DE4109769C2

DE4109769C2 - Keramisches Elektronikbauteil und Verfahren zu seiner Herstellung

Info

Publication number: DE4109769C2
Application number: DE19914109769
Authority: DE
Inventors: Toshio Ogawa
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1990-03-26
Filing date: 1991-03-25
Publication date: 1996-05-02
Anticipated expiration: 2011-03-26
Also published as: DE4109769A1

Description

Die Erfindung betrifft ein keramisches Elektronikbauteil, bei dem die Elektro den so ausgebildet sind, daß sie mit einer funktionellen keramischen Dünn schicht in Kontakt stehen, ins besondere ein keramisches Elektronikbauteil, bei dem die in Kontakt mit der keramischen Dünnschicht stehenden Elektroden verbessert sind sowie ein Verfahren zu seiner Herstellung.

Bei der Herstellung elektronischer Bauteile mit einer kristallinen funktionellen keramischen Dünnschicht wurde in den letzten Jahren versucht, eine funktio nelle keramische Dünnschicht auf ein Substrat so aufzubringen oder niederzu schlagen, daß die Struktur des Bauteils vereinfacht wurde. Falls die kristalline keramische Dünnschicht in Form einer Niederschlagsschicht ausgebildet ist, muß das Substrat, auf dem die Dünnschicht ausgebildet ist, in einer vorher be stimmten Atmosphäre der Schichtbildung erhitzt werden.

Andererseits müssen zur Ausbildung ihrer Funktion, beispielsweise der elek trischen Eigenschaften der funktionellen keramischen Dünnschicht die Elek troden so ausgebildet sein, daß sie in Kontakt mit der keramischen Dünn schicht stehen. Daher ist es notwendig, daß Dünnschichtelektroden auf einem Substrat ausgebildet sind, wonach eine kristalline funktionelle keramische Dünnschicht als Niederschlagsschicht auf den Dünnschichtelektroden ausge bildet wird. In einem solchen Fall werden die Dünnschichtelektroden, die selbst unterhalb der keramischen Dünnschicht ausgebildet sind, während der Aus bildung der funktionellen keramischen Dünnschicht ebenfalls einer hohen Temperatur ausgesetzt. Demgemäß muß ein für diese Anwendungsart ver wendbares Elektrodenmaterial bei hoher Temperatur eine ausgezeichnete Sta bilität aufweisen.

Des weiteren kann eine funktionelle keramische Dünnschicht mit einer Dicke von mehreren µm mit den Dünnschichtelektroden reagieren, die eine Dicke von Submikrons haben, während die keramische Dünnschicht ausgebildet wird unter Verschlechterung der Funktionalität der keramischen Dünnschicht. Da her ist es auch notwendig, ein Elektrodenmaterial auszuwählen, das eine sehr geringe Reaktivität gegenüber der keramischen Dünnschicht besitzt.

Zusätzlich ist es notwendig, falls eine funktionelle keramische Dünnschicht aus einem Oxid oder einem komplexen Oxidmaterial ausgebildet wird, zur Zeit der Filmbildung Sauerstoffgas einzuführen. Daher ist es notwendig, ein Elek trodenmaterial zu verwenden, das nicht nur bei hoher Temperatur eine ausge zeichnete Stabilität besitzt sowie eine niedrige Reaktivität mit der keramischen Dünnschicht aufweist, sondern auch bei hoher Temperatur eine ausgezeichne te Oxidationsbeständigkeit hat.

Da das vorstehend beschriebene Elektrodenmaterial so ausgebildet ist, daß es als Elektrode wirkt, ist es wesentlich, daß seine elektrische Leitfähigkeit gut ist.

Als Elektrodenmaterialien mit ausgezeichneter Oxidationsbeständigkeit bei hoher Temperatur werden herkömmlich Pt, Au, Ta, Ti und ähnliche Materialien verwendet.

