JPS609112A - 低コストの薄膜コンデンサの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はコンデンサの製造に関するものである。

より詳細にいえば、本発明は導電性金属電極の交互ｆ）
）？ＪトソｔＬうの間に存在する二酸化シリコンのよう
な誘電体の層を１Ｎまたは複数層有するコンデンサの製
造法に関するものである。

背景技術 従来のモノリシック・セラミック・コンデンサは、特に
公差範囲の小さなコンデンサは、製造コストが極めて高
かった。従来、用いることが必要とされていた製造法と
材料による限り、コストの扁いことは必然である。

セラミック・モノリシック・コンデンサの典型的な製造
法によれば、ま゛ず有機結合剤の中にセラミック粒子の
浮遊したものがつくられ、そしてこのグリーン・セラミ
ック側斜が薄い可撓層の中に押出される。次の段階とし
て、金属粒子を含んだ導電性インクを用いて、シルク・
スクリーニング法により、これらの層に電極材料が印刷
される。

ここで選定された金属は、グリーン・セラミックの加熱
のさいに、蒸発せずに加熱に耐えるものでなければなら
ない。このために、白金、パラジウムといって極めて高
価な貴金属が用いられることになる。

適切に印刷されたグリーン・セラミックの層は次のよう
に積層される。すなわち、交互の層の上に印刷された電
極材料のパターンが事実上整合するように配置されるが
、１つの層上の電極の側端部が交代する層上の電極の側
端部から少しずれている。このことは、適当な積層体が
つくられるまで、繰返される。この後、この積層体が切
断線に沿って切断され、個別のチップがつくられる。こ
の場合、対向する切断線上には、１つの極性の電極だけ
が露出する。

この後、こうしてできたものがまず加熱される。

すると有機結合剤が蒸発する。その後でより高温度に加
熱して１、セラミック部分が焼結される。こうして、モ
ノリシック・コンデンサがつくられる。

この後、この焼結されたコンデンサの露出した電極部分
の上に、銀を含んだペーストがつけられ、これを加熱す
ることにより、個別の電極のおのおのを相互に接続し、
そしてそれらの端子となる導電体かえられる。

これまでに製造工程の概要を述べたが、これらの工程に
おいて困難な点およびコストの面い点は、当業者にはす
ぐにわかるはずである。公差の小さなコンデンサの製造
が要求される場合には、これらの困難は倍加する。より
具体的にいえば、それぞれの個別チップの電気容量値は
誘電体の組成と厚さおよびシルク・スクリーン法によ、
る電極材料の印刷面積に依存するばかりでな（、この印
刷が行なわれた隣接する層間の整合がどの位精度よく行
なわれているかにも依存する。

さらに、予定された公差内の電気容量値をもったコンデ
ンサをつくるためには、蒸発工程と焼結工程を一注意深
く制御して実行しなくてはならない。

公差の小さなコンデンサをつくる場合には、要求されて
いるよりは大きな電気容量値をもったコンデンサをまず
つくることが、従来よく行なわれる。コンデンサがつく
られた後、そのコンデンサの広い面積に垂直の方向にサ
ンド・ブラスト・ジェット流を当てることにより、電極
の重なり領域を削り取り、その電気容量値を要求された
値にまで小さくする。ここに概略が述べられまたように
、その製造工程が複雑であるので、公差の小さなコンデ
ンサの製造コストは、同じ電気的性質をもっているが公
差に対する要請が厳しくないコンデンサの製造コストに
対し、１００倍またはそれ以上も高くなる。

公差の小さな、いわゆる、薄膜形のセラミック・コンデ
ンサまたは金属酸化物コンデンサの製造法を簡単化する
方法が、いろいろと提案されている。

例えば米国特許第３，１４９，３９５号には、基板の上
にシリコン膜を沈着し、このシリコンを酸化し、この酸
化されたシリコンに金属をつけ、その後で表示されたペ
ース材料から多層化されたコンデンサをつくることによ
って、コンデンサを製造する方法が記載されている。

