1抗粒子层21及设置于第1面31的第2抗粒子层22，通过使第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性，从而能够减轻棱部分(第1棱部分41)处的等离子体损伤，能够提供抗粒子性出色的半导体制造装置用构件130。
另外，通过使设置于棱部分(第1棱部分41)的第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性，从而即使在基体材料10呈环状时，也能够减轻棱部分(第1棱部分41)处的等离子体损伤。
另外，由于用抗粒子性更加出色的第1抗粒子层21覆盖连接环状的基体材料10的上面(第2面32)与内周面(第1面31)的棱部分(第1棱部分41)，因此能够有效地抑制抗粒子性降低。
图6(a)及图6(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的其他一个例子的侧视图及剖视图。
图6(b)是图6(a)所示的区域R2的侧剖视图。
如图6(a)及图6(b)所示，在该例子中，基体材料10呈笔直地上下穿通(即，并不是锥状)的环状。第1面31是环状的基体材料10的内周面。第2面32是环状的基体材料10的上面。第1棱部分41是环状的基体材料10的内侧上端的角部分。第3面33是环状的基体材料10的下面。第2棱部分42是环状的基体材料10的内侧下端的角部分。
基体材料10具有：位于上端的第1开口15a；及位于下端的第2开口15b。第1开口15a的口径与第2开口15b的口径相同。
与图5(a)及图5(b)所示的例子同样，基体材料10的第1面31、第2面32、第3面33、第1棱部分41、第2棱部分42被抗粒子层20所覆盖。抗粒子层20具有第1～第5抗粒子层21～25。
第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。第1抗粒子层21的抗粒子性例如高于第3抗粒子层23的抗粒子性。第3抗粒子层23的抗粒子性例如与第2抗粒子层22的抗粒子性相同。
另外，第4抗粒子层24的抗粒子性例如高于第2抗粒子层22的抗粒子性。第4抗粒子层24的抗粒子性例如高于第5抗粒子层25的抗粒子性。第4抗粒子层24的抗粒子性例如与第1抗粒子层21的抗粒子性相同。第5抗粒子层25的抗粒子性例如与第2抗粒子层22的抗粒子性相同。
通过使设置于棱部分(第1棱部分41)的第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性，从而即使在基体材料10呈如图6(a)及图6(b)所示的环状的情况下，也能够减轻棱部分(第1棱部分41)处的等离子体损伤。
图7(a)及图7(b)是模式化表示实施方式所涉及的半导体制造装置用构件的另外其他一个例子的侧视图及剖视图。
图7(b)是图7(a)所示的区域R3的侧剖视图。
如图7(a)及图7(b)所示，在该例子中，基体材料10呈向上凸出的半球状(hemisphere)。第1面31是半球状的基体材料10的内周面。即，第1面31是位于腔室内侧的面。第2面32是半球状的基体材料10的下端面。第1棱部分41是半球状的基体材料10的内侧下端的角部分。
棱部分11s是第1棱部分41。第1部分11是例如构成第2面32及第1棱部分41的部分。第2部分12是构成第1面31的部分。
在该例子中，第2面32是大致水平的平面。第2面32并不局限于此，还可以是倾斜于水平方向的倾斜面，也可以是曲面。第1棱部分41及第2棱部分42既可以呈直角，还可以呈钝角。第1棱部分41还可以具有从第1面31朝着第2面32发生弯曲的弯曲面(R面)。
第1面31、第2面32、第1棱部分41被抗粒子层20所覆盖。换言之，抗粒子层20设置于第1面31、第2面32、第1棱部分41。
抗粒子层20具有第1～第3抗粒子层21～23。第1抗粒子层21设置于第1棱部分41。第2抗粒子层22设置于第1面31。第3抗粒子层23设置于第2面32。
第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性。第1抗粒子层21的抗粒子性例如高于第3抗粒子层23的抗粒子性。第3抗粒子层23的抗粒子性例如与第2抗粒子层22的抗粒子性相同。
通过使设置于棱部分(第1棱部分41)的第1抗粒子层21的抗粒子性高于第2抗粒子层22的抗粒子性，从而即使在基体材料10呈如图7(a)及图7(b)所示的半球状的情况下，也能够减轻棱部分(第1棱部分41)处的等离子体损伤。
实施例
虽然通过以下的实施例进一步对本发明进行说明，但是本发明并不局限于这些实施例。
1.制作样品
使用环状的基体材料10形成包含第1抗粒子层21及第2抗粒子层22的抗粒子层20。
1-1准备基体材料
作为基体材料10，使用具有如图3及图4所示的锥度的环状的铝合金基体材料。
1-2原料粒子
作为原料粒子，准备氧化钇粉体。原料粒子的平均粒径为0.4μm。
1-3抗粒子层的形成
得到对上述基体材料的内壁部分采用气溶胶沉降法用抗粒子层20覆盖包括棱部分11s的部分的样品1～5。在室温(20℃左右)下进行制作。样品1中，抗粒子层20的厚度如同表1所示。
2.样品评价
2-1平均微晶尺寸
对样品1的抗粒子层20算出平均微晶尺寸。具体而言，样品1中切出包含第1抗粒子层21的部分及包含第2抗粒子层22的部分，取得40万倍倍率的TEM图像，使用该TEM图像根据近似圆形的15个微晶的平均值来算出平均微晶尺寸。样品1中，第1抗粒子层21的平均微晶尺寸为9nm，第2抗粒子层22的平均微晶尺寸为12nm。
2-2亮度Sa
