DE19953161A1 - NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips - Google Patents

NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips

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Abstract

Ein NTC-Thermistor weist ein elektrisch isolierendes Substrat, einen temperaturempfindlichen Film auf einer Oberfläche des Substrats, das zumindest 50 Gewichtsprozent ein Oxid aus Seltene-Erde-Elementen, wie z. B. LaCoO 3 , als dessen Hauptkomponente enthält, und ein Paar von Elektroden auf, die voneinander getrennt und jeweils mit diesem Film elektrisch verbunden sind. Ein NTC-Thermistorchip wird erhalten, indem ferner ein Paar von Außenelektroden gebildet wird, die sich jeweils auf einem entsprechenden Endabschnitt befinden und die jeweils elektrisch mit einer entsprechenden Oberflächenelektrode verbunden sind.

Description

Diese Erfindung bezieht sich auf NTC-Thermistoren (NTC = ne­ gative temperature coefficient = negativer Temperaturkoeffi­ zient) und insbesondere auf NTC-Thermistoren des sogenannten Filmtyps mit einem temperaturempfindlichen Film, der mittels eines Dünnfilm- oder Dickfilm-Bildungsprozesses auf einem elektrisch isolierenden Substrat gebildet ist.
NTC-Thermistoren werden weit verbreitet für Temperaturerfas­ sungs- und Temperaturkompensationszwecke verwendet. Die Ja­ panische Patentveröffentlichung Tokkai 64-50501 offenbart beispielsweise einen NTC-Thermistor vom Filmtyp mit einem temperaturempfindlichen Film, der durch einen Hochfrequenz­ sputterprozeß auf einem elektrisch isolierenden Substrat ge­ bildet ist, um die Ansprechcharakteristik zu verbessern, wenn derselbe beispielsweise für Temperaturerfassungszwecke verwendet wird.
Fig. 6 zeigt ein Beispiel eines bekannten NTC-Thermistors vom Filmtyp mit einem elektrisch isolierenden Substrat 51 (das hierin einfach als das "Substrat" bezeichnet wird), das aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt ist, mit einem temperaturempfindlichen Film ("Thermistorfilm") 52, der aus einem Thermistormaterial auf der Oberfläche des Substrats 51 hergestellt ist, und mit einem Paar von Elek­ troden ("Oberflächenelektroden") 53, die auf der Oberfläche des temperaturempfindlichen Films 52 gebildet sind. Im Ver­ gleich zu einem NTC-Thermistor vom sogenannten Bulk-Typ, der ein Thermistorelement für eine Temperaturerfassung aufweist, bei dem Elektroden auf einem Thermistorbauglied gebildet sind, das vollständig aus einem Thermistormaterial herge­ stellt ist, ist ein solcher NTC-Thermistor vom Filmtyp nicht nur dahingehend vorteilhaft, daß lediglich eine kleinere Menge eines Thermistormaterials erforderlich ist, sondern ferner, daß die Ansprechzeitdauer, die die wichtigste Cha­ rakteristik eines NTC-Thermistors für eine Temperaturerfas­ sung ist, deutlich verbessert werden kann, da die Wärmekapa­ zität desselben niedrig ist.
Zur Herstellung von bekannten NTC-Thermistoren des Filmtyps wurden jedoch Thermistormaterialien, die Oxide aus Über­ gangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe und Cu, aufweisen, die für die Herstellung von NTC-Thermistoren vom Bulk-Typ verwendet werden, für den temperaturempfindlichen Film der­ selben verwendet. Solche Materialien weisen üblicherweise einen spezifischen Widerstand auf, der gleich oder größer als 500 Ωcm ist. NTC-Thermistoren vom Bulk-Typ, die einen gewünschten Widerstandswert aufweisen, können mit einem sol­ chen Thermistormaterial erhalten werden, wobei jedoch der Widerstandswert viel höher als der eines bekannten Bulk- Typ-NTC-Thermistors wird, wenn ein solches Thermistormate­ rial für die Herstellung eines NTC-Thermistors vom Filmtyp, wie in Fig. 6 gezeigt ist, verwendet wird.