米国特許第３，６７９，９４２号は、第１導電体の上に
二酸化シリコンの層を沈着し、その後でこの酸化物層が
湿った雰囲気中で稠密化され、その後でこの酸化物層が
乾燥され、そして第２電極を沈着することによって、薄
膜コンデンサを＠造する方法を記載している。

米国特許第３．１４６９．２９４号は、陽極処理可能な
アルミニウム・ストリップの表面上に誘電体酸化物形を
電解操作で沈着し、この酸化物層の表面上の一定のパタ
ーンの相互接続される領域の上に絶縁体のグリッドをつ
くり、電極をつくるためにこのグリッドの開口部の中に
半導体酸化物を電解操作で沈着し、そしてその後、この
ようにしてつくられた構造体をグリッド線に沿って切断
して、コンデンサを製造する方法を記載している。この
ようにしてえられたコンデンサへの端子の接続は、それ
ぞれの電極の上に銀の沈着層をつくり、この銀の沈着層
に接続用導線を接続することによって行なわれる。

米国特許第３，４５７，６１４号は、ガラスのような絶
縁体基板の上に陽極処理可能な金属を沈着し、この沈着
された金属の表面を陽極処理して誘電体層をつくり、対
向電極を沈着し、この対向電極の端部に銅を沈着し、そ
してその後で予め定められた帯状の線に沿ってこの基板
を切断して個別のコンデンサ素子をつくるという、コン
デンサの製造法を記載している。

米国特許第３，５９１，９０５号は層状の大きなコンデ
ンサを分割して多数の離散的コンデンサ素子をつくる方
法を記載している。

米国特許第３．８−０９，９７３号は端子接続の方法を
記載している。すなわち、セラミック・コンデンサの縁
のところの露出した電極の側端部の上に銀をつけ、そし
てその後、それを金で被櫨する方法で端子が接続される
。

前記文献はいずれも薄膜コンデンサの製造法を記載して
いるけれども、前記文献のいずれによっても、小型の薄
膜コンデンサを経済的に精密な公差範囲にあるように製
造することはできなく、そして端子接続には高度のハン
ダ付は技術を必要とし、および貴金属を比較的多量に使
う必要がある。

発明の要約 前記背景技術に留意すれば、本発明は次のように要約す
ることができる。すなわち、本発明により、従来の注文
生産によるコンデンサ素子の製造および個別に較正され
たコンデンサ素子の製造でのみえられる公差範囲を有す
る、低コストで小型の薄膜コンデンサをうることができ
る。

本発明によれば、例えば、ガラスのような非導電体材料
の基板が用意される。この基板の上に、アルミニウムま
たはニッケルのような非貴金属の電極材料が、蒸気沈着
または蒸発またはスパッタリングによって、沈着される
。この後こうしたえられた電極材料のこの連続した被覆
体において、その離散した領域が除去される。この除去
は、従来から知られているホトレゾストを被覆し、その
後でエツチングを行な：うという方法で実行することが
好ましい。この基板の上に誘電体、例えば、二酸化シリ
コンの薄い層が沈着され、金ｔｓｔｔ極部分と−ホトエ
ッチング工程によってつくられた間隙領域が、誘電体で
被覆される。第２電極層が沈着され、そしてエツチング
される。このエツチングにより、離散的金属領域がつく
られるが、その際、この離散的金属領域が第１エツチン
グ工程でつくられた金属領域と一部分において整合しな
いように、エツチングが実行される。反対極性の層部分
と整合していない電極層の部分を通る切断線に沿って、
すなわち、２つの系列の電極のうちの１つの系列の電極
とだけ交差する切断線に沿って、この基板を切断するこ
とにより、そしてその後、この第１切断線と直角でかつ
隣接する電極材料層の間の誘電体材料層だけを通る切断
線に沿って、この基板をさらに切断することにより、個
別のコンデンサをつくることが、できる。

このようにしてつくられたコンデンサの半完成品は、基
板を一連の半完成品に分割するために切断することによ
りできた側面を有するが、そしてこの側面には電極の側
端面が館山しているが、この両側の側面の上に、端子用
導電体をスパッタリングによりつけることが好ましい。

