JPH03252161A - コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク - Google Patents
コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワークInfo
- Publication number
- JPH03252161A JPH03252161A JP2050028A JP5002890A JPH03252161A JP H03252161 A JPH03252161 A JP H03252161A JP 2050028 A JP2050028 A JP 2050028A JP 5002890 A JP5002890 A JP 5002890A JP H03252161 A JPH03252161 A JP H03252161A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor
- nickel
- resistor
- network
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ni].[Cr] Chemical compound [Si].[Ni].[Cr] GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は電子機器に利用されるコンデンサ、コンデンサ
ネットワークあるいは抵抗−コンデンサネットワークに
関するものである。
ネットワークあるいは抵抗−コンデンサネットワークに
関するものである。
（従来の技術）
電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し、その上に誘電
体膜を形成し、そしてその上に第二電極を形成した従来
の薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサネットワークにお
いて、前記第二電極はニッケルークロムの下層電極とパ
ラジウムの中間層電極と金の上層電極との三層構造であ
った（［電子デバイス部品の故障解析と材料評価Ｊ第２
節、Ｐ６８からＰ７１まで、（株）サイエンスフォーラ
ム出版）。
体膜を形成し、そしてその上に第二電極を形成した従来
の薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサネットワークにお
いて、前記第二電極はニッケルークロムの下層電極とパ
ラジウムの中間層電極と金の上層電極との三層構造であ
った（［電子デバイス部品の故障解析と材料評価Ｊ第２
節、Ｐ６８からＰ７１まで、（株）サイエンスフォーラ
ム出版）。
（発明が解決しようとする課題）
この構造で半田付けができるように熱処理し第二電極部
を拡散させるが、この熱処理をした際に、第二電極であ
る下層電極と誘電体が反応し、熱処理前後でコンデンサ
の静電容量、誘電正接が増加したりして必要な静電容量
、誘電正接が得られなかった。また、リーク電流も熱処
理により増加し、十分な耐電圧特性が得られなかったり
する問題が発生していた。
を拡散させるが、この熱処理をした際に、第二電極であ
る下層電極と誘電体が反応し、熱処理前後でコンデンサ
の静電容量、誘電正接が増加したりして必要な静電容量
、誘電正接が得られなかった。また、リーク電流も熱処
理により増加し、十分な耐電圧特性が得られなかったり
する問題が発生していた。
（課題を解決するための手段）
本発明はこの問題を解決するために、誘電体膜を形成し
た後、第二電極としてニッケル−クロム−シリコン系合
金の下層電極とニッケルの中間層電極と金の上層電極を
形成して、三層構造にする。これにより熱処理前後での
静電容量、誘電正接及びリーク電流の増加が抑えられ、
必要な静電容量、誘電正接が得られ、また十分な耐電圧
特性を有するコンデンサ、コンデンサ・ネットワーク、
抵抗−コンデンサ・ネットワークを提供するものである
。
た後、第二電極としてニッケル−クロム−シリコン系合
金の下層電極とニッケルの中間層電極と金の上層電極を
形成して、三層構造にする。これにより熱処理前後での
静電容量、誘電正接及びリーク電流の増加が抑えられ、
必要な静電容量、誘電正接が得られ、また十分な耐電圧
特性を有するコンデンサ、コンデンサ・ネットワーク、
抵抗−コンデンサ・ネットワークを提供するものである
。
（実施例１）
本発明の実施例を図面に基づいて説明する。第１図は、
この発明の一実施例を示す断面図であって、第２図はそ
の等価回路図である。第１図において電気的絶縁基板１
上に、パラジウム等の電気伝導性に優れた第一電極２を
真空薄膜法により着膜した後エツチングを行い第一電極
のパターンを形成する。その上に、真空薄膜法により誘
電体３を着膜し、その後エツチングを行い誘電体３のパ
ターンを形成する。その後、この上に下層電極４として
ニッケル−クロム−シリコン系合金を真空薄膜法で着膜
し、さらに続けて中間層電極６のニッケル、上層電極７
の金を順次着膜するそして金、ニッケル、ニッケル−ク
ロム−シリコン系合金を順次エツチングし第二電極のパ
ターンを形成する。これにより、第二電極としてニッケ
ル−クロム−シリコン系合金が下層電極４、ニッケルが
中間層電極６、金が上層電極７の三層構造となる。その
後熱処理し、目的の電極箇所に半田付けをする。
この発明の一実施例を示す断面図であって、第２図はそ
の等価回路図である。第１図において電気的絶縁基板１
上に、パラジウム等の電気伝導性に優れた第一電極２を
真空薄膜法により着膜した後エツチングを行い第一電極
のパターンを形成する。その上に、真空薄膜法により誘