Hinsichtlich dieses Problems offenbart die im vorhergehenden erwähnte Japanische Patentanmeldung Tokkai 64-50501 ein Ver­ fahren zum Oxidieren des Films, nachdem derselbe durch ein Hochfrequenzsputterverfahren gebildet wurde, mittels eines Plasmaprozesses innerhalb einer Atmosphäre aus einem oxidie­ renden Gas. Dieses Herstellungsverfahren ist nachteilhaft, da eine zusätzliche Ausrüstung zum Ausführen der Plasmaver­ arbeitung erforderlich ist, nachdem der Film gebildet wurde, und da der Herstellungsprozeß als Ganzes eine erheblich län­ gere Zeitdauer erfordert.
Die Japanische Patentveröffentlichung 63-266801 offenbart ein Verfahren zum Vorsehen von Elektroden sowohl auf der oberen als auch unteren Oberfläche eines temperaturempfind­ lichen Widerstandsfilms. Bei einem derart strukturierten Thermistor ist jedoch das Auftreten von Schwierigkeiten, wie z. B. eines Kurzschlusses, viel wahrscheinlicher, da die Dicke des temperaturempfindlichen Widerstandsfilms extrem niedrig ist und der Abstand, durch den die Elektroden von­ einander getrennt sind, dieser Filmdicke entspricht.
Ausgehend von diesem Stand der Technik besteht die Aufgabe der vorliegenden Erfindung darin, einen NTC-Thermistor und einen NTC-Thermistorchip zu schaffen, die verbesserte und zuverlässige Betriebscharakteristika besitzen, und die bei einer Temperaturerfassung eine schnelle Ansprechgeschwindig­ keit und die ferner einen niedrigen Widerstandswert aufwei­ sen.
Diese Aufgabe wird durch einen NTC-Thermistor gemäß Anspruch 1 und durch einen NTC-Thermistorchip gemäß Anspruch 3 ge­ löst.
Ein NTC-Thermistor gemäß dieser Erfindung, mit dem die obi­ gen und weitere Aufgaben erfüllt werden können, kann ein elektrisch isolierendes Substrat, einen temperaturempfindli­ chen Film auf einer Oberfläche des Substrats, der zu zumin­ dest 50 Gewichtsprozent ein Oxid aus Seltene-Erde-Elementen, wie z. B. LaCoO3, als seine Hauptkomponente enthält, und ein Paar von Elektroden aufweisen, die voneinander getrennt sind und von denen jede elektrisch mit diesem Film verbunden ist. Ein NTC-Thermistorchip gemäß dieser Erfindung kann erhalten werden, indem ferner ein Paar von Außenelektroden gebildet wird, von denen sich jede auf einem entsprechenden Endab­ schnitt befindet und elektrisch mit einer entsprechenden Oberflächenelektrode verbunden ist.
Durch dieses Bilden eines NTC-Thermistors vom Filmtyp kann die Ansprechgeschwindigkeit gegenüber den bekannten NTC- Thermistoren des Bulk-Typs, die Oxide aus Übergangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe und Cu, verwenden, deutlich ver­ bessert werden, wohingegen der Widerstandswert so niedrig wie der eines solchen Bulk-Typ-NTC-Thermistors sein kann. Es hat sich außerdem herausgestellt, daß NTC-Thermistoren gemäß dieser Erfindung dahingehend zuverlässig sind, daß die (nor­ mierte) Änderung des Widerstandswerts durch einen Baugrup­ pentest niedrig gehalten werden kann.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:
Fig. 1A und 1B eine Schnittansicht und eine äußere Schrägansicht (teilweise im Schnitt) eines NTC-Thermistorchips gemäß dieser Erfindung;
Fig. 2 eine graphische Darstellung zur Erläuterung der Be­ ziehung zwischen der Änderung des Widerstandswerts und der Zeitdauer bei einem Baugruppentest von NTC-Thermistoren gemäß dieser Erfindung und von Vergleichsproben;
Fig. 3A und 3B eine Schnittansicht und eine äußere Schrägansicht (teilweise im Schnitt) eines weiteren NTC-Thermi­ storchips gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
Fig. 4A und 4B eine Schnittansicht und eine äußere Schrägansicht (teilweise im Schnitt) eines weiteren NTC-Thermi­ storchips gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung;
Fig. 5A und 5B eine Schnittansicht und eine äußere Schrägansicht (teilweise im Schnitt) eines weiteren NTC-Thermi­ storchips gemäß einem vierten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung; und
Fig. 6 eine Schnittansicht eines bekannten NTC-Thermistors vom Filmtyp.