好ましい実施例に従って、誘電体被覆体と金属被置体の
系列を順次に沈着することにより、そしてこの金属被覆
体が離散した精密な位置の電極領域に配置され、この際
、与えられた電極を定めるすべての領域の少なくとも１
つの側端部分が他の電極を定める領域の反対側の側端部
分と整合しないように配置されることにより、多層コン
デンサ・チップがつくられる。したがって、この基板が
切断される時、１つの層内のすべての電極領域が１つの
側面上に露出し、スパッタリングによってそれらに端子
用導電体をつけることができ、そして隣接する領域内に
あるすべての電極領域に対しても同じことが実行される
。

この基板を個別のコンデンサ素子に切断する前に、保獲
被覆体または絶縁体被覆体をつけることができる。

本発明の重要な特徴は、金属電極の上に、沈着された誘
電体被覆体が各電極の上表面だけを被覆するのではなく
、各電極の側端面をも被覆することである。このために
、完成したマトリックスが切断されて事実上長方形の半
完成品がつくられる時、そしてこの切断が端子用導電体
をつけることができるように、１組の電極端面を露出す
る切断線に沿って実行される場合、この露出した側端部
から一定の距離だけ離れている反対極性の電極の側端部
が、絶縁体材料で確実に被覆されることが保証される。

このために、スパッタリング法によってコンデンサに端
子用電極をつける場合、スパッタされた材料が誘電体層
の間に侵入し、そして一定の距離だけ離れた側端部にま
で達し、その結果このコンデンサが短絡するということ
がないであろう。

コンデンサの中に多数の電極層がつくられる場合、！極
り側端部が誘電体で被覆されそして絶縁されていること
は、ますます重要な機能を果たすことがわかるであろう
。

したがって、本発明の１つの目的は低コストで、公差が
小さく、モノリシックな薄膜コンデンサと、その製造法
をうることである。本発明のさらに別の目的は、スパッ
タリングにより端子用電極をつける場合、このスパッタ
された金属材料がいろいろな電極群の間を橋渡してショ
ートすることがない、コンデンサの製造法をうろことで
ある。

前記に示されたまたは下記において指摘されるこれらの
目的およびさらに別の目的は、添付図面を参照しての詳
細な説ＦｇＪにより、明らかとなるであろう。

発明の実施態様 第１図に基板１０が示されている。この基板１０は厚さ
が約０．５１　ｒａｎ〜０．７６圏（２０ミル〜６０ミ
ル）のガラス板であることが好ましい。本発明により、
任意に選定されたリンでドープされた二酸化シリコン基
板被覆体１１０層が基板１０の上を予め被覆する。この
基板被覆体は約３％のリンを含むことができる。この基
板被覆体を、約４６０℃で、約１．５マイクロメートル
の厚さの層になるまで成長させる。この後、アルミニウ
ムまたはニッケルが約０．５マイクロメートルの厚さに
沈着されて、導電層１２がつくられる。このようにして
つくられた層は標準的なホトレジスト被覆体を用いてパ
ターンに加工され、そして一連の離散した金属アイラン
ドまたは金属電極がつくられる。これらの金属アイラン
ドまたは金属電極は１２ａで示されており、これらは平
面図で正方形または長方形であることが好ましい。例え
ば、パターンにつくられた金属アイランド１２ａは２−
０１７ｍＸ　１−０５５ｍｍの寸法を有することができ
る。

このように処理された基板の上表面に、例えば、二酸化
シリコンのような誘電体の層が沈着される。

この誘電体層の沈着は約４６０　’Ｏで実行され、全体
の厚さが約１’ｌ、５５０オングストロームになるまで
行なわれる。この誘電体層は第４図において１３で示さ
れ、その誘電率は６．９７である。

第４ＦＸＪおよび第５図をみればすぐわがるように、誘
電体、材料１３は電極を構成している部分１２ａを被覆
するだけでなく、隣りの電極部分１２ａとの間の領域１
２ｂをも被覆する。この結果、電極−を構成する部分１
２ａの側端部分１２’、　１２“も誘電体材料１３によ
って被覆される。いろいろな誘電体層の厚さは、図では
誇張されて示されている。

