JP3370532B2 - 静電チャック - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、被固定物を静電吸
着力によって吸着保持する静電チャックに関するもので
あり、主に半導体装置や液晶基板などの製造工程におい
て半導体ウエハやガラス基板などの被固定物を保持する
のに用いるものである。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体製造工程において、半導体
ウエハに微細加工を施すためのエッチング工程や薄膜を
形成するための成膜工程、あるいはフォトレジストに対
する露光処理工程等においては、半導体ウエハを保持す
るために静電チャックが使用されている。 【０００３】この種の静電チャックは、絶縁基体と誘電
体層との間に静電吸着用電極を備え、上記誘電体層の上
面を吸着面としたものであり、この吸着面に被固定物で
ある半導体ウエハを載置して静電吸着用電極と半導体ウ
エハとの間に電圧を印加することで誘電分極によるクー
ロン力やジョンソンラーベック力を発現させてウエハを
吸着保持するようになっていた。 【０００４】また、絶縁基体と誘電体層との間に複数枚
の静電吸着用電極を設け、これらの電極間に電圧を印加
することで吸着面に載置したウエハを吸着保持するよう
にした双極型のものもあった。 【０００５】そして、これらの静電チャックを構成する
誘電体層には、ウエハの脱着に伴う摺動摩耗が少なく、
また、各種処理工程で使用される腐食性ガスによって腐
食し難いことが必要であることから、このような材質と
して高い耐摩耗性、耐食性を有するアルミナや窒化珪素
等の絶縁性セラミックスが用いられていた。 【０００６】しかしながら、近年、集積回路の集積度が
向上するに伴って吸着面を構成する誘電体層には耐摩耗
性や耐食性に加え、耐プラズマ性に優れるとともに、高
い熱伝導率を有する材料が望まれるようになり、このよ
うな材料として窒化アルミニウムを用いることが提案さ
れている（特開昭62−286247号公報参照）。 【０００７】 【発明が解決しようとする課題】ところが、窒化アルミ
ニウムは高温雰囲気下（３００℃以上）においては高い
吸着力が得られるものの、２００℃付近の温度雰囲気下
で行われる成膜工程や室温雰囲気下（２５℃程度）で行
われる露光処理工程、あるいは−３０〜０℃程度の低温
雰囲気下で行われるエッチング工程などのように２００
℃以下の温度雰囲気下においては十分な吸着力が得られ
ないといった課題があった。 【０００８】即ち、ウエハを吸着させる静電吸着力には
クローン力とジョンソン・ラーベック力の２種類があ
り、クローン力は誘電体層を構成する材質の誘電率に依
存し、ジョンソン・ラーベック力は誘電体層を構成する
材質の体積固有抵抗値に依存することが知られている。 【０００９】具体的には、誘電体層の体積固有抵抗値が
１０¹⁵Ω・ｃｍより大きい時の吸着力はクーロン力によ
り支配され、誘電体層の体積固有抵抗値が低下するにし
たがってジョンソン・ラーベック力が発現し、誘電体層
の体積固有抵抗値が１０¹²Ω・ｃｍ未満となると吸着力
はクーロン力に比べて大きな吸着力が得られるジョンソ
ン・ラーベック力により支配されることになる。 【００１０】一方、セラミックスの体積固有抵抗値は温
度が上昇するに伴って低下するため、例えば、窒化アル
ミニウムの場合、３００℃以上の温度雰囲気下における
体積固有抵抗値は１０¹¹Ω・ｃｍ程度であることからジ
ョンソン・ラーベック力による高い吸着力が得られるも
のの、室温（２５℃）付近における体積固有抵抗値は１
０¹⁶Ω・ｃｍ以上と高く、クーロン力による吸着力しか
得られず、また、誘電率もそれほど高くないことから２
００℃以下の温度雰囲気下では充分な吸着力を得ること
ができなかった。 【００１１】その為、歪みをもったウエハを吸着した時
には、ウエハの全面を吸着面に当接させることができな
いためにウエハの平坦化及び均熱化等が損なわれ、その
結果、成膜工程ではウエハ上に均一な厚みをもった薄膜
を形成することができず、露光処理工程やエッチング工
程では精度の良い処理を施すことができないといった課
