DE2436911B2 - Verfahren zur herstellung von duennschicht-heissleiterelementen auf der basis von vanadiumoxidmaterial - Google Patents
Verfahren zur herstellung von duennschicht-heissleiterelementen auf der basis von vanadiumoxidmaterialInfo
- Publication number
- DE2436911B2 DE2436911B2 DE19742436911 DE2436911A DE2436911B2 DE 2436911 B2 DE2436911 B2 DE 2436911B2 DE 19742436911 DE19742436911 DE 19742436911 DE 2436911 A DE2436911 A DE 2436911A DE 2436911 B2 DE2436911 B2 DE 2436911B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- vanadium
- vanadium oxide
- oxide material
- doping
- atomic percent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/075—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques
- H01C17/12—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thin film techniques by sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/04—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient
- H01C7/042—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having negative temperature coefficient mainly consisting of inorganic non-metallic substances
- H01C7/043—Oxides or oxidic compounds
- H01C7/047—Vanadium oxides or oxidic compounds, e.g. VOx
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/10—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material voltage responsive, i.e. varistors
- H01C7/105—Varistor cores
- H01C7/108—Metal oxide
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Coating By Spraying Or Casting (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Description
45
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Heißleiterelementen auf der Basis von
Vanadiumoxidmaterial, bei dem auf ein geeignetes Substrat durch reaktives Zerstäuben eine dünne Schicht
aufgebracht wird, die überwiegend aus einem Vanadiumoxidmaterial mit einer allein durch das Material
selbst festgelegten Übergangstemperatur besteht.
Ein derartiges Verfahren zur Herstellung von
Dünnschicht-HeiQleiterelementen auf der Basis von Vanadiumoxid ist aus »Appl. Phys.Lett.«, 20(1972), Nr. 2,
S. 93 bis 95, bekannt. Bei diesem Verfahren werden durch reaktives Zerstäuben in einer Argon-Sauerstoff-Atmosphäre
VCh-Filme auf ein geeignetes Substrat aufgebracht zur Herstellung von sogenannten »Sprungheißleitern«.
In dieser Literaturstelle wird darauf hingewiesen, daß das verwendete Material VO2 mit
seinem strukturellen Aufbau dem TiOj- ähnelt, das wesentlicher Bestandteil des für die Herstellung von
»Sprungkaltleitern« bekannten BaTiOj ist, in denen die
Sprungtemperatur, das heißt der Curie-Punkt, durch Zusät/e verschoben werden kann. Bei dem zuletzt
genannten Verfahren wird das Bariumtitanat jedoch nicht durch reaktives Zerstäuben auf ein Substrat
aufgebracht, sondern durch Sintern hergestellt (vergleiche die DT-PS 9 29 350).
Es sind auch bereits verschiedene Verfahren zur Herstellung von temperaturempfindlichen Widerständen
auf der Basis eines mit verschiedenen Verbindungen dotierten Vanadiumoxidmaterials bekannt (US-PS
34 02 131). Durch Zugabe der Dotierungsverbindung zu dem Vanadiumoxidmaterial soll dessen Widerstands-Temperatur-Charakteristik
verändert und insbesondere die Übergangstemperatur dieses Materials erniedrigt oder erhöht und die Schärfe der abrupten Widerstandsänderung
bei der Obergangstemperatur modifiziert werden. Bei diesem bekannten Verfahren werden die
Dotierungsmaterialien und das Vanadiumoxidmaterial durch Sintern miteinander umgesetzt unter Bildung
einer kompakten Masse, die einen erheblichen Anteil Vanadiumoxidmaterial enthält. Die elektrischen Kontakte
werden in der Weise hergestellt, daß man Metalldrähte in diese Masse einbettet. Bei den
bekannten Verfahren treten jedoch Schwierigkeiten in bezug auf die Reproduzierbarkeit der gewünschten
elektrischen Widerstände auf, und diese Verfahren lassen sich nicht ohne weiteres auf die Herstellung
miniaturisierter Bauteile anwenden, wie sie für integrierte Schaltungen erforderlich sind.