Beispielsweise werden ein PbTiO₃-Film und ein Pb(Zr, Ti)O₃-Film, die aktives Pb für die Reaktion enthalten, gebildet durch Sputtern der Elektroden aus Pt, Au, Ta und Ti, die herkömmlich als Elektrodenmaterialien mit ausgezeichneter Oxi dationsbeständigkeit bei hoher Temperatur bekannt sind, um die Eignung von Pt, Au, Ta und Ti als Elektrodenmaterialien zu prüfen. Die Ergebnisse der Prüfung sind in Tabelle 1 aufgeführt.

Tabelle 1

Wie sich aus Tabelle 1 ergibt, haben Pt und Au eine ausgezeichnete Oxidationsbe ständigkeit bei hoher Temperatur und eine niedrige Reaktivität mit der kerami schen Dünnschicht, während die Elektrodenkosten sehr hoch sind.

Umgekehrt liegen die Elektrodenkosten für Ta und Ti nicht so hoch, wogegen die Re aktivität mit der keramischen Dünnschicht hoch ist, so daß diese nicht verwendbar sind.

Die DE-A-34 14 808 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators. Hierbei wird auf ein Glassubstrat eine mit Phosphor angereicherte Siliciumdioxid schicht aufgebracht und auf dieser eine aus Aluminium oder Nickel bestehende Elektrodenschicht vorgesehen. Weiterhin wird auf der Elektrode eine dielektrische Siliciumdioxidschicht aufgebracht, auf der wiederum eine weitere Elektroden schicht aus Aluminium oder Nickel vorgesehen wird.

Ziel der Erfindung ist die Schaffung eines keramischen Elektronikbauteils mit einer funktionellen keramischen Dünnschicht und von aus einem Material mit ausge zeichneter Oxidationsbeständigkeit bei hoher Temperatur hergestellten Elektro den, die eine niedrige Reaktivität mit der keramischen Dünnschicht aufweisen und kostengünstig herstellbar sind sowie ein Verfahren zur Herstellung derselben.

Gemäß der Erfindung wird nun ein keramisches Elektronikbauteil vorgesehen, um fassend eine keramische Dünnschicht und Ni oder Al enthaltende Dünnschicht elektroden, die so ausgebildet sind, daß sie in Kontakt mit der keramischen Dünn schicht stehen, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die Dünnschichtelektroden aus einer Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Legierung hergestellt sind.

Bei dem erfindungsgemäßen keramischen Elektronikbauteil liegen folgende Gründe vor, daß die aus der Ni-Al-Legierung oder der Ni-Cr-Al-Legierung herge stellten Dünnschichtelektroden so ausgebildet sind, daß sie in Kontakt mit der keramischen Dünnschicht stehen. Insbesondere zeigt die Legierung vom Ni-Al- System oder vom Ni-Cr-Al-System eine ausgezeichnete Hitzebeständigkeit als auch eine ausgezeichnete Stabilität bei hoher Temperatur. Von den Erfindern der vorliegenden Anmeldung konnte auch bestätigt werden, daß die Legierung vom Ni-Al-System oder Ni-Cr-Al-System eine sehr niedrige Reaktivität gegenü ber der keramischen Dünnschicht besitzt, die als Niederschlagsschicht in der Oxidationsatmosphäre bei hoher Temperatur ausgebildet ist, so daß sie kristal lin vorliegt.

Als zu verwendende Legierung des Ni-Al-Systems eignet sich beispielsweise eine, die 2,5 bis 8 Gew. -% Al und als Rest Ni und Spurenelemente enthält.

Als zu verwendende Legierung vom Ni-Cr-Al-System eignet sich beispielsweise eine, die aus 8 bis 25 Gew.-% Cr, 2,5 bis 8 Gew.-% Al sowie aus Ni und Spurenelementen als Rest besteht. Die Legierung vom Ni-Cr-Al-Sy stem mit einer derartigen Zusammensetzung ist aus der US-PS 4 439 248 als Legierung mit ausgezeichneter Hitzebeständigkeit bekannt.

