TW202035150A - 半導體製造裝置用構件及具備半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置 - Google Patents

半導體製造裝置用構件及具備半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置 Download PDF

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Abstract

本發明的課題為提供一種可減少微粒之半導體製造裝置用構件。 本發明的解決手段為提供一種半導體製造裝置用構件，具備：基材，包含第一面，和與前述第一面交叉的第二面，和連接前述第一面與前述第二面的稜部分；以及耐微粒層，覆蓋前述第一面、前述第二面及前述稜部分，包含多晶陶瓷，該耐微粒層包含：配設於前述稜部的第一耐微粒層；以及配設於前述第一面的第二耐微粒層，前述第一耐微粒層的耐微粒性高於前述第二耐微粒層的耐微粒性。

Description

半導體製造裝置用構件及具備半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置
本發明的態樣一般是關於半導體製造裝置用構件及具備該半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器(display)製造裝置。
在半導體元件(semiconductor device)的製程中使用在反應室(chamber)內進行乾式蝕刻(dry etching)、濺鍍(sputtering)及CVD(Chemical Vapor Deposition：化學氣相沉積)等的處理的半導體製造裝置。在該反應室內往往會由工件(workpiece)或反應室的內壁等產生微粒(particle)。因這種微粒成為所製造的半導體元件的良率(yield)的降低的因素，故被要求降低微粒。
為了減少微粒，在反應室或其周邊使用的半導體製造裝置用構件被要求耐電漿性。因此，藉由耐電漿性優良的塗膜(層)塗佈(coating)半導體製造裝置用構件的表面的方法被使用。例如在基材的表面形成有氧化釔熔射膜(yttria thermal spraying film)的構件被使用。但是，往往在熔射膜會產生龜裂或剝離，不能說耐久性充分。因塗膜的剝離或來自塗膜的脫粒成為微粒產生的因素，故被要求抑制塗膜與基材的剝離。對於此點，在專利文獻1及專利文獻2揭示有使用以氣溶膠沉積法(aerosol deposition method)形成的陶瓷膜之半導體或液晶製造裝置構件(專利文獻1、專利文獻2)。而且，在專利文獻3揭示有在環狀或圓頂狀的基材的內壁形成包含週期表第ⅢA族元素化合物的熔射膜。 近年來半導體元件的微細化進行，被要求奈米級(nano level)下的微粒的控制。
[專利文獻1]：日本國特開2005-158933號公報 [專利文獻2]：韓國專利20100011576A公報 [專利文獻3]：日本國特開2012-18928號公報
目的為提供一種可減少微粒之半導體製造裝置用構件及具備該半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置。
與本發明有關的半導體製造裝置用構件，具備：基材，包含第一面，和與前述第一面交叉的第二面，和連接前述第一面與前述第二面的稜部分；以及耐微粒層，覆蓋前述第一面、前述第二面及前述稜部分，包含多晶陶瓷，該耐微粒層包含：配設於前述稜部的第一耐微粒層；以及配設於前述第一面的第二耐微粒層。前述第一耐微粒層的耐微粒性高於前述第二耐微粒層的耐微粒性。
在半導體製造裝置用構件中，其表面曝露在腐蝕性電漿環境中。本發明人們此時發現了在基材的稜部分中電漿容易集中，電漿造成的損壞(damage)大於第一面，成為微粒產生源的可能性高。 因此，在本發明中，覆蓋基材的第一面、第二面及稜部分的耐微粒層構成為包含配設於稜部分的第一耐微粒層，與配設於第一面的第二耐微粒層，使第一耐微粒層的耐微粒性高於第二耐微粒層的耐微粒性。因此，可減輕稜部分中的電漿損壞(plasma damage)，可提供耐微粒性優良的半導體製造裝置用構件。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，前述基材為環狀，前述第一面為前述基材的內周面，前述第二面為前述基材的頂面或底面較佳。
若基材為環狀，則可適宜地利用半導體製造裝置的反應室的內壁。基材為環狀的情形，在連接基材的內周面與頂面的稜部分或連接基材的內周面與底面的稜部分中電漿容易集中。 在本發明中，藉由使配設於稜部分的第一耐微粒層的耐微粒性高於第二耐微粒層的耐微粒性，即使是基材為環狀的情形，也可減輕稜部分中的電漿損壞。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，前述基材具有上端的第一開口及下端的第二開口，前述第一開口的口徑小於前述第二開口的口徑，前述第二面為前述基材的頂面較佳。
在半導體製造裝置中，有以由下朝上直徑變小的錐狀構成反應室的上側的內壁的情形。也就是說，有使基材的上端側的第一開口的口徑小於基材的下端側的第二開口的口徑的情形。本發明人們發現了反應室的內壁為錐狀的情形，特別是其頂面與電漿的接觸面積變大，在連接頂面與內周面的稜部分中電漿容易集中。 在本發明中，由於藉由耐微粒性更優良的第一耐微粒層被覆連接環狀的基材的頂面與內周面的稜部分，因此可有效地抑制耐微粒性的降低。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，第一耐微粒層的厚度小於第二耐微粒層的厚度較佳。
第一耐微粒層其耐微粒性比第二耐微粒層優良。例如在第一耐微粒層比第二耐微粒層還緻密的情形下，有第一耐微粒層的內部應力高於第二耐微粒層的內部應力的情形。因此，藉由使第一耐微粒層的厚度小於第二耐微粒層的厚度，可更減小第一耐微粒層的內部應力，可抑制在稜部分中第一耐微粒層破損等的不良狀況。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，第一耐微粒層的厚度為1μm以上、10μm以下較佳。
藉由使第一耐微粒層的厚度十分小至10μm以下，可更有效地減少耐微粒層的破損等的不良狀況的發生。而且，實用上以厚度為1μm以上較佳。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，耐微粒層包含選自於由稀土元素的氧化物、稀土元素的氟化物及稀土元素的酸氟化物(acid fluoride)所組成的群中的至少一種較佳。
