JP6801773B2 - 半導体製造装置用部材および半導体製造装置用部材を備えた半導体製造装置並びにディスプレイ製造装置 - Google Patents
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Description
昨今では、半導体デバイスの微細化が進んでおり、ナノレベルでのパーティクルのコントロールが求められている。
そこで、本発明では、基材の第1面、第2面、および稜部分を覆う耐パーティクル層が、稜部分に設けられる第1耐パーティクル層と、第1面に設けられる第2耐パーティクル層と、を含むよう構成し、第1耐パーティクル層の耐パーティクル性を、第2耐パーティクル層の耐パーティクル性よりも高くしている。そのため、稜部分におけるプラズマダメージを軽減することができ、耐パーティクル性に優れた半導体製造装置用部材を提供することができる。
本発明では、稜部分に設けられる第1耐パーティクル層の耐パーティクル性を、第2耐パーティクル層の耐パーティクル性よりも高くすることで、基材が環状の場合にも、稜部分におけるプラズマダメージを軽減することができる。
本発明では、環状の基材の上面と内周面とを接続する稜部分を、より耐パーティクル性に優れる第1耐パーティクル層で被覆しているため、耐パーティクル性の低下を効果的に抑制できる。
図1は、実施形態に係る半導体製造装置用部材を有する半導体製造装置を例示する断面図である。
図1に表した半導体製造装置100は、チャンバ110と、天板120と、半導体製造装置用部材130と、静電チャック160と、を備える。天板120は、チャンバ110の内部における上部に設けられている。静電チャック160は、チャンバ110の内部における下部に設けられている。つまり、天板120は、チャンバ110の内部において静電チャック160の上に設けられている。ウェーハ210等の被吸着物は、静電チャック160の上に載置される。
図2(a)は、半導体製造装置用部材130の一部分のうち、基材10を説明するための模式的断面図である。図2(b)は半導体製造装置用部材130の一部分を示す模式的断面図である。
基材10は、第1部分11と、第2部分12と、を含む。基材10は、表面10aを有する。第1部分11は、稜部分11sを含む。図2(a)および(b)に示すように、稜部分11sは、上に凸の形状を有する。稜部分11sは例えば、R面である。第2部分12は、断面図において平面で構成される。
耐パーティクル層20は、基材10の表面10aを覆う。耐パーティクル層20は、多結晶セラミックスを含む。耐パーティクル層20は、第1耐パーティクル層21と、第2耐パーティクル層22と、を備えている。第1耐パーティクル層21は、第1部分11の稜部分11sの表面に設けられる。第2耐パーティクル層22は、第2部分12の表面に設けられる。半導体製造装置用部材130においては、第1耐パーティクル層21の耐パーティクル性は、第2耐パーティクル層22の耐パーティクル性よりも高い。
なお、本願明細書において「耐パーティクル性が高い」とは、プラズマ照射により耐パーティクル層が腐食されることにより発生するパーティクルの量が少ないことを意味する。例えば、耐パーティクル性が高い、とは、耐パーティクル層の消耗量が少ないこと、または、耐パーティクル層の表面粗さの変化が少ないこと、などから判断することができる。本願明細書において、「耐パーティクル性」は後述の「輝度Sa(luminance Sa)」を指標として判断することが好ましい。
図4は、図3において破線A−Aで切断した内部を例示する模式的断面図である。
半導体製造装置用部材130において、基材10が環状であり、基材10のうち、表面10aが環状の基材10の内側部分を構成していてもよい。図3に示すように、環状の基材10の内側部分が表面10aとなっている。この表面10aに耐パーティクル層20が設けられる(図3では耐パーティクル層20を省略)。
基材10を環状とすることで、半導体製造装置用部材130の内壁として好適に利用することができる。また、半導体製造装置においては、チャンバの上側の内壁を下から上に向かって径が小さくなるテーパ形状で構成する場合がある。本発明者らは、この場合、基材10において特にその上辺10uとプラズマ雰囲気Pとの接触面積が大きくなる場合があること見出した(図4参照)。