第５図は基板１０の一部分、すなわち、第４図の円形内
の部分の断面図である。製造工程の次の段階は、１マイ
クロメートルの厚さのアルミニウムまたはニッケルを、
薄膜層をつくる技術により、さらに沈着させることであ
る。このノ・者は第５図において１４で示されている。

この層１４は標準的なホトレジスト法によって処理され
、１−９５１−９５Ｏ，９０８＋ｎｍの長方形のパター
ンにつくられる。

このようにしてつくられた長方形部分がコンデンサの第
２′電極になる。この長方形部分は、第６図において、
１４ａで示されている。第６図をみるとわかるように、
電極１４ａ、は隣りのＮ極１２ａと一部分において本な
っており、そして隣接する電極１２ａの間の領域すなわ
ち間隙１２ｂの上にある。

第７図に示されているように、これらの第２電極１４ａ
とそれらの電極の間−の間隙領域１４ｂの上表面に、例
えば、二酸化シリコンのような誘電体材料の別の薄い層
１５が沈着される。

製造工程の次の段階は、誘電体材料の層１５の上を、例
えば有機重合被置体材料１６で被覆することである。

このようにしてつくられたマトリックスが、第２図およ
び第８図に示されているように、線９゜９′に沿って、
および第２図に示されているようにｈＡ　Ｘ　−Ｘ／に
沿って個々の素子に切断される。このようにして、第９
図および第１０図に示されているような長方形のコンデ
ンサの牛完成品またはコンデンサ・チップがつくられる
。切断線９は電極１２ａを通っているので、電極１２ａ
の側端部１２ｃ（第９図）が露出することがわかる。切
断線９′は電極１４ａを通り、そして電極１２ａの端１
２”と端の間の間隙領域１２ｂを通り、そして電極１４
＆の側端部１４ｃが露出する。

こりようにしてつくられたコンデンサ部品Ｃは、第９図
に示されているように、電極側端部１２Ｃ９１４Ｃを含
んだ側面部分が、スパッタリングにより、１層または多
層の導電材料層２０．２１によって被覆される。例えば
、この被覆導電体層２０゜２１はクロムの初期被覆層、
ニッケルの中間被覆層および銀の最終被覆層によって構
成される。このような構成にする理由は、電気的接続を
確実にそして容易に行なうためである。例えば、クロム
Ｍ＆層の厚さは４００オングストロームの程度テあり、
ニッケル層は約０．５マイクロメートルの厚さであり、
そして銀層の厚さは０．１５マイクロメートルの程匿で
ある。

前記実施例において、電極表面の実際の活性領域である
京なり合った面積は約０．９０８＋ｍｎＸ１．８０８ｍ
ｍであり、その電気容量値は４２．５ピコフアラドであ
る。取扱い上の便利さのためには、チップの平面内での
全体の大きさが、標準の大きさ２．０＋ｍｎ（８０ミル
）Ｘｉ、５ｍ（５０ミｙ）［切断されることが好ましい
。

このようにしてつくられたチップは、密封のための被覆
が、上表面につけられた保護用被覆体と、スパッタリン
グでつけられた接続用板＆体２０゜２１だけであるにも
拘らず、湿度の影響をほとんど受けないことがわかった
。

第９図をみるとわかるように、もし誘電体層１３が完全
に平面状の構造体であるならば、線９で切断された場合
、電極１２ａの側端部１２〃の隣りに開口部すなわち空
隙ができるであろう。この場合、電極１２ａの側端部１
２“に対向した方向にもし端子用導電体がスパッタリン
グでつけられるならば、この沈着された端子用金属の余
分が電極＼ １２ａの側端部１２”に突当たるので、このスパッタリ
ングされた端子用導電体は電極１４ａと電極１２＆との
間を橋渡しする。けれども、本発明による方法では、誘
電体被覆Ｎ１３は単なる平面状の層ではなく、ｍ１１２
ａの上表面を被覆するだけでなしに側端部１２”をも被
覆する。このような誘電体被覆層によって保護の作用か
えられるので、スパッタリングにより端子用導電体をつ
けることが可能である。