依照本發明，可提高耐微粒層的耐微粒性。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，稀土元素選自於由Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu所組成的群中的至少一種較佳。
依照本發明，可更提高耐微粒層的耐微粒性。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，由倍率40萬倍～200萬倍的TEM(穿透式電子顯微鏡：Transmission Electron Microscope)影像算出的多晶陶瓷的平均微晶大小(average crystallite size)為3nm以上、50nm以下。
依照本發明，可提高耐微粒層的耐微粒性。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，第一耐微粒層中的由倍率40萬倍～200萬倍的TEM影像算出的前述多晶陶瓷的平均微晶大小小於第二耐微粒層中的由倍率40萬倍～200萬倍的TEM影像算出的前述多晶陶瓷的平均微晶大小較佳。
依照本發明，可使第一耐微粒層的耐微粒性比第二耐微粒層的耐微粒性更提高。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，基準耐電漿性試驗後的前述第一耐微粒層的算術平均高度(arithmetic mean height)Sa1小於前述基準耐電漿性試驗後的前述第二耐微粒層的算術平均高度Sa2。
依照本發明，可顯現高的水準下的耐微粒性。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件中，第一耐微粒層及前述第二耐微粒層分別在基準耐電漿性試驗後顯示0.060以下的算術平均高度Sa較佳。
依照本發明，可顯現高的水準下的耐微粒性。
與本發明有關的半導體製造裝置，具備：反應室；上述半導體製造裝置用構件的至少任一個；以及靜電吸盤(electrostatic chuck)。前述反應室具有形成生成電漿的空間的內壁，前述內壁具有：配置前述靜電吸盤的下側內壁，與配置於比下側內壁還上方的上側內壁，前述半導體製造裝置用構件的前述耐微粒層構成前述上側內壁的至少一部分。
依照本發明的半導體製造裝置，可顯現高的水準下的耐微粒性。
與本發明有關的顯示器製造裝置，具備上述半導體製造裝置用構件的至少任一個。
依照本發明的顯示器製造裝置，可顯現高的水準下的耐微粒性。
依照本發明的態樣，可提供一種可減少微粒之半導體製造裝置用構件及具備該半導體製造裝置用構件之半導體製造裝置以及顯示器製造裝置。
以下，就本發明的實施的形態一邊參照圖式，一邊進行說明。此外，各圖式中，對同樣的構成元件附加同一符號而適宜省略詳細的說明。 圖1是舉例說明具有與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的半導體製造裝置之剖面圖。 圖1所示的半導體製造裝置100具備反應室110與頂板120與半導體製造裝置用構件130與靜電吸盤160。頂板120配設於反應室110的內部中的上部。靜電吸盤160配設於反應室110的內部中的下部。也就是說，頂板120在反應室110的內部中配設於靜電吸盤160的上方。晶圓(wafer)210等的被吸附物被載置於靜電吸盤160之上。
反應室110的內壁111具有：配置靜電吸盤160的下側內壁111b，與配置於比下側內壁111b還上方的上側內壁111u。在該例子中，反應室110的內壁111以由下朝上直徑變小的錐狀構成。也就是說，與頂板120相接的反應室110的上邊的直徑小於靜電吸盤160側的反應室110的下邊的直徑。半導體製造裝置用構件130例如配置成與頂板120相接。
在半導體製造裝置100中，高頻電力(high-frequency power)被供給，如圖1所示的箭頭A1般例如鹵素系氣體等的原料氣體被導入到反應室110的內部。於是，被導入到反應室110的內部的原料氣體在靜電吸盤160與頂板120之間的區域191中電漿化。
此處，若在反應室110的內部中產生的微粒221附著於晶圓210，則有所製造的半導體元件發生不良狀況的情形。於是，有半導體元件的良率及生產性降低的情形。因此，頂板120或半導體製造裝置用構件130被要求耐電漿性。
此外，與實施形態有關的半導體製造裝置用構件也可以為配置於反應室內的上部以外的位置或反應室周邊的構件。而且，使用半導體製造裝置用構件的半導體製造裝置不限於圖1的例子，包含進行退火、蝕刻(etching)、濺鍍、CVD等的處理的任意的半導體製造裝置(半導體處理裝置)。
圖2(a)、(b)是舉例說明與實施形態有關的半導體製造裝置用構件之示意剖面圖。 圖2(a)是用以說明半導體製造裝置用構件130的一部分之中基材10之示意剖面圖。圖2(b)是顯示半導體製造裝置用構件130的一部分之示意剖面圖。
如圖2(a)及(b)所示，半導體製造裝置用構件130具備基材10與耐微粒層20。 基材10包含第一部分11與第二部分12。基材10具有表面10a。第一部分11包含稜部分11s。如圖2(a)及(b)所示，稜部分11s具有往上凸的形狀。稜部分11s例如為R面。第二部分12在剖面圖上由平面構成。 耐微粒層20覆蓋基材10的表面10a。耐微粒層20包含多晶陶瓷。耐微粒層20具備第一耐微粒層21與第二耐微粒層22。第一耐微粒層21配設於第一部分11的稜部分11s的表面。第二耐微粒層22配設於第二部分12的表面。在半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。 此外，在本案說明書中，[耐微粒性高]是指意味著由於電漿照射而使耐微粒層被腐蝕而產生的微粒的量少。例如耐微粒性高是指可從耐微粒層的消耗量少或者耐微粒層的表面粗糙度(surface roughness)的變化少等判斷。在本案說明書中，[耐微粒性]以後述的[亮度Sa(luminance Sa)]為指標判斷較佳。
圖3是舉例說明與實施形態有關的半導體製造裝置用構件之示意剖面圖。 圖4是舉例說明在圖3中以虛線A-A剖切的內部之示意剖面圖。 在半導體製造裝置用構件130中，基材10為環狀，基材10之中表面10a構成環狀的基材10的內側部分也可以。如圖3所示，環狀的基材10的內側部分成為表面10a。在該表面10a配設有耐微粒層20(在圖3中省略耐微粒層20)。