Erfindungsgemäß ist die vorstehend beschriebene Legierung eines Ni-Al-Sy stems oder Ni-Cr-Al-Systems so angeordnet, daß sie mit der kristallinen kera mischen Dünnschicht in Kontakt steht. Demgemäß ist selbst dann, wenn die Elektroden aus einer Dünnschicht einer Legierung eines Ni-Al-Systems oder ei ner Dünnschicht einer Legierung eines Ni-Cr-Al-Systems zuvor als Unter schicht einer keramischen Dünnschicht ausgebildet sind und anschließend die keramische Dünnschicht als Niederschlagsschicht ausgebildet wird, so daß sie kristallin vorliegt, kaum eine Reaktionsmöglichkeit für die Schichtelektroden gegeben, mit der keramischen Dünnschicht zu reagieren. Weiterhin sind die Dünnschichtelektroden selbst bei hoher Temperatur stabil. Daher ist es mög lich, ein keramisches Elektronikbauteil mit den gewünschten Eigenschaften zu erhalten.

Weiterhin ist die Legierung vom Ni-Al-System oder Ni-Cr-Al-System kostengün stiger als Pt oder Au, wodurch es ermöglicht wird, die Herstellungskosten des elektronischen Bauteils unter Verwendung der kristallinen keramischen Dünnschicht herabzusetzen.

Als elektronisches Bauteil (elektronische Komponente), das so gebaut ist, daß die Dünnschichtelektroden mit einer funktionellen keramischen Dünnschicht in Kontakt stehen, kann ein permanenter RAM (Direktzugriffsspeicher) aufgeli stet werden, der beispielsweise einen ferroelektrischen Kondensator umfaßt. Der nicht-selbstlöschende oder permanente RAM umfaßt einen ferroelektri schen Kondensator, bei dem die Elektroden so ausgebildet sind, daß beide Hauptflächen der ferroelektrischen keramischen Dünnschicht als Speicher dienen.

Die Erfindung betrifft ebenso ein Verfahren zur Herstellung eines keramischen Elek tronikbauteils, umfassend die Schritte: Ausbilden einer Dünnschicht einer Le gierung eines Ni-Al-Systems oder eines Ni-Cr-Al-System auf einem Substrat, Erhitzen der Dünn schicht einer Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems in einer oxidieren den Atmosphäre und Ausbilden einer keramischen Dünnschicht auf der Dünn schicht der Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems nach dem Erhitzen.

Bei dem erfindungsgemäßen Herstellungsverfahren wird die Dünnschicht ei ner Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems vorher ausgebildet, und an schließend wird die keramische Dünnschicht darauf ausgebildet, wobei diesel be Wirkung erhalten wird wie bei dem vorstehend beschriebenen keramischen Elektronikbauteil. Darüber hinaus wird die Dünnschicht aus einer Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems in der Oxidationsatmosphäre erhitzt vor der Ausbildung der keramischen Dünnschicht. Demgemäß ist die hauptsächlich aus Al₂O₃ bestehende Oxidschicht auf der Oberfläche der Dünnschicht einer Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems ausgebildet. Die hauptsächlich aus Al₂O₃ bestehende Oxidschicht verhindert die Reaktion zwischen der Dünnschicht der Legierung und der keramischen Dünnschicht. Selbst falls feinste Löcher (pin holes) in der auf einer Dünnschicht einer Legierung ausge bildeten keramischen Dünnschicht vorhanden sind, kann die elektrische Lei tung zwischen den Elektroden auf und unter der keramischen Dünnschicht mit dem Pinloch wirksam verhindert werden aufgrund einer Al₂O₃-Schicht als elektrische Isolierung.

Ausgestaltungen des Verfahrens sind den Ansprüchen 5 und 6 zu ent nehmen.

