JPH03252160A - コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク - Google Patents
コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワークInfo
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- JPH03252160A JPH03252160A JP2050027A JP5002790A JPH03252160A JP H03252160 A JPH03252160 A JP H03252160A JP 2050027 A JP2050027 A JP 2050027A JP 5002790 A JP5002790 A JP 5002790A JP H03252160 A JPH03252160 A JP H03252160A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子機器に利用されるコンデンサ、コンデンサ
ネットワーク及び抵抗−コンデンサネットワークに関す
るもので、電子機器の使用条件、使用環境によりコンデ
ンサの静電容量の温度変化がほぼゼロである極めて高い
安定性を持つコンデンサ、コンデンサネットワークある
いは抵抗コンデンサネットワークを提供するものである
。
ネットワーク及び抵抗−コンデンサネットワークに関す
るもので、電子機器の使用条件、使用環境によりコンデ
ンサの静電容量の温度変化がほぼゼロである極めて高い
安定性を持つコンデンサ、コンデンサネットワークある
いは抵抗コンデンサネットワークを提供するものである
。
（発明が解決しようとする課題）
従来のコンデンサに於て、その製品寸法を小さくし、し
かも高い静電容量を得ようとするには誘電率の高い誘電
体を使用しなければならない。しかし誘電率の高い誘電
体は多くの場合、その誘電率の温度特性が大きいため完
成したコンデンサの静電容量の温度特性も大きくなる欠
点を持っていた。
かも高い静電容量を得ようとするには誘電率の高い誘電
体を使用しなければならない。しかし誘電率の高い誘電
体は多くの場合、その誘電率の温度特性が大きいため完
成したコンデンサの静電容量の温度特性も大きくなる欠
点を持っていた。
（課題を解決するための手段）
本発明はこの問題を解決するために、誘・電率の温度特
性が正の誘電体と負の誘電体を組み合わせてコンデンサ
を形成することにより静電容量が高くしかも、その温度
特性がほぼゼロの極めて高い安定性を有する小型のコン
デンサ、コンデンサネットワークあるいは抵抗−コンデ
ンサを安価に提供するものである。
性が正の誘電体と負の誘電体を組み合わせてコンデンサ
を形成することにより静電容量が高くしかも、その温度
特性がほぼゼロの極めて高い安定性を有する小型のコン
デンサ、コンデンサネットワークあるいは抵抗−コンデ
ンサを安価に提供するものである。
（実施例１）
本発明の実施例を第１図、第２図に基づいて説明する。
第１図は、電気的絶縁基体１上に、パラジウムを０．２
ｐｍの厚さで真空薄膜法により着膜した後エツチングを
行い第１電極２を形成した。該第１電極上に、スパッタ
法により誘電率が正の温度特性を持つチタン酸バリウム
を０．９５１１ｍ着膜した。その後エツチングで第１電
極上の不用なチタン酸バリウムを除去して１．０ｍｍＸ
１．２５ｍｍパターンを形成し第１誘電体３とした。
ｐｍの厚さで真空薄膜法により着膜した後エツチングを
行い第１電極２を形成した。該第１電極上に、スパッタ
法により誘電率が正の温度特性を持つチタン酸バリウム
を０．９５１１ｍ着膜した。その後エツチングで第１電
極上の不用なチタン酸バリウムを除去して１．０ｍｍＸ
１．２５ｍｍパターンを形成し第１誘電体３とした。
次に第１電極と同一の工程により第２電極４を形成した
。該第２電極上にメタルマスクを用いてスパッタ法によ
り誘電率が負の温度特性を持つチタン酸ストロンチウム
を１．０１１ｍの厚さで着膜して第２誘電体５を形成し
た。その後第１、第２電極と同一の工法により第３電極
６を形成した。第２図は該コンデンサの上図面であり、
図中８はコンデンサ有効部分である。
。該第２電極上にメタルマスクを用いてスパッタ法によ
り誘電率が負の温度特性を持つチタン酸ストロンチウム
を１．０１１ｍの厚さで着膜して第２誘電体５を形成し
た。その後第１、第２電極と同一の工法により第３電極
６を形成した。第２図は該コンデンサの上図面であり、
図中８はコンデンサ有効部分である。
上記製造方法により製造したコンデンサの静電容量温度
特性と、従来のチタン酸バリウムあるい・はチタン酸ス
トロンチウムのみを誘電体として用いたコンデンサの静
電容量の温度特性を第１表、第２表、第３表に示す。
特性と、従来のチタン酸バリウムあるい・はチタン酸ス
トロンチウムのみを誘電体として用いたコンデンサの静
電容量の温度特性を第１表、第２表、第３表に示す。
第１表
第２表
第３表
表の結果より明らかなように、本発明により静電容量の
温度特性が著しく改善された。
温度特性が著しく改善された。
（実施例２）
実施例１と同様の方法を用いて作製したコンデンサを用
いて、同一基板上にコンデンサネットワークを形成して
も同様の結果を得た。また素子間の静電容量の温度特性