如圖3及圖4所示，環狀的基材10具有上邊10u與下邊10b。上邊10u的直徑Du比下邊10b的直徑Db短。環狀的基材10例如以由下邊10b朝上邊10u直徑變小的錐狀構成。如圖4所示，在環狀的基材10中，基材10的上邊10u對應第一部分11的稜部分11s。 藉由以基材10為環狀，可當作半導體製造裝置用構件130的內壁而適合被利用。而且，在半導體製造裝置中，有以由下朝上直徑變小的錐狀構成反應室的上側的內壁的情形。本發明人們此情形發現了在基材10中有特別是其上邊10u與電漿環境P的接觸面積變大的情形(參照圖4)。 在半導體製造裝置用構件130中，在基材10為環狀的情形下，例如以上邊10u作為稜部分11s，藉由耐微粒性更優良的第一耐微粒層21進行被覆也可以。據此，可有效地抑制耐微粒性的降低。
在半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21的厚度例如小於第二耐微粒層22的厚度。在半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21其耐微粒性比第二耐微粒層22優良。例如在第一耐微粒層21比第二耐微粒層22還緻密的情形下，有第一耐微粒層21的內部應力高於第二耐微粒層22的內部應力的情形。因此，藉由使第一耐微粒層21的厚度小於第二耐微粒層22的厚度，可更減小第一耐微粒層21的內部應力，可抑制在稜部分11s中第一耐微粒層21破損等的不良狀況。
此外，作為在稜部分11s中電漿容易集中的理由，可考慮邊緣效果(edge effect)的影響。邊緣效果是指當使用平行板電極引起放電的情形，在極板的周邊的尖銳的部分或者在電極面有凹凸的情形下在凸部中電場強度變大，電漿集中的現象。
第一耐微粒層21的厚度為例如1μm以上、10μm以下，較佳為1μm以上、5μm以下，更佳為1μm以上、3μm以下。藉由使第一耐微粒層21的厚度十分小至10μm以下，可更有效地減少第一耐微粒層21的破損等的不良狀況的發生。而且，實用上以第一耐微粒層21的厚度為1μm以上較佳。第一耐微粒層21的厚度是基材10的稜部分11s中的正交於切線的方向的耐微粒層20的長度。 第二耐微粒層22的厚度為例如1μm以上、10μm以下。第二耐微粒層22的厚度是基材10的第二部分12中的正交於切線的方向的耐微粒層20的長度。
在本說明書中，耐微粒層20(第一耐微粒層21、第二耐微粒層22)的厚度係如下求出。 剖切半導體製造裝置用構件130，關於其裂斷面可使用掃描式電子顯微鏡(SEM：Scanning Electron Microscope)觀察並確認。SEM例如使用HITACHI製S-5500，SEM觀察條件也能以倍率5000倍、加速電壓15kV。於在剖面影像上厚度有不均的情形下，在複數處進行測定，算出其平均值。
基材10也可以是金屬、陶瓷、玻璃、塑膠及該等的組合的任一個。基材10較佳為金屬或陶瓷。金屬可使用對表面實施了陽極氧化處理(防蝕鋁處理(alumite treatment))的鋁或鋁合金。陶瓷可使用氧化鋁、氮化鋁等。
耐微粒層20包含多晶陶瓷。耐微粒層20例如包含選自於由稀土元素的氧化物、稀土元素的氟化物及稀土元素的酸氟化物所組成的群中的至少一種。作為稀土元素例如可舉出選自於由Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu所組成的群中的至少一種。更具體而言，耐微粒層20包含選自於由釔的氧化物(Y2 O3 、Yα Oβ (非化學計量組成(nonstoichiometric composition)))、釔氧氟化物(yttrium oxyfluoride)(YOF、Y5 O4 F7 ，Y6 O5 F8 ，Y7 O6 F9 及Y17 O14 F23 )、(YO0.826 F0.17 )F1.174 、YF3 、Er2 O3 、Gd2 O3 、Nd2 O3 、Y3 Al5 O12 、Y4 Al2 O9 、Y2 O3 -ZrO2 、Er3 Al5 O12 、Gd3 Al5 O12 、Er4 Al2 O9 、ErAlO3 、Gd4 Al2 O9 、GdAlO3 、Nd3 Al5 O12 、Nd4 Al2 O9 及NdAlO3 所組成的群中的至少一種。耐微粒層20也可以包含選自於由Fe、Cr、Zn及Cu所組成的群中的至少一種。 例如耐微粒層20包含氟及氧的至少任一個與釔。耐微粒層20例如以氧化釔(Y2 O3 )、氟化釔(yttrium fluoride)(YF3 )或氟氧化釔(yttrium oxyfluoride)(YOF)作為主成分。 在本說明書中[主成分]是指該成分包含超過50%，最好包含70%以上，較佳為包含90%以上，更佳為包含95%以上，最佳為包含100%。此處所謂的[%]例如為質量%。
或者，耐微粒層20也可以是氧化物、氟化物、氧氟化物(oxyfluoride)以外。具體而言，可舉出包含Cl元素或Br元素的化合物(氯化物、溴化物)。
在與本發明有關的半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性而構成。以相同組成構成第一耐微粒層21與第二耐微粒層22，例如藉由控制其奈米級(nano level)的微結構(microstructure)控制耐微粒性也可以。而且，也可以將第一耐微粒層21與第二耐微粒層22當作不同的組成，使第一耐微粒層21中的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。
在半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性而構成。該[耐微粒性]可將以下所述的[基準耐電漿性試驗]作為一個基準法而評價。在半導體製造裝置用構件130中，基準耐電漿性試驗後的第一耐微粒層21的算術平均高度Sa1小於基準耐電漿性試驗後的第二耐微粒層22的算術平均高度Sa2。基準耐電漿性試驗後的第一耐微粒層21的算術平均高度Sa1為0.060以下，較佳為0.020以下，更佳為0.016以下。