Aufgabe der Erfindung ist es daher, das eingangs genannte bekannte Verfahren zur Herstellung von
Dünnschicht-Heißleiterelementen auf der Basis von Vanadiumoxidmaterial dahingehend weiterzuentwikkeln,
daß damit Dünnschicht-Heißleiierelcniente hergestellt
werden können, deren Übergangstemperatur über bzw. unter dem Wert liegt, der durch das Vanadiumoxidmaterial
selbst festgelegt ist, das zu Produkten mit gut reduzierteren Eigenschaften führt und auch für die
Hersuellung miniaturisierter Bauteile für integrierte
Schaltungen angewendet werden kann.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäli dadurch gelöst,
daß Wolfram, Molybdän, Titan, Niob. Germanium, Silicium, Kohlenstoff, Chrom, Mangan, Aluminium
und/oder Gallium als Dotierungsmaterial eingesetzt werden, und zwar in einer Menge von 0,025 bis
25 Atomprozent.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, auf reproduzierbare Weise Dünnschicht-Heißleiterelemente
mit genau reproduzierbaren Eigenschaften herzustellen, die auch über längere Zeiträume
hinweg stabil sind. Das erfindungsgemäUe Verfahren läßt sich ohne weiteres auch auf die Herstellung
miniaturisierter Bauteile anwenden, wie sie für integrier! e Schaltungen benötigt werden.
Gemäß einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung verwendet man als Vanadiumoxidmaterial Vanadiumdioxid
und als Dotierungsmaterial Germanium in einer Menge von 0,1 bis 15 Atomprozent. Dadurch ist es
möglich, die Übergangstemperatur des Vanadiumdioxids von etwa 65 auf etwa 85° C zu steigern.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung verwendet man als Vanadiumoxidmaterial
Vanadiumdioxid und als Dotierungsmaterial Wolfram in einer Menge von 0,1 bis I Atomprozent. Dadurch
ist es möglich, die Übergangstemperatur des Vanadiumdioxids
von etwa 65 auf etwa 35°C /u senken.
Gemäß einer weiteren bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung führt man das reaktive Zerstäuben unter
Verv. cndung eines zusammengesetzten Targets, das aus
einer Legierung aus Vanadium und einem der oben
genannten Dotierungsmaterialien besteht, oder unter
Verwendung eines zusammengesetzten Sintermetalltargets, das aus Pulvern von Vanadin und einem der oben
genannten Dotierungsmaterialien hergestellt worden ist, oder unter Verwendung eines zusammengesetzten
Targets durch, das aus metallischem Vanadium besteht, an dem Stücke aus einem der obengenannten
Dotierungsmaterialien befestigt sind. In jedem Falle wird das Dotierungsmaterial zusammen mit dem
Vanadium zerstäubt und in den wachsenden Vanadiumoxidfilm eingebaut
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher erläutert, in der verschiedene
Widerstands-Temperatur-Charakteristiken von nach dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellten Dünnsehicht-Heißleitereiementen
dargestellt sind.
Die Kurve a) der Zeichnung zeigt die Widerstands-Temperatur-Charakteristik
von reinem Vanadiumdioxid. Die Obergangstemperatur dieses Materials liegt bei 650C.
Die Kurve b) zeigt die Widerstands-Temperatur-Charakteristik von Vanadiumdioxid, das mit 035 Atomprozent
Wolfram dotiert ist. Die Übergangstemperatur dieses Materials ist durch die Dotierung auf etwa 520C
gesunken.
Die Kurve c) gibt die Widerstands-Temperatur-Chrakteristik
von Vanadiumdioxid, das mit 10 Atomprozent Germanium dotiert ist, an. In diesem Falle ist
die Übergangstemperatur durch die Dotierung auf 8O0C gestiegen.
Die Kurve d) zeigt die Widerstands-Temperatur-Charakteristik von mit 12,5 Atomprozent Germanium
dotiertem Vanadiumdioxid. Die Übergangstemperatur ist in diesem Falle auf 85°C gestiegen.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfphren ist es möglich, durch reaktives Zerstäuben Dotierungsmaterialien
enthaltende Vanadiumdioxidfilme mit Übergangstemperaturen von 35 bis 90° C herzustellen. Solche
Filme werden mit Hilfe eines zusammengesetzten Metalltargets in einer oxydierenden Atmosphäre unter
Verwendung einer üblichen reaktiven Zerstäubungstechnik aufgebracht. Bei diesem Verfahren läßt man
Vanadium- und Sauerstoffdämpfe unter Bedingungen, die ein Wachstum von Vanadiumdioxidkristallen gewährleisten,
auf einem erhitzten Substrat kondensieren und miteinander reagieren. Ein geeignetes Aiifspritzverfahren
ist in »Applied Physics Letters«, Band 20 (1972), S. 93 bis 95, näher beschrieben. Erfindungsgerräß
können auch andere Aufspritzverfahren angewendet werden. Im vorliegenden Falle wird zur Einarbeitung
des Dotierungsmaterials ein zusammengesetztes Target verwendet, das den gewünschten Anteil an Dotierungsmaterial
enthält. Das verwendete Target kann die weiter oben angegebene Zusammensetzung haben.