電体３を着膜し、その後エツチングを行い誘電体３のパ
ターンを形成する。その後、この上に下層電極４として
ニッケル−クロム−シリコン系合金を真空薄膜法で着膜
し、さらに続けて中間層電極６のニッケル、上層電極７
の金を順次着膜するそして金、ニッケル、ニッケル−ク
ロム−シリコン系合金を順次エツチングし第二電極のパ
ターンを形成する。これにより、第二電極としてニッケ
ル−クロム−シリコン系合金が下層電極４、ニッケルが
中間層電極６、金が上層電極７の三層構造となる。その
後熱処理し、目的の電極箇所に半田付けをする。
この構造の電極による効果を第１表に示す。
第１表
第１表より明らかなように、本発明により、第二電極と
してニッケル−クロム−シリコン系合金の下層電極４と
、ニッケルの中間層電極６と、金の上層電極７どの三層
構造にすることで熱処理によるコンデンサの静電容量、
誘電正接の増加及びリーク電流の増加は非常に小さくな
り、必要なコンデンサの静電容量、誘電正接、耐電圧が
得られる。
してニッケル−クロム−シリコン系合金の下層電極４と
、ニッケルの中間層電極６と、金の上層電極７どの三層
構造にすることで熱処理によるコンデンサの静電容量、
誘電正接の増加及びリーク電流の増加は非常に小さくな
り、必要なコンデンサの静電容量、誘電正接、耐電圧が
得られる。
（実施例２）
実施例１と同様の構造で、下層電極のニッケル。
クロム−シリコン系合金を抵抗体としても用い抵抗−コ
ンデンサを作製した。第３図は本発明の抵抗−コンデサ
の平面図で第４図はその断面図であって第５図はその等
何回路である。
ンデンサを作製した。第３図は本発明の抵抗−コンデサ
の平面図で第４図はその断面図であって第５図はその等
何回路である。
実施例１と同様に絶縁基体上に第一電極、誘電体、第二
電極を順次着膜した後金、ニッケルを順次エツチングし
て、第二電極５のパターン形成後さらにニッケル−クロ
ム−シリコン系合金をエツチングし第二電極と抵抗体４
を含むパターンを形成することによって、抵抗−コンデ
ンサを作製した。ニッケル、クロム−シリコン系合金は
良質の薄膜抵抗材料であるので本発明のように用いれば
、抵抗体としても働く。さらに抵抗−コンデンサを製造
するにあたって抵抗膜として特別に着膜する必要もなく
、製造工程が簡略で、コストの安価な抵抗−コンデンサ
を提供することができる。
電極を順次着膜した後金、ニッケルを順次エツチングし
て、第二電極５のパターン形成後さらにニッケル−クロ
ム−シリコン系合金をエツチングし第二電極と抵抗体４
を含むパターンを形成することによって、抵抗−コンデ
ンサを作製した。ニッケル、クロム−シリコン系合金は
良質の薄膜抵抗材料であるので本発明のように用いれば
、抵抗体としても働く。さらに抵抗−コンデンサを製造
するにあたって抵抗膜として特別に着膜する必要もなく
、製造工程が簡略で、コストの安価な抵抗−コンデンサ
を提供することができる。
（実施例３）
実施例１，２と同様の方法を用いて、第６図（ａ）、
（ｂ）に示すようなコンデンサ・ネットワーク及び抵抗
−コンデンサネットワークを作製した。
（ｂ）に示すようなコンデンサ・ネットワーク及び抵抗
−コンデンサネットワークを作製した。
（発明の効果）
上記いずれの実施によっても明らがなとおり、本発明に
よれば、第二電極として、ニッケル−クロム−シリコン
系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極と金の上層
電極との三層構造にすることで熱処理によるコンデンサ
の静電容量、誘電正接、の増加及びリーク電流の増加は
ほとんどなくなる。また安価で製造が容易な抵抗−コン
デンサネットワークが作製できる。
よれば、第二電極として、ニッケル−クロム−シリコン
系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極と金の上層
電極との三層構造にすることで熱処理によるコンデンサ
の静電容量、誘電正接、の増加及びリーク電流の増加は
ほとんどなくなる。また安価で製造が容易な抵抗−コン
デンサネットワークが作製できる。
第１図は本発明のコンデンサの実施例を示す断面図、第
２図は等価回路図、第３図、第４図は本発明のコンデン
サー抵抗を示す図。第５図は等価回路図、第６図（ａ）
は本発明のコンデンサネットワークの実施例を示す図、
第６図（ｂ）は本発明のコンデンサー抵抗ネットワーク
の実施例を示す図。 図中、１は絶縁基体、２は第１電極、３は誘電体、４は
下層電極、５は第２電極、６は中間層電極、７は上層電
極。
２図は等価回路図、第３図、第４図は本発明のコンデン
サー抵抗を示す図。第５図は等価回路図、第６図（ａ）
は本発明のコンデンサネットワークの実施例を示す図、
第６図（ｂ）は本発明のコンデンサー抵抗ネットワーク
の実施例を示す図。 図中、１は絶縁基体、２は第１電極、３は誘電体、４は
下層電極、５は第２電極、６は中間層電極、７は上層電
極。
Claims (3)
- （１）電気的絶縁性基板上に第一電極が形成され、該電
極上に誘電体が形成され、この上に第二電極を形成した
コンデンサであって、前記第二電極がニッケル−クロム
−シリコン系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極
と、金の上層電極との少なくとも三層構造となっている
ことを特徴とするコンデンサ。 - （２）特許請求の範囲第１項記載のコンデンサを用いた
ことを特徴とするコンデンサネットワーク。 - （３）電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し、該電極
上に誘電体を形成し、この上に第二電極を形成したコン