半導体製造装置用部材130においては、基材10が環状の場合には、例えば、上辺10uを稜部分11sとし、より耐パーティクル性に優れる第1耐パーティクル層21で被覆してもよい。それによって、耐パーティクル性の低下を効果的に抑制できる。
第2耐パーティクル層22の厚さは、例えば、1μm以上10μm以下である。第2耐パーティクル層22の厚さは、基材10の第2部分12における接線に直交する方向の耐パーティクル層20の長さである。
半導体製造装置用部材130を切断し、その破断面について走査型電子顕微鏡(SEM:Scanning Electron Microscope)を用いて観察し、確認することができる。SEMには、例えば、HITACHI製S−5500を用い、SEM観察条件を、倍率5000倍、加速電圧15kVとしてもよい。断面画像において厚さにばらつきがある場合には、複数箇所で測定を行い、その平均値を算出する。
例えば、耐パーティクル層20は、フッ素及び酸素の少なくともいずれかと、イットリウムとを含む。耐パーティクル層20は、例えば、酸化イットリウム(Y2O3)、フッ化イットリウム(YF3)又はオキシフッ化イットリウム(YOF)を主成分とする。
本明細書において「主成分」とは、当該成分を50%超、好ましくは70%以上、より好ましくは90%以上、さらに好ましくは95%以上、最も好ましくは100%含むことをいう。ここでいう「%」は、例えば、質量%である。
基準耐プラズマ性試験のための、プラズマエッチング装置として、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング装置(Muc−21 Rv−Aps−Se/住友精密工業製)を使用する。プラズマエッチングの条件は、電源出力としてICP(Inductively Coupled Plasma:誘導結合プラズマ)の出力を1500W、バイアス出力を750W、プロセスガスとしてCHF3ガス100ccmとO2ガス10ccmの混合ガス、圧力を0.5Pa、プラズマエッチング時間を1時間とする。プラズマ照射後の半導体製造装置用部材130の表面(耐パーティクル層20の表面)の状態をレーザー顕微鏡(例えば、OLS4500/オリンパス製)により撮影する。観察条件等の詳細は後述する。得られた画像から、プラズマ照射後の表面の算術平均高さSaを算出する。ここで、算術平均高さSaとは、2次元の算術平均粗さRaを3次元に拡張したものであり、3次元粗さパラメータ(3次元高さ方向パラメータ)である。具体的には、算術平均高さSaは、表面形状曲面と平均面とで囲まれた部分の体積を測定面積で割ったものである。すなわち、平均面をxy面、縦方向をz軸とし、測定された表面形状曲線をz(x、y)とすると、算術平均高さSaは、次式で定義される。ここで、式(1)の中の「A」は、測定面積である。
輝度Saの算出において、デジタル白黒画像を取得するためのTEM観察試料は、集束イオンビーム(FIB:Focused Ion Beam)法を用い、加工ダメージを抑制して作成される。FIB加工時に、構造物の表面には帯電防止および試料保護のためのカーボン層およびタングステン層が設けられる。FIB加工方向を縦方向としたときに、縦方向に対して垂直な平面における、構造物表面の短軸方向の長さである試料上部厚みは100±30nmとする。ひとつの構造物から、TEM観察試料を少なくとも3つ用意する。
少なくとも3つのTEM観察試料のそれぞれについて、デジタル白黒画像を取得する。デジタル白黒画像は、透過型電子顕微鏡(TEM)を用い、倍率10万倍、加速電圧200kVで取得する。デジタル白黒画像は、構造物、カーボン層、及びタングステン層を含む。
デジタル白黒画像において、構造物表面から前記縦方向に0.5μmを領域縦長さとする輝度取得領域を設定する。この輝度取得領域の面積の合計が6.9μm2以上となるように、少なくとも3つのTEM観察試料のそれぞれから複数の前記デジタル白黒画像を取得する。
取得したデジタル白黒画像中の1ピクセル毎の色データを階調の数値で表した輝度値について、カーボン層の輝度値を255、タングステン層の輝度値を0として相対的に補正する。
補正した輝度値を用い、以下のように輝度Saを算出する。すなわち、輝度取得領域のそれぞれに対して、最小二乗法を用いてピクセル毎の補正後の輝度値の差の絶対値の平均を算出し、それらの平均を輝度Saとする。輝度Saの詳細については、例えば、特許第6597922号公報を参照するものとする。