Nach dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, Dünnschicht-Heißleiterelemente beispielsweise
für kleine Temperatursensoren hei zustellen. Solche Sensorenbauteile können nach den Angaben in der
DT-Patentanmeldung P 24 02 709.6-34, die als DT-OS 24 02 709 veröffentlicht ist, mit Dünnschicht-Platinkontakten
versehen werden. Die aktive Fläche zwischen den Kontakten kann zur Erzielung der gewünschten
Impedanz variiert werden, sie beträgt jedoch in der Regel 0254 mm7. Diese Sensorelemente werden auf
Saphir-Einkristallsubstrate aufgebracht, welche die Bildung grobkörniger Vanadiumoxidfilme begünstigen.
Die nach dem erfindungsgemäßen Verfahren herstellbaren Bauteile können sehr klein sein, so daß deren
physikalische Masse ebenfalls klein gehalten werden kann und überwiegend von der Umhüllung abhängt, die
für das Anbringen von Leitungsdrähten und für den physikalischen Schutz erforderlich ist. Derartige Bauteile
können in Metallgehäusen mit Glasdichtungen hergestellt werden, die sehr schnell auf Änderungen der
Umgebungstemperatur ansprechen, so daß solche Bauteile für die schnelle Bestimmung von Temperaturänderungen
und für die genaue Temperatursteuerung kleiner Massen verwendet werden können.
Auf die vorstehend beschriebene Weise können erfindungsgemäß auch thermische Überlastungsrelais
hergestellt werden, die eine Heizeinrichtung zum Aufheizen der Vanadiumdioxidfilme aufweisen. Nach
dem erfindungsgemäßen Verfahren keimen unter Anwendung des erfindungsgemäßen Zerstäubungsverfahrens
thermische Überlastungsrelais hergestellt werden, die Vanadiumdioxidmaterial enthalten, dessen
Umwandlungstemperatur innerhalb des Bereiches von 35 bis 900C liegt.
Obgleich in der Zeichnung nur Widerstands-Temperatur-Kurven dargestellt sind, die man mit dotiertem
Vanadiumdioxid mit einer Übergangsteniperatur von 65°C erhält, können selbstverständlich auch andere
Vanadiumoxide mit anderen Übergangstemperaiuren auf die erfindungsgemäß vorgeschlagene Weise hergestellt
werden, deren Übergangstemperatur gegenüber dem Wert des reinen Vanadiumoxids erhöht oder
erniedrigt ist.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Verfahren zur Herstellung von Dünnschicht-Heißleiterelementen auf der Basis von Vanadiumoxidmaterial,
wobei auf ein geeignetes Substrat S durch reaktives Zerstäuben eine dünne Schicht
aufgebracht wird, die überwiegend aus einem Vanadiumoxidmaterial mit einer allein durch das
Material selbst festgelegten Obergangstemperatur besteht, dadurch gekennzeichnet, daß to
Wolfram, Molybdän, Titan, Niob, Germanium, Silicium, Kohlenstoff, Chrom, Mangan, Aluminium
und/oder Gallium als Dotierungsmaterial eingesetzt werden, und zwar in einer Menge von 0,05 bis 25
Atomprozent.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Vanadiumoxidmaterial Vanadiumdioxid
und als Dotierungsmaterial Germanium in einer Menge von 0,1 bis 15 Atomprozent eingesetzt
werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Vanadiumoxidmaterial Vanadiumdioxid
und als Dotierungsmaterial Wolfram in einer Menge von 0,1 bis 1 Atomprozent eingesetzt
werden.
4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Zerstäuben
unter Verwendung eines zusammengesetzten Targets durchgeführt wird, das aus einer Legierung
aus Vanadium und einem der genannten Dotierungsmaterialien besteht.