接著就基準耐電漿性試驗的詳細進行敘述。 為了進行基準耐電漿性試驗，作為電漿蝕刻裝置係使用感應耦合電漿反應性離子蝕刻(inductively coupled plasma reactive ion etching)(Muc-21 Rv-Aps-Se/住友精密工業製)。電漿蝕刻的條件如下：作為電源輸出係ICP(Inductively Coupled Plasma：感應耦合電漿)的輸出以1500W，偏壓輸出(bias output)以750W，作為製程氣體(process gas)以CHF3 氣體100ccm與O2 氣體10ccm的混合氣體，壓力以0.5Pa，電漿蝕刻時間以1小時。藉由雷射顯微鏡(laser microscope)(例如OLS4500/奧林巴斯製)拍攝電漿照射後的半導體製造裝置用構件130的表面(耐微粒層20的表面)的狀態。觀察條件等的詳細於後述。由所得到的影像算出電漿照射後的表面的算術平均高度Sa。此處，算術平均高度Sa是指三維地擴張二維的算術平均粗糙度Ra後的高度，為三維粗糙度參數(三維高度方向參數)。具體而言，算術平均高度Sa是以藉由表面形狀曲面與平均面包圍的部分的體積除以測定面積的值。也就是說，若以平均面為xy面、以縱向為z軸、以被測定的表面形狀曲線為z(x、y)，則算術平均高度Sa以下式定義。此處，式(1)中的[A]為測定面積。
[公式1]
Figure 02_image001
雖然算術平均高度Sa是基本上不取決於測定法的值，但是在本說明書中的[基準耐電漿性試驗]中是在以下的條件下算出。算術平均高度Sa的算出係使用雷射顯微鏡。具體而言，使用雷射顯微鏡[OLS4500/奧林巴斯製]。物鏡使用MPLAPON100xLEXT(數值孔徑(numerical aperture))0.95、工作距離(working distance)0.35mm、聚光點直徑0.52μm、測定區域128×128μm)，倍率以100倍。將除去波紋成分的λc濾光片設定為25μm。測定是在任意的3處進行，以其平均值作為算術平均高度Sa。除此之外，適宜參照三維表面性狀國際標準ISO25178。
此外，基準耐電漿性試驗用的試樣係適宜切斷成放入蝕刻裝置的反應室的尺寸。例如準備以包含第一耐微粒層21的方式切斷的樣品，與以包含第二耐微粒層22的方式切斷的樣品，對該等樣品實施基準耐電漿性試驗。
作為[耐微粒性]的指標，使用[亮度Sa(luminance Sa)]較佳。此處所謂的[亮度Sa]是將藉由穿透式電子顯微鏡(TEM：Transmission Electron Microscope)得到的結構物的明視野像(bright field image)的數位黑白影像的像素(pixel)資訊定量化而得到的指標，是在孔隙率(porosity)極小(0.01～0.1%)的結構物中可評價更微細(例如奈米級)的構造的指標。亮度Sa越小，耐微粒性越優良。[亮度Sa]是指將算術平均高度Sa的概念應用於數位TEM影像的影像處理的指標。
亮度Sa例如如以下算出。 在亮度Sa的算出中，取得數位黑白影像用的TEM觀察試樣係使用聚焦離子束(FIB：Focused Ion Beam)法，抑制加工損傷(damage)而作成。在FIB加工時，在結構物的表面設置帶電防止及試樣保護用的碳層及鎢層。在以FIB加工方向為縱向時，對縱向垂直的平面上之結構物表面的短軸方向的長度之試樣上部厚度以100±30nm。由一個結構物至少準備3個TEM觀察試樣。 就至少3個TEM觀察試樣的各個取得數位黑白影像。數位黑白影像係使用穿透式電子顯微鏡(TEM)，以倍率10萬倍，加速電壓200kV取得。數位黑白影像包含結構物、碳層及鎢層。 在數位黑白影像中，設定距結構物表面在前述縱向以0.5μm為區域縱長度的亮度取得區域。自至少3個TEM觀察試樣的各個取得複數個前述數位黑白影像，以使該亮度取得區域的面積的合計成為6.9μm2 以上。 關於以色調(tone)的數值表示所取得的數位黑白影像中的每一像素的色資料的亮度值，以碳層的亮度值為255，以鎢層的亮度值為0相對地進行補正。 使用已補正的亮度值如以下算出亮度Sa。也就是說，對亮度取得區域的各個，使用最小平方法(least squares method)算出每一像素的補正後的亮度值的差的絕對值的平均，以該等平均作為亮度Sa。關於亮度Sa的詳細例如參照日本國專利第6597922號公報。
在本發明中，第一耐微粒層21的亮度Sa小於第二耐微粒層22的亮度Sa。
依照本發明的一個態樣，配設耐微粒層20，基材10的表面10a平滑較佳。依照本發明的一個態樣，對基材10的表面10a例如施以噴砂(blast)、物理研磨、化學機械拋光(chemical mechanical polishing)、研磨(lapping)、化學研磨的至少任一個，除去表面的凹凸。這種凹凸除去，以使之後的表面10a例如其算術平均粗糙度(arithmetic mean roughness)Ra成為0.2μm以下，更佳為0.1μm以下，或者最大高度粗糙度Rｚ成為3μm以下的方式進行較佳。算術平均粗糙度Ra及最大高度粗糙度Rz可依據JIS B 0601：2001，例如藉由表面粗糙度測定器[SURFCOM　130A/東京精密製]測定。
例如可藉由[氣溶膠沉積法]形成耐微粒層20(第一耐微粒層21、第二耐微粒層22)。[氣溶膠沉積法]是由噴嘴(nozzle)朝基材噴射使包含脆性材料的微粒子分散於氣體中之[氣溶膠(aerosol)]，使微粒子碰撞金屬、玻璃、陶瓷、塑膠等的基材，藉由該碰撞的衝擊而使脆性材料微粒子引起變形及/或破碎而使基材接合，使由微粒子的構成材料構成的層狀結構物(也稱為膜狀結構物)直接形成於基材上的方法。
在該例子中，將例如氧化釔等的耐微粒性優良的陶瓷材料的微粒與氣體的混合物之氣溶膠朝基材10噴射，形成層狀結構物(耐微粒層20)。
依照氣溶膠沉積法，特別不需要加熱手段或冷卻手段等，可在常溫下形成層狀結構物，可得到具有與燒成體同等以上的機械強度(mechanical strength)的層狀結構物。而且，可藉由控制使微粒子碰撞的條件或微粒子的形狀、組成等，使層狀結構物的密度或微結構、機械強度、電特性(electrical characteristics)等各式各樣地變化。 例如適宜控制上述條件，可使第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。
此外，在本案說明書中[多晶(polycrystalline)]是指晶粒接合、集積而成的結構體。晶粒實質上是以一個構成結晶。晶粒的直徑通常為5奈米(nm)以上。但是，在微粒子不被破碎而被取入到結構物中的情形下，晶粒為多晶。 而且，在半導體製造裝置用構件130中，耐微粒層20(第一耐微粒層21、第二耐微粒層22)既可以僅由多晶陶瓷所構成，也可以包含多晶陶瓷與非晶(amorphous)陶瓷。