Im folgenden wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand einer Zeichnung näher erläutert, in der zeigen

Fig. 1 einen vergrößerten Querschnitt einer Ausführungsform der Erfindung mit den hauptsächlichen Bestandteilen eines keramischen Elektronik bauteils, an demjenigen Teil, der der Querschnittslinie I-I gemäß Fig. 2 entspricht;

Fig. 2 einen vergrößerten Teilausschnitt einer Ausführungsform der Erfin dung mit Teilen des keramischen Elektronikbauteils;

Fig. 3 ein Diagramm mit D-E-Hystereseschleife; und

Fig. 4 einen Querschnitt zur Erläuterung der Funktion eines hauptsächlich aus Al₂O₃ zusammengesetzten Oxidfilms im Falle der Ausbildung ei nes Pinlochs im keramischen Dünnfilm.

Im folgenden wird eine erfindungsgemäße Ausführungsform beschrieben. Die se Ausführungsform wird auf einen ferroelektrischen Kondensator mit einer ferroelektrischen keramischen Dünnschicht angewandt. Der ferroelektrische Kondensator wird, wie später beschrieben, als permanenter RAM verwendet.

Im Detail wird bei einer erfindungsgemäßen Ausführungsform eine Kondensa torstruktur ausgebildet, bei der Dünnschichtelektroden 2 und 3, eine ferro elektrische keramische Dünnschicht 4 und Elektroden 5 und 6 auf einem Sub strat in Schichtstruktur aufgebracht sind, wie dies im Querschnitt gemäß Fig. 1 und einem Teilausschnitt gemäß Fig. 2 gezeigt wird.

Zunächst wird ein aus einem MgO-Einkristall der Kristallorientierung [100] ausgebildetes Substrat 1 hergestellt. Anschließend wird eine Legierung vom Ni- Al-System, enthaltend 91 Gew -% Ni, 4,5 Gew -% Al und 4,5 Gew.-% eines Spu renelements, wie Fe, und eine Legierung vom Ni-Cr-Al-System, enthaltend 75 Gew.-% Ni, 16 Gew.-% Cr, 4,5 Gew.-% Al und 4,5 Gew.-% eines Spurenelements, wie Fe, aufgesputtert, wobei der MgO-Einkristall mit einer Metallmaske be deckt wird zur Ausbildung der Dünnschichtelektroden 2 und 3 mit einer Dicke von nicht mehr als 1 µm unter folgenden Bedingungen:

Sputterbedingungen
Substrattemperatur Ts\|400°C
Druck des Aufdampfgases	0,4 Pa (3,0 × 10^-3 Torr)
Aufdampfgas	Ar (100 Vol.-%)
RF Energie	400 W/(um ein Target mit einem Durchmesser von 10,2 cm
Aufdampfzeit	einige Minuten

Anschließend wird unter folgenden Bedingungen aufgedampft oder aufge sprüht unter Verwendung von PbTiO₃ Keramik als Target zur Ausbildung einer ferroelektrischen keramischen Dünnschicht 4, zusammengesetzt aus PbTiO₃ mit einer Dicke von 1 bis 2 µm.

Sputterbedingungen
Substrattemperatur Ts\|600°C
Druck des Aufdampfgases	1,3 Pa (1,0 × 10^-2 Torr)
Aufdampfgas	Ar/O₂ = 90/10 Vol.-%)
RF Energie	200 W/(um ein Target mit einem Durchmesser von 5,6 cm
Aufdampfzeit	einige Minuten

Kurz bevor das zweite Aufdampfen oder Aufsprühen beginnt und während die Substrattemperatur Ts 600°C erreicht, liegen folgende Bedingungen der Gasat mosphäre vor: Druck = 1,3 Pa (1,0 × 10^-2 Torr) und Ar/O₂ = 90/10 Vol.-%, d. h. dieselben Bedingungen wie beim zweiten Aufdampfen oder Aufsprühen.