当業者にはすぐにわかるように、本発明の製造法に従っ
てつくられたコンデンサの電気容量と動作電圧の特性は
電極の重なり面積と誘電体層の厚さを変えることによっ
て容易に変更することができる。

例えば、電気容量値が大きいが動作電圧の低いコンデン
サは、前記と同じ工程段階であるが、沈着される二酸化
シリコン層の厚さを約５，７５０オングストロームにす
ることにより、製造することができる。このようにして
製造されたチップの電気容量値は約８５ピコフアラドで
ある。

さらに、誘電体層と電極層を繰返してつくることにより
、電気容量を大きく′することができる。

標準的な製造法に従って、第１極性の電極群のおのおの
の側端部の１つが整合し、そして第２極性の電極群のお
のおのの側端部の１つが整合し、そしてそれぞれの極性
の電極群の他の側端部が反対極性の電極群の整合してい
る側端部とは横方向に整合していないことがわかる。し
たがって、このマトリックスが切断される時、個々のコ
ンデンサ・素子の両側面端での切断線は、−組の電極端
部をそれぞれ露出させることになり、それぞれの組は共
通の極性をもつ。一方、この共通の極性をもった各組の
電極の他の側端部は、反対極性の電極を定めている切断
線から横方向にずれている、すなわち、整合していなく
て引込んだ位置にある。したがって、スパッタリングで
つけられる端子用導電体との間に誘電体材料が介在して
、電極と反対側端子用導電体が接触しないように保護さ
れる。

第１図〜第１０図に示された実施例は個別のチップまた
は個別のコンデンサの製造に関するものであった。

本発明により、第１６図に示されているように、コンデ
ンサ・チップのアレイを製造することが可能である。

このようなアレイをつくるために、第２図において、個
別のチップをつくるために全体のマトリックスを線、、
９・、９′および線ｘ　−ｘ’に沿って切断するのでは
なく、それが第８図に示されたようにつくられた後、こ
のアレイが線Ｘ”−Ｘ“に沿って切断され、コンデンサ
Ｃの線の両端２５が露出する。この両端２５が完全に密
封され、そして非導電材料だけが露出する。

その後、このマトリックスが線９＋　、　９”に沿って
切断され、コンデンサのストリップすなわちアレイＳが
つくられる。このアレイの両側面２６゜２７には一組の
電極の側端面が露出しており、それぞれの組の電極は同
じ極性をもつ。

その後、側端面２６，２γに、スパッタリングなどによ
り、端子用導電体がつけられる。第１２図に示されてい
るように、この導電体層２８゜２９はアレイＳの長さに
わたって存在する。

スリット３１が、端子用４車体層２９を完全に通って、
コンデンサチップＯのそれぞれの間の非導電体材料３２
に達するまでつくられて、このアレイが完成する。

このようにして、本発明に従って製造されたコンデンサ
またはチップＣのアレイＳは、１つの側面２６上の電極
は共通の端子用導電体２８を有し。

そして他の側面２７上のそれぞれのチップ０の各電極は
個別の端子用導電体′２９ａを有する。

したがって、このようプよアレイはいずれも１つの共通
接続された端子２８と個別に接続された端子２９ａとを
有する。したがつ工、１組の個々のコンデンサＯが１つ
の共通接続された端子を有する多数の回路に接続して用
いることができる。

前記製造法に従って、多層コンデンサがつくられる場合
、すなわち、２つ以上の電極層を有するコンデンサをつ
くる場合、誘電体材料による側面の保獲機能または絶縁
機能がまずます重要になることがわかるであろう。端面
部分における隣接する電極間の垂直方向の間隔が、付加
される電極層の数と共に次第に増加する傾向があるから
、このことは重要である。

コンデンサの前記製造法により、単位体積当りの電気容
量値の非常に大きなコンデンサを経済的に製造すること
ができ、そしてその電気容量値は公差が非常に小さく、
後で調整する必要もない。