在耐微粒層20(第一耐微粒層21、第二耐微粒層22)中，多晶陶瓷的平均微晶大小為3nm以上、50nm以下。較佳為其上限為30nm，更佳為20nm，再更佳為15nm。而且，其較佳的下限為5nm。 在半導體製造裝置用構件130中，第一耐微粒層21的平均微晶大小例如小於第二耐微粒層21的平均微晶大小。據此，例如可使第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。
在本發明中，[平均微晶大小]可藉由以下的方法求出。 首先，以倍率40萬倍以上拍攝穿透式電子顯微鏡(TEM)影像，以在該影像中由微晶(crystallite)15個的近似圓形構成的直徑的平均值算出的值作為平均微晶大小。此時，使FIB加工時的樣品厚度十分薄至30nm左右，可更明確地判別微晶。攝影倍率可在40萬倍以上的範圍適宜選擇。
而且，在本案說明書中[微粒子]是指當一次粒子為緻密質粒子時，藉由粒度分布測定(particle size distribution measurement)或掃描電子顯微鏡(scanning electron microscope)等識別(identify)的平均粒徑為5微米(μm)以下。是指當一次粒子為容易透過衝擊而破碎的多孔粒子(porous particle)時，平均粒徑為50μm以下。
而且，在本案說明書中[氣溶膠]是指氦、氮、氬、氧、乾空氣、使前述的微粒子分散於包含氦、氮、氬、氧、乾空氣的混合氣體等的氣體中之固氣混合相體，也有包含一部分[凝集體(aggregate)]的情形，惟實質上微粒子是單獨分散的狀態。氣溶膠的氣體壓力與溫度是任意的，但氣體中的微粒子的濃度在將氣體壓力換算成1氣壓，將溫度換算成攝氏20度的情形下，在被由吐出口噴射的時間點為0.0003mL/L~5mL/L的範圍內對層狀結構物的形成較理想。
氣溶膠沉積的製程通常在常溫被實施，在遠低於微粒子材料的熔點的溫度，亦即攝氏數百度以下層狀結構物的形成為可能之處有一個特徵。 此外，在本案說明書中[常溫]是指對陶瓷的燒結溫度(sintering temperature)顯著低的溫度，實質上為0~100℃的室溫環境，20℃±10℃左右的室溫為更一般。
構成成為層狀結構物的原料的粉體的微粒子除了能以陶瓷或半導體等的脆性材料為主體，使同一材質的微粒子混合於單獨或粒徑不同的微粒子而使用之外，也能使異種的脆性材料微粒子混合，或使其複合而使用。而且，使金屬材料或有機物材料等的微粒子混合於脆性材料微粒子，或使其塗佈(coating)於脆性材料微粒子的表面而使用也可以。即使是該等的情形，層狀結構物的形成主要是脆性材料。
在藉由該手法形成的複合結構物(composite structure)中，當以結晶性的脆性材料微粒子為原料而使用時，複合結構物的層狀結構物的部分為其晶粒粒徑比原料微粒子的晶粒粒徑小的多晶體，其結晶往往實質上無晶體定向(crystal orientation)。而且，在脆性材料結晶彼此的界面實質上不存在由玻璃層構成的晶界層(grain boundary layer)。而且，許多情況複合結構物的層狀結構物部分形成侵入基材(在該例子中為基材10)的表面的[定錨層(anchor layer)]。形成有該定錨層的層狀結構物以對基材極高的強度堅固地附著而被形成。
藉由氣溶膠沉積法形成的層狀結構物明顯地與微粒子彼此透過壓力而被填密(packing)，以物理的附著保持形態的狀態之所謂的[壓胚(green compact)]不同，保有充分的強度。
在氣溶膠沉積法中，飛來的脆性材料微粒子在基材之上引起破碎、變形可藉由以X射線繞射法(X-ray diffraction method)等測定當作原料使用的脆性材料微粒子與形成的脆性材料結構物的微晶(crystallite)(晶粒)大小而確認。也就是說，藉由氣溶膠沉積法形成的層狀結構物的微晶大小(crystallite size)比原料微粒子的微晶大小小。在微粒子因破碎或變形而形成的[滑移面(slip plane)]或[破斷面(fracture surface)]形成有成為存在於原來的微粒子的內部與別的原子結合的原子露出的狀態之[新生面(nascent surfac)]。可考慮為藉由表面能(surface energy)高且活性的該新生面與鄰接的脆性材料微粒子的表面或相同地鄰接的脆性材料的新生面或基材的表面接合而形成層狀結構物。
而且，也可考慮為當在氣溶膠中的微粒子的表面恰好存在羥基(hydroxyl group)時，藉由在微粒子的碰撞時在微粒子彼此或微粒子與結構物之間產生的局部的剪應力(shear stress)等而發生機械化學(mechanochemical)的酸鹼脫水反應，微粒子彼此接合。考慮為來自外部的連續的機械衝擊力的附加使該等現象持續發生，藉由微粒子的變形、破碎等的重複而進行接合的進展、緻密化，由脆性材料構成的層狀結構物成長。
例如當耐微粒層20藉由氣溶膠沉積法形成時，陶瓷層之耐微粒層20與陶瓷燒成體或熔射膜等比較具有構成的微晶大小(crystallite size)小且緻密的微結構。據此，與實施形態有關的半導體製造裝置用構件130的耐微粒性比燒成體或熔射膜的耐微粒性高。而且，與實施形態有關的半導體製造裝置用構件130成為微粒的產生源的機率比燒成體或熔射膜等成為微粒的產生源的機率低。
藉由例如氣溶膠沉積法製造與本發明有關的半導體製造裝置用構件130的情形係就氣溶膠沉積法所使用的裝置的一例進行說明。氣溶膠沉積法所使用的裝置係藉由反應室與氣溶膠供給部與氣體供給部與排氣部與配管構成。在反應室的內部例如配置有：配置基材10的平台(stage)，與驅動部，與噴嘴。藉由驅動部可相對地改變配置於平台的基材10與噴嘴的位置。此時，既可使噴嘴與基材10之間的距離一定，也可使其可變。在該例子中，雖然顯示驅動部驅動平台的態樣，但是驅動部驅動噴嘴也可以。驅動方向例如為XYZθ方向。
氣溶膠供給部藉由配管與氣體供給部連接。在氣溶膠供給部中，經由配管將混合有原料微粒子與氣體的氣溶膠供給至噴嘴。裝置更具備供給原料微粒子的粉體供給部。粉體供給部既可以配置於氣溶膠供給部內，也可以在氣溶膠供給部之外另外配置。而且，除了氣溶膠供給部之外也可以另外具備混合原料微粒子與氣體的氣溶膠形成部。藉由控制來自氣溶膠供給部的供給量，以使由噴嘴噴射的微粒子的量成為一定，可得到均質的結構物。