の相対値は一２５°Ｃから１５２°Ｃの温度範囲で±３
ｐｐｍ以下であった。さらに静電容量値の精度は２５°
Ｃで±０．３％以内であった。
いて、同一基板上にコンデンサネットワークを形成して
も同様の結果を得た。また素子間の静電容量の温度特性
の相対値は一２５°Ｃから１５２°Ｃの温度範囲で±３
ｐｐｍ以下であった。さらに静電容量値の精度は２５°
Ｃで±０．３％以内であった。
（実施例３）一
実施例２にしたがって形成したコンデンサネットワーク
と同一面に真空薄膜法により、薄膜の抵抗ネットワーク
を形成し第３図、第４図に示す構造の抵抗−コンデンサ
ネットワークを形成した。その結果コンデンサの温度特
性は一２５°Ｃから１２５°Ｃの温度範囲で±７ｐｐｍ
以下となり表１と同等の結果を得た。
と同一面に真空薄膜法により、薄膜の抵抗ネットワーク
を形成し第３図、第４図に示す構造の抵抗−コンデンサ
ネットワークを形成した。その結果コンデンサの温度特
性は一２５°Ｃから１２５°Ｃの温度範囲で±７ｐｐｍ
以下となり表１と同等の結果を得た。
抵抗体７の温度特性は同温度範囲で±５ｐｐｍ以下とな
り、抵抗値精度は２５°Ｃで±０．２％以下であった。
り、抵抗値精度は２５°Ｃで±０．２％以下であった。
本発明による抵抗−コンデンサネットワークにより回路
を第５図のごとく構成するとその時定数の精度は２５°
Ｃで±０．７％以下となり、温度特性は一２５°Ｃから
１２５°Ｃの温度範囲で±２５０ｐｐｍ以下であった。
を第５図のごとく構成するとその時定数の精度は２５°
Ｃで±０．７％以下となり、温度特性は一２５°Ｃから
１２５°Ｃの温度範囲で±２５０ｐｐｍ以下であった。
また抵抗の作製はコンデンサと同一面に限定されず、電
気的絶縁基体の裏面に作製しスルーホール等により電気
的接続をすることも可能である。
気的絶縁基体の裏面に作製しスルーホール等により電気
的接続をすることも可能である。
（発明の効果）
以上のように本発明によればコンデンサの温度特性は著
しく改善された。本構造によればネットワーク同各素子
間の静電容量の温度特性の相対値±３ｐｐｍ以下となり
、電子機器に用いられる回路の時定数が温度環境に左右
されず極めて高い安定性を有する回路を構成することを
可能にした安価なコンデンサ、コンデンサネットワーク
、抵抗−コンデンサネットワークを提供でき工業的価値
は極めて高い。
しく改善された。本構造によればネットワーク同各素子
間の静電容量の温度特性の相対値±３ｐｐｍ以下となり
、電子機器に用いられる回路の時定数が温度環境に左右
されず極めて高い安定性を有する回路を構成することを
可能にした安価なコンデンサ、コンデンサネットワーク
、抵抗−コンデンサネットワークを提供でき工業的価値
は極めて高い。
第１図は、本発明によるコンデンサの断面図である。第
２図はその上面図である。第３図は抵抗−コンデンサの
断面図である。第４図は、その上面図である。第５図は
抵抗−コンデンサネットワーク回路図である。 図中の符号は、下記のものを示す。 １：電気的絶縁基体、２：第１電極、３：第１誘電体、
４：第２電極、５：第２誘電体、６：第３電極、７二抵
抗体、８：コンデンサ有効部分。
２図はその上面図である。第３図は抵抗−コンデンサの
断面図である。第４図は、その上面図である。第５図は
抵抗−コンデンサネットワーク回路図である。 図中の符号は、下記のものを示す。 １：電気的絶縁基体、２：第１電極、３：第１誘電体、
４：第２電極、５：第２誘電体、６：第３電極、７二抵
抗体、８：コンデンサ有効部分。
Claims (3)
- （１）電気的絶縁性基体上に第１電極、誘電率が正ある
いは負の温度特性を有する第１誘電体、第２電極、前記
第１誘電体と誘電率の温度特性が逆符号を有する第２誘
電体、第３電極の順で積層された構造を備えたことを特
徴とするコンデンサ。 - （２）特許請求の範囲第１項のコンデンサを用いたコン
デンサネットワーク。 - （３）特許請求の範囲第２項のコンデンサネットワーク
を用いた抵抗−コンデンサネットワーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050027A JPH03252160A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050027A JPH03252160A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252160A true JPH03252160A (ja) | 1991-11-11 |
Family
ID=12847520
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050027A Pending JPH03252160A (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03252160A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0786514A (ja) * | 1993-09-13 | 1995-03-31 | Nec Corp | 薄膜キャパシタ |
| EP1182696A2 (en) * | 2000-08-25 | 2002-02-27 | Alps Electric Co., Ltd. | Temperature compensating thinfilm capacitor |