In der gesamten folgenden Beschreibung werden gleiche oder äquivalente Komponenten mit den selben Bezugszeichen be­ zeichnet, selbst wenn diese Komponenten zu unterschiedlichen Thermistoren gehören, wobei diese Komponenten zur Vereinfa­ chung der Offenbarung nicht notwendigerweise wiederholt be­ schrieben werden.
Nun folgt eine beispielhafte Beschreibung der vorliegenden Erfindung. Fig. 1A und 1B zeigen einen NTC-Thermistorchip gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung mit einem elektrisch isolierenden Substrat ("Substrat") 1, das aus einem elektrisch isolierenden Material hergestellt ist, mit einem temperaturempfindlichen Widerstandsfilm ("Thermi­ storfilm") 2, der auf einer Oberfläche des Substrats 1 ge­ bildet ist, und mit einem Paar von Elektroden ("Oberflächen­ elektroden") auf der Oberfläche des Thermistorfilms 2, um zusammen die Anordnung zu bilden, die hierin im folgenden als Element 4 bezeichnet wird, und ferner mit einem Paar von Außenelektroden 5, die an beiden Endabschnitten des Elements 4 vorgesehen sind, um jeweils in einer elektrisch leitfähi­ gen Beziehung mit einer entsprechenden Oberflächenelektrode 3 zu sein, und mit einem elektrisch isolierenden Beschich­ tungsmaterial 6, das sowohl den Thermistorfilm 2 als auch die Oberflächen der Oberflächenelektroden 3 bedeckt. Fig. 1B zeigt ein Beispiel, bei dem die Seitenflächen des Thermi­ storfilms 2 und die Oberflächenelektroden 3 extern freilie­ gend sind, wobei jedoch das isolierende Beschichtungsmate­ rial 6 aufgetragen werden kann, um zu verhindern, daß die­ selben extern freiliegend sind. Tatsächlich kann das isolie­ rende Beschichtungsmaterial 6 alle ansonsten freiliegenden äußeren Oberflächen des NTC-Thermistorchips bedecken, mit Ausnahme dort, wo die äußeren Elektroden 5 gebildet sind.
Ein solcher NTC-Thermistor kann wie folgt gebildet werden. Als erstes wird ein Aluminiumoxidsubstrat hergestellt, um als das elektrisch isolierende Substrat 1 zu dienen. Als nächstes wird unter Verwendung einer Hochfrequenzsputtervor­ richtung der Thermistorfilm 2 auf dem Substrat 1 mit einem in Form hergestellten Körper aus einem Oxid aus einem Selte­ ne-Erde-Übergangselement, das 50 Gewichtsprozent oder mehr La und Co, wie z. B. LaCoO3, als dessen Hauptbestandteil auf­ weist, hergestellt. Der Hochfrequenzsputterprozeß kann in einer Ar-Atmosphäre ausgeführt werden, wobei die Temperatur des Substrats 1 bei 500°C liegt, die elektrische Hochfre­ quenzleistung 800 W beträgt und die Filmbildungsgeschwindig­ keit 3 µm/Std. ist. Als nächstes wird bei einer Temperatur im Bereich von 300-1.000°C über eine Zeitdauer, die für die ausgewählte Temperatur geeignet ist, eine Wärmebehand­ lung durchgeführt, um die kristallinen Charakteristika des Thermistorfilms 2 zu verbessern und um den Film zu stabili­ sieren.
Als nächstes werden Elektroden auf dem so hergestellten Sub­ strat 1 gebildet, wobei der Thermistorfilm 2 auf demselben gebildet ist. Aus diesen Elektroden wird später das Paar von einander gegenüberliegenden Oberflächenelektroden 3, wenn dieses Substrat geschnitten und in die einzelnen Elemente 4 unterteilt wird, wie sie in Fig. 1A und 1B gezeigt sind. Dies kann durch einen Sputterprozeß unter Verwendung eines Silber-Targets durchgeführt werden, um Dünnfilm-Ag-Elektro­ den zu bilden. Nachdem das Substrat 1 an geeigneten Positio­ nen geschnitten wurde, um die einzelnen Elemente 4 zu erhal­ ten, werden die Außenelektroden 5 auf beiden Endteilen jedes der Elemente 4 gebildet, so daß sich dieselben jeweils in einer elektrischen Kontaktbeziehung mit einer entsprechenden Oberflächenelektrode des Paars von Oberflächenelektroden 3 befinden. Jede Außenelektrode 5 ist nicht nur auf einer der einander gegenüberliegenden Seitenflächen des planaren Sub­ strats gebildet, sondern auch kontinuierlich über Abschnitte der oberen und unteren Oberfläche desselben, die an die Sei­ tenfläche angrenzen.
