JPH04271106A - コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク - Google Patents
コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワークInfo
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- JPH04271106A JPH04271106A JP2418219A JP41821990A JPH04271106A JP H04271106 A JPH04271106 A JP H04271106A JP 2418219 A JP2418219 A JP 2418219A JP 41821990 A JP41821990 A JP 41821990A JP H04271106 A JPH04271106 A JP H04271106A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
（産業上の利用分野）本発明は電子機器に利用されるコ
ンデンサ、コンデンサネットワークあるいは抵抗−コン
デンサネットワークに関するものである。 （従来の技術）電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し
、その上に誘電体五酸化タンタル膜を成形し、そしてそ
の上に第二電極を形成した従来の薄膜コンデンサ及び薄
膜コンデンサネットワークにおいて、前記第二電極はニ
ッケル−クロム−の下層電極とパラジウムの中間層電極
と金の上層電極との三層構造であった（「電気デバイス
部品の故障解折と材料評価」第２節、Ｐ６８からＰ７１
まで、（株）サイエンスフォーラム出版。）（発明が解
説しようとする課題）この構造で半田付けが出来るよう
に熱処理し第二電極部を拡散させるが、この熱処理をし
た際に、第二電極である下層電極と誘電体五酸化タンタ
ルが反応し、熱処理前後でコンデンサの静電容量、誘電
正接が増加したりして必要な静電容量、誘電正接が得ら
れなかった。また、リーク電流も熱処理により増加し、
十分な耐電圧特性が得られなかったりする問題が発生し
ていた。 （課題を解決するための手段）本発明はこの問題を解決
するために、誘電体膜を形成した後、第二電極としてニ
オブ−シリコン系合金の下層電極とニッケルの中間層電
極と金の上層電極を形成して、三層構造にする。これよ
り熱処理前後での静電容量、誘電正接及びリーク電流の
増加が抑えられ、必要な静電容量、誘電正接が得られ、
また十分な耐電圧特性を有するコンデンサ、コンデンサ
ネットワーク、抵抗−コンデンサ・ネットワークを提供
するものである。 （実施例１）本発明の実施例を図面に基づいて説明する
。第１図は、この発明の一実施例を示す断面図であって
、第２図はその等価回路図である。第１図において電気
的絶縁基板１上に、パラジウム等の電気伝導性に優れた
第一電極２を真空蒸着法により着膜した後エッチングを
行い第一電極のパターンを形成する。その上に、真空蒸
着法により誘電体五酸化タンタル膜３を着膜し、この後
、この上に下層電極４としてニオブ−シリコン系合金を
真空蒸着法で着膜し、さらに続けて中間層電極６のニッ
ケル、上層電極７の金を順次着膜するそして金、ニッケ
ル、ニオブ−シリコン系合金を順次エッチングし第二電
極のパターンを形成する。これにより、第二電極として
ニオブ−シリコン系合金が下層電極４、ニッケルが中間
層電極６、金が上層電極７の三層構造となる。その後熱
処理し、目的の電極箇所に半田付けをする。この構造の
電極による効果を第１表に示す。
ンデンサ、コンデンサネットワークあるいは抵抗−コン
デンサネットワークに関するものである。 （従来の技術）電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し
、その上に誘電体五酸化タンタル膜を成形し、そしてそ
の上に第二電極を形成した従来の薄膜コンデンサ及び薄
膜コンデンサネットワークにおいて、前記第二電極はニ
ッケル−クロム−の下層電極とパラジウムの中間層電極
と金の上層電極との三層構造であった（「電気デバイス
部品の故障解折と材料評価」第２節、Ｐ６８からＰ７１
まで、（株）サイエンスフォーラム出版。）（発明が解
説しようとする課題）この構造で半田付けが出来るよう
に熱処理し第二電極部を拡散させるが、この熱処理をし
た際に、第二電極である下層電極と誘電体五酸化タンタ
ルが反応し、熱処理前後でコンデンサの静電容量、誘電
正接が増加したりして必要な静電容量、誘電正接が得ら
れなかった。また、リーク電流も熱処理により増加し、
十分な耐電圧特性が得られなかったりする問題が発生し