| EP1187184A2 (en) * | 2000-08-30 | 2002-03-13 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film capacitor for temperature compensation |
| EP1205976A2 (en) * | 2000-11-13 | 2002-05-15 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor capacitor device |
| EP1217637A2 (en) * | 2000-12-21 | 2002-06-26 | Alps Electric Co., Ltd. | Temperature-compensating thin-film capacitor and electronic device |
| EP1246232A2 (en) * | 2001-03-27 | 2002-10-02 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device |
| WO2004030100A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Raytheon Company | Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication |
| US6885081B2 (en) | 2000-11-13 | 2005-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor capacitor device having reduced voltage dependence |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59178761A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPS61245560A (ja) * | 1985-04-23 | 1986-10-31 | Agency Of Ind Science & Technol | 半導体集積回路用キヤバシタ |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2050027A patent/JPH03252160A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59178761A (ja) * | 1983-03-30 | 1984-10-11 | Nec Corp | 半導体装置 |
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| EP1187184A3 (en) * | 2000-08-30 | 2005-05-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin film capacitor for temperature compensation |
| EP1205976A3 (en) * | 2000-11-13 | 2004-04-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor capacitor device |
| US6885081B2 (en) | 2000-11-13 | 2005-04-26 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor capacitor device having reduced voltage dependence |
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| EP1246232A3 (en) * | 2001-03-27 | 2006-06-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing thin film capacitor for performing temperature compensation of junction capacitance of semiconductor device |
| WO2004030100A1 (en) * | 2002-09-26 | 2004-04-08 | Raytheon Company | Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication |
| US8053251B2 (en) * | 2002-09-26 | 2011-11-08 | Raytheon Company | Temperature-compensated ferroelectric capacitor device, and its fabrication |
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