Als nächstes werden die Oberflächen des Thermistorfilms 2 und die Oberflächenelektroden 3 von einem elektrisch isolie­ renden Glasbeschichtungsmaterial 6 bedeckt, um den Thermi­ storfilm 2 und die Oberflächenelektroden 3 zu schützen, wo­ durch ein NTC-Thermistor erhalten wird, wie er in Fig. 1A und 1B dargestellt ist.
Mit den so hergestellten NTC-Thermistoren wurden Testexperi­ mente durchgeführt, um den spezifischen Widerstand des Ther­ mistorelements 2 und den Widerstandswert des NTC-Thermistors zu messen. Ferner wurden Baugruppentests durchgeführt, um die Zuverlässigkeit der Produkte unter Bedingungen mit hoher Temperatur zu untersuchen.
Zum Zweck solcher Tests und Experimente wurden ferner Ver­ gleichsproben hergestellt, indem die Art von Thermistormate­ rialien verwendet wurde, die für die Herstellung von bekann­ ten NTC-Thermistoren des Bulk-Typs verwendet wird, um NTC- Thermistoren vom Filmtyp zu erhalten. Diese Vergleichsproben wurden hergestellt, indem als erstes ein Aluminiumoxidsub­ strats hergestellt wurde, das dem entspricht, das für die Herstellung der Testproben gemäß dieser Erfindung verwendet wird. Nachdem ein Thermistorfilm unter Verwendung einer Hochfrequenzsputtervorrichtung mit einem bekannten Thermi­ stormaterial, das Oxide aus Mn, Ni und Co als das Sputter- Target umfaßt, und in einer Argon-Atmosphäre gebildet wurde, wobei die Temperatur des Substrats bei 500°C lag, die elek­ trische Hochfrequenzleistung 800 W betrug und die Filmbil­ dungsgeschwindigkeit 3 µm/Std. war, wurde bei einer Tempera­ tur in dem Bereich von 300-1.000°C für eine Zeitdauer, die für die ausgewählte Temperatur geeignet ist, eine Wärmebe­ handlung durchgeführt. Daraufhin wurde ein weiterer Sputter­ prozeß durchgeführt, um Elektroden, die später das Oberflä­ chenelektrodenpaar werden, auf dem Substrat mit dem darauf befindlichen Thermistorfilm zu bilden. Daraufhin wurden Au­ ßenelektroden und eine Glasbeschichtung gebildet, wie es im vorhergehenden bezugnehmend auf die Herstellung von NTC- Thermistoren gemäß dieser Erfindung erklärt wurde.
Es wurde durch Testexperimente festgestellt, daß der spezi­ fische Widerstand des Thermistorfilms bei diesen Vergleichs­ proben mehr als 2.000 Ωcm betragen hat, wobei jedoch dersel­ be mit den NTC-Thermistoren dieser Erfindung lediglich etwa 100 Ωcm betragen hat. Es wurde ferner festgestellt, daß NTC-Thermistoren für eine Temperaturerfassung, die Wider­ standswerte in dem Bereich von 1 k-10 kΩ aufweisen, ohne weiteres durch die NTC-Thermistoren gemäß dieser Erfindung angepaßt werden können, wohingegen es schwierig war, dies mit Vergleichsproben durchzuführen, die dieselbe Thermistor­ filmdicke und dieselben Abmessungen und dieselbe Positions­ beziehung der Oberflächenelektroden aufweisen.
Fig. 2 zeigt das Ergebnis eines Baugruppentests, aus dem er­ sichtlich wird, daß die Änderung des Widerstandswerts für den Fall einer bekannten Vergleichsprobe mit der Zeitdauer anwächst, wohingegen die NTC-Thermistoren gemäß der vorlie­ genden Erfindung stabil und äußerst zuverlässig sind, wobei sich deren Widerstandswert im wesentlichen nicht ändert, selbst nachdem die Proben eine ausgedehnte Zeitperiode lang Bedingungen mit hohen Temperaturen ausgesetzt wurden.