ていた。 （課題を解決するための手段）本発明はこの問題を解決
するために、誘電体膜を形成した後、第二電極としてニ
オブ−シリコン系合金の下層電極とニッケルの中間層電
極と金の上層電極を形成して、三層構造にする。これよ
り熱処理前後での静電容量、誘電正接及びリーク電流の
増加が抑えられ、必要な静電容量、誘電正接が得られ、
また十分な耐電圧特性を有するコンデンサ、コンデンサ
ネットワーク、抵抗−コンデンサ・ネットワークを提供
するものである。 （実施例１）本発明の実施例を図面に基づいて説明する
。第１図は、この発明の一実施例を示す断面図であって
、第２図はその等価回路図である。第１図において電気
的絶縁基板１上に、パラジウム等の電気伝導性に優れた
第一電極２を真空蒸着法により着膜した後エッチングを
行い第一電極のパターンを形成する。その上に、真空蒸
着法により誘電体五酸化タンタル膜３を着膜し、この後
、この上に下層電極４としてニオブ−シリコン系合金を
真空蒸着法で着膜し、さらに続けて中間層電極６のニッ
ケル、上層電極７の金を順次着膜するそして金、ニッケ
ル、ニオブ−シリコン系合金を順次エッチングし第二電
極のパターンを形成する。これにより、第二電極として
ニオブ−シリコン系合金が下層電極４、ニッケルが中間
層電極６、金が上層電極７の三層構造となる。その後熱
処理し、目的の電極箇所に半田付けをする。この構造の
電極による効果を第１表に示す。
【表１】
第１表より明らかなように、本発明により、第二電極と
してニオブ−シリコン系合金の下層電極４と、ニッケル
の中間層電極６と、金の上層電極７との三層構造にする
ことで熱処理によるコンデンサの静電容量、誘電正接の
増加及びリーク電流の増加は非常に小さくなり、必要な
コンデンサの静電容量、誘電正接、耐電圧が得られる。 （実施例２）実施例１と同様の構造で、下層電極のニオ
ブ−シリコン系合金を抵抗体として用い抵抗−コンデン
サを製作した。第３図は本発明の抵抗−コンデンサの平
面図で第４図はその断面図であって第５図はその等価回
路である。実施例１と同様に絶縁基体上に第一電極、誘
電体五酸化タンタル、第二電極を順次着膜した後金、ニ
ッケルを順次エッチングして、第二電極５のパターン形
成後さらにニオブ−シリコン系合金をエッチングし第二
電極と抵抗体４を含むパターンを形成することによって
、抵抗−コンデンサを製作した。ニオブ−シリコン系合
金は良質の薄膜抵抗材料であるので本発明のように用い
れば、抵抗体としても働く。さらに抵抗−コンデンサを
製造するにあたって抵抗膜として特別に着膜する必要も
なく、製造工程が簡略でコストの安価な抵抗−コンデン
サを提供することができる。 （実施例３）実施例１，２と同様の方法を用いて、第６
図（ａ），（ｂ）に示すようなコンデンサ・ネットワー
ク及び抵抗−コンデンサネットワークを製作した。 （発明の効果）上記いずれの実施によっても明らかなと
おり、本発明によれば、第二電極として、ニオブ−シリ
コン系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極と金の
上層電極との三層構造にすることが熱処理によるコンデ
ンサの静電容量、誘電正接、の増加及びリーク電流の増
加はほとんどなくなる。また安価で製造が容易な抵抗−
コンデンサネットワークが製作できる。
してニオブ−シリコン系合金の下層電極４と、ニッケル
の中間層電極６と、金の上層電極７との三層構造にする
ことで熱処理によるコンデンサの静電容量、誘電正接の
増加及びリーク電流の増加は非常に小さくなり、必要な
コンデンサの静電容量、誘電正接、耐電圧が得られる。 （実施例２）実施例１と同様の構造で、下層電極のニオ
ブ−シリコン系合金を抵抗体として用い抵抗−コンデン
サを製作した。第３図は本発明の抵抗−コンデンサの平
面図で第４図はその断面図であって第５図はその等価回
路である。実施例１と同様に絶縁基体上に第一電極、誘
電体五酸化タンタル、第二電極を順次着膜した後金、ニ
ッケルを順次エッチングして、第二電極５のパターン形
成後さらにニオブ−シリコン系合金をエッチングし第二
電極と抵抗体４を含むパターンを形成することによって
、抵抗−コンデンサを製作した。ニオブ−シリコン系合
金は良質の薄膜抵抗材料であるので本発明のように用い
れば、抵抗体としても働く。さらに抵抗−コンデンサを
製造するにあたって抵抗膜として特別に着膜する必要も
なく、製造工程が簡略でコストの安価な抵抗−コンデン
サを提供することができる。 （実施例３）実施例１，２と同様の方法を用いて、第６
図（ａ），（ｂ）に示すようなコンデンサ・ネットワー
ク及び抵抗−コンデンサネットワークを製作した。 （発明の効果）上記いずれの実施によっても明らかなと