例えば、上記条件を適宜制御して、第1耐パーティクル層21の耐パーティクル性を、第2耐パーティクル層22の耐パーティクル性よりも高くすることができる。
また、半導体製造装置用部材130において、耐パーティクル層20(第1耐パーティクル層21、第2耐パーティクル層22)は多結晶セラミックスのみから構成されてもよく、また多結晶セラミックスとアモルファスセラミックスとを含むものであってもよい。
半導体製造装置用部材130において、第1耐パーティクル層21の平均結晶子サイズは、例えば、第2耐パーティクル層21の平均結晶子サイズよりも小さい。それによって、例えば、第1耐パーティクル層21の耐パーティクル性を第2耐パーティクル層22の耐パーティクル性よりも高められる。
まず、倍率40万倍以上で透過型電子顕微鏡(TEM)画像を撮影する。この画像において結晶子15個の円形近似による直径の平均値より算出した値を平均結晶子サイズとする。このとき、FIB加工時のサンプル厚みを30nm程度に十分薄くすれば、より明確に結晶子を判別することができる。撮影倍率は、40万倍以上の範囲で適宜選択することができる。
なお、本願明細書において「常温」とは、セラミックスの焼結温度に対して著しく低い温度で、実質的には0〜100℃の環境をいい、20℃±10℃前後の室温がより一般的である。
図5(b)は、図5(a)に示した領域R1の側断面図である。
図5(a)及び図5(b)に表したように、この例では、基材10は、第1面31と、第2面32と、第3面33と、第1稜部分41と、第2稜部分42と、を有する。
図6(b)は、図6(a)に示した領域R2の側断面図である。
図6(a)及び図6(b)に表したように、この例では、基材10は、真っすぐに上下に貫通する(つまり、テーパ形状でない)環状である。第1面31は、環状の基材10の内周面である。第2面32は、環状の基材10の上面である。第1稜部分41は、環状の基材10の内側上端の角部分である。第3面33は、環状の基材10の下面である。第2稜部分42は、環状の基材10の内側下端の角部分である。
図7(b)は、図7(a)に示した領域R3の側断面図である。
図7(a)及び図7(b)に表したように、この例では、基材10は、上に凸の半球状(hemisphere)である。第1面31は、半球状の基材10の内周面である。つまり、第1面31は、チャンバの内側に位置する面である。第2面32は、半球状の基材10の下端面である。第1稜部分41は、半球状の基材10の内側下端の角部分である。
環状の基材10を用い、第1耐パーティクル層21と第2耐パーティクル層22とを含む耐パーティクル層20を形成した。
1−1 基材の準備
基材10として、図3および図4に示すようなテーパを有する環状のアルミ合金基材を用いた。
原料粒子として、酸化イットリウム粉体を用意した。原料粒子の平均粒径は0.4μmであった。
上記基材の内壁部分について、エアロゾルデポジション法を用い、稜部分11sを含めて耐パーティクル層20で被覆してサンプル1〜5を得た。作製は室温(20℃前後)で行った。サンプル1において、耐パーティクル層20の厚さは表1に示すとおりであった。
2−1 平均結晶子サイズ
得られたサンプル1〜5について、輝度Saを算出した。輝度Saの算出は、特許第6597922号公報に記載の方法で行った。このとき、ローパスフィルタによるノイズ除去は実施しなかった。結果を表2に示す。表2に示す通り、基材や耐パーティクル層の組成にかかわらず、第2耐パーティクル層22のほうが第1耐パーティクル層21よりも高いレベルでの耐パーティクル性を発現することが確認された。
次に、サンプル1のうち、第1耐パーティクル層21を含む部分と、第2耐パーティクル層22を含む部分と、を切り出して基準耐プラズマ性試験を実施した。
プラズマエッチング装置として、誘導結合型プラズマ反応性イオンエッチング装置(Muc−21 Rv−Aps−Se/住友精密工業製)を使用した。プラズマエッチングの条件は、電源出力としてICP出力を1500W、バイアス出力を750W、プロセスガスとしてCHF3ガス100ccmとO2ガス10ccmの混合ガス、圧力を0.5Pa、プラズマエッチング時間を1時間とした。