氣體供給部供給氮氣、氦氣、氬氣、空氣等。當所供給的氣體為空氣時，例如使用水分或油分等的雜質少的壓縮空氣，或者更配設由空氣除去雜質的空氣處理部較佳。
接著，就氣溶膠沉積法所使用的裝置的動作的一例進行說明。在將基材10配置於反應室內的平台的狀態下，藉由真空泵(vacuum pump)等的排氣部將反應室內減壓到大氣壓以下，具體而言減壓到數百Pa左右。另一方面，將氣溶膠供給部的內壓設定為比反應室的內壓高。氣溶膠供給部的內壓例如為數百～數萬Pa。使粉體供給部為大氣壓也可以。藉由反應室與氣溶膠供給部的差壓等，使氣溶膠中的微粒子加速，使得來自噴嘴的原料粒子的噴射速度成為亞音速～超音速(50～500m/s)的區域。噴射速度藉由自氣體供給部供給的氣體的流速、氣體種(gaseous species)、噴嘴的形狀、配管的長度及內徑、排氣部的排氣量等控制。例如也可以使用拉瓦噴嘴(Laval nozzle)等的超音速噴嘴作為噴嘴。自噴嘴被高速噴射的氣溶膠中的微粒子碰撞基材10，粉碎或變形而在基材10上以結構物(耐微粒層20)沉積。藉由改變基材10與噴嘴的相對位置，形成在基材10上具備具有規定面積的結構物(耐微粒層20)的複合結構物(半導體製造裝置用構件130)。
而且，也可以配設：在自噴嘴噴射之前解開微粒子的凝集(agglutination)的裂解(cracking)部。裂解部中的裂解方法可選擇任意的方法。例如可舉出：振動、碰撞等的機械裂解；靜電、電漿照射、分類(classification)等眾所周知的方法。
與本發明有關的半導體製造裝置用構件作為半導體製造裝置內的各種構件，特別是作為在曝露於腐蝕性的高密度電漿環境的環境中使用的構件可適合被使用。具體而言，可舉出反應室壁、噴淋板(shower plate)、襯墊(liner)、護板(shield)、視窗(window)、邊緣環(edge ring)、聚焦環(focus ring)等。
圖5(a)及圖5(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的一例之側視圖及剖面圖。 圖5(b)是圖5(a)所示的區域R1之側剖面圖。 如圖5(a)及圖5(b)所示，在該例子中，基材10具有第一面31與第二面32與第三面33與第一稜部分41與第二稜部分42。
第一面31例如為曲面。第一面31也可以是平面。第二面32與第一面31交叉。也就是說，第二面32不是與第一面31平行的面。第二面32例如為平面。第二面32也可以是曲面。第一稜部分41連接第一面31與第二面32。也就是說，第一稜部分41為第一面31與第二面32之間的凸狀的角部分(外隅角：outside corner)。
第三面33與第一面31交叉。也就是說，第三面33不是與第一面31平行的面。第三面33例如為平面。第三面33也可以是曲面。第二稜部分42連接第一面31與第三面33。也就是說，第二稜部分42為第一面31與第三面33之間的凸狀的角部分(外隅角)。
稜部分11s為第一稜部分41及第二稜部分42的至少任一個。第一部分11例如為構成第二面32與第一稜部分41的部分。第一部分11也可以是構成第三面33與第二稜部分42的部分。第二部分12為構成第一面31的部分。
在該例子中，基材10為上下方向貫通的環狀。第一面31為環狀的基材10的內周面。也就是說，第一面31為基材10的內側的側面，為位於反應室的內側的面。第二面32為環狀的基材10的頂面。第一稜部分41為環狀的基材10的內側上端的角部分。第三面33為環狀的基材10的底面。第二稜部分42為環狀的基材10的內側下端的角部分。
此外，第二面32也可以是環狀的基材10的底面。此情形，第一稜部分41為環狀的基材10的內側下端的角部分。同樣地，第三面33也可以是環狀的基材10的頂面。此情形，第二稜部分42為環狀的基材10的內側上端的角部分。
在該例子中，第二面32及第三面33為略水平的平面。第二面32及第三面33不被限定於此，分別既可以是對水平方向傾斜的傾斜面，也可以是曲面。而且，在該例子中，雖然第二面32與第三面33互相平行，但是第二面32與第三面33不互相平行也可以。第一稜部分41及第二稜部分42分別既可以是直角，也可以是銳角，也可以是鈍角。第一稜部分41也可以具有由第一面31朝第二面32彎曲的彎曲面(R面)。第二稜部分42也可以具有由第一面31朝第三面33彎曲的彎曲面(R面)。
而且，基材10具有：位於上端的第一開口15a，與位於下端的第二開口15b。也就是說，基材10為在上下的端部具有開口的筒狀。在該例子中，第一開口15a的口徑小於第二開口15b的口徑。在該例子中，基材10為內徑由下端的第二開口15b朝上端的第一開口15a變小的錐狀。第一開口15a的口徑與第二開口15b的口徑相同也可以。
基材10的第一面31、第二面32、第三面33、第一稜部分41及第二稜部分42藉由耐微粒層20覆蓋。換言之，耐微粒層20配設於基材10的第一面31、第二面32、第三面33、第一稜部分41及第二稜部分42。
耐微粒層20具有第一～第五耐微粒層21～25。第一耐微粒層21配設於第一稜部分41。也就是說，耐微粒層20之中配設於第一稜部分41的部分為第一耐微粒層21。第二耐微粒層22配設於第一面31。也就是說，耐微粒層20之中配設於第一面31的部分為第二耐微粒層22。第三耐微粒層23配設於第二面32。也就是說，耐微粒層20之中配設於第二面32的部分為第三耐微粒層23。第四耐微粒層24配設於第二稜部分42。也就是說，耐微粒層20之中配設於第二稜部分42的部分為第四耐微粒層24。第五耐微粒層25配設於第三面33。也就是說，耐微粒層20之中配設於第三面33的部分為第五耐微粒層25。
第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。第一耐微粒層21的耐微粒性例如高於第三耐微粒層23的耐微粒性。第三耐微粒層23的耐微粒性例如與第二耐微粒層22的耐微粒性相同。
而且，第四耐微粒層24的耐微粒性例如高於第二耐微粒層22的耐微粒性。第四耐微粒層24的耐微粒性例如高於第五耐微粒層25的耐微粒性。第四耐微粒層24的耐微粒性例如與第一耐微粒層21的耐微粒性相同。第五耐微粒層25的耐微粒性例如與第二耐微粒層22的耐微粒性相同。