おり、本発明によれば、第二電極として、ニオブ−シリ
コン系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極と金の
上層電極との三層構造にすることが熱処理によるコンデ
ンサの静電容量、誘電正接、の増加及びリーク電流の増
加はほとんどなくなる。また安価で製造が容易な抵抗−
コンデンサネットワークが製作できる。
第１図は本発明のコンデンサの実施例を示す断面図、第
２図は等価回路図、第３図、第４図は本発明のコンデン
サ−抵抗を示す図。第５図は等価回路図、第６図（ａ）
は本発明のコンデンサネットワークの実施例を示す図、
第６図（ｂ）は発明のコンデンサ−抵抗ネットワークの
実施例を示す図。図中、１は絶縁基体、２は第１電極、
３は誘電体五酸化タンタル、４は下層電極、５慨は第２
電極、６は中間層電極、７は上層電極。
２図は等価回路図、第３図、第４図は本発明のコンデン
サ−抵抗を示す図。第５図は等価回路図、第６図（ａ）
は本発明のコンデンサネットワークの実施例を示す図、
第６図（ｂ）は発明のコンデンサ−抵抗ネットワークの
実施例を示す図。図中、１は絶縁基体、２は第１電極、
３は誘電体五酸化タンタル、４は下層電極、５慨は第２
電極、６は中間層電極、７は上層電極。
Claims (3)
- （１）電気的絶縁性基体上に第一電極を形成され、該電
極上に誘電体五酸化タンタル膜が形成され、この上に第
二電極を形成したコンデンサであって、前記第二電極が
ニオブ−シリコン系合金の下層電極と、ニッケルの中間
層電極と、金の上層電極との少なくとも三層構造となっ
ていることを特徴とするコンデンサ。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のコンデンサを用いた
ことを特徴とするコンデンサネットワーク。 - （３）電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し、該電極
上に誘電体五酸化タンタル膜を形成し、この上に第二電
極を形成したコンデンサと該コンデンサと同一の電気的
絶縁基板上に形成された抵抗からなる抵抗コンデンサネ
ットワークであって、該コンデンサが特許請求の範囲第
１項記載のコンデンサであり、該抵抗が前記コンデンサ
の下層電極のニオブ−シリコン系合金の一部を用いて製
作された抵抗であることを特徴とする抵抗−コンデンサ
ネットワーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418219A JPH04271106A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2418219A JPH04271106A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04271106A true JPH04271106A (ja) | 1992-09-28 |
Family
ID=18526125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2418219A Pending JPH04271106A (ja) | 1990-12-26 | 1990-12-26 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04271106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
-
1990
- 1990-12-26 JP JP2418219A patent/JPH04271106A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6420043B1 (en) | 1996-11-07 | 2002-07-16 | Cabot Corporation | Niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6616728B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-09-09 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
| US6896715B2 (en) | 1998-05-04 | 2005-05-24 | Cabot Corporation | Nitrided niobium powders and niobium electrolytic capacitors |
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