Fig. 3A und 3B zeigen einen weiteren NTC-Thermistorchip ge­ mäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung. Dieser NTC-Thermistorchip wird hergestellt, indem als erstes ein Paar von Oberflächenelektroden 3 an zwei Endpositionen auf der oberen Oberfläche eines Substrats 1 und daraufhin ein Thermistorfilm 2 auf einem mittleren Teil der oberen Ober­ fläche des Substrats 1 gebildet wird, um mit beiden Oberflä­ chenelektroden 3 verbunden zu sein. Ein Paar von Außenelek­ troden 5 wird auf beiden einander gegenüberliegenden Seiten­ flächen des Substrats 1 (des Elements 6) gebildet, um je­ weils mit einer entsprechenden der Oberflächenelektroden 3 elektrisch verbunden zu sein, und die Oberflächen des Ther­ mistorfilms 2 und die Oberflächenelektroden 3 werden voll­ ständig mit einem isolierenden Glasbeschichtungsmaterial 6 bedeckt. Bei der obigen Beschreibung kann die Reihenfolge des Bildens des Thermistorfilms 2 und der Außenelektroden 5 umgekehrt werden. Die Materialien für jede der Komponenten stimmen mit den Materialien überein, die oben bezugnehmend auf das erste Ausführungsbeispiel der Erfindung beschrieben wurden. Jeder Schritt des Herstellungsprozesses kann auch dementsprechend durchgeführt werden.
Fig. 4A und 4B zeigen einen weiteren NTC-Thermistorchip ge­ mäß einem dritten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, das sich von dem ersten und zweiten Ausführungsbeispiel der Er­ findung, die oben bezugnehmend auf die Fig. 1A, 1B, 3A und 3B beschrieben wurden, unterscheidet, wobei bei diesem Aus­ führungsbeispiel Thermistorfilme 2 und Paare von Oberflä­ chenelektroden 3 sowohl auf der oberen als auch unteren Oberfläche des planaren Substrats 1 gebildet sind. Außen­ elektroden 5 auf beiden einander gegenüberliegenden Seiten­ flächen des Substrats 1 (des Elements 4) befinden sich je­ weils in einer elektrisch verbundenen Beziehung mit entspre­ chenden Oberflächenelektroden der Paare der Oberflächenelek­ troden 3, und eine Isolationsschicht 6 aus einem Glasbe­ schichtungsmaterial bedeckt den Thermistorfilm 2 und die Oberflächenelektroden 3 auf beiden Oberflächen des Substrats 1. NTC-Thermistorchips gemäß diesem Ausführungsbeispiel kön­ nen auf eine entsprechende Art und Weise, wie sie im vorher­ gehenden beschrieben wurde, hergestellt werden.
Fig. 5A und 5B zeigen einen weiteren NTC-Thermistorchip ge­ mäß einem vierten Ausführungsbeispiel dieser Erfindung, der sich durch eine einfachere Struktur ohne die Außenelektroden auszeichnet. Dieser Chip wird hergestellt, indem über der gesamten oberen Oberfläche eines Substrats 1 ein Thermistor­ film 2 und an beiden Endteilen auf der oberen Oberfläche des Substrats 1 ein Paar von voneinander getrennten Oberflächen­ elektroden 3 gebildet wird, und indem der mittlere Teil der oberen Oberfläche des Substrats 1, der nicht von den Ober­ flächenelektroden 3 bedeckt ist, mit einer elektrisch iso­ lierenden Schicht 6 aus einem Glasbeschichtungsmaterial be­ deckt wird. Dieses Ausführungsbeispiel zeigt, daß abhängig von dem vorgesehenen Verwendungszweck NTC-Thermistorchips mit einer vereinfachten Struktur verwendet werden können, so daß der Herstellungsprozeß vereinfacht und die Materialko­ sten reduziert werden können. Es sollte offensichtlich sein, daß die Herstellungsprozesse und Materialien, die im vorher­ gehenden bezugnehmend auf das erste, zweite und dritte Aus­ führungsbeispiel der Erfindung beschrieben wurden, auch für das vierte Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet wer­ den können.
Die Erfindung ist im vorhergehenden lediglich bezugnehmend auf eine begrenzte Anzahl von Beispielen beschrieben worden, wobei diese Beispiele jedoch nicht den Schutzbereich der Er­ findung einschränken sollen. Innerhalb des Schutzbereichs der Erfindung sind viele Modifikationen und Variationen mög­ lich. Das elektrisch isolierende Material für das Substrat muß beispielsweise nicht Aluminiumoxid sein. Siliziumsub­ strate mit einem elektrisch isolierenden Oxidfilm auf der Oberfläche, Glassubstrate und viele andere Arten von Sub­ straten können zu diesem Zweck verwendet werden. Als das Sputter-Target zum Bilden des Thermistorfilms muß nicht un­ bedingt ein gesinterter oder in Form hergestellter Oxidkör­ per aus Seltene-Erde-Übergangselementen, die La und Co, wie z. B. LaCoO3, umfassen, verwendet werden. Pulver, die durch Pulverisieren eines solchen Körpers erhalten werden, können gleichermaßen gut als das Target für den Sputterprozeß ver­ wendet werden.