耐微粒層20構成為包含配設於稜部分(第一稜部分41)的第一耐微粒層21，與配設於第一面31的第二耐微粒層22，藉由使第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性，可減輕稜部分(第一稜部分41)中的電漿損壞，可提供耐微粒性優良的半導體製造裝置用構件130。
而且，藉由使配設於稜部分(第一稜部分41)的第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性，即使是基材10為環狀的情形，也可減輕稜部分(第一稜部分41)中的電漿損壞。
而且，由於藉由耐微粒性更優良的第一耐微粒層21被覆連接環狀的基材10的頂面(第二面32)與內周面(第一面31)的稜部分(第一稜部分41)，因此可有效地抑制耐微粒性的降低。
圖6(a)及圖6(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的另一例之側視圖及剖面圖。 圖6(b)是圖6(a)所示的區域R2之側剖面圖。 如圖6(a)及圖6(b)所示，在該例子中，基材10為筆直地上下方向貫通(也就是說，不是錐狀)的環狀。第一面31為環狀的基材10的內周面。第二面32為環狀的基材10的頂面。第一稜部分41為環狀的基材10的內側上端的角部分。第三面33為環狀的基材10的底面。第二稜部分42為環狀的基材10的內側下端的角部分。
基材10具有：位於上端的第一開口15a，與位於下端的第二開口15b。第一開口15a的口徑與第二開口15b的口徑相同。
與圖5(a)及圖5(b)所示的例子一樣，基材10的第一面31、第二面32、第三面33、第一稜部分41及第二稜部分42藉由耐微粒層20覆蓋。耐微粒層20具有第一～第五耐微粒層21～25。
第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。第一耐微粒層21的耐微粒性例如高於第三耐微粒層23的耐微粒性。第三耐微粒層23的耐微粒性例如與第二耐微粒層22的耐微粒性相同。
而且，第四耐微粒層24的耐微粒性例如高於第二耐微粒層22的耐微粒性。第四耐微粒層24的耐微粒性例如高於第五耐微粒層25的耐微粒性。第四耐微粒層24的耐微粒性例如與第一耐微粒層21的耐微粒性相同。第五耐微粒層25的耐微粒性例如與第二耐微粒層22的耐微粒性相同。
藉由使配設於稜部分(第一稜部分41)的第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性，即使是基材10為如圖6(a)及圖6(b)所示的環狀的情形，也可減輕稜部分(第一稜部分41)中的電漿損壞。
圖7(a)及圖7(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的再另一例之側視圖及剖面圖。 圖7(b)是圖7(a)所示的區域R3之側剖面圖。 如圖7(a)及圖7(b)所示，在該例子中，基材10為往上凸的半球狀(hemisphere)。第一面31為半球狀的基材10的內周面。也就是說，第一面31為位於反應室的內側的面。第二面32為半球狀的基材10的下端面。第一稜部分41為半球狀的基材10的內側下端的角部分。
稜部分11s為第一稜部分41。第一部分11例如為構成第二面32與第一稜部分41的部分。第二部分12為構成第一面31的部分。
在該例子中，第二面32為略水平的平面。第二面32不被限定於此，也可以是對水平方向傾斜的傾斜面，也可以是曲面。第一稜部分41及第二稜部分42既可以是直角，也可以是鈍角。第一稜部分41也可以具有由第一面31朝第二面32彎曲的彎曲面(R面)。
第一面31、第二面32及第一稜部分41藉由耐微粒層20覆蓋。換言之，耐微粒層20配設於第一面31、第二面32及第一稜部分41。
耐微粒層20具有第一～第三耐微粒層21～23。第一耐微粒層21配設於第一稜部分41。第二耐微粒層22配設於第一面31。第三耐微粒層23配設於第二面32。
第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性。第一耐微粒層21的耐微粒性例如高於第三耐微粒層23的耐微粒性。第三耐微粒層23的耐微粒性例如與第二耐微粒層22的耐微粒性相同。
藉由使配設於稜部分(第一稜部分41)的第一耐微粒層21的耐微粒性高於第二耐微粒層22的耐微粒性，即使是基材10為如圖7(a)及圖7(b)所示的半球狀的情形，也可減輕稜部分(第一稜部分41)中的電漿損壞。
[實施例] 雖然藉由以下的實施例更進一步說明本發明，但是本發明不是被限定於該等實施例。
1、樣品製作 使用環狀的基材10形成包含第一耐微粒層21與第二耐微粒層22的耐微粒層20。 1-1、基材的準備 作為基材10，使用具有如圖3及圖4所示的推拔(taper)的環狀的鋁合金基材。
1-2、原料粒子 作為原料粒子係準備了氧化釔粉體。原料粒子的平均粒徑為0.4μm。
1-3、耐微粒層的形成 關於上述基材的內壁部分，使用氣溶膠沉積法，藉由耐微粒層20被覆包含稜部分11s的基材的內壁部分得到樣品1～5。製作是在室溫(20℃左右)進行。在樣品1中，耐微粒層20的厚度如表1所示。
2、樣品評價 2-1、平均微晶大小
就樣品1的耐微粒層20算出平均微晶大小。具體而言，切出樣品1之中包含第一耐微粒層21的部分與包含第二耐微粒層22的部分，並使用以倍率40萬倍取得的TEM影像，由根據微晶15個的近似圓形的平均值算出平均微晶大小。在樣品1中，第一耐微粒層21的平均微晶大小為9nm，第二耐微粒層22的平均微晶大小為12nm。
2-2、亮度Sa 就所得到的樣品1～5算出亮度Sa。亮度Sa的算出係藉由日本國專利第6597922號公報所記載的方法進行。此時，未實施利用低通濾波器(low-pass filter)的雜訊(noise)除去。將結果表示於表2。如表2所示，不管基材或耐微粒層的組成，都確認了第一耐微粒層21比第二耐微粒層22還顯現高的水準下的耐微粒性。
2-3、基準耐電漿性試驗 接著，切出樣品1之中包含第一耐微粒層21的部分與包含第二耐微粒層22的部分而實施了基準耐電漿性試驗。 作為電漿蝕刻裝置係使用感應耦合電漿反應性離子蝕刻(Muc-21 Rv-Aps-Se/住友精密工業製)。電漿蝕刻的條件如下：作為電源輸出係ICP(Inductively Coupled Plasma：感應耦合電漿)輸出以1500W，偏壓輸出以750W，作為製程氣體以CHF3 氣體100ccm與O2 氣體10ccm的混合氣體，壓力以0.5Pa，電漿蝕刻時間以1小時。