題があり、限られた温度雰囲気でしか使用できなかっ
た。 【００１２】 【課題を解決するための手段】そこで、本件発明者等は
上記課題に対して静電チャックの吸着面を構成する誘電
体層として注目されている窒化アルミニウムに着目し、
この材料について検討を重ねた結果、窒化アルミニウム
結晶中に窒化チタン（ＴｉＮ）及び酸化セリウム（Ｃｅ
Ｏ₂ ）を含有させることにより、２００℃以下の温度雰
囲気下における体積固有抵抗値をジョンソン・ラーベッ
ク力を発現させることができる抵抗値にまで小さくでき
ることを見出した。 【００１３】即ち、本発明は、被固定物を吸着保持する
吸着面を、窒化アルミニウムを主相とし、窒化チタンを
１０〜３０容量％とセリウムを酸化物換算で２〜１０容
量％含有し、Ａｌ、Ｃｅ、Ｏからなる化合物を含む窒化
アルミニウム質焼結体により形成して静電チャックを構
成したものである。 【００１４】ここで、窒化チタンは窒化アルミニウム質
焼結体の体積固有抵抗値（以下、抵抗値と略称する）を
下げるために含有するものであり、焼結体中において窒
化アルミニムの粒界に存在するのであるが、この含有量
が１０容量％未満では粒界に存在する窒化チタン同士の
導通がとり難いために焼結体の抵抗値を下げる効果が小
さく、２００℃以下の温度雰囲気下における窒化アルミ
ニウム質焼結体の抵抗値を１０¹²Ω・ｃｍ未満とするこ
とが困難である。 【００１５】また、窒化チタンそのものの抵抗値は２１
〜１３０μΩ・ｃｍ程度と小さく、含有量を多くすると
粒界に存在する窒化チタン同士が結合して抵抗値が急激
に低下するとともに、焼結体の抵抗値を制御することが
難しくなるのであるが、本発明は窒化チタン（ＴｉＮ）
以外に酸化セリウム（ＣｅＯ₂ ）を含有してあることか
ら、抵抗値の急激な低下を抑えることができるととも
に、抵抗値を所望の値に容易に制御することができる。 【００１６】即ち、酸化セリウム（ＣｅＯ₂ ）自体は絶
縁材料であるものの、焼結体中においては主体をなす窒
化アルミニウムと反応してＡｌ，Ｃｅ，Ｏからなる化合
物（例えば、ＣｅＡｌＯ₃ ）を形成するのであるが、こ
の化合物は窒化チタンよりも大きな抵抗値を持った導電
性を有しており、この化合物が焼結体中の粒界に存在す
る窒化チタン間に介在することで若干の導通がとれるた
め、急激な抵抗値の低下を抑えることができ、かつ抵抗
値を所望の値に制御することができるものと考えられ
る。 【００１７】また、焼結体中にセリウム（Ｃｅ）を含む
Ａｌ，Ｃｅ，Ｏからなる化合物を生成することで温度変
化に対する抵抗値の変化を小さくすることができるた
め、広範囲な温度領域での使用可能な静電チャックを提
供することが可能となる。 【００１８】ただし、セリウム（Ｃｅ）の含有量が酸化
物換算で２容量％より少ないと、抵抗値の急激な低下を
抑える効果が小さく、また、抵抗値を制御する効果も得
られなくなり、逆に、１０容量％より多くなると窒化ア
ルミニウム質焼結体の抵抗値が１０⁸ Ω・ｃｍ未満と小
さくなりすぎるために吸着時における漏れ電流が大きく
なり、その結果、被固定物が半導体ウエハである時には
微小回路の絶縁破壊を生じるなどの悪影響を与える恐れ
があるとともに、被固定物の離脱時における応答性が悪
くなるため、セリウム（Ｃｅ）は酸化物換算で２〜１０
容量％の範囲で含有することが必要である。 【００１９】また、セリウム（Ｃｅ）を焼結体中に含有
させることで上述のような作用が得られるものの、窒化
チタン（ＴｉＮ）の含有量が３０容量％を越えると窒化
アルミニウム質焼結体の抵抗値が１０⁸ Ω・ｃｍ未満と
小さくなるために吸着時における漏れ電流が大きくなる
とともに、被固定物の離脱時における応答性が悪くな
り、さらには焼結体そのものの焼結性が悪くなるために
好ましくない。 【００２０】その為、本発明の窒化アルミニウム質焼結
体にはセリウム（Ｃｅ）を酸化物換算で２〜１０容量％
含有するとともに、窒化チタン（ＴｉＮ）を１０〜３０
容量％の範囲で含有量することが重要であり、これらの
範囲で窒化チタン（ＴｉＮ）とセリウム（Ｃｅ）を含有
すれば窒化アルミニウム質焼結体の抵抗値を下げること
ができ、２００℃以下の温度雰囲気下における抵抗値を