Außerdem ist es nicht notwendig, daß der Thermistorfilm durch Sputtern gebildet wird. Der Thermistorfilm gemäß die­ ser Erfindung kann durch ein Dünnfilm-Bildungsverfahren, wie z. B. das Alkoxid-Verfahren, durch ein Dickfilm-Bildungsver­ fahren, wie z. B. das Beschichten des Substrats mit einer Pa­ ste aus einem Thermistormaterial und das Aussetzen desselben einem Brennprozeß, oder durch viele weitere alternative Ver­ fahren gebildet werden. Das Material für die Oberflächen­ elektroden muß nicht Ag sein. Folglich kann jedes andere be­ liebige Material, wie z. B. Pt, Pd und deren Legierungen ver­ wendet werden, die einen ohmschen Kontakt mit dem Thermi­ storfilm herstellen, um entsprechende Effekte zu erhalten.
Obwohl die Figuren lediglich rechteckige Oberflächenelek­ troden zeigen, sollte dies in keiner Weise den Schutzbereich der Erfindung begrenzen. Die Oberflächenelektroden können sogenannte kammförmige Elektroden der Art sein, deren Finger parallel zueinander und aufeinander zu von einem Hauptab­ schnitt vorstehen.
Zusammenfassend wird festgestellt, daß die Offenbarung breit ausgelegt werden soll. Der Schutzbereich der Erfindung ist auf keine Weise durch die geometrische Form des Substrats oder der Struktur des Thermistorfilms eingeschränkt. NTC- Thermistoren dieser Erfindung zeichnen sich durch einen Thermistorfilm aus, der LaCoO3 aufweist und ein Elektroden­ paar verbindet. Als Ergebnis kann die Ansprechzeitdauer ge­ genüber bekannten NTC-Thermistoren des Bulk-Typs, die Oxide aus Übergangsmetallen, wie z. B. Mn, Ni, Co, Fe und Cu, ver­ wenden, deutlich verbessert werden. Diese Erfindung liefert ferner NTC-Thermistoren vom Filmtyp mit einem so niedrigen Widerstandswert, wie er durch die bekannten Bulk-Thermisto­ ren erreichbar ist, wobei die Änderung des spezifischen Wi­ derstands bei einem Baugruppentest selbst unter Bedingungen mit hohen Temperaturen reduziert werden kann.

Claims (4)

1. NTC-Thermistor (4) mit:
einem elektrisch isolierenden Substrat (1) mit einer Oberfläche;
einem temperaturempfindlichen Film (2) auf der Ober­ fläche des Substrats (1), wobei der Film (2) zumindest 50 Gewichtsprozent LaCoO3 enthält; und
einem Paar von Elektroden (3), die voneinander ge­ trennt sind und von denen jede elektrisch mit dem Film (2) verbunden ist.
2. NTC-Thermistor (4) gemäß Anspruch 1, bei dem der Film (2) einen negativen Temperaturkoeffizienten aufweist.
3. NTC-Thermistorchip (4) mit:
einem elektrisch isolierenden Substrat (1) mit einer Oberfläche und zwei Endabschnitten, die voneinander getrennt sind;
einem temperaturempfindlichen Film (2) auf der Ober­ fläche des Substrats (1), wobei der Film (2) zumindest 50 Gewichtsprozent LaCoO3 enthält;
einem Paar von voneinander getrennten Oberflächenelek­ troden (3), von denen jede elektrisch mit dem Film (2) verbunden ist und sich auf einem entsprechenden der Endabschnitte befindet; und
einem Paar von Außenelektroden (5), von denen sich je­ de auf einem entsprechenden der Endabschnitte befindet und elektrisch mit einer entsprechenden der Oberflä­ chenelektroden (3) verbunden ist.
4. NTC-Thermistorchip (4) gemäß Anspruch 3, bei dem der Film (2) einen negativen Temperaturkoeffizienten auf­ weist.
DE19953161A 1998-11-06 1999-11-04 NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips Ceased DE19953161A1 (de)

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