このコンデンサは回路に直接ハンダ付けすることが可能
であり、接続用導線を用いる必要がない。

このコンデンサは湿度の影響を受けなく、耐久性があり
、品質が均一であり、そして歩留りが極めて高い。

当業者にはすぐにわかるように、そして本明細嘗の記・
載からすぐにわかるように、本発明の範囲内において、
前記製造法の細かい点をいろいろと変更することができ
る。このような細かい点としては電極、誘電体、受動性
被覆体の形式やこのような部品の厚さである。さらに、
スパッタリングでつけられた端子用導電体の形式や厚さ
は、目的に応じて、適切に変更することができる。

したがって、本発明は特許請求の範囲に基づいて広範に
解釈されるべきである。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明°によるコンデンサの製造法による１つ
の工程段階にある処理中の基板の横断面図、第２図は前
記基板上に第１電極が沈着された状態の製造工程の１つ
の段階の立体図、 第６図は第２図の線５−３に沿っての横断面図、第４図
は製造工程の少し進んだ段階における第３図と同様の横
断面図、 第５図から第８図は製造工程の順次に進んだ段階におけ
る処理中の基板の一部分の拡大図、第９図は第８図の線
・９，９′に沿ってとられた本発明によるコンデンサ・
チップの断面図、第１０図は第９図の線１０−１０に沿
っての断面図、 第１１図は本発明に従って製造されたコンデンサのアレ
イの立体図１ 、第１２図はこのコンデンサ・アレイの側端面に端子用
導電体がつけられた第１１図と同様の立体図、 第１６図は製造の最終段階における第１１図と同様の立
体図。 １０・・・絶縁体基板 １２．１５・・・第１導電体薄膜層 １３・・・誘電体層 １４・・・第２導電体薄膜層 ２０．２１．２８，２９・・・端子用導電体薄膜層、３
１・・・スリット 代理人　浅　村　皓