In vorstehend beschriebener Weise werden die Dünnschichtelektroden 2 und 3 und die keramische Dünnschicht 4 auf das Substrat 1 laminiert und anschlie ßend werden die Elektroden 5 und 6 auf der keramischen Dünnschicht 4 ausge bildet unter Verwendung des gleichen Materials, das für die Dünnschichtelek troden 2 und 3 bei Raumtemperatur Verwendung findet.

Die Reaktivität der Dünnschichtelektroden 2 und 3 mit der keramischen Dünn schicht 4, die Ferroelektrizität der keramischen Dünnschicht 4 und das Ver hältnis für die Leitung aufgrund des in der keramischen Dünnschicht 4 ausge bildeten Pinlochs werden geprüft. Das Verhältnis der Leitung aufgrund des Pin lochs ist ein Wert, bezogen auf eine Fläche von 1 mm² des überlappenden Ge biets der unteren Elektroden 2 und 3 und der oberen Elektroden 5 und 6. Zu sätzlich wird die Ferroelektrizität bestätigt durch Messen der D-E-Hysterese schleife und der Dielektrizitätskonstante.

Die D-E-Hystereseschleife einer PbTiO₃-Schicht mit Elektroden einer Legie rung eines Ni-Cr-Al-Systems ist in Fig. 3 gezeigt. Fig. 3 zeigt die Eigenschaften in dem Fall, bei dem eine Dünnschichtelektrode einer Legierung eines Ni-Cr-Al- Systems mit einer Dicke von etwa 1 µm als obere und untere Elektrode und eine PbTiO₃-Dünnschicht mit einer Dicke von 1,5 µm als ferroelektrische kerami sche Dünnschicht verwendet werden, wobei die Meßergebnisse bei einer Fre quenz von 60 Hz aufgenommen wurden.

Als Vergleichsbeispiele werden die in den Fig. 1 und 2 gezeigten Strukturen auf dieselbe Weise wie bei der erfindungsgemäßen Ausführungsform erhalten, mit der Ausnahme, daß die Dünnschichtelektroden 2 und 3 aus Pt, Au, Ta und Ti hergestellt sind, wie sie schon herkömmlich als hitzebeständige Elektrodenma terialien eingesetzt werden. Bei den Vergleichsbeispielen wurde die Reaktivität der Dünnschichtelektroden 2 und 3 mit der keramischen Dünnschicht 4, die Ferroelektrizität der keramischen Dünnschicht 4 und das Verhältnis der Lei tung aufgrund des Pinlochs ergibt, geprüft. Die Ergebnisse der Prüfung sind in Tabelle 2 aufgeführt.

Tabelle 2

Aus der in Fig. 3 gezeigten Hystereseschleife ergibt sich, daß der Wert der spon tanen Polarisation (Ps) 28 µC/cm² beträgt, also weitgehend gleich mit demjeni gen von keramischen Materialien ist. Die dielektrischen Eigenschaften der fer roelektrischen keramischen Dünnschicht sind: Dielektrizitätskonstante εr = 350 und tanδ = 0,04.

Wie sich aus Tabelle 2 ergibt, tritt bei der Struktur einer erfindungsgemäßen Ausführung unter Verwendung der Dünnschichtelektroden, hergestellt aus der Legierung des Ni-Al- und Ni-Cr-Al-Systems, ebenso wie bei einer Dünn schichtelektrode aus Pt, keine Reaktion zwischen der keramischen Dünn schicht 4 und den Elektroden 2 und 3 auf; weiterhin ist die Ferroelektrizität der keramischen Dünnschicht 4 nicht verschlechtert.

Andererseits tritt bei den Strukturen, die aus Au hergestellte Schichtelektro den verwenden, eine schwache Reaktion zwischen der keramischen Dünn schicht 4 und den Elektroden 2 und 3 auf. Bei den Strukturen, die aus Ta und Ti hergestellte Dünnschichtelektroden verwenden, tritt die Reaktion zwischen der keramischen Dünnschicht 4 und den Elektroden 2 und 3 auf, wobei die Fer roelektrizität der keramischen Dünnschicht 4 nicht meßbar ist.