5. Verfahren nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Zerstäuben unter
Verwendung eines zusammengesetzten Sintermetalltargets durchgeführt wird, das aus Pulvern von
Vanadium und einem der genannten Dotierungsmaterialien hergestellt worden ist.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das reaktive Zerstäuben
unter Verwendung eines zusammengesetzten Targets durchgeführt wird, das aus metallischem
Vanadium besteht, an dem Stücke aus einem der genannten Dotierungsmaterialien befestigt sind.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US384505A US3899407A (en) | 1973-08-01 | 1973-08-01 | Method of producing thin film devices of doped vanadium oxide material |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2436911A1 DE2436911A1 (de) | 1975-02-13 |
DE2436911B2 true DE2436911B2 (de) | 1977-06-30 |
Family
ID=23517577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19742436911 Withdrawn DE2436911B2 (de) | 1973-08-01 | 1974-07-31 | Verfahren zur herstellung von duennschicht-heissleiterelementen auf der basis von vanadiumoxidmaterial |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3899407A (de) |
JP (1) | JPS5050294A (de) |
BE (1) | BE818346A (de) |
CA (1) | CA1021556A (de) |
DE (1) | DE2436911B2 (de) |
FR (1) | FR2246036B1 (de) |
GB (1) | GB1415149A (de) |
NL (1) | NL7410294A (de) |
SE (1) | SE393480B (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012112574A1 (de) | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
DE102012112575A1 (de) | 2012-12-18 | 2014-07-03 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4349425A (en) * | 1977-09-09 | 1982-09-14 | Hitachi, Ltd. | Transparent conductive films and methods of producing same |
FR2479589A1 (fr) * | 1980-04-01 | 1981-10-02 | Thomson Csf | Dispositif de protection d'une alimentation a decoupage |
US4769291A (en) * | 1987-02-02 | 1988-09-06 | The Boc Group, Inc. | Transparent coatings by reactive sputtering |
ATE168819T1 (de) * | 1991-03-25 | 1998-08-15 | Commw Scient Ind Res Org | Makroteilchenfilter in lichtbogenquelle |
US5288380A (en) * | 1992-07-23 | 1994-02-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method for fabrication of thin-film bolometric material |
GB9405613D0 (en) * | 1994-03-22 | 1994-05-11 | British Tech Group | Laser waveguide |
JP2735147B2 (ja) * | 1994-06-08 | 1998-04-02 | 工業技術院長 | サーモクロミック材料の製造法 |
JP2764539B2 (ja) * | 1994-06-24 | 1998-06-11 | 工業技術院長 | サーモクロミック材料の製造方法 |
JP3349036B2 (ja) * | 1995-06-14 | 2002-11-20 | 三菱電機株式会社 | 測温用抵抗体、その製法および該測温用抵抗体を用いる赤外線検知素子 |
WO1999062836A1 (de) | 1998-06-03 | 1999-12-09 | Meyer Bruno K | Thermochrome beschichtung |
US6653704B1 (en) | 2002-09-24 | 2003-11-25 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory with tunnel junction memory cells and phase transition material for controlling current to the cells |
KR100596196B1 (ko) * | 2004-01-29 | 2006-07-03 | 한국과학기술연구원 | 볼로메타용 산화물 박막 및 이를 이용한 적외선 감지소자 |
US7969771B2 (en) * | 2008-09-30 | 2011-06-28 | Seagate Technology Llc | Semiconductor device with thermally coupled phase change layers |
EP2597647A1 (de) * | 2011-11-28 | 2013-05-29 | Imec | Auswahlvorrichtung für Speicheranwendungen |
CN104178738A (zh) * | 2014-08-14 | 2014-12-03 | 电子科技大学 | 一种无相变高电阻温度系数的掺钛氧化钒薄膜的制备方法 |
EP3411511A1 (de) * | 2016-02-04 | 2018-12-12 | Ecole Polytechnique Federale de Lausanne (EPFL) | Beschichtung für optische und elektronische anwendungen |
RU2623573C1 (ru) * | 2016-04-29 | 2017-06-27 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский государственный технический университет имени Гагарина Ю.А." (СГТУ имени Гагарина Ю.А.) | Способ изготовления пленочного материала на основе смеси фаз VOx, где x=1,5-2,02 |
CN107188426A (zh) * | 2017-05-02 | 2017-09-22 | 武汉理工大学 | 一种钨掺杂二氧化钒热致变色薄膜及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3402131A (en) * | 1964-07-28 | 1968-09-17 | Hitachi Ltd | Thermistor composition containing vanadium dioxide |
US3483110A (en) * | 1967-05-19 | 1969-12-09 | Bell Telephone Labor Inc | Preparation of thin films of vanadium dioxide |
US3660155A (en) * | 1970-04-15 | 1972-05-02 | Us Navy | Method for preparing solid films |
US3647664A (en) * | 1970-09-08 | 1972-03-07 | Energy Conversion Devices Inc | Method of making a current controlling device including a vo2 film |