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）絶縁体基板と、前記基板上で事実上長方形の電極
   となる導電体の沈着薄膜層と、前記導電体の１つの側端
   面を露出しそして上表面と６つの側端面を被覆する蒸気
   沈着された誘電体層と、前記誘電体層の上にさらに沈着
   され事実上長方形の電極となる導電体の薄膜層と、前記
   第２１１！極の上に沈着されそして前記第１電極の露出
   した側端面と反対側の第２１！Ｌ極り側端面を露出しそ
   して前記第２電極の上表面と６つり側端面を被覆する誘
   電体層と、コンデンサの両側面上に沈着されそして前記
   電極の露出した側端面に電気的［接続される導電体の薄
   膜層とを有し、前記第２電極が前記第１電極と部分的に
   整合して配置されそして前記第２電極の１つの側端面が
   前記第１電極の露出側端面と整合していない電気コンデ
   ンサ。 （２、特許請求の範朋第１項において、前記電極が非貴
   金属であるコンデンサ。 （３）ストリップとなる細長い絶縁体基板と、前記スト
   リップの上に間隔のある複数個の電極となる領域に沈着
   された導電体と、前記ストリップの１つの側面において
   前記電極導電体の１つの側端面をＮ出しそして′ａ数個
   の前記電極導電体の上に沈着されて前記電極の上表面お
   よび３つの側端面を被覆する誘電体層と、前記誘電体層
   の上の間隔のある複数個の領域に沈着された第２電極導
   電体であって複数個の前記第２電極導電体の側端面のい
   くつかが複数個の前記第１電極の側端面に整合しそして
   複数個の前記第２電極導電体の１つの側端面が１！数個
   の前記第１電極の露出した側端面と整合していなくそし
   て複数個の前記第２電極導電体の整合していない前記側
   端面と反対側の側端面が前記ストリップの他の側面上に
   おいて露出している前記第２電極導電体と、複数個の前
   記第２電極導電体の上に沈着されそして前記第２電極導
   電体のおのおのの１つの側端面を露出しそして前記第２
   電極導電体のおのおのの上表面および３つの側端面を被
   覆する誘電体の第２沈着層と、前記ストリップの１つの
   側面において複数個の前記第１電極導電体のおのおのの
   露出した側端面を電気的に接続する沈着された導電体層
   と、前記ス）　ＩＪツブの他の側面を通りそして前記ス
   トリップの長さ方向に存在する前記電極導電体の間の前
   記誘電体を通る複数個のスリットと、前記ストリップの
   他の前記側面上に露出した前記電極導電体の側端面上に
   沈着された導電体層とを有するコンデンサ・アレイ。 （４）（イ）絶縁体基板をそなえる段階と、（ロ）前記
   基板によって保持される薄膜導電体層を沈着によってつ
   くる段階と、 （ハ）前記基板上に行および列に配列された複数個の離
   散的で電気的に隔離された第１導電体領域を定めるため
   に前記沈着導電体層の余分を除去する段階と、 に）隔離された前記領域の側端面を被覆するために前記
   導電体領域の上におよび除去された前記導電体が占めて
   いた領域の上に連続した誘電体層を沈着によってつくる
   段階と、（ホ）沈着された前記誘電体層の上に別の導電
   体層を沈着によってつくる段階と、 （へ）前記層の導電体層の余分を除去して複数個の離散
   的な電気的に隔離された第２導電体領域をつくるための
   除去段階であって、複数個の前記第２導電体領域が複数
   個の前記第１導電体領域に部分的に整合しおよび複数個
   の前記第１導電体領域および前記第２導電体領域のおの
   おのが相手導電体領域と整合しない少なくとも１つの側
   端面部分を有するように行なわれる前記除去段階と、 （ト）複数個の離散的な電気的に隔離された前記第２導
   電体領域の上とおよび前記導電体が除去された前記領域
   の上とに、隔離された前記第２導電体領域の側端面を被
   覆するために、誘電体の連続した層を沈着によってつく
   る一階と、 （ト）前記基板に垂直でおよび隣接する層内の前記導電
   体領域の整合していない前記部分に少なくとも交差する
   ように配置された切断線に・沿ってマトリックスをつく
   っている前記基板および前記層、を切断し、それによっ
   て交互の層内の前記導電体領域の側端部を前記切断線の
   ところで露出させる前記切断段階と、（男　この後で前
   記切断線によってつくられた前記導電体領域の露出した
   前記側端部の上に端子用導電体層を沈着し、それによっ
   て間隔をもった位置にある前記領域の露出した前記側端
   部を電気的に接続する、前記コンデンサの端子用電極を
   つくるための前記端子用導電体層を沈着する段階、 とを有するコンデンサの製造法。 （５）特許請求の範囲第４項において、（７）および（
   す）の段階を実行する前に（ロ）、（ハ）、に）、（ホ
   ）、（へ）および（ト）の段階を逐次に繰返し実行し、
   それによって各′電極が並列に接続された複数個の導電
   体層から成るコンデンサを得るための製造法。 （６）特許請求の範囲第４項において、前記端子用導電
   体をつくるために前記導電体領域の露出した前記側端部
   のおのおのの上に複数個の導電体層をスパッタリングに
   よりつける一階を有する製造法。 （力　特許請求の範囲第４項において、前記マトリック
   スを切断する前に最後につけられた前記誘電体層め最も
   上の表面上に外側絶縁体層をつける段階を有する製造法
   。 （８）特許請求の範囲第４項において、前記切断線が互
   いに直角をなして存在して長方形を定めそして前記切断
   線の１つが前記導電体領域の整合していない部分に交差
   しおよび前記第１切断線と直角をなす他の切断線が瞬接
   する前記導電体領域の間の非導電体層とたけ交差する製
   造法。 （９）特許請求の範囲第４項において、隣接する層の前
   記導電体領域の整合していない部分と交差するように配
   置された前記切断線が部分的に完成したコンデンサの列
   を構成することと、前記列の両側面が前記導電体領域の
   露出した側端部を有することと、端子用導電体をつくる
   ために前記導電体領域の露出した前記側端部の上に沈着
   された前記端子用導電体層がコンデンサの前記列の両側
   面上の露出した前記側端部の全部を被覆することと、前
   記列の１つの側面上の前記端子用導電体層を通りおよび
   導電体領域のおのおのの行の間の非導電体層を通るスリ
   ットがつくられそれにより個々のコンデンサが電気的に
   隔離されることを有する製造法。