In bezug auf das Verhältnis der Leitung aufgrund eines Pinlochs ist zu verste hen, daß die Zahl der Strukturen, bei denen die Leitung durch die keramische Dünnschicht auftritt, gemäß der vorliegenden Ausführungsform Null, bezogen auf 100 Strukturen beträgt, während die Zahl der Isolationsdefektstrukturen 30 und 50, bezogen auf 100 Strukturen unter Verwendung von Pt und Au be trägt. Bei den Strukturen gemäß vorliegender Ausführungsform ist der Span nungswiderstand 10fach gegenüber dem in den Strukturen bei Verwendung von Pt oder Au verbessert. Der Grund ist darin zu sehen, daß bei aus Pt und Au hergestellten Elektroden das Verhältnis für die Leitung höher wird mit zuneh mender Spannung, wenn das Pinloch oder der Spalt oder Riß in der kerami schen Dünnschicht vorhanden ist, so daß der Spannungswiderstand niedrig wird.

Der Grund, warum keine Leitung durch die keramische Dünnschicht aufgrund des Pinlochs und ähnlichen, in der keramischen Dünnschicht ausgebildeten Rissen oder Spalten bei vorliegender Ausführungsform auftritt, liegt darin, daß der hauptsächlich aus Al₂O₃ zusammengesetzte Oxidfilm auf den Oberflächen der Dünnschichtelektroden 2 und 3 ausgebildet ist. Bei der vorliegenden Aus führungsform werden die durch Bedampfen oder Aufsprühen der Legierung des Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems gebildeten Dünnschichtelektroden 2 oder 3 auf eine Temperatur von 600°C in der Oxidationsatmosphäre erhitzt, die 10 Vol. -% Sauerstoff enthält, bevor die keramische Dünnschicht 4 gebildet wird. Dieses Erhitzen in der Oxidationsatmosphäre bewirkt die Bildung einer im wesentli chen aus Al₂O₃ zusammengesetzten Oxidschicht auf den Oberflächen der Dünnschichtelektroden 2 und 3 und die in Fig. 4 mit dem Bezugszeichen 7 ver sehen ist.

Daher wird selbst dann, wenn ein Pinloch 4a gemäß Fig. 4 in der keramischen Dünnschicht 4, ausgebildet auf der Oxidschicht 7 der Elektrodenoberfläche, vorhanden ist und ein Elektrodenmaterial das Pinloch 4a bei einem Verfahren der Bildung der oberen Elektrode 6 besetzt, die Leitung zwischen den oberen und unteren Elektroden 2 und 6 aufgrund der Isolierungseigenschaften der Oxidschicht verhindert. Daher werden bei den vorstehend beschriebenen Strukturen gemäß der Ausführungsform die aus der Dünnschicht der Legie rung des Ni-Al-Systems oder Ni-Cr-Al-Systems gebildeten Elektroden 2 und 3 auf dem Substrat ausgebildet, und anschließend werden die Dünnschichtelek troden 2 und 3 in der Oxidationsatmosphäre erhitzt. Die im wesentlichen aus isolierendem Al₂O₃ gebildete Oxidschicht 7 wird auf den Oberflächen der Dünnschichtelektroden 2 und 3 ausgebildet. Selbst im Falle der Ausbildung von Pinlöchern in der keramischen Dünnschicht, die auf der Oxidschicht 7 liegt, kann ein Isolierungsdefekt zwischen der oberen und unteren Elektrode 2 und 6 wirksam verhindert werden.

Eine im wesentlichen aus Al₂O₃ zusammengesetzte Dünnschicht, die präzise ausgebildet ist, reagiert kaum mit der keramischen Dünnschicht 4. Daher wird selbst bei Ausbildung der aus Al₂O₃ hergestellten Oxidschicht 7 auf den Ober flächen der Dünnschichtelektroden 2 und 3 die Oxidschicht 7 kaum die Ferroe lektrizität der keramischen Dünnschicht 4 beeinflußt, da die Oxidschicht mit 5 nm (50 Å) sehr dünn ist.