US3751310A (en) * | 1971-03-25 | 1973-08-07 | Bell Telephone Labor Inc | Germanium doped epitaxial films by the molecular beam method |
US3765940A (en) * | 1971-11-08 | 1973-10-16 | Texas Instruments Inc | Vacuum evaporated thin film resistors |
-
1973
- 1973-08-01 US US384505A patent/US3899407A/en not_active Expired - Lifetime
-
1974
- 1974-07-22 CA CA205,283A patent/CA1021556A/en not_active Expired
- 1974-07-25 SE SE7409651A patent/SE393480B/xx unknown
- 1974-07-30 FR FR7426494A patent/FR2246036B1/fr not_active Expired
- 1974-07-31 BE BE147166A patent/BE818346A/xx unknown
- 1974-07-31 DE DE19742436911 patent/DE2436911B2/de not_active Withdrawn
- 1974-07-31 NL NL7410294A patent/NL7410294A/xx not_active Application Discontinuation
- 1974-07-31 JP JP49087946A patent/JPS5050294A/ja active Pending
- 1974-07-31 GB GB3377974A patent/GB1415149A/en not_active Expired
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012112574A1 (de) | 2012-12-18 | 2014-06-18 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co. Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
WO2014095423A2 (de) | 2012-12-18 | 2014-06-26 | Endress+Hauser Wetzer Gmbh+Co. Kg | Sensorelement, thermometer sowie verfahren zur bestimmung einer temperatur |
DE102012112575A1 (de) | 2012-12-18 | 2014-07-03 | Endress + Hauser Wetzer Gmbh + Co Kg | Sensorelement, Thermometer sowie Verfahren zur Bestimmung einer Temperatur |
WO2014095423A3 (de) * | 2012-12-18 | 2014-09-25 | Endress+Hauser Wetzer Gmbh+Co. Kg | Sensorelement, thermometer sowie verfahren zur bestimmung einer temperatur |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2246036B1 (de) | 1978-01-27 |
CA1021556A (en) | 1977-11-29 |
NL7410294A (nl) | 1975-02-04 |
JPS5050294A (de) | 1975-05-06 |
DE2436911A1 (de) | 1975-02-13 |
AU7180674A (en) | 1975-10-16 |
US3899407A (en) | 1975-08-12 |
BE818346A (fr) | 1974-11-18 |
SE393480B (sv) | 1977-05-09 |
SE7409651L (de) | 1975-02-03 |
FR2246036A1 (de) | 1975-04-25 |
GB1415149A (en) | 1975-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2436911B2 (de) | Verfahren zur herstellung von duennschicht-heissleiterelementen auf der basis von vanadiumoxidmaterial | |
DE69611642T2 (de) | Zinkoxidkeramik, Verfahren zu deren Herstellung und Zinkoxidvaristoren | |
EP0351004B1 (de) | Nichtlinearer spannungsabhängiger Widerstand | |
DE2735484C2 (de) | Verfahren zur Herstellung von Dickfilm-Varistoren mit Zinkoxid als Hauptkomponente | |
DE3038375A1 (de) | Verfahren zur herstellung eines karbid-duennschicht-thermistors | |
DE3102197A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines fuehlers zum erfassen einer fluid-stroemungsgeschwindigkeit oder eines fluid-durchsatzes | |
DE2811052A1 (de) | Duennschichtwiderstand und fertigungsverfahren fuer duennschichtwiderstaende mit gesteuertem widerstandstemperaturkoeffizienten | |
EP1277215B1 (de) | Elektrisches bauelement, verfahren zu dessen herstellung und dessen verwendung | |
EP0443323B1 (de) | Blei-Zink-Borosilikatglas und Verwendung des Glases | |
DE3033511C2 (de) | Spannungsabhängiger Widerstand | |
DE3200901A1 (de) | Verfahren zum herstellen eines temperaturempfindslichen bauelements | |
DE19953161A1 (de) | NTC-Thermistoren und NTC-Thermistorchips | |
DE3785750T2 (de) | Elektrische widerstaende, elektrische widerstandspaste und herstellungsverfahren. | |
DE1465087A1 (de) | Herstellung von Widerstaenden | |
DE69018742T2 (de) | Thermistor und Gassensor mit diesem Thermistor. | |
DE3034070A1 (de) | Feuchtigkeitsmessfuehler | |
DE1903561C3 (de) | Widerstandsmasse | |
EP0066333B1 (de) | Nichtlinearer Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0065806B1 (de) | Spannungsabhängiger Widerstand und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE3018595C2 (de) | Spannungsabhängiger Widerstand und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE2461096C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Dunnschichtwiderstandes | |
DE3206502C2 (de) | ||
EP0432353A2 (de) | Widerstandsmasse und ihre Verwendung | |
DE1615030B2 (de) | Aus einer isolierunterlage mit hierauf aufgebrachten duennen tantal film aufgebaute duennfilmschaltung | |
DE2056268A1 (de) | Temperaturempfindhche, elektrisch leitende Masse |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
BGA | New person/name/address of the applicant | ||
8239 | Disposal/non-payment of the annual fee |