デンサと該コンデンサと同一の電気的絶縁基板上に形成
された抵抗とからなる抵抗−コンデンサネットワークで
あって、該コンデンサが特許請求の範囲第１項記載のコ
ンデンサであり、該抵抗が前記コンデンサの下層電極の
ニッケル−クロム−シリコン系合金の一部を用いて作製
された抵抗であることを特徴とする抵抗−コンデンサネ
ットワーク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050028A JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2050028A JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03252161A true JPH03252161A (ja) | 1991-11-11 |
| JPH0693483B2 JPH0693483B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=12847545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2050028A Expired - Lifetime JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0693483B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2050028A patent/JPH0693483B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0693483B2 (ja) | 1994-11-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0256568B1 (en) | Process for obtaining thin-film circuits and passive circuit made by said process | |
| US4301439A (en) | Film type resistor and method of producing same | |
| JPH01321612A (ja) | 重ね合わせたかカプセル化した金属導電路を提供する方法 | |
| SE9701618L (sv) | Kondensator i integrerad krets | |
| JPS6367329B2 (ja) | ||
| JP2000150204A (ja) | Ｎｔｃサーミスタ及びチップ型ｎｔｃサーミスタ | |
| US3544287A (en) | Heat treatment of multilayered thin film structures employing oxide parting layers | |
| JPH03252161A (ja) | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク | |
| JPH04271106A (ja) | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗コンデンサネットワーク | |
| JPH06318533A (ja) | 電子部品 | |
| JPH03252160A (ja) | コンデンサ、コンデンサネットワーク及び抵抗―コンデンサネットワーク | |
| JPH05267025A (ja) | チップ部品の製造法及び電子部品の製造法 | |
| JPH0245996A (ja) | 混成集積回路の製造方法 | |
| JPH01120802A (ja) | 抵抗内蔵電子部品の製造方法 | |
| JPS62266861A (ja) | 薄膜抵抗容量ネツトワ−ク | |
| JP2001194246A (ja) | 測温抵抗体とその製造方法 | |
| JPH06151124A (ja) | 薄膜抵抗体の製造方法 | |
| JPH03179779A (ja) | 絶縁ゲート型半導体装置 | |
| JPH0287588A (ja) | 厚膜配線基板の抵抗体形成方法 | |
| JP2004031849A (ja) | 超低抵抗抵抗器及びその製造方法 | |
| JPS637441B2 (ja) | ||
| JPH01293693A (ja) | 抵抗体層付きプリント配線板用基板 | |
| JPH08148795A (ja) | 薄膜回路基板 | |
| JPH02219202A (ja) | 正特性サーミスタ及びその製造方法 | |
| JPS6262501A (ja) | 厚膜基板装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20071116 Year of fee payment: 13 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081116 Year of fee payment: 14 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091116 Year of fee payment: 15 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 16 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101116 Year of fee payment: 16 |