对所得到的样品1～5算出亮度Sa。根据日本国专利第6597922号公报所记载的方法算出亮度Sa。此时，并未实施利用低通滤波器的干扰除去。将结果示于表2。如同表2所示，无论基体材料或抗粒子层的组成如何，都确认了第2抗粒子层22与第1抗粒子层21相比更能体现较高水准的抗粒子性。
2-3基准抗等离子性试验
接下来，样品1中切出包含第1抗粒子层21的部分及包含第2抗粒子层22的部分而实施基准抗等离子性试验。
作为等离子体蚀刻装置使用电感耦合型等离子体反应性离子蚀刻装置(Muc-21 Rv-Aps-Se/住友精密工业制)。等离子体蚀刻的条件如下，作为电源输出而将ICP输出做成1500W，偏压输出做成750W，作为流程气体而做成100ccm的CHF3气体与10ccm的O2气体的混合气体，压力做成0.5Pa，将等离子体蚀刻时间做成1个小时。
接下来，通过激光显微镜拍摄在等离子体照射之后的第1抗粒子层21、第2抗粒子层22的表面202的状态。具体而言，使用激光显微镜“OLS4500/奥林巴斯制”，物镜使用MPLAPON100xLEXT(开口数0.95、工作距离0.35mm、聚光点直径0.52μm、测定区域128×128μm)，将倍率做成100倍。将除去波动成分的λc滤波器设定为25μm。测定则在任意的3处进行，将其平均值作为算术平均高度Sa。除此之外，适当参照三维表面性状国际标准ISO25178。在基准抗等离子性试验前后的样品1中的第1抗粒子层21、第2抗粒子层22的表面的算术平均高度Sa的值如同表1所示。
表1
Figure BDA0002388809820000211
表2
Figure BDA0002388809820000212
如表1所示，样品1中的在基准抗等离子性试验之后的第1抗粒子层21的算术平均高度Sa1小于在基准抗等离子性试验之后的第2抗粒子层22的算术平均高度Sa2。因而，确认了第2抗粒子层22与第1抗粒子层21相比更能体现较高水准的抗粒子性。
以上，对本发明的实施方式进行了说明。但是，本发明并不局限于上述内容。关于前述的实施方式，只要具备本发明的特征，则本领域技术人员适当加以设计变更的技术也包含在本发明的范围内。例如，基体材料、铝阳极化层、抗粒子层等的形状、尺寸、材质、配置等并不局限于例示的内容，而是能够适当进行变更。
另外，只要技术上可行，则可对前述的各实施方式所具备的各要素进行组合，这些组合后的技术只要包含本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。

Claims (13)

1.一种半导体制造装置用构件，其特征为，
具备：基体材料，包括第1面、与所述第1面发生交叉的第2面、连接所述第1面与所述第2面的棱部分；
及抗粒子层，覆盖所述第1面、所述第2面、所述棱部分，包含多结晶陶瓷，
该抗粒子层包括：设置于所述棱部的第1抗粒子层；
及设置于所述第1面的第2抗粒子层，
所述第1抗粒子层的抗粒子性高于所述第2抗粒子层的抗粒子性。
2.根据权利要求1所述的半导体制造装置用构件，其特征为，
所述基体材料呈环状，
所述第1面是所述基体材料的内周面，
所述第2面是所述基体材料的上面或下面。
3.根据权利要求2所述的半导体制造装置用构件，其特征为，
所述基体材料具有上端的第1开口及下端的第2开口，
所述第1开口的口径小于所述第2开口的口径，
所述第2面是所述基体材料的上面。
4.根据权利要求1～3中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层的厚度小于所述第2抗粒子层的厚度。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层的厚度为1μm以上、10μm以下。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述抗粒子层包含选自稀土类元素的氧化物、稀土类元素的氟化物及稀土类元素的氟氧化物中的至少一种。
7.根据权利要求6所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述稀土类元素是选自Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu中的至少一种。
8.根据权利要求1～7中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸为3nm以上、50nm以下。
9.根据权利要求1～8中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸小于所述第2抗粒子层中的通过40万倍～200万倍倍率的TEM图像算出的所述多结晶陶瓷的平均微晶尺寸。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，在基准抗等离子性试验之后的所述第1抗粒子层的算术平均高度Sa1小于在所述基准抗等离子性试验之后的所述第2抗粒子层的算术平均高度Sa2。
11.根据权利要求1～10中任意一项所述的半导体制造装置用构件，其特征为，所述第1抗粒子层及所述第2抗粒子层在基准抗等离子性试验之后分别呈现出0.060以下的算术平均高度Sa。
12.一种半导体制造装置，具备：腔室；
权利要求1～11的任意一项所记载的半导体制造装置用构件；
及静电吸盘，其特征为，
所述腔室具有形成生成等离子体的空间的内壁，
所述内壁具有：配置所述静电吸盘的下侧内壁；及配置成比下侧内壁更靠上方的上侧内壁，
所述半导体制造装置用构件的所述抗粒子层构成所述上侧内壁的至少一部分。
13.一种显示器制造装置，其特征为，具备权利要求1～11的任意一项所记载的半导体制造装置用构件。
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