１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃｍに制御してジョンソン・ラーベ
ック力による高い吸着力を発現させることができる。な
お、窒化アルミニウム質焼結体の抵抗値を制御し易くす
るためには窒化チタンの平均粒子径は０．８〜２．０μ
ｍとすることが好ましい。 【００２１】一方、主体をなす窒化アルミニウムは、そ
の含有量が６０容量％より少なくなると静電チャックの
誘電体層を構成するのに必要な耐電圧性、耐摩耗性、耐
食性、耐プラズマ性といった特性が大きく低下する。 【００２２】その為、窒化アルミニウムは６０〜８８容
量％の範囲で含有ことが好ましい。 【００２３】ただし、窒化アルミニウムは難焼結材であ
るため、焼結性を高める観点から焼結助剤としてイット
リウム（Ｙ）、エルビウム（Ｅｒ）、イッテルビウム
（Ｙｂ）等を酸化物換算で２容量％以下の範囲であれば
含有しても良い。 【００２４】また、焼結体中における窒化アルミニウム
の平均結晶粒子径は２〜５０μｍ、好ましくは１０〜３
０μｍとすることが良い。これは、窒化アルミニウムの
平均結晶粒子径が５０μｍより大きくなると緻密化する
ことが難しくなり、焼結体の強度、硬度が大幅に低下す
ることから被固定物との脱着に伴う摺動によって静電チ
ャックの吸着面が摩耗し易くなり、また、成膜工程やエ
ッチング工程等におけるプラズマや腐食性ガスによって
腐食摩耗し易くなるために、静電チャックの寿命が短く
なるとともに、被固定物にパーティクルを発生させるか
らであり、逆に、窒化アルミニウムの平均結晶粒子径を
２μｍより小さくすることは製造上難しいからである。 【００２５】このような窒化アルミニウム質焼結体を製
作する方法としては、純度９９％以上、平均粒径３μｍ
以下のＡｌＮ粉末を６０〜８８容量％に対し、ＴｉＮを
１０〜３０容量％とＣｅＯ₂ を２〜１０容量％添加し、
これらにバインダーと溶媒を添加して泥漿を作製し、ド
クターブレード法などのテープ成形法により成形する
か、あるいは泥漿を乾燥させて造粒体を作製し、この造
粒体を型内に充填して金型プレスやラバープレスなどの
成形法を用いて成形する。なお、各成形後、所定の形状
とするために切削加工を施せば良い。 【００２６】しかるのち、真空脱脂を施したあと焼成温
度１９００〜２１００℃程度の非酸化性雰囲気中で焼成
することにより、窒化アルミニムを主相とし、窒化チタ
ン（ＴｉＮ）を１０〜３０容量％とセリウム（Ｃｅ）を
酸化物換算で２〜１０容量％含有してなる窒化アルミニ
ム質焼結体を製造することができ、−３０〜２００℃の
温度雰囲気下における焼結体の抵抗値をジョンソン・ラ
ーベック力による吸着力が得られる１０⁸ 〜１０¹²Ω・
ｃｍに設定することができる。 【００２７】 【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。 【００２８】図１（ａ），（ｂ）は本発明に係る静電チ
ャック１を示す斜視図及びそのＸ−Ｘ線断面図であり、
絶縁性を有するアルミナ、窒化珪素、窒化アルミニウム
などからなるセラミック基板２の表面に静電吸着用電極
４を備え、この静電吸着用電極４を覆うように上記セラ
ミック基板２の表面に誘電体層３を焼結によって被覆・
一体化してあり、その上面を吸着面５としたもので、上
記誘電体層３を窒化アルミニウムを主相とし、窒化チタ
ンを１０〜３０容量％とセリウムを酸化物換算で２〜１
０容量％含有してなる窒化アルミニウム質焼結体により
形成してある。 【００２９】この窒化アルミニウム質焼結体は−３０〜
２００℃の温度範囲においてその抵抗値を１０⁸ 〜１０
¹²Ω・ｃｍの範囲となるように適宜調整することができ
るため、静電チャック１の静電吸着用電極４と吸着面５
に載置した被固定物１０との間に電圧を印加すること
で、被固定物１０と静電吸着用電極４との間に微小な漏
れ電流が流れることからジョンソン・ラーベック力によ
る吸着力を発現させることができ、被固定物１０を吸着
面５に強固に吸着保持することができる。 【００３０】また、この静電チャック１はセラミック基
板２と誘電体層３とが焼結により一体化してあるため、