また、前述した各実施の形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。
Claims (12)
- 半導体製造装置においてプラズマが生成されるチャンバの内壁であって、静電チャックが配置される下側内壁よりも上に配置される上側内壁を構成し、第1面と、前記第1面と交差する第2面と、前記第1面と前記第2面とを接続する稜部分と、を含む基材と、
前記第1面、前記第2面、および前記稜部分を覆い、多結晶セラミックスを含む耐パーティクル層であって、
前記稜部分に設けられた第1耐パーティクル層と、
前記第1面に設けられた第2耐パーティクル層と、を含む耐パーティクル層と、
を備え、
前記基材は環状であって、
前記第1面は、前記基材の内周面であり、
前記第2面は、前記基材の上面または下面であり、
前記第1耐パーティクル層の耐パーティクル性は、前記第2耐パーティクル層の耐パーティクル性よりも高い、半導体製造装置用部材。 - 前記基材は、上端の第1開口および下端の第2開口を有し、
前記第1開口の口径は、前記第2開口の口径よりも小さく、
前記第2面は、前記基材の上面である、請求項1に記載の半導体製造装置用部材。 - 前記第1耐パーティクル層の厚さは前記第2耐パーティクル層の厚さよりも小さい、請求項1または2に記載の半導体製造装置用部材。
- 前記第1耐パーティクル層の厚さは1μm以上10μm以下である、請求項1〜3のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- 前記耐パーティクル層は、希土類元素の酸化物、希土類元素のフッ化物および希土類元素の酸フッ化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む、請求項1〜4のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- 前記希土類元素が、Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、およびLuからなる群から選択される少なくとも一種である、請求項5に記載の半導体製造装置用部材。
- 倍率40万倍〜200万倍のTEM画像より算出される、前記多結晶セラミックスの平均結晶子サイズが3nm以上50nm以下である、請求項1〜6のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- 前記第1耐パーティクル層における、倍率40万倍〜200万倍のTEM画像より算出される、前記多結晶セラミックスの平均結晶子サイズは、前記第2耐パーティクル層における、倍率40万倍〜200万倍のTEM画像より算出される、前記多結晶セラミックスの平均結晶子サイズよりも小さい、請求項1〜7のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- 基準耐プラズマ性試験後における前記第1耐パーティクル層の算術平均高さSa1は、前記基準耐プラズマ性試験後における前記第2耐パーティクル層の算術平均高さSa2よりも小さい、請求項1〜8のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- 前記第1耐パーティクル層および前記第2耐パーティクル層は、それぞれ、基準耐プラズマ性試験後において0.060以下の算術平均高さSaを示す、請求項1〜9のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材。
- チャンバと、
請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材と、
静電チャックと、
を備えた半導体製造装置であって、
前記チャンバはプラズマが生成される空間を形成する内壁を有し、
前記内壁は、前記静電チャックが配置される下側内壁と、下側内壁より上に配置される上側内壁と、を有し、
前記半導体製造装置用部材の前記耐パーティクル層は、前記上側内壁の少なくとも一部を構成する、半導体製造装置。 - 請求項1〜10のいずれか1つに記載の半導体製造装置用部材を備えたディスプレイ製造装置。
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