Die Erfindung ist im allgemeinen auf ein keram isches Elektronikbauteil anwendbar, bei der die Dünnschichtelektroden aus einer Legierung eines Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Systems so ausgebildet sind, daß ein Kontakt mit einer keramischen Dünnschicht hergestellt wird.

Als keramische Materialien für eine keramische Dünnschicht, die so ausgebil det ist, daß ein Kontakt mit den Dünnschichtelektroden gemäß der Erfindung bewirkt wird, ist es möglich, zusätzlich zu keramischen Materialien vom Pb(Zr, Ti)O₃-System und keramischen Materialien vom PbTiO₃-System, kera mische Materialien eines LiNbO₃- und LiTaO₃-Systems, keramische Materia lien von größeren Wismuthstrukturen, wie eines Bi₄Ti₃O₁₂-Systems, kerami sche Materialien einer Wolfram-Bronze-Struktur, wie Bleimetaniobat PbNb₂O₆ oder Bleimetatantalit PbTa₂O₆, keramische Materialien eines Blei komplexperovskits, wie Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃-PbTiO₃ oder Pb(Ni_1/3Nb_2/3)O₃- PbTiO₃, das als Kondensatormaterial für das Sintern bei niedrigen Temperatu ren nützlich ist, keramische Materialien eines SiO₂-Systems, keramische Ma terialien eines TiO₂-Systems, keramische Materialien eines BaTiO₃-Systems, keramische Materialien eines SrTiO₃-Systems oder keramische Materialien ei nes CaTiO₃-Systems und keramische Materialien aus deren festen Lösungssy stem zu verwenden.

Als Verfahren zur Herstellung der funktionellen keramischen Dünnschicht, die durch die ferroelektrische Schicht charakterisiert wird, ist nicht nur das bei der Ausführungsform beschriebene Sputterverfahren, sondern auch andere Ver fahren, wie Niederschlagsverfahren im Vakuum, Laserabschmelzung, Sol-Gel- Verfahren oder chemische Dampfbeschichtung für die Herstellung des erfindungsgemäßen keramischen Elektronikbauteils einsetz bar.

Claims

1. Keramisches Elektronikbauteil, umfassend eine keramische Dünn schicht (4) und Ni oder Al enthaltende Dünnschichtelektroden (2, 3), die so ausgebildet sind, daß sie in Kontakt mit der keramischen Dünnschicht (4) stehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Dünnschichtelektroden (2, 3) aus einer Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Legierung hergestellt sind.

2. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni-Al- Legierung 2,5 bis 8 Gew.-% Aluminium enthält und der Rest aus Nickel und einem Spurenelement besteht.

3. Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni-Cr- Al-Legierung 8 bis 25 Gew.-% Chrom und 2,5 bis 8 Gew.-% Aluminium ent hält und der Rest aus Nickel und einem Spurenelement besteht.

4. Verfahren zur Herstellung eines keramischen Elektronikbauteils, umfassend die Schritte:
Ausbilden einer aus einer Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Legierung hergestellten Dünnschicht auf einem Substrat;
Erhitzen der aus einer Ni-Al- oder Ni-Cr-Al-Legierung hergestellten Dünn schicht in einer Oxidationsatmosphäre; und
Ausbilden einer keramischen Dünnschicht auf der aus der Ni-Al- oder Ni- Cr-Al-Legierung hergestellten Dünnschicht nach dem Erhitzen.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni- Al-Legierung 2,5 bis 8 Gew.-% Aluminium enthält und der Rest aus Nickel und einem Spurenelement besteht.

6. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Ni- Cr-Al-Legierung 8 bis 25 Gew. -% Chrom und 2,5 bis 8 Gew.-% Aluminium enthält und der Rest aus Nickel und einem Spurenelement besteht.