JPH03252161A - コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク - Google Patents
コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワークInfo
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- 239000003990 capacitor Substances 0.000 title claims abstract description 40
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 32
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 229910000676 Si alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract 2
- GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ni].[Cr] Chemical compound [Si].[Ni].[Cr] GZWXHPJXQLOTPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N chromium silicon Chemical compound [Si].[Cr] DYRBFMPPJATHRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
ネットワークあるいは抵抗−コンデンサネットワークに
関するものである。
体膜を形成し、そしてその上に第二電極を形成した従来
の薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサネットワークにお
いて、前記第二電極はニッケルークロムの下層電極とパ
ラジウムの中間層電極と金の上層電極との三層構造であ
った([電子デバイス部品の故障解析と材料評価J第2
節、P68からP71まで、(株)サイエンスフォーラ
ム出版)。
を拡散させるが、この熱処理をした際に、第二電極であ
る下層電極と誘電体が反応し、熱処理前後でコンデンサ
の静電容量、誘電正接が増加したりして必要な静電容量
、誘電正接が得られなかった。また、リーク電流も熱処
理により増加し、十分な耐電圧特性が得られなかったり
する問題が発生していた。
た後、第二電極としてニッケル−クロム−シリコン系合
金の下層電極とニッケルの中間層電極と金の上層電極を
形成して、三層構造にする。これにより熱処理前後での
静電容量、誘電正接及びリーク電流の増加が抑えられ、
必要な静電容量、誘電正接が得られ、また十分な耐電圧
特性を有するコンデンサ、コンデンサ・ネットワーク、
抵抗−コンデンサ・ネットワークを提供するものである
。
この発明の一実施例を示す断面図であって、第2図はそ
の等価回路図である。第1図において電気的絶縁基板1
上に、パラジウム等の電気伝導性に優れた第一電極2を
真空薄膜法により着膜した後エツチングを行い第一電極
のパターンを形成する。その上に、真空薄膜法により誘
電体3を着膜し、その後エツチングを行い誘電体3のパ
ターンを形成する。その後、この上に下層電極4として
ニッケル−クロム−シリコン系合金を真空薄膜法で着膜
し、さらに続けて中間層電極6のニッケル、上層電極7
の金を順次着膜するそして金、ニッケル、ニッケル−ク
ロム−シリコン系合金を順次エツチングし第二電極のパ
ターンを形成する。これにより、第二電極としてニッケ
ル−クロム−シリコン系合金が下層電極4、ニッケルが
中間層電極6、金が上層電極7の三層構造となる。その
後熱処理し、目的の電極箇所に半田付けをする。
してニッケル−クロム−シリコン系合金の下層電極4と
、ニッケルの中間層電極6と、金の上層電極7どの三層
構造にすることで熱処理によるコンデンサの静電容量、
誘電正接の増加及びリーク電流の増加は非常に小さくな
り、必要なコンデンサの静電容量、誘電正接、耐電圧が
得られる。
ンデンサを作製した。第3図は本発明の抵抗−コンデサ
の平面図で第4図はその断面図であって第5図はその等
何回路である。
電極を順次着膜した後金、ニッケルを順次エツチングし
て、第二電極5のパターン形成後さらにニッケル−クロ
ム−シリコン系合金をエツチングし第二電極と抵抗体4
を含むパターンを形成することによって、抵抗−コンデ
ンサを作製した。ニッケル、クロム−シリコン系合金は
良質の薄膜抵抗材料であるので本発明のように用いれば
、抵抗体としても働く。さらに抵抗−コンデンサを製造
するにあたって抵抗膜として特別に着膜する必要もなく
、製造工程が簡略で、コストの安価な抵抗−コンデンサ
を提供することができる。
(b)に示すようなコンデンサ・ネットワーク及び抵抗
−コンデンサネットワークを作製した。
よれば、第二電極として、ニッケル−クロム−シリコン
系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極と金の上層
電極との三層構造にすることで熱処理によるコンデンサ
の静電容量、誘電正接、の増加及びリーク電流の増加は
ほとんどなくなる。また安価で製造が容易な抵抗−コン
デンサネットワークが作製できる。
2図は等価回路図、第3図、第4図は本発明のコンデン
サー抵抗を示す図。第5図は等価回路図、第6図(a)
は本発明のコンデンサネットワークの実施例を示す図、
第6図(b)は本発明のコンデンサー抵抗ネットワーク
の実施例を示す図。 図中、1は絶縁基体、2は第1電極、3は誘電体、4は
下層電極、5は第2電極、6は中間層電極、7は上層電
極。
Claims (3)
- (1)電気的絶縁性基板上に第一電極が形成され、該電
極上に誘電体が形成され、この上に第二電極を形成した
コンデンサであって、前記第二電極がニッケル−クロム
−シリコン系合金の下層電極と、ニッケルの中間層電極
と、金の上層電極との少なくとも三層構造となっている
ことを特徴とするコンデンサ。 - (2)特許請求の範囲第1項記載のコンデンサを用いた
ことを特徴とするコンデンサネットワーク。 - (3)電気的絶縁性基板上に第一電極を形成し、該電極
上に誘電体を形成し、この上に第二電極を形成したコン
デンサと該コンデンサと同一の電気的絶縁基板上に形成
された抵抗とからなる抵抗−コンデンサネットワークで
あって、該コンデンサが特許請求の範囲第1項記載のコ
ンデンサであり、該抵抗が前記コンデンサの下層電極の
ニッケル−クロム−シリコン系合金の一部を用いて作製
された抵抗であることを特徴とする抵抗−コンデンサネ
ットワーク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050028A JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2050028A JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252161A true JPH03252161A (ja) | 1991-11-11 |
JPH0693483B2 JPH0693483B2 (ja) | 1994-11-16 |
Family
ID=12847545
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2050028A Expired - Lifetime JPH0693483B2 (ja) | 1990-02-28 | 1990-02-28 | コンデンサおよびコンデンサネットワークおよび抵抗‐コンデンサネットワーク |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0693483B2 (ja) |
-
1990
- 1990-02-28 JP JP2050028A patent/JPH0693483B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0693483B2 (ja) | 1994-11-16 |
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