２００℃の温度雰囲気下においても使用可能であり、さ
らには静電チャック１全体がプラズマや腐食性ガスに強
いセラミックスからなるため、成膜工程やエッチング工
程などにおいて好適に使用することができる。 【００３１】なお、セラミック基板２は前述したように
絶縁性を有するセラミックスで形成してあれば良いが、
特に窒化アルミニウムで形成すれば、誘電体層を構成す
る窒化アルミニム質焼結体との熱膨張差を無くすことが
できるため、焼成時における反りや歪みなどを生じるこ
とがなく、信頼性の高い静電チャックとすることができ
る。 【００３２】次に、図２（ａ），（ｂ）は本発明に係る
他の静電チャック２１を示す斜視図及びそのＹ−Ｙ線断
面図であり、誘電体層２３の上面を吸着面２５とすると
ともに、下面に静電吸着用電極２４を備えてなり、上記
誘電体層２３を窒化アルミニウムを主相とし、窒化チタ
ンを１０〜３０容量％とセリウムを酸化物換算で２〜１
０容量％含有してなる窒化アルミニウム質焼結体により
形成してある。また、誘電体層２３の下面にはガラス、
ロウ材、メタライズなどの接合剤２７を介して絶縁性を
有する単結晶アルミナまたはアルミナ、窒化珪素、窒化
アルミニウムなどの各種セラミックス、あるいは樹脂か
らなるベース基体２２を接合して板状体とし、該板状体
の内部に静電吸着用電極２４を内蔵するように構成して
ある。なお、板状体は被固定物１０の外径とほぼ同径の
円板状としてあるが、若干大きかったりあるいは小さく
ても構わない。 【００３３】上記誘電体層２３をなす窒化アルミニウム
質焼結体は−３０〜２００℃の温度範囲においてその抵
抗値を１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃｍの範囲となるように適宜
調整することができるため、静電チャック２１の静電吸
着用電極２４と吸着面２５に保持した被固定物１０との
間に電圧を印加することで、被固定物１０と静電吸着用
電極２４との間に微小な漏れ電流が流れることからジョ
ンソン・ラーベック力による吸着力を発現させることが
でき、被固定物１０を吸着面２５に強固に吸着保持する
ことができる。 【００３４】その為、被固定物１０が反りをもった半導
体ウエハなどの基板であっても吸着面２５の精度に倣わ
せて保持することができるために、例えば、露光処理工
程において精度の良い露光処理を施すことができる。 【００３５】なお、本実施形態では単極型の静電チャッ
クの例を示したが、双極型の静電チャックにも適用でき
ることは言うまでもない。 【００３６】 【実施例】 （実施例１）ここで、室温（２５℃）雰囲気下で使用す
るのに好適な図１の静電チャック１を試作し、その吸着
特性について測定を行った。 【００３７】本実験で使用する静電チャック１は、セラ
ミック基板２を構成する窒化アルミニム質焼結体とし
て、純度９９％、平均粒径１．２μｍのＡｌＮ粉末にバ
インダーと溶媒のみを加えて泥漿を製作し、ドクターブ
レード法により厚さ０．５ｍｍ程度のグリーンシートを
複数枚成形してそれらを積層し、その一主面にＡｌＮ粉
末を混ぜたタングステンペーストをスクリーン印刷機に
て敷設することで静電吸着用電極４をなす金属膜を形成
した。 【００３８】一方、誘電体層３を構成する窒化アルミニ
ム質焼結体として、純度９９％、平均粒径１．２μｍの
ＡｌＮ粉末を７５容量％に対し、平均粒径１．６μｍの
ＴｉＮを２０容量％と平均粒径０．９μｍのＣｅＯ₂ を
５容量％添加し、さらにバインダーと溶媒を加えて泥漿
を製作し、ドクターブレード法により厚さ０．５ｍｍ程
度のグリーンシートを成形した。そして、このグリーン
シートを前記静電吸着用電極４をなす金属膜を備えたグ
リーンシート上に積層して８０°Ｃ、５０ｋｇ／ｃｍ²
の圧力で熱圧着することによりグリーンシート積層体を
形成した。しかるのち、上記グリーンシート積層体に切
削加工を施して円板状とし、該円板状の積層体を真空脱
脂したあと、２０００℃程度の焼成温度で１〜数時間程
度窒素雰囲気下で焼成することにより、外径２００ｍ
ｍ、厚み８ｍｍで、かつ内部に膜厚１５μｍの静電吸着
用電極４を備えた板状体を形成した。そして、誘電体層
３をなす窒化アルミニム質焼結体の表面を研磨して吸着
