JPS62266861A - 薄膜抵抗容量ネツトワ−ク - Google Patents

薄膜抵抗容量ネツトワ−ク

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Publication number
JPS62266861A
JPS62266861A JP11141686A JP11141686A JPS62266861A JP S62266861 A JPS62266861 A JP S62266861A JP 11141686 A JP11141686 A JP 11141686A JP 11141686 A JP11141686 A JP 11141686A JP S62266861 A JPS62266861 A JP S62266861A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resistors
thin film
distributed
conductor substrate
correspond
Prior art date
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Pending
Application number
JP11141686A
Other languages
English (en)
Inventor
Fumiyoshi Matsumura
松村　文好
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS62266861A publication Critical patent/JPS62266861A/ja
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  • Non-Adjustable Resistors (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、薄膜抵抗、容量ネットワークに関し、特に、
薄膜抵抗の製造により得られる薄膜抵抗、容量ネットワ
ークに関する。
［従来の技術〕 従来、この種の薄膜抵抗、容量ネットワークは、抵抗と
容量とを個別に製遺し、それぞれの間を配線することに
よりネットワークが構成されている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
−Ｌ述した従来の薄膜抵抗、容置ネ・ソトワークは、抵
抗と容量とを個別に用意して、これらの抵抗と容量との
間を配線しているために外形が大型化し。
更に、配線を必要とするなめに、製造に要する工程に時
間と要するという欠点がある。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の薄膜抵抗、容量ネッ１へワークは、導電体基板
上に形成される絶縁層の上に重ねて形成される薄膜抵抗
および電極と、前記薄膜抵抗、前記絶縁層および前記導
電体基板により形成される容量と、を備えて構成される
。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例の要部を示す断面図である。
第１図に示されるように、本実施例は、電極金属１．２
および３と、低抗体４および５と、絶縁体６と、導電基
板７と、を備えて構成される。
第１図において、電極金属１および２の間と、電極金属
２および３の間には、それぞれ抵抗体４および５が形成
され、抵抗体４および５の下部には、絶縁体６が、導体
基板７の上に絶縁層として形成されている。第２図に示
されるのは、本実施例の等価回路であり、電極金属１．
２および３には端子８．９および１０がそれぞれ対応し
、抵抗体４および５には分布抵抗１１および１２がそれ
ぞれ対応している。また、導体基板７はアース１５に対
応し、抵抗体４．５および電極金属２と、導体基板７と
の間の絶縁体６に対応して、それぞれ分布容ＪＬ１３．
１４および容量１６が対応している。すなわち、抵抗体
４および５による分布抵抗１１および１２と、これらの
分布抵抗と導体基板７によるアース１５との間に形成さ
れる分布容量１３および１４とを含む薄膜抵抗、容量ネ
ットワークが本発明により実現される。しかも、薄膜抵
抗、容量ネ・ソトワークの構成および回路定数は、形成
される層のパターンおよび抵抗体４および５の抵抗率、
絶縁体の誘電率、層の厚さ等により、任意の数値に設定
することが可能である。
〔発明の効果１ 以上説明したように、本発明は、導体基板上に絶縁層、
抵抗体、電極金属を形成することにより。
任意の回路定数を有する薄膜抵抗、容量ネットワークを
容易に実現することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
〜　第１図は本発明の一実施例の断面図、第２図は前記
一実施例に対応する等価回路である。 図において、１．２．３・・・・・・電極金属、４．５
・・・・・・抵抗体、６・・・・・・絶縁体、７・・・
・・・導体基板、８．９．１０・・・・・・端子、１１
．１２・・・・・・分布抵抗、１３．１４・・・・・・
分布容量、１５・−・・・・アース、１６・・・・・・
容量。 く・

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　導電体基板上に形成される絶縁層の上に重ねて形成さ
    れる薄膜抵抗および電極と、前記薄膜抵抗、前記絶縁層
    および前記導電体基板により形成される容量と、を備え
    ることを特徴とする薄膜抵抗、容量ネットワーク。
JP11141686A 1986-05-14 1986-05-14 薄膜抵抗容量ネツトワ−ク Pending JPS62266861A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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