接著，藉由雷射顯微鏡拍攝電漿照射後的第一耐微粒層21、第二耐微粒層22的表面202的狀態。具體而言，使用雷射顯微鏡[OLS4500/奧林巴斯製]，物鏡使用MPLAPON100xLEXT(數值孔徑0.95、工作距離0.35mm、聚光點直徑0.52μm、測定區域128×128μm)，倍率以100倍。將除去波紋成分的λc濾光片設定為25μm。測定是在任意的3處進行，以其平均值作為算術平均高度Sa。除此之外，適宜參照三維表面性狀國際標準ISO25178。基準耐電漿性試驗前後的樣品1中的第一耐微粒層21、第二耐微粒層22的表面的算術平均高度Sa的值如表1所示。
[表1]
Figure 02_image003
[表2]
Figure 02_image005
如表1所示，在樣品1中基準耐電漿性試驗後的第一耐微粒層21的算術平均高度Sa1小於基準耐電漿性試驗後的第二耐微粒層22的算術平均高度Sa2。因此，確認了第一耐微粒層21比第二耐微粒層22還顯現高的水準下的耐微粒性。
以上就本發明的實施的形態進行了說明。但是，本發明不是被限定於該等記述。關於前述的實施的形態，熟習該項技術者適宜加入了設計變更只要具備本發明的特徵就包含於本發明的範圍。例如基材、防蝕鋁層、耐微粒層等的形狀、尺寸、材質、配置等並非被限定於所舉例說明者，可適宜變更。 而且，前述的各實施的形態所具備的各元件在技術上盡可能可組合，組合該等元件者只要也包含本發明的特徵就包含於本發明的範圍。
10:基材 10a:表面 10u:上邊 10b:下邊 11:第一部分 11s:稜部分 12:第二部分 15a:第一開口 15b:第二開口 20:耐微粒層 21:第一耐微粒層 22:第二耐微粒層 23:第三耐微粒層 24:第四耐微粒層 25:第五耐微粒層 31:第一面 32:第二面 33:第三面 41:第一稜部分 42:第二稜部分 100:半導體製造裝置 110:反應室 111u:上側內壁 111b:下側內壁 120:頂板 130:半導體製造裝置用構件 160:靜電吸盤 191:區域 210:晶圓 221:微粒 R1、R2、R3:區域
圖1是舉例說明具有與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的半導體製造裝置之剖面圖。 圖2(a)、(b)是舉例說明與實施形態有關的半導體製造裝置用構件之示意剖面圖。 圖3是舉例說明與實施形態有關的半導體製造裝置用構件之示意剖面圖。 圖4是舉例說明在圖3中以虛線A-A剖切的內部之示意剖面圖。 圖5(a)及圖5(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的一例之側視圖及剖面圖。 圖6(a)及圖6(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的另一例之側視圖及剖面圖。 圖7(a)及圖7(b)是示意地顯示與實施形態有關的半導體製造裝置用構件的再另一例之側視圖及剖面圖。
10:基材
10a:表面
11:第一部分
11s:稜部分
12:第二部分
20:耐微粒層
21:第一耐微粒層
22:第二耐微粒層
130:半導體製造裝置用構件

Claims (13)

  1. 一種半導體製造裝置用構件，具備： 基材，包含第一面，和與該第一面交叉的第二面，和連接該第一面與該第二面的稜部分；以及 耐微粒層，覆蓋該第一面、該第二面及該稜部分，包含多晶陶瓷，該耐微粒層包含： 配設於該稜部的第一耐微粒層；以及 配設於該第一面的第二耐微粒層， 該第一耐微粒層的耐微粒性高於該第二耐微粒層的耐微粒性。
  2. 如請求項1之半導體製造裝置用構件，其中該基材為環狀， 該第一面為該基材的內周面， 該第二面為該基材的頂面或底面。
  3. 如請求項2之半導體製造裝置用構件，其中該基材具有上端的第一開口及下端的第二開口， 該第一開口的口徑小於該第二開口的口徑， 該第二面為該基材的頂面。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中該第一耐微粒層的厚度小於該第二耐微粒層的厚度。
  5. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中該第一耐微粒層的厚度為1μm以上、10μm以下。
  6. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中該耐微粒層包含選自於由稀土元素的氧化物、稀土元素的氟化物及稀土元素的酸氟化物所組成的群中的至少一種。
  7. 如請求項6之半導體製造裝置用構件，其中該稀土元素選自於由Y、Sc、Yb、Ce、Pr、Eu、La、Nd、Pm、Sm、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm及Lu所組成的群中的至少一種。
  8. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中由倍率40萬倍～200萬倍的TEM影像算出的該多晶陶瓷的平均微晶大小為3nm以上、50nm以下。
  9. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中該第一耐微粒層中的由倍率40萬倍～200萬倍的TEM影像算出的該多晶陶瓷的平均微晶大小小於該第二耐微粒層中的由倍率40萬倍～200萬倍的TEM影像算出的該多晶陶瓷的平均微晶大小。
  10. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中基準耐電漿性試驗後的該第一耐微粒層的算術平均高度Sa1小於該基準耐電漿性試驗後的該第二耐微粒層的算術平均高度Sa2。
  11. 如請求項1至請求項3中任一項之半導體製造裝置用構件，其中該第一耐微粒層及該第二耐微粒層分別在基準耐電漿性試驗後顯示0.060以下的算術平均高度Sa。
  12. 一種半導體製造裝置，具備： 反應室； 請求項1至請求項11中任一項之半導體製造裝置用構件；以及 靜電吸盤， 該反應室具有形成生成電漿的空間的內壁， 該內壁具有：配置該靜電吸盤的下側內壁，與配置於比下側內壁還上方的上側內壁， 該半導體製造裝置用構件的該耐微粒層構成該上側內壁的至少一部分。
  13. 一種顯示器製造裝置，具備請求項1至請求項11中任一項之半導體製造裝置用構件。
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