面５を形成することにより、吸着面５が、窒化アルミニ
ムを主相とし、ＴｉＮ２０容量％、Ｃｅを酸化物換算で
５容量％含有してなる窒化アルミニウム質焼結体からな
る静電チャック１を形成した。 【００３９】また、上記誘電体層３と同様の条件にて製
作した試料（直径６０ｍｍ、厚み２ｍｍの円盤）を用意
し、この試料を室温（２５℃）から２５０℃まで徐々に
加熱した時の体積固有抵抗値について３端子法により測
定したところ、図３にその結果を示すように温度の逆数
と体積固有抵抗値との間に比例関係が得られ、−２０か
ら２３０℃の温度範囲で窒化アルミニム質焼結体の体積
固有抵抗値が１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃｍであった。 【００４０】さらに、この試料をＸ線回折により測定
し、焼結体中におけるセリウム（Ｃｅ）の状態について
測定を行ったところ、図４に示すようなＣｅＡｌＯ₃ の
析出が確認でき、焼結体中においてセリウム（Ｃｅ）が
ＣｅＡｌＯ₃ として存在することが判った。 【００４１】そこで、室温（２５℃）下において、試作
した静電チャック１の吸着面５に８インチ径のシリコン
ウエハを載置して静電吸着用電極４との間に３００Ｖの
電圧を印加することによりウエハ１０を吸着面５に吸着
保持させ、この状態でシリコンウエハを剥がすのに必要
な力を吸着力として測定したところ、５２０ｇ／ｃｍ²
の吸着力が得られた。 【００４２】また、図３から判るように、本発明の静電
チャック１は−２０〜２３０℃の温度範囲における誘電
体層３の抵抗値が１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃｍであるため、
広範囲の温度領域にわたって使用可能な静電チャック１
とできることが判る。 【００４３】これに対し、比較のためにセラミック基板
２と同様の材質からなる窒化アルミニウム質焼結体（Ｔ
ｉＮ及びＣｅＡｌＯ₃ を含んでいないもの）を誘電体層
とした静電チャック及びＴｉＮを１８容量％、２０容量
％のみ含有する窒化アルミニウム質焼結体を誘電体層と
した静電チャックをそれぞれ用いて同様の条件にてシリ
コンウエハを剥がすのに必要な力（吸着力）について測
定したところ、誘電体層が高純度の窒化アルミニウム質
焼結体からなるものは、図３に示すように室温（２５
℃）における体積固有抵抗値が１０¹⁶Ω・ｃｍ以上であ
るため、１０ｇ／ｃｍ² しか得られず、誘電体層がＴｉ
Ｎを１８容量％のみ含有する窒化アルミニウム質焼結体
からなるものは、図３に示すように室温（２５℃）にお
ける体積固有抵抗値が１０¹³Ω・ｃｍ程度であるため、
吸着力は５０ｇ／ｃｍ² 程度であった。 【００４４】また、誘電体層がＴｉＮを２０容量％のみ
含有する窒化アルミニウム質焼結体からなるものでは、
吸着力については本発明に係る静電チャック１と同程度
であったものの、図３に示すように室温（２５℃）にお
ける体積固有抵抗値が１０⁵Ω・ｃｍ程度と１０⁸ Ω・
ｃｍ未満であるために漏れ電流量が多く、ウエハに悪影
響を与える恐れがあった。 【００４５】しかも、比較例の高純度窒化アルミニム質
焼結体、ＴｉＮを１８容量％含有した窒化アルミニム質
焼結体はいずれも抵抗値の変化率が大きいために狭い温
度範囲でしか使用できないものであった。 【００４６】（実施例２）次に、窒化チタン（ＴｉＮ）
とセリウム（Ｃｅ）の含有量（酸化物換算）をそれぞれ
変化させた窒化アルミニウム質焼結体（直径６０ｍｍ、
厚み２ｍｍの円盤）を試作し、各々の体積固有抵抗値を
３端子法にて測定した。 【００４７】それぞれの結果は表１に示す通りである。 【００４８】 【表１】 【００４９】この結果、表１より判るように、試料Ｎ
ｏ．５は窒化チタン（ＴｉＮ）の含有量が３０容量％よ
り多いためにセリウム（Ｃｅ）による温度制御ができ
ず、２００℃以下の温度雰囲気下において体積固有抵抗
値が小さ過ぎ、１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃｍとすることがで
きなかった。 【００５０】また、試料Ｎｏ．８では窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）の含有量が１０容量％未満であるために体積固有抵
抗値を十分に下げる効果が小さく、２００℃以下の温度
雰囲気下において体積固有抵抗値を１０¹²Ω・ｃｍ以下
とすることができなかった。 【００５１】これに対し、試料Ｎｏ．１〜４及び６，７
は窒化チタン（ＴｉＮ）の含有量が１０〜３０容量％で
かつセリウム（Ｃｅ）の含有量（酸化物換算）が２〜１
０容量％の範囲にあるため、２００℃以下の温度雰囲気
下において体積固有抵抗値を各々１０⁸ 〜１０¹²Ω・ｃ
ｍの範囲に設定することができた。 【００５２】このことから、本発明に係る静電チャック
を用いれば、２００℃以下の温度雰囲気下で行われる各
種処理工程においてジョンソン・ラーベック力による吸
着力が得られ、被固定物を高い吸着力でもって保持でき
ることが判る。 【００５３】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、被固定
物を吸着保持する吸着面を、窒化アルミニウムを主相と
し、窒化チタンを１０〜３０容量％とセリウムを酸化物
換算で２〜１０容量％含有し、Ａｌ、Ｃｅ、Ｏからなる
化合物を含む窒化アルミニウム質焼結体により形成して
静電チャックを構成したことにより、誘電体層が窒化ア
ルミニウムからなるものの、２００℃以下の温度雰囲気
下においてジョンソン・ラーベック力による吸着力を発
現させ、高い吸着力でもって被固定物を保持することが
可能であるとともに、温度変化に対する誘電体層の抵抗
値の変化が小さいため、広範囲の温度領域をカバーする
ことができる静電チャックを提供することができる。 【００５４】その為、例えば、本発明の静電チャックを
成膜処理工程に用いれば、被固定物上に均一な厚みをも
った薄膜を被覆することができ、露光処理工程やエッチ
ング処理工程に用いれば、被固定物に精度の良い露光や
加工を施すことができる。

【図面の簡単な説明】 【図１】（ａ）は本発明に係る静電チャックを示す斜視
図であり、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ線断面図である。 【図２】（ａ）は本発明に係る他の静電チャックを示す
斜視図であり、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ線断面図であ
る。 【図３】各静電チャックの誘電体層を構成する窒化アル
ミニム質焼結体の体積固有抵抗値と温度との関係を示す
グラフである。 【図４】本発明に係る静電チャックの誘電体層を構成す
る窒化アルミニム質焼結体をＸ線回折により測定した結
果を示すグラフである。 【符号の説明】 １・・・静電チャック ２・・・セラミック基板 ３・
・・誘電体層 ４・・・静電吸着用電極 １０・・・被固定物

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平４−3956（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−22166（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−208338（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−8089（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−251365（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01L 21/68 C04B 35/581 H02N 13/00

Claims (1)

1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】被固定物を吸着保持する吸着面が、窒化ア
   ルミニウムを主相とし、窒化チタンを１０〜３０容量％
   とセリウムを酸化物換算で２〜１０容量％含有し、Ａ
   ｌ、Ｃｅ、Ｏからなる化合物を含む窒化アルミニウム質
   焼結体からなることを